JP2013136024A - 処理液生成装置、処理液生成方法、基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 180
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 232
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 116
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 116
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 236
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000005288 shirasu porous glass Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000020477 pH reduction Effects 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部3Aと、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部5Aと、二酸化炭素ガスが溶解して複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する処理部6とを備える。
【選択図】図1
Description
第1の実施形態について図1を参照して説明する。なお、第1の実施形態に係る基板処理装置は、処理液を生成する処理液生成装置を適用した適用例である。
本発明の第2の実施形態について図2を参照して説明する。
2 配管
3A 溶解部
3B 溶解部
5A 気泡発生部
5B 気泡発生部
6 処理部
Claims (18)
- 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、
前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、
を備えることを特徴とする処理液生成装置。 - 前記溶解部は、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする請求項1記載の処理液生成装置。 - 前記溶解部は、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする請求項1記載の処理液生成装置。 - 前記液体が流れる配管を備え、
前記溶解部及び前記気泡発生部は、前記液体が流れる流れ方向において前記溶解部が前記気泡発生部より上流側に位置付けられ、前記配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の処理液生成装置。 - 前記液体が流れる配管を備え、
前記溶解部及び前記気泡発生部は、前記液体が流れる流れ方向において前記溶解部が前記気泡発生部より下流側に位置付けられ、前記配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の処理液生成装置。 - 前記液体が水であり、前記気泡生成ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の処理液生成装置。
- 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、
前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、
を有することを特徴とする処理液生成方法。 - 前記溶解させる工程では、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする請求項7記載の処理液生成方法。 - 前記溶解させる工程では、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする請求項7記載の処理液生成方法。 - 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、
前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、
前記二酸化炭素ガスが溶解して前記複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記溶解部は、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。 - 前記溶解部は、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。 - 前記液体が流れる配管を備え、
前記溶解部及び前記気泡発生部は、前記液体が流れる流れ方向において前記溶解部が前記気泡発生部より上流側に位置付けられ、前記配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項10ないし12のいずれか一に記載の基板処理装置。 - 前記液体が流れる配管を備え、
前記溶解部及び前記気泡発生部は、前記液体が流れる流れ方向において前記溶解部が前記気泡発生部より下流側に位置付けられ、前記配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項10ないし12のいずれか一に記載の基板処理装置。 - 前記液体が水であり、前記気泡生成ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項10ないし14のいずれか一に記載の基板処理装置。
- 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、
前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、
前記二酸化炭素ガスが溶解して前記複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記溶解させる工程では、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする請求項16記載の基板処理方法。 - 前記溶解させる工程では、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする請求項16記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011288361A JP5989338B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 処理液生成装置、処理液生成方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011288361A JP5989338B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 処理液生成装置、処理液生成方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013136024A true JP2013136024A (ja) | 2013-07-11 |
JP2013136024A5 JP2013136024A5 (ja) | 2015-02-19 |
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ID=48912242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011288361A Active JP5989338B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 処理液生成装置、処理液生成方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5989338B2 (ja) |
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2011
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