JP2013112846A - Plating processing apparatus, plating processing method and storage medium - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plating processing apparatus capable of efficiently and uniformly heating a substrate, and preventing an exhausted plating liquid from mixing with temperature control water, etc. so that the plating liquid can be recycled easily.SOLUTION: The plating processing apparatus 20 includes a substrate holding mechanism 110 for holding and rotating the substrate W, a discharging mechanism 21 for discharging the plating liquid 35 toward the substrate W held by the substrate holding mechanism 110, and a gas sending mechanism 190 for sending high-temperature gas G for heating composed of gas whose specific heat capacity is higher than air toward the substrate W held by the substrate holding mechanism 110. The gas sending mechanism 190 is configured so as to send more gas G for heating to the peripheral region Aof the substrate W than to a central region Aof the substrate W.

Description

本発明は、基板の表面にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体に関する。   The present invention relates to a plating apparatus, a plating method, and a storage medium that perform plating by supplying a plating solution to the surface of a substrate.

一般に、半導体ウエハや液晶基板などの基板には、表面に回路を形成するための配線が施されている。この配線は、アルミニウム素材に替わって、電気抵抗が低く信頼性の高い銅素材によるものが利用されるようになってきている。しかしながら、銅はアルミニウムと比較して酸化されやすいので、銅配線表面の酸化を防止するために、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する金属によってめっき処理することが望まれる。   In general, a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate is provided with wiring for forming a circuit on its surface. For this wiring, instead of an aluminum material, a copper material having a low electrical resistance and a high reliability has come to be used. However, since copper is more easily oxidized than aluminum, it is desirable to perform plating with a metal having high electromigration resistance in order to prevent oxidation of the copper wiring surface.

めっき処理は、例えば、銅配線が形成された基板の表面に無電解めっき液を供給することによって行われる。例えば特許文献１において、基板を回転可能に保持する基板保持機構と、回転している基板上にめっき液を吐出するノズルと、を備えためっき処理装置が提案されている。   The plating process is performed, for example, by supplying an electroless plating solution to the surface of the substrate on which the copper wiring is formed. For example, Patent Document 1 proposes a plating apparatus including a substrate holding mechanism that rotatably holds a substrate and a nozzle that discharges a plating solution onto the rotating substrate.

特開２００９−２４９６７９号公報JP 2009-249679 A

ところで、めっき処理中には基板の温度制御を行うことが必要となる。このように基板の温度制御を行う場合、高温に加熱しためっき液を基板に対して供給するほか、基板の裏面に裏面温調水を供給して加熱することが行われている。しかしながら、裏面温調水を使用する場合、めっき処理中およびめっき処理後に発生する廃液に、めっき液と裏面温調水とが両方混ざってしまう。一般に、めっき液は高価であるため、廃液からめっき液を分離して再利用することが望まれる。しかしながら、廃液にめっき液と裏面温調水とが両方混ざってしまうと、廃液からめっき液を分離して、めっき液を再利用することがむずかしくなるおそれがある。   By the way, it is necessary to control the temperature of the substrate during the plating process. Thus, when performing temperature control of a board | substrate, in addition to supplying the plating solution heated at high temperature with respect to a board | substrate, supplying back surface temperature control water to the back surface of a board | substrate and heating is performed. However, when using the back surface temperature-controlled water, both the plating solution and the back surface temperature-controlled water are mixed in the waste liquid generated during and after the plating process. In general, since the plating solution is expensive, it is desired to separate and reuse the plating solution from the waste solution. However, if both the plating solution and the back surface temperature-adjusted water are mixed in the waste solution, it may be difficult to separate the plating solution from the waste solution and reuse the plating solution.

また、特許文献１に記載のめっき処理装置のように回転している基板上にめっき液を供給する場合、めっき液は遠心力によって基板の中心側から周縁側に向かって流れていく。この場合、基板上のめっき液の温度は、基板の周縁側に向かうにつれて低くなっていくと考えられる。このため、めっき液の反応条件が、基板上の位置によって異なってしまうことが考えられる。   Moreover, when supplying a plating solution onto a rotating substrate as in the plating apparatus described in Patent Document 1, the plating solution flows from the center side of the substrate toward the peripheral side by centrifugal force. In this case, it is considered that the temperature of the plating solution on the substrate decreases as it goes toward the peripheral edge of the substrate. For this reason, it is conceivable that the reaction condition of the plating solution varies depending on the position on the substrate.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板を効率的かつ均一に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体を提供する。   The present invention has been made in consideration of such points, and can efficiently and uniformly heat the substrate, prevent temperature-controlled water from being mixed with the discharged plating solution, and perform plating. A plating apparatus, a plating method, and a storage medium capable of easily reusing a liquid are provided.

本発明の一実施の形態による、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置は、前記基板を保持して回転させる基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて前記めっき液を吐出する吐出機構と、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスを前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて送り出すガス送出機構と、を備え、前記ガス送出機構は、前記基板の中心領域よりも前記基板の周縁領域に向けて多くの前記加熱用ガスを送り出すよう構成されていることを特徴とする。   According to an embodiment of the present invention, a plating apparatus for supplying a plating solution to a substrate to perform plating processing includes: a substrate holding mechanism that holds and rotates the substrate; and the substrate held by the substrate holding mechanism. A discharge mechanism that discharges the plating solution toward the substrate, and a gas delivery mechanism that sends out a high-temperature heating gas made of a gas having a higher specific heat capacity than air toward the substrate held by the substrate holding mechanism, The gas delivery mechanism is configured to deliver more heating gas toward a peripheral region of the substrate than a central region of the substrate.

本発明の一実施の形態による、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法は、基板保持機構によって前記基板を保持する保持工程と、前記基板を回転させる工程と、前記基板に向けて吐出機構から前記めっき液を吐出するめっき工程と、を備え、前記めっき工程は、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスを前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて送り出すガス送出工程を含み、前記ガス送出工程において、前記加熱用ガスは、前記基板の中心領域よりも前記基板の周縁領域に向けて多く送り出されることを特徴とする。   According to an embodiment of the present invention, a plating method for supplying a plating solution to a substrate and performing a plating process includes a holding step of holding the substrate by a substrate holding mechanism, a step of rotating the substrate, And a plating step of discharging the plating solution from the discharge mechanism toward the substrate held by the substrate holding mechanism with a high-temperature heating gas composed of a gas having a higher specific heat capacity than air. The heating gas is sent out more toward the peripheral region of the substrate than the central region of the substrate in the gas delivery step.

本発明の一実施の形態による、めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体は、前記めっき処理方法が、基板保持機構によって前記基板を保持する保持工程と、前記基板を回転させる工程と、前記基板に向けて吐出機構から前記めっき液を吐出するめっき工程と、を備え、前記めっき工程は、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスを前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて送り出すガス送出工程を含み、前記ガス送出工程において、前記加熱用ガスは、前記基板の中心領域よりも前記基板の周縁領域に向けて多く送り出される、方法からなっていることを特徴とする。   According to an embodiment of the present invention, a storage medium storing a computer program for causing a plating apparatus to execute a plating method includes a holding step in which the plating method holds the substrate by a substrate holding mechanism; A step of rotating the substrate, and a plating step of discharging the plating solution from the discharge mechanism toward the substrate, wherein the plating step uses a high-temperature heating gas composed of a gas having a higher specific heat capacity than air. A gas delivery step of sending out toward the substrate held by a holding mechanism, wherein in the gas delivery step, the heating gas is sent out more toward the peripheral region of the substrate than in the central region of the substrate. It is characterized by comprising.

本発明によれば、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスを基板保持機構に保持された基板に向けて送り出す。このため、基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することができる。また加熱用ガスは、基板の中心領域よりも基板の周縁領域に向けて多く送り出される。このため、基板の中心領域よりも基板の周縁領域をより重点的に加熱することができる。従って、基板の周縁領域においてめっき液の熱が基板や周辺雰囲気によって奪われることを抑制することができ、これによって、基板の周縁領域におけるめっき液の温度と、基板の中心領域におけるめっき液の温度との間に差が生じることを抑制することができる。   According to the present invention, a high-temperature heating gas made of a gas having a specific heat capacity higher than that of air is sent out toward the substrate held by the substrate holding mechanism. For this reason, while being able to heat a board | substrate efficiently, temperature control water etc. are prevented from mixing with the plating solution discharged | emitted, and a plating solution can be reused easily. Further, the heating gas is sent out more toward the peripheral region of the substrate than in the central region of the substrate. For this reason, the peripheral area | region of a board | substrate can be heated more significantly rather than the center area | region of a board | substrate. Therefore, it is possible to suppress the heat of the plating solution from being taken away by the substrate and the surrounding atmosphere in the peripheral region of the substrate, and thereby, the temperature of the plating solution in the peripheral region of the substrate and the temperature of the plating solution in the central region of the substrate. It can suppress that a difference arises between.

図１は、本発明の一実施の形態によるめっき処理システムの全体構成を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a plating system according to an embodiment of the present invention. 図２Ａは、本発明の一実施の形態によるめっき処理装置を示す側面図。FIG. 2A is a side view showing a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. 図２Ｂは、図２Ａに示すバックプレートに設けられた下側送出口の一例を示す図。FIG. 2B is a diagram showing an example of a lower delivery port provided in the back plate shown in FIG. 2A. 図２Ｃは、図２Ａに示すバックプレートに設けられた下側送出口の一例を示す図。FIG. 2C is a diagram showing an example of a lower delivery port provided in the back plate shown in FIG. 2A. 図２Ｄは、図２Ａに示すバックプレートに設けられた下側送出口の一例を示す図。FIG. 2D is a diagram showing an example of a lower delivery port provided in the back plate shown in FIG. 2A. 図３は、図２Ａに示すめっき処理装置の平面図。FIG. 3 is a plan view of the plating apparatus shown in FIG. 2A. 図４は、本発明の一実施の形態によるめっき処理装置におけるめっき液および加熱用ガスの流れを示す概略図。FIG. 4 is a schematic view showing the flow of a plating solution and a heating gas in the plating apparatus according to one embodiment of the present invention. 図５は、本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示すフローチャート。FIG. 5 is a flowchart showing a plating method according to an embodiment of the present invention. 図６は、めっき処理装置の変形例を示す概略図。FIG. 6 is a schematic view showing a modification of the plating apparatus. 図７は、めっき処理装置の変形例を示す概略図。FIG. 7 is a schematic view showing a modification of the plating apparatus. 図８Ａは、めっき処理装置の変形例を示す概略図。FIG. 8A is a schematic diagram illustrating a modification of the plating apparatus. 図８Ｂは、図８Ａに示すトッププレートに設けられた上側送出口の一例を示す図。FIG. 8B is a diagram showing an example of an upper delivery port provided in the top plate shown in FIG. 8A. 図８Ｃは、図８Ａに示すトッププレートに設けられた上側送出口の一例を示す図。FIG. 8C is a diagram showing an example of an upper delivery port provided in the top plate shown in FIG. 8A. 図８Ｄは、図８Ａに示すトッププレートに設けられた上側送出口の一例を示す図。FIG. 8D is a diagram showing an example of an upper delivery port provided in the top plate shown in FIG. 8A. 図９（ａ）は、実施例および比較例において、基板上の温度分布の測定結果を示す図、図９（ｂ）は、実施例および比較例において、基板上に形成されためっき層の厚みの分布を示す図。FIG. 9A is a diagram showing the measurement results of the temperature distribution on the substrate in Examples and Comparative Examples, and FIG. 9B is the thickness of the plating layer formed on the substrate in Examples and Comparative Examples. FIG.

以下、図１乃至図５を参照して、本発明の一実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態におけるめっき処理システム９０の全体構成について説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, referring to FIG. 1, the overall configuration of the plating system 90 in the present embodiment will be described.

めっき処理システム
図１に示すように、めっき処理システム９０は、基板Ｗ（ここでは、半導体ウエハ）を複数枚（たとえば、２５枚）収容するキャリア９１を載置し、基板Ｗを所定枚数ずつ搬入及び搬出するための基板搬入出室９２と、基板Ｗのめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行うための基板処理室９３と、を含んでいる。基板搬入出室９２と基板処理室９３とは、互いに隣接して設けられている。 Plating Processing System As shown in FIG. 1, the plating processing system 90 places a carrier 91 that accommodates a plurality (for example, 25) of substrates W (here, semiconductor wafers), and carries a predetermined number of substrates W. And a substrate loading / unloading chamber 92 for unloading and a substrate processing chamber 93 for performing various processes such as plating and cleaning of the substrate W. The substrate carry-in / out chamber 92 and the substrate processing chamber 93 are provided adjacent to each other.

（基板搬入出室）
基板搬入出室９２は、キャリア載置部９４と、搬送装置９５を収容した搬送室９６と、基板受渡台９７を収容した基板受渡室９８とを有している。基板搬入出室９２においては、搬送室９６と基板受渡室９８とが受渡口９９を介して連通連結されている。キャリア載置部９４には、複数の基板Ｗを水平状態で収容するキャリア９１が複数個載置されている。搬送室９６では、基板Ｗの搬送が行われ、基板受渡室９８では、基板処理室９３との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。 (Board loading / unloading room)
The substrate carry-in / out chamber 92 includes a carrier placement portion 94, a transfer chamber 96 that stores a transfer device 95, and a substrate transfer chamber 98 that stores a substrate transfer table 97. In the substrate loading / unloading chamber 92, the transfer chamber 96 and the substrate delivery chamber 98 are connected in communication via a delivery port 99. A plurality of carriers 91 that accommodate a plurality of substrates W in a horizontal state are placed on the carrier placing portion 94. In the transfer chamber 96, the substrate W is transferred, and in the substrate transfer chamber 98, the substrate W is transferred to and from the substrate processing chamber 93.

このような基板搬入出室９２においては、キャリア載置部９４に載置されたいずれか１個のキャリア９１と基板受渡台９７との間で、搬送装置９５により基板Ｗが所定枚数ずつ搬送される。   In such a substrate loading / unloading chamber 92, a predetermined number of substrates W are transported by the transport device 95 between any one carrier 91 placed on the carrier placing portion 94 and the substrate delivery table 97. The

（基板処理室）
また基板処理室９３は、中央部において前後（図１の左右）に伸延する基板搬送ユニット８７と、基板搬送ユニット８７の一方側および他方側において前後に並べて配置され、基板Ｗにめっき液を供給してめっき処理を行う複数のめっき処理装置２０と、を有している。 (Substrate processing room)
In addition, the substrate processing chamber 93 is arranged in the front and back (right and left in FIG. 1) in the center, and arranged side by side on one side and the other side of the substrate transport unit 87, and supplies the plating solution to the substrate W. And a plurality of plating processing apparatuses 20 that perform the plating process.

このうち基板搬送ユニット８７は、前後方向に移動可能に構成した基板搬送装置８８を含んでいる。また基板搬送ユニット８７は、基板受渡室９８の基板受渡台９７に基板搬入出口８９を介して連通している。   Of these, the substrate transport unit 87 includes a substrate transport device 88 configured to be movable in the front-rear direction. The substrate transfer unit 87 communicates with the substrate transfer table 97 in the substrate transfer chamber 98 via the substrate transfer port 89.

このような基板処理室９３においては、各めっき処理装置２０に対して、基板搬送ユニット８７の基板搬送装置８８により、基板Ｗが、１枚ずつ水平に保持した状態で搬送される。そして、各めっき処理装置２０において、基板Ｗが、１枚ずつ洗浄処理及びめっき処理される。   In such a substrate processing chamber 93, the substrates W are transported to the respective plating processing apparatuses 20 while being held horizontally one by one by the substrate transport device 88 of the substrate transport unit 87. In each plating apparatus 20, the substrate W is subjected to cleaning processing and plating processing one by one.

各めっき処理装置２０は、用いられるめっき液などが異なるのみであり、その他の点は略同一の構成からなっている。そのため、以下の説明では、複数のめっき処理装置２０のうち一のめっき処理装置２０の構成について説明する。   Each plating apparatus 20 differs only in the plating solution used, and the other points have substantially the same configuration. Therefore, in the following description, the configuration of one plating processing apparatus 20 among the plurality of plating processing apparatuses 20 will be described.

めっき処理装置
次に、図２Ａおよび図３を参照して、めっき処理装置２０について説明する。図２Ａは、めっき処理装置２０を示す側面図であり、図３は、めっき処理装置２０を示す平面図である。 Plating apparatus Next, with reference to FIGS. 2A and 3, it will be described plating apparatus 20. FIG. 2A is a side view showing the plating apparatus 20, and FIG. 3 is a plan view showing the plating apparatus 20.

めっき処理装置２０は、図２Ａおよび図３に示すように、ケーシング１０１の内部で基板Ｗを保持して回転させる基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗの表面に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１に接続され、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０とを備えている。   2A and 3, the plating apparatus 20 holds the substrate W inside the casing 101 and rotates the substrate W, and faces the surface of the substrate W held by the substrate holding mechanism 110. A discharge mechanism 21 that discharges the plating solution and a plating solution supply mechanism 30 that is connected to the discharge mechanism 21 and supplies the plating solution to the discharge mechanism 21 are provided.

このうち基板保持機構１１０の周囲には、基板Ｗから飛散しためっき液等を排出する液排出機構１４０が配置されている。また、基板Ｗの下方（基板Ｗの裏面側）には、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗの裏面に向けて、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスＧを送り出すガス送出機構１９０が設けられている。またガス送出機構１９０には、加熱用ガスＧを加熱してガス送出機構１９０に供給するガス供給機構１７０が接続されている。さらに、基板保持機構１１０、吐出機構２１、めっき液供給機構３０、液排出機構１４０、ガス供給機構１７０およびガス送出機構１９０を制御する制御機構１６０が設けられている。なお「高温の加熱用ガス」とは、基板Ｗ上に吐出されためっき液の温度が低下するのを防ぐことができる程度の温度に加熱された加熱用ガスのことを意味している。例えば、加熱用ガスの温度は、基板Ｗ上に吐出されるめっき液の温度とほぼ等しい温度や、めっき液の温度よりも若干高い温度に設定される。   Among these, around the substrate holding mechanism 110, a liquid discharge mechanism 140 that discharges the plating solution scattered from the substrate W is disposed. Further, below the substrate W (on the back side of the substrate W), a gas that sends out a high-temperature heating gas G made of a gas having a higher specific heat capacity than air toward the back surface of the substrate W held by the substrate holding mechanism 110. A delivery mechanism 190 is provided. The gas delivery mechanism 190 is connected to a gas supply mechanism 170 that heats the heating gas G and supplies it to the gas delivery mechanism 190. Further, a control mechanism 160 that controls the substrate holding mechanism 110, the discharge mechanism 21, the plating solution supply mechanism 30, the solution discharge mechanism 140, the gas supply mechanism 170, and the gas delivery mechanism 190 is provided. The “high temperature heating gas” means a heating gas heated to a temperature that can prevent the temperature of the plating solution discharged onto the substrate W from being lowered. For example, the temperature of the heating gas is set to a temperature substantially equal to the temperature of the plating solution discharged onto the substrate W or a temperature slightly higher than the temperature of the plating solution.

（基板保持機構）
基板保持機構１１０は、図２Ａおよび図３に示すように、ケーシング１０１内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸部材１１１と、回転軸部材１１１の上端部に取り付けられたターンテーブル１１２と、ターンテーブル１１２の上面外周部に設けられ、基板Ｗを支持するウエハチャック１１３と、回転軸部材１１１に連結され、回転軸部材１１１を回転駆動する回転機構１６２と、を有している。 (Substrate holding mechanism)
As shown in FIGS. 2A and 3, the substrate holding mechanism 110 includes a hollow cylindrical rotary shaft member 111 extending vertically in the casing 101, a turntable 112 attached to the upper end portion of the rotary shaft member 111, A wafer chuck 113 that is provided on the outer peripheral portion of the upper surface of the turntable 112 and supports the substrate W, and a rotating mechanism 162 that is connected to the rotating shaft member 111 and rotates the rotating shaft member 111.

このうち回転機構１６２は、制御機構１６０により制御され、回転軸部材１１１を回転駆動させ、これによって、ウエハチャック１１３により支持されている基板Ｗが回転される。この場合、制御機構１６０は、回転機構１６２を制御することにより、回転軸部材１１１およびウエハチャック１１３を回転させ、あるいは停止させることができる。また、制御機構１６０は、回転軸部材１１１およびウエハチャック１１３の回転数を上昇させ、下降させ、あるいは一定値に維持させるように制御することが可能である。   Among these, the rotation mechanism 162 is controlled by the control mechanism 160 and rotates the rotation shaft member 111, whereby the substrate W supported by the wafer chuck 113 is rotated. In this case, the control mechanism 160 can rotate or stop the rotation shaft member 111 and the wafer chuck 113 by controlling the rotation mechanism 162. Further, the control mechanism 160 can control the rotational speed of the rotating shaft member 111 and the wafer chuck 113 to be increased, decreased, or maintained at a constant value.

さらに、基板Ｗの裏面側であってターンテーブル１１２の上方に、基板Ｗから間隙Ｓを空けてバックプレート１７１が配置されている。バックプレート１７１は、ウエハチャック１１３に保持された基板Ｗの裏面に対向し、ウエハチャック１１３に保持された基板Ｗとターンテーブル１１２との間に配設されている。バックプレート１７１は、回転軸部材１１１の軸心を貫通するシャフト１７２に連結固定されている。なお、バックプレート１７１はヒータを内蔵していても良い。さらに、シャフト１７２の下端部には、エアシリンダ等の昇降機構１７９が連結されている。すなわち、バックプレート１７１は、昇降機構１７９およびシャフト１７２により、ウエハチャック１１３で保持された基板Ｗとターンテーブル１１２との間を昇降するように構成されている。   Further, a back plate 171 is disposed on the back side of the substrate W and above the turntable 112 with a gap S from the substrate W. The back plate 171 faces the back surface of the substrate W held on the wafer chuck 113 and is disposed between the substrate W held on the wafer chuck 113 and the turntable 112. The back plate 171 is connected and fixed to a shaft 172 that passes through the axis of the rotary shaft member 111. The back plate 171 may incorporate a heater. Further, an elevating mechanism 179 such as an air cylinder is connected to the lower end portion of the shaft 172. That is, the back plate 171 is configured to move up and down between the substrate W held by the wafer chuck 113 and the turntable 112 by the lifting mechanism 179 and the shaft 172.

バックプレート１７１の中には、その表面に設けられた複数の開口１７３に連通する第１の流路１７４が形成されており、この第１の流路１７４と、シャフト１７２の軸心を貫通する流体供給路１７５とが連通している。この流体供給路１７５は、バルブ１４６を介して基板Ｗの裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構１４５に接続されている。   A first flow path 174 that communicates with a plurality of openings 173 provided on the surface is formed in the back plate 171, and passes through the first flow path 174 and the shaft center of the shaft 172. A fluid supply path 175 communicates with the fluid supply path 175. The fluid supply path 175 is connected to a back surface processing liquid supply mechanism 145 that supplies a processing liquid to the back surface of the substrate W via a valve 146.

また、バックプレート１７１は、その表面に設けられた開口（下側送出口）１９１と、バックプレート１７１内部に形成された第２の流路１９２とを有している。このうち第２の流路１９２は、下側送出口１９１に連通するとともに、シャフト１７２を上下に貫通するガス供給路１９３に連通している。このガス供給路１９３は、後述するガス供給機構１７０にバルブ１８８を介して接続されている。すなわち、バックプレート１７１に設けられた下側送出口１９１は、ガス供給機構１７０によって加熱された高温の加熱用ガスＧを基板Ｗの裏面に向けて供給する作用を有する。これら下側送出口１９１、第２の流路１９２およびガス供給路１９３は、基板Ｗの裏面に向けて高温の加熱用ガスＧを送り出す上述のガス送出機構１９０の構成要素として機能する。ガス送出機構１９０の詳細については後述する。   Further, the back plate 171 has an opening (lower outlet) 191 provided on the surface thereof, and a second flow path 192 formed inside the back plate 171. Among these, the second flow path 192 communicates with the lower delivery port 191 and also communicates with the gas supply path 193 penetrating the shaft 172 up and down. This gas supply path 193 is connected to a gas supply mechanism 170 described later via a valve 188. That is, the lower outlet 191 provided in the back plate 171 has an action of supplying the high-temperature heating gas G heated by the gas supply mechanism 170 toward the back surface of the substrate W. The lower delivery port 191, the second flow path 192, and the gas supply path 193 function as components of the gas delivery mechanism 190 that sends out the high-temperature heating gas G toward the back surface of the substrate W. Details of the gas delivery mechanism 190 will be described later.

（吐出機構）
次に、基板Ｗに向けてめっき液などを吐出する吐出機構２１について説明する。吐出機構２１は、基板Ｗに向けてＣｏＰめっき液などの化学還元タイプのめっき液を吐出する第１吐出ノズル４５を含んでいる。化学還元タイプのめっき液は、めっき液供給機構３０から第１吐出ノズル４５に供給される。なお、図２Ａでは１つの第１吐出ノズル４５のみを示しているが、この第１吐出ノズル４５に加えて、基板Ｗに向けてＣｏＰめっき液などの化学還元タイプのめっき液を吐出する他の吐出ノズル（追加の吐出ノズル）が設けられていても良い。 (Discharge mechanism)
Next, the discharge mechanism 21 that discharges a plating solution or the like toward the substrate W will be described. The discharge mechanism 21 includes a first discharge nozzle 45 that discharges a chemical reduction type plating solution such as a CoP plating solution toward the substrate W. The chemical reduction type plating solution is supplied from the plating solution supply mechanism 30 to the first discharge nozzle 45. Although only one first discharge nozzle 45 is shown in FIG. 2A, in addition to the first discharge nozzle 45, another chemical discharge type plating solution such as a CoP plating solution is discharged toward the substrate W. A discharge nozzle (additional discharge nozzle) may be provided.

また吐出機構２１は、図２Ａに示すように、吐出口７１および吐出口７２を含む第２吐出ノズル７０をさらに有していてもよい。図２Ａおよび図３に示すように、第２吐出ノズル７０は、アーム７４の先端部に取り付けられており、このアーム７４は、上下方向に延伸可能であるとともに回転機構１６５により回転駆動される支持軸７３に固定されている。   The discharge mechanism 21 may further include a second discharge nozzle 70 including a discharge port 71 and a discharge port 72, as shown in FIG. 2A. As shown in FIGS. 2A and 3, the second discharge nozzle 70 is attached to the distal end portion of the arm 74, and this arm 74 can be extended in the vertical direction and is supported by being rotated by the rotation mechanism 165. It is fixed to the shaft 73.

第２吐出ノズル７０において、吐出口７１は、置換タイプのめっき液、例えばＰｄめっき液を供給するめっき液供給機構７６にバルブ７６ａを介して接続されている。また吐出口７２は、洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給機構７７にバルブ７７ａを介して接続されている。このような第２吐出ノズル７０を設けることにより、一のめっき処理装置２０内において、化学還元タイプのめっき液によるめっき処理だけでなく、置換タイプのめっき液によるめっき処理、および洗浄処理を実施することが可能となる。   In the second discharge nozzle 70, the discharge port 71 is connected via a valve 76a to a plating solution supply mechanism 76 that supplies a replacement type plating solution, for example, a Pd plating solution. The discharge port 72 is connected to a cleaning process liquid supply mechanism 77 that supplies a cleaning process liquid via a valve 77a. By providing the second discharge nozzle 70 as described above, not only the plating process using the chemical reduction type plating solution but also the plating process using the replacement type plating solution and the cleaning process are performed in one plating processing apparatus 20. It becomes possible.

また図２Ａに示すように、第２吐出ノズル７０の吐出口７２に、めっき処理に先立って実施される前処理のための前処理液、例えば純水などのリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構７８がバルブ７８ａを介してさらに接続されていてもよい。この場合、バルブ７７ａおよびバルブ７８ａの開閉を適切に制御することにより、第２吐出ノズル７０から、洗浄処理液またはリンス処理液のいずれかが選択的に基板Ｗに吐出される。   Further, as shown in FIG. 2A, a rinsing liquid for supplying a pretreatment liquid for a pretreatment performed prior to the plating process, for example, a rinsing liquid such as pure water, to the discharge port 72 of the second discharge nozzle 70. The supply mechanism 78 may be further connected via a valve 78a. In this case, either the cleaning process liquid or the rinse process liquid is selectively discharged from the second discharge nozzle 70 onto the substrate W by appropriately controlling the opening and closing of the valve 77a and the valve 78a.

次に第１吐出ノズル４５について説明する。図２Ａおよび図３に示すように、第１吐出ノズル４５は吐出口４６を含んでいる。また第１吐出ノズル４５は、アーム４９の先端部に取り付けられており、このアーム４９は、基板Ｗの半径方向（図２Ａおよび図３において矢印Ｄにより示される方向）において進退自在となるよう構成されていてもよい。この場合、第１吐出ノズル４５は、基板Ｗの中心部に近接する中心位置と、中心位置よりも周縁側にある周縁位置との間で移動可能となっている。   Next, the first discharge nozzle 45 will be described. As shown in FIGS. 2A and 3, the first discharge nozzle 45 includes a discharge port 46. The first discharge nozzle 45 is attached to the tip of an arm 49, and the arm 49 is configured to be movable back and forth in the radial direction of the substrate W (the direction indicated by the arrow D in FIGS. 2A and 3). May be. In this case, the first discharge nozzle 45 is movable between a central position close to the central portion of the substrate W and a peripheral position closer to the peripheral side than the central position.

（めっき液供給機構）
次に、吐出機構２１の第１吐出ノズル４５に、ＣｏＰめっき液などの化学還元タイプのめっき液を供給するめっき液供給機構３０について説明する。図４は、めっき処理装置２０におけるめっき液および加熱用ガスＧの流れを示す概略図である。 (Plating solution supply mechanism)
Next, the plating solution supply mechanism 30 for supplying a chemical reduction type plating solution such as a CoP plating solution to the first discharge nozzle 45 of the discharge mechanism 21 will be described. FIG. 4 is a schematic diagram showing the flow of the plating solution and the heating gas G in the plating apparatus 20.

図４に示すように、めっき液供給機構３０は、めっき液３５を貯留するめっき液供給タンク３１と、めっき液供給タンク３１のめっき液３５を吐出機構２１の第１吐出ノズル４５へ供給する供給管３３とを有している。   As shown in FIG. 4, the plating solution supply mechanism 30 supplies a plating solution supply tank 31 that stores the plating solution 35, and supplies the plating solution 35 in the plating solution supply tank 31 to the first discharge nozzle 45 of the discharge mechanism 21. Tube 33.

また図４に示すように、めっき液供給タンク３１には、めっき液３５を貯留温度に加熱するタンク用加熱手段５０が取り付けられている。またタンク用加熱手段５０と第１吐出ノズル４５との間において、供給管３３に、吐出機構２１の第１吐出ノズル４５へ向かうめっき液３５を貯留温度よりも高温の吐出温度に加熱温調する加熱手段６０が取り付けられている。   Further, as shown in FIG. 4, tank heating means 50 for heating the plating solution 35 to the storage temperature is attached to the plating solution supply tank 31. Further, between the tank heating means 50 and the first discharge nozzle 45, the temperature of the plating solution 35 toward the first discharge nozzle 45 of the discharge mechanism 21 is adjusted to a supply pipe 33 by heating to a discharge temperature higher than the storage temperature. A heating means 60 is attached.

めっき液供給タンク３１には、めっき液３５の各種の成分が貯蔵されている複数の薬液供給源（図示せず）から各種薬液が供給されている。例えば、Ｃｏイオンを含むＣｏＳＯ４金属塩、還元剤（例えば、次亜リン酸など）、アンモニアおよび添加剤などの薬液が供給されている。この際、めっき液供給タンク３１内に貯留されるめっき液３５の成分が適切に調整されるよう、各種薬液の流量が調整されている。 Various chemical solutions are supplied to the plating solution supply tank 31 from a plurality of chemical solution supply sources (not shown) in which various components of the plating solution 35 are stored. For example, chemical solutions such as CoSO 4 metal salts containing Co ions, reducing agents (for example, hypophosphorous acid, etc.), ammonia, and additives are supplied. At this time, the flow rates of various chemical solutions are adjusted so that the components of the plating solution 35 stored in the plating solution supply tank 31 are appropriately adjusted.

また、図４に示すように、加熱手段６０は、タンク用加熱手段５０によって貯留温度まで加熱されためっき液３５を、さらに吐出温度まで加熱するためのものである。この加熱手段６０は、温調水等の伝熱媒体６６を吐出温度または吐出温度よりも高い温度に加熱する温度媒体供給手段６１と、供給管３３に取り付けられ、温度媒体供給手段６１からの伝熱媒体６６の熱を供給管３３内のめっき液３５に伝導させることにより温調する温調配管６５とを有している。   As shown in FIG. 4, the heating means 60 is for heating the plating solution 35 heated to the storage temperature by the tank heating means 50 to the discharge temperature. The heating means 60 is attached to the supply medium 33 and the temperature medium supply means 61 for heating the heat transfer medium 66 such as temperature-controlled water to a discharge temperature or a temperature higher than the discharge temperature. It has a temperature control pipe 65 that controls the temperature by conducting the heat of the heat medium 66 to the plating solution 35 in the supply pipe 33.

ところで、めっき液供給機構３０によって加熱されためっき液を、吐出機構２１を用いて、回転している基板Ｗの中心領域に向けて吐出する場合、めっき液は、遠心力によって基板Ｗの中心側から周縁側に向かって流れていく。この際、基板Ｗの温度または基板Ｗ周辺の雰囲気の温度がめっき液の温度よりも低くなっていると、めっき液の熱が基板Ｗまたは基板Ｗ周辺の雰囲気によって奪われ、この結果、基板Ｗの周縁側に向かって流れるにつれてめっき液の温度が低くなってしまう。このため、めっき液の反応条件が、基板上の位置によって異なってしまうことが考えられる。このような課題を解決するための方法の１つとして、基板Ｗ周辺の雰囲気の温度を一様に高くし、これによってめっき液の温度低下を防ぐことが考えられる。しかしながら、この場合、雰囲気の温度を高くし過ぎると、基板Ｗの周縁側に向かって流れるにつれてめっき液の温度が高くなり、結局、めっき液の反応条件が基板上の位置によって異なってしまうことになる。また、雰囲気の温度を一様に高くすることによって、めっき液やその他の部材が熱によって劣化してしまうことも考えられる。   By the way, when the plating solution heated by the plating solution supply mechanism 30 is discharged toward the central region of the rotating substrate W by using the discharge mechanism 21, the plating solution is on the center side of the substrate W by centrifugal force. It flows from the edge toward the periphery. At this time, if the temperature of the substrate W or the temperature of the atmosphere around the substrate W is lower than the temperature of the plating solution, the heat of the plating solution is taken away by the atmosphere of the substrate W or the periphery of the substrate W. The temperature of the plating solution becomes lower as it flows toward the peripheral side of the plate. For this reason, it is conceivable that the reaction condition of the plating solution varies depending on the position on the substrate. As one method for solving such a problem, it is conceivable to uniformly increase the temperature of the atmosphere around the substrate W, thereby preventing the temperature of the plating solution from decreasing. However, in this case, if the temperature of the atmosphere is too high, the temperature of the plating solution increases as it flows toward the peripheral side of the substrate W, and eventually the reaction conditions of the plating solution vary depending on the position on the substrate. Become. It is also conceivable that the plating solution and other members are deteriorated by heat by uniformly increasing the temperature of the atmosphere.

ここで本実施の形態におけるガス送出機構１９０によれば、基板Ｗ周辺の雰囲気の温度を一様に高くするのではなく、基板Ｗの周縁領域に対応する雰囲気の温度を重点的に高くすることができる。このため、容易かつ効率的に、基板Ｗ上のめっき液の温度分布を位置に依らず略均一にすることができる。以下、ガス送出機構１９０について詳細に説明する。   Here, according to the gas delivery mechanism 190 in the present embodiment, the temperature of the atmosphere around the substrate W is not increased uniformly, but the temperature of the atmosphere corresponding to the peripheral region of the substrate W is increased mainly. Can do. For this reason, the temperature distribution of the plating solution on the substrate W can be made substantially uniform regardless of the position easily and efficiently. Hereinafter, the gas delivery mechanism 190 will be described in detail.

本実施の形態によるガス送出機構１９０は、基板Ｗの中心領域よりも基板Ｗの周縁領域に向けて多くの加熱用ガスＧを送り出すよう構成されている。例えば、上述の下側送出口１９１は、基板Ｗの中心領域において単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量よりも基板Ｗの周縁領域において単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量の方が大きくなるよう、バックプレート１７１に形成されている。これによって、基板Ｗの周縁領域に対応する雰囲気の温度を、基板Ｗの中心領域に対応する雰囲気の温度に比べて重点的に高くすることができる。なお図２Ａにおいて符号Ａ１，Ａ２で示されているように、基板Ｗの半径の１／２の半径を有する円Ｗ’を基板Ｗと同心で描くことによって基板Ｗを区画した場合の、中心側の領域が中心領域Ａ１と定義され、周縁側の領域が周縁領域Ａ２と定義される。 The gas delivery mechanism 190 according to the present embodiment is configured to send more heating gas G toward the peripheral region of the substrate W than the central region of the substrate W. For example, the lower delivery port 191 described above has a larger amount of the heating gas G sprayed per unit area in the peripheral region of the substrate W than the amount of the heating gas G sprayed per unit area in the central region of the substrate W. The back plate 171 is formed so as to be larger. Accordingly, the temperature of the atmosphere corresponding to the peripheral region of the substrate W can be made higher than the temperature of the atmosphere corresponding to the central region of the substrate W. 2A, when the substrate W is partitioned by drawing a circle W ′ having a radius ½ of the radius of the substrate W concentrically with the substrate W, as indicated by reference signs A 1 and A 2 , region of the center side is defined as a central region a 1, the area of the peripheral side is defined as the peripheral region a 2.

下側送出口１９１の具体的な構成が特に限られることはなく、「周縁領域Ａ２の方が中心領域Ａ１に比べて、単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量が多い」という条件が満たされる限りにおいて、様々な構成が採用され得る。以下、バックプレート１７１に形成される下側送出口１９１の例について、図２Ｂ乃至図２Ｄを参照して説明する。図２Ｂ乃至図２Ｄは各々、下側送出口１９１が形成されたバックプレート１７１の一例を示す平面図である。なお図２Ｂ乃至図２Ｄにおいて、バックプレート１７１の上方に配置される基板Ｗとの対応関係を示すため、基板Ｗが点線で示されている。 The specific configuration of the lower delivery port 191 is not particularly limited, and it is said that “the peripheral region A 2 has a larger amount of the heating gas G sprayed per unit area than the central region A 1 ”. Various configurations can be adopted as long as the conditions are satisfied. Hereinafter, an example of the lower delivery port 191 formed in the back plate 171 will be described with reference to FIGS. 2B to 2D. 2B to 2D are each a plan view showing an example of a back plate 171 in which a lower delivery port 191 is formed. 2B to 2D, the substrate W is indicated by a dotted line in order to show the correspondence with the substrate W disposed above the back plate 171.

例えば図２Ｂに示すように、基板Ｗの半径方向に沿って一列に、複数の円形の下側送出口１９１がバックプレート１７１に形成されていてもよい。また図２Ｃに示すように、基板Ｗの同心円上に並ぶ多数の円形の下側送出口１９１がバックプレート１７１に形成されていてもよい。若しくは図２Ｄに示すように、基板Ｗの円周方向に沿って延びるスリット状の下側送出口１９１がバックプレート１７１に形成されていてもよい。なお、各下側送出口１９１から送り出される加熱用ガスＧの温度および圧力がそれぞれ等しい場合、上述の条件は、「バックプレート１７１のうち基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する領域に形成された下側送出口１９１の面積の方が、基板Ｗの中心領域Ａ１に対応する領域に形成された下側送出口１９１の面積よりも、基板Ｗの単位面積あたりで比べた場合に大きくなっている」という条件に等しい。 For example, as shown in FIG. 2B, a plurality of circular lower delivery ports 191 may be formed in the back plate 171 in a line along the radial direction of the substrate W. Further, as shown in FIG. 2C, a large number of circular lower delivery ports 191 arranged on concentric circles of the substrate W may be formed in the back plate 171. Alternatively, as shown in FIG. 2D, a slit-like lower delivery port 191 that extends along the circumferential direction of the substrate W may be formed in the back plate 171. When the temperature and pressure of the heating gas G delivered from each lower delivery port 191 are the same, the above-mentioned condition is that “the back plate 171 is formed in a region corresponding to the peripheral region A 2 of the substrate W. towards the area of the lower outlet 191, than the area of the lower outlet 191 which is formed in a region corresponding to the central region a 1 of the substrate W, becomes large when compared per unit area of the substrate W Is equal to

なお図２Ｂ乃至図２Ｄにおいては、バックプレート１７１において、基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する領域だけでなく基板Ｗの中心領域Ａ１に対応する領域にも下側送出口１９１が形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、下側送出口１９１は、バックプレート１７１のうち基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する領域にのみ形成されていてもよい。 In FIG. 2B through 2D, in a back plate 171, the lower delivery port 191 is formed also in a region corresponding to the central region A 1 of the substrate W not only a region corresponding to the peripheral area A 2 of the substrate W An example is shown. However, it is not limited thereto, the lower outlet 191 may only be formed in a region corresponding to the peripheral area A 2 of the substrate W out of the back plate 171.

（ガス供給機構）
ガス供給機構１７０は、上述したように、空気より比熱容量が高い加熱用ガスＧを加熱してガス送出機構１９０に供給するものである。このようなガス供給機構１７０は、図４に示すように、加熱用ガスＧを貯留するガス供給タンク１８１と、ガス供給タンク１８１に貯留された加熱用ガスＧをガス供給路１９３へ供給するガス供給管１８２とを有している。ガス供給タンク１８１には、加熱用ガスＧを加熱温調するガス温調ユニット１８３が接続されており、これにより加熱用ガスＧが所定の温度に加熱されるようになっている。 (Gas supply mechanism)
As described above, the gas supply mechanism 170 heats the heating gas G having a specific heat capacity higher than that of air and supplies it to the gas delivery mechanism 190. As shown in FIG. 4, such a gas supply mechanism 170 includes a gas supply tank 181 that stores the heating gas G, and a gas that supplies the heating gas G stored in the gas supply tank 181 to the gas supply path 193. And a supply pipe 182. The gas supply tank 181 is connected to a gas temperature adjustment unit 183 for adjusting the heating temperature of the heating gas G, whereby the heating gas G is heated to a predetermined temperature.

このような加熱用ガスＧは、空気（比熱容量１．０（Ｊ／ｇ・Ｋ））より比熱容量が高いものであり、具体的には、例えば水蒸気（比熱容量２．１（Ｊ／ｇ・Ｋ））およびヘリウム（比熱容量５．２（Ｊ／ｇ・Ｋ））を挙げることができる。このうち水蒸気を用いることがコスト等の観点から好ましい。   Such a heating gas G has a specific heat capacity higher than that of air (specific heat capacity 1.0 (J / g · K)). Specifically, for example, water vapor (specific heat capacity 2.1 (J / g) K)) and helium (specific heat capacity 5.2 (J / g · K)). Among these, it is preferable to use water vapor from the viewpoint of cost and the like.

加熱用ガスＧとして水蒸気が用いられる場合、ガス送出機構１９０のガス供給路１９３へ供給される加熱用ガスＧは、必ずしもガス供給タンク１８１から供給されるものに限られない。図４に示すように、ガス供給管１８５を介してガス供給路１９３と加熱手段６０の温度媒体供給手段６１とを連結し、温度媒体供給手段６１の気相に存在する水蒸気をガス供給路１９３へ供給しても良い。また、ガス供給管１８４を介してガス供給路１９３とめっき液供給機構３０のめっき液供給タンク３１とを連結し、めっき液供給タンク３１の気相に存在する水蒸気をガス供給路１９３中の加熱用ガスＧに供給しても良い。この場合、温度媒体供給手段６１からの水蒸気、めっき液供給タンク３１からの水蒸気、およびガス供給タンク１８１からの水蒸気のうちいずれか１つまたは２つを用いても良く、これら全て併用しても良い。   When water vapor is used as the heating gas G, the heating gas G supplied to the gas supply path 193 of the gas delivery mechanism 190 is not necessarily limited to that supplied from the gas supply tank 181. As shown in FIG. 4, the gas supply path 193 and the temperature medium supply means 61 of the heating means 60 are connected via a gas supply pipe 185, and water vapor present in the gas phase of the temperature medium supply means 61 is supplied to the gas supply path 193. You may supply to. Further, the gas supply path 193 and the plating solution supply tank 31 of the plating solution supply mechanism 30 are connected via the gas supply pipe 184, and water vapor existing in the gas phase of the plating solution supply tank 31 is heated in the gas supply passage 193. The gas G may be supplied. In this case, any one or two of the water vapor from the temperature medium supply means 61, the water vapor from the plating solution supply tank 31, and the water vapor from the gas supply tank 181 may be used. good.

また、図４に示すように、追加のガス供給ユニット１８７を設け、ガス供給管１８６を介してガス送出機構１９０のガス供給路１９３と追加のガス供給ユニット１８７とを接続しても良い。この場合、追加のガス供給ユニット１８７は、めっき液３５に含まれる成分のうちの少なくとも一つ（例えばアンモニア）のガスをガス供給路１９３中の加熱用ガスＧに供給し、これらの混合ガスを基板Ｗに供給しても良い。また、めっき液供給タンク３１の気相に存在するめっき液３５の成分（例えばアンモニア）を、ガス供給管１８４を介してガス供給路１９３中の加熱用ガスＧに供給し、これらの混合ガスを基板Ｗに供給しても良い。なお、この場合、追加のガス供給ユニット１８７からの成分を単独で用いても良く、めっき液供給タンク３１からの成分を単独で用いても良く、追加のガス供給ユニット１８７からの成分とめっき液供給タンク３１からの成分とを併用しても良い。このように、めっき液３５の成分を基板Ｗに向けて供給することにより、めっき処理中に当該成分がめっき液３５から揮発することを防止し、または、めっき処理中にめっき液３５から揮発する当該成分をめっき液３５に対して補充することができる。   Further, as shown in FIG. 4, an additional gas supply unit 187 may be provided, and the gas supply path 193 of the gas delivery mechanism 190 and the additional gas supply unit 187 may be connected via a gas supply pipe 186. In this case, the additional gas supply unit 187 supplies at least one of the components (for example, ammonia) contained in the plating solution 35 to the heating gas G in the gas supply path 193, and supplies these mixed gases. It may be supplied to the substrate W. Further, a component (for example, ammonia) of the plating solution 35 existing in the vapor phase of the plating solution supply tank 31 is supplied to the heating gas G in the gas supply path 193 through the gas supply pipe 184, and these mixed gases are supplied. It may be supplied to the substrate W. In this case, the component from the additional gas supply unit 187 may be used alone, the component from the plating solution supply tank 31 may be used alone, or the component from the additional gas supply unit 187 and the plating solution may be used. A component from the supply tank 31 may be used in combination. Thus, by supplying the component of the plating solution 35 toward the substrate W, the component is prevented from volatilizing from the plating solution 35 during the plating process, or volatilized from the plating solution 35 during the plating process. The component can be supplemented to the plating solution 35.

（液排出機構）
次に、基板Ｗから飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構１４０について、図２Ａを参照して説明する。 (Liquid discharge mechanism)
Next, a liquid discharge mechanism 140 that discharges the plating solution, the cleaning solution, and the like scattered from the substrate W will be described with reference to FIG. 2A.

液排出機構１４０は、基板保持機構１１０の周囲に設けられ、排出口１２４、１２９、１３４を有するカップ１０５と、カップ１０５に連結され、カップ１０５を上下方向に昇降駆動させる昇降機構１６４と、カップ１０５に接続され、基板Ｗから飛散しためっき液等をそれぞれ排出口１２４、１２９、１３４に集めて排出する液排出路１２０、１２５、１３０とを有している。図２Ａに示すように、カップ１０５の上部には開口１０５ａが形成されている。   The liquid discharge mechanism 140 is provided around the substrate holding mechanism 110, and includes a cup 105 having discharge ports 124, 129, and 134, an elevating mechanism 164 that is connected to the cup 105 and drives the cup 105 to move up and down, and a cup. 105, liquid discharge paths 120, 125, and 130 for collecting and discharging the plating solution and the like scattered from the substrate W to the discharge ports 124, 129, and 134, respectively. As shown in FIG. 2A, an opening 105 a is formed in the upper part of the cup 105.

この場合、基板Ｗから飛散した処理液は、液の種類ごとに排出口１２４、１２９、１３４を介して液排出路１２０、１２５、１３０により排出される。例えば、基板Ｗから飛散したＣｏＰめっき液は、めっき液排出路１２０から排出され、基板Ｗから飛散したＰｄめっき液は、めっき液排出路１２５から排出され、基板Ｗから飛散した洗浄液およびリンス処理液は、処理液排出路１３０から排出される。このようにして排出されたＣｏＰめっき液およびＰｄめっき液は、それぞれ回収された後、再利用されても良い。   In this case, the processing liquid scattered from the substrate W is discharged through the liquid discharge paths 120, 125, and 130 via the discharge ports 124, 129, and 134 for each type of liquid. For example, the CoP plating solution scattered from the substrate W is discharged from the plating solution discharge passage 120, and the Pd plating solution scattered from the substrate W is discharged from the plating solution discharge passage 125 and scattered from the substrate W and the rinse treatment solution. Is discharged from the processing liquid discharge path 130. The CoP plating solution and the Pd plating solution thus discharged may be collected and then reused.

以上のように構成されるめっき処理装置２０を複数含むめっき処理システム９０は、制御機構１６０に設けた記憶媒体１６１に記録された各種のプログラムに従って制御機構１６０により駆動制御され、これにより基板Ｗに対する様々な処理が行われる。ここで、記憶媒体１６１は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体１６１としては、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。   The plating system 90 including a plurality of the plating apparatuses 20 configured as described above is driven and controlled by the control mechanism 160 according to various programs recorded in the storage medium 161 provided in the control mechanism 160, thereby Various processes are performed. Here, the storage medium 161 stores various programs such as various setting data and a plating processing program described later. As the storage medium 161, known media such as a computer-readable memory such as ROM and RAM, and a disk-shaped storage medium such as a hard disk, CD-ROM, DVD-ROM, and flexible disk can be used.

めっき処理方法
本実施の形態において、めっき処理システム９０およびめっき処理装置２０は、記憶媒体１６１に記録されためっき処理プログラムに従って、基板Ｗにめっき処理を施すよう駆動制御される。以下の説明では、はじめに、一のめっき処理装置２０で基板ＷにＰｄめっき処理を置換めっきにより施し、その後、Ｃｏめっき処理を化学還元めっきにより施す方法について、図５を参照して説明する。 In the present embodiment, the plating system 90 and the plating apparatus 20 are driven and controlled to perform the plating process on the substrate W according to the plating process program recorded in the storage medium 161. In the following description, first, a method in which the Pd plating process is performed on the substrate W by displacement plating in one plating apparatus 20 and then the Co plating process is performed by chemical reduction plating will be described with reference to FIG.

（基板保持工程）
まず、基板搬送ユニット８７の基板搬送装置８８を用いて、１枚の基板Ｗを基板受渡室９８から一のめっき処理装置２０に搬入する。 (Substrate holding process)
First, using the substrate transfer device 88 of the substrate transfer unit 87, a single substrate W is transferred from the substrate delivery chamber 98 to the one plating apparatus 20.

めっき処理装置２０においては、はじめに、カップ１０５が所定位置まで降下され、次に、搬入された基板Ｗが基板保持機構１１０のウエハチャック１１３によって保持される（基板保持工程Ｓ３００）。その後、液排出機構１４０の排出口１３４と基板Ｗの外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇させられる。   In the plating apparatus 20, first, the cup 105 is lowered to a predetermined position, and then the loaded substrate W is held by the wafer chuck 113 of the substrate holding mechanism 110 (substrate holding step S300). Thereafter, the cup 105 is raised by the elevating mechanism 164 to a position where the discharge port 134 of the liquid discharge mechanism 140 and the outer peripheral edge of the substrate W face each other.

（洗浄工程）
次に、リンス処理、前洗浄処理およびその後のリンス処理からなる洗浄工程が実行される（Ｓ３０１）。はじめに、リンス処理液供給機構７８のバルブ７８ａが開かれ、これによって、リンス処理液が基板Ｗの表面に第２吐出ノズル７０の吐出口７２を介して供給される。 (Washing process)
Next, a cleaning process including a rinse process, a pre-clean process, and a subsequent rinse process is executed (S301). First, the valve 78a of the rinse treatment liquid supply mechanism 78 is opened, whereby the rinse treatment liquid is supplied to the surface of the substrate W through the discharge port 72 of the second discharge nozzle 70.

次に、前洗浄工程が実行される。はじめに、洗浄処理液供給機構７７のバルブ７７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液が基板Ｗの表面に第２吐出ノズル７０の吐出口７２を介して供給される。なお、洗浄処理液としては例えばリンゴ酸を用いることができ、リンス処理液としては例えば純水を用いることができる。その後、上述の場合と同様にして、リンス処理液が基板Ｗの表面に第２吐出ノズル７０の吐出口７２を介して供給される。処理後のリンス処理液や洗浄処理液は、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出路１３０を介して廃棄される。なお洗浄工程Ｓ３０１および以下の各工程のいずれにおいても、特に言及しない限り、基板Ｗは基板保持機構１１０により第１回転方向Ｒ１（図３）に回転されている。   Next, a pre-cleaning process is performed. First, the valve 77a of the cleaning processing liquid supply mechanism 77 is opened, whereby the cleaning processing liquid is supplied to the surface of the substrate W through the discharge port 72 of the second discharge nozzle 70. For example, malic acid can be used as the cleaning treatment liquid, and pure water can be used as the rinse treatment liquid. Thereafter, in the same manner as described above, the rinse treatment liquid is supplied to the surface of the substrate W through the discharge port 72 of the second discharge nozzle 70. The rinse treatment liquid and the cleaning treatment liquid after the treatment are discarded through the discharge port 134 of the cup 105 and the treatment liquid discharge path 130. In both the cleaning step S301 and each of the following steps, the substrate W is rotated in the first rotation direction R1 (FIG. 3) by the substrate holding mechanism 110 unless otherwise specified.

（Ｐｄめっき工程）
次に、Ｐｄめっき工程が実行される（Ｓ３０２）。このＰｄめっき工程Ｓ３０２は、前洗浄工程後の基板Ｗが乾燥されていない状態の間に、置換めっき処理工程として実行される。このように、基板Ｗが乾燥していない状態で置換めっき処理工程を実行することで、基板Ｗの被めっき面の銅などが酸化してしまい良好に置換めっき処理できなくなることを防止することができる。 (Pd plating process)
Next, a Pd plating process is performed (S302). This Pd plating step S302 is executed as a displacement plating process step while the substrate W after the pre-cleaning step is not dried. In this way, by performing the displacement plating process step in a state where the substrate W is not dried, it is possible to prevent the copper on the surface to be plated of the substrate W from being oxidized and being unable to perform the displacement plating process satisfactorily. it can.

Ｐｄめっき工程においては、はじめに、液排出機構１４０の排出口１２９と基板Ｗの外周端縁とが対向する位置までカップ１０５を昇降機構１６４により下降させる。次に、めっき液供給機構７６のバルブ７６ａが開かれ、これによって、Ｐｄを含むめっき液が、基板Ｗの表面に第２吐出ノズル７０の吐出口７１を介して所望の流量で吐出される。このようにして、基板Ｗの表面にＰｄめっきが施される。処理後のめっき液は、カップ１０５の排出口１２９から排出される。排出口１２９から排出されためっき液は、液排出路１２５を介して、回収され再利用されるか、若しくは廃棄される。   In the Pd plating process, first, the cup 105 is lowered by the elevating mechanism 164 to a position where the discharge port 129 of the liquid discharge mechanism 140 and the outer peripheral edge of the substrate W face each other. Next, the valve 76 a of the plating solution supply mechanism 76 is opened, whereby the plating solution containing Pd is discharged onto the surface of the substrate W at a desired flow rate through the discharge port 71 of the second discharge nozzle 70. In this way, the surface of the substrate W is subjected to Pd plating. The treated plating solution is discharged from the discharge port 129 of the cup 105. The plating solution discharged from the discharge port 129 is collected and reused or discarded via the solution discharge path 125.

（リンス処理工程）
次に、Ｃｏめっき工程に先立って実施される前処理として、例えばリンス処理工程が実行される（Ｓ３０３）。このリンス処理工程Ｓ３０３においては、前処理液として例えばリンス処理液が基板Ｗの表面に供給される。なお、このリンス処理工程の後、薬液処理により基板Ｗを洗浄処理し、その後当該薬液を洗浄するためにリンス処理液を用いてリンス処理を行っても良い。 (Rinsing process)
Next, for example, a rinsing process is performed as a pre-process performed prior to the Co plating process (S303). In the rinse treatment step S303, for example, a rinse treatment liquid is supplied to the surface of the substrate W as a pretreatment liquid. Note that after the rinsing process, the substrate W may be cleaned by a chemical process, and then a rinsing process may be performed using the rinse process liquid in order to clean the chemical liquid.

（Ｃｏめっき工程）
その後、上述の工程Ｓ３０１〜３０３が実行されたのと同一のめっき処理装置２０において、Ｃｏめっき工程が実行される（Ｓ３０４）。このＣｏめっき工程Ｓ３０４は、化学還元めっき処理工程として実行される。 (Co plating process)
Thereafter, a Co plating step is performed in the same plating apparatus 20 as that in which the above-described steps S301 to S303 are performed (S304). This Co plating step S304 is performed as a chemical reduction plating treatment step.

Ｃｏめっき工程Ｓ３０４においては、はじめに、制御機構１６０が基板保持機構１１０を制御することにより、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗを回転させる。この状態で、加熱手段６０によって吐出温度に加熱されためっき液３５を、基板Ｗの表面に向けて第１吐出ノズル４５の吐出口４６から吐出する。   In the Co plating step S304, first, the control mechanism 160 controls the substrate holding mechanism 110 to rotate the substrate W held by the substrate holding mechanism 110. In this state, the plating solution 35 heated to the discharge temperature by the heating unit 60 is discharged from the discharge port 46 of the first discharge nozzle 45 toward the surface of the substrate W.

第１吐出ノズル４５を用いて基板Ｗに向けてめっき液３５を吐出することにより、基板Ｗ上に形成されたＰｄめっき層上に、Ｃｏめっき層が成膜される。Ｃｏめっき層が所定の厚み、例えば１μｍに達した際、第１吐出ノズル４５からのめっき液３５の吐出が停止し、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４が完了する。Ｃｏめっき工程Ｓ３０４に要する時間は、例えば２０分〜４０分程度とすることができる。   A Co plating layer is formed on the Pd plating layer formed on the substrate W by discharging the plating solution 35 toward the substrate W using the first discharge nozzle 45. When the Co plating layer reaches a predetermined thickness, for example, 1 μm, the discharge of the plating solution 35 from the first discharge nozzle 45 is stopped, and the Co plating step S304 is completed. The time required for the Co plating step S304 can be, for example, about 20 minutes to 40 minutes.

なお、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４においては、基板Ｗを常時一定の回転数で回転させる必要はなく、一時的に回転数を上昇または下降させたり、一時的に回転を止めたりしても良い。また、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４において、第１吐出ノズル４５を基板Ｗの中心側から基板Ｗの周縁側に向けて水平移動（スキャン）しても良い。   In the Co plating step S304, it is not necessary to always rotate the substrate W at a constant rotation number, and the rotation number may be temporarily increased or decreased, or the rotation may be temporarily stopped. Further, in the Co plating step S <b> 304, the first discharge nozzle 45 may be moved horizontally (scanned) from the center side of the substrate W toward the peripheral side of the substrate W.

また、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４においては、排出口１２４と基板Ｗの外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により下降されている。このため、処理後のめっき液３５は、カップ１０５の排出口１２４から排出される。排出された処理後のめっき液３５は、液排出路１２０を介して、回収されて再利用されうる。   Further, in the Co plating step S304, the cup 105 is lowered by the elevating mechanism 164 to a position where the discharge port 124 and the outer peripheral edge of the substrate W face each other. For this reason, the treated plating solution 35 is discharged from the discharge port 124 of the cup 105. The treated plating solution 35 that has been discharged can be recovered and reused via the solution discharge path 120.

ところで本実施の形態においては、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４において、めっき液３５を第１吐出ノズル４５の吐出口４６から吐出するのと略同時に、制御機構１６０がガス送出機構１９０を制御して、高温の加熱用ガスＧ（例えば水蒸気）を基板Ｗの裏面に向けて送り出すようになっている。すなわち、ガス送出機構１９０は、ガス供給機構１７０のガス供給タンク１８１に貯留されてガス温調ユニット１８３によって加熱された加熱用ガスＧを、ガス供給管１８２、ガス供給路１９３および第２の流路１９２を順次介して、バックプレート１７１の下側送出口１９１から基板Ｗの裏面に向けて送り出す。あるいは、ガス送出機構１９０は、めっき液供給タンク３１または温度媒体供給手段６１から供給された加熱用ガスＧを、バックプレート１７１の下側送出口１９１から基板Ｗの裏面に向けて送り出す。   By the way, in the present embodiment, in the Co plating step S304, the control mechanism 160 controls the gas delivery mechanism 190 almost simultaneously with the discharge of the plating solution 35 from the discharge port 46 of the first discharge nozzle 45, so A heating gas G (for example, water vapor) is sent out toward the back surface of the substrate W. That is, the gas delivery mechanism 190 converts the heating gas G stored in the gas supply tank 181 of the gas supply mechanism 170 and heated by the gas temperature control unit 183 into the gas supply pipe 182, the gas supply path 193, and the second flow. The material is sent out from the lower delivery port 191 of the back plate 171 toward the back surface of the substrate W through the path 192 sequentially. Alternatively, the gas delivery mechanism 190 sends the heating gas G supplied from the plating solution supply tank 31 or the temperature medium supply means 61 from the lower delivery port 191 of the back plate 171 toward the back surface of the substrate W.

ガス送出機構１９０による加熱用ガスＧの送り出しは、第１吐出ノズル４５からめっき液３５が吐出している間連続して行われる。この間、加熱用ガスＧは、基板Ｗとバックプレート１７１との間の間隙Ｓに存在し、基板Ｗを連続的に加熱する。さらに、加熱用ガスＧにより、基板Ｗを介してめっき液３５も加熱される。本実施の形態において、加熱用ガスＧとして、空気より比熱容量が高いガス、例えば水蒸気を用いているので、基板Ｗを効率的に加熱することができる。また上述のように、ガス送出機構１９０は、基板Ｗの中心領域Ａ１よりも基板Ｗの周縁領域Ａ２に向けて多くの加熱用ガスＧを送り出すよう構成されている。このため、基板Ｗの裏面側において、基板Ｗの周縁領域Ａ２の周辺の雰囲気の温度は、基板Ｗの中心領域Ａ１の周辺の雰囲気の温度よりも高くなっている。これによって、基板Ｗ上のめっき液３５の温度が基板Ｗの周縁側に向かうにつれて低くなってしまうことを抑制することができ、このことにより、基板Ｗ上のめっき液３５の温度分布を位置に依らず略均一にすることができる。従って、めっき層の成長を基板Ｗの面内で均一にすることができる。このように、基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する雰囲気の温度を重点的に高くすることにより、めっき液３５やその他の部材を過剰に加熱することなく、めっき液３５が基板Ｗで流れることに起因するめっき液３５の温度の低下を補償することができる。このため、基板Ｗ上におけるめっき液３５の均一な温度分布を効率的に実現することができる。 The heating gas G is sent out by the gas delivery mechanism 190 continuously while the plating solution 35 is being discharged from the first discharge nozzle 45. During this time, the heating gas G exists in the gap S between the substrate W and the back plate 171 and continuously heats the substrate W. Further, the plating solution 35 is also heated by the heating gas G through the substrate W. In the present embodiment, a gas having a specific heat capacity higher than that of air, for example, water vapor, is used as the heating gas G, so that the substrate W can be efficiently heated. Further, as described above, the gas delivery mechanism 190 is configured to send more heating gas G toward the peripheral area A 2 of the substrate W than the central area A 1 of the substrate W. For this reason, on the back surface side of the substrate W, the temperature of the atmosphere around the peripheral region A 2 of the substrate W is higher than the temperature of the atmosphere around the central region A 1 of the substrate W. As a result, it is possible to suppress the temperature of the plating solution 35 on the substrate W from becoming lower toward the peripheral side of the substrate W, and thereby the temperature distribution of the plating solution 35 on the substrate W is positioned. Regardless, it can be made substantially uniform. Accordingly, the growth of the plating layer can be made uniform in the plane of the substrate W. Thus, by intensively raising the temperature of the atmosphere corresponding to the peripheral area A 2 of the substrate W, without excessively heating the plating solution 35 and other members, the plating solution 35 flows through a substrate W It is possible to compensate for the decrease in the temperature of the plating solution 35 caused by the above. For this reason, the uniform temperature distribution of the plating solution 35 on the substrate W can be efficiently realized.

その後、第１吐出ノズル４５からのめっき液３５の吐出が停止した際、ガス供給機構１７０によるガス送出機構１９０への加熱用ガスＧの供給を停止させ、これによって、ガス送出機構１９０による加熱用ガスＧの送り出しを停止させる。あるいは、第１吐出ノズル４５からのめっき液３５の吐出が停止する前または後に、ガス供給機構１７０による加熱用ガスＧの供給を停止しても良い。   Thereafter, when the discharge of the plating solution 35 from the first discharge nozzle 45 is stopped, the supply of the heating gas G to the gas delivery mechanism 190 by the gas supply mechanism 170 is stopped, and thereby the heating by the gas delivery mechanism 190 is performed. The delivery of the gas G is stopped. Alternatively, the supply of the heating gas G by the gas supply mechanism 170 may be stopped before or after the discharge of the plating solution 35 from the first discharge nozzle 45 is stopped.

このように、バックプレート１７１の下側送出口１９１から基板Ｗの裏面に向けて、加熱された加熱用ガスＧを送り出すことにより、基板Ｗ周辺の雰囲気温度を制御することができる。これによって、めっき液が基板Ｗの周縁側に向かって流れるにつれてめっき液の温度が低下することを防止することができる。これにより、めっき処理を一定の温度（例えば６０〜９０℃）に保った状態で行うことができ、Ｃｏめっき層の成長を基板Ｗの面内で均一にすることができる。しかも、基板Ｗに向けて供給する加熱用ガスＧが気体からなっているので、カップ１０５の排出口１２４から排出されるめっき液３５に加熱用の水等が混ざることが防止され、排出された処理後のめっき液３５を容易に再利用することができる。とりわけＣｏめっき工程Ｓ３０４においては、めっき処理に要する時間が例えば２０分〜４０分と長くなる場合があるため、めっき液３５を再利用することにより、より効率的に廃液の量を減らすことができる。   In this manner, by sending the heated heating gas G from the lower delivery port 191 of the back plate 171 toward the back surface of the substrate W, the ambient temperature around the substrate W can be controlled. This can prevent the temperature of the plating solution from decreasing as the plating solution flows toward the peripheral edge of the substrate W. Thereby, the plating process can be performed in a state where the temperature is maintained at a constant temperature (for example, 60 to 90 ° C.), and the growth of the Co plating layer can be made uniform in the plane of the substrate W. Moreover, since the heating gas G supplied toward the substrate W is made of a gas, it is prevented that heating water or the like is mixed with the plating solution 35 discharged from the discharge port 124 of the cup 105 and discharged. The plating solution 35 after processing can be easily reused. In particular, in the Co plating step S304, the time required for the plating process may be as long as, for example, 20 minutes to 40 minutes. Therefore, by reusing the plating solution 35, the amount of waste liquid can be reduced more efficiently. .

なお、上述したように、加熱用ガスＧにはめっき液３５に含まれる成分のうちの少なくとも一つ（例えばアンモニア）が含まれていても良い。この場合、めっき処理中に当該成分がめっき液３５から揮発することを防止し、あるいはめっき処理中にめっき液３５から揮発する当該成分をめっき液３５に対して補充することができる。   As described above, the heating gas G may contain at least one of the components contained in the plating solution 35 (for example, ammonia). In this case, it is possible to prevent the component from volatilizing from the plating solution 35 during the plating process, or to supplement the plating solution 35 with the component volatilized from the plating solution 35 during the plating process.

（洗浄工程）
次に、Ｃｏめっき処理が施された基板Ｗの表面に対して、リンス処理、後洗浄処理およびその後のリンス処理からなる洗浄工程Ｓ３０５が実行される。この洗浄工程Ｓ３０５は、上述の洗浄工程Ｓ３０１と略同一であるので、詳細な説明は省略する。 (Washing process)
Next, a cleaning step S305 including a rinsing process, a post-cleaning process, and a subsequent rinsing process is performed on the surface of the substrate W that has been subjected to the Co plating process. Since this cleaning step S305 is substantially the same as the above-described cleaning step S301, detailed description thereof is omitted.

（乾燥工程）
その後、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が実行される（Ｓ３０６）。例えば、ターンテーブル１１２を回転させることにより、基板Ｗに付着している液体が遠心力により外方へ飛ばされ、これによって基板Ｗが乾燥される。すなわち、ターンテーブル１１２が、基板Ｗの表面を乾燥させる乾燥機構としての機能を備えていてもよい。 (Drying process)
Thereafter, a drying process for drying the substrate W is executed (S306). For example, when the turntable 112 is rotated, the liquid adhering to the substrate W is blown outward by centrifugal force, thereby drying the substrate W. That is, the turntable 112 may have a function as a drying mechanism that dries the surface of the substrate W.

このようにして、一のめっき処理装置２０において、基板Ｗの表面に対して、はじめにＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＣｏめっきが化学還元めっきにより施される。   In this way, in one plating apparatus 20, the surface of the substrate W is first subjected to Pd plating by displacement plating, and then subjected to Co plating by chemical reduction plating.

その後、基板Ｗは、Ａｕめっき処理用の他のめっき処理装置２０に搬送されてもよい。この場合、他のめっき処理装置２０において、基板Ｗの表面に、置換めっきによりＡｕめっき処理が施される。Ａｕめっき処理の方法は、めっき液および洗浄液が異なる点以外は、Ｐｄめっき処理のための上述の方法と略同一であるので、詳細な説明は省略する。   Thereafter, the substrate W may be transported to another plating apparatus 20 for Au plating processing. In this case, in another plating apparatus 20, the surface of the substrate W is subjected to Au plating processing by displacement plating. The Au plating treatment method is substantially the same as the above-described method for Pd plating treatment except that the plating solution and the cleaning solution are different, and thus detailed description thereof is omitted.

（本実施の形態の作用効果）
このように、本実施の形態によれば、上述のように、空気より比熱容量が高い高温の加熱用ガスＧ（例えば水蒸気）を基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けて送り出すので、基板Ｗを効率的に加熱することができ、めっき液３５によるめっき層の成長を基板Ｗの面内で均一にすることができる。また、液排出機構１４０から排出されるめっき液に水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することができる。 (Operational effect of the present embodiment)
Thus, according to the present embodiment, as described above, the high-temperature heating gas G (for example, water vapor) having a higher specific heat capacity than air is sent toward the substrate W held by the substrate holding mechanism 110. The substrate W can be efficiently heated, and the growth of the plating layer by the plating solution 35 can be made uniform in the plane of the substrate W. Further, it is possible to prevent water and the like from being mixed with the plating solution discharged from the liquid discharge mechanism 140, and to easily reuse the plating solution.

また本実施の形態によれば、ガス送出機構１９０は、基板Ｗの中心領域Ａ１よりも基板Ｗの周縁領域Ａ２に向けて多くの加熱用ガスＧを送り出すよう構成されている。このため、基板Ｗの周縁領域Ａ２の周辺の雰囲気の温度を重点的に高くすることができ、このことにより、めっき液３５やその他の部材を過剰に加熱することなく、めっき液３５が基板Ｗで流れることに起因する温度の低下を補償することができる。このため、めっき液３５の均一な温度分布を効率的に実現することができる。 Further, according to the present embodiment, the gas delivery mechanism 190 is configured to send more heating gas G toward the peripheral area A 2 of the substrate W than the central area A 1 of the substrate W. Therefore, the temperature of the atmosphere around the peripheral area A 2 of the substrate W can be intensively increased, Thus, without excessively heating the plating solution 35 and other members, the plating solution 35 is a substrate It is possible to compensate for a decrease in temperature caused by flowing at W. For this reason, the uniform temperature distribution of the plating solution 35 can be efficiently realized.

変形例
以下、本実施の形態の各変形例について説明する。 Modified Examples Hereinafter, modified examples of the present embodiment will be described.

上記実施の形態では、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４において、めっき液３５を第１吐出ノズル４５の吐出口４６から吐出するのと略同時に、加熱された加熱用ガスＧ（例えば水蒸気）の基板Ｗの裏面に向けての送り出しを開始する態様を説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４において、めっき液３５を第１吐出ノズル４５の吐出口４６から吐出するより前に、加熱用ガスＧ（例えば水蒸気）の基板Ｗの裏面に向けての送り出しを開始してもよい。   In the above embodiment, in the Co plating step S304, substantially simultaneously with the discharge of the plating solution 35 from the discharge port 46 of the first discharge nozzle 45, the heated heating gas G (for example, water vapor) is applied to the back surface of the substrate W. The aspect which starts sending out toward was demonstrated. However, the present invention is not limited to this. In the Co plating step S304, before the plating solution 35 is discharged from the discharge port 46 of the first discharge nozzle 45, the heating gas G (for example, water vapor) is applied to the back surface of the substrate W. You may start sending out.

この場合、追加のガス供給ユニット１８７（図４）は、不活性ガス（例えば窒素）をガス供給路１９３中の加熱用ガスＧに供給しても良い。このように、加熱用ガスＧとともに不活性ガス（例えば窒素）を混合して基板Ｗに向けて送り出すことにより、めっき液３５が供給される前の基板Ｗが、加熱用ガスＧによって酸化されることを防止することができる。   In this case, the additional gas supply unit 187 (FIG. 4) may supply an inert gas (for example, nitrogen) to the heating gas G in the gas supply path 193. In this manner, the inert gas (for example, nitrogen) is mixed with the heating gas G and sent toward the substrate W, whereby the substrate W before the plating solution 35 is supplied is oxidized by the heating gas G. This can be prevented.

また、上記実施の形態において、図２Ａ乃至図２Ｄにおいて一点鎖線で示されているように、下側送出口１９１よりも基板Ｗの中心側に位置し、下側送出口１９１から送り出された加熱用ガスＧを吸引する下側吸引口１９４がバックプレート１７１に形成されていてもよい。このような下側吸引口１９４を設けることにより、図２Ａにおいて符号Ｇ’が付された矢印で示されているように、基板Ｗの周縁領域Ａ２を加熱した後の加熱用ガスＧは、基板Ｗに沿って基板Ｗの中心側に向かって流れ、そして下側吸引口１９４から排出される。この場合、基板Ｗの中心領域に至る加熱用ガスＧの温度は、基板Ｗの周縁領域Ａ２に向けて送り出された際の温度よりも低くなっている。従って、下側吸引口１９４を設けることにより、基板Ｗの周縁領域Ａ２の周辺の雰囲気の温度が基板Ｗの中心領域Ａ１の周辺の雰囲気の温度よりも高いという温度分布を安定に生成することができる。 Further, in the above embodiment, as shown by a one-dot chain line in FIGS. 2A to 2D, the heating that is located closer to the center of the substrate W than the lower delivery port 191 and delivered from the lower delivery port 191. A lower suction port 194 for sucking the working gas G may be formed in the back plate 171. By providing such a lower suction port 194, such that the code G 'is indicated by arrows labeled in FIG. 2A, the heating gas G after heating the peripheral area A 2 of the substrate W, The liquid flows along the substrate W toward the center of the substrate W and is discharged from the lower suction port 194. In this case, the temperature of the heating gas G reaching the central region of the substrate W is lower than the temperature when it is sent out toward the peripheral region A 2 of the substrate W. Thus, by providing the lower suction port 194, stably generate a temperature distribution that is higher than the temperature of the atmosphere around the temperature of the atmosphere around the peripheral area A 2 of the substrate W in the central region A 1 of the substrate W be able to.

下側吸引口１９４によって吸引された加熱用ガスＧは、例えば、シャフト１７２を上下に貫通するガス吸引路１９５を介して回収される。回収された加熱用ガスＧは、外部に排出されてもよく、または、ガス供給機構１７０に戻されて再利用されてもよい。   The heating gas G sucked by the lower suction port 194 is recovered, for example, via a gas suction path 195 that vertically penetrates the shaft 172. The recovered heating gas G may be discharged to the outside, or may be returned to the gas supply mechanism 170 for reuse.

また、上記実施の形態では、加熱用ガスＧを基板Ｗの裏面に向けて送り出す態様を説明したが、これに限られることはなく、加熱用ガスＧをさらに基板Ｗの表面に向けて送り出してもよい。例えば、図６に示すように、基板Ｗの表面側であって第１吐出ノズル４５の側方にガスノズル１９６を設け、基板Ｗの裏面だけでなく基板Ｗの表面にも加熱用ガスＧを送り出しても良い。この場合、ガスノズル１９６は、ガス供給機構１７０に接続されており、制御機構１６０がガス供給機構１７０を制御することにより、ガスノズル１９６が基板Ｗの表面に向けて高温の加熱用ガスＧを送り出すようになっている。このガスノズル１９６は、バックプレート１７１に設けられた下側送出口１９１の場合と同様に、基板Ｗの中心領域Ａ１において単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量よりも基板Ｗの周縁領域Ａ２においての単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量の方が大きくなるよう構成されている。これによって、基板Ｗの表面側において、基板Ｗの周縁領域Ａ２の周辺の雰囲気の温度を、基板Ｗの中心領域Ａ１の周辺の雰囲気の温度よりも高くすることができる。これによって、基板Ｗ上のめっき液３５の温度が基板Ｗの周縁側に向かうにつれて低くなってしまうことを抑制することができ、このことにより、基板Ｗ上のめっき液３５の温度分布を位置に依らず略均一にすることができる。従って、めっき層の成長を基板Ｗの面内で均一にすることができる。 In the above-described embodiment, the mode in which the heating gas G is sent out toward the back surface of the substrate W has been described. However, the present invention is not limited to this, and the heating gas G is further sent out toward the surface of the substrate W. Also good. For example, as shown in FIG. 6, a gas nozzle 196 is provided on the front surface side of the substrate W and on the side of the first discharge nozzle 45, and the heating gas G is sent not only to the back surface of the substrate W but also to the front surface of the substrate W. May be. In this case, the gas nozzle 196 is connected to the gas supply mechanism 170, and the control mechanism 160 controls the gas supply mechanism 170 so that the gas nozzle 196 sends out the high-temperature heating gas G toward the surface of the substrate W. It has become. The gas nozzle 196, as in the case of the lower outlet 191 provided in the back plate 171, the peripheral region of the substrate W than the amount of the heating gas G blown per unit area in the central region A 1 of the substrate W The amount of the heating gas G sprayed per unit area in A 2 is configured to be larger. Thereby, the temperature of the atmosphere around the peripheral region A 2 of the substrate W can be made higher than the temperature of the atmosphere around the central region A 1 of the substrate W on the front surface side of the substrate W. As a result, it is possible to suppress the temperature of the plating solution 35 on the substrate W from becoming lower toward the peripheral side of the substrate W, and thereby the temperature distribution of the plating solution 35 on the substrate W is positioned. Regardless, it can be made substantially uniform. Accordingly, the growth of the plating layer can be made uniform in the plane of the substrate W.

あるいは、図７に示すように、ガスノズル１９６を用いることにより、基板Ｗの表面側からのみ基板Ｗの表面に向けて加熱用ガスＧを送り出し、基板Ｗの裏面には加熱用ガスＧを送り出さなくても良い。この場合においても、基板Ｗ表面におけるめっき液３５の温度を制御することができ、めっき層の成長を基板Ｗの面内で均一にすることができる。   Alternatively, as shown in FIG. 7, by using the gas nozzle 196, the heating gas G is sent out only from the front surface side of the substrate W toward the surface of the substrate W, and the heating gas G is not sent out to the back surface of the substrate W. May be. Even in this case, the temperature of the plating solution 35 on the surface of the substrate W can be controlled, and the growth of the plating layer can be made uniform in the plane of the substrate W.

さらに、図８Ａに示すように、基板Ｗの上方に、基板Ｗから離間してトッププレート１５１を配置しても良い。この場合、トッププレート１５１は、カップ１０５の開口１０５ａを覆うようカップ１０５上に配置されており、基板Ｗの表面の略全域を覆うようになっている。また、トッププレート１５１には、基板Ｗの表面に向けて加熱用ガスＧを送り出す上側送出口１９７、および、第１吐出ノズル４５の吐出口４６および第２吐出ノズル７０の吐出口７１に対応する位置に形成された開口１５２が設けられている。ここで、上側送出口１９７は、基板Ｗの中心領域において単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量よりも基板Ｗの周縁領域Ａ２において単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量の方が大きくなるようトッププレート１５１に形成されている。これによって、基板Ｗの表面の周縁領域Ａ２に対応する雰囲気を、基板Ｗの表面の中心領域に対応する雰囲気に比べて重点的に加熱することができる。 Further, as shown in FIG. 8A, a top plate 151 may be disposed above the substrate W so as to be separated from the substrate W. In this case, the top plate 151 is disposed on the cup 105 so as to cover the opening 105 a of the cup 105, and covers almost the entire surface of the substrate W. Further, the top plate 151 corresponds to the upper delivery port 197 that sends the heating gas G toward the surface of the substrate W, and the ejection port 46 of the first ejection nozzle 45 and the ejection port 71 of the second ejection nozzle 70. An opening 152 formed at the position is provided. Here, the upper outlet 197, the amount of the heating gas G blown per unit area in the peripheral area A 2 of the substrate W than the amount of the heating gas G blown per unit area in the central region of the substrate W It is formed on the top plate 151 so as to be larger. Thus, the atmosphere corresponding to the peripheral area A 2 of the surface of the substrate W, can be intensively heated in comparison with an atmosphere corresponding to the center region of the surface of the substrate W.

上側送出口１９７の具体的な構成が特に限られることはなく、「周縁領域Ａ２の方が中心領域Ａ１に比べて、単位面積あたりに吹き付けられる加熱用ガスＧの量が多い」という条件が満たされる限りにおいて、様々な形状が採用され得る。以下、トッププレート１５１に形成される上側送出口１９７の例について、図８Ｂ乃至図８Ｄを参照して説明する。図８Ｂ乃至図８Ｄは各々、上側送出口１９７が形成されたトッププレート１５１の一例を示す平面図である。なお図８Ｂ乃至図８Ｄにおいて、トッププレート１５１の上方に配置される基板Ｗとの対応関係を示すため、基板Ｗが点線で示されている。 Never specific configuration of the upper outlet 197 is particularly limited, provided that "compared to the central region A 1 towards the peripheral area A 2, the larger amount of the heating gas G blown per unit area" As long as is satisfied, various shapes can be adopted. Hereinafter, an example of the upper delivery port 197 formed in the top plate 151 will be described with reference to FIGS. 8B to 8D. 8B to 8D are each a plan view showing an example of a top plate 151 in which an upper delivery port 197 is formed. 8B to 8D, the substrate W is indicated by a dotted line in order to show the correspondence with the substrate W arranged above the top plate 151.

例えば図８Ｂに示すように、基板Ｗの半径方向に沿って一列に、複数の円形の上側送出口１９７がトッププレート１５１に形成されていてもよい。また図８Ｃに示すように、基板Ｗの同心円上に並ぶ多数の円形の上側送出口１９７がトッププレート１５１に形成されていてもよい。若しくは図８Ｄに示すように、基板Ｗの円周方向に沿って延びるスリット状の上側送出口１９７がトッププレート１５１に形成されていてもよい。各上側送出口１９７には、ガス供給路１９８を介してガス供給機構１７０から加熱用ガスＧが供給される。なお、各１９７から送り出される加熱用ガスＧの温度および圧力がそれぞれ等しい場合、上述の条件は、「トッププレート１５１のうち基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する領域に形成された上側送出口１９７の面積の方が、基板Ｗの中心領域Ａ１に対応する領域に形成された上側送出口１９７の面積よりも、基板Ｗの単位面積あたりで比べた場合に大きくなっている」という条件に等しい。 For example, as shown in FIG. 8B, a plurality of circular upper delivery ports 197 may be formed on the top plate 151 in a line along the radial direction of the substrate W. Further, as shown in FIG. 8C, a large number of circular upper delivery ports 197 arranged on concentric circles of the substrate W may be formed in the top plate 151. Alternatively, as shown in FIG. 8D, a slit-like upper delivery port 197 extending along the circumferential direction of the substrate W may be formed in the top plate 151. A heating gas G is supplied from each gas supply mechanism 170 to each upper delivery port 197 via a gas supply path 198. In addition, when the temperature and pressure of the heating gas G sent out from each 197 are equal, the above-mentioned condition is “the upper delivery port 197 formed in the region corresponding to the peripheral region A 2 of the substrate W in the top plate 151. towards area, than the area of the upper outlet 197 formed in a region corresponding to the central region a 1 of the substrate W, is equal to the condition that increases going on "when compared per unit area of the substrate W .

なお図８Ｂ乃至図８Ｄにおいては、トッププレート１５１において、基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する領域だけでなく基板Ｗの中心領域Ａ１に対応する領域にも上側送出口１９７が形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、上側送出口１９７は、トッププレート１５１のうち基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する領域にのみ形成されていてもよい。 In FIG. 8B-8D, in the top plate 151, upper delivery port 197 in a region corresponding to the central region A 1 of the substrate W not only a region corresponding to the peripheral area A 2 of the substrate W is formed Example showed that. However, it is not limited thereto, the upper delivery port 197 may be formed only in a region corresponding to the peripheral area A 2 of the substrate W of the top plate 151.

さらに、トッププレート１５１は、昇降機構１５４に連結されており、制御機構１６０によって制御されることにより、カップ１０５とともに昇降可能となっている。また、トッププレート１５１は、昇降機構１５４によりカップ１０５に対して独立して昇降可能にもなっている。これにより、上述した基板保持工程Ｓ３００において、基板Ｗを基板保持機構１１０に対して搬入および搬出することが可能となる。   Further, the top plate 151 is connected to the elevating mechanism 154 and can be moved up and down together with the cup 105 by being controlled by the control mechanism 160. Further, the top plate 151 can be moved up and down independently of the cup 105 by the lifting mechanism 154. Thereby, the substrate W can be carried into and out of the substrate holding mechanism 110 in the above-described substrate holding step S300.

このように、基板Ｗの上方に、基板Ｗの表面側の略全域を覆うトッププレート１５１を設けたことにより、バックプレート１７１の下側送出口１９１およびトッププレート１５１の上側送出口１９７から送り出される加熱用ガスＧ、あるいはめっき液３５から発生したガス（例えば水蒸気）が基板Ｗとトッププレート１５１との間の空間に存在している。このことにより、基板Ｗおよびめっき液３５をより効率的に加熱することができ、めっき層の成長を基板Ｗの面内で均一にすることがより確実になる。   As described above, by providing the top plate 151 that covers substantially the entire region on the surface side of the substrate W above the substrate W, the substrate W is sent out from the lower outlet 191 of the back plate 171 and the upper outlet 197 of the top plate 151. A gas G (for example, water vapor) generated from the heating gas G or the plating solution 35 exists in a space between the substrate W and the top plate 151. As a result, the substrate W and the plating solution 35 can be heated more efficiently, and the growth of the plating layer can be made more uniform in the plane of the substrate W.

また、図８Ａ乃至図８Ｄにおいて一点鎖線で示すように、図２Ａ乃至図２Ｄに示す実施の形態の場合と同様に、上側送出口１９７よりも基板Ｗの中心側に位置し、上側送出口１９７から送り出された加熱用ガスＧを吸引する上側吸引口１９９がトッププレート１５１に形成されていてもよい。このような上側吸引口１９９を設けることにより、図８Ａにおいて符号Ｇ’が付された矢印で示されているように、基板Ｗの周縁領域Ａ２を加熱した後の加熱用ガスＧは、基板Ｗに沿って基板Ｗの中心側に向かって流れ、そして上側吸引口１９９から排出される。この場合、基板Ｗの中心領域Ａ１に至る加熱用ガスＧの温度は、基板Ｗの周縁領域Ａ２に向けて送り出された際の温度よりも低くなっている。従って、上側吸引口１９９を設けることにより、基板Ｗの周縁領域Ａ２の周辺の雰囲気の温度が基板Ｗの中心領域Ａ１の周辺の雰囲気の温度よりも高いという温度分布を安定に生成することができる。 8A to 8D, as indicated by the alternate long and short dash line, as in the case of the embodiment shown in FIGS. 2A to 2D, the upper delivery port 197 is located closer to the center of the substrate W than the upper delivery port 197. An upper suction port 199 that sucks the heating gas G sent from the top plate 151 may be formed in the top plate 151. By providing such an upper suction port 199, the heating gas G after heating the peripheral region A 2 of the substrate W as shown by the arrow labeled G ′ in FIG. It flows toward the center side of the substrate W along W and is discharged from the upper suction port 199. In this case, the temperature of the heating gas G reaching the central region A 1 of the substrate W is lower than the temperature when fed toward the peripheral area A 2 of the substrate W. Thus, by providing the upper suction port 199, the temperature around the atmosphere of the peripheral area A 2 of the substrate W generates a stable temperature distribution that is higher than the temperature of the atmosphere around the central area A 1 of the substrate W Can do.

また、図８Ａに示す形態において、図６に示す形態の場合と同様に、バックプレート１７１の下側送出口１９１から基板Ｗの裏面に向けて加熱用ガスＧをさらに送り出してもよい。   In the form shown in FIG. 8A, the heating gas G may be further sent out from the lower outlet 191 of the back plate 171 toward the back surface of the substrate W, as in the case shown in FIG.

また、図６乃至図８Ｄにおいて、上記実施の形態と同様、追加のガス供給ユニット１８７（図４）を用いることにより、ガスノズル１９６または上側送出口１９７から送り出される加熱用ガスＧに、めっき液３５に含まれる成分（例えばアンモニア）および／または不活性ガス（例えば窒素）を混合しても良い。   Further, in FIGS. 6 to 8D, the plating solution 35 is added to the heating gas G delivered from the gas nozzle 196 or the upper delivery port 197 by using the additional gas supply unit 187 (FIG. 4) as in the above embodiment. A component (for example, ammonia) and / or an inert gas (for example, nitrogen) may be mixed.

さらに、図６乃至図８Ｄに示す形態では、Ｃｏめっき工程Ｓ３０４において、ガスノズル１９６または上側送出口１９７からから基板Ｗの表面側に加熱用ガスＧを送り出すタイミングは、必ずしも第１吐出ノズル４５の吐出口４６からめっき液３５を吐出するタイミングと略同時とは限らない。基板Ｗ表面におけるめっき液３５の温度が低下することを補償するのに十分であれば、めっき液３５を第１吐出ノズル４５の吐出口４６から吐出するよりも後に、加熱用ガスＧをガスノズル１９６または上側送出口１９７から基板Ｗの表面に向けて送り出してもよい。   Furthermore, in the form shown in FIGS. 6 to 8D, the timing at which the heating gas G is sent from the gas nozzle 196 or the upper delivery port 197 to the surface side of the substrate W in the Co plating step S304 is not necessarily the ejection of the first ejection nozzle 45. The timing at which the plating solution 35 is discharged from the outlet 46 is not necessarily substantially the same as the timing. If it is sufficient to compensate for the temperature drop of the plating solution 35 on the surface of the substrate W, the heating gas G is supplied to the gas nozzle 196 after the plating solution 35 is discharged from the discharge port 46 of the first discharge nozzle 45. Alternatively, it may be sent out from the upper delivery port 197 toward the surface of the substrate W.

なお、図６乃至図８Ｄにおいて、図１乃至図４に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。   6 to 8D, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

さらに、上記各実施の形態においては、ガス送出機構１９０から鉛直方向に沿って基板Ｗに向けて加熱用ガスＧが吹き付けられる例を示したが、これに限られるものではない。例えば、ガス送出機構１９０は、水平方向に沿って基板Ｗの周縁側から中心側に向かうよう加熱用ガスＧを基板Ｗに向けて送り出してもよい。この場合も、基板Ｗの周縁領域Ａ２に対応する雰囲気の温度を重点的に高くすることができ、これによって、容易かつ効率的に、基板Ｗ上のめっき液の温度分布を位置に依らず略均一にすることができる。 Further, in each of the above-described embodiments, the example in which the heating gas G is sprayed from the gas delivery mechanism 190 toward the substrate W along the vertical direction is shown, but the present invention is not limited to this. For example, the gas delivery mechanism 190 may send the heating gas G toward the substrate W from the peripheral side to the center side of the substrate W along the horizontal direction. Again, the temperature of the atmosphere corresponding to the peripheral area A 2 of the substrate W can be intensively increased, thereby, easily and efficiently, regardless of the temperature distribution of the plating liquid on the substrate W in position It can be made substantially uniform.

また、上記各実施形態においては、所定の温度に加熱された加熱用ガスＧを基板Ｗに向けて送り出す例を示したが、これに限られるものではない。例えば、めっき処理中に加熱用ガスＧの温度を任意の温度に変化させてもよい。この場合はめっき処理中において指定した時間毎に温度を変化させてもよく、また、基板Ｗの回転数に応じて加熱用ガスＧの温度が変化するようにしてもよい。一例として、基板Ｗ上に初期のめっき層が薄く形成される工程の際のめっき処理の温度と、初期のめっき層上にさらなるめっき層が積層されていく工程の際のめっき処理の温度と、がそれぞれ最適な温度となるよう、加熱用ガスＧの温度を任意の温度に変化させることが考えられる。加熱用ガスＧの温度の変化については、例えば、ガス送出機構１９０に新たに加熱手段（図示しない）を設け温度を変えるようにしてもよく、または、所定の温度に加熱された加熱用ガスＧを基板Ｗに向けて送り出す際のガス送出機構１９０と基板Ｗとの距離(例えば、ガスノズル１９６と基板との距離)を近づけたり離したりすることで加熱用ガスＧの温度を変化させてもよい。これによって、基板Ｗ上のめっき液３５の温度をより細かく制御することでき、このため、より適切な条件下でめっき液３５の反応を進行させることができ、このことにより、めっき層の成長を基板Ｗの面内で略均一にすることができる。   Further, in each of the above embodiments, an example in which the heating gas G heated to a predetermined temperature is sent toward the substrate W has been shown, but the present invention is not limited to this. For example, the temperature of the heating gas G may be changed to an arbitrary temperature during the plating process. In this case, the temperature may be changed every specified time during the plating process, or the temperature of the heating gas G may be changed according to the number of rotations of the substrate W. As an example, the temperature of the plating process in the process of forming the initial plating layer thinly on the substrate W, the temperature of the plating process in the process of stacking the additional plating layer on the initial plating layer, It is conceivable that the temperature of the heating gas G is changed to an arbitrary temperature so that each becomes an optimum temperature. Regarding the change in the temperature of the heating gas G, for example, a new heating means (not shown) may be provided in the gas delivery mechanism 190 to change the temperature, or the heating gas G heated to a predetermined temperature. The temperature of the heating gas G may be changed by increasing or decreasing the distance between the gas delivery mechanism 190 and the substrate W (e.g., the distance between the gas nozzle 196 and the substrate) when delivering the gas toward the substrate W. . As a result, the temperature of the plating solution 35 on the substrate W can be controlled more finely. For this reason, the reaction of the plating solution 35 can be allowed to proceed under more appropriate conditions. It can be made substantially uniform in the plane of the substrate W.

さらにまた、上記実施の形態において、第１吐出ノズル４５から基板Ｗに向けて吐出される化学還元タイプのめっき液３５として、ＣｏＰめっき液が用いられる例を示した。しかしながら、用いられるめっき液３５はＣｏＰめっき液に限られることはなく、様々なめっき液３５が用いられ得る。例えば、化学還元タイプのめっき液３５として、ＣｏＷＢめっき液、ＣｏＷＰめっき液、ＣｏＢめっき液またはＮｉＰめっき液など、様々なめっき液３５が用いられ得る。   Furthermore, in the above embodiment, the CoP plating solution is used as the chemical reduction type plating solution 35 discharged from the first discharge nozzle 45 toward the substrate W. However, the plating solution 35 used is not limited to the CoP plating solution, and various plating solutions 35 can be used. For example, as the chemical reduction type plating solution 35, various plating solutions 35 such as a CoWB plating solution, a CoWP plating solution, a CoB plating solution, or a NiP plating solution may be used.

（実施例１）
直径３００ｍｍの基板Ｗを回転させながら、約８０度に加熱されたＮｉＰめっき液を基板Ｗの表面の中心領域Ａ１に向けて吐出した。これによって、約１０分間にわたって、基板Ｗに対するめっき処理をほどこした。この際、基板Ｗを上方から覆うようトッププレート１５１を配置した。また、トッププレート１５１に設けられた上側送出口１９７を用いて、約９０度に加熱された水蒸気からなる加熱用ガスＧを基板Ｗの表面の周縁領域Ａ２に向けて送り出した。 Example 1
While rotating the substrate W having a diameter of 300 mm, and the NiP plating solution is heated to about 80 degrees discharged toward the central region A 1 on the surface of the substrate W. As a result, the substrate W was plated for about 10 minutes. At this time, the top plate 151 was disposed so as to cover the substrate W from above. Further, the heating gas G made of water vapor heated to about 90 degrees was sent out toward the peripheral area A 2 on the surface of the substrate W using the upper outlet 197 provided in the top plate 151.

めっき処理の間における、基板Ｗ上の温度分布を測定した。結果を図９（ａ）に示す。また、めっき処理の後に得られたＮｉＰめっき層の厚みの分布を測定した。結果を図９（ｂ）に示す。なお図９（ａ）（ｂ）において、横軸は、基板Ｗの中心点からの位置を示している。具体的には、図９（ａ）（ｂ）の横軸において、「０」が基板Ｗの中心点に対応しており、「±１５０」が基板Ｗの周縁に対応している。   The temperature distribution on the substrate W during the plating process was measured. A result is shown to Fig.9 (a). Moreover, distribution of the thickness of the NiP plating layer obtained after the plating treatment was measured. The result is shown in FIG. 9A and 9B, the horizontal axis indicates the position from the center point of the substrate W. Specifically, on the horizontal axis of FIGS. 9A and 9B, “0” corresponds to the center point of the substrate W, and “± 150” corresponds to the periphery of the substrate W.

（比較例１）
加熱用ガスＧを基板Ｗに向けて送り出さなかったこと以外は実施例１の場合と同様にして、基板Ｗに対するめっき処理を実施した。この場合の、基板Ｗ上の温度分布の測定結果、および得られためっき層の厚みの分布の測定結果を、実施例１の結果と併せて図９（ａ）および図９（ｂ）に示す。 (Comparative Example 1)
The plating process for the substrate W was performed in the same manner as in Example 1 except that the heating gas G was not sent toward the substrate W. The measurement result of the temperature distribution on the substrate W and the measurement result of the thickness distribution of the obtained plating layer in this case are shown in FIG. 9A and FIG. 9B together with the result of Example 1. .

図９（ａ）に示すように、加熱用ガスＧを基板Ｗの表面の周縁領域Ａ２に向けて送り出すことにより、中心領域Ａ１における基板Ｗの温度と周縁領域Ａ２における基板Ｗの温度との差を小さくすることができた。この結果、図９（ｂ）に示すように、めっき層の成長を基板Ｗの面内で略均一にすることができた。 As shown in FIG. 9 (a), by feeding the heating gas G toward the peripheral area A 2 of the surface of the substrate W, the temperature of the substrate W in the temperature and the peripheral area A 2 of the substrate W in the central region A 1 It was possible to reduce the difference. As a result, as shown in FIG. 9B, the growth of the plating layer could be made substantially uniform in the plane of the substrate W.

２０ めっき処理装置
２１ 吐出機構
１１０ 基板保持機構
１９０ ガス送出機構 20 Plating Processing Device 21 Discharge Mechanism 110 Substrate Holding Mechanism 190 Gas Delivery Mechanism

Claims (13)

基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
前記基板を保持して回転させる基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて前記めっき液を吐出する吐出機構と、
空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスを前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて送り出すガス送出機構と、を備え、
前記ガス送出機構は、前記基板の中心領域よりも前記基板の周縁領域に向けて多くの前記加熱用ガスを送り出すよう構成されていることを特徴とするめっき処理装置。 In a plating apparatus that performs plating by supplying a plating solution to a substrate,
A substrate holding mechanism for holding and rotating the substrate;
A discharge mechanism that discharges the plating solution toward the substrate held by the substrate holding mechanism;
A gas delivery mechanism for delivering a high-temperature heating gas composed of a gas having a higher specific heat capacity than air toward the substrate held by the substrate holding mechanism;
The said gas delivery mechanism is comprised so that many said gas for a heating may be sent toward the peripheral area | region of the said board | substrate rather than the center area | region of the said board | substrate. 前記加熱用ガスは、水蒸気からなることを特徴とする請求項１記載のめっき処理装置。   The plating apparatus according to claim 1, wherein the heating gas is water vapor. 前記ガス送出機構は、前記基板の裏面側から前記加熱用ガスを送り出すことを特徴とする請求項１または２記載のめっき処理装置。   The plating apparatus according to claim 1, wherein the gas delivery mechanism sends out the heating gas from the back side of the substrate. 前記基板の裏面側に前記基板から間隙を空けて配置されたバックプレートをさらに備え、
前記ガス送出機構は、前記バックプレートに設けられた下側送出口から前記基板の裏面に向けて前記加熱用ガスを送り出すことを特徴とする請求項３記載のめっき処理装置。 A back plate disposed on the back side of the substrate with a gap from the substrate;
The said gas delivery mechanism sends out the said gas for a heating toward the back surface of the said board | substrate from the lower side delivery port provided in the said backplate, The plating processing apparatus of Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記バックプレートに、前記下側送出口よりも前記基板の中心側に位置し、前記下側送出口から送り出された前記加熱用ガスを吸引する下側吸引口が形成されていることを特徴とする請求項４記載のめっき処理装置。   The back plate is formed with a lower suction port that is located closer to the center of the substrate than the lower delivery port and sucks the heating gas delivered from the lower delivery port. The plating apparatus according to claim 4. 前記ガス送出機構は、前記基板の表面側から前記加熱用ガスを送り出すことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のめっき処理装置。   The plating apparatus according to claim 1, wherein the gas delivery mechanism sends out the heating gas from a surface side of the substrate. 前記基板の表面側に前記基板から間隙を空けて配置されたトッププレートをさらに備え、
前記ガス送出機構は、前記トッププレートに設けられた上側送出口から前記基板の表面に向けて前記加熱用ガスを送り出すことを特徴とする請求項６記載のめっき処理装置。 A top plate disposed on the surface side of the substrate with a gap from the substrate;
The plating apparatus according to claim 6, wherein the gas delivery mechanism feeds the heating gas from an upper delivery port provided in the top plate toward a surface of the substrate. 前記トッププレートに、前記上側送出口よりも前記基板の中心側に位置し、前記上側送出口から送り出された前記加熱用ガスを吸引する上側吸引口が形成されていることを特徴とする請求項７記載のめっき処理装置。   The upper suction port for sucking the heating gas sent from the upper delivery port is formed in the top plate, which is located closer to the center of the substrate than the upper delivery port. 7. The plating apparatus according to 7. 前記基板保持機構の周囲に配置され、上部に開口を有し、前記基板から飛散した前記めっき液を排出する液排出機構をさらに備え、
前記トッププレートは、前記基板に前記めっき液が供給される際、前記液排出機構の前記開口を上方から覆うよう配置されることを特徴とする請求項７または８記載のめっき処理装置。 It is arranged around the substrate holding mechanism, has an opening at the top, and further comprises a liquid discharge mechanism for discharging the plating solution scattered from the substrate,
9. The plating apparatus according to claim 7, wherein the top plate is disposed so as to cover the opening of the liquid discharge mechanism from above when the plating liquid is supplied to the substrate. 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
基板保持機構によって前記基板を保持する保持工程と、
前記基板を回転させる工程と、
前記基板に向けて吐出機構から前記めっき液を吐出するめっき工程と、を備え、
前記めっき工程は、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスを前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて送り出すガス送出工程を含み、
前記ガス送出工程において、前記加熱用ガスは、前記基板の中心領域よりも前記基板の周縁領域に向けて多く送り出されることを特徴とするめっき処理方法。 In a plating method for performing plating by supplying a plating solution to a substrate,
A holding step of holding the substrate by a substrate holding mechanism;
Rotating the substrate;
A plating step of discharging the plating solution from a discharge mechanism toward the substrate,
The plating step includes a gas delivery step of sending a high-temperature heating gas composed of a gas having a higher specific heat capacity than air toward the substrate held by the substrate holding mechanism,
In the gas delivery step, the heating gas is sent out more toward the peripheral region of the substrate than in the central region of the substrate. 前記加熱用ガスは、水蒸気からなることを特徴とする請求項１０記載のめっき処理方法。   The plating method according to claim 10, wherein the heating gas is water vapor. 前記基板の周縁領域に向けて送り出された前記加熱用ガスは、前記基板の中心領域に対応する位置に設けられた吸引口によって吸引されることを特徴とする請求項１０または１１記載のめっき処理方法。   The plating process according to claim 10 or 11, wherein the heating gas sent out toward the peripheral region of the substrate is sucked by a suction port provided at a position corresponding to a central region of the substrate. Method. めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記めっき処理方法は、
基板保持機構によって前記基板を保持する保持工程と、
前記基板を回転させる工程と、
前記基板に向けて吐出機構から前記めっき液を吐出するめっき工程と、を備え、
前記めっき工程は、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスを前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて送り出すガス送出工程を含み、
前記ガス送出工程において、前記加熱用ガスは、前記基板の中心領域よりも前記基板の周縁領域に向けて多く送り出される、方法からなっていることを特徴とする記憶媒体。 In a storage medium storing a computer program for causing a plating apparatus to execute a plating method,
The plating method is:
A holding step of holding the substrate by a substrate holding mechanism;
Rotating the substrate;
A plating step of discharging the plating solution from a discharge mechanism toward the substrate,
The plating step includes a gas delivery step of sending a high-temperature heating gas composed of a gas having a higher specific heat capacity than air toward the substrate held by the substrate holding mechanism,
The storage medium according to claim 1, wherein in the gas delivery step, the heating gas is sent out more toward the peripheral area of the substrate than in the central area of the substrate.
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