JP2013105798A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)オフ角を有するSiC基板1上に、ドリフト層2と、酸化膜31と、レジスト32とをこの順に形成する工程と、(b)酸化膜31に第1開口部31aを形成するともに、レジスト32に第2開口部32bを形成する工程と、(c)不純物を、酸化膜31及びレジスト32を介してドリフト層2にイオン注入することにより、p型領域13,23をドリフト層2の上部に形成する工程とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、この半導体装置は、n型(第1導電型)を有するワイドバンドギャップ半導体基板であるSiC基板1と、SiCを含むn型のドリフト層2と、p型(第2導電型)の不純物領域であるp型領域13,23と、絶縁膜17と、アノード電極(ショットキ電極)18と、カソード電極19と、メタライズ電極(配線電極)20とを備えている。
本発明の実施の形態2に係る半導体装置の構成は、実施の形態1とほぼ同じである。本実施の形態では、実施の形態1と製造方法が異なっている。なお、本実施の形態において、実施の形態1と同一または類似する部位には同一の符号を付与し、重複する詳細な説明は省略する。
Claims (8)
- 半導体素子の外周にpn接合からなる終端構造を設けた半導体装置であって、
オフ角を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上部に形成されて前記ドリフト層と前記pn接合を構成し、かつ、端部が中央部よりも深い第2導電型を有する不純物領域と
を備え、
前記不純物領域に含まれる前記第2導電型の不純物の濃度は、前記不純物領域の所定深さから深くなるにつれて低減し、その低減の程度は、前記中央部よりも前記端部のほうが緩やかである、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記半導体基板は、(0001)面から2〜10°のオフ角を有するSiC基板である、半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置であって、
前記不純物領域は、前記半導体素子の外周に複数配設されている、半導体装置。 - 半導体素子の外周にpn接合からなる終端構造を設けた半導体装置の製造方法であって、
(a)オフ角を有する半導体基板上に、第1導電型のドリフト層と、絶縁膜と、レジストとをこの順に形成する工程と、
(b)前記絶縁膜に第1開口部を形成するともに、前記レジストに、前記第1開口部と前記第1開口部周囲の前記絶縁膜であるスルー絶縁膜とを露出する第2開口部を形成する工程と、
(c)第2導電型の不純物を、前記絶縁膜及び前記レジストを介して前記ドリフト層にイオン注入することにより、前記ドリフト層と前記pn接合を構成し、かつ、端部が中央部よりも深い前記第2導電型を有する不純物領域を前記ドリフト層の上部に形成する工程と
を備え、
前記不純物領域に含まれる前記第2導電型の不純物の濃度は、前記不純物領域の所定深さから深くなるにつれて低減し、その低減の程度は、前記中央部よりも前記端部のほうが緩やかである、半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板は、(0001)面から2〜10°のオフ角を有するSiC基板である、半導体装置の製造方法。 - 請求項4または請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スルー絶縁膜は、厚さが20nm以上100nm以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スルー絶縁膜は、前記第1開口部周辺にテーパ形状を有している、半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記テーパ形状は、0.3μ以上1μm以下の横幅を持つ、半導体装置の製造方法。
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