JP2013123008A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光装置1は、発光層12aを有する半導体層15、半導体層に設けられたp側電極14およびn側電極22を備えている。p側電極は、半導体層の第2の面に接して半導体層に選択的に設けられた複数のコンタクトメタル18と、複数のコンタクトメタルの間で第2の面に接して半導体層に設けられ、コンタクトメタルよりも発光層が放出する光に対する透過率が高い透明膜19と、コンタクトメタルに接してコンタクトメタル上及び透明膜上に設けられた、銀を含む反射メタル20とを有している。反射メタルにおける発光層側の面の面積は、複数のコンタクトメタルが半導体層と接する面積の総和よりも大きい。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態の半導体発光装置1の模式断面図である。
図5(a)〜(e)は、半導体層15の第2の面におけるp側電極14が形成される発光領域16の模式平面図である。
図6は、第2実施形態の半導体発光装置2の模式断面図である。
図10(a)〜(f)は、半導体層15の第2の面におけるp側電極14が形成される発光領域16の模式平面図である。
図11は、第3実施形態の半導体発光装置3の模式断面図である。
図12は、第4実施形態の半導体発光装置4の模式断面図である。
図13(a)は、第5実施形態の半導体発光装置5の模式断面図である。
図13(b)は、その半導体発光装置5におけるn側電極80の平面パターンの一例を示す模式平面図である。
Claims (17)
- 第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層とを有する半導体層と、
前記第2の面に設けられたp側電極と、
前記p側電極に対して分離して前記半導体層に設けられたn側電極と、
を備え、
前記p側電極は、
前記第2の面に接して前記半導体層に選択的に設けられ、ニッケル、金およびロジウムのうちの少なくとも1つを含む複数のコンタクトメタルと、
前記複数のコンタクトメタルの間で前記第2の面に接して前記半導体層に設けられ、前記コンタクトメタルよりも前記発光層が放出する光に対する透過率が高いシリコン酸化膜である透明膜と、
前記コンタクトメタルに接して前記コンタクトメタル上及び前記透明膜上に設けられ、銀を含み、前記コンタクトメタルよりも、前記発光層が放出する光に対する反射率が高い反射メタルと、
を有し、
前記反射メタルにおける前記発光層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きく、
前記透明膜の前記半導体層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きく、前記透明膜の前記反射メタル側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記反射メタルと接する面積の総和よりも大きく、
前記コンタクトメタルと、前記半導体層のうち前記コンタクトメタルと接触する部分の半導体とのショットキーバリアハイトは、前記半導体と前記反射メタルとのショットキーバリアハイトよりも小さい半導体発光装置。 - 第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層とを有する半導体層と、
前記第2の面に設けられたp側電極と、
前記p側電極に対して分離して前記半導体層に設けられたn側電極と、
を備え、
前記p側電極は、
前記第2の面に接して前記半導体層に選択的に設けられた複数のコンタクトメタルと、
前記複数のコンタクトメタルの間で前記第2の面に接して前記半導体層に設けられ、前記コンタクトメタルよりも前記発光層が放出する光に対する透過率が高い透明膜と、
前記コンタクトメタルに接して前記コンタクトメタル上及び前記透明膜上に設けられた、銀を含む反射メタルと、
を有し、
前記反射メタルにおける前記発光層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きい半導体発光装置。 - 前記透明膜の前記半導体層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きく、前記透明膜の前記反射メタル側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記反射メタルと接する面積の総和よりも大きい請求項2記載の半導体発光装置。
- 前記コンタクトメタルは、ニッケル、金およびロジウムのうちの少なくとも1つを含む請求項2または3に記載の半導体発光装置。
- 前記透明膜は、シリコン酸化膜である請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記透明膜は、ITO(Indium Tin Oxide)膜である請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記コンタクトメタルと、前記半導体層のうち前記コンタクトメタルと接触する部分の半導体とのショットキーバリアハイトは、前記半導体と前記反射メタルとのショットキーバリアハイトよりも小さい請求項2〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記コンタクトメタルは、前記反射メタルよりも、前記発光層が放出する光に対する反射率が低い請求項2〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記反射メタルと前記半導体層との間の前記コンタクトメタルの膜厚と、前記反射メタルと前記半導体層との間の前記透明膜の膜厚とが、ほぼ同じである請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記反射メタルと前記半導体層との間の前記コンタクトメタルの膜厚は、前記反射メタルと前記半導体層との間の前記透明膜の膜厚よりも薄く、
前記透明膜の間の前記コンタクトメタル上に前記反射メタルが設けられている請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記第2の面は、前記発光層に対向する発光領域と、前記発光層に対向しない非発光領域とを有し、
前記p側電極は前記第2の面における前記発光領域に設けられ、前記n側電極は前記第2の面における前記非発光領域に設けられた請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和は、前記第2の面における前記発光領域の面積よりも小さい請求項11記載の半導体発光装置。
- 前記第2の面側に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられるとともに、前記第1の絶縁層を貫通する第1のビアを通じて前記p側電極と接続されたp側配線部と、
前記第1の絶縁層上に設けられるとともに、前記第1の絶縁層を貫通する第2のビアを通じて前記n側電極と接続されたn側配線部と、
をさらに備えた請求項11または12に記載の半導体発光装置。 - 前記p側配線部は、
前記第1の絶縁層上に設けられたp側配線層と、
前記p側配線層上に設けられ、前記p側配線層よりも厚いp側金属ピラーと、
を有し、
前記n側配線部は、
前記第1の絶縁層上に設けられたn側配線層と、
前記n側配線層上に設けられ、前記n側配線層よりも厚いn側金属ピラーと、
を有する請求項13記載の半導体発光装置。 - 前記p側配線部と前記n側配線部との間に設けられた第2の絶縁層をさらに備えた請求項13または14に記載の半導体発光装置。
- 前記第1の絶縁層は、前記半導体層の前記第1の面から続く側面を覆っている請求項13〜15のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層と前記n側金属ピラーとの接続面積は、前記n側配線層と前記n側電極との接続面積よりも大きい請求項14〜16のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
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