JP2013126313A - キャパシタ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分圧回路24は、接地側に設けられた第1の抵抗素子41とプラス側の第2の抵抗素子42との接続点で分圧電圧を出力し、第3の抵抗素子43と半導体スイッチング素子44とを直列接続した可変抵抗部は第1の抵抗素子41と並列接続されるように構成される。温度が基準温度を越えると半導体スイッチング素子44をオフすることにより、基準電圧に対し相対的に分圧電圧が上がるように分圧回路24を制御し、分圧回路24は分圧電圧が基準電圧を越えると比較回路29は定電圧制御信号を出力し、キャパシタ部11の満充電電圧を下げて定電圧制御を行う。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態1のキャパシタ装置について図1を用いて説明する。図1は本発明の実施の形態1におけるキャパシタ装置のブロック回路図である。
図3は本発明の実施の形態2におけるキャパシタ装置の電圧制御回路を示すブロック回路図であり、実施の形態2は実施の形態1の電圧制御回路の構成の一部が違う以外は、実施の形態1と同じ構成であり、同じ構成には同一の符号を付与し説明を省略する。
図5は本発明の実施の形態3におけるキャパシタ装置の電圧制御回路を示すブロック回路図であり、実施の形態3は実施の形態1の電圧制御回路の構成の一部が違う以外は、実施の形態1と同じ構成であり、同じ構成には同一の符号を付与し説明を省略する。
実施の形態4は、実施の形態2の基準電圧回路の1つの基準電圧可変抵抗部の代わりに複数の基準電圧可変抵抗部を設けたものである。
11 キャパシタ部
12 主電源
13 負荷
14 制御回路
15 充電回路
16 駆動回路
17 半導体制御素子
22 電圧制御回路
24、25 分圧回路
26、27 基準電圧回路
28、62 定電圧電源
29 比較回路
30 電流制御回路
31 電圧検出回路
32 放電回路
33 給電スイッチ
34 温度検出手段
35 電圧モニタ回路
41、51 第1の抵抗素子
42、52 第2の抵抗素子
43、53、143、243 第3の抵抗素子
44、54、60、144、244 半導体スイッチング素子
55 第4の抵抗素子
56 第5の抵抗素子
57〜59 抵抗素子
61 電源分圧回路
100、200 可変抵抗部
Claims (7)
- 主電源に接続されるキャパシタ部と、
定電圧制御信号を入力し前記キャパシタ部を充電する充電回路と、
前記キャパシタ部の満充電電圧を制御する制御回路と、
前記キャパシタ部の周囲の温度を検出する温度検出手段と、
キャパシタ部の分圧電圧を出力する分圧回路と、
基準電圧を出力する基準電圧回路と、
前記分圧電圧と前記基準電圧とを比較し、前記分圧電圧が前記基準電圧を越えると前記定電圧制御信号を出力する比較回路と、
を備え、
前記分圧回路は、直列接続された第1の抵抗素子と第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と半導体スイッチング素子とが直列接続された可変抵抗部と、を有し、前記可変抵抗部は第1の抵抗素子と並列接続され、第1の抵抗素子と第2の抵抗素子との接続点で前記分圧電圧を出力するものであり、
前記基準電圧回路は、定電圧電源からなり、
前記制御回路は、前記温度が基準温度を越えると、前記半導体スイッチング素子をオフすることにより、前記基準電圧に対し相対的に前記分圧電圧が上がるように制御し、キャパシタ部の満充電電圧を下げるキャパシタ装置。 - 前記分圧回路は、第1の抵抗素子と前記可変抵抗部との代わりに、直列接続された第4の抵抗素子と第5の抵抗素子とからなり、第4の抵抗素子と第5の抵抗素子との接続点で前記分圧電圧を出力し、
前記基準電圧回路は、定電圧電源と前記定電圧電源を分圧して前記基準電圧を出力する電源分圧回路とを有し、前記電源分圧回路は、直列接続された第1の抵抗素子と第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と半導体スイッチング素子とが直列接続された基準電圧可変抵抗部とを有するものであり、前記基準電圧可変抵抗部は第1の抵抗素子と並列接続され、第1の抵抗素子と第2の抵抗素子との接続点で前記基準電圧を出力する請求項1に記載のキャパシタ装置。 - 前記キャパシタ部を放電する放電回路を備え、
前記制御回路は、前記温度が低温から前記基準温度を越えるとき、高温の満充電電圧(VLow)まで強制放電するように前記放電回路を制御する請求項1又は請求項2に記載のキャパシタ装置。 - 前記キャパシタ部のキャパシタ素子の端子電圧信号を出力する電圧モニタ回路を有し、
前記制御回路は、前記端子電圧信号を入力し前記キャパシタ素子が基準過電圧になると過電圧異常信号を外部に出力するものであり、
基準過電圧は、前記温度が低温から前記基準温度を越えるとき、高温の満充電電圧(VLow)に低下するまで前記基準過電圧を低温の基準過電圧(V1High)とし、高温の満充電電圧(VLow)になれば高温の基準過電圧(V1Low)とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のキャパシタ装置。 - 複数の前記可変抵抗部が第1の抵抗素子と並列接続され、
前記制御回路は、前記温度の上昇に応じて複数の前記可変抵抗部の前記半導体スイッチング素子を順次オフすることにより、前記満充電電圧を段階的に下げる請求項1に記載のキャパシタ装置。 - 複数の前記基準電圧可変抵抗部が第1の抵抗素子と並列接続され、
前記制御回路は、前記温度の上昇に応じて複数の前記基準電圧可変抵抗部の前記半導体スイッチング素子を順次オフすることにより、前記満充電電圧を段階的に下げる請求項2に記載のキャパシタ装置。 - 前記制御回路は、前記基準温度より低い低温になれば、前記主電源の出力電圧を上げる出力電圧指示信号を外部に出力する請求項1又は請求項2に記載のキャパシタ装置。
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