JP2013145249A - Gas monitoring device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、水晶振動子を用いたガスモニタリング装置に関する。 The present invention relates to a gas monitoring device using a crystal resonator.
水晶振動子を用いたガスモニタリング方法として、水晶振動子に電極を設けて形成した汚染センサをクリーンルーム等のチャンバー内に配置して、その汚染センサの電極にケミカル物質を付着させ、その水晶振動子の共振周波数の変化からケミカル汚染度をリアルタイムでモニタするようにしたチャンバー内のケミカル汚染度モニタ方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。 As a gas monitoring method using a crystal resonator, a contamination sensor formed by providing an electrode on the crystal resonator is placed in a chamber such as a clean room, and a chemical substance is attached to the electrode of the contamination sensor. There has been proposed a method for monitoring the degree of chemical contamination in a chamber in which the degree of chemical contamination is monitored in real time from the change in the resonance frequency (see, for example, Patent Document 1).
また、水晶振動子を用いたガスモニタリング装置として、センサと、センサに接続された共振回路と、共振回路に接続された周波数検出器とを備えたケミカルフィルタ終点検知モニタが提案されている。ここで用いられるセンサは、固有の共振周波数で振動する円盤状の水晶振動子と、振動子の両側面に金などで形成された金属電極と、それぞれの電極の接続端子と、金属電極上に形成された周囲の所要のガス成分を吸着するための膜層とを有している。このケミカルフィルタ終点検知モニタによれば、汚染分子が吸着されると、その分だけ膜層の重量が増加するため、水晶振動子の共振周波数が低下する。この共振周波数を周波数検出器により測定することにより、ケミカルフィルタ処理ガス中の汚染分子の基板付着量を測定するようになっている(たとえば、特許文献2参照)。 Further, as a gas monitoring apparatus using a crystal resonator, a chemical filter end point detection monitor including a sensor, a resonance circuit connected to the sensor, and a frequency detector connected to the resonance circuit has been proposed. The sensor used here includes a disk-shaped crystal resonator that vibrates at a specific resonance frequency, metal electrodes formed of gold or the like on both sides of the resonator, connection terminals of the respective electrodes, and metal electrodes. And a film layer for adsorbing the required surrounding gas components. According to this chemical filter end point detection monitor, when the contaminating molecules are adsorbed, the weight of the film layer increases accordingly, and the resonance frequency of the crystal resonator decreases. By measuring the resonance frequency with a frequency detector, the amount of contaminating molecules in the chemical filter processing gas adhering to the substrate is measured (for example, see Patent Document 2).
図6は、ガスモニタリング装置を示す模式図であり、図7は、図6に示したガスモニタリング装置を用いたモニタリング結果を示す図である。 FIG. 6 is a schematic diagram showing a gas monitoring device, and FIG. 7 is a diagram showing a monitoring result using the gas monitoring device shown in FIG.
図6に示すガスモニタリング装置701は、上述した先行技術を踏まえ、本願の発明者らがケミカル汚染物質の汚染濃度をより正確に計測すべく提案したものであって、一端部にモニタリング対象となる空気を導入する空気導入部721を設け、他端部に導入した空気を排出する空気排出部722を設けたケーシング702と、該ケーシング702の内部に装填された水晶振動子703とを備えている。このガスモニタリング装置701によれば、図7に示すように、時間とともに汚染物質が水晶振動子703に吸着されることになる(特願2008−151612号参照)。
A
しかしながら、上述したガスモニタリング装置701では、水晶振動子703に吸着されたガスの吸着強度を評価することは難しい。
However, in the
また、上述したガスモニタリング装置701では、モニタリング対象となる空気が水晶振動子703にどのように当たるかによって、吸着されるケミカル汚染物質の吸着量が変化することが実験によりわかった。たとえば、同一条件下において、図8に示すように、モニタリング対象となる空気が垂直に当たるように水晶振動子703を配置した場合(以下、垂直配置の場合という)には吸着量が98ng/cm2となるのに対して、図9に示すように、モニタリング対象となる空気と平行となるように水晶振動子703を配置した場合(以下、水平配置の場合という)に吸着量が133ng/cm2となる。垂直配置の場合が水平配置の場合よりも吸着量が少ないのは、垂直配置の場合に水晶振動子703の影となる面(裏面)が空気と接触しにくいことによるものであると解される。一方、水平配置の場合は水晶振動子703の全体が空気に触れることから、垂直配置の場合の2倍の吸着量となることが予想されたが、約1.4倍の吸着量しか得られなかった。この結果は、空気導入部721から導入される空気の流速を半分(1/2)にした場合、1.5倍にした場合も同様である。このことからモニタリング対象となる空気の流れる方向と水晶振動子703との関係には最適なものがあると解される。
Further, in the
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、モニタリング対象となる空気の流れる方向と水晶振動子との関係を最適化するガスモニタリング装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a gas monitoring device that optimizes the relationship between the flow direction of air to be monitored and a crystal resonator.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、モニタリング対象となる空気が導入される空気導入部と、導入された空気が排出される空気排出部を設けたケーシングと、該ケーシングの内部に装填された水晶振動子とを備えたガスモニタリング装置であって、前記空気導入部が、モニタリング対象となる空気が水晶振動子の一方の面に斜めに当たり、その後、一方の面に沿って流れるように、ケーシングの側部に設けた第一導入部と、モニタリング対象となる空気が水晶振動子の他方の面に斜めに当たり、その後、他方の面に沿って流れるように、ケーシングの側部に設けた第二導入部とを有することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides an air introduction part into which air to be monitored is introduced, a casing provided with an air exhaust part from which the introduced air is exhausted, A gas monitoring device including a quartz crystal resonator loaded in a casing, wherein the air introduction unit is configured such that the air to be monitored strikes one surface of the crystal resonator diagonally, and then the one surface The first introduction part provided on the side of the casing so as to flow along the air, and the air to be monitored obliquely strikes the other surface of the crystal unit, and then flows along the other surface of the casing. It has the 2nd introduction part provided in the side part, It is characterized by the above-mentioned.
本発明にかかるガスモニタリング装置は、ケーシングの側部に設けた第一導入部から導入されたモニタリング対象となる空気が水晶振動子の一方の面に斜めに当たり、その後、一方の面に沿って流れるとともに、ケーシングの側部に設けた第二導入部から導入された計測対象となる空気が水晶振動子の他方の面に斜めに当たり、その後、他方の面に沿って流れるので、モニタリング対象となる物質を水晶振動子に効率的に吸着させることができる。 In the gas monitoring device according to the present invention, the air to be monitored introduced from the first introduction portion provided on the side portion of the casing strikes one surface of the crystal resonator obliquely, and then flows along the one surface. In addition, since the air to be measured introduced from the second introduction portion provided on the side portion of the casing strikes the other surface of the crystal resonator obliquely and then flows along the other surface, the substance to be monitored Can be efficiently adsorbed to the crystal unit.
以下に、本発明にかかるガスモニタリング装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a gas monitoring apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
(実施の形態1)
まず、図1〜図3に基づいて、本発明の実施の形態1であるガスモニタリング装置について説明する。なお、図1は、本発明の実施の形態1であるガスモニタリング装置を示す模式図であり、図2は、吸着強度が大きな物質Aのモニタリング結果を示す図、図3は、吸着強度が小さな物質Bのモニタリング結果を示す図である。
(Embodiment 1)
First, the gas monitoring apparatus which is Embodiment 1 of this invention is demonstrated based on FIGS. 1-3. 1 is a schematic diagram showing the gas monitoring apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a monitoring result of the substance A having a high adsorption strength, and FIG. 3 is a low adsorption strength. It is a figure which shows the monitoring result of the substance B.
図1に示すガスモニタリング装置1は、半導体や液晶デバイスの生産・開発用のクリーンルームの内部に設置され、ケミカル汚染物質をリアルタイムで計測できるようにしたものである。 A gas monitoring apparatus 1 shown in FIG. 1 is installed inside a clean room for production and development of semiconductors and liquid crystal devices, and can measure chemical contaminants in real time.
図1に示すように、ガスモニタリング装置1は、ケーシング2の内部に水晶振動子(QCM)3を装填したものである。
As shown in FIG. 1, the gas monitoring device 1 has a
ケーシング2は、円筒形状をした箱体であって、モニタリング対象となる空気(クリーンルームの室内空気)あるいは清浄な空気が導入される空気導入部21を一端部に設け、導入された空気が排出される空気排出部22を他端部に設けてある。
The
空気導入部21には、バルブ(選択供給手段)4が接続してある。バルブ4は、モニタリング対象となる空気あるいは清浄な空気を選択し、選択された空気を空気導入部21から供給するようになっている。バルブ4には、バルブ切換コントローラ(切換制御手段)41が接続してある。バルブ切換コントローラ41は、バルブ4を切換制御するもので、本実施の形態にかかるバルブ切換コントローラ41は、予め設定した時間ごとに選択された空気を一方から他方に切り換えるようになっている。たとえば、モニタリング対象となる空気が選択され、モニタリング対象となる空気が空気導入部21から供給されている場合に、予め設定された時間が経過すると、選択された空気がモニタリング対象となる空気から清浄な空気に切り換えられ、清浄な空気が空気導入部21から供給されるようになる。同様に、清浄な空気が選択され、清浄な空気が空気導入部21に供給されている場合に、予め設定された時間が経過すると、選択された空気が清浄な空気からモニタリング対象となる空気に切り換えられ、モニタリング対象となる空気が空気導入部21に供給されるようになる。すなわち、モニタリング対象となる空気と清浄な空気とが予め設定された時間ごとに切り替わり、空気導入部21に供給されることになる。なお、予め設定された時間は、任意に設定されるが、ここでは、三時間が設定されているものとする。
A valve (selective supply means) 4 is connected to the
空気排出部22は、吸引ポンプ(空気排出手段)接続される開口であって、吸引ポンプが稼働すると、モニタリング対象となる空気あるいは清浄な空気が空気導入部21を介してケーシング2の内部に一定速度で強制的に導入され、その後、空気排出部22を介してケーシング2の外部に排出されるようになっている。
The
水晶振動子3は、水晶片31と、水晶片31の両側表面に設けられた一対の電極32と、電極32の少なくとも一方に積層されたシリコンウエハ33とを有しており、ケミカル汚染物質は、シリコンウエハ33に吸着されるようになっている。
The crystal unit 3 includes a
水晶振動子3の電極32には、共振回路51が接続されている。共振回路51は、水晶振動子3を共振させるためのもので、電源52が接続され、電源52から電力が供給されるようになっている。また、共振回路51には、周波数カウンタ53が接続され、水晶振動子3が共振した周波数をカウントするようになっている。
A
周波数カウンタ53には、データ処理装置(PC)54が接続されている。データ処理装置54は、シリコンウエハがケミカル汚染物質を吸着することにより生じる重力変化を水晶振動子3が共振周波数変化として出力することを用い、周波数カウンタ53がカウントした周波数からシリコンウエハがケミカル汚染物質を吸着することにより生じる重量変化を算出するようになっている。また、データ処理装置54は、清浄な空気からモニタリング対象となる空気への切換直前において水晶振動子3に吸着された物質の残存吸着量を継続して求めるとともに、継続して求めた物質の残存吸着量から物質の吸着強度を求めるようになっている。
A data processing device (PC) 54 is connected to the
上述した実施の形態1であるガスモニタリング装置1は、モニタリング対象となる空気が選択され、モニタリング対象となる空気がバルブ4から空気導入部21を介してケーシングの内部に供給されると、図2および図3に示すように、時間の経過とともにケミカル汚染物質の吸着量(重量)が増加する。ここで、単位時間あたりの変化量(吸着速度)と空気量との関係をみれば、ケミカル汚染物質の空気中濃度が推定できる。また、平均的な吸着量変化のデータを用意しておけば、これと日々のデータを比較することによって、異常事態の発生や室内汚染物質濃度の変動を感知することもできる。
In the gas monitoring apparatus 1 according to Embodiment 1 described above, when air to be monitored is selected and the air to be monitored is supplied from the
そして、予め設定された時間が経過すると、バルブ切換コントローラ41によって、選択された空気がモニタリング対象となる空気から清浄な空気に切り換えられ、清浄な空気がバルブ4から空気導入部21を介してケーシング2の内部に供給される。すると、図2および図3に示すように、時間の経過とともにケミカル汚染物質の吸着量(重量)が減少する。これは、清浄な空気によって、水晶振動子3からケミカル汚染物質が脱離したことを意味する。
When a preset time elapses, the
したがって、モニタリング対象となる空気と清浄な空気とが予め設定された時間ごとに切り替わり空気導入部21に供給されると、図2および図3に示すように、ケミカル汚染物質の吸着量は、増加と減少を繰り返すことになる。
Therefore, when the air to be monitored and the clean air are switched at predetermined time intervals and supplied to the
そして、データ処理装置54が、清浄な空気からモニタリング対象となる空気への切換直前において水晶振動子3に吸着されたケミカル汚染物質の吸着量(残存吸着量)を継続して求めれば、当該物質の吸着強度を求めることができる。
If the
すなわち、図2および図3に示すように、ケミカル汚染物質の吸着量が最小となる時点(清浄な空気からモニタリング対象となる空気への切換直前)の吸着量をプロットすれば、当該物質の吸着強度を求めることができる。吸着強度は、直線で近似することができ、たとえば、図2に示すA物質の吸着強度YAは、YA=aX+CAで表すことができ、図3に示すB物質の吸着強度YBは、YB=bX+CBで表すことができる。したがって、この直線の傾きがケミカル汚染物質の吸着強度として評価される。なお、図2および図3において、傾きはa>bとなるので、A物質はB物質よりも吸着強度が大きく、半導体や液晶デバイスの生産に悪影響を与えると解される。 That is, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, if the adsorption amount at the time when the adsorption amount of the chemical pollutant becomes minimum (immediately before switching from clean air to air to be monitored) is plotted, the adsorption of the substance The strength can be determined. The adsorption intensity can be approximated by a straight line. For example, the adsorption intensity Y A of the substance A shown in FIG. 2 can be expressed by Y A = aX + C A , and the adsorption intensity Y B of the substance B shown in FIG. , Y B = bX + C B. Therefore, the slope of this straight line is evaluated as the adsorption strength of chemical contaminants. 2 and 3, since the slope is a> b, it is understood that the substance A has a higher adsorption strength than the substance B, which adversely affects the production of semiconductors and liquid crystal devices.
ところで、水晶振動子(QCM)表面への汚染物質の表面濃度の変化は下記数式1によって表されることが知られている(「有機汚染物質/アウトガスの発生メカニズムとトラブル対策事例集」技術情報協会、2008年1月、p.119−127参照)。 By the way, it is known that the change in the surface concentration of contaminants on the surface of the crystal unit (QCM) is expressed by the following formula 1 (Technical information on "Organic contaminants / outgas generation mechanism and troubleshooting examples" Association, January 2008, p.119-127).
清浄空気を導入した場合には、Cx≒0となるので、上記数式1は、下記数式2に近似できる。
When clean air is introduced, Cx≈0, and the above formula 1 can be approximated to the following
したがって、物質Xの脱離速度定数(Kde,x)が大きければ物質Xの表面濃度はすばやく減少し、0に近づくことになる。一方、物質Xの脱離速度定数(Kde,x)が小さければ物質Xの表面濃度は減少しにくく、物質Xは脱離しないで表面に残存し、ある表面濃度に漸近することになる。このことは、上述した実施の形態1により求められた吸着強度と整合する。 Therefore, if the desorption rate constant (Kde, x) of the substance X is large, the surface concentration of the substance X decreases quickly and approaches zero. On the other hand, if the desorption rate constant (Kde, x) of the substance X is small, the surface concentration of the substance X is difficult to decrease, and the substance X does not desorb but remains on the surface and approaches a certain surface concentration. This is consistent with the adsorption strength obtained by the first embodiment described above.
上述した実施の形態1であるガスモニタリング装置1は、モニタリング対象となる空気と清浄な空気とが交互に空気導入部21に供給されるので、吸着強度が大きな物質は水晶振動子3の表面に残存し、吸着強度が小さな物質は水晶振動子3の表面から脱離する。したがって、水晶振動子3の表面に残存した物質の残存吸着量を継続して求めれば、当該物質の吸着強度を評価することができる。
In the gas monitoring apparatus 1 according to the first embodiment described above, air to be monitored and clean air are alternately supplied to the
上述した実施の形態1であるガスモニタリング装置1は、クリーンルームの室内空気のモニタリングのほかに、各種材料から放出されるアウトガスのモニタリングにも適用できる。より具体的には、シリコンウエハや基板に吸着されやすいガス成分がクリーンルームを構成する材料から発生するか否かを評価する際にも適用できる。したがって、ケミカル汚染物質の影響を考慮してクリーンルームを設計・建設・運用することができる。すなわち、適切なケミカルフィルタの使用(フィルタ種類・稼働時間の最適化)やケミカル汚染物質が放出されない材料の選択が可能となり、低コスト、低消費エネルギーが実現できる。 The gas monitoring apparatus 1 according to the first embodiment described above can be applied not only to monitoring indoor air in a clean room, but also to monitoring outgas emitted from various materials. More specifically, the present invention can also be applied when evaluating whether or not a gas component that is easily adsorbed on a silicon wafer or a substrate is generated from a material constituting a clean room. Therefore, a clean room can be designed, constructed and operated in consideration of the influence of chemical contaminants. In other words, it is possible to use an appropriate chemical filter (optimization of filter type and operating time) and to select a material that does not release chemical contaminants, thereby realizing low cost and low energy consumption.
(実施の形態2)
つぎに、図4に基づいて、本発明の実施の形態2であるガスモニタリング装置を説明する。なお、図4は、本発明の実施の形態2であるガスモニタリング装置を示す模式図である。また、実施の形態1であるガスモニタリング装置と共通する構成については説明を省略する。
(Embodiment 2)
Next, based on FIG. 4, a gas monitoring apparatus according to
図4に示すガスモニタリング装置101は、半導体や液晶デバイスの生産・開発用のクリーンルームの内部に設置され、ケミカル汚染物質をリアルタイムで計測できるようにしたものである。
A
図4に示すように、ガスモニタリング装置101は、ケーシング102の内部に水晶振動子(QCM)103を装填したものである。ケーシング102は、円筒形状をした箱体であって、長手方向(図4において左右方向)に平行に水晶振動子103が装填してある。また、ケーシング102には、モニタリング対象となる空気が導入される空気導入部121と、導入された空気が排出される空気排出部122とが設けてある。
As shown in FIG. 4, the
空気導入部121は、モニタリング対象となる空気が水晶振動子103の一方の面に斜めに当たり、その後、一方の面に沿って流れるように、ケーシング102の側部に斜めに設けた第一導入部121aと、モニタリング対象となる空気が水晶振動子103の他方の面に斜めに当たり、その後、他方の面に沿って流れるようにケーシング102の側部に斜めに設けた第二導入部121bとにより構成されている。
The
空気排出部122は、空気導入部121の下流となる端部に設けられた開口であって、吸引ポンプ(空気排出手段)が接続されている。
The
上述した実施の形態2であるガスモニタリング装置101は、吸引ポンプが稼働すると、第一導入部121aと第二導入部121bとからモニタリング対象となる空気が一定速度で導入され、導入された空気は水晶振動子103の表面(一方の面と他方の面)に斜めに当たり、表面に沿って流れる。そして、モニタリング対象となる空気に含まれるケミカル汚染物質は、水晶振動子103の表面に吸着されることになる。
In the
上述した実施の形態2であるガスモニタリング装置101は、第一導入部121aと第二導入部121bとから導入された空気が水晶振動子103の表面(一方の面と他方の面)に斜めに当たり、表面に沿って流れるので、モニタリング対象となる物質を水晶振動子103に効率的に吸着させることができる。
In the
(実施の形態3)
つぎに、図5に基づいて、本発明の実施の形態3であるガスモニタリング装置を説明する。なお、図5は、本発明の実施の形態3であるガスモニタリング装置を示す模式図である。また、実施の形態1であるガスモニタリング装置と共通する構成については説明を省略する。
(Embodiment 3)
Next, a gas monitoring apparatus according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic diagram showing a gas monitoring apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. Moreover, description is abbreviate | omitted about the structure which is common in the gas monitoring apparatus which is Embodiment 1. FIG.
図5に示すガスモニタリング装置201は、半導体や液晶デバイスの生産・開発用のクリーンルームの内部に設置され、ケミカル汚染物質をリアルタイムで計測できるようにしたものである。
A
図5に示すように、ガスモニタリング装置201は、ケーシング202の内部に水晶振動子(QCM)203を装填したものである。ケーシング202は円筒形状をした箱体であって、モニタリング対象となる空気(クリーンルームの室内空気)が導入される空気導入部221を一端部に設け、導入された空気が排出される空気排出部222を他端部に設けてある。
As shown in FIG. 5, the
空気導入部221は、クリーンルームに臨む開口であって、クリーンルームの空気は空気導入部221からケーシング202の内部に導入されるようになっている。空気排出部222は、吸引ポンプ(空気排出手段)に接続される開口であって、吸引ポンプを稼働すると、空気導入部221からケーシングの内部にモニタリング対象となる空気が一定速度で強制的に導入され、その後、空気排出部222からケーシング202の外部に排出されるようになっている。
The
水晶振動子203は、ケーシング202に対して回転可能に装填してあり、ケーシング202の外部に設けられた駆動手段(たとえば、モータ)によって一定速度で回転するようになっている。水晶振動子203の回転速度は、1回転/10分程度のゆっくりした速度が好ましい。これは、水晶振動子203の回転速度が速いと水晶振動子203の共振状態に影響を与えることによるものである。また、回転方向は一方向でもよいが所定時間ごとに回転方向を変更してもよい。
The
上述した実施の形態3であるガスモニタリング装置201は、吸引ポンプが稼働すると、空気導入部221からモニタリング対象となる空気が一定速度で導入され、導入された空気は水晶振動子の周りを通って空気配排出部から排出される。このとき、水晶振動子は回転しているので、モニタリング対象となる空気が水晶振動子の全体に行き渡る。
In the
上述した実施の形態3であるガスモニタリング装置201は、水晶振動子203を回転させることにより、モニタリング対象となる空気が水晶振動子203の表面全体に行き渡るので、モニタリング対象となる物質を水晶振動子203に効率的に吸着させることができる。
The
なお、上述した実施の形態3であるガスモニタリング装置201は、ケーシング202の一端部に空気導入部221を設けることとしたが、上述した実施の形態2であるガスモニタリング装置と同様に、ケーシング202の側部に斜めに第一導入部と第二導入部とを設けるようにしてもよい。
In the
1 ガスモニタリング装置
2 ケーシング
21 空気導入部
22 空気排出部
3 水晶振動子
31 水晶片
32 電極
33 シリコンウエハ
4 バルブ(選択供給手段)
41 バルブ切換コントローラ(切換制御手段)
51 共振回路
52 電源
53 周波数カウンタ
54 データ処理装置
101 ガスモニタリング装置
102 ケーシング
103 水晶振動子
121 空気導入部
121a 第一導入部
121b 第二導入部
122 空気排出部
201 ガスモニタリング装置
202 ケーシング
203 水晶振動子
221 空気導入部
222 空気排出部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
41 Valve switching controller (switching control means)
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記空気導入部は、
モニタリング対象となる空気が水晶振動子の一方の面に斜めに当たり、その後、一方の面に沿って流れるように、ケーシングの側部に設けた第一導入部と、
モニタリング対象となる空気が水晶振動子の他方の面に斜めに当たり、その後、他方の面に沿って流れるように、ケーシングの側部に設けた第二導入部と
を有することを特徴とするガスモニタリング装置。 A gas monitoring device comprising: an air introduction part into which air to be monitored is introduced; a casing provided with an air exhaust part from which the introduced air is discharged; and a crystal resonator loaded in the casing. There,
The air introduction part is
A first introduction portion provided on the side of the casing so that the air to be monitored hits one surface of the crystal resonator obliquely and then flows along one surface;
A gas monitoring device comprising: a second introduction portion provided on a side portion of the casing so that air to be monitored strikes the other surface of the crystal resonator obliquely and then flows along the other surface. apparatus.
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