JP2013144378A - Method of manufacturing liquid ejection head - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a liquid ejection head, the method capable of forming a liquid supply port with high accuracy of an aperture position, by reducing occurrence of tilt when forming the liquid supply port in a bottom of a cavity of a silicon substrate.SOLUTION: A method includes the steps of: (1) forming a cavity in a silicon substrate by a first crystal anisotropic etching; (2) forming a chemical leading hollow in a slope of the cavity; (3) expanding the cavity by a second crystal anisotropic etching; and (4) forming the liquid supply port 102 in a bottom surface of the cavity by dry etching with the use of ion, in this order.

Description

本発明は、液体吐出ヘッドとその製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid discharge head and a manufacturing method thereof.

インクジェットプリント方式などに用いられる熱エネルギーを利用する液体吐出ヘッドにおいて、シリコン等の基板上に複数の発熱抵抗体を列状に配し、複数の発熱抵抗体に対して共通の蓄熱層や電気絶縁層を設けた基板を用いる構成がある。   In a liquid discharge head that uses thermal energy used for inkjet printing, etc., a plurality of heating resistors are arranged in a row on a substrate such as silicon, and a common heat storage layer or electrical insulation is provided for the plurality of heating resistors. There is a configuration in which a substrate provided with a layer is used.

上述の構成を有する液体吐出ヘッドは、例えば特許文献１に記載されるように、シリコン基板上に液滴を吐出するための微細な吐出口と、該吐出口に連通する流路と、該流路に設けられる吐出エネルギー発生素子とを備える。また、シリコン基板には流路と連通する液体供給口が形成されている。   The liquid discharge head having the above-described configuration includes, for example, a fine discharge port for discharging droplets onto a silicon substrate, a flow path communicating with the discharge port, and the flow as described in Patent Document 1. A discharge energy generating element provided in the path. Further, a liquid supply port communicating with the flow path is formed in the silicon substrate.

このような液体吐出ヘッドの液体供給口の形成方法として、特許文献２に記載されるように、シリコン基板に対して２段階のエッチング処理を行う方法が挙げられる。この方法では、結晶異方性エッチングにより第１のエッチングを行い、ドライエッチングにより第２のエッチングを行うことで複数の液体供給口を形成している。   As a method for forming a liquid supply port of such a liquid discharge head, as described in Patent Document 2, there is a method of performing a two-stage etching process on a silicon substrate. In this method, a plurality of liquid supply ports are formed by performing first etching by crystal anisotropic etching and performing second etching by dry etching.

米国特許第６２７３５５７号明細書US Pat. No. 6,273,557 米国特許出願公開２００９／００９５７０８号明細書US Patent Application Publication No. 2009/0095708

液体吐出ヘッドの液体供給口を形成する方法の一つにボッシュプロセスを用いたドライエッチングがある。ボッシュプロセスを用いたドライエッチングは側壁を保護するためのデポジション膜（以下、デポ膜と呼ぶ）の形成、反応性イオンによる底面のデポ膜除去、ラジカルによるシリコンエッチングを繰り返し行うことでシリコンをエッチングする。しかし、凹部の底面をドライエッチングして液体供給口を形成する際にプラズマのシースが凹部の形状に沿って形成されるので、凹部側面の近傍ではイオンが影響を受け、所望の位置より凹部側面方向にずれた位置のデポ膜が除去されてしまう。このように、凹部の底面の凹部側面近傍ではデポ膜の除去位置がずれるため、ラジカルによるエッチングもずれることになり、結果的に数度の角度を持ってエッチングが進行してしまうという現象が発生する。この現象のことを以下、チルトと呼ぶ。チルトが発生すると、特に凹部の側面近傍の液体供給口では、エッチング開始部と終了部とで開口位置が大きくずれ、近傍の配線部へのダメージを与える場合がある。また、液体供給口自体が斜めに形成されるため開口部の大きさが異なる液体供給口が形成され、液体供給口間で供給性能のバラツキが生じる場合や、未開口の液体供給口が発生する場合がある。   One method of forming a liquid supply port of a liquid discharge head is dry etching using a Bosch process. Dry etching using the Bosch process etches silicon by repeatedly forming a deposition film (hereinafter referred to as a deposition film) to protect the sidewall, removing the deposition film on the bottom surface with reactive ions, and silicon etching with radicals. To do. However, since the plasma sheath is formed along the shape of the recess when the bottom surface of the recess is dry-etched to form the liquid supply port, ions are affected in the vicinity of the side surface of the recess, and the side surface of the recess from the desired position. The deposited film at the position shifted in the direction is removed. As described above, since the removal position of the deposit film is shifted near the side surface of the recess on the bottom surface of the recess, etching by radicals is also shifted, and as a result, a phenomenon occurs in which etching proceeds at an angle of several degrees. To do. This phenomenon is hereinafter referred to as tilt. When the tilt occurs, particularly in the liquid supply port near the side surface of the recess, the opening position may be greatly shifted between the etching start portion and the end portion, and damage may be caused to the nearby wiring portion. In addition, since the liquid supply ports themselves are formed obliquely, liquid supply ports having different opening sizes are formed, resulting in variations in supply performance between the liquid supply ports, or unopened liquid supply ports. There is a case.

このような問題の発生を防止するため、液体供給口を形成する領域に比べて凹部の開口領域を大きく確保することにより凹部側面近傍に液体供給口を配置しないようにすると、実装領域が狭くなる。また、実装工程においてヘッドのはがれや混色などの問題が発生しやすくなる。   In order to prevent the occurrence of such a problem, if the liquid supply port is not arranged near the side surface of the concave portion by ensuring a larger opening region of the concave portion than the region where the liquid supply port is formed, the mounting region is narrowed. . In addition, problems such as head peeling and color mixing tend to occur in the mounting process.

そこで、本発明の目的は、シリコン基板の凹部の底部に液体供給口を形成する際にチルトの発生を低減することにより、高い開口位置精度で液体供給口を形成することが可能となる液体吐出ヘッドの製造方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to reduce the occurrence of tilt when forming the liquid supply port at the bottom of the recess of the silicon substrate, thereby enabling the liquid supply port to be formed with high opening position accuracy. It is to provide a method for manufacturing a head.

本発明は、
第一の面と該第一の面の反対側の面である第二の面とを有するシリコン基板と、前記第一の面側に形成され、液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子と、前記第二の面に形成された凹部と、該凹部の底部に形成され、前記第一の面に連通する液体供給口と、を含む液体吐出ヘッドの製造方法であって、
（１）前記シリコン基板の前記第二の面に前記凹部を第一の結晶異方性エッチングにより形成する工程と、
（２）前記凹部の斜面に薬液先導孔を形成する工程と、
（３）第二の結晶異方性エッチングを行うことにより前記凹部を拡大する工程と、
（４）前記凹部の底面にイオンを用いたドライエッチングによって前記液体供給口を形成する工程と、
をこの順で含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。 The present invention
A silicon substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and discharge energy that is formed on the first surface side and generates energy for discharging a liquid A method for manufacturing a liquid discharge head, comprising: a generating element; a recess formed on the second surface; and a liquid supply port formed at the bottom of the recess and communicating with the first surface,
(1) forming the recesses on the second surface of the silicon substrate by first crystal anisotropic etching;
(2) forming a chemical liquid leading hole on the slope of the recess;
(3) a step of enlarging the recess by performing second crystal anisotropic etching;
(4) forming the liquid supply port by dry etching using ions on the bottom surface of the recess;
In this order.

本発明によれば、シリコン基板の凹部に液体供給口を形成する際に、実装領域を確保したまま、チルトを低減することが可能な液体吐出ヘッドの製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a liquid discharge head capable of reducing a tilt while securing a mounting area when forming a liquid supply port in a recess of a silicon substrate.

本実施形態により製造される液体吐出ヘッドの構成例を説明するための模式的斜視図（ａ）及び概略断面図（ｂ）である。FIG. 2 is a schematic perspective view (a) and a schematic cross-sectional view (b) for explaining a configuration example of a liquid discharge head manufactured according to the present embodiment. 実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法を説明するための工程断面図である。FIG. 6 is a process cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the liquid ejection head according to the first embodiment. 図２に続き、実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法を説明するための工程断面図である。FIG. 3 is a process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the liquid ejection head of Embodiment 1 following FIG. 2. 実施形態２の液体吐出ヘッドの製造方法を説明するための工程断面図である。FIG. 10 is a process cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the liquid ejection head of Embodiment 2. 薬液先導孔の配置例を説明するための模式的上面図である。It is a typical top view for demonstrating the example of arrangement | positioning of a chemical | medical solution leading hole. 実施形態２における薬液先導孔の配置位置を説明するための模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining an arrangement position of a chemical liquid leading hole in the second embodiment.

以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。また、液体吐出ヘッドの適用例としては、特に制限されるものではないが、例えばインクジェット記録ヘッドが挙げられる。また、液体吐出ヘッドの適用例としては、その他にも、例えば、バイオチップ作製用ヘッドや電子回路印刷用ヘッド、カラーフィルター製造用ヘッド等も挙げられる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. Further, the application example of the liquid discharge head is not particularly limited, and examples thereof include an ink jet recording head. Other examples of application of the liquid ejection head include a biochip manufacturing head, an electronic circuit printing head, a color filter manufacturing head, and the like.

図１（ａ）は本実施形態の製造方法で得られる液体吐出ヘッドの構成例を説明するための模式的斜視図である。図１（ｂ）は本実施形態の製造方法で得られる液体吐出ヘッドの概略断面図である。   FIG. 1A is a schematic perspective view for explaining a configuration example of a liquid discharge head obtained by the manufacturing method of the present embodiment. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of a liquid discharge head obtained by the manufacturing method of this embodiment.

図１で示される形態の液体吐出ヘッドは、第一の面と該第一の面と反対側の第二の面とを有するシリコンの基板１０３と、基板１０３上に積層されたノズルプレート１０６と、吐出エネルギー発生素子１０５と、を備える。基板１０３の第一の面側には、吐出される液体が充填される液体流路１１０がノズルプレート１０６によって形成されている。さらに、基板１０３には、凹部１０１′の底面から液体流路１１０へインク等の液体を供給する液体供給口１０２が基板１０３を貫通するように形成されている。凹部１０１′は共通液体供給口とも称せられ、液体供給口１０２は個別液体供給口とも称せられる場合がある。   A liquid discharge head of the form shown in FIG. 1 includes a silicon substrate 103 having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a nozzle plate 106 laminated on the substrate 103. And an ejection energy generating element 105. On the first surface side of the substrate 103, a liquid channel 110 filled with the liquid to be discharged is formed by the nozzle plate 106. Further, a liquid supply port 102 for supplying a liquid such as ink from the bottom surface of the recess 101 ′ to the liquid channel 110 is formed in the substrate 103 so as to penetrate the substrate 103. The recess 101 ′ may also be referred to as a common liquid supply port, and the liquid supply port 102 may also be referred to as an individual liquid supply port.

詳しくは後述するが、凹部１０１′は、結晶異方性エッチングにより形成された凹部１０１の斜面に薬液先導孔を設けた後、さらに結晶異方性エッチングを行うことにより斜面が削られて形成される。そのため、凹部１０１′は拡大された凹部１０１′とも称される。   As will be described in detail later, the concave portion 101 ′ is formed by providing a chemical solution leading hole on the slope of the concave portion 101 formed by crystal anisotropic etching, and then further cutting the slope by performing crystal anisotropic etching. The Therefore, the recess 101 'is also referred to as an enlarged recess 101'.

図１においては、液体流路１１０の内側壁を構成する流路壁部材と吐出口を形成する吐出口部材とはノズルプレート１０６として一体的に形成されている。また、ノズルプレート１０６は、複数の樹脂層が順次基板１０３上に積層することで形成されていてもよい。   In FIG. 1, the flow path wall member that forms the inner wall of the liquid flow path 110 and the discharge port member that forms the discharge port are integrally formed as a nozzle plate 106. The nozzle plate 106 may be formed by sequentially laminating a plurality of resin layers on the substrate 103.

吐出エネルギー発生素子１０５は基板１０３の第一の面側に吐出口１０４と対応する位置に設けられている。この吐出エネルギー発生素子１０５は、基板１０３上に積層された複数の無機物層内に形成されることができる。また、ノズルプレート１０６に液体を吐出するための吐出口１０４（ノズルとも称す）が液体流路１１０と連通するように形成されている。   The discharge energy generating element 105 is provided on the first surface side of the substrate 103 at a position corresponding to the discharge port 104. The discharge energy generating element 105 can be formed in a plurality of inorganic layers stacked on the substrate 103. A discharge port 104 (also referred to as a nozzle) for discharging a liquid to the nozzle plate 106 is formed so as to communicate with the liquid flow path 110.

（実施形態１）
次に、図２（ａ）から図３（ｉ）に示した工程断面図を参照して本実施形態について説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。 (Embodiment 1)
Next, the present embodiment will be described with reference to process cross-sectional views shown in FIGS. 2 (a) to 3 (i). In addition, this invention is not limited to the following embodiment.

まず、図２（ａ）に示すように、ノズルプレート１０６、流路型材１１１、保護層１１２、エッチングストップ層（不図示）、吐出エネルギー発生素子１０５、導体（不図示）、を有する基板１０３を用意する。   First, as shown in FIG. 2A, a substrate 103 having a nozzle plate 106, a flow path mold 111, a protective layer 112, an etching stop layer (not shown), an ejection energy generating element 105, and a conductor (not shown) is formed. prepare.

より具体的には、基板１０３の第一の面にエッチングストップ層を形成する。そして、該エッチングストップ層及び基板１０３の上に液体流路の型となる流路型材１１１を基板上に形成する。次に、流路型材１１１を覆うようにノズルプレートの材料を基板上に配置する。次に、フォトリソ法等により吐出口を形成し、ノズルプレート１０６を形成する。保護層１１２は少なくとも吐出口を保護する保護層であり、該保護層は吐出口とノズルプレートを覆うように設けることができる。   More specifically, an etching stop layer is formed on the first surface of the substrate 103. Then, a flow path mold 111 serving as a liquid flow path mold is formed on the substrate on the etching stop layer and the substrate 103. Next, the material of the nozzle plate is disposed on the substrate so as to cover the flow path mold 111. Next, the discharge port is formed by a photolithography method or the like, and the nozzle plate 106 is formed. The protective layer 112 is a protective layer that protects at least the discharge port, and the protective layer can be provided so as to cover the discharge port and the nozzle plate.

基板１０３としては、結晶方位＜１００＞の面を有するシリコン基板を用いることが好ましい。シリコン基板は単結晶シリコンウェハであることが好ましい。   As the substrate 103, a silicon substrate having a crystal orientation <100> plane is preferably used. The silicon substrate is preferably a single crystal silicon wafer.

流路型材１１１としては、溶媒や溶剤で溶出可能な材料を用いることが望ましく、例えば、ポジ型レジストを用いることができる。   As the flow path mold 111, it is desirable to use a solvent or a material that can be eluted with a solvent. For example, a positive resist can be used.

ノズルプレート１０６としては、例えば、ネガ型感光性樹脂を用いることができる。   As the nozzle plate 106, for example, a negative photosensitive resin can be used.

エッチングストップ層は、後述する第二のエッチングの際にエッチングのストップ層として機能する。該エッチングストップ層は、第二のエッチングにおいて基板１０３に対して十分に遅くエッチングされ、除去する際には基板１０３に対して十分に速くエッチングされることが望ましい。エッチングストップ層の材料としては、具体的には、例えば、アルミ又はシリコン酸化物等が適用可能である。また、エッチングストップ層の除去剤としては、例えばフッ化水素酸あるいはリン酸と硝酸等の混合物等を用いることにより、シリコン基板に対して、十分に速いエッチングレートの選択比が取れる。   The etching stop layer functions as an etching stop layer in the second etching described later. It is desirable that the etching stop layer is etched sufficiently late with respect to the substrate 103 in the second etching, and etched sufficiently fast with respect to the substrate 103 when removed. Specifically, for example, aluminum or silicon oxide is applicable as the material of the etching stop layer. In addition, as a removal agent for the etching stop layer, for example, a hydrofluoric acid or a mixture of phosphoric acid and nitric acid can be used to obtain a sufficiently high etching rate selection ratio with respect to the silicon substrate.

吐出エネルギー発生素子１０５および吐出エネルギー発生素子１０５に駆動信号を送る導体（不図示）は基板１０３上に形成する。積層材料はプラズマを用いた化学気相蒸着（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ蒸着などの成膜手法によって形成することができる。また、エッチングストップ層、吐出エネルギー発生素子、導体などのパターニングにはフォトレジストマスクを用いたエッチングを用いることができる。   The ejection energy generating element 105 and a conductor (not shown) that sends a drive signal to the ejection energy generating element 105 are formed on the substrate 103. The laminated material can be formed by a film deposition technique such as chemical vapor deposition (CVD) using plasma or sputtering deposition. Etching using a photoresist mask can be used for patterning the etching stop layer, the ejection energy generating element, the conductor, and the like.

ノズルプレート１０６側を保護膜で保護することが望ましい。   It is desirable to protect the nozzle plate 106 side with a protective film.

次に、図２（ｂ）に示すように、凹部１０１を形成する位置を規定する第一のエッチングマスク１１３を基板１０３の第二の面（裏面とも称す）側に形成する。   Next, as shown in FIG. 2B, a first etching mask 113 that defines a position where the recess 101 is formed is formed on the second surface (also referred to as the back surface) side of the substrate 103.

第一のエッチングマスク１１３はレジストパターンを用いて形成することができる。また、第一のエッチングマスク１１３は、後に凹部１０１となる部分に対応して開口部を有する。なお、第一のエッチングマスク１１３は基板１０３を用意する際に、あらかじめ形成されていてもよい。第一のエッチングマスク１１３の材料としては、例えば、ポリエーテルアミド樹脂を用いることができる。   The first etching mask 113 can be formed using a resist pattern. Further, the first etching mask 113 has an opening corresponding to a portion that will later become the recess 101. Note that the first etching mask 113 may be formed in advance when the substrate 103 is prepared. As a material of the first etching mask 113, for example, a polyetheramide resin can be used.

次に、図２（ｃ）に示すように、基板１０３の第二の面に結晶異方性エッチングによって凹部１０１を形成する。   Next, as shown in FIG. 2C, a recess 101 is formed on the second surface of the substrate 103 by crystal anisotropic etching.

結晶異方性エッチングで用いるエッチング液（薬液）としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（ＴＭＡＨ水溶液）や水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）などが用いられるが、これらに限られるものではない。なお、凹部１０１は基板１０３を用意する際に、あらかじめ形成されていても良い。   Examples of the etching solution (chemical solution) used in crystal anisotropic etching include tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (TMAH aqueous solution) and potassium hydroxide aqueous solution (KOH), but are not limited thereto. The concave portion 101 may be formed in advance when the substrate 103 is prepared.

凹部１０１は基板厚の６６％以下を除去することで形成されることが好ましい。   The recess 101 is preferably formed by removing 66% or less of the substrate thickness.

次に、図２（ｄ）に示すように、凹部１０１の斜面（側壁）に薬液先導孔１０７を形成する。   Next, as shown in FIG. 2 (d), a chemical leading hole 107 is formed on the slope (side wall) of the recess 101.

次に、図２（ｅ）に示すように、第二の結晶異方性エッチングを行い、凹部１０１を拡大する。すなわち、第二の面側から第二の結晶異方性エッチングを行い、凹部１０１の斜面を削り、凹部１０１を広げる。該第二の結晶異方性エッチングにより斜面が削られた凹部を拡大された凹部（１０１′）とも称す。該第二の結晶異方性エッチングにおいて、薬液先導孔１０７内にエッチング液が入り込み、薬液先導孔１０７からエッチングが進行することにより、凹部１０１の側壁がエッチングされ、凹部が拡大する。   Next, as shown in FIG. 2E, the second crystal anisotropic etching is performed to enlarge the concave portion 101. That is, the second crystal anisotropic etching is performed from the second surface side, the slope of the concave portion 101 is shaved, and the concave portion 101 is widened. The concave portion whose slope is cut by the second crystal anisotropic etching is also referred to as an enlarged concave portion (101 '). In the second crystal anisotropic etching, the etchant enters the chemical liquid leading hole 107 and the etching proceeds from the chemical liquid leading hole 107, whereby the side wall of the concave portion 101 is etched and the concave portion is enlarged.

図２（ｅ）において、凹部１０１の斜面は第二の結晶異方性エッチングにより削られ、拡大された凹部１０１′の底面の端部周辺には溝形状が形成されている。   In FIG. 2 (e), the slope of the recess 101 is cut by the second crystal anisotropic etching, and a groove shape is formed around the end of the bottom of the enlarged recess 101 '.

また、この工程において、（１００）面と高次指数の結晶面とのエッチングレートの選択比が取れる薬液で結晶異方性エッチングを行うことで、凹部１０１底面の平坦性を保ちつつ凹部１０１を好ましく拡大することができる。また、（１１０）面のエッチングレートが大きいＴＭＡＨ濃度１８〜２３％の水溶液を用いることで、短時間で処理できるようになる。   Further, in this step, by performing crystal anisotropic etching with a chemical solution that can take an etching rate selection ratio between the (100) plane and the higher-order index crystal plane, the recess 101 is formed while maintaining the flatness of the bottom of the recess 101. It can preferably be enlarged. Further, by using an aqueous solution having a TMAH concentration of 18 to 23% having a high etching rate on the (110) plane, processing can be performed in a short time.

薬液先導孔１０７の形状は溝状のものも含まれる。例えば、薬液先導孔１０７の形状が穴状の場合、該穴の基板面と平行な面による断面の形状は略矩形、略円形、略楕円形であり、その寸法は例えば約φ５〜９０μｍとすることができる。また、該薬液先導孔は、図５に示すように、凹部１０１の斜面に凹部１０１の底面を囲むように形成することができる。例えば図５に示すように基板の長手方向と短手方向の両方のチルトを低減するため、凹部１０１の斜面に凹部底面を囲むように薬液先導孔が設けられている。なお、いずれかの方向のチルトを低減する必要がなければその方向の斜面に薬液先導孔を形成しなくても良い。また、長手方向と短手方向で薬液先導孔間の間隔を変えても良い。薬液先導孔の寸法は、第二の結晶異方性エッチングの際における薬液の薬液先導孔への入り易さや所望の深さを形成するのに要する時間等を考慮して適宜選択することができる。また、上述のように、薬液先導孔は溝状になっていても良く、複数の穴同士が繋がっていてもよい。この場合、拡大された凹部の底面の平坦性が良くなるメリットがある。   The shape of the chemical liquid leading hole 107 includes a groove shape. For example, when the shape of the chemical solution leading hole 107 is a hole, the cross-sectional shape of the hole parallel to the substrate surface is approximately rectangular, approximately circular, or approximately elliptical, and the dimension is, for example, approximately φ5 to 90 μm. be able to. Further, as shown in FIG. 5, the chemical solution leading hole can be formed on the slope of the concave portion 101 so as to surround the bottom surface of the concave portion 101. For example, as shown in FIG. 5, in order to reduce the tilt in both the longitudinal direction and the short side direction of the substrate, a chemical solution leading hole is provided on the slope of the concave portion 101 so as to surround the bottom surface of the concave portion. If it is not necessary to reduce the tilt in any direction, the chemical solution leading hole may not be formed on the slope in that direction. Moreover, you may change the space | interval between chemical | medical solution leading holes in a longitudinal direction and a transversal direction. The size of the chemical liquid leading hole can be appropriately selected in consideration of the ease of entering the chemical liquid into the chemical liquid leading hole in the second crystal anisotropic etching, the time required to form a desired depth, and the like. . Moreover, as above-mentioned, the chemical | medical solution leading hole may be groove-shaped, and several holes may be connected. In this case, there is an advantage that the flatness of the bottom surface of the enlarged concave portion is improved.

また、薬液先導孔を斜面の外側（第二の面側又は開口側とも称す）に形成するほど、第一のエッチングマスク１１３の下側にまでエッチングが進み易くなり、基板の面積に対して凹部が占める割合が増える傾向にある。一方、薬液先導孔を斜面の内側（凹部底面側とも称す）に形成するほど、凹部底面がエッチングされて平坦性が低下する傾向にある。そのため、基板のエッチングレートを考慮して、両者のバランスが取れる位置に薬液先導孔を形成することが望ましい。また、薬液先導孔の深さについて、薬液先導孔が深すぎると凹部底面がエッチングされ易くなる。一方、薬液先導孔が浅すぎると、薬液先導孔を設ける効果が小さくなる。そのため、両者のバランスが取れる深さで薬液先導孔を形成することが望ましい。   In addition, the more the chemical solution leading hole is formed on the outer side of the inclined surface (also referred to as the second surface side or the opening side), the easier the etching proceeds to the lower side of the first etching mask 113, and the concave portion with respect to the area of the substrate. Tends to increase. On the other hand, as the chemical solution leading hole is formed on the inner side of the slope (also referred to as the bottom surface side of the recess), the bottom surface of the recess tends to be etched and flatness tends to decrease. Therefore, in consideration of the etching rate of the substrate, it is desirable to form the chemical solution leading hole at a position where both can be balanced. Moreover, about the depth of a chemical | medical solution leading hole, if a chemical | medical solution leading hole is too deep, a recessed part bottom will become easy to be etched. On the other hand, if the chemical liquid leading hole is too shallow, the effect of providing the chemical liquid leading hole is reduced. Therefore, it is desirable to form the chemical solution leading hole with a depth that can balance both.

薬液先導孔１０７は、例えば、レーザー加工や機械加工などにより形成することができる。   The chemical liquid leading hole 107 can be formed by, for example, laser processing or machining.

薬液先導孔１０７は、基板の面方向に垂直に形成することが好ましい。また、薬液先導孔１０７の底部は、凹部１０１の底面より深い位置となるように形成されることが好ましい。   The chemical liquid leading hole 107 is preferably formed perpendicular to the surface direction of the substrate. Further, it is preferable that the bottom of the chemical liquid leading hole 107 is formed to be deeper than the bottom surface of the recess 101.

次に、図３（ｆ）に示すように、第一のエッチングマスク１１３を除去する。   Next, as shown in FIG. 3F, the first etching mask 113 is removed.

第一のエッチングマスク１１３は、例えば、ウェット剥離、ドライ剥離、あるいは両者の組み合わせによって除去することができる。例えば、第一のエッチングマスク１１３は、酸素を用いたアッシングにより除去することができる。   The first etching mask 113 can be removed by, for example, wet peeling, dry peeling, or a combination of both. For example, the first etching mask 113 can be removed by ashing using oxygen.

次に、図３（ｇ）に示すように、拡大された凹部１０１′の（１００）に液体供給口１０２を形成する位置を規定する第二のエッチングマスク１１４を形成する。   Next, as shown in FIG. 3G, a second etching mask 114 that defines the position where the liquid supply port 102 is to be formed is formed at (100) of the enlarged recess 101 ′.

第二のエッチングマスク１１４は、例えば、スピンコート法やディップコート法、スプレーコート法等の成膜方法によって形成することができる。また、第二のエッチングマスクは、傾斜面に対する被覆性の観点から、スプレーコート法を用いることが好ましい。第二のエッチングマスクの材料は、ドライエッチングの際に耐エッチング膜として機能するものであれば特に制限されるものではないが、例えば、ノボラック樹脂誘導体やナフトキノンジアジド誘導体等が挙げられる。パターニングのための露光には例えばプロキシミティー露光およびプロジェクション露光およびステッパ露光を用いることが可能である。拡大された凹部１０１′の深さが深い場合には焦点深度の浅いプロジェクション露光を用いることが望ましい。   The second etching mask 114 can be formed by a film forming method such as a spin coating method, a dip coating method, or a spray coating method. Moreover, it is preferable to use a spray coat method from a viewpoint of the coverage with respect to an inclined surface, for a 2nd etching mask. The material of the second etching mask is not particularly limited as long as it functions as an etching-resistant film during dry etching, and examples thereof include novolak resin derivatives and naphthoquinone diazide derivatives. For the exposure for patterning, for example, proximity exposure, projection exposure, and stepper exposure can be used. When the expanded concave portion 101 'is deep, it is desirable to use projection exposure with a shallow depth of focus.

次に、図３（ｈ）に示すように、イオンを用いたドライエッチングにより、液体供給口１０２を形成する。   Next, as shown in FIG. 3H, the liquid supply port 102 is formed by dry etching using ions.

イオンを用いたドライエッチングは、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）であることが好ましい。リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）とは、イオンを用いた方向性エッチングのことであり、電荷を提供しながら被エッチング領域に粒子を衝突させる方法のことである。ＲＩＥは加速したイオンによりエッチングを行う。例えば、イオン源に高密度のイオンを出せるＩＣＰ（誘導結合プラズマ）ドライエッチング装置を用いた場合、コーティングとエッチングを交互に行うこと（すなわち堆積／エッチングプロセス）によって基板に垂直な液体供給口が形成される。堆積／エッチングプロセスでは、エッチングするガスとして例えばＳＦ6ガスを用いることができ、コーティングガスとして例えばＣ4Ｆ8ガスを用いることができる。ボッシュプロセスは、ドライエッチング方法の一種であり、まず、基板１０３のエッチングされた部分をコーティングする。そして、ＲＩＥを用いてコーティング部の底面をエッチングすることで基板を露出させ、さらに基板１０３のエッチングを行う。このコーティングとエッチングを交互に繰り返すこと（すなわち堆積／エッチングプロセス）により、シリコン基板１０３に所望の液体供給口１０２を形成することができる。 The dry etching using ions is preferably reactive ion etching (RIE). Reactive ion etching (RIE) is directional etching using ions, and is a method of causing particles to collide with a region to be etched while providing a charge. RIE performs etching with accelerated ions. For example, when using an ICP (inductively coupled plasma) dry etching apparatus that can emit high-density ions to the ion source, a liquid supply port perpendicular to the substrate is formed by alternately performing coating and etching (ie, a deposition / etching process). Is done. In the deposition / etching process, for example, SF 6 gas can be used as an etching gas, and for example, C 4 F 8 gas can be used as a coating gas. The Bosch process is a kind of dry etching method. First, the etched portion of the substrate 103 is coated. Then, the substrate is exposed by etching the bottom surface of the coating portion using RIE, and the substrate 103 is further etched. By repeating this coating and etching alternately (that is, a deposition / etching process), a desired liquid supply port 102 can be formed in the silicon substrate 103.

また、本工程におけるドライエッチングは、基板１０３の表面側に設けられたエッチングストップ層（不図示）に到達するまで行われる。   Further, the dry etching in this step is performed until reaching an etching stop layer (not shown) provided on the surface side of the substrate 103.

次に、図３（ｉ）に示すように、第二のエッチングマスク及び保護層１１２を除去した後に、液体供給口１０２及び吐出口１０４を介してエッチングストップ層と流路型材１１１を除去する。   Next, as shown in FIG. 3I, after removing the second etching mask and the protective layer 112, the etching stop layer and the flow path mold material 111 are removed through the liquid supply port 102 and the discharge port 104.

エッチングストップ層は、例えば、アルカリ性溶液あるいはリン酸と硝酸を含む混合物を用いて除去することができる。   The etching stop layer can be removed using, for example, an alkaline solution or a mixture containing phosphoric acid and nitric acid.

その後、ダイサーによりシリコンウェハから各々の単位のチップ形態に分離することで、液体吐出ヘッドを完成させることができる。   Thereafter, the liquid discharge head can be completed by separating the silicon wafer into chip units of each unit using a dicer.

（実施形態２）
次に、図４（ａ）から（ｃ）を参照して、本実施形態について説明する。 (Embodiment 2)
Next, the present embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施形態は、凹部１０１を形成するまでは実施形態１と同じ工程である。   This embodiment is the same process as Embodiment 1 until the recess 101 is formed.

本実施形態では、図４（ａ）に示すように、凹部１０１の斜面に薬液先導孔１０７を形成する工程において、薬液先導孔１０７を以下の領域に形成することが好ましい。つまり、基板断面の斜面における薬液先導孔の位置が拡大された凹部１０１′の側壁上端と底面端との中点より外側あるいは中点となるように、かつ薬液先導孔の先端（底部）が拡大された凹部１０１′の底面よりも基板１０３の第一の面に近くなるように形成する（図６参照）。前記基板断面は、該薬液先導孔を通り、凹部１０１の開口の一辺に平行であり、前記基板に垂直な面による断面であることが好ましい。図６において、１２２は拡大された凹部１０１′の側壁上端を表し、１２１は拡大された凹部１０１′の底面端を表す。なお、外側とは凹部開口における外側のことである。   In this embodiment, as shown in FIG. 4A, in the step of forming the chemical liquid leading hole 107 on the slope of the recess 101, it is preferable to form the chemical leading hole 107 in the following region. That is, the front end (bottom part) of the chemical solution leading hole is enlarged so that the position of the chemical solution leading hole on the inclined surface of the substrate cross section is outside or midpoint of the middle point between the upper end and the bottom end of the side wall of the recessed portion 101 ′. The concave portion 101 ′ is formed so as to be closer to the first surface of the substrate 103 than the bottom surface of the recessed portion 101 ′ (see FIG. 6). The cross section of the substrate is preferably a cross section by a plane that passes through the chemical solution guide hole, is parallel to one side of the opening of the recess 101, and is perpendicular to the substrate. In FIG. 6, 122 represents the upper end of the side wall of the enlarged recess 101 ', and 121 represents the bottom edge of the enlarged recess 101'. In addition, an outer side is an outer side in a recessed part opening.

次に、図４（ｂ）に示すように、基板１０３の第二の面と該第二の面と繋がる拡大された凹部１０１′の側壁との角度が９０度以下になるまで結晶異方性エッチングを行う。   Next, as shown in FIG. 4B, the crystal anisotropy is maintained until the angle between the second surface of the substrate 103 and the side wall of the enlarged recess 101 'connected to the second surface is 90 degrees or less. Etching is performed.

その後の工程は実施形態１と同じ工程である。   Subsequent steps are the same as those in the first embodiment.

本実施形態のように加工を行うことで、図４（ｃ）に示すような、液体供給口１０２を設ける領域と凹部の側壁との距離をより広く設けた液体吐出ヘッドを得ることができる。このような液体吐出ヘッドでは、実装領域を確保したまま凹部１０１の側壁を大きく削ることができ、チルトの発生を低減することができる。また、結晶異方性エッチング処理時間が短時間となり、凹部１０１の底面の平坦性を保つことができる。   By performing the processing as in the present embodiment, a liquid discharge head having a wider distance between the region where the liquid supply port 102 is provided and the side wall of the recess as shown in FIG. 4C can be obtained. In such a liquid discharge head, the side wall of the recess 101 can be greatly shaved while securing the mounting area, and the occurrence of tilt can be reduced. Further, the crystal anisotropic etching processing time is shortened, and the flatness of the bottom surface of the recess 101 can be maintained.

（実施例・比較例）
実施例としての凹部１０１の側壁を削る本実施形態の製法で作製した液体吐出ヘッドと、比較例としての凹部１０１の側壁を削らない従来製法で作製した液体吐出ヘッドとを評価した。 (Examples and comparative examples)
The liquid discharge head manufactured by the manufacturing method of the present embodiment that cuts the side wall of the recess 101 as an example and the liquid discharge head manufactured by the conventional manufacturing method that does not cut the side wall of the recess 101 as a comparative example were evaluated.

従来製法の比較例としては、結晶異方性エッチングで凹部を形成した後、凹部底部に液体供給口を形成し、液体吐出ヘッドを作製した。また、本実施形態の製法の実施例としては、拡大された凹部１０１′の側壁と該側壁に最も近い液体供給口１０２との距離が２００μｍ又は４００μｍになるまで凹部１０１の側壁を削ることにより、液体吐出ヘッドを作製した。それぞれの液体吐出ヘッドにおいて、拡大された凹部１０１′の側壁に最も近い液体供給口１０２の角度を表１に示す。表１に示すように、本実施形態によりチルトを低減することができることが確認された。   As a comparative example of the conventional manufacturing method, a recess was formed by crystal anisotropic etching, and then a liquid supply port was formed at the bottom of the recess to produce a liquid discharge head. Further, as an example of the manufacturing method of the present embodiment, the side wall of the concave portion 101 is scraped until the distance between the enlarged side wall of the concave portion 101 ′ and the liquid supply port 102 closest to the side wall becomes 200 μm or 400 μm, A liquid discharge head was produced. Table 1 shows the angle of the liquid supply port 102 closest to the side wall of the enlarged recess 101 ′ in each liquid discharge head. As shown in Table 1, it was confirmed that the tilt can be reduced by this embodiment.

Figure 2013144378
Figure 2013144378

上述の実施例では、以下に示す方法により液体吐出ヘッドを得た。つまり図２（ａ）から図３（ｉ）に示した工程断面図に基づいて液体吐出ヘッドを作製した。以下に、本実施例における液体吐出ヘッドの製造例について説明する。   In the above-described embodiment, a liquid discharge head was obtained by the following method. That is, a liquid discharge head was manufactured based on the process cross-sectional views shown in FIGS. Hereinafter, a manufacturing example of the liquid discharge head in the present embodiment will be described.

本実施形態では、基板として単結晶シリコンウェハを用意した。   In this embodiment, a single crystal silicon wafer is prepared as a substrate.

図２（ａ）の工程において、エッチングストップ層として、シリコン酸化物を用いた。   In the process of FIG. 2A, silicon oxide was used as an etching stop layer.

図２（ｂ）の工程において、まず、ポリエーテルアミド樹脂を形成し、該ポリエーテルアミド樹脂をフォトレジストを用いてパターニングすることにより、第一のエッチングマスク１１３を形成した。   In the step of FIG. 2B, first, a polyetheramide resin was formed, and the first etching mask 113 was formed by patterning the polyetheramide resin using a photoresist.

図２（ｃ）の工程において、８５℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液中に基板を浸漬させることにより第一の結晶異方性エッチングを行い、凹部１０１を形成した。   In the step of FIG. 2C, the first crystal anisotropic etching was performed by immersing the substrate in an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution at 85 ° C. to form the recess 101.

図２（ｄ）の工程において、薬液先導孔は、ＹＡＧレーザーの三倍波（ＴＨＧ：波長３５５ｎｍ）のレーザー光を用いて形成した。薬液先導孔の径は約φ４０μｍとし、ピッチは１００μｍとして、実施形態２に示すような配置位置で形成した。   In the step of FIG. 2D, the chemical solution leading hole was formed using a laser beam of a third harmonic of a YAG laser (THG: wavelength 355 nm). The diameter of the chemical liquid leading hole was about φ40 μm, and the pitch was 100 μm, and formed at the arrangement position as shown in the second embodiment.

図２（ｅ）の工程において、結晶異方性エッチングによって凹部１０１を拡大した。   In the step of FIG. 2E, the concave portion 101 was enlarged by crystal anisotropic etching.

図３（ｆ）の工程において、第一のエッチングマスク１１３は酸素を用いたアッシングにより除去した。   In the step of FIG. 3F, the first etching mask 113 was removed by ashing using oxygen.

図３（ｇ）の工程において、第二のエッチングマスク１１４は以下のようにして形成した。まず、傾斜を有する面に対する被覆性に優れたスプレーコート法を用いて感光性ポジ型レジストを配置した。該感光性ポジ型レジストとしてはＡＺ−Ｐ４６２０（商品名、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）を用いた。液体供給口１０２の位置を規定するために、ウシオ電機製投影露光装置ＵＸ−４０２３（商品名）を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で液体供給口の位置を規定するパターンのマスクを通して感光性ポジ型レジストを露光してパターニングした。 In the step of FIG. 3G, the second etching mask 114 was formed as follows. First, a photosensitive positive resist was placed by using a spray coating method that was excellent in coverage with an inclined surface. As the photosensitive positive resist, AZ-P4620 (trade name, manufactured by AZ Electronic Materials) was used. In order to define the position of the liquid supply port 102, photosensitivity is passed through a mask having a pattern that defines the position of the liquid supply port at an exposure amount of 1000 mJ / cm 2 using a projection exposure apparatus UX-4023 (trade name) manufactured by Ushio Electric. The positive resist was exposed and patterned.

図３（ｈ）の工程において、ＭＵＣ−２１ Ｐｅｇａｓｕｓ（商品名、住友精密工業社製）を用い、ボッシュプロセスを用いたリアクティブイオンエッチングにより液体供給口を形成した。ここで、ボッシュプロセスのエッチングガスとしてＳＦ6ガス、コーティングガスとしてＣ4Ｆ8ガスを用いた。リアクティブイオンエッチングの条件としては、ＳＦ6流量を５０ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍ、Ｃ4Ｆ8の流量を５０ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍ、ガス圧力を０．５Ｐａから５０Ｐａの間で行った。 In the step of FIG. 3 (h), a liquid supply port was formed by reactive ion etching using a Bosch process using MUC-21 Pegasus (trade name, manufactured by Sumitomo Precision Industries). Here, SF 6 gas was used as the etching gas for the Bosch process, and C 4 F 8 gas was used as the coating gas. As reactive ion etching conditions, the SF 6 flow rate was 50 sccm to 1000 sccm, the C 4 F 8 flow rate was 50 sccm to 1000 sccm, and the gas pressure was 0.5 Pa to 50 Pa.

図３（ｉ）の工程において、アルカリ性溶液を用いてエッチングストップ層を除去した。   In the step of FIG. 3I, the etching stop layer was removed using an alkaline solution.

最後に、ダイサーによりシリコンウェハから各々の単位のチップ形態に分離することで、液体吐出ヘッドを得た。   Finally, a dicer was used to separate each unit from the silicon wafer into a chip form, thereby obtaining a liquid discharge head.

１０１ 凹部
１０１′ 拡大された凹部
１０２ 液体供給口
１０３ 基板
１０４ 吐出口
１０５ 吐出エネルギー発生素子
１０６ ノズルプレート
１０７ 薬液先導孔
１１０ 液体流路
１１１ 流路型材
１１２ 保護層
１１３ 第一のエッチングマスク
１１４ 第二のエッチングマスク
１２０ 中点 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Concave part 101 'Enlarged concave part 102 Liquid supply port 103 Substrate 104 Discharge port 105 Discharge energy generating element 106 Nozzle plate 107 Chemical liquid leading hole 110 Liquid flow path 111 Flow path mold material 112 Protective layer 113 First etching mask 114 Second Etching mask 120 Midpoint

Claims (11)

第一の面と該第一の面の反対側の面である第二の面とを有するシリコン基板と、前記第一の面側に形成され、液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子と、前記第二の面に形成された凹部と、該凹部の底部に形成され、前記第一の面に連通する液体供給口と、を含む液体吐出ヘッドの製造方法であって、
（１）前記シリコン基板の前記第二の面に前記凹部を第一の結晶異方性エッチングにより形成する工程と、
（２）前記凹部の斜面に薬液先導孔を形成する工程と、
（３）第二の結晶異方性エッチングを行うことにより前記凹部を拡大する工程と、
（４）前記凹部の底面にイオンを用いたドライエッチングによって前記液体供給口を形成する工程と、
をこの順で含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 A silicon substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and discharge energy that is formed on the first surface side and generates energy for discharging a liquid A method for manufacturing a liquid discharge head, comprising: a generating element; a recess formed on the second surface; and a liquid supply port formed at the bottom of the recess and communicating with the first surface,
(1) forming the recesses on the second surface of the silicon substrate by first crystal anisotropic etching;
(2) forming a chemical liquid leading hole on the slope of the recess;
(3) a step of enlarging the recess by performing second crystal anisotropic etching;
(4) forming the liquid supply port by dry etching using ions on the bottom surface of the recess;
A liquid discharge head manufacturing method comprising: 前記工程（１）は、
（Ａ）前記シリコン基板の前記第二の面に前記凹部を形成する位置を規定する第一のエッチングマスクを形成する工程と、
（Ｂ）前記第二の面側から前記第一の結晶異方性エッチングを行うことによって、前記シリコン基板に前記凹部を形成する工程と、
を有する請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 The step (1)
(A) forming a first etching mask that defines a position where the concave portion is formed on the second surface of the silicon substrate;
(B) forming the recess in the silicon substrate by performing the first crystal anisotropic etching from the second surface side;
The method for manufacturing a liquid ejection head according to claim 1, comprising: 前記工程（４）は、
（Ｃ）拡大された前記凹部の底部に前記液体供給口を形成する位置を規定する第二のエッチングマスクを形成する工程と、
（Ｄ）前記第二のエッチングマスクを用いた前記ドライエッチングによって前記液体供給口を形成する工程と、
を有する請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 The step (4)
(C) forming a second etching mask that defines a position for forming the liquid supply port at the bottom of the enlarged recess;
(D) forming the liquid supply port by the dry etching using the second etching mask;
The method for manufacturing a liquid discharge head according to claim 1, wherein 前記第二の結晶異方性エッチングによって、前記薬液先導孔と前記凹部の底面との間の斜面が削られる請求項１乃至３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   4. The method of manufacturing a liquid discharge head according to claim 1, wherein an inclined surface between the chemical liquid leading hole and the bottom surface of the recess is shaved by the second crystal anisotropic etching. 5. 前記第二の結晶異方性エッチングによって、前記凹部の底面の周辺に溝形状が形成される請求項１乃至４のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   The method of manufacturing a liquid discharge head according to claim 1, wherein a groove shape is formed around the bottom surface of the recess by the second crystal anisotropic etching. 前記斜面における前記薬液先導孔の位置が拡大された前記凹部の側壁上端と底面端との中点より外側あるいは中点となるように、かつ前記薬液先導孔の先端が拡大された前記凹部の底面よりも前記第一の面に近くなるように前記薬液先導孔を前記斜面に形成する請求項１乃至５のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   The bottom surface of the concave portion in which the position of the chemical liquid leading hole on the inclined surface is outside or midpoint of the middle point between the upper end and the bottom surface of the side wall of the concave portion in which the concave portion is expanded. The method of manufacturing a liquid discharge head according to claim 1, wherein the chemical liquid guide hole is formed on the slope so as to be closer to the first surface. 前記工程（３）において、前記第二の面と該第二の面と繋がる拡大された凹部の側壁との角度が９０度以下になる請求項６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   The method of manufacturing a liquid ejection head according to claim 6, wherein, in the step (3), an angle between the second surface and the side wall of the enlarged concave portion connected to the second surface is 90 degrees or less. 前記工程（３）において、前記第二の結晶異方性エッチングはＴＭＡＨ水溶液を用いて行われ、前記ＴＭＡＨ水溶液のＴＭＡＨの濃度が１８〜２３％である請求項１乃至７のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   The said process (3) WHEREIN: Said 2nd crystal anisotropic etching is performed using TMAH aqueous solution, and the density | concentration of TMAH of the said TMAH aqueous solution is 18-23%. Manufacturing method of liquid discharge head. 前記ドライエッチングがリアクティブイオンエッチングである請求項１乃至８のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   The method for manufacturing a liquid discharge head according to claim 1, wherein the dry etching is reactive ion etching. 前記リアクティブイオンエッチングがボッシュプロセスを用いる請求項９に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   The method of manufacturing a liquid ejection head according to claim 9, wherein the reactive ion etching uses a Bosch process. 前記薬液先導孔はレーザー加工により形成される請求項１乃至１０のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。   The method of manufacturing a liquid discharge head according to claim 1, wherein the chemical liquid leading hole is formed by laser processing.
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