JP2013175285A - 発光装置の作製方法 - Google Patents
発光装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013175285A JP2013175285A JP2012037549A JP2012037549A JP2013175285A JP 2013175285 A JP2013175285 A JP 2013175285A JP 2012037549 A JP2012037549 A JP 2012037549A JP 2012037549 A JP2012037549 A JP 2012037549A JP 2013175285 A JP2013175285 A JP 2013175285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- light
- organic
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 458
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 382
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 99
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 140
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 73
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 47
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 36
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 28
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 16
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004164 Wax ester Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019386 wax ester Nutrition 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GXBYFVGCMPJVJX-UHFFFAOYSA-N Epoxybutene Chemical group C=CC1CO1 GXBYFVGCMPJVJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】支持基板上に接着層を介して可とう性を有する基板を貼り付けた状態で、発光性の有機化合物を含む層や上部電極を形成し、その後、発光素子が形成された可とう性を有する基板を、支持基板から剥離する。このとき、可とう性を有する基板と支持基板とを貼り合わせる接着層に用いる材料として、室温で固体であり、且つ加熱することにより溶融する材料を用いればよい。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成例、及び発光装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。
以下では、本実施の形態で例示する発光装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。本作製方法例では、発光素子が形成される基板表面側に発光を取り出す上面発光型の発光装置の作製方法について説明する。
ここで、第1の基板101と支持基板121とを接着する有機物層123は、少なくともEL層105及び第2の電極層107を形成する際に第1の基板101が支持基板121から剥離しないように設ければよく、様々な形態をとりうる。
上記作製方法例では、発光素子が形成される基板の表面側に発光を取り出す上面発光型の発光装置の作製方法について説明したが、基板や電極に用いる材料を変更することにより、発光素子が形成される基板の裏面側に発光を取り出す下面発光型の発光装置や、基板の表面側と裏面側の両方に発光を取り出す両面発光型の発光装置を作製することができる。いかでは、下面発光型の発光装置と、両面発光型の発光装置を作製する方法について説明する。なお以下では、上記作製方法例で説明した内容と重複する部分については、説明を省略する。
下面発光型の発光装置では、発光素子120が形成される第1の基板101として、発光素子120からの発光に対して透光性を有する基板を用いる。また発光素子120を構成する第1の電極層103に、EL層105からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、第2の電極層107に、EL層105からの発光に対して反射性を有する材料を用いる。
両面発光型の発光装置では、第1の基板101と第2の基板102の両方に、発光素子120からの発光に対して透光性を有する基板を用いる。さらに、発光素子120を構成する第1の電極層103と第2の電極層107の両方に、EL層105からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
以下では、本発明一態様の発光装置の作製方法によって作製可能な発光装置の構成例について説明する。
以下では、本発明の一態様の発光装置の各構成に用いることのできる材料と、その形成方法について説明する。なお、材料や形成方法については以下に限られず、同様の機能や効果を奏する材料や形成方法であれば、適宜用いることができる。
光射出側に設けられる基板の材料としては、ガラスや有機樹脂などの透光性を有する材料を用いることができる。また光射出とは反対側に設けられる基板の場合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属や、有色の有機樹脂などの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形成することにより絶縁を持たせることが好ましい。
平坦化層は、第1の基板の表面の凹凸形状を被覆し、平坦化する目的で形成する。平坦化層としては絶縁性の材料を用いることができ、例えばポリイミド、アクリル、エポキシ、ベンゾシクロブテン等の有機材料を用いることができる。
光射出側とは反対側に用いる電極層や配線に用いる材料としては、例えばアルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属、またはこれらを含む合金を用いることができる。またこれら金属材料を含む金属または合金にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料からなる膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀と酸化インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いることができる。
EL層105は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層(発光層ともいう)を含めば良く、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されていてもよい。複数の層で構成されている構成としては、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、並びに電子注入層が積層された構成を例に挙げることができる。なお、発光層を除くこれらの層はEL層105中に必ずしも全て設ける必要はない。また、これらの層は重複して設けることもできる。具体的にはEL層105中に複数の発光層を重ねて設けてもよく、電子注入層に重ねて正孔注入層を設けてもよい。また、中間層として電荷発生層の他、電子リレー層など他の構成を適宜加えることができる。また、例えば、異なる発光色を呈する発光層を複数積層する構成としてもよい。例えば補色の関係にある2以上の発光層を積層することにより白色発光を得ることができる。
[絶縁層]
絶縁層115に用いる材料としては、平坦化層113と同様の材料の他、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、あるいは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した発光装置の作製方法において、表示装置を適用する場合について、図面を参照して説明する。
図4(A)は、表示装置150の画素の一部分であり、図4(B)は、図4(A)中の切断線C−Dで切断した断面における断面概略図である。
以下では、表示装置150の作製方法について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置が適用された電子機器や照明装置の例について、図面を参照して説明する。
101 第1の基板
102 第2の基板
103 第1の電極層
105 EL層
107 第2の電極層
111 配線
113 平坦化層
115 絶縁層
117 配線
119 封止層
120 発光素子
121 支持基板
123 有機物層
125 加熱手段
130 発光装置
140 発光装置
150 表示装置
151 ソース配線
152 ゲート配線
153 トランジスタ
154 トランジスタ
161 接着層
163 絶縁層
165 絶縁層
166 絶縁層
167 絶縁層
168 絶縁層
169 絶縁層
171 支持基板
173 剥離層
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 引き出し部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (7)
- 可とう性を有する第1の基板の一面上に、第1の電極を形成する工程と、
支持基板の一面上に、有機物層を設ける工程と、
前記有機物層を加熱して溶融させた状態で前記第1の基板の前記一面と対向する裏面と前記有機物層とを密着させた後、前記有機物層を冷却して固化させ、前記第1の基板と前記支持基板とを前記有機物層を介して接着し、
前記第1の電極上に、発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層上に第2の電極を形成し、
前記有機物層を加熱して溶融させた状態で、前記支持基板から前記第1の基板を剥離する工程と、を有し、
前記有機物層に、融点が30℃以上150℃以下の有機化合物を含む材料を用いる、
発光装置の作製方法。 - 可とう性を有する第1の基板の一面上に、第1の電極を形成する工程と、
支持基板の一面上に、有機物層を設ける工程と、
前記有機物層を加熱して溶融させた状態で前記第1の基板の前記一面と対向する裏面と前記有機物層とを密着させた後、前記有機物層を冷却して固化させ、前記第1の基板と前記支持基板とを前記有機物層を介して接着し、
前記第1の電極上に、発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層上に第2の電極を形成し、
前記第1の基板の前記一面と対向し、且つ可とう性を有する第2の基板と、前記第1の基板とを封止層を介して接着し、
前記有機物層を加熱して溶融させた状態で、前記支持基板から前記第1の基板を剥離する工程と、を有し、
前記有機物層に、融点が30℃以上150℃以下の有機化合物を含む材料を用いる、
発光装置の作製方法。 - 前記第1の基板及び前記第2の基板は、
いずれか一方に、金属材料または合金材料を用い、
いずれか他方に、前記発光性の有機化合物からの発光を透過する材料を用いる、
請求項2に記載の、発光装置の作製方法。 - 前記第1の基板及び前記第2の基板は、
いずれか一方に、金属材料または合金材料を用い、
いずれか他方に、前記第1の電極に近い側からガラス層と有機樹脂層とが順に積層され、且つ前記発光性の有機化合物からの発光を透過する積層体を用いる、
請求項2に記載の、発光装置の作製方法。 - 可とう性を有する第1の基板と、
前記第1の基板の一面上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極と、
前記第1の基板の前記一面と対向し、且つ可とう性を有する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板を接着する封止層と、
前記第1の基板の前記一面と対向する裏面上に設けられた有機物層と、を備え、
前記第1の基板は、金属材料又は合金材料からなり、
前記第2の基板は、前記発光性の有機化合物からの発光を透過する材料からなり、
前記有機物層は、融点が30℃以上150℃以下の蝋を含む、
発光装置。 - 前記第2の基板は、前記第1の電極に近い側からガラス層と有機樹脂層とが順に積層され、且つ前記発光性の有機化合物からの発光を透過する積層体である、
請求項5に記載の、発光装置。 - 可とう性を有する第1の基板と、
前記第1の基板の一面上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極と、
前記第1の基板の前記一面と対向し、且つ可とう性を有する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板を接着する封止層と、
前記第1の基板の前記一面と対向する裏面上に設けられた有機物層と、を備え、
前記第1の基板は、前記発光性の有機化合物からの発光を透過する材料からなり、
前記第2の基板は、金属材料または合金材料からなり、
前記有機物層は、融点が30℃以上150℃以下の蝋を含む、
発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012037549A JP2013175285A (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 発光装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012037549A JP2013175285A (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 発光装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175285A true JP2013175285A (ja) | 2013-09-05 |
JP2013175285A5 JP2013175285A5 (ja) | 2015-04-02 |
Family
ID=49268036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012037549A Withdrawn JP2013175285A (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 発光装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013175285A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015079755A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
KR20180065362A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
JP2022068223A (ja) * | 2016-11-30 | 2022-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033464A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2003255863A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 大型ディスプレイの製造方法 |
JP2005100895A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装置、電気光学装置を搭載した電子機器、および液滴吐出装置 |
WO2011030716A1 (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-17 | 旭硝子株式会社 | ガラス/樹脂積層体、及びそれを用いた電子デバイス |
JP2011226765A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-11-10 | Panasonic Corp | 面状採暖具の製造方法および面状採暖具の製造装置 |
JP2012003268A (ja) * | 2000-02-29 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電気器具 |
-
2012
- 2012-02-23 JP JP2012037549A patent/JP2013175285A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012003268A (ja) * | 2000-02-29 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電気器具 |
JP2002033464A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2003255863A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 大型ディスプレイの製造方法 |
JP2005100895A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装置、電気光学装置を搭載した電子機器、および液滴吐出装置 |
WO2011030716A1 (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-17 | 旭硝子株式会社 | ガラス/樹脂積層体、及びそれを用いた電子デバイス |
JP2011226765A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-11-10 | Panasonic Corp | 面状採暖具の製造方法および面状採暖具の製造装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015079755A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
CN104576689A (zh) * | 2013-10-16 | 2015-04-29 | 乐金显示有限公司 | 有机发光器件及其制造方法 |
US9583546B2 (en) | 2013-10-16 | 2017-02-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
TWI587489B (zh) * | 2013-10-16 | 2017-06-11 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 有機發光裝置及其製造方法 |
US10069109B2 (en) | 2013-10-16 | 2018-09-04 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
KR102062353B1 (ko) * | 2013-10-16 | 2020-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
JP2022068223A (ja) * | 2016-11-30 | 2022-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11587904B2 (en) | 2016-11-30 | 2023-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP7305821B2 (ja) | 2016-11-30 | 2023-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20180065362A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
KR102555383B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2023-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10541372B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
JP6870139B2 (ja) | 剥離方法 | |
US11355729B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device | |
US10079353B2 (en) | Light-emitting device with flexible substrates | |
JP6732002B2 (ja) | 積層体の作製装置 | |
JP2019109517A (ja) | 半導体装置 | |
JP2020050527A (ja) | 貼り合せ装置 | |
JP2013175285A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP2016136529A (ja) | 発光装置 | |
JP2018006351A (ja) | 発光装置 | |
JP7018533B2 (ja) | 湾曲した発光面を備える発光装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150210 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20160222 |