JP2013114512A - Circuit simulation method, circuit simulation device and circuit simulation program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アナログ回路又はアナログ/ディジタル混載回路を数値計算によってシミュレーションし、回路の過渡応答や開ループの周波数特性を計算する回路シミュレーション方法、回路シミュレーション装置、およびコンピュータに回路シミュレーションを実行させる回路シミュレーションプログラムに関し、例えば、昇圧型DC−DCコンバータやチャージポンプに代表されるスイッチング電源の過渡応答や開ループの周波数特性の数値計算によるシミュレーションに適用することができるものである。 The present invention relates to a circuit simulation method, a circuit simulation apparatus, and a circuit simulation for causing a computer to execute a circuit simulation by simulating an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation and calculating a transient response of the circuit and an open loop frequency characteristic. The program can be applied to, for example, a simulation by numerical calculation of a transient response of a switching power supply represented by a step-up DC-DC converter and a charge pump and an open loop frequency characteristic.
スイッチング電源等、アナログ回路の計算機を利用した解析手法として、回路中の電流の流れに応じた動作モードの変化ごとに状態変数方程式を切り替え、時刻ごとの回路の動作状態を数値計算する回路解析が知られている。 As an analysis method using an analog circuit computer such as a switching power supply, a circuit analysis that switches the state variable equation for each change of the operation mode according to the current flow in the circuit and numerically calculates the operation state of the circuit at each time Are known.
また、回路の大局的な動作を時間領域で解析する手法として、包絡追跡法や状態平均化法が知られている。包絡追跡法は、高周波でスイッチングする回路の各部の周期的な動作波形がその前後の周期の波形と類似することを利用し、選択した周期の動作波形のみを解析し、選択しなかった残りに周期の動作波形を包絡的に構成する方法であり、状態平均化法は、解析対象回路について全ての動作モードを求め、各動作モード状態にある時間の割合に応じて入力や動作波形を平均的に取り扱う方法である。 Further, an envelope tracking method and a state averaging method are known as methods for analyzing the global operation of a circuit in the time domain. The envelope tracking method uses the fact that the periodic operation waveform of each part of the circuit that switches at high frequency is similar to the waveform of the period before and after that, and analyzes only the operation waveform of the selected period, and the remaining unselected In this method, the operation waveform of the period is enveloped, and the state averaging method obtains all operation modes for the analysis target circuit and averages the input and operation waveforms according to the percentage of time in each operation mode state. It is a method to handle.
また、一つの周波数の正弦波入力に対する解析対象回路の応答を定式化し、全ての周波数に対する応答波形を合成して定常応答波形を求める周波数領域の回路解析方法も知られている(特許文献1)。 There is also known a frequency domain circuit analysis method for formulating the response of a circuit to be analyzed with respect to a sine wave input of one frequency and synthesizing response waveforms for all frequencies to obtain a steady response waveform (Patent Document 1). .
また、アナログ回路をシミュレートするプログラムとしてSPICE(登録商標)と呼ばれる回路シミュレーションプログラムが知られ、数値演算プログラムとしてMATLAB(登録商標)と呼ばれるプログラムが知られている。 A circuit simulation program called SPICE (registered trademark) is known as a program for simulating an analog circuit, and a program called MATLAB (registered trademark) is known as a numerical operation program.
周波数領域の回路解析では、解析対象回路を数式あるいは伝達関数で表し、解析対象回路全体の周波数特性や安定性などの評価を行う。一方、回路の過渡解析では、回路中のインダクタ素子Lに流れる電流や容量素子Cの両端の電圧を状態変数とする1次微分方程式によって状態変数方程式を形成し、この微分方程式を時間領域で積分演算することにより、電流や電圧の時間変化を求め、これによって過渡応答などの解析を行う。 In circuit analysis in the frequency domain, the analysis target circuit is expressed by a mathematical expression or a transfer function, and the frequency characteristics and stability of the entire analysis target circuit are evaluated. On the other hand, in the transient analysis of the circuit, a state variable equation is formed by a first-order differential equation having the current flowing in the inductor element L in the circuit and the voltage at both ends of the capacitive element C as a state variable, and this differential equation is integrated in the time domain. By calculating, the time change of current and voltage is obtained, and the transient response is analyzed by this.
ただし、解析対象回路の回路動作にスイッチング動作が含まれる場合には、スイッチング動作によって回路構成が変化する場合がある。 However, when the circuit operation of the analysis target circuit includes a switching operation, the circuit configuration may change due to the switching operation.
図9(a)はMOSトランジスタをスイッチ素子として使用したディクソン型チャージポンプのスイッチング電源の回路構成例を示している。このスイッチング電源のスイッチング動作は、例えば、図9(b),(c)に示すように、クロック信号の1周期間内に2つの異なる回路構成が形成される。このような場合には、状態変数方程式を用いて回路解析を行うには、異なる回路構成に対してそれぞれ異なる第1番目の状態変数方程式と第2番目の状態変数方程式を形成し、1周期間内に順に第1番目と第2番目の状態変数方程式を解いて行かなければならない。 FIG. 9A shows a circuit configuration example of a switching power supply of a Dickson type charge pump using a MOS transistor as a switching element. In the switching operation of this switching power supply, for example, as shown in FIGS. 9B and 9C, two different circuit configurations are formed within one cycle of the clock signal. In such a case, in order to perform the circuit analysis using the state variable equation, the first state variable equation and the second state variable equation which are different from each other are formed for different circuit configurations. The first and second state variable equations must be solved in order.
この際、第1番目の状態変数方程式を時間領域で積分してインダクタ素子Lに流れる電流や容量素子Cの両端の電圧の最終値を取得し、次に、第1番目の状態変数方程式で得られた最終値を第2番目の状態変数方程式の初期値として受け渡し、第2番目の状態変数方程式を時間領域で積分する演算を行う。さらに、第2番目の状態変数方程式で得られた最終値を第1番目の状態変数方程式の初期値として受け渡し、第1番目の状態変数方程式を時間領域で積分する演算を行うといった、前回の演算処理で得られた最終値を次回の演算処理の初期値として受け渡すという処理を繰り返して行う。 At this time, the first state variable equation is integrated in the time domain to obtain the final value of the current flowing through the inductor element L and the voltage across the capacitive element C, and then obtained by the first state variable equation. The final value thus obtained is transferred as the initial value of the second state variable equation, and the second state variable equation is integrated in the time domain. Further, the previous value obtained by passing the final value obtained by the second state variable equation as the initial value of the first state variable equation and integrating the first state variable equation in the time domain. The process of passing the final value obtained by the process as the initial value of the next calculation process is repeated.
図20,21は従来の状態変数方程式を用いた回路解析の手順および構成の一例を説明するためのフローチャートおよびブロック図である。 20 and 21 are a flowchart and a block diagram for explaining an example of the procedure and configuration of circuit analysis using a conventional state variable equation.
解析対象回路について(S101)、スイッチング動作による回路構成の時間変化を解析し、一周期内の各期間における回路モデルを形成し(S102)、求めた回路モデルについて、インダクタ素子や容量素子等のエネルギー蓄積素子部を状態変数として状態変数方程式を形成する(S103)。 For the circuit to be analyzed (S101), analyze the time variation of the circuit configuration due to switching operation, form a circuit model for each period within one cycle (S102), and use the energy of inductor elements and capacitive elements for the obtained circuit model A state variable equation is formed using the storage element portion as a state variable (S103).
各期間の状態変数方程式を微分方程式の積分演算による数値演算を順次解くことで回路解析を行う。数値演算は、汎用のシミュレーションプログラムを用いることができる。以下では、一周期内の期間として第1の期間と第2の期間の2期間について示しているが、2期間以上の複数期間についても同様とすることができる。 The circuit analysis is performed by sequentially solving the numerical operation by the integral operation of the differential equation for the state variable equation of each period. A general-purpose simulation program can be used for the numerical calculation. In the following, two periods of the first period and the second period are shown as periods within one cycle, but the same can be applied to a plurality of periods of two or more periods.
はじめに、第1の期間の状態変数方程式について解き(S104)、第1の期間のシミュレーション結果を第2の期間の状態変数方程式の初期値として受け渡す(S105)。次に、第2の期間の状態変数方程式を解き(S106)、さらにこの第2の期間のシミュレーション結果を第1の期間の状態変数方程式の初期値として受け渡す(S107)。S104〜S107の各工程を、シミュレーションの処理を終了するまで繰り返す(S108)。得られたシミュレーション結果を表示する(S109)。 First, the state variable equation of the first period is solved (S104), and the simulation result of the first period is transferred as the initial value of the state variable equation of the second period (S105). Next, the state variable equation of the second period is solved (S106), and the simulation result of the second period is transferred as the initial value of the state variable equation of the first period (S107). The steps S104 to S107 are repeated until the simulation process is completed (S108). The obtained simulation result is displayed (S109).
図21に示すブロック図において、シミュレーション装置は、解析対象回路の回路モデルから状態変数方程式を形成する状態変数方程式形成手段110と、状態変数方程式を汎用シミュレーションプログラム121により数値演算により解く数値演算手段120と、数値演算手段で得られた演算結果を表示する表示手段130を備える。
In the block diagram shown in FIG. 21, the simulation apparatus includes a state variable
しかしながら、状態変数方程式を使う解析手法では、前回の演算で得られた状態変数の値を自動的に次の演算の初期値として受け渡すことは難しいため、例えば、前回の演算で得られた状態変数の値をメモリに記憶し、次回の演算時にメモリから状態変数値を初期値として読み出すといった処理を行う必要がある。 However, in the analysis method using the state variable equation, it is difficult to automatically pass the value of the state variable obtained in the previous operation as the initial value of the next operation. For example, the state obtained in the previous operation It is necessary to perform processing such as storing the value of the variable in the memory and reading the state variable value from the memory as an initial value at the next calculation.
これに対して、伝達関数を用いる解析手法では、ラプラス変換を用いる演算であるため、インダクタ素子の電流や容量素子の両端電圧の初期値の入力は演算処理上では可能ではある。しかしながら、汎用プログラムでは、異なる回路間において初期値を受け渡しながら回路を切り替えてシミュレーションを行うことはできない。そのため、汎用プログラムは回路解析には適していない。また、シミュレーションプログラムに、このような初期値の受け渡しと回路の切り替えを行う機能を付加することで対応する場合には、解析対象回路ごとに個別にシミュレーションプログラムを作成しなければならず、シミュレーションプログラムの作成時間や作業量の点から見て現実的ではない。 On the other hand, since the analysis method using the transfer function is an operation using Laplace transform, it is possible to input the initial value of the current of the inductor element and the voltage across the capacitor element in the calculation process. However, in a general-purpose program, simulation cannot be performed by switching circuits while passing initial values between different circuits. Therefore, general-purpose programs are not suitable for circuit analysis. In addition, when adding a function for performing such initial value transfer and circuit switching to the simulation program, it is necessary to create a simulation program individually for each circuit to be analyzed. It is not realistic in terms of creation time and workload.
したがって、時間的に回路構成が変化しそれぞれ異なる状態変数方程式を解く必要がある際に、1つの状態変数方程式により時間の経過とともに解析を行ってシミュレーションを行うことが望まれる。 Therefore, when the circuit configuration changes with time and it is necessary to solve different state variable equations, it is desirable to perform a simulation by performing analysis with the passage of time using one state variable equation.
アナログ回路又はアナログ/ディジタル混載回路を数値計算によってシミュレーションする場合には、前記したように初期値の受け渡しや回路切り替えに要する演算処理の都合から、1つの状態変数方程式で複数の回路構成に対応することが難しいという問題がある。 When simulating an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation, it corresponds to a plurality of circuit configurations with one state variable equation for convenience of arithmetic processing required for initial value passing and circuit switching as described above. There is a problem that it is difficult.
このような問題を解決するため、前記した状態平均化法として、非特許文献1や非特許文献2が提案されている。非特許文献1は降圧型、昇圧型および昇降圧型の各DC−DCコンバータに対して適用されている。非特許文献2には降圧型DC−DCコンバータへの適用が示されている
In order to solve such problems, Non-Patent
また、電子回路解析において、電源回路の回路モデルと信号回路の回路モデルとを組み合わせて電源と信号の解析を同時に行うことを目的として、結合回路によって両回路モデルに接続できる形式に変換し、電源回路モデルと信号回路モデルとを結合した結合モデルを形成することが特許文献2に示されている。 In addition, in the electronic circuit analysis, for the purpose of simultaneously analyzing the power supply and signal by combining the circuit model of the power supply circuit and the circuit model of the signal circuit, it is converted into a format that can be connected to both circuit models by the combined circuit, and the power supply Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228707 discloses forming a combined model in which a circuit model and a signal circuit model are combined.
非特許文献1で用いられている状態平均化法の概略について、図9(b),(c)を用いて説明する。
An outline of the state averaging method used in
図9(b),(c)に示すように、ディクソン型チャージポンプのスイッチング電源回路の出力部ではダイオード接続のトランジスタのオン・オフにより回路構成が異なる。ここでクロックの1周期に同期した期間中にトランジスタがオン状態となる期間と、クロックの1周期の期間との比をデューテイD(0≦D≦1)で表したとき、2つの回路状態について、オン期間に対応した第1の回路の状態変数方程式に対してはDの係数を掛け合わせ、オフ期間に対応した第2の回路の状態変数方程式に対しては(1−D)の係数を掛け合わせている。 As shown in FIGS. 9B and 9C, the circuit configuration of the output part of the switching power supply circuit of the Dickson charge pump differs depending on whether the diode-connected transistor is on or off. Here, when the ratio of the period in which the transistor is turned on during the period synchronized with one period of the clock and the period of one period of the clock is represented by duty D (0 ≦ D ≦ 1), two circuit states The state variable equation of the first circuit corresponding to the on period is multiplied by the coefficient of D, and the state variable equation of the second circuit corresponding to the off period is multiplied by the coefficient of (1-D). Multiply.
この非特許文献1の手法によれば、状態変数であるインダクタLの電流も容量Cの両端電圧も共にクロックの1周期内で平均化される。したがって、状態平均化法は1周期中の変化が無く、状態変数の応答周波数がクロック周波数に比して低い場合において、AC特性を把握するには有効である。なお、AC特性は、開ループ利得やその位相の周波数特性である。
According to the method of
しかしながら、非線形の抵抗(例えばダイオードのオン抵抗)は、その抵抗が流れる電流に依存するため、オン期間に影響を与え、オン期間の動作点やAC特性に影響を及ぼす。そのため、この影響を考慮できない場合にはクロックの1周期内の変化である過渡応答を忠実に解析することが困難である。 However, since the non-linear resistance (for example, the on-resistance of the diode) depends on the current flowing through the resistance, it affects the on-period and affects the operating point and the AC characteristics of the on-period. Therefore, when this influence cannot be taken into account, it is difficult to faithfully analyze a transient response that is a change within one cycle of the clock.
また、非特許文献2に示される降圧型DC−DCコンバータへの適用例では、インダクタ素子Lおよび容量素子Cの接続状態は常に変わらず、スイッチ素子のトランジスタのオン・オフにより、インダクタ素子Lおよび容量素子Cに入力される入力信号(これは状態変数方程式の入力信号となる)が変化し、各入力信号に応じた状態が平均化されたものが示される。したがって、非特許文献2によるAC解析は、入力信号を平均化して入力信号自体を小信号としているに過ぎない。
Further, in the application example to the step-down DC-DC converter shown in
非特許文献2においても、スイッチ素子のトランジスタのオン抵抗の影響は考慮されておらず、非特許文献1と同様に、クロックの1周期内の変化である過渡応答を忠実に解析することが困難である。また、非特許文献2では、適用範囲は降圧型に限られ、昇圧型や昇降圧型あるいはチャージポンプなどの他の電源回路や電子回路に適用することができないという問題もある。
Also in
したがって、状態平均化法によるAC解析は、入力信号として小信号を仮定し、回路の応答周波数がクロック周波数に対して低い場合に適用される手法であり、クロック周期内の非線形素子による動作や影響を考慮するものではないため、負荷変動や電源立ち上げ時の大きな過渡応答などを解析するには不適である。 Therefore, AC analysis by the state averaging method is a method applied when a small signal is assumed as an input signal and the response frequency of the circuit is lower than the clock frequency. Therefore, it is not suitable for analyzing load fluctuations and large transient response at power-on.
そこで、本発明は上述した課題を解決して、アナログ回路の数値演算によるシミュレーションによる解析において、時間的に回路構成が変化しそれぞれ異なる状態変数方程式を解く必要がある際に、1つの状態変数方程式により時間の経過とともに解析を行うと共に、クロックの1周期内の変化である過渡応答やAC解析を高速で忠実に行うことを目的とする。 Therefore, the present invention solves the above-described problem, and in the analysis by the simulation by the numerical calculation of the analog circuit, when the circuit configuration changes with time and it is necessary to solve the different state variable equations, one state variable equation The purpose of this is to perform the analysis with the passage of time, and to perform the transient response and the AC analysis, which are changes within one cycle of the clock, at high speed and faithfully.
AC解析は、少なくともナイキスト周波数(クロック周波数の1/2の周波数)まで正確に解析することができることを目的とする。 The purpose of AC analysis is to be able to accurately analyze at least the Nyquist frequency (a frequency that is ½ of the clock frequency).
また、例えば、降圧型、昇圧型や昇降圧型あるいはチャージポンプといった回路構成に依存することなく、任意の回路構成について適用できることを目的とする。 It is another object of the present invention to be applicable to any circuit configuration without depending on a circuit configuration such as a step-down type, a step-up type, a step-up / step-down type, or a charge pump.
本発明は、回路シミュレーション方法、回路シミュレーション装置、および回路シミュレーションプログラムの各態様とすることができる。 The present invention can be implemented as a circuit simulation method, a circuit simulation apparatus, and a circuit simulation program.
本発明が解析対象とする解析対象回路は、スイッチング動作の一周期内において時間変化により複数の回路モデルに分離する回路である。 The analysis target circuit to be analyzed by the present invention is a circuit that is separated into a plurality of circuit models by a time change within one cycle of the switching operation.
本発明の回路シミュレーション方法の態様は、アナログ回路又はアナログ/ディジタル混載回路の動作を数値演算によってシミュレートする回路シミュレーション方法であり、時間変化の各期間における回路モデルについて、この回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、この回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する第1の形成工程と、各状態変数の状態変数方程式について、各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を各期間の各状態変数方程式に乗じ、スイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2の形成工程と、第2の形成工程で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、この数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算工程とを備える。これらの第1の形成工程、第2の形成工程、および数値演算工程の各工程をコンピュータで実行するものであり、コンピュータ資源であるCPU、メモリ、制御プログラムにより数値演算を行う。 An aspect of the circuit simulation method of the present invention is a circuit simulation method for simulating the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation. For a circuit model in each period of time change, the energy contained in this circuit model A plurality of state variable equations relating to the circuit model are formed by a differential equation having the current and / or voltage of the storage element portion as a state variable, and an equation for obtaining an output of the circuit model using the values of the state variables. And the state variable equation of each state variable, each state variable equation for each period was multiplied by each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, and the switch variable was multiplied Add each state variable equation for each period and within each cycle for each state variable A second forming step for forming a state variable equation in the first and a differential equation of the state variable equation in one cycle formed in the second forming step by numerical operation by numerical integration, and each state obtained by the numerical operation And a numerical operation step for outputting a time change of the variable. Each of the first forming process, the second forming process, and the numerical calculation process is executed by a computer, and numerical calculation is performed by a CPU, a memory, and a control program which are computer resources.
本発明の回路シミュレーション装置の態様は、アナログ回路又はアナログ/ディジタル混載回路の動作を数値演算によってシミュレートする回路シミュレーション装置であり、時間変化の各期間における回路モデルについて、この回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびこれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、この回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成し、各状態変数の状態変数方程式について、各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を各期間の各状態変数方程式に乗じ、各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する状態変数方程式形成手段と、状態変数方程式形成手段で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、当該数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算手段とを備える。 An aspect of the circuit simulation apparatus of the present invention is a circuit simulation apparatus that simulates the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation. The circuit model in each period of time change includes energy contained in the circuit model. A plurality of state variable equations relating to this circuit model are formed by a differential equation having the current and / or voltage of the storage element portion as a state variable, and an equation for obtaining the output of the circuit model using the values of these state variables. Regarding the state variable equation of the state variable, each period obtained by multiplying each state variable equation of each period by each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, and each period multiplied by each first switch variable Each state variable is added to each state variable equation and the state within one cycle The state variable equation forming means for forming the variable equation and the differential equation of the state variable equation within one cycle formed by the state variable equation forming means are solved by numerical operation by numerical integration, and each state variable obtained by the numerical operation is solved. Numerical value calculation means for outputting a time change.
本発明の回路シミュレーション装置の状態変数方程式形成手段および数値演算手段は、コンピュータ資源であるCPU、メモリ、制御プログラムにより構成し、コンピュータに数値演算を実行させることで行うことができる。 The state variable equation forming means and the numerical calculation means of the circuit simulation apparatus according to the present invention are configured by a CPU, a memory, and a control program which are computer resources, and can be performed by causing a computer to execute numerical calculations.
本発明の回路シミュレーションプログラムの態様は、コンピュータに、アナログ回路又はアナログ/ディジタル混載回路の動作をシミュレートする回路シミュレーションプログラムである。回路シミュレーションプログラムは、コンピュータに、時間変化の各期間における回路モデルについて、この回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、この回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する第1の形成工程と、第1の形成工程で形成した各状態変数の状態変数方程式について、各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を各期間の各状態変数方程式に乗じ、各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2の形成工程と、第1の形成工程で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、この数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算の工程を実行させる。 An aspect of the circuit simulation program of the present invention is a circuit simulation program that simulates the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit in a computer. The circuit simulation program stores, for a circuit model in each period of time change, a differential equation having the current and / or voltage of the energy storage element part included in the circuit model as state variables, and values of those state variables. A first forming step for forming a plurality of state variable equations related to the circuit model by an equation for obtaining an output of the circuit model using, and a state variable equation for each state variable formed in the first forming step in each period Each state variable equation for each period is multiplied by each state variable equation for each period, and each state variable equation for each period multiplied by each first switch variable is added to each state variable equation. The second forming step for forming a state variable equation within one cycle for the variable and the one formed in the first forming step It solves the differential equations of the state variables equation in the period in numerical calculation by numerical integration, to execute the steps of math for outputting the time variation of each state variable obtained in this math.
コンピュータ資源であるCPU、メモリ、制御プログラムにより構成される演算処理装置において、CPUは回路シミュレーションプログラムに基づいて第1の形成工程、第2の形成工程、および数値演算工程の各工程を実行し、数値演算によるシミュレーションを行う。 In an arithmetic processing unit constituted by a CPU, a memory, and a control program that are computer resources, the CPU executes each step of the first formation step, the second formation step, and the numerical calculation step based on the circuit simulation program, Perform simulation by numerical calculation.
本発明の各態様において、エネルギー蓄積素子部はインダクタ素子又は容量素子であり、状態変数は、インダクタ素子に流れる電流および/又は容量素子の両端電圧である。 In each aspect of the present invention, the energy storage element unit is an inductor element or a capacitor element, and the state variable is a current flowing through the inductor element and / or a voltage across the capacitor element.
また、各第1のスイッチ変数は1と0との間の値を採る時間関数であり、解析対象回路に含まれるスイッチ素子および/又は整流ダイオードのオン/オフの時間変化に応じて変化する値である。 Each of the first switch variables is a time function that takes a value between 1 and 0, and is a value that changes in accordance with a time change of ON / OFF of the switch element and / or the rectifier diode included in the analysis target circuit. It is.
本発明の状態変数方程式の形成工程および形成手段において、解析対象回路はクロック信号によりオン・オフが交互に切り替えられ直列接続される複数のスイッチ素子を備え、第2の形成工程において、クロック信号の切り替わり時に複数のスイッチ素子が同時にオンとなる際にこれらのスイッチ素子を通して流れる漏れ電流を、クロック信号の切り替わり時にのみに値を持つ電流源として状態変数方程式の入力信号に加える。状態変数方程式に漏れ電流を表す入力信号を組み込むことによって、漏れ電流を含むシミュレーションを行うことができる。 In the state variable equation forming step and forming means of the present invention, the analysis target circuit includes a plurality of switch elements that are alternately switched on and off by a clock signal and connected in series. In the second forming step, When a plurality of switch elements are simultaneously turned on at the time of switching, a leakage current flowing through these switch elements is added to the input signal of the state variable equation as a current source having a value only when the clock signal is switched. By incorporating an input signal representing leakage current into the state variable equation, a simulation involving leakage current can be performed.
本発明が解析対象とする解析対象回路は、特定のエネルギー蓄積素子の一端にバイアス電圧を与えることによりスイッチ素子および/又は整流ダイオードをスイッチング動作させて特定のエネルギー蓄積素子を含むエネルギー蓄積素子部に対するエネルギーの入出力動作を行うスイッチング電源回路とすることができる。特定のエネルギー蓄積素子の一端に与えるバイアス電圧は、一周期内のクロック信号によってスイッチング動作し、各スイッチ変数は、スイッチ素子又は整流ダイオードのスイッチング動作の時間変化に応じて1と0との間の値を採る。 An analysis target circuit to be analyzed by the present invention is for an energy storage element unit including a specific energy storage element by switching a switch element and / or a rectifier diode by applying a bias voltage to one end of the specific energy storage element. A switching power supply circuit that performs an energy input / output operation can be obtained. A bias voltage applied to one end of a specific energy storage element is switched by a clock signal within one period, and each switch variable is set between 1 and 0 according to a time change of the switching operation of the switch element or the rectifier diode. Take the value.
本発明の各態様は、時間的に回路構成が変化しそれぞれ異なる状態変数方程式を解く必要がある際に、1つの状態変数方程式により時間の経過とともに解析を行うと共に、数値演算によるシミュレーションの周波数を一周期のクロック周波数で定まるナイキスト周波数以下とすることによって、クロックの1周期内で変化がある場合においても過渡応答やAC解析を高速で解析する。 In each aspect of the present invention, when the circuit configuration changes with time and it is necessary to solve different state variable equations, analysis is performed with the passage of time using one state variable equation, and the frequency of simulation by numerical calculation is set. By making the frequency less than the Nyquist frequency determined by one cycle of the clock frequency, even when there is a change within one cycle of the clock, transient response and AC analysis are analyzed at high speed.
また、各期間における各状態変数方程式から一つの状態変数方程式を形成する際に、各期間における各状態変数方程式の各時間変化を表す各第1のスイッチ変数を用いることで、単なる状態変数の平均ではなく、時間変化の応答についてのシミュレーションとすることができ、クロックの1周期内で変化がある場合においても過渡応答やAC解析を正確に解析することができる。 In addition, when forming one state variable equation from each state variable equation in each period, the first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period is used, thereby simply averaging the state variables. Instead, it can be a simulation of the response of time change, and the transient response and AC analysis can be accurately analyzed even when there is a change within one cycle of the clock.
従来の状態平均化法では、2つの回路状態について、オン期間に対応した第1の回路の状態変数方程式に対してはオン状態となる期間のデューテイDの係数を掛け合わせ、オフ期間に対応した第2の回路の状態変数方程式に対しては(1−D)の係数を掛け合わせている。この状態平均化法を回路構成が時間変化する場合に適用した場合には、第1の状態変数方程式および第2の状態変数方程式の一周期内での演算結果をデューテイDの係数で重み付けして平均化するものである。 In the conventional state averaging method, for the two circuit states, the state variable equation of the first circuit corresponding to the ON period is multiplied by the coefficient of the duty D of the period in which the ON state is applied, thereby corresponding to the OFF period. The state variable equation of the second circuit is multiplied by a coefficient (1-D). When this state averaging method is applied when the circuit configuration changes with time, the operation results within one cycle of the first state variable equation and the second state variable equation are weighted by the coefficient of duty D. It is to average.
これに対して、本発明によれば、各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を用いることによって、実際の時間変化に伴う回路動作のシミュレーションを行うことができる。 On the other hand, according to the present invention, by using each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, it is possible to simulate a circuit operation accompanying an actual time change. it can.
また、各第1のスイッチ変数を時間関数とし、時間変化に伴って1と0との間の値を採ることによって、各期間の切り替わり時における各状態変数の変化を正確に求めることができる。例えば、対象回路の各回路構成が矩形信号の1と0の出力に対応して切り替わる場合には、矩形信号の立ち上がりや立ち下がりに応じてスイッチ変数の値を時間変化させることによって、状態変数方程式の切り替わりを実際の回路状態により正確にシミュレートさせることができる。 In addition, by using each first switch variable as a time function and taking a value between 1 and 0 along with the time change, it is possible to accurately obtain the change of each state variable at the time of switching of each period. For example, when each circuit configuration of the target circuit is switched corresponding to the output of 1 and 0 of the rectangular signal, the state variable equation is obtained by changing the value of the switch variable with time according to the rising and falling of the rectangular signal. Can be accurately simulated by the actual circuit state.
また、本発明の回路シミュレーションの方法の態様、装置の態様、およびプログラムの態様の各態様において、解析対象回路は整流ダイオード、および/又はダイオード接続されたスイッチ素子から成るダイオード素子部を備え、第1の形成工程において、ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数を乗じ、状態変数方程式中のダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と同じ電流が流れる状態の時には前記第2のスイッチ変数を1とし、状態変数方程式中のダイオード素子を表す部分にダイオード素子部の順方向と逆の電流が流れるような状態の時には前記第2のスイッチ変数を0とする。 Further, in each of the circuit simulation method aspect, the apparatus aspect, and the program aspect of the present invention, the analysis target circuit includes a rectifier diode and / or a diode element portion including a diode-connected switch element, 1, when the state variable equation related to the diode element unit is multiplied by the second switch variable, and the current corresponding to the diode element unit in the state variable equation flows in the same direction as the forward direction of the diode element unit. The second switch variable is set to 1, and the second switch variable is set to 0 when a current reverse to the forward direction of the diode element portion flows through a portion representing the diode element in the state variable equation.
この第2のスイッチ変数を導入し、状態変数方程式中のダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と逆の電流が流れるような状態の時には第2のスイッチ変数を0とすることによって、ダイオード素子部に係る状態変数方程式を式上で削除し、ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーション動作を防ぐことができる。 This second switch variable is introduced, and the second switch variable is set to 0 when a current reverse to the forward direction of the diode element portion flows in a portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation. Thus, the state variable equation relating to the diode element portion can be eliminated from the equation, and a simulation operation in which a backflow current flows in the diode element portion can be prevented.
また、本発明によれば、降圧型DC−DCコンバータ、昇圧形DC−DCコンバータ、昇降圧型DC−DCコンバータおよびチャージポンプを含む任意の回路構成について統一的なモデリングを実現することができる。 Further, according to the present invention, unified modeling can be realized for an arbitrary circuit configuration including a step-down DC-DC converter, a step-up DC-DC converter, a step-up / step-down DC-DC converter, and a charge pump.
また、降圧型DC−DCコンバータ、昇圧形DC−DCコンバータ、昇降圧型DC−DCコンバータおよびチャージポンプの過渡解析および周波数特性を、SPICEを用いたアナログ的なシミュレーションプログラムを用いた解析と比較して短時間で同等の精度でシミュレーションを行うことができる。 In addition, the transient analysis and frequency characteristics of the step-down DC-DC converter, step-up DC-DC converter, step-up / step-down DC-DC converter, and charge pump are compared with the analysis using an analog simulation program using SPICE. The simulation can be performed with the same accuracy in a short time.
本発明によれば、アナログ回路又はアナログ/ディジタル混載回路の数値演算によるシミュレーションによる解析において、時間的に回路構成が変化しそれぞれ異なる状態変数方程式を解く必要がある際に、1つの状態変数方程式により時間の経過とともに解析を行うと共に、クロックの1周期内で変化がある場合においても過渡応答やAC解析を高速で忠実に行うことができる。 According to the present invention, in an analysis by simulation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical operation, when a circuit configuration changes with time and it is necessary to solve different state variable equations, one state variable equation is used. In addition to performing analysis over time, transient response and AC analysis can be performed faithfully at high speed even when there is a change within one cycle of the clock.
以下、本発明の実施の形態を実施例に基づき詳細に説明する。図1は本発明の回路シミュレーション方法の手順を説明するためのフローチャートであり、図2〜5は本発明による回路シミュレーション処理の例および第1のスイッチ変数を説明するための概略図であり、図6は本発明の第1のスイッチ変数であるu2および(1−u2)によるスイッチング信号の例を説明するための図であり、図7は本発明の第2のスイッチ変数u3を説明するための図であり、図8は本発明の回路シミュレーション装置の一構成例を説明するための概略ブロック図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on examples. FIG. 1 is a flowchart for explaining the procedure of the circuit simulation method of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are schematic diagrams for explaining an example of circuit simulation processing and the first switch variable according to the present invention. 6 is a diagram for explaining an example of a switching signal based on u 2 and (1-u 2 ) which are the first switch variables of the present invention, and FIG. 7 explains the second switch variable u 3 of the present invention. FIG. 8 is a schematic block diagram for explaining a configuration example of the circuit simulation apparatus of the present invention.
はじめに、図1に示すフローチャートを用いて、本発明の回路シミュレーション方法の手順を説明する。解析対象回路について(S1)、スイッチング動作による回路構成の時間変化を解析し、一周期内の各期間における回路モデルを形成し(S2)、第1の形成工程において、求めた回路モデルについてインダクタ素子や容量素子等のエネルギー蓄積素子部を状態変数として状態変数方程式を形成する。 First, the procedure of the circuit simulation method of the present invention will be described using the flowchart shown in FIG. For the circuit to be analyzed (S1), the time change of the circuit configuration due to the switching operation is analyzed to form a circuit model for each period within one cycle (S2), and the inductor element for the circuit model obtained in the first forming step The state variable equation is formed with the energy storage element portion such as the capacitor element as the state variable.
この状態変数方程式の第1の形成工程において、シミュレーションに際してダイオード素子部に逆方向電流が流れないようにするために、第2のスイッチ変数u3を設定する。 In the first forming process of the state variable equation, the second switch variable u 3 is set in order to prevent reverse current from flowing through the diode element portion during simulation.
整流ダイオードあるいはオン状態のトランジスタをダイオード接続したダイオード素子部は、状態変数方程式を形成する場合においては両端子が抵抗あるいは電圧源に接続されているものとして扱われている。 A rectifier diode or a diode element portion in which an on-state transistor is diode-connected is treated as one in which both terminals are connected to a resistor or a voltage source when forming a state variable equation.
例えば、図9(a)に示す等価回路では、オン状態のトランジスタMn1、Mn2には順方向電圧Vf1(t)、Vf2(t)が接続されたものとして表され、図9(b)に示す等価回路では、オン状態のトランジスタMn1には電圧源Vth1(t)および抵抗R1(t)が直列に接続されたものとして表される。 For example, in the equivalent circuit shown in FIG. 9A, the forward voltages V f1 (t) and V f2 (t) are connected to the transistors M n1 and M n2 in the on state, which are shown in FIG. In the equivalent circuit shown in b), the transistor M n1 in the on state is represented as a voltage source V th1 (t) and a resistor R 1 (t) connected in series.
このように表された回路状態では、ダイオード素子部に対して電流は何れの方向にも流れることができ、ダイオード素子部の両端子の何れの電圧が高いか低いかによって電流の向きが決まることになる。しかしながら、実際のダイオードあるいはトランジスタをダイオード接続したダイオード素子部は一方向性素子であるため、電流は逆方向に流れることは無い。 In the circuit state represented in this way, current can flow in either direction with respect to the diode element part, and the direction of the current is determined by which voltage at both terminals of the diode element part is high or low. become. However, since a diode element portion in which an actual diode or transistor is diode-connected is a unidirectional element, current does not flow in the reverse direction.
したがって、図9(a),(b)の等価回路に基づいて状態変数方程式を形成した場合には、ダイオードあるいはトランジスタをダイオード接続したダイオード素子部に相当する部分には逆方向電流が流れる場合が生じる。このように、逆方向電流を許容する状態変数方程式を用いてシミュレーションを実行すると、得られたシミュレーション結果は実際には起こらない動作となる恐れがあり、シミュレーションを正確に行うことができないことになる。 Therefore, when the state variable equation is formed based on the equivalent circuit of FIGS. 9A and 9B, a reverse current may flow in a portion corresponding to a diode element portion in which a diode or a transistor is diode-connected. Arise. As described above, when the simulation is performed using the state variable equation that allows the reverse current, the obtained simulation result may be an operation that does not actually occur, and the simulation cannot be performed accurately. .
そこで、第1の形成工程において、ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数u3を乗じ、ダイオード素子部に相当する部分に対して逆方向電流が流れるような状態時には第2のスイッチ変数u3を0とし、ダイオード素子部に相当する部分に対して順方向の電流が流れるような流状態時には第2のスイッチ変数u3を1とし、ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーションの動作を防ぐ(S3)。 Therefore, in the first forming step, the state variable equation related to the diode element portion is multiplied by the second switch variable u 3 , and the second current is applied in the state where the reverse current flows to the portion corresponding to the diode element portion. In the simulation, the switch variable u 3 is set to 0, and the second switch variable u 3 is set to 1 in the flow state in which the forward current flows to the portion corresponding to the diode element portion, and the reverse current flows to the diode element portion. Prevent operation (S3).
次に、S3の工程で形成した各期間における状態変数方程式を各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)によって連結し、一周期内における状態変数方程式を形成する。各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)は一周期内でのスイッチング動作に応じて1と0との間の値を採る時間関数である。スイッチング動作は、ミュレーション対象回路に含まれるスイッチ素子および/又は整流ダイオードのオン/オフの時間変化に基づいて切り替わる動作であり、一周期内において異なる回路構成に切り替える。 Next, the state variable equations in each period formed in the step S3 are connected by the first switch variables u 2 and (1-u 2 ) to form a state variable equation in one cycle. Each first switch variable u 2 and (1-u 2 ) is a time function that takes a value between 1 and 0 depending on the switching operation within one period. The switching operation is an operation that is switched based on a time change of ON / OFF of the switch element and / or the rectifier diode included in the circuit to be simulated, and is switched to a different circuit configuration within one cycle.
各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)は、このスイッチング動作による各回路構成および各期間の切り替え状態を1と0との間の値で表すと共に、時間関数とすることで一周期内での時間変化を定める。 Each of the first switch variables u 2 and (1-u 2 ) represents the circuit configuration and the switching state of each period by this switching operation as a value between 1 and 0 and represents a time function. Determine the time variation within the cycle.
したがって、各期間の状態変数方程式に各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)を乗じることによって、その状態変数方程式の数値演算を一周期内の如何なる時点で行うかについて定めることができる。ここで、各期間の状態変数方程式に乗じる各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)は、各期間における回路状態に対応した値を設定する。例えば、回路が切り替わり動作において有効状態にある場合には第1のスイッチ変数u2の値を“1”に設定し、“1”の値を状態変数方程式に乗じることによってその状態変数方程式を式上で有効とする。また、切り替わり動作において回路が無効状態にある場合には第1のスイッチ変数u2の値を“0”に設定し、“0”の値を状態変数方程式に乗じることによってその状態変数方程式を式上で無効とする。 Therefore, by multiplying the state variable equation for each period by each first switch variable u 2 and (1-u 2 ), it is possible to determine at what point in time a numerical operation of the state variable equation is performed. it can. Here, each first switch variable u 2 and (1−u 2 ) multiplied by the state variable equation of each period sets a value corresponding to the circuit state in each period. For example, when the circuit is in a valid state in the switching operation, the value of the first switch variable u 2 is set to “1”, and the state variable equation is expressed by multiplying the value of “1” by the state variable equation. Valid above. When the circuit is in an invalid state in the switching operation, the value of the first switch variable u 2 is set to “0”, and the value of “0” is multiplied by the state variable equation to express the state variable equation. Invalidated above.
また、第1のスイッチ変数(1−u2)の場合は、u2の値とは反対の値を取り、u2の値が“1”であれば“0”の値を他の状態変数方程式に乗じることによって他の状態変数方程式を式上で無効とする。また、u2の値が“0”であれば “1”の値を他の状態変数方程式に乗じることによって他の状態変数方程式を式上で有効とする。 In the case of the first switch variable (1-u 2), takes the opposite value of the value of u 2, the value of other state variables of the long if "0" the value of u 2 is "1" Multiplying the equation invalidates other state variable equations on the equation. If the value of u 2 is “0”, the other state variable equation is validated on the equation by multiplying the value of “1” by the other state variable equation.
各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)を乗じた各期間の状態変数方程式を加算して一つの状態変数方程式を形成することによって、複数の状態変数方程式の数値演算について、一周期内における演算順序および演算のタイミングを定め、実際の回路動作に合わせた演算処理とすることができる。 By adding the state variable equations for each period multiplied by each of the first switch variables u 2 and (1−u 2 ) to form one state variable equation, the numerical operation of the plurality of state variable equations is The calculation order and the calculation timing within the cycle can be determined, and the calculation process can be performed in accordance with the actual circuit operation.
なお、状態変数方程式は、対象回路に含まれる各エネルギー蓄積素子部の電流や電圧、および対象回路の出力を状態変数とし、各状態変数について形成することができる(S4)。 The state variable equation can be formed for each state variable with the current and voltage of each energy storage element unit included in the target circuit and the output of the target circuit as state variables (S4).
S4で形成した一周期内の各状態変数方程式について、その微分方程式を数値演算による積分演算で解いて、各状態変数の時間変化を求める。この状態変数の時間変化により、過渡応答や、開ループ利得やその位相の周波数特性等のAC特性を求めることができる(S5)。 For each state variable equation in one cycle formed in S4, the differential equation is solved by an integral operation by numerical operation, and the time change of each state variable is obtained. Based on the time change of this state variable, AC characteristics such as transient response, open loop gain and frequency characteristics of the phase can be obtained (S5).
状態変数方程式の数値演算によるシミュレーション結果を表示する(S6)。 The simulation result by the numerical calculation of the state variable equation is displayed (S6).
図2は、解析対象回路のエネルギー蓄積素子部としてインダクタの回路素子(インダクタンス素子L)と容量の回路素子(容量素子C)を含み、一周期内において期間T1と期間T2の各期間で回路構成が切り替わる例を示している。 FIG. 2 includes an inductor circuit element (inductance element L) and a capacitance circuit element (capacitance element C) as energy storage element portions of the analysis target circuit, and each period T 1 and period T 2 within one cycle. An example in which the circuit configuration is switched is shown.
ここでは、解析対象回路(図2(a))は、期間T1において回路A1と回路A2の2つの異なる回路構成に分離して動作し(図2(b))、期間T2において回路B1と回路B2の2つの異なる回路構成に分離して動作する(図2(c))例を示している。 Here, the circuit to be analyzed (FIG. 2A) operates separately in two different circuit configurations of the circuit A 1 and the circuit A 2 in the period T 1 (FIG. 2B), and in the period T 2 . operates to separate into two different circuit configurations of circuits B 1 and the circuit B 2 (FIG. 2 (c)) shows an example.
期間T1において、回路A1の状態変数方程式を、容量素子Cの電圧vCを状態変数としてdvC/dt=f1で表し、回路A2の状態変数方程式を、インダクタ素子Lの電流iLを状態変数としてdiL/dt=g1で表し、期間T2において、回路B2の状態変数方程式を、容量素子Cの電圧vCおよびインダクタ素子Lの電流iLを状態変数としてdvC/dt=f2およびdiL/dt=g2で表し、出力電圧を状態変数の線形和としてvout=z1およびvout=z2で表した場合には、一周期内の状態変数方程式は、期間T1の状態変数方程式と期間T2の状態変数方程式を各第1のスイッチ変数u2,(1−u2)によって連結することによって、それぞれ、
dvC/dt=u2・f1+(1−u2)・f2
diL/dt=u2・g1+(1−u2)・g2
vout=u2・z1+(1−u2)・z2
で表すことができる(図2(d))。
In the period T 1, the state variable equations of the circuit A 1, expressed in dv C / dt = f 1 a voltage v C of the capacitor C as a state variable, state variable equations of the circuit A 2, the current i of the inductor element L L a represents a state variable in di L / dt = g 1, in the period T 2, dv C state variables equation of circuit B 2, the current i L of the voltage v C and inductor element L of the capacitor C as a state variable / dt = f 2 and di L / dt = g 2 , and when the output voltage is expressed as v out = z 1 and v out = z 2 as a linear sum of state variables, the state variable equation within one period Are connected by a respective first switch variable u 2 , (1−u 2 ) by connecting the state variable equation of period T 1 and the state variable equation of period T 2 , respectively,
dv C / dt = u 2 · f 1 + (1−u 2 ) · f 2
di L / dt = u 2 · g 1 + (1−u 2 ) · g 2
v out = u 2 · z 1 + (1−u 2 ) · z 2
(FIG. 2D).
ここで、f,gは各状態変数についての状態変数方程式であり、zは各状態変数の線形和であり、u2および(1−u2)は各第1のスイッチ変数である。u2は、期間T1において1の値を採り、期間T2において0の値を採る時間関数とし、一方、(1−u2)は、期間T1において0の値を採り、期間T2において1の値を採る時間関数としている。 Here, f and g are state variable equations for the respective state variables, z is a linear sum of the respective state variables, and u 2 and (1−u 2 ) are the first switch variables. u 2 is a time function that takes a value of 1 in the period T 1 and takes a value of 0 in the period T 2 , while (1-u 2 ) takes a value of 0 in the period T 1 and the period T 2. The time function takes a value of 1.
図2(e)は、上記した状態変数方程式を行列式の形式で表している。状態変数方程式を行列式の形式で表すことによって、汎用の数値演算プログラムの導入が容易となる。 FIG. 2 (e) represents the state variable equation described above in the form of a determinant. By representing the state variable equation in the form of a determinant, it is easy to introduce a general-purpose numerical operation program.
以下、図3〜図5を用いて、エネルギー蓄積素子部が1個,2個,3個の場合の例について説明する。ここで示す例では、エネルギー蓄積素子部として容量素子の例について示す。 Hereinafter, an example in the case of one, two, or three energy storage element portions will be described with reference to FIGS. In the example shown here, an example of a capacitor element is shown as the energy storage element portion.
図3は、解析対象回路のエネルギー蓄積素子部として一個の容量素子Cを含み、一周期内において期間T1と期間T2の各期間で回路構成が切り替わる例を示している。 FIG. 3 shows an example in which one capacitor element C is included as an energy storage element part of the analysis target circuit, and the circuit configuration is switched in each period T 1 and period T 2 within one cycle.
解析対象回路(図3(a))は、期間T1において回路A1と回路A2の2つの異なる回路構成に分離して動作し(図3(b))、期間T2において回路B1と回路B2の2つの異なる回路構成に分離して動作する(図3(c))例を示している。 The circuit to be analyzed (FIG. 3A) operates separately in two different circuit configurations of the circuit A 1 and the circuit A 2 in the period T 1 (FIG. 3B), and the circuit B 1 in the period T 2 . And an example in which the circuit operates separately in two different circuit configurations of the circuit B 2 (FIG. 3C).
期間T1において、回路A1の状態変数方程式を、容量素子Cの電圧vCを状態変数としてdvC/dt=f1で表し、期間T2において、回路B2の状態変数方程式を、容量素子Cの電圧vCを状態変数としてdvC/dt=f2で表し、出力電圧を状態変数の線形和としてvout=z1およびvout=z2で表した場合には、一周期内の状態変数方程式は、期間T1の状態変数方程式と期間T2の状態変数方程式を各第1のスイッチ変数u2,(1−u2)によって連結することによって、それぞれ
dvC/dt=u2・f1+(1−u2)・f2
vout=u2・z1+(1−u2)・z2
で表すことができる(図3(d))。
In the period T 1 , the state variable equation of the circuit A 1 is expressed as dv C / dt = f 1 with the voltage v C of the capacitor C as the state variable, and in the period T 2 , the state variable equation of the circuit B 2 is expressed as the capacitance. When the voltage v C of the element C is expressed as dv C / dt = f 2 as a state variable and the output voltage is expressed as v out = z 1 and v out = z 2 as a linear sum of the state variables, Are connected to each other by the first switch variables u 2 and (1−u 2 ), respectively, by connecting the state variable equation of period T 1 and the state variable equation of period T 2 by the first switch variables u 2 and (1-u 2 ).
dv C / dt = u 2 · f 1 + (1−u 2 ) · f 2
v out = u 2 · z 1 + (1−u 2 ) · z 2
(FIG. 3D).
ここで、fは各状態変数についての状態変数方程式、zは各状態変数の線形和であり、u2および(1−u2)は各第1のスイッチ変数である。u2は、期間T1において1の値を採り、期間T2において0の値を採る時間関数とし、一方、(1−u2)は、期間T1において0の値を採り、期間T2において1の値を採る時間関数としている。 Here, f is a state variable equation for each state variable, z is a linear sum of each state variable, and u 2 and (1-u 2 ) are each first switch variable. u 2 is a time function that takes a value of 1 in the period T 1 and takes a value of 0 in the period T 2 , while (1-u 2 ) takes a value of 0 in the period T 1 and the period T 2. The time function takes a value of 1.
図3(e)は、上記した状態変数方程式を行列式の形式で表している。状態変数方程式を行列式の形式で表すことによって、汎用の数値演算プログラムの導入が容易となる。 FIG. 3E shows the above state variable equation in the form of a determinant. By representing the state variable equation in the form of a determinant, it is easy to introduce a general-purpose numerical operation program.
図4は、解析対象回路のエネルギー蓄積素子部として二個の容量素子C1,C2を含み、一周期内において期間T1と期間T2の各期間で回路構成が切り替わる例を示している。 FIG. 4 shows an example in which two capacitor elements C 1 and C 2 are included as energy storage element portions of the analysis target circuit, and the circuit configuration is switched in each of the periods T 1 and T 2 within one cycle. .
解析対象回路(図4(a))は、期間T1において回路A1と回路A2の2つの異なる回路構成に分離して動作し(図4(b))、期間T2において回路B1と回路B2の2つの異なる回路構成に分離して動作する(図4(c))例を示している。 The circuit to be analyzed (FIG. 4A) operates separately in two different circuit configurations of a circuit A 1 and a circuit A 2 in the period T 1 (FIG. 4B), and the circuit B 1 in the period T 2 . It operates to separate into two different circuit configurations of the circuit B 2 and shows (FIG. 4 (c)) example.
期間T1において、回路A1の状態変数方程式を、容量素子C1の電圧vC1を状態変数としてdvC1/dt=f1で表し、回路A2の状態変数方程式を、容量素子C2の電圧vC2を状態変数としてdvC2/dt=g1で表し、期間T2において、回路B2の状態変数方程式を、容量素子C1の電圧vC1および容量素子C2の電圧vC2を状態変数としてdvC1/dt=f2、dvC2/dt=g2で表し、出力電圧を状態変数の線形和としてvout=z1およびvout=z2で表した場合には、一周期内の状態変数方程式は、期間T1の状態変数方程式と期間T2の状態変数方程式を各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)によって連結することによって、それぞれ
dvC1/dt=u2・f1+(1−u2)・f2
dvC2/dt=u2・g1+(1−u2)・g2
vout=u2・z1+(1−u2)・z2
で表すことができる(図4(d))。
In the period T 1, the state variable equations of the circuit A 1, expressed in dv C1 / dt = f 1 a voltage v C1 of the capacitive element C 1 as a state variable, state variable equations of the circuit A 2, the capacitive element C 2 state expressed as dv C2 / dt = g 1 voltage v C2 as a state variable, in the period T 2, the state variable equations of the circuit B 2, a voltage v C1 and the voltage v C2 of the capacitor C 2 of the capacitor element C 1 When the variables are expressed as dv C1 / dt = f 2 and dv C2 / dt = g 2 , and the output voltage is expressed as v out = z 1 and v out = z 2 as a linear sum of state variables, The state variable equations of are respectively connected by connecting the state variable equation of period T 1 and the state variable equation of period T 2 by respective first switch variables u 2 and (1-u 2 ).
dv C1 / dt = u 2 · f 1 + (1−u 2 ) · f 2
dv C2 / dt = u 2 · g 1 + (1−u 2 ) · g 2
v out = u 2 · z 1 + (1−u 2 ) · z 2
(FIG. 4D).
ここで、f,gは各状態変数についての状態変数方程式、zは各状態変数の線形和であり、u2および(1−u2)は各第1のスイッチ変数である。u2は、期間T1において1の値を採り、期間T2において0の値を採る時間関数とし、一方、(1−u2)は、期間T1において0の値を採り、期間T2において1の値を採る時間関数としている。 Here, f and g are state variable equations for the respective state variables, z is a linear sum of the respective state variables, and u 2 and (1−u 2 ) are the first switch variables. u 2 is a time function that takes a value of 1 in the period T 1 and takes a value of 0 in the period T 2 , while (1-u 2 ) takes a value of 0 in the period T 1 and the period T 2. The time function takes a value of 1.
図4(e)は、上記した状態変数方程式を行列式の形式で表している。状態変数方程式を行列式の形式で表すことによって、汎用の数値演算プログラムの導入が容易となる。 FIG. 4E shows the above state variable equation in the form of a determinant. By representing the state variable equation in the form of a determinant, it is easy to introduce a general-purpose numerical operation program.
図5は、解析対象回路のエネルギー蓄積素子部として三個の容量素子C1,C2,C3を含み、一周期内において期間T1と期間T2と期間T3の各期間で回路構成が切り替わる例を示している。 FIG. 5 includes three capacitive elements C 1 , C 2 , and C 3 as energy storage element portions of the circuit to be analyzed, and a circuit configuration in each of periods T 1 , T 2, and T 3 within one cycle. It shows an example of switching.
解析対象回路(図5(a))は、期間T1において回路A1と回路A2と回路A3の3つの異なる回路構成に分離して動作し(図5(b))、期間T2において回路B1と回路B2の2つの異なる回路構成に分離して動作し(図5(c))、期間T3において回路C1と回路C2の2つの異なる回路構成に分離して動作する(図5(d))例を示している。 Analysis target circuit (FIG. 5 (a)), and operates to separate the three different circuit configurations of the circuit A 1 and the circuit A 2 and the circuit A 3 in the period T 1 (FIG. 5 (b)), the period T 2 It operates to separate into two different circuit configurations of circuits B 1 and the circuit B 2 in (FIG. 5 (c)), the operation is separated into two different circuit configurations of circuits C 1 and the circuit C 2 in the period T 3 This is an example (FIG. 5D).
期間T1において、回路A1の状態変数方程式を、容量素子C1の電圧vC1を状態変数としてdvC1/dt=f1で表し、回路A2の状態変数方程式を、容量素子C2の電圧vC2を状態変数としてdvC2/dt=g1で表し、回路A3の状態変数方程式を、容量素子C3の電圧vC3を状態変数としてdvC3/dt=h1で表し、期間T2において、回路B1の状態変数方程式を、容量素子C1の電圧vC1を状態変数としてdvC1/dt=f2で表し、回路B2の状態変数方程式を、容量素子C2の電圧vC2および容量素子C3の電圧vC3を状態変数としてdvC2/dt=g2、dvC3/dt=h2で表し、期間T3において、回路C1の状態変数方程式を、容量素子C1の電圧vC1および容量素子C2の電圧vC2を状態変数としてdvC1/dt=f3、dvC2/dt=g3で表し、回路C2の状態変数方程式を、容量素子C3の電圧vC3を状態変数としてdvC3/dt=h3で表し、出力電圧を状態変数の線形和としてvout=z1、vout=z2およびvout=z3で表した場合には、一周期内の状態変数方程式は、期間T1の状態変数方程式と期間T2の状態変数方程式と期間T3の状態変数方程式を各第1のスイッチ変数u2a,u2b,u2cによって連結することによって、それぞれ
dvC1/dt=u2a・f1+u2b・f2+u2c・f3
dvC2/dt=u2a・g1+u2b・g2+u2c・g3
dvC3/dt=u2a・h1+u2b・h2+u2c・h3
vout=u2a・z1+u2b・z2+u2c・z3
で表すことができる(図5(e))。
In the period T 1, the state variable equations of the circuit A 1, expressed in dv C1 / dt = f 1 a voltage v C1 of the capacitive element C 1 as a state variable, state variable equations of the circuit A 2, the capacitive element C 2 The voltage v C2 is represented by dv C2 / dt = g 1 as a state variable, the state variable equation of the circuit A 3 is represented by dv C3 / dt = h 1 with the voltage v C3 of the capacitor C 3 as a state variable, and the period T 2 , the state variable equation of the circuit B 1 is represented by dv C1 / dt = f 2 with the voltage v C1 of the capacitive element C 1 as the state variable, and the state variable equation of the circuit B 2 is represented by the voltage v of the capacitive element C 2 . C2 and voltage v C3 of the capacitor C 3 as state variables expressed as dv C2 / dt = g 2, dv C3 / dt =
dv C1 / dt = u 2a · f 1 + u 2b · f 2 + u 2c · f 3
dv C2 / dt = u 2a · g 1 + u 2b · g 2 + u 2c · g 3
dv C3 / dt = u 2a · h 1 + u 2b · h 2 + u 2c · h 3
v out = u 2a · z 1 + u 2b · z 2 + u 2c · z 3
(FIG. 5E).
ここで、f,g,hは各状態変数についての状態変数方程式、zは各状態変数の線形和であり、u2a,u2b,u2cは各第1のスイッチ変数である。各u2a,u2b,u2cは、例えば、u2aについては、期間T1において1の値を採り、期間T2,T3において0の値を採る時間関数とし、u2bについては、期間T2において1の値を採り、期間T1,T3において0の値を採る時間関数とし、u2cについては、期間T3において1の値を採り、期間T1,T2において0の値を採る時間関数としている。
Here, f, g, and h are state variable equations for the respective state variables, z is a linear sum of the respective state variables, and u 2a , u 2b , and u 2c are the first switch variables. Each u 2a, u 2b, u 2c, for example, for the u 2a, in the period T 1 takes a value of 1, the time function takes a value of 0 in the
図5(f)は、上記した状態変数方程式を行列式の形式で表している。状態変数方程式を行列式の形式で表すことによって、汎用の数値演算プログラムの導入が容易となる。 FIG. 5F shows the above state variable equation in the form of a determinant. By representing the state variable equation in the form of a determinant, it is easy to introduce a general-purpose numerical operation program.
図6は各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)の一例を示している。ここでは、相補的に1と0の値を採る各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)について2つの例を示している。 FIG. 6 shows an example of each first switch variable u 2 and (1-u 2 ). Here, two examples are shown for each of the first switch variables u 2 and (1−u 2 ) that take values of 1 and 0 in a complementary manner.
図6(a),(b)は各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)の値が矩形波形で時間変化する場合を示している。 6A and 6B show a case where the values of the first switch variables u 2 and (1-u 2 ) change with time in a rectangular waveform.
図6(a)は第1のスイッチ変数u2を示し、図6(b)は第1のスイッチ変数u2と相補的な関係にある第1のスイッチ変数(1−u2)を示している。この例では、第1のスイッチ変数u2と第1のスイッチ変数(1−u2)は1と0の値を互いに相補的に出力する。
6 (a) shows a first switch variable u 2, FIG. 6 (b) shows a first switch variable (1-u 2) which is in complementary relationship with the first switch variable u 2 Yes. In this example, the first switch variable u 2 and the first switch variable (1-u 2 ) output the
図6(c),(d)は各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)の値が時定数を有して立ち上がる場合および立ち下がる場合を示している。図6(c)はu2を示し、図6(d)はu2と相補的な関係にある(1−u2)を示している。この例では、例えば、u2が0から1に時定数を有して立ち上がる際に、(1−u2)は1から0に時定数を有して立ち上下がる場合を示している。なお、この立ち上がり時および立ち下がり時において、2つの第1のスイッチ変数u2および(1−u2)の値は互いに相補的な関係にある。 FIGS. 6C and 6D show cases where the values of the first switch variables u 2 and (1-u 2 ) rise and fall with a time constant. FIG. 6 (c) shows the u 2, shows the FIG 6 (d) is a complementary relationship between u 2 (1-u 2) . In this example, for example, when u 2 rises with a time constant from 0 to 1, (1−u 2 ) shows a case where it rises and falls with a time constant from 1 to 0. At the time of rising and falling, the values of the two first switch variables u 2 and (1−u 2 ) are complementary to each other.
図6(c),(d)に示すように、各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)を0と1との間で時間と共に変化する時間関数とすることによって、時間変化に伴って回路構成が切り替わる場合の回路シミュレーションに対応させることができる。 As shown in FIGS. 6 (c) and 6 (d), each first switch variable u 2 and (1-u 2 ) is a time function that varies with time between 0 and 1, thereby changing the time. Accordingly, it is possible to cope with circuit simulation when the circuit configuration is switched.
例えば、回路構成がスイッチングトランジスタ等のスイッチ素子によって切り替わり、その際のスイッチング動作に時間変化が含まれる場合には、この時間変化についてもシミュレートすることができる。なお、数値演算のクロック周波数はスイッチング動作に対して十分高いものとする。 For example, when the circuit configuration is switched by a switching element such as a switching transistor and the switching operation at that time includes a time change, the time change can also be simulated. It should be noted that the clock frequency for numerical operation is sufficiently high for the switching operation.
次に、本発明の第2のスイッチ変数u3について説明する。 Next, a description will be given of a second switch variable u 3 of the present invention.
回路シミュレーションに用いる状態変数方程式において、解析対象回路が整流ダイオード、ダイオード接続されたスイッチ素子等のダイオード素子部を備える場合には、シミュレーションではオンしているダイオード部を電圧源と抵抗で置き換えるので、ダイオード素子部に相当する部分に逆方向電流が流れるような両端の電圧状態あるいは電流状態があり得る。通常、ダイオード素子部にはその整流特性から逆方向電流は流れないため、シミュレーションにおいてダイオード素子部に逆方向電流が流れる状態が発生した場合には、回路解析が正しく行われないことになる。そのため、シミュレーションにおいて、ダイオード素子部に相当する部分に逆方向電流が流れないように設定する必要がある。 In the state variable equation used for circuit simulation, when the analysis target circuit includes a diode element part such as a rectifier diode or a diode-connected switch element, the diode part that is turned on in the simulation is replaced with a voltage source and a resistor. There may be a voltage state or a current state at both ends where a reverse current flows in a portion corresponding to the diode element portion. Normally, a reverse current does not flow in the diode element part due to its rectification characteristics. Therefore, when a state in which a reverse current flows in the diode element part occurs in the simulation, the circuit analysis is not performed correctly. Therefore, in the simulation, it is necessary to set so that no reverse current flows in a portion corresponding to the diode element portion.
本発明は、第1の形成工程において、ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数u3を乗じる。ダイオード素子部に対して逆方向電流が流れるような状態時には第2のスイッチ変数u3を0として、ダイオード素子部に係る状態変数方程式を零にする。一方、ダイオード素子部に対して逆方向電流が流れないような状態では第2のスイッチ変数u3を1として、ダイオード素子部に係る状態変数方程式を式上で有効とし、このダイオード素子部に係る状態変数方程式を含む状態変数方程式を用いてシミュレーション動作を行う。これによってダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーション動作を防ぐことができる。 The present invention, in the first forming step, multiplied by a second switch variable u 3 in the state variable equations relating the diode element. A second switch variable u 3 during conditions such as flow reverse current to the diode element as 0, to zero the state variable equations relating the diode element. Meanwhile, as one of the second switching variable u 3 in the state that does not have reverse current flow with respect to the diode element, a state variable equations relating the diode element and enabled on the formula, according to the diode element A simulation operation is performed using a state variable equation including the state variable equation. This can prevent a simulation operation in which a backflow current flows in the diode element portion.
図7は第2のスイッチ変数u3を説明するための図であり、ダイオード接続されたスイッチング素子部を例として示している。ここで、スイッチング素子部の入力端電圧をVinで表し、出力端電圧をVoutで表す。図7(a)はスイッチング素子に順方向電圧が加わった場合を示し、図7(c)はスイッチング素子に逆方向電圧が加わった場合を示している。ダイオード素子部の状態変数方程式は、第2のスイッチ変数u3を用いて(Vin−Vout)u3で表される。 FIG. 7 is a diagram for explaining the second switch variable u 3 , and shows a diode-connected switching element unit as an example. Here, it represents the input voltage of the switching element portions in V in, represents the output voltage at V out. FIG. 7A shows a case where a forward voltage is applied to the switching element, and FIG. 7C shows a case where a reverse voltage is applied to the switching element. The state variable equation of the diode element unit is expressed by (V in −V out ) u 3 using the second switch variable u 3 .
図7(b)は、図7(a)の順方向バイアスの電圧状態のダイオード素子部をモデル化して示している。図7(b)のモデル化の状態変数方程式は、順方向バイアスの電圧・電流状態であるため第2のスイッチ変数u3=1として、(Vin−Vout)で表される。 FIG. 7B shows a model of the diode element portion in the forward bias voltage state of FIG. Since the modeling state variable equation in FIG. 7B is a forward bias voltage / current state, the second switch variable u 3 = 1 is represented by (V in −V out ).
図7(d)は、図7(c)の逆方向バイアスの電圧・電流状態のダイオード素子部をモデル化して示している。 FIG. 7D shows a model of the diode element portion in the reverse bias voltage / current state of FIG. 7C.
図7(d)は、逆方向電流が流れる恐れのある場合である。このときには、モデル化したダイオード素子部の状態変数方程式は第2のスイッチ変数をu3=0として“0”となる。つまり(Vin−Vout)×u3の状態変数方程式は“0”である。これによって、ダイオード接続されたスイッチング素子部のモデル化において、逆方向電流が発生するおそれのある電圧・電流状態においては、第2のスイッチ変数u3によってスイッチング素子に係る状態変数方程式を“0”として、実際には発生しないシミュレーション動作を防止し、実際の回路動作に対応してシミュレーション動作を行うことができるようにしている。 FIG. 7D shows a case where a reverse current may flow. At this time, the modeled state variable equation of the diode element portion is “0” with u 3 = 0 as the second switch variable. That is, the state variable equation of (V in −V out ) × u 3 is “0”. As a result, in the modeling of the diode-connected switching element unit, in a voltage / current state in which a reverse current may occur, the state variable equation related to the switching element is set to “0” by the second switch variable u 3 . As a result, a simulation operation that does not actually occur can be prevented, and a simulation operation can be performed corresponding to the actual circuit operation.
第2のスイッチ変数u3を“0”とするか“1”かは、シミュレーション中において、該当するダーオード素子に加わる電圧状態や電流状態に基づいて定めることができる。例えば、数値演算処理において、シミュレーションの動作中におけるダーオード素子に相当する部分の電圧・電流状態が、逆方向電流が流れない電圧・電流状態である場合には、第2のスイッチ変数u3を“1”とすることによって、ダイオード素子部に係る状態変数方程式を含む状態変数方程式を解き、シミュレーションの動作中におけるダーオード素子部に相当する部分の電圧・電流状態が逆方向電流が流れる電圧・電流状態となった場合には、第2のスイッチ変数u3を“1”から“0”に切り替えることによって、数値演算を行う状態変数方程式からダイオード素子部に係る状態変数方程式を解く。 Whether the second switch variable u 3 is “0” or “1” can be determined based on the voltage state or current state applied to the corresponding diode element during the simulation. For example, in the numerical calculation process, when the voltage / current state of the portion corresponding to the diode element during the simulation operation is a voltage / current state in which no reverse current flows, the second switch variable u 3 is set to “ 1 ”is a voltage / current state in which the state variable equation including the state variable equation relating to the diode element portion is solved, and the voltage / current state of the portion corresponding to the diode element portion during the simulation operation flows in the reverse direction current. In such a case, by switching the second switch variable u 3 from “1” to “0”, the state variable equation relating to the diode element unit is solved from the state variable equation for performing numerical operation.
なお、シミュレーション中において該当するダーオード素子部に直列にインダクタ素子や容量素子が接続する場合には、インダクタ素子や容量素子に通常とは逆の方向に電流が流れる事を検出することで、第2のスイッチ変数u3を“0”とするか“1”かを効率的に定めることができる。 In addition, when an inductor element or a capacitive element is connected in series to the corresponding diode element part in the simulation, the second current is detected by detecting that a current flows in a direction opposite to the normal direction through the inductor element or the capacitive element. It is possible to efficiently determine whether the switch variable u 3 is set to “0” or “1”.
図8は、本発明の回路シミュレーション装置の一構成例を説明するための概略ブロック図である。 FIG. 8 is a schematic block diagram for explaining a configuration example of the circuit simulation apparatus of the present invention.
回路シミュレーション装置は、状態変数方程式形成手段10と、数値演算手段20とを備え、表示手段30において数値演算手段20で得られたシミュレーション結果を表示する。
The circuit simulation apparatus includes a state variable
回路シミュレーション装置は、アナログ回路又はアナログ/ディジタル混載回路の動作を数値演算によってシミュレートする装置であり、回路シミュレーションに際して、解析対象回路について回路モデルを求めておき、求めた回路モデルを回路シミュレーション装置に入力し、各回路モデルについて各期間の状態変数方程式を形成し、形成した各期間の状態変数方程式を連結して一周期内における状態変数方程式を形成し、この一周期における状態変数方程式を数値演算で解くことによって解析対象回路をシミュレートする。 The circuit simulation device is a device for simulating the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation. In circuit simulation, a circuit model is obtained for a circuit to be analyzed, and the obtained circuit model is stored in the circuit simulation device. Input, form a state variable equation for each period for each circuit model, concatenate the formed state variable equations for each period to form a state variable equation within one period, and numerically calculate the state variable equation for this period The circuit to be analyzed is simulated by solving with
回路モデルは、解析対象回路がスイッチ動作によって一周期内で時間変化する際の各期間における回路構成である。 The circuit model is a circuit configuration in each period when the analysis target circuit changes with time in one cycle by a switch operation.
状態変数方程式形成手段10は、予め求めておいた各期間における回路モデルを入力し、入力した回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、および、回路モデルの出力を状態変数の線形加算とする方程式を形成して、回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する。
The state variable
状態変数方程式形成手段10は、例えば、入力した回路モデルを記憶する記憶手段、回路モデルから状態変数を抽出し、抽出した状態変数について微分方程式によって状態変数方程式を形成するプログラム、形成した各期間の状態変数方程式を連結して一周期内の状態変数方程式を形成するプログラム、これらプログラムおよび各期間の状態変数方程式を連結するスイッチ変数(各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)、第2のスイッチ変数u3)のデータを記憶する記憶手段、プログラムを実行するCPU等の演算手段によって構成することができる。
The state variable
状態変数方程式形成手段10は、回路モデルに基づいて各状態変数の状態変数方程式を形成する。状態変数方程式の形成において、回路構成が時間により変化する回路の各期間における回路モデルについて、回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する第1の形成工程と、各状態変数の状態変数方程式について、各期間における各状態変数方程式の時間変化を表す各第1のスイッチ変数を各期間の各状態変数方程式に乗じ、各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2の形成工程とを含む。
The state variable
第1の形成工程では、実際のダイオード素子に相当する部分にシミュレーションの上で逆流電流が流れるような動作を避けるために第2のスイッチ変数u3を用い、第2の形成工程では、各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)を用いて各期間の状態変数方程式を加算し、各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する。 In a first forming step, a second switch variable u 3 used to avoid actual backflow current flowing operation to the corresponding parts in the diode element on the simulation, in the second forming step, the first The state variable equations for each period are added using 1 switch variable u 2 and (1−u 2 ), and a state variable equation within one cycle is formed for each state variable.
各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)は、各回路モデルの切り替えのタイミングに基づいて1と0の間の値を採る。スイッチ変数による回路モデルの切り替えのタイミングは、解析対象回路が備えるスイッチ素子による動作状態に応じて定められる。 Each of the first switch variables u 2 and (1-u 2 ) takes a value between 1 and 0 based on the switching timing of each circuit model. The switching timing of the circuit model based on the switch variable is determined according to the operation state of the switch element included in the analysis target circuit.
第2のスイッチ変数u3は、シミュレーション中の電圧または電流状態に基づいて1又は0の値を採る。スイッチ変数による回路モデルの切り替えのタイミングは、解析対象回路が備えるスイッチ素子による動作状態に応じて定められる。 Second switch variable u 3 takes a value of 1 or 0 on the basis of the voltage or current state during the simulation. The switching timing of the circuit model based on the switch variable is determined according to the operation state of the switch element included in the analysis target circuit.
数値演算手段20は、状態変数方程式形成手段10で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する。数値演算は、例えば、汎用の数値演算プログラム21を用いることができる。各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)によって連接され、また、第2のスイッチ変数u3によってダイオード素子部に相当する部分における逆方向電流の発生を防止した状態変数方程式を数値演算で解く際には、スイッチ変数値出力手段22の出力信号のタイミングおよび出力値に基づいて状態変数方程式の各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)、および第2のスイッチ変数u3を変更する。スイッチ変数値出力手段22は、各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)の時間関数、および数値演算から得られる回路モデルの電圧状態や電流状態に基づいて出力信号を形成する。
The numerical calculation means 20 solves the differential equation of the state variable equation in one cycle formed by the state variable equation forming means 10 by numerical calculation by numerical integration, and outputs the time change of each state variable obtained by the numerical calculation. For the numerical calculation, for example, a general-purpose
数値演算は、所定の時間間隔の複数のサンプリング点について状態変数の値を求める。数値演算を行う周波数は、一周期のクロック周波数で定まるナイキスト周波数以下とする。数値演算の周波数を一周期のクロック周波数で定まるナイキスト周波数以下とすることによって、一周期内における回路応答を求めることができる。 In the numerical calculation, the value of the state variable is obtained for a plurality of sampling points at a predetermined time interval. The frequency at which the numerical operation is performed is not more than the Nyquist frequency determined by one cycle of the clock frequency. By making the numerical calculation frequency equal to or lower than the Nyquist frequency determined by the clock frequency of one cycle, the circuit response within one cycle can be obtained.
数値演算手段20で求めたシミュレーション結果は表示手段30に表示する他、図示していない記憶手段に記憶したり、外部装置に出力することができる。 The simulation result obtained by the numerical calculation means 20 can be displayed on the display means 30, stored in a storage means (not shown), or output to an external device.
以下、本発明の回路シミュレーションについてスイッチング電源回路を例とする実施例について説明する。 In the following, a circuit simulation of the present invention will be described by way of an example using a switching power supply circuit as an example.
[実施例1]
図9は、スイッチング電源回路をモデル化したブロック構成の回路図であり、ディクソン型のチャージポンプの構成例を示している。
[Example 1]
FIG. 9 is a circuit diagram of a block configuration in which a switching power supply circuit is modeled, and shows a configuration example of a Dickson type charge pump.
このスイッチング電源回路は、特定のエネルギー蓄積素子の一端にバイアス電圧を与えることによりスイッチ素子および/又は整流ダイオードをスイッチング動作させることによって、特定のエネルギー蓄積素子を含むエネルギー蓄積素子部に対してエネルギーを入出力するスイッチング電源回路である。 This switching power supply circuit performs a switching operation of the switch element and / or the rectifier diode by applying a bias voltage to one end of the specific energy storage element, thereby supplying energy to the energy storage element unit including the specific energy storage element. This is a switching power supply circuit for inputting and outputting.
特定のエネルギー蓄積素子の一端に与えるバイアス電圧は、一周期内のクロック信号によってスイッチング動作する。本発明の回路シミュレーション回路では、各第1のスイッチ変数u2および(1−u2)は、スイッチ素子又は整流ダイオードのスイッチング動作の時間変化に応じて1と0との間の値を採ることによって、異なる回路状態を連接して一つの状態変数方程式とする。 A bias voltage applied to one end of a specific energy storage element is switched by a clock signal within one period. In the circuit simulation circuit of the present invention, each of the first switch variables u 2 and (1-u 2 ) takes a value between 1 and 0 according to the time change of the switching operation of the switch element or the rectifier diode. Thus, different circuit states are connected to form one state variable equation.
ディクソン型のチャージポンプは、はじめの期間において入力直流電圧Vinからダイオードを介して容量素子を充電し、さらに次の期間で容量素子の一端の電圧をクロック信号の電圧で持ち上げることで容量素子の他端の電圧を昇圧し、この昇圧した電圧を別のダイオードと容量素子で整流することによって、入力直流電圧Vinから昇圧された所望の直流出力電圧Voutを得る構成である。 The Dixon-type charge pump charges the capacitive element from the input DC voltage Vin through the diode in the first period, and further increases the voltage at one end of the capacitive element with the voltage of the clock signal in the next period. boosting the voltage at the other end, by rectifying the boosted voltage with another diode and a capacitor element, a configuration to obtain the desired DC output voltage V out which is boosted from the input DC voltage V in.
図9(a)はディクソン型のチャージポンプの一構成例であり、入力直流電圧Vinを約2倍に昇圧する回路構成の例を示している。ダイオード接続されたトランジスタMn1、Mn2、容量素子C1、出力容量素子Cout、負荷電流Iout、電圧が0〜Vclk間を遷移するクロック電圧源VCLKによって構成される。クロック電圧源VCLKが出力するクロック信号がチャージポンプの回路内の容量素子C1に流入し、その容量素子C1に蓄えられたエネルギーを出力端子に接続される出力容量素子Coutに転送する2段階の動作により昇圧が行われる。 9 (a) is a configuration example of a Dickson-type charge pump, an example of a circuit structure for boosting the input DC voltage V in approximately double. The diode-connected transistors M n1 and M n2 , the capacitive element C 1 , the output capacitive element C out , the load current I out , and the clock voltage source V CLK whose voltage transits between 0 to V clk . Clock signal the clock voltage source V CLK is output flows in the capacitor C 1 in the circuit of the charge pump, it is transferred to the output capacitor element C out connected with energy stored in the capacitive element C 1 to the output terminal Boosting is performed by a two-stage operation.
図9(a)の回路において、クロック電圧源VCLKの電圧がロー(通常は接地電位0Vに近い電圧とするので、ここでも0Vとする)である場合には、出力電圧Vout>入力直流電圧VinとすればVf1(t)>0,Vf2(t)<0となるので、ダイオード接続されたトランジスタMn1は順バイアス状態となり道通する。一方、ダイオード接続されたトランジスタMn2は逆バイアス状態となるためカットオフされる。 In the circuit of FIG. 9A, when the voltage of the clock voltage source V CLK is low (usually set to 0 V because it is a voltage close to the ground potential 0 V), the output voltage V out > input DC since the V f1 (t)> 0, V f2 (t) <0 if the voltage V in, transistor M n1 that is diode-connected to the road communication becomes forward biased state. On the other hand, the diode-connected transistor Mn2 is cut off because it is in a reverse bias state.
図9(b)は、クロック電圧源VCLKの電圧がローの状態を表わしている。入力直流電圧Vinの入力側と出力電圧Vout(t)の出力側は切り離されて2つの独立な回路となる。この時、容量素子C1には入力直流電圧Vinからダイオード接続されたトランジスタMn1を通して電流が流れ込み、その結果電荷が蓄積されて容量素子C1の両端間の電圧Vc1は、
Vc1(t)=Vin−Vf1(t) ・・・(1)
となる。
FIG. 9B shows a state where the voltage of the clock voltage source V CLK is low. The output side of the input DC voltage V in of the input side and the output voltage V out (t) becomes disconnected and two independent circuits. At this time, the current through the transistor M n1 which is diode connected from the input DC voltage V in flows in the capacitor element C 1, the voltage V c1 across the capacitor element C 1 as a result charge is accumulated,
V c1 (t) = V in −V f1 (t) (1)
It becomes.
続いて、クロック電圧源VCLKの電圧がハイ(通常は入力直流電圧Vinと同一の電圧とするが、ここではVclkの電圧とする)である場合には、図9(c)に示すように容量素子C1の他端Aの電圧VAは、VA(t)=Vclk+Vc1(t)となり、ダイオード接続されたトランジスタMn1は逆方向バイアス状態となり、ダイオード接続されたトランジスタMn2は順方向バイアスとなって道通する。 Subsequently, (usually the same voltage as the input DC voltage V in, wherein the voltage of the V clk in) the voltage of the clock voltage source V CLK is high when a is shown in FIG. 9 (c) Thus, the voltage V A at the other end A of the capacitive element C 1 is V A (t) = V clk + V c1 (t), and the diode-connected transistor M n1 is in the reverse bias state, and the diode-connected transistor M n2 travels with a forward bias.
その結果、出力容量素子Coutの両端の電圧Vout(t)は、
Vout(t) =VA(t)−Vf2(t) = Vin+Vclk−Vf1(tH)−Vf2(t) ・・・(2)
となる。
As a result, the voltage V out (t) across the output capacitive element C out is
V out (t) = VA (t) −V f2 (t) = V in + V clk −V f1 (t H ) −V f2 (t) (2)
It becomes.
ただしVf1(tH)はクロック電圧源VCLKの電圧がローである場合のVf1(t)の最終値である。Vf1(tH)、Vf2(t)とも零に近いと仮定すれば、出力電圧Vout(t)は入力直流電圧Vinとクロック電圧源VCLKの電圧Vclkの和となり昇圧動作が行われる。ただしこの場合、Vout(t)を安定化するための負帰還はかかってはいない。 However, V f1 (t H ) is the final value of V f1 (t) when the voltage of the clock voltage source V CLK is low. V f1 (t H), assuming close to V f2 (t) with zero, the output voltage V out (t) has a step-up operation the sum of the voltage V clk input DC voltage V in and the clock voltage source V CLK Done. However, in this case, negative feedback for stabilizing V out (t) is not applied.
クロック電圧源VCLKの電圧がローの時(Vclk=0)の回路モデルにおける各状態変数Vc1(t)とVout(t)(=VCout(t))に係る状態変数方程式は以下の微分方程式で表される。 The state variable equations relating to the state variables V c1 (t) and V out (t) (= V Cout (t)) in the circuit model when the voltage of the clock voltage source V CLK is low (V clk = 0) are as follows: It is expressed by the differential equation.
ただし、トランジスタMn1の電圧VDS(=VGS)は以下の式で表される。
ここで、β、gm1、Rm1は以下の式で表される。
ダイオード接続されたトランジスタMn1は流れる電流により両端の電圧が変化するが、上記式では、これを抵抗R1(t)で表している。 The voltage at both ends of the diode-connected transistor M n1 changes depending on the flowing current. In the above equation, this is represented by the resistor R 1 (t).
また、Vth1(t)はトランジスタMn1のソース電圧の関数であり、以下の関係がある。
ここで、VSBはトランジスタMn1のソース端子とグラウンド間の電圧差、つまりVC1と一致する。またφFはビルトインポテンシャルと言われる電圧である。更に、u31(t)はトランジスタMn1に逆流電流が流れるのを防ぐための第2のスイッチ変数の一つである。 Here, V SB matches the voltage difference between the source terminal of the transistor M n1 and the ground, that is, V C1 . Φ F is a voltage called built-in potential. Further, u 31 (t) is one of the second switch variables for preventing a reverse current from flowing through the transistor M n1 .
図9(b)において、仮に容量素子C1の両端の電圧が(Vin−Vth1(t))よりも高ければ、電流は容量素子C1から入力直流電圧Vinに向かって逆流する。 In FIG. 9 (b), if higher than the voltage across the capacitive element C 1 is (V in -V th1 (t) ), current will flow back towards the input DC voltage V in from the capacitive element C 1.
しかし、トランジスタMn1がダイオードと等価な機能を果たすように接続されているため、このような逆流現象は実際には起こらない。そこで、上記した状態変数方程式は、回路モデルの誤動作を防ぐために第2のスイッチ変数のうちの一つであるu31(t)を導入する。u31(t)は逆流が無い場合は1の値を採り、逆流が検出された場合には0の値を採る。逆流の有無は容量素子C1の電流の方向によって判断することができる。 However, since the transistor M n1 is connected to perform a function equivalent to a diode, such a backflow phenomenon does not actually occur. Therefore, the above-described state variable equation introduces u 31 (t) which is one of the second switch variables in order to prevent malfunction of the circuit model. u 31 (t) takes a value of 1 when there is no backflow, and takes a value of 0 when backflow is detected. The presence or absence of reflux can be determined by the direction of current capacity element C 1.
一方、クロック電圧源VCLKの電圧がハイの時(Vclk=1)の回路モデルにおける各状態変数vc1(t)とvout(t)に係る状態変数方程式は以下の微分方程式で表される。なお、図9の回路例では、vout(t)はコンデンサCの両端電圧vCout(t)である。 On the other hand, the state variable equations related to the state variables v c1 (t) and v out (t) in the circuit model when the voltage of the clock voltage source V CLK is high (V clk = 1) are expressed by the following differential equations. The In the circuit example of FIG. 9, v out (t) is the voltage V Cout (t) across the capacitor C.
第2のスイッチ変数のうちの一つであるu32(t)はトランジスタMn2に逆流電流が流れるのを防ぐために設けられている。u32(t)は、逆流が無い場合は1をとり、逆流が検出された場合には0をとる。逆流の有無は容量素子C1の電流の方向によって判断することができる。 U 32 (t), which is one of the second switch variables, is provided to prevent a reverse current from flowing through the transistor M n2 . u 32 (t) takes 1 when there is no backflow and takes 0 when backflow is detected. The presence or absence of reflux can be determined by the direction of current capacity element C 1.
数値演算のプログラム上に上記の回路モデルから求められた状態変数方程式を組み込むために、期間1と期間2の2つの状態変数方程式をひとつの式に纏める。このために各第1のスイッチ変数u2(t)および(1−u2(t))を用いる。第1のスイッチ変数u2(t)および(1−u2(t))は、期間によって分離される回路構成に対応する。u2(t)は、クロック電圧源VCLKの電圧がローの時(Vclk=0)にu2(t)=1の値を採り、クロック電圧源VCLKの電圧がハイの時(Vclk=1)の場合にu2(t)=0の値を取る。これに対し、(1−u2(t))は、クロック電圧源VCLKの電圧がローの時(Vclk=0)に(1−u2(t))=0の値をとり、クロック電圧源VCLKの電圧がハイの時(Vclk=1)の場合に(1−u2(t))=1の値をとる。
In order to incorporate the state variable equation obtained from the above circuit model on the numerical calculation program, the two state variable equations of
期間1か期間2かの場合分け、および第1のスイッチ変数u2(t)および(1−u2(t))が1か0の場合分けは、クロック電圧源VCLKの電圧値が1か0かで決まるため、VCLK=0は、u2(t)=1および(1−u2(t))=0に対応する。また、VCLK=1は、u2(t)=0および(1−u2(t))=1に対応する。したがって、第1のスイッチ変数u2(t)および(1−u2(t))の制御はクロック信号により行うことができる。
When the
期間1の状態と期間2の状態を同時に記述した状態変数方程式は、以下の式(10)、(11)で表すことができる。
A state variable equation describing the state of
上記の状態変数方程式が、数値演算のプログラム上でディクソン型チャージポンプの動作を表す記述式として取り扱われる。 The above state variable equation is handled as a descriptive expression representing the operation of the Dickson charge pump on the numerical calculation program.
[実施例1の比較例]
図10は本発明の回路シミュレーションを数値演算でシミュレーションした結果と、アナログ処理のシミュレーションソフトによる結果との比較図である。
[Comparative Example of Example 1]
FIG. 10 is a comparison diagram of the result of the numerical simulation of the circuit simulation of the present invention and the result of analog processing simulation software.
図10中のNSTVRで示すシミュレーション結果は、MATLAB/Simulink(登録商標)の汎用数値演算プログラムに本発明の回路シミュレーション手法を適用したプログラム(NSTVR)で得られるシミュレーション結果であり、図10中のSPICEで示すシミュレーション結果は、アナログ回路のシミュレーションソフトであるSPICE(登録商標)を用いて得たシミュレーション結果である。図10では、NSTVRによるシミュレーション結果を実線で示し、SPICEによるシミュレーション結果は破線で示している。 The simulation result indicated by NSTVR in FIG. 10 is a simulation result obtained by a program (NSTVR) in which the circuit simulation method of the present invention is applied to a general-purpose numerical arithmetic program of MATLAB / registered trademark (registered trademark), and SPICE in FIG. Are simulation results obtained using SPICE (registered trademark), which is analog circuit simulation software. In FIG. 10, the simulation result by NSTVR is indicated by a solid line, and the simulation result by SPICE is indicated by a broken line.
図10のシミュレーション結果は、図9のディクソン型DC−DCコンバータ回路について、通常のSPICE回路シミュレーションプログラムにより解析したシミュレーション結果と、本発明の回路シミュレーション手法で構成した状態変数方程式を、MATLABを用いた数値演算による解析で得たシミュレーション結果とを比較して示している。 The simulation results of FIG. 10 are based on the simulation results of the Dickson DC-DC converter circuit of FIG. 9 analyzed by a normal SPICE circuit simulation program and the state variable equations configured by the circuit simulation method of the present invention using MATLAB. The simulation results obtained by the analysis by numerical calculation are shown in comparison.
このシミュレーション結果は、図9の回路の入力直流電圧Vinを5Vとし、負荷電流Ioutを零(無負荷という)とした場合について、出力電圧Voutの過渡変化について示している。このシミュレーションでは、クロック周波数を1MHzとし、解析する時間間隔を1nsとして全体の解析時間を0〜400μsとしている。シミュレーション結果によれば、出力電圧Voutは0Vから7.5Vまで立ち上がる。 The simulation results, the input DC voltage V in the circuit of FIG. 9 and 5V, the case where the load current I out is set to zero (referred to no load) shows the transient change of the output voltage V out. In this simulation, the clock frequency is 1 MHz, the analysis time interval is 1 ns, and the total analysis time is 0 to 400 μs. According to the simulation result, the output voltage Vout rises from 0V to 7.5V.
SPICEによるアナログ解析と、本発明のシミュレーション手法をプログラム化したNSTVRによる解析とにおいて、シミュレーション時間の比較を表1に示す。 Table 1 shows a comparison of simulation time between analog analysis by SPICE and analysis by NSTVR in which the simulation method of the present invention is programmed.
過渡解析において、SPICEによるアナログ解析は約58秒のCPU時間を要する。一方、本発明の回路シミュレーションのNSTVRによる解析では約38秒である。また、図10に示すシミュレーション結果では、出力電圧において150mVの電圧差が生じている。この電圧差は、出力電圧7.5Vに対して約2%(=0.15/7.5)である。 In transient analysis, analog analysis by SPICE requires about 58 seconds of CPU time. On the other hand, the analysis by NSTVR of the circuit simulation of the present invention takes about 38 seconds. Further, in the simulation result shown in FIG. 10, a voltage difference of 150 mV is generated in the output voltage. This voltage difference is about 2% (= 0.15 / 7.5) with respect to the output voltage 7.5V.
比較結果によれば、CPU時間に大きな差異は現れていないが、CPU時間は回路規模に依存するため、回路規模が大きい場合にはCPU時間の差は顕著となると推定される。 According to the comparison result, there is no significant difference in CPU time, but since the CPU time depends on the circuit scale, it is estimated that the difference in CPU time becomes significant when the circuit scale is large.
また、比較結果の出力電圧の誤差が約2%であることから、本発明の回路シミュレーションはSPICEによるアナログ解析と同等の精度を得ることができる。したがって、比較結果によれば、本発明の回路シミュレーションは、SPICEによるアナログ解析よりも高速でシミュレーションでき、さらに、アナログ解析と同等の精度を得ることができることを示している。 Further, since the error of the output voltage of the comparison result is about 2%, the circuit simulation of the present invention can obtain the same accuracy as the analog analysis by SPICE. Therefore, according to the comparison result, it is shown that the circuit simulation of the present invention can be simulated at higher speed than the analog analysis by SPICE, and further, the same accuracy as the analog analysis can be obtained.
[実施例2]
ディクソン型チャージポンプは、多段接続による構成とすることができる。図11は多段構成の例を示している。
[Example 2]
The Dixon type charge pump can be configured by multistage connection. FIG. 11 shows an example of a multistage configuration.
図11において、容量素子C1にはクロック電圧源VCLKを接続し、容量素子C2にはクロック電圧源VCLK/を接続する。クロック電圧源VCLKとクロック電圧源VCLK/とは相補的な電圧を出力する。これによって、トランジスタMn1、Mn2、Mn3、・・・は順にオン・オフの動作を行う。 11, connect the clock voltage source V CLK in the capacitor element C 1, to connect / clock voltage source V CLK in the capacitor element C 2. The clock voltage source V CLK and the clock voltage source V CLK / output complementary voltages. Thereby, the transistors M n1 , M n2 , M n3 ,... Sequentially turn on and off.
多段構成の場合についても、前記した実施例1に示した場合と同様に適用することができる。例えば、入力端側から出力端側に向かって奇数番目の容量素子Cの両端電圧を状態変数とする場合には、式(10)において、奇数番目のスイッチ素子に関わる回路ブロックの状態変数方程式に第1のスイッチ変数u2(t)を乗じて得られる状態変数方程式と、偶数番目のスイッチ素子に関わる回路ブロックの状態変数方程式に他方の第1のスイッチ変数(1−u2(t))を乗じて得られる状態変数方程式とを加算することによって一周期中の状態変数方程式を求めることができる。 The multi-stage configuration can be applied in the same manner as the case shown in the first embodiment. For example, when the both-ends voltage of the odd-numbered capacitive element C from the input end side to the output end side is used as the state variable, the state variable equation of the circuit block related to the odd-numbered switch element is expressed in Equation (10). The other first switch variable (1-u 2 (t)) is added to the state variable equation obtained by multiplying the first switch variable u 2 (t) and the state variable equation of the circuit block related to the even-numbered switch element. A state variable equation in one cycle can be obtained by adding the state variable equation obtained by multiplying by.
[実施例3]
ディクソン型チャージポンプの多段接続の構成では、前記した図11に示す構成例のMOSトランジスタをダイオードに代えることができる。図12は、ディクソン型チャージポンプの多段接続構成を、ダイオードを用いて構成した例を示している。この回路動作は、MOSトランジスタがダイオードに代わっただけの違いであって、モデル化の点では同様であるため、回路モデルおよび状態変数方程式は同じとなる。
[Example 3]
In the multi-stage connection configuration of the Dickson type charge pump, the MOS transistor in the configuration example shown in FIG. 11 can be replaced with a diode. FIG. 12 shows an example in which a multi-stage connection configuration of the Dickson charge pump is configured using a diode. This circuit operation is the same as that in which the MOS transistor is replaced with a diode, and is the same in terms of modeling, so that the circuit model and the state variable equation are the same.
[実施例4]
次に、スイッチ型チャージポンプの例について図13〜図15を用いて説明する。スイッチ型チャージポンプは、ディクソン型チャージポンプのダイオード接続を行うトランジスタを、CMOSインバータを使った1極2投のスイッチ素子に置き換えた構成である。図13は差動構成によるスイッチ型チャージポンプの構成例を示し、図14は図13の差動構成の動作原理を説明するための構成図を示している。また、図15は、直列接続されるスイッチ素子が同時にオン状態となったときにスイッチ素子を通して流れる漏れ電流を、クロック信号の切り替わり時にのみ値を持つ電流源として扱う状態を説明するための図である。
[Example 4]
Next, an example of a switch type charge pump will be described with reference to FIGS. The switch type charge pump has a configuration in which the diode-connected transistor of the Dixon type charge pump is replaced with a 1-pole, 2-throw switch element using a CMOS inverter. FIG. 13 shows a configuration example of a switch type charge pump with a differential configuration, and FIG. 14 shows a configuration diagram for explaining the operation principle of the differential configuration of FIG. FIG. 15 is a diagram for explaining a state in which the leakage current flowing through the switch elements when the switch elements connected in series are simultaneously turned on is treated as a current source having a value only when the clock signal is switched. is there.
図13(a)はスイッチ型チャージポンプの回路構成と、回路を駆動するクロック信号例を示し、図13(b)はクロック信号中の丸付き符号1で示した時点における等価回路を示し、図13(c)はクロック信号中の丸付き符号2で示した時点における等価回路を示している。
FIG. 13A shows a circuit configuration of a switch type charge pump and an example of a clock signal for driving the circuit. FIG. 13B shows an equivalent circuit at a point indicated by a circled
図14(a)の動作原理図は、図13において丸付き符号1で示される時点の回路の動作状態を示している。クロック信号電圧Vclkが容量素子C1に加わると、これによって丸付き符号bで示す点の電圧Vbは昇圧され、以下で示される電圧となる。
Vb=Vclk+Vc1(t)
The operation principle diagram of FIG. 14A shows the operation state of the circuit at the time indicated by the circled
V b = V clk + V c1 (t)
NMOSトランジスタMn1によるトランジスタスイッチSWMn1は、昇圧されたVbにより制御されてオン状態となる。このとき、PMOSトランジスタMp1によるトランジスタスイッチSWMp1はオフ状態である。したがって、容量素子C2はNMOSトランジスタMn1によるトランジスタスイッチSWMn1を通して電圧Vin に充電される。これにより、NMOSトランジスタMn2によるトランジスタスイッチSWMn2はオフ状態で、PMOSトランジスタMp2によるトランジスタスイッチSWMp2がオン状態となるため、Vbの電圧がPMOSトランジスタMp2によるトランジスタスイッチSWMp2を通して出力容量素子Coutに伝達される。つまり、出力容量素子Coutの両端はVbとなり(ただし容量素子C1,C2>出力容量素子Cout)、出力端子の電圧Voutは昇圧される。
The transistor switch SW Mn1 by the NMOS transistor M n1 is controlled by the boosted V b and is turned on. At this time, the transistor switch SW Mp1 by the PMOS transistor M p1 is in the OFF state. Thus, the capacitive element C 2 is charged to a voltage V in through a transistor switch SW Mn1 by NMOS transistor M n1. Thus, the transistor switch SW Mn2 by NMOS transistor M n2 is in the OFF state, the transistor switch SW Mp2 by the PMOS transistor M p2 is turned on, the output capacitor voltage V b is through the transistor switch SW Mp2 by the PMOS transistor M p2 It is transmitted to the element Cout . That is, across the output capacitance element C out is V b becomes (except
丸付き符号1で示される時点において成立する回路(図13(b),図14(a)に対応)は、以下の状態変数方程式で記述することができる。
A circuit (corresponding to FIG. 13B and FIG. 14A) established at the time indicated by the circled
・・・(12)
ただし、トランジスタMn1、Mp2によるトランジスタスイッチSWMn1,SWMp2のオン抵抗をそれぞれRMn1,RMp2としている。 However, and transistor M n1, M p2 by the transistor switch SW Mn1, the on-resistance of SW Mp2 the respectively R Mn1, R Mp2.
図14(b)の動作原理図は、図13において丸付き符号2で示される時点の回路の動作状態を示している。クロック信号電圧Vclkが容量素子C2に加わると、これによって、丸付き符号aで示す点の電圧Vaは昇圧され、以下で示される電圧となる。
Va=Vclk+Vc2(t)
The operation principle diagram of FIG. 14B shows the operation state of the circuit at the time indicated by the circled
V a = V clk + V c2 (t)
NMOSトランジスタMn2によるトランジスタスイッチSWMn2は、昇圧されたVaにより制御されてオン状態となる。このとき、PMOSトランジスタMp2によるトランジスタスイッチSWMp2はオフ状態である。したがって、容量素子C1はNMOSトランジスタMn2によるトランジスタスイッチSWMn2を通して電圧Vin に充電される。これにより、NMOSトランジスタMn1によるトランジスタスイッチSWMn1はオフ状態で、PMOSトランジスタMp1によるトランジスタスイッチSWMp1がオン状態となるため、Va電圧がPMOSトランジスタMp1によるトランジスタスイッチSWMp1を通して出力容量素子Coutに伝達される。つまり、出力容量素子Coutの両端はVaとなり(ただし容量素子C1,C2>出力容量素子Cout)、出力端子の電圧Voutは昇圧される。 The transistor switch SW Mn2 by the NMOS transistor M n2 is controlled by the boosted V a and is turned on. At this time, the transistor switch SW Mp2 by the PMOS transistor M p2 is in the OFF state. Thus, the capacitor C 1 is charged to a voltage V in through a transistor switch SW Mn2 by NMOS transistor M n2. Accordingly, a transistor switch SW Mn1 is turned off by the NMOS transistor M n1, PMOS transistor for transistor switch SW Mp1 is turned on by M p1, V a voltage output capacitance element through the transistor switch SW Mp1 by the PMOS transistor M p1 C out . That is, both ends of the output capacitive element C out become V a (where capacitive elements C 1 and C 2 > output capacitive element C out ), and the voltage V out at the output terminal is boosted.
図14(b)の動作原理図は、図13において丸付き符号2で示される時点の回路の動作状態を示している。丸付き符号aで示す点の電圧Vaは昇圧され、以下で示される電圧となる。
Va=Vclk+Vc2(t)
The operation principle diagram of FIG. 14B shows the operation state of the circuit at the time indicated by the circled
V a = V clk + V c2 (t)
丸付き符号1で示される時点と同様に、丸付き符号2で示される時点において成立する回路(図13(c),図14(b)に対応)は、以下の状態変数方程式で記述することができる。
Similarly to the time indicated by the circled
ただし、トランジスタスイッチSWMp1,SWMn2のオン抵抗をそれぞれRMp1,RMn2としている。 However, the on-resistances of the transistor switches SW Mp1 and SW Mn2 are R Mp1 and R Mn2 , respectively.
上記した、丸付き符号1で示される時点と丸付き符号2で示される時点の状態変数方程式を各第1のスイッチ変数u2(t)、(1−u2(t))を用いて纏めると、各状態変数についてそれぞれ以下に示す1つの状態変数方程式で表すことができる。
The state variable equations at the time point indicated by the circled
ただし、NMOSトランジスタスイッチSWMn1,SWMn2のオン抵抗をそれぞれRMn1,RMn2とし、PMOSトランジスタスイッチSWMp1,SWMp2のオン抵抗をそれぞれRMp1,RMp2としている。 However, the on resistances of the NMOS transistor switches SW Mn1 and SW Mn2 are R Mn1 and R Mn2 , respectively, and the on resistances of the PMOS transistor switches SW Mp1 and SW Mp2 are R Mp1 and R Mp2 , respectively.
図13(b)の回路から図13(c)の回路への回路変化、あるいは、図13(c)の回路から図13(b)の回路への回路変化が起きる場合、NMOSトランジスタスイッチSWMn1とPMOSトランジスタスイッチSWMp1の両方、または、NMOSトランジスタスイッチSWMn2とPMOSトランジスタスイッチSWMp2の両方が同時にオン状態となる期間が、クロック信号が変化する期間で発生する。 When a circuit change from the circuit of FIG. 13B to the circuit of FIG. 13C or a circuit change from the circuit of FIG. 13C to the circuit of FIG. 13B occurs, the NMOS transistor switch SW Mn1 And the PMOS transistor switch SW Mp1 , or both the NMOS transistor switch SW Mn2 and the PMOS transistor switch SW Mp2 are turned on at the same time when the clock signal changes.
NMOSトランジスタスイッチSWMn1とPMOSトランジスタスイッチSWMp1、およびNMOSトランジスタスイッチSWMn2とPMOSトランジスタスイッチSWMp2はCMOSインバータ回路の構成であり、NMOSトランジスタスイッチとPMOSトランジスタスイッチの両方が同時にオン状態となる期間において、貫通電流に相当する漏れ電流が生じる。 The NMOS transistor switch SW Mn1 and the PMOS transistor switch SW Mp1 and the NMOS transistor switch SW Mn2 and the PMOS transistor switch SW Mp2 have a CMOS inverter circuit configuration, and in a period in which both the NMOS transistor switch and the PMOS transistor switch are turned on simultaneously. A leakage current corresponding to the through current is generated.
発明の回路シミュレーションでは、この漏れ電流の発生をモデル化するために、漏れ電流をクロック信号の切り替わり時のみの電流源として状態変数方程式に組み込む。 In the circuit simulation of the invention, in order to model the occurrence of this leakage current, the leakage current is incorporated into the state variable equation as a current source only when the clock signal is switched.
図15は、スイッチが同時にオンしている期間のみ流れる漏れ電流を電流源Ileakに置き換えた回路構成を示している。また同時にオン状態となるスイッチは、図14(a)または図14(b)で示される通常状態にあるとして、漏れ電流を表す電流源だけが加わる形で表す。 FIG. 15 shows a circuit configuration in which the leakage current that flows only while the switches are simultaneously turned on is replaced with the current source I leak . In addition, the switches that are turned on at the same time are represented in a form in which only the current source representing the leakage current is added, assuming that they are in the normal state shown in FIG. 14 (a) or 14 (b).
図15に示す回路について状態変数方程式を求めると、各状態変数について以下の状態変数方程式で表される。 When the state variable equations are obtained for the circuit shown in FIG. 15, each state variable is represented by the following state variable equations.
ただしIleakは漏れ電流である。
Where I leak is a leakage current.
[実施例5]
スイッチ型チャージポンプは、多段構成とされる。図16は多段構成のスイッチ型チャージポンプの一構成例を示しいている。
[Example 5]
The switch type charge pump has a multi-stage configuration. FIG. 16 shows an example of the configuration of a multistage switch type charge pump.
クロック信号源は、クロック信号源VCLK1,VCLK3,VCLK5のクロック信号電圧Vclk1,Vclk3,Vclk5は同相であり、対応するクロック信号源VCLK2,VCLK4,VCLK6のクロック信号電圧Vclk2,Vclk4,Vclk6は逆相で駆動する。この場合、入力直流電圧Vin=5Vとして、クロック信号源VCLK1,VCLK2に0〜5Vのクロック信号電圧を、クロック信号源VCLK3,VCLK4に0〜10Vのクロック信号電圧を、クロック信号源VCLK5,VCLK6に0〜20Vのクロック信号電圧を入力すると、出力容量素子Cout1の電圧は10Vとなり、出力容量素子Cout2の電圧は20Vとなり、出力容量素子Cout3電圧は40Vとなる。 The clock signal sources are clock signal voltages V clk1 , V clk3 , and V clk5 of the clock signal sources V CLK1 , V CLK3 , and V CLK5 , and the clock signal voltages of the corresponding clock signal sources V CLK2 , V CLK4 , and V CLK6. V clk2 , V clk4 , and V clk6 are driven in reverse phase. In this case, an input DC voltage V in = 5V, a clock signal voltage of 0 to 5V is applied to the clock signal sources V CLK1 and V CLK2 , a clock signal voltage of 0 to 10V is applied to the clock signal sources V CLK3 and V CLK4 , and a clock signal is supplied. When a clock signal voltage of 0 to 20 V is input to the sources V CLK5 and V CLK6 , the voltage of the output capacitance element C out1 becomes 10 V, the voltage of the output capacitance element C out2 becomes 20 V, and the voltage of the output capacitance element C out3 becomes 40 V. .
回路のモデル化は、漏れ電流の数式化を含めて、実施例4の2段構成と同様に行うことができる。 Circuit modeling can be performed in the same manner as the two-stage configuration of the fourth embodiment, including formulating leakage current.
[実施例5の比較例]
図17は本発明の回路シミュレーションツールNSTVRでシミュレーションした結果と、アナログ処理のシミュレーションソフトウェアであるSPICEにより得られる結果との比較図である。
[Comparative Example of Example 5]
FIG. 17 is a comparison diagram of the result of simulation by the circuit simulation tool NSTVR of the present invention and the result obtained by SPICE which is analog processing simulation software.
図17中のNSTVRで示すシミュレーション結果は、MATLAB/Simulink(登録商標)の汎用数値演算プログラムに本発明の回路シミュレーション手法を適用したプログラム(NSTVR)で得たシミュレーション結果であり、図17中のSPICEで示すシミュレーション結果は、アナログ回路のシミュレーションソフトであるSPICE(登録商標)を用いて得たシミュレーション結果である。 The simulation result indicated by NSTVR in FIG. 17 is a simulation result obtained by a program (NSTVR) in which the circuit simulation method of the present invention is applied to a general-purpose numerical arithmetic program of MATLAB / registered trademark (registered trademark), and SPICE in FIG. Are simulation results obtained using SPICE (registered trademark), which is analog circuit simulation software.
入力直流電圧Vinを5Vとし、0Vから5Vまで立ち上げた場合の出力電圧Voutの変化を示している。出力電圧Voutを40Vとし、負荷電流Ioutを零(無負荷という)としている。また、クロックパルスを1MHzとし、1ns刻みで0〜400μsで過渡解析を行っている。 The input DC voltage V in and 5V, shows the change in the output voltage V out of the case launched from 0V to 5V. The output voltage Vout is 40V, and the load current Iout is zero (referred to as no load). The clock pulse is 1 MHz, and the transient analysis is performed at 0 to 400 μs in 1 ns increments.
以下に、シミュレーション時間の比較を表2に示す。
本発明による過渡解析において、SPICEを用いた解析では約188秒のCPU時間を要し、一方、本発明の回路シミュレーションについてNSTVRを用いた解析では約37秒ほどであった。 In the transient analysis according to the present invention, the analysis using SPICE required about 188 seconds of CPU time, while the circuit simulation of the present invention using NSTVR was approximately 37 seconds.
図17に示すシミュレーション結果では、出力電圧において約202mVの電圧差が生じている。この電圧差は、出力電圧40Vに対して約0.5%(=0.202/40)である。また、シミュレーション時間は約1/5(37秒/188秒)であって高速化が達成されている。この高速化の効果は、回路規模に応じてより顕著となることが期待される。 In the simulation result shown in FIG. 17, a voltage difference of about 202 mV occurs in the output voltage. This voltage difference is about 0.5% (= 0.02 / 40) with respect to the output voltage of 40V. Further, the simulation time is about 1/5 (37 seconds / 188 seconds), and high speed is achieved. This speed-up effect is expected to become more prominent depending on the circuit scale.
したがって、図17と表2に示すシミュレーション結果によれば、本発明の回路シミュレーション手法を汎用数値演算プログラム上に実現したプログラムであるNSTVRによる解析は、アナログ回路のシミュレーションソフトのSPICEによる解析と比較して高速であり、また、精度において殆んど変わらないことを示している。 Therefore, according to the simulation results shown in FIG. 17 and Table 2, the analysis by NSTVR, which is a program that implements the circuit simulation method of the present invention on a general-purpose numerical operation program, is compared with the analysis by SPICE of analog circuit simulation software. It is high speed and shows almost no change in accuracy.
この実施例によれば、チャージポンプ回路においても本発明の回路シミュレーション手法を用いたNSTVRの適用が可能であり、種々のDC−DCコンバータにおいて各状態変数を1つの状態変数方程式によって、高速で正確にシミュレーションを行うことができることが確認される。 According to this embodiment, it is possible to apply NSTVR using the circuit simulation method of the present invention also to a charge pump circuit, and each state variable is accurately and quickly obtained by one state variable equation in various DC-DC converters. It is confirmed that the simulation can be performed.
[実施例6]
次に、昇降圧型DC−DCコンバータの例について図18を用いて説明する。昇降圧型DC−DCコンバータは、昇圧および降圧が可能なDC−DCコンバータである。
[Example 6]
Next, an example of a step-up / step-down DC-DC converter will be described with reference to FIG. The step-up / step-down DC-DC converter is a DC-DC converter capable of step-up and step-down.
図18(a)において、昇降圧型DC−DCコンバータはQ号が0(ロー)の時にスイッチトランジスタMpがオン状態となり、Q信号が1(ハイ)の時にスイッチトランジスタMpがオフ状態となるため、図18(b)に示すように2つの回路状態となる。 In FIG. 18 (a), the switching transistor M p when the buck-boost DC-DC converter is No. Q 0 (low) is turned on, the switch transistor M p when the Q signal is 1 (high) is turned off Therefore, there are two circuit states as shown in FIG.
図18(b)において、Q信号が0(ロー)の時には、スイッチトランジスタMpがオン状態となる。この時、出力端子の出力電圧Voutは負であるので、ダイオードDはオフ状態となる。なお、RMp−onはスイッチトランジスタMpのオン抵抗である。 In FIG. 18B, when the Q signal is 0 (low), the switch transistor Mp is turned on. At this time, since the output voltage Vout of the output terminal is negative, the diode D is turned off. Incidentally, R Mp-on is the on-resistance of the switch transistor M p.
続いて、図18(c)において、Q信号が1(ハイ)の時には、スイッチトランジスタMpがオフ状態となるが、インダクタ素子Lには図中の矢印で示す方向に電流が流れ続けるためダイオードDはオン状態となり、出力端子には負の電圧が現れる。なお、ダイオードDの順方向電圧は流れる電流により変化するので、これを固定電圧と電流依存性を持つ抵抗により置き換えている。 Subsequently, in FIG. 18C, when the Q signal is 1 (high), the switch transistor Mp is turned off. However, since the current continues to flow in the inductor element L in the direction indicated by the arrow in FIG. D is turned on, and a negative voltage appears at the output terminal. Since the forward voltage of the diode D changes depending on the flowing current, it is replaced by a resistor having a fixed voltage and current dependency.
図18(b)の回路状態と図18(c)の回路状態を切り替えるために各第1のスイッチ変数u2(t)、(1−u2(t))を用いる。また、図18(c)でダイオードDに逆方向電流が流れないようにするために更に第2のスイッチ変数u3を導入する。 In order to switch between the circuit state of FIG. 18B and the circuit state of FIG. 18C, the first switch variables u 2 (t) and (1-u 2 (t)) are used. Also, introducing further second switch variable u 3 in order to reverse current does not flow through the diode D in FIG. 18 (c).
第1のスイッチ変数u2(t)、(1−u2(t))を導入する事で、図18(a)に示す昇降圧型DC−DCコンバータの出力回路を、単一の状態変数方程式で記述することができる。 By introducing the first switch variables u 2 (t), (1-u 2 (t)), the output circuit of the step-up / step-down DC-DC converter shown in FIG. It can be described by.
以下に、図18の構成例の昇降圧型DC−DCコンバータの状態変数方程式を示す。 Hereinafter, a state variable equation of the step-up / step-down DC-DC converter of the configuration example of FIG. 18 is shown.
[実施例7]
次に、昇圧型DC−DCコンバータの例について図19を用いて説明する。昇圧型DC−DCコンバータは、実施例6の昇降圧型DC−DCコンバータの場合と同様にしてモデル化して状態変数方程式を形成し、シミュレーションを行うことができる。
[Example 7]
Next, an example of a step-up DC-DC converter will be described with reference to FIG. The step-up DC-DC converter can be modeled in the same manner as the step-up / step-down DC-DC converter of Example 6 to form a state variable equation, and simulation can be performed.
図19(a)において、昇圧型DC−DCコンバータは、Q信号が1(ハイ)の時にスイッチトランジスタMnがオン状態となり、Q信号が0(ロー)の時にスイッチトランジスタMnがオフ状態となるため、図19(b)に示すように2つの回路状態となる。 In FIG. 19 (a), the step-up DC-DC converter, switching transistor M n when the Q signal is 1 (high) is turned on, the switch transistor M n when the Q signal is 0 (low) and the OFF state Therefore, there are two circuit states as shown in FIG.
図19(b)において、Q信号が1(ハイ)の時にスイッチトランジスタMnがオン状態となり、ダイオードDは逆バイアス状態でオフ状態となる。なお、RMn−onはスイッチトランジスタMnのオン抵抗である。 In FIG. 19B, when the Q signal is 1 (high), the switch transistor Mn is turned on, and the diode D is turned off in the reverse bias state. Incidentally, R Mn-on is the on resistance of the switch transistor M n.
続いて図19(c)に示すように、Q信号が0(ロー)の時にはスイッチトランジスタMnがオフ状態となるが、インダクタ素子Lには図中の矢印の方向に電流が流れ続けるためダイオードDはオン状態となり、出力端子には入力直流電圧Vinから昇圧された電圧が現れる。図19ではダイオードDの順方向電圧は流れる電流により変化するので、これを固定電圧と電流依存性のある抵抗により置き換えている。 Subsequently, as shown in FIG. 19 (c), when the Q signal is 0 (low), the switch transistor Mn is turned off. However, since the current continues to flow in the direction of the arrow in the drawing in the inductor element L, the diode D is turned on, the boosted voltage from the input DC voltage V in appears at the output terminal. In FIG. 19, since the forward voltage of the diode D changes depending on the flowing current, this is replaced by a fixed voltage and a resistance having current dependency.
図19(b)の回路状態と図19(c)の回路状態を切り替えるために各第1のスイッチ変数u2(t)、(1−u2(t))を用いる。また、図19(c)でダイオードDに逆方向電流が流れないようにするために更に第2のスイッチ変数u3(t)を導入する。 The first switch variables u 2 (t) and (1-u 2 (t)) are used to switch the circuit state of FIG. 19B and the circuit state of FIG. 19C. In FIG. 19C, a second switch variable u 3 (t) is further introduced in order to prevent a reverse current from flowing through the diode D.
各第1のスイッチ変数u2(t)、(1−u2(t))を導入する事で、図20(a)に示す昇圧型DC−DCコンバータの出力回路を、単一の状態変数方程式で記述することができる。 By introducing each first switch variable u 2 (t), (1-u 2 (t)), the output circuit of the step-up DC-DC converter shown in FIG. It can be described by an equation.
以上のように本発明の回路シミュレーション手法を汎用の数値演算プログラムに適用したNSTVRプログラムによって、ディクソン(Dickson)型チャージポンプ、スイッチ(SW)型チャージポンプ、昇降圧型DC−DCコンバータ、昇圧型DC−DCコンバータおよび降圧型DC−DCコンバータなどの電源システムについて、過渡解析および周波数特性のシミュレーションを、高速で忠実にシミュレーションを行うことができる。 As described above, according to the NSTVR program in which the circuit simulation method of the present invention is applied to a general-purpose numerical operation program, a Dickson type charge pump, a switch (SW) type charge pump, a step-up / down type DC-DC converter, a step-up type DC- For power supply systems such as a DC converter and a step-down DC-DC converter, transient analysis and frequency characteristic simulation can be performed faithfully at high speed.
本発明の数値演算によるシミュレーション手法は、DC−DCコンバータに代表されるスイッチング電源の設計に利用する他、任意の電子回路に適用することができる。 The simulation method by numerical operation of the present invention can be applied to an arbitrary electronic circuit in addition to being used for designing a switching power supply represented by a DC-DC converter.
10 状態変数方程式形成手段
20 数値演算手段
21 数値演算プログラム
22 スイッチ変数値出力手段
30 表示手段
110 状態変数方程式形成手段
120 数値演算手段
121 汎用シミュレーションプログラム
130 表示手段
C 容量素子
C1,C2,C3 容量素子
Cout,Cout1,Cout2,Cout3 出力容量素子
D ダイオード
iL 電流
Ileak 電流源
Iout 負荷電流
L インダクタ素子
Mn スイッチトランジスタ
Mn1,Mn2 トランジスタ
Mp スイッチトランジスタ
Mp1,Mp2 トランジスタ
R,R1 抵抗
SWMn1,SWMn2 トランジスタスイッチ
SWMp1,SWMp2 トランジスタスイッチ
T1,T2,T3 期間
u スイッチ変数
u2 第1のスイッチ変数
1−u2 第1のスイッチ変数
u2a,u2b,u2c 第1のスイッチ変数
u3,u31,u32 第2のスイッチ変数
10 state variables equation forming means 20
u 2 1st switch variable 1-u 2 1st switch variable
u 2a , u 2b , u 2c first switch variable u 3 , u 31 , u 32 second switch variable
Claims (21)
スイッチング動作の一周期内の時間変化により複数の回路モデルに分離する解析対象回路において、
前記時間変化の各期間における回路モデルについて、当該回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、当該回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する第1の形成工程と、
前記各状態変数の状態変数方程式について、前記各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を前記各期間の各状態変数方程式に乗じ、当該各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2の形成工程と、
前記第2の形成工程で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、当該数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算工程とを備え、
前記数値演算によるシミュレーションの周波数は、一周期のクロック周波数で定まるナイキスト周波数以下であり、
前記第1の形成工程、第2の形成工程、および演算工程の各工程をコンピュータで実行することを特徴とする、回路シミュレーション方法。 A circuit simulation method for simulating the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation,
In the analysis target circuit that separates into multiple circuit models by the time change within one cycle of switching operation,
With respect to the circuit model in each period of the time change, the output of the circuit model is obtained using the differential equation having the current and / or voltage of the energy storage element part included in the circuit model as a state variable, and the values of the state variables. A first forming step of forming a plurality of state variable equations related to the circuit model by an equation to be obtained;
For each state variable equation of each state variable, each state variable equation for each period is multiplied by each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, and each first switch variable A second forming step of forming the state variable equations within one cycle for each state variable by adding the state variable equations for each period multiplied by
A numerical operation step of solving a differential equation of the state variable equation formed in the second forming step in one cycle by numerical operation by numerical integration, and outputting a time change of each state variable obtained by the numerical operation. ,
The frequency of the simulation by the numerical calculation is equal to or lower than the Nyquist frequency determined by the clock frequency of one cycle,
A circuit simulation method, wherein each of the first formation step, the second formation step, and the calculation step is executed by a computer.
前記状態変数は、インダクタ素子に流れる電流および/又は容量素子の両端電圧であることを特徴とする請求項1に記載の回路シミュレーション方法。 The energy storage element unit is an inductor element or a capacitor element,
The circuit simulation method according to claim 1, wherein the state variable is a current flowing through the inductor element and / or a voltage across the capacitor element.
前記第2の形成工程において、
前記クロック信号の切り替わり時に前記複数のスイッチ素子が同時にオンとなる際に当該スイッチ素子を通して流れる漏れ電流を、前記クロック信号の切り替わり時にのみに値を持つ電流源として前記状態変数方程式の入力信号に加えることを特徴とする、請求項1から3の何れかに記載の回路シミュレーション方法。 The analysis target circuit includes a plurality of switch elements connected in series that are alternately switched on and off by a clock signal,
In the second forming step,
When the plurality of switch elements are simultaneously turned on when the clock signal is switched, a leakage current flowing through the switch elements is added to the input signal of the state variable equation as a current source having a value only when the clock signal is switched. The circuit simulation method according to claim 1, wherein the circuit simulation method is a circuit simulation method.
前記特定のエネルギー蓄積素子の一端に与えるバイアス電圧は、一周期内のクロック信号によってスイッチング動作し、
前記各第1のスイッチ変数は、前記スイッチ素子又は整流ダイオードのスイッチング動作の時間変化に応じて1と0との間の値を採ることを特徴とする、請求項1から4の何れかに記載の回路シミュレーション方法。 The analysis target circuit applies a bias voltage to one end of a specific energy storage element to switch the switch element and / or the rectifier diode to input energy to the energy storage element unit including the specific energy storage element. Switching power supply circuit to output,
The bias voltage applied to one end of the specific energy storage element is switched by a clock signal within one period,
5. Each of the first switch variables takes a value between 1 and 0 according to a time change of the switching operation of the switch element or the rectifier diode. Circuit simulation method.
前記第1の形成工程において、前記ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数を乗じ、
前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と逆の方向に電流が流れるような状態の時には前記第2のスイッチ変数を0とし、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と同じ方向に電流が流れる状態の時には前記第2のスイッチ変数を1とし、
前記ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーションを防ぐことを特徴とする、請求項1から5の何れかに記載の回路シミュレーション方法。 The circuit to be analyzed includes a rectifier diode and / or a diode element portion composed of a diode-connected switch element,
In the first formation step, the state variable equation related to the diode element unit is multiplied by a second switch variable,
The second switch variable is set to 0 when a current flows in a direction opposite to the forward direction of the diode element portion in a portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation, and the state variable equation When the current flows in the same direction as the forward direction of the diode element portion in the portion corresponding to the diode element portion, the second switch variable is set to 1.
6. The circuit simulation method according to claim 1, wherein a simulation in which a reverse current flows through the diode element portion is prevented.
シミュレーションを行う解析対象回路の回路モデルは、整流ダイオード、および/又はダイオード接続されたスイッチ素子から成るダイオード素子部を備え、
前記回路モデルについて、当該回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、当該回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する第1の形成工程と、
前記各状態変数の状態変数方程式について、前記各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を前記各期間の各状態変数方程式に乗じ、当該各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2の形成工程と、
前記第2の形成工程で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、当該数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算工程とを備え、
前記第1あるいは第2の形成工程において、前記ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数を乗じ、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と逆の方向に電流が流れるような状態の時には前記第2のスイッチ変数を0とし、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と同じ方向に電流が流れる状態の時には前記第2のスイッチ変数を1とし、
前記形成工程、および演算工程の各工程をコンピュータで実行し、
前記ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーションを防ぐことを特徴とする、回路シミュレーション方法。 A circuit simulation method for simulating the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation,
A circuit model of a circuit to be analyzed that performs a simulation includes a rectifier diode and / or a diode element portion including a diode-connected switch element,
With respect to the circuit model, the circuit is determined by a differential equation having the current and / or voltage of the energy storage element portion included in the circuit model as a state variable, and an equation for obtaining the output of the circuit model using the value of the state variable. A first forming step for forming a plurality of state variable equations for the model;
For each state variable equation of each state variable, each state variable equation for each period is multiplied by each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, and each first switch variable A second forming step of forming the state variable equations within one cycle for each state variable by adding the state variable equations for each period multiplied by
A numerical operation step of solving a differential equation of the state variable equation formed in the second forming step in one cycle by numerical operation by numerical integration, and outputting a time change of each state variable obtained by the numerical operation. ,
In the first or second forming step, the state variable equation relating to the diode element portion is multiplied by a second switch variable, and a forward direction of the diode element portion is set in a portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation. When the current flows in the opposite direction, the second switch variable is set to 0, and the current in the same direction as the forward direction of the diode element portion is in the portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation. When in a flowing state, the second switch variable is set to 1.
Each step of the forming step and the calculation step is executed by a computer,
A circuit simulation method characterized by preventing a simulation in which a reverse current flows in the diode element portion.
スイッチ動作の一周期内の時間変化により複数の回路モデルに分離する解析対象回路において、
前記時間変化の各期間における回路モデルについて、当該回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、当該回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成し、
前記各状態変数の状態変数方程式について、前記各期間における各状態変数方程式のそれぞれ時間変化を表す各第1のスイッチ変数を前記各期間の各状態変数方程式に乗じ、当該各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する状態変数方程式形成手段と、
前記状態変数方程式形成手段で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、当該数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算手段とを備え、
前記数値演算によるシミュレーションの周波数は、一周期のクロック周波数で定まるナイキスト周波数以下であることを特徴とする、回路シミュレーション装置。 A circuit simulation device for simulating the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation,
In the analysis target circuit that separates into multiple circuit models by the time change within one cycle of switch operation,
With respect to the circuit model in each period of the time change, the output of the circuit model is obtained using the differential equation having the current and / or voltage of the energy storage element part included in the circuit model as a state variable, and the values of the state variables. By the equation to be found, form a plurality of state variable equations for the circuit model,
For each state variable equation of each state variable, each state variable equation for each period is multiplied by each first switch variable representing a time change of each state variable equation in each period, and each first switch variable is State variable equation forming means for adding each state variable equation for each period multiplied to form a state variable equation within one cycle for each state variable;
Numerical calculation means for solving the differential equation of the state variable equation in one cycle formed by the state variable equation forming means by numerical calculation by numerical integration and outputting the time change of each state variable obtained by the numerical calculation. ,
The circuit simulation device according to claim 1, wherein a frequency of the simulation by the numerical calculation is equal to or lower than a Nyquist frequency determined by a clock frequency of one cycle.
前記状態変数は、インダクタ素子に流れる電流および/又は容量素子の両端電圧であることを特徴とする請求項8に記載の回路シミュレーション装置。 The energy storage element unit is an inductor element or a capacitor element,
9. The circuit simulation apparatus according to claim 8, wherein the state variable is a current flowing through the inductor element and / or a voltage across the capacitor element.
前記状態変数方程式の形成手段において、
前記クロック信号の切り替わり時に前記複数のスイッチ素子が同時にオンとなる際に当該前記状態変数方程式の形成手段において、
スイッチ素子を通して流れる漏れ電流を、前記クロック信号の切り替わり時にのみに値を持つ電流源として前記状態変数方程式の入力信号に加えることを特徴とする、請求項8から10の何れかに記載の回路シミュレーション装置。 The analysis target circuit includes a plurality of switch elements connected in series that are alternately switched on and off by a clock signal,
In the means for forming the state variable equation,
In the means for forming the state variable equation when the plurality of switch elements are simultaneously turned on at the time of switching of the clock signal,
11. The circuit simulation according to claim 8, wherein a leakage current flowing through the switch element is added to an input signal of the state variable equation as a current source having a value only when the clock signal is switched. apparatus.
前記特定のエネルギー蓄積素子の一端に与えるバイアス電圧は、一周期内のクロック信号によってスイッチング動作し、
前記各第1のスイッチ変数は、前記スイッチ素子又は整流ダイオードのスイッチング動作の時間変化に応じて1と0との間の値を採ることを特徴とする、請求項8から11の何れかに記載の回路シミュレーション装置。 The analysis target circuit applies a bias voltage to one end of a specific energy storage element to switch the switch element and / or the rectifier diode to input energy to the energy storage element unit including the specific energy storage element. Switching power supply circuit to output,
The bias voltage applied to one end of the specific energy storage element is switched by a clock signal within one period,
The said each 1st switch variable takes the value between 1 and 0 according to the time change of the switching operation of the said switch element or a rectifier diode, The one in any one of Claim 8 to 11 characterized by the above-mentioned. Circuit simulation equipment.
前記状態変数方程式の形成手段において、前記ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数を乗じ、
前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と逆の方向に電流が流れるような状態の時には前記第2のスイッチ変数を0とし、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当するダイオード素子部の順方向と同じ方向に電流が流れる状態の時には前記第2のスイッチ変数を1とし、
前記ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーションを防ぐことを特徴とする、請求項8から12の何れかに記載の回路シミュレーション装置。 The circuit to be analyzed includes a rectifier diode and / or a diode element portion composed of a diode-connected switch element,
In the means for forming the state variable equation, the state variable equation relating to the diode element unit is multiplied by a second switch variable,
The second switch variable is set to 0 when a current flows in a direction opposite to the forward direction of the diode element portion in a portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation, and the state variable equation When the current flows in the same direction as the forward direction of the diode element portion corresponding to the diode element portion, the second switch variable is set to 1.
The circuit simulation apparatus according to claim 8, wherein a simulation in which a backflow current flows in the diode element portion is prevented.
シミュレーションを行う解析対象回路の回路モデルは、整流ダイオード、および/又はダイオード接続されたスイッチ素子から成るダイオード素子部を備え、
前記回路モデルについて、当該回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、当該回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する状態変数方程式の第1形成手段と、
前記各状態変数の状態変数方程式について、前記各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を前記各期間の各状態変数方程式に乗じ、当該各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2形成手段と、
前記状態変数方程式の第2形成手段で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、当該数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算手段とを備え、
前記状態変数方程式の第1あるいは第2形成手段において、前記ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数を乗じ、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と逆の方向に電流が流れるような状態の時には前記第2のスイッチ変数を0とし、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と同じ方向に電流が流れる状態の時には前記第2のスイッチ変数を1とし、
前記ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーションを防ぐことを特徴とする、回路シミュレーション装置。 A circuit simulation device for simulating the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit by numerical calculation,
A circuit model of a circuit to be analyzed that performs a simulation includes a rectifier diode and / or a diode element portion including a diode-connected switch element,
With respect to the circuit model, the circuit is determined by a differential equation having the current and / or voltage of the energy storage element portion included in the circuit model as a state variable, and an equation for obtaining the output of the circuit model using the value of the state variable. A first means for forming a state variable equation forming a plurality of state variable equations for the model;
For each state variable equation of each state variable, each state variable equation for each period is multiplied by each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, and each first switch variable A second forming means for adding each state variable equation of each period multiplied by and forming a state variable equation within one cycle for each state variable;
Numerical calculation means for solving the differential equation of the state variable equation in one cycle formed by the second forming means of the state variable equation by numerical calculation by numerical integration and outputting a time change of each state variable obtained by the numerical calculation And
In the first or second forming means of the state variable equation, the state variable equation relating to the diode element portion is multiplied by a second switch variable, and a portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation is placed in the diode element portion. When the current flows in a direction opposite to the forward direction, the second switch variable is set to 0, and the portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation has the same direction as the forward direction of the diode element portion. The second switch variable is set to 1 when a current flows through
A circuit simulation apparatus for preventing a simulation in which a reverse current flows in the diode element portion.
スイッチング動作の一周期内の時間変化により複数の回路モデルに分離する解析対象回路において、
コンピュータに、
前記時間変化の各期間における回路モデルについて、当該回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、当該回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する第1の形成工程と、
前記各状態変数の状態変数方程式について、前記各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を前記各期間の各状態変数方程式に乗じ、当該各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2の形成工程と、
前記第2の形成工程で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、当該数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算工程の各工程を、
一周期のクロック周波数で定まるナイキスト周波数以下の周波数で数値演算を実行させることを特徴とする、回路シミュレーションプログラム。 A circuit simulation program for causing a computer to simulate the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit,
In the analysis target circuit that separates into multiple circuit models by the time change within one cycle of switching operation,
On the computer,
With respect to the circuit model in each period of the time change, the output of the circuit model is obtained using the differential equation having the current and / or voltage of the energy storage element part included in the circuit model as a state variable, and the values of the state variables. A first forming step of forming a plurality of state variable equations related to the circuit model by an equation to be obtained;
For each state variable equation of each state variable, each state variable equation for each period is multiplied by each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, and each first switch variable A second forming step of forming the state variable equations within one cycle for each state variable by adding the state variable equations for each period multiplied by
Each step of the numerical calculation step of solving the differential equation of the state variable equation formed in the second forming step by numerical calculation by numerical integration and outputting the time change of each state variable obtained by the numerical calculation The
A circuit simulation program for executing a numerical operation at a frequency equal to or lower than a Nyquist frequency determined by a single clock frequency.
前記状態変数は、インダクタ素子に流れる電流および/又は容量素子の両端電圧であることを特徴とする請求項15に記載の回路シミュレーションプログラム。 The energy storage element unit is an inductor element or a capacitor element,
The circuit simulation program according to claim 15, wherein the state variable is a current flowing through the inductor element and / or a voltage across the capacitor element.
前記第2の形成工程において、
前記クロック信号の切り替わり時に前記複数のスイッチ素子が同時にオンとなる際に当該スイッチ素子を通して流れる漏れ電流を、前記クロック信号の切り替わり時にのみに値を持つ電流源として前記状態変数方程式の入力信号に加えることを特徴とする、請求項15ら17の何れかに記載の回路シミュレーションプログラム。 The analysis target circuit includes a plurality of switch elements connected in series that are alternately switched on and off by a clock signal,
In the second forming step,
When the plurality of switch elements are simultaneously turned on when the clock signal is switched, a leakage current flowing through the switch elements is added to the input signal of the state variable equation as a current source having a value only when the clock signal is switched. The circuit simulation program according to claim 15, wherein the circuit simulation program is any one of the above.
前記特定のエネルギー蓄積素子の一端に与えるバイアス電圧は、一周期内のクロック信号によってスイッチング動作し、
前記各第1のスイッチ変数は、前記スイッチ素子又は整流ダイオードのスイッチング動作の時間変化に応じて1と0との間の値を採ることを特徴とする、請求項15から18の何れかに記載の回路シミュレーションプログラム。 The analysis target circuit inputs / outputs energy to / from an energy storage element unit including the specific energy storage element by switching a switch element and / or a rectifier diode by applying a bias voltage to one end of the specific energy storage element. Switching power supply circuit
The bias voltage applied to one end of the specific energy storage element is switched by a clock signal within one period,
19. Each of the first switch variables takes a value between 1 and 0 according to a time change of a switching operation of the switch element or the rectifier diode. Circuit simulation program.
前記第1の形成工程において、前記ダイオード素子部に係る状態変数方程式に第2のスイッチ変数を乗じ、
前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と逆の方向に電流が流れるような状態の時には前記第2のスイッチ変数を0とし、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と同じ方向に電流が流れる状態の時には前記第2のスイッチ変数を1とし、
前記ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーションを防ぐことを特徴とする、請求項15から19の何れかに記載の回路シミュレーションプログラム。 The circuit to be analyzed includes a rectifier diode and / or a diode element portion composed of a diode-connected switch element,
In the first formation step, the state variable equation related to the diode element unit is multiplied by a second switch variable,
The second switch variable is set to 0 when a current flows in a direction opposite to the forward direction of the diode element portion in a portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation, and the state variable equation When the current flows in the same direction as the forward direction of the diode element portion in the portion corresponding to the diode element portion, the second switch variable is set to 1.
The circuit simulation program according to any one of claims 15 to 19, wherein a simulation in which a reverse current flows through the diode element portion is prevented.
シミュレーションを行う解析対象回路の回路モデルは、整流ダイオード、および/又はダイオード接続されたスイッチ素子から成るダイオード素子部を備え、
コンピュータに、
前記回路モデルについて、当該回路モデルに含まれるエネルギー蓄積素子部の電流および/又は電圧を状態変数とする微分方程式、およびそれらの状態変数の値を用いて回路モデルの出力を求める方程式によって、当該回路モデルに関する複数の状態変数方程式を形成する第1の形成工程と、
前記各状態変数の状態変数方程式について、前記各期間における各状態変数方程式のそれぞれの時間変化を表す各第1のスイッチ変数を前記各期間の各状態変数方程式に乗じ、当該各第1のスイッチ変数を乗じた各期間の各状態変数方程式を加算して各状態変数について一周期内における状態変数方程式を形成する第2の形成工程と、
前記第2の形成工程で形成した一周期内の状態変数方程式の微分方程式を数値積分による数値演算で解き、当該数値演算で得られた各状態変数の時間変化を出力する数値演算工程を実行させ、
前記第1あるいは第2の形成工程において、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と逆の方向に電流が流れるような状態の時には前記第2のスイッチ変数を0とし、前記状態変数方程式中の前記ダイオード素子部に相当する部分にダイオード素子部の順方向と同じ方向に電流が流れる状態の時には前記第2のスイッチ変数を1とし、
前記ダイオード素子部に逆流電流が流れるシミュレーションを防ぐことを特徴とする、回路シミュレーションプログラム。 A circuit simulation program for causing a computer to simulate the operation of an analog circuit or an analog / digital mixed circuit,
A circuit model of a circuit to be analyzed that performs a simulation includes a rectifier diode and / or a diode element portion including a diode-connected switch element,
On the computer,
With respect to the circuit model, the circuit is determined by a differential equation having the current and / or voltage of the energy storage element portion included in the circuit model as a state variable, and an equation for obtaining the output of the circuit model using the value of the state variable. A first forming step for forming a plurality of state variable equations for the model;
For each state variable equation of each state variable, each state variable equation for each period is multiplied by each first switch variable representing each time change of each state variable equation in each period, and each first switch variable A second forming step of forming the state variable equations within one cycle for each state variable by adding the state variable equations for each period multiplied by
Executing a numerical operation step of solving a differential equation of the state variable equation formed in the second forming step in one cycle by numerical operation by numerical integration and outputting a time change of each state variable obtained by the numerical operation; ,
In the first or second forming step, when the current flows in the direction opposite to the forward direction of the diode element portion in the portion corresponding to the diode element portion in the state variable equation, the second switch The variable is set to 0, and when the current flows in the same direction as the forward direction of the diode element part in the part corresponding to the diode element part in the state variable equation, the second switch variable is set to 1.
A circuit simulation program for preventing a simulation in which a reverse current flows in the diode element section.
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