JP2013104120A - Electroless plating apparatus - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To flow a plating solution more uniformly over the whole region of a substrate surface by a relatively simple configuration despite using a high-productivity batch processing method to form a plating film that has improved in-plane uniformity of a film thickness and a film shape.SOLUTION: An electroless plating apparatus includes: a plating tank 80 that stores a plating solution while forming an upward flow of the plating solution thereinside; a substrate holder 84 that holds a plurality of substrates W in parallel in a vertical direction and immerses the substrates into the plating solution in the plating tank 80; and a plurality of guide plates 150, 152 that respectively surround the peripheries of the substrates W that are held by the substrate holder 84 and immersed into the plating solution, and form plating solution flows continuous to plating solution flows directing along substrate surfaces in the outer peripheries of the respective substrates W.

Description

本発明は、無電解めっき装置に係り、特に生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、半導体ウェーハ等の基板の表面により均一な処理を安定して行うことができるようにした無電解めっき装置に関する。   The present invention relates to an electroless plating apparatus, and in particular, an electroless plating apparatus capable of stably performing uniform processing on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer while employing a highly productive batch processing method. About.

半導体チップ間の電気的な接続を行う３次元実装として、例えば、図１に示すように、ＣＰＵ１０の所定位置に設けたマイクロバンプ１２と、メモリ１４の所定位置に設けたマイクロバンプ１６を共に電極として用い、マイクロバンプ（電極）１２，１６を互いに接合することが提案されている。   For example, as shown in FIG. 1, for example, as shown in FIG. 1, the micro bump 12 provided at a predetermined position of the CPU 10 and the micro bump 16 provided at a predetermined position of the memory 14 are both electrodes as the three-dimensional mounting for electrically connecting the semiconductor chips. It is proposed that the microbumps (electrodes) 12 and 16 are joined to each other.

メモリ１４に設けたマイクロバンプ１６は、例えばＣｕ−Ｓｎからなる。ＣＰＵ１０に設けたマイクロバンプ１２は、例えばＡｌまたはＣｕからなるバンプパッド１８の表面に、例えば２〜１０μｍのＮｉめっき膜２０を成膜し、このＮｉめっき膜２０の表面に、例えば５０〜２００ｎｍのＡｕめっき膜２２を成膜して形成される。Ａｕめっき膜２２は、マイクロバンプ１２，１６の接合時に、例えばＣｕ−Ｓｎからなるマイクロバンプ１６へ拡散する。そのため、Ａｕめっき膜２２自身は、接合に影響しないが、Ｎｉめっき膜２０の表面の酸化を防止して接合強度を保つ役割を持つ。   The micro bumps 16 provided in the memory 14 are made of, for example, Cu—Sn. For example, the microbump 12 provided in the CPU 10 has a Ni plating film 20 of 2 to 10 μm formed on the surface of the bump pad 18 made of, for example, Al or Cu, and the surface of the Ni plating film 20 has a thickness of 50 to 200 nm, for example. An Au plating film 22 is formed. The Au plating film 22 diffuses into the micro bumps 16 made of, for example, Cu—Sn when the micro bumps 12 and 16 are joined. Therefore, the Au plating film 22 itself does not affect the bonding, but has a role of preventing the oxidation of the surface of the Ni plating film 20 and maintaining the bonding strength.

また、ＴＳＶ（Through Silicon Via）配線接続においても、図２に示すように、ＴＳＶ３０の表面側にＮｉめっき膜３２とＡｕめっき膜３４とを順次積層して形成した表面バンプ３６と、ＴＳＶ３０の裏面側に形成した裏面バンプ３８とを互いに接合することが提案されている。   Also in TSV (Through Silicon Via) wiring connection, as shown in FIG. 2, the surface bump 36 formed by sequentially laminating the Ni plating film 32 and the Au plating film 34 on the surface side of the TSV 30, and the back surface of the TSV 30 It has been proposed to join the back bumps 38 formed on the side.

上記のような、Ｎｉめっき膜２０，３２やＡｕめっき膜２２，３４を成膜する手法として、電解めっきに代わって、無電解めっきの採用が検討されている。また、ＮｉやＡｕの他に、無電解めっき可能なＣｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｒｈ，Ｒｕ等の単体材料および複合材料からなるめっき膜にあっても、電解めっきに代わって、無電解めっきの採用が検討されている。   As a technique for forming the Ni plating films 20 and 32 and the Au plating films 22 and 34 as described above, the use of electroless plating instead of electrolytic plating has been studied. Further, in addition to Ni and Au, in the case of plating films made of simple materials and composite materials such as Co, Pd, Pt, Cu, Sn, Ag, Rh, and Ru that can be electrolessly plated, instead of electrolytic plating. Adoption of electroless plating has been studied.

図１に示す、マイクロバンプ１２の下地金属（バンプパッド１８）には、ＡｌやＣｕ等が多く使われている。ＡｌやＣｕは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等のような触媒金属ではない。このため、めっき前処理として、下地金属がＡｌの場合はジンケート処理が、下地金属がＣｕの場合はＰｄ触媒付与処理（または初期通電）が一般に行われる。Ａｌ表面のジンケート処理では、一般に、置換めっきによってＡｌ表面に亜鉛を付与する。無電解めっきに際して、亜鉛は、無電解めっき可能な触媒金属に置換される。   As the base metal (bump pad 18) of the micro bump 12 shown in FIG. Al and Cu are not catalytic metals such as Fe, Co, Ni, Pd, Pt and the like. For this reason, as a pretreatment for plating, a zincate process is generally performed when the base metal is Al, and a Pd catalyst application process (or initial energization) is performed when the base metal is Cu. In the zincate treatment on the Al surface, zinc is generally applied to the Al surface by displacement plating. In the electroless plating, zinc is replaced with a catalyst metal that can be electrolessly plated.

無電解めっき装置は、一般に、基板を一枚ずつ処理する枚葉処理方式を採用した無電解めっき装置と、複数枚の基板を同時に保持して処理するバッチ処理方式を採用した無電解めっき装置に大別される。無電解めっきのめっきレートは、一般に１〜２０μｍ／ｓで、電解めっきのめっきレートと比較して格段に遅い。このため、無電解めっきをバンプ形成等の多大な時間を要する処理に適用する場合には、枚葉処理方式よりバッチ処理方式を検討するのが一般的である。バッチ処理方式の無電解めっき装置は、同一フットプリントでのスループットが枚葉処理方式のものに比べて非常に高いという利点がある。   Electroless plating equipment is generally classified into electroless plating equipment that employs a single wafer processing system that processes substrates one by one and electroless plating equipment that employs a batch processing system that holds and processes multiple substrates simultaneously. Broadly divided. The plating rate of electroless plating is generally 1 to 20 μm / s, which is much slower than the plating rate of electrolytic plating. For this reason, when applying electroless plating to a process that requires a great amount of time such as bump formation, it is common to consider a batch processing method rather than a single wafer processing method. The batch processing type electroless plating apparatus has an advantage that the throughput in the same footprint is very high as compared with the single wafer processing type.

バッチ処理方式を採用した基板処理装置として、出願人は、複数枚の基板を保持して処理槽内の処理液に浸漬させる基板ホルダを、複数枚の基板を保持したまま処理槽内の処理液中で回転させるようにしたものを提案している（特許文献１参照）。また、平板状の被めっき物表面に、均一な液流動を生じさせる無電解めっき槽として、被めっき物の両側に配置され同一方向に回転することにより被めっき物と案内板との間にめっき液の流れを形成する一対のインペラーを備え、このインペラーの回転方向を周期的に反転させるようにしたものが提案されている（特許文献２参照）。   As a substrate processing apparatus adopting a batch processing method, the applicant applies a substrate holder for holding a plurality of substrates and immersing them in a processing solution in the processing tank, and a processing liquid in the processing tank while holding the plurality of substrates. The thing which was made to rotate in is proposed (refer patent document 1). Also, as an electroless plating tank that generates a uniform liquid flow on the surface of the plate-shaped object, plating is arranged between the object to be plated and the guide plate by rotating in the same direction placed on both sides of the object to be plated. A pair of impellers that form a liquid flow is proposed, and the rotation direction of the impellers is periodically reversed (see Patent Document 2).

特開２００９−５７５９３号公報JP 2009-57593 A 特開平５−３１１４５０号公報JP-A-5-31450

無電解めっきでは、被めっき物としての基板の表面に沿っためっき液の流れの状態が、基板の表面に形成されるめっき膜の膜厚や膜形状に大きく影響することが知られている。   In electroless plating, it is known that the state of the flow of a plating solution along the surface of a substrate as an object to be plated greatly affects the film thickness and film shape of a plating film formed on the surface of the substrate.

従来のバッチ処理方式を採用した無電解めっき装置としては、図３に示すように、側板４０に水平に設けた複数の支持棒４２で複数枚の基板Ｗを下方から支持して鉛直方向に並列に保持する基板ホルダ４４を備え、図示しないめっき槽内を上向きに流れるめっき液中に、基板ホルダ４４で保持した複数枚の基板を同時に浸漬させるようにしたものが広く知られている。   As shown in FIG. 3, the electroless plating apparatus adopting the conventional batch processing method supports a plurality of substrates W from below by a plurality of support bars 42 provided horizontally on the side plate 40, and is arranged in parallel in the vertical direction. It is widely known that a plurality of substrates held by the substrate holder 44 are simultaneously immersed in a plating solution flowing upward in a plating tank (not shown).

このように、上向きに流れるめっき液中に基板ホルダ４４で鉛直方向に並列に保持した複数枚の基板Ｗを同時に浸漬させると、図４に示すように、基板Ｗの下部にあっては、基板Ｗとの衝突によって基板から離れる方向に向かうめっき液の流れが、基板Ｗの上部にあっては、めっき液の回り込みによって、互いに近づく方向に向かうめっき液の流れがそれぞれ生じる。このように、基板Ｗの外周部でめっき液の流れに乱れが生じると、基板Ｗの表面に形成されるめっき膜の膜厚や膜形状が基板の中心部と外周部で異なってしまう。   As described above, when a plurality of substrates W held in parallel in the vertical direction by the substrate holder 44 are simultaneously immersed in the plating solution flowing upward, as shown in FIG. The flow of the plating solution that moves away from the substrate due to the collision with W occurs in the upper part of the substrate W, and the flow of the plating solution that moves toward each other occurs due to the wraparound of the plating solution. Thus, when the flow of the plating solution is disturbed at the outer peripheral portion of the substrate W, the film thickness and film shape of the plating film formed on the surface of the substrate W are different between the central portion and the outer peripheral portion of the substrate.

本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにした無電解めっき装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the plating solution flows more uniformly over the entire surface of the substrate with a relatively simple configuration while adopting a highly productive batch processing method. Thus, an object of the present invention is to provide an electroless plating apparatus capable of forming a plating film with improved in-plane uniformity of film thickness and film shape.

請求項１に記載の発明は、内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽と、複数枚の基板を鉛直方向に並列に保持して前記めっき槽内のめっき液に浸漬させる基板ホルダと、前記基板ホルダで保持しためっき液に浸漬させた各基板の外周部をそれぞれ囲繞して、各基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板を有することを特徴とする無電解めっき装置である。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a plating tank for holding a plating solution while forming a flow of an upward plating solution inside, and plating in the plating tank by holding a plurality of substrates in parallel in the vertical direction. A substrate holder to be immersed in the solution, and a peripheral portion of each substrate immersed in the plating solution held by the substrate holder, and plating that is continuous with the flow of the plating solution along the substrate surface on the outer periphery of each substrate An electroless plating apparatus having a plurality of guide plates for forming a liquid flow.

このように、めっき液に浸漬させた基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。   Thus, by forming a plating solution flow that is continuous with the plating solution flow along the substrate surface at the outer peripheral portion of the substrate immersed in the plating solution, the plating solution flow is disturbed at the outer peripheral portion of the substrate. This can be prevented, and a plating film with improved in-plane uniformity of film thickness and film shape can be formed on the surface of the substrate.

請求項２に記載の発明は、前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、１〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき装置である。
前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、可能な限り狭いことが望ましいが、加工精度等を考慮すると、１〜１０ｍｍであることが好ましい。 According to a second aspect of the present invention, the distance between the substrate held by the substrate holder and the guide plate surrounding the substrate is 1 to 10 mm. It is a plating device.
The distance between the substrate held by the substrate holder and the guide plate surrounding the periphery of the substrate is preferably as narrow as possible, but is preferably 1 to 10 mm in consideration of processing accuracy and the like.

請求項３に記載の発明は、前記複数枚のガイド板は、互いに隣接するガイド板間に配置されて鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板で互いに平面格子状に連結されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき装置である。
これにより、基板の側方を上方に向かって流れるめっき液の流れに乱れが生じること連結板で防止しつつ、ガイド板自体の強度及び安定性を増大させることができる。 According to a third aspect of the present invention, the plurality of guide plates are connected to each other in a planar grid pattern by a plurality of connecting plates arranged between adjacent guide plates and extending linearly in the vertical direction. An electroless plating apparatus according to claim 1 or 2, wherein
Thereby, it is possible to increase the strength and stability of the guide plate itself while preventing the turbulence in the flow of the plating solution flowing upward on the side of the substrate with the connecting plate.

請求項４に記載の発明は、前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記基板ホルダに、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。   According to a fourth aspect of the present invention, the guide plate is held by the substrate holder and surrounded by the lower half of the lower half of the substrate immersed in the plating solution in the plating tank, and the upper half of the upper half of the substrate. The lower guide plate is attached to the substrate holder, and the upper guide plate is attached to the back surface of the lid that opens and closes the upper end opening of the plating tank. The electroless plating apparatus according to any one of claims 1 to 3.

請求項５に記載の発明は、前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記めっき槽の内部に、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。   The invention according to claim 5 is characterized in that the guide plate is held by the substrate holder and surrounded by the lower half of the lower half of the substrate immersed in the plating solution in the plating tank, and the upper half of the upper half of the substrate. The lower guide plate is attached to the inside of the plating tank, and the upper guide plate is attached to the back surface of the lid that opens and closes the upper end opening of the plating tank. The electroless plating apparatus according to any one of claims 1 to 3.

本発明の無電解めっき装置によれば、基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。   According to the electroless plating apparatus of the present invention, the flow of the plating solution that is continuous with the flow of the plating solution along the substrate surface is formed on the outer peripheral portion of the substrate, so that the flow of the plating solution is disturbed on the outer peripheral portion of the substrate. It is possible to prevent the occurrence and to form a plating film with higher in-plane uniformity of film thickness and film shape on the surface of the substrate.

マイクロバンプの接合例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of joining of a micro bump. ＴＳＶ配線の接続例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of a connection of TSV wiring. 従来の無電解めっき装置に使用されている基板ホルダを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the substrate holder currently used for the conventional electroless-plating apparatus. 上向きに流れるめっき液中に、図３で示す基板ホルダで保持した複数枚の基板を同時に浸漬させた時のめっき液の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of a plating solution when the several board | substrate hold | maintained with the board | substrate holder shown in FIG. 3 is simultaneously immersed in the plating solution which flows upward. バンプパッドの表面にＮｉめっき膜及びＡｕめっき膜を無電解めっきで形成する例を工程順に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example which forms Ni plating film and Au plating film on the surface of a bump pad by electroless plating in order of a process. 本発明の実施形態の無電解めっき装置を有する無電解めっきシステムの全体を示す縦断正面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a longitudinal front view which shows the whole electroless-plating system which has the electroless-plating apparatus of embodiment of this invention. 無電解Ｎｉめっき装置のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略縦断正面図である。It is a schematic longitudinal front view which shows the Ni plating tank and substrate holder of an electroless Ni plating apparatus. 無電解Ｎｉめっき装置のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略側断面図であるIt is a schematic sectional side view which shows the Ni plating tank and substrate holder of an electroless Ni plating apparatus. Ｎｉめっき槽の上端開口部を開閉する蓋体を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cover body which opens and closes the upper end opening part of Ni plating tank. 上向きに流れるめっき液中に、下側ガイド板及び上側ガイド板で周囲を囲繞した複数枚の基板を同時に浸漬させた時のめっき液の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of a plating solution when the several board | substrate which surrounded the periphery with the lower side guide plate and the upper side guide plate was immersed simultaneously in the plating solution which flows upward. 図６に示す無電解めっきシステムによる一連の処理を示すブロック図である。It is a block diagram which shows a series of processes by the electroless-plating system shown in FIG. 無電解Ｎｉめっき装置の他のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略縦断正面図である。It is a schematic longitudinal front view which shows the other Ni plating tank and substrate holder of an electroless Ni plating apparatus. 無電解Ｎｉめっき装置の他のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the other Ni plating tank and substrate holder of an electroless Ni plating apparatus. 下側ガイド板の連結板で連結して構成した平面格子状の下側ガイド板構造体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the planar lattice-like lower guide plate structure comprised by connecting with the connection plate of the lower guide plate. 下側ガイド板構造体と上側ガイド板構造体で基板の周囲を囲繞した状態を示す正面図である。It is a front view which shows the state which enclosed the circumference | surroundings of the board | substrate with the lower side guide plate structure and the upper side guide plate structure. 図１５のＢ−Ｂ線断面図である。It is the BB sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例において、同一または相当部材には、同一符号を付して重複した説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following examples, the same or corresponding members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

以下の例では、図５（ａ）に示すように、例えば直径Ｄが数μｍのＡｌからなるバンプパッド５０を設けた半導体ウェーハ等の基板Ｗを用意する。そして、図５（ｂ）に示すように、この基板Ｗの表面に、めっき前処理としてのジンケート処理を行って、バンプパッド５０の表面に置換めっきにより亜鉛めっき膜５２を形成し、この亜鉛めっき膜５２の表面に、無電解めっきによって、例えば１．６μｍのＮｉめっき膜５４を形成し、このＮｉめっき膜５４の表面に、無電解めっき（置換めっき）によって、例えば０．１μｍのＡｕめっき膜５６を形成するようにしている。   In the following example, as shown in FIG. 5A, a substrate W such as a semiconductor wafer provided with a bump pad 50 made of Al having a diameter D of several μm, for example, is prepared. Then, as shown in FIG. 5B, a zincate process as a pre-plating process is performed on the surface of the substrate W, and a zinc plating film 52 is formed on the surface of the bump pad 50 by displacement plating. An Ni plating film 54 of 1.6 μm, for example, is formed on the surface of the film 52 by electroless plating, and an Au plating film of 0.1 μm, for example, is formed on the surface of the Ni plating film 54 by electroless plating (substitution plating). 56 is formed.

図６は、本発明の実施形態の無電解めっき装置を有する無電解めっきシステムの全体を示す縦断正面図である。図６に示すように、この無電解めっきシステムは、前洗浄槽６０、水洗槽６２及び基板ホルダ６４を有する前洗浄装置６６と、ジンケート処理槽７０、水洗槽７２及び基板ホルダ７４を有するジンケート処理装置７６と、Ｎｉめっき槽８０、水洗槽８２及び基板ホルダ８４を有する、本発明の実施形態の無電解Ｎｉめっき装置８６と、Ａｕめっき槽９０、水洗槽９２及び基板ホルダ９４を有する、本発明の他の実施形態の無電解Ａｕめっき装置９６と、乾燥ユニット１００及び基板ホルダ１０２を有する乾燥装置１０４を備えている。   FIG. 6 is a longitudinal sectional front view showing the entire electroless plating system having the electroless plating apparatus according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, this electroless plating system includes a pre-cleaning device 66 having a pre-cleaning tank 60, a water-washing tank 62 and a substrate holder 64, a zincate processing tank 70, a water-washing tank 72 and a substrate holder 74. The present invention has an apparatus 76, an electroless Ni plating apparatus 86 according to an embodiment of the present invention having an Ni plating tank 80, a water washing tank 82, and a substrate holder 84, an Au plating tank 90, a water washing tank 92, and a substrate holder 94. An electroless Au plating apparatus 96 according to another embodiment, and a drying apparatus 104 having a drying unit 100 and a substrate holder 102 are provided.

更に、これらの基板ホルダ６４，７４，８４，９４，１０４と平行に、ガイド１０６に沿って走行自在な基板保持具１０８を有し、複数枚の基板を同時に搬送して各基板ホルダ６４，７４，８４，９４，１０４との間で複数枚の基板の受け渡しを行う装置間基板搬送装置１１０が配置されている。   Furthermore, a substrate holder 108 that can run along the guide 106 is provided in parallel with the substrate holders 64, 74, 84, 94, 104, and a plurality of substrates are conveyed simultaneously to each substrate holder 64, 74. , 84, 94, 104 is provided with an inter-device substrate transfer device 110 for transferring a plurality of substrates.

図７は、無電解Ｎｉめっき装置８６のＮｉめっき槽８０と基板ホルダ８４を示す概略縦断正面図で、図８は、同じく概略側断面図である。図７及び図８に示すように、Ｎｉめっき槽８０は、処理液としてのＮｉめっき液を内部に保持する、内槽１２０と外槽１２２とを有しており、内槽１２０と外槽１２２との間にオーバフロー槽１２４が形成されている。Ｎｉめっき槽８０のオーバフロー槽１２４の底部には、ポンプ１２６、温度調整器１２８及びフィルタ１３０を介装しためっき液循環ライン１３２の一端が接続され、このめっき液循環ライン１３２の他端は、内槽１２０の底部に接続されている。更に、内槽１２０の底部には、めっき液の流れを整える整流板１３４が配置されている。   FIG. 7 is a schematic longitudinal sectional front view showing the Ni plating tank 80 and the substrate holder 84 of the electroless Ni plating apparatus 86, and FIG. 8 is also a schematic sectional side view. As shown in FIGS. 7 and 8, the Ni plating tank 80 includes an inner tank 120 and an outer tank 122 that hold an Ni plating solution as a processing solution therein, and the inner tank 120 and the outer tank 122. An overflow tank 124 is formed between the two. One end of a plating solution circulation line 132 including a pump 126, a temperature regulator 128 and a filter 130 is connected to the bottom of the overflow vessel 124 of the Ni plating vessel 80. The other end of the plating solution circulation line 132 is It is connected to the bottom of the tank 120. Furthermore, a rectifying plate 134 that arranges the flow of the plating solution is disposed at the bottom of the inner tank 120.

これによって、Ｎｉめっき槽８０内のＮｉめっき液（処理液）は、ポンプ１２６の駆動に伴って、フィルタ１３０でフィルタリングされ、温度調整器１２８で、例えば８０℃に温度が調整されながら、内槽１２０の内部を上方に向かって流れ、オーバフロー槽１２４内に流入して循環するようになっている。   As a result, the Ni plating solution (treatment solution) in the Ni plating tank 80 is filtered by the filter 130 as the pump 126 is driven, and the temperature is adjusted to, for example, 80 ° C. by the temperature regulator 128 while the inner tank is being adjusted. It flows through the inside of 120 upward, flows into the overflow tank 124 and circulates.

Ａｕめっき槽９０は、処理液としてＡｕめっき液を使用し、Ａｕめっき液（処理液）の温度を、例えば７５℃に調整する以外は、Ｎｉめっき槽８０とほぼ同様な構成を有している。前洗浄槽６０は、処理液として、例えば一般に温度を調整する必要がない（常温で使用される）硝酸（前洗浄液）を使用し、温度調整器１２８を省略している点以外は、Ｎｉめっき槽８０とほぼ同様な構成を有している。ジンケート処理槽７０は、処理液として、例えば水酸化ナトリウムベースの酸化亜鉛含有液からなるジンケート液を使用し、ジンケート液（処理液）の温度を、例えば５０℃に調整する以外は、Ｎｉめっき槽８０とほぼ同様な構成を有している。   The Au plating tank 90 has substantially the same configuration as the Ni plating tank 80 except that an Au plating liquid is used as the processing liquid and the temperature of the Au plating liquid (processing liquid) is adjusted to, for example, 75 ° C. . The pre-cleaning tank 60 uses, for example, nitric acid (pre-cleaning liquid) that does not generally require adjustment of the temperature (used at room temperature) as the processing liquid, and omits the temperature controller 128. It has substantially the same configuration as the tank 80. The zincate treatment tank 70 is a Ni plating tank except that, for example, a zincate liquid composed of a sodium hydroxide-based zinc oxide-containing liquid is used as the treatment liquid, and the temperature of the zincate liquid (treatment liquid) is adjusted to 50 ° C., for example. The configuration is almost the same as 80.

Ｎｉめっき槽８０の上端には、Ｎｉめっき槽８０の上端開口部を閉塞して、内部に保持したＮｉめっき液の蒸発を防止する蓋体１３６がヒンジ１３８（図９参照）を介して開閉自在に設けられている。このことは、Ａｕめっき槽９０にあっても同様である。   At the upper end of the Ni plating tank 80, a lid 136 that closes the upper end opening of the Ni plating tank 80 and prevents evaporation of the Ni plating solution held therein can be opened and closed via a hinge 138 (see FIG. 9). Is provided. The same applies to the Au plating tank 90.

図７及び図８に示すように、無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４は、側板１４０と、側板１４０に一端を取り付けて水平方向に延び、複数枚の基板Ｗを下方から支持する複数の支持棒１４２を有している。これにより、基板ホルダ８４は、基板Ｗを支持棒１４２で下方から支持して、複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを並列に保持するようになっている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the substrate holder 84 of the electroless Ni plating apparatus 86 includes a side plate 140 and a plurality of side plates 140 that have one end attached to the side plate 140 and extend in the horizontal direction and support a plurality of substrates W from below. A support bar 142 is provided. Thereby, the substrate holder 84 supports the substrate W from below with the support rod 142 and holds a plurality of (for example, 50) substrates W in parallel.

支持棒１４２で下部を支持して基板ホルダ８４で保持される基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する位置には、下側ガイド板１５０が支持棒に１４２に固定して配置されている。下側ガイド板１５０の厚さは、基板Ｗの厚さと同じ厚さに設定され、これによって、基板ホルダ８４で保持される基板Ｗの表面及び裏面と該基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド１５０の表面及び裏面は、共に同一平面をなすようになっている。   A lower guide plate 150 is fixed to the support rod 142 at a position surrounding the lower half of the substrate W supported by the support rod 142 and supported by the substrate holder 84. The thickness of the lower guide plate 150 is set to the same thickness as the substrate W, and thereby surrounds the front and back surfaces of the substrate W held by the substrate holder 84 and the periphery of the lower half of the substrate W. The front and back surfaces of the lower guide 150 are both flush with each other.

また、基板ホルダ８４で保持される基板Ｗと該基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板１５０との距離は、１〜１０ｍｍに設定されている。この基板ホルダ８４で保持される基板Ｗと該基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板１５０との距離は、可能な限り狭いことが望ましいが、加工精度等を考慮すると、１〜１０ｍｍであることが好ましい。   The distance between the substrate W held by the substrate holder 84 and the lower guide plate 150 surrounding the lower half of the substrate W is set to 1 to 10 mm. The distance between the substrate W held by the substrate holder 84 and the lower guide plate 150 surrounding the lower half of the substrate W is preferably as small as possible. 10 mm is preferable.

一方、Ｎｉめっき槽８０の上端開口部を開閉する蓋体１３６の裏面には、図９に模式図で示すように、蓋体１３６を閉めた時に、基板ホルダ８４で保持される基板Ｗの上半分の周囲を囲繞する位置に位置して、上側ガイド板１５２が取り付けられている。この上側ガイド板１５２の厚さは、下側ガイド板１５０と同様に、基板Ｗの厚さと同じ厚さに設定され、また基板ホルダ８４で保持される基板Ｗと該基板Ｗの上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板１５２との距離は、１〜１０ｍｍに設定されている。このことは、Ａｕめっき槽９０にあっても同様である。   On the other hand, on the back surface of the lid 136 that opens and closes the upper end opening of the Ni plating tank 80, as shown schematically in FIG. 9, when the lid 136 is closed, the top of the substrate W held by the substrate holder 84 is displayed. An upper guide plate 152 is attached at a position surrounding the periphery of the half. The thickness of the upper guide plate 152 is set to the same thickness as that of the substrate W, similarly to the lower guide plate 150, and the substrate W held by the substrate holder 84 and the periphery of the upper half of the substrate W The distance from the upper guide plate 152 that surrounds is set to 1 to 10 mm. The same applies to the Au plating tank 90.

これによって、基板ホルダ８４で保持した複数枚の基板ＷをＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させて、蓋体１３６を閉じた時に、基板ホルダ８４で保持した各基板Ｗは、下側ガイド板１５０と上側ガイド板１５２で、そのほぼ全周囲を囲繞されるようになっている。   Thus, when the plurality of substrates W held by the substrate holder 84 are immersed in the plating solution in the Ni plating tank 80 and the lid 136 is closed, each substrate W held by the substrate holder 84 is moved to the lower guide. The plate 150 and the upper guide plate 152 surround the entire periphery.

このように、基板ホルダ８４で保持した各基板Ｗのほぼ全周囲を下側ガイド板１５０と上側ガイド板１５２で囲繞した状態で、Ｎｉめっき槽８０の内部にめっき液の上向きの流れを形成すると、図１０に示すように、各基板Ｗの外周部に基板Ｗの表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れが形成される。つまり、下側ガイド板１５０の下部にあっては、下側ガイド板１５０との衝突によって基板から離れる方向に向かうめっき液の流れが、上側ガイド板１５２の上部にあっては、めっき液の回り込みによって、互いに近づく方向に向かうめっき液の流れがそれぞれ生じるが、これらのめっき液の流れは、基板Ｗの外周部に沿って流れるめっき液の流れに影響を与えることはない。   As described above, when an upward flow of the plating solution is formed inside the Ni plating tank 80 in a state where the entire periphery of each substrate W held by the substrate holder 84 is surrounded by the lower guide plate 150 and the upper guide plate 152. As shown in FIG. 10, a plating solution flow continuous with the plating solution flow along the surface of the substrate W is formed on the outer peripheral portion of each substrate W. That is, at the lower part of the lower guide plate 150, the flow of the plating solution toward the direction away from the substrate due to the collision with the lower guide plate 150, and when the upper part of the upper guide plate 152, the plating solution wraps around. However, the flow of the plating solution in a direction approaching each other occurs, but the flow of these plating solutions does not affect the flow of the plating solution flowing along the outer peripheral portion of the substrate W.

このように、基板Ｗの外周部に基板Ｗの表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板Ｗの表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。   Thus, by forming a plating solution flow that is continuous with the plating solution flow along the surface of the substrate W at the outer peripheral portion of the substrate W, it is possible to prevent disturbance of the plating solution flow at the outer peripheral portion of the substrate. Thus, a plating film with higher in-plane uniformity of film thickness and film shape can be formed on the surface of the substrate W.

なお、無電解Ａｕめっき装置９６の基板ホルダ９４も、上記無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４と同様な構成を有している。前洗浄装置６６の基板ホルダ６４、ジンケート処理装置７６の基板ホルダ７４、及び乾燥装置１０４の基板ホルダ１０２は、上記無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４の下側ガイド板１５０を除いた構成を有している。   The substrate holder 94 of the electroless Au plating apparatus 96 has the same configuration as the substrate holder 84 of the electroless Ni plating apparatus 86. The substrate holder 64 of the pre-cleaning device 66, the substrate holder 74 of the zincate processing device 76, and the substrate holder 102 of the drying device 104 have a configuration excluding the lower guide plate 150 of the substrate holder 84 of the electroless Ni plating device 86. Have.

次に、この例の無電解めっきシステムによる、一連の処理を、図１１を参照して説明する。   Next, a series of processes by the electroless plating system of this example will be described with reference to FIG.

先ず、前洗浄装置６６の基板ホルダ６４は、装置間基板搬送装置１１０の基板保持部１０８から複数枚の基板Ｗを同時に受け取って鉛直方向に保持する。そして、基板ホルダ６４を下降させて、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、前洗浄槽６０内の処理液（硝酸）に、例えば１分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面の酸化膜を除去する。   First, the substrate holder 64 of the pre-cleaning device 66 simultaneously receives a plurality of substrates W from the substrate holding unit 108 of the inter-substrate substrate transfer device 110 and holds them in the vertical direction. Then, the substrate holder 64 is lowered, and the plurality of substrates W held by the substrate holder 64 are immersed in the processing liquid (nitric acid) in the pre-cleaning tank 60 for, for example, 1 minute. The oxide film is removed.

次に、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、前洗浄槽６０内の処理液（硝酸）から引き上げ、水洗槽６２の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ６４を下降させて、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽６０内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面を水洗する。しかる後、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽６０内の処理液（純水）から引き上げる。   Next, the plurality of substrates W held by the substrate holder 64 are pulled up from the treatment liquid (nitric acid) in the pre-cleaning tank 60 and moved directly above the washing tank 62. Then, the substrate holder 64 is lowered, and the plurality of substrates W held by the substrate holder 64 are immersed in the processing liquid (pure water) in the washing tank 60 for, for example, 5 minutes. Wash with water. Thereafter, the plurality of substrates W held by the substrate holder 64 are pulled up from the processing liquid (pure water) in the washing tank 60.

次に、基板ホルダ６４で鉛直方向に保持した複数枚の基板Ｗを、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８を経由して、ジンケート処理装置７６の基板ホルダ７４に受け渡す。そして、基板ホルダ７４を下降させて、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、ジンケート処理槽７０内の処理液（ジンケート液）に、例えば３０秒浸漬させ、これによって、Ａｌからなるバンプパッド５０（図５参照）の表面の１回目のジンケート処理を行う。そして、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、ジンケート処理槽７０内の処理液（ジンケート液）から引き上げる。   Next, the plurality of substrates W held in the vertical direction by the substrate holder 64 are transferred to the substrate holder 74 of the zincate processing apparatus 76 via the substrate holder 108 of the inter-substrate substrate transfer apparatus 110. Then, the substrate holder 74 is lowered, and a plurality of substrates W held by the substrate holder 74 are immersed in a treatment liquid (zincate liquid) in the zincate treatment tank 70 for, for example, 30 seconds, thereby bumps made of Al. A first zincate process is performed on the surface of the pad 50 (see FIG. 5). Then, the plurality of substrates W held by the substrate holder 74 are pulled up from the processing liquid (zincate liquid) in the zincate processing tank 70.

次に、前述とほぼ同様に、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽７２の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ７４を下降させて、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽７２内の処理液（純水）に、例えば１分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面を水洗する。しかる後、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを水洗槽７２内の処理液（純水）から引き上げる。   Next, almost in the same manner as described above, the plurality of substrates W held by the substrate holder 74 are moved directly above the washing tank 72. Then, the substrate holder 74 is lowered, and the plurality of substrates W held by the substrate holder 74 are immersed in the treatment liquid (pure water) in the water rinsing tank 72, for example, for 1 minute, whereby the surface of the substrate W is Wash with water. Thereafter, the plurality of substrates W held by the substrate holder 74 are pulled up from the processing liquid (pure water) in the washing tank 72.

上記基板の硝酸中への浸漬及びその後の水洗、ジンケート液中への浸漬及びその後の水洗を１サイクルとして、このサイクルを２回繰返し、これによって、いわゆるダブルジンケート処理を行う。このように、ダブルジンケート処理を行うことで、Ａｌからなるバンプパッド５０（図５参照）の表面に、１回目のジンケート処理で粗く付与された亜鉛（亜鉛めっき膜）を硝酸で除去し、しかる後、バンプパッド５０の表面を、２回目のジンケート処理で細かく亜鉛に置換することができる。これによって、図５（ｂ）に示す亜鉛めっき膜５２を形成する。   This cycle is repeated twice, with the substrate immersed in nitric acid and then washed with water, and immersed in the zincate solution and then washed with water, whereby a so-called double zincate treatment is performed. In this way, by performing the double zincate treatment, the zinc (zinc plating film) roughly applied to the surface of the bump pad 50 made of Al (see FIG. 5) by the first zincate treatment is removed with nitric acid. Thereafter, the surface of the bump pad 50 can be finely replaced with zinc by the second zincate treatment. Thereby, the galvanized film 52 shown in FIG. 5B is formed.

次に、ダブルジンケート処置後の基板を、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８を経由して、無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４に受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様にして、基板ホルダ８４で鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Ｎｉめっき槽８０内の、例えば液温が８０℃のＮｉめっき液に、例えば５０分間浸漬させ、これによって、図５（ｂ）に示すＮｉめっき膜５４を形成する。   Next, the substrate after the double zincate treatment is transferred to the substrate holder 84 of the electroless Ni plating apparatus 86 via the substrate holder 108 of the inter-substrate substrate transfer apparatus 110. Then, in substantially the same manner as the above-described zincate treatment, the plurality of substrates held in the vertical direction by the substrate holder 84 are immersed in, for example, a Ni plating solution having a temperature of 80 ° C. in the Ni plating tank 80 for, for example, 50 minutes. Thus, the Ni plating film 54 shown in FIG. 5B is formed.

このめっき時に、ポンプ１２６を駆動することで、めっき液循環ライン１３２を通して、図１０に示すように、Ｎｉめっき槽８０の内部に上向きのめっき液の流れを形成する。すると、基板ホルダ８４で保持した各基板は、前述のように、下側ガイド板１５０と上側ガイド板１５２でほぼ全周囲を囲繞された状態で、Ｎｉめっき槽８０の内部にめっき液に浸漬されているため、各基板の外周部に基板の表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れが形成される。これによって、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めたＮｉめっき膜５４が形成される。このことは、下記のＡｕめっき膜にあっても同様である。しかる後、Ｎｉめっき後の基板を、水洗槽８２内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させて水洗する。   By driving the pump 126 during plating, an upward plating solution flow is formed inside the Ni plating tank 80 through the plating solution circulation line 132 as shown in FIG. Then, each substrate held by the substrate holder 84 is immersed in the plating solution inside the Ni plating tank 80 in a state where the entire periphery is surrounded by the lower guide plate 150 and the upper guide plate 152 as described above. Therefore, a plating solution flow that is continuous with the plating solution flow along the surface of the substrate is formed on the outer periphery of each substrate. As a result, the Ni plating film 54 with higher in-plane uniformity of film thickness and film shape is formed on the surface of the substrate. The same applies to the following Au plating film. Thereafter, the Ni-plated substrate is immersed in a treatment liquid (pure water) in the water washing tank 82 for 5 minutes, for example, and washed.

次に、Ｎｉめっき後の基板を、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８を経由して、無電解Ａｕめっき装置９６の基板ホルダ９４に受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様にして、基板ホルダ９４で鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Ａｕめっき槽９０内の、例えば液温が７５℃のＡｕめっき液に、例えば１０分間浸漬させ、これによって、図５（ｂ）に示すＡｕめっき膜５６を形成する。しかる後、Ａｕめっき後の基板を、水洗槽９２内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させて水洗する。   Next, the substrate after Ni plating is transferred to the substrate holder 94 of the electroless Au plating apparatus 96 via the substrate holder 108 of the inter-substrate substrate transfer apparatus 110. Then, in substantially the same manner as the above-described zincate treatment, a plurality of substrates held in the vertical direction by the substrate holder 94 are immersed in, for example, an Au plating solution having a liquid temperature of 75 ° C. in the Au plating tank 90 for 10 minutes, for example. As a result, an Au plating film 56 shown in FIG. 5B is formed. Then, the substrate after Au plating is immersed in a treatment liquid (pure water) in the water rinsing tank 92 for 5 minutes, for example, and washed with water.

次に、Ａｕめっき後の基板を、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８で保持して乾燥装置１０４の基板ホルダ１０２に受け渡す。そして、乾燥ユニット１００で、例えばエアブローまたはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を使用した乾燥方法で基板ホルダ１０２で保持した基板を乾燥させる。   Next, the substrate after Au plating is held by the substrate holder 108 of the inter-substrate substrate transfer device 110 and transferred to the substrate holder 102 of the drying device 104. Then, the substrate held by the substrate holder 102 is dried by the drying unit 100 by a drying method using, for example, air blow or IPA (isopropyl alcohol) vapor.

そして、乾燥後の基板を装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８で受け渡って次工程に搬送する。これにより、一連の無電解めっき処理を終了する。   Then, the dried substrate is transferred by the substrate holder 108 of the inter-substrate substrate transfer apparatus 110 and transferred to the next process. This completes a series of electroless plating processes.

なお、図１２及び図１３に示すように、下側ガイド板１５０を、Ｎｉめっき槽８０の内槽１２０の下部内周面に固定して、基板ホルダ８４で保持した基板ＷをＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させた時に、基板Ｗの周囲の下半分をＮｉめっき槽８０の内槽１２０に固定した下側ガイド板１５０で囲繞するようにしてもよい。このことは、Ａｕめっき槽９０にあっても同様である。   12 and 13, the lower guide plate 150 is fixed to the lower inner peripheral surface of the inner tank 120 of the Ni plating tank 80, and the substrate W held by the substrate holder 84 is placed in the Ni plating tank 80. When immersed in the inner plating solution, the lower half around the substrate W may be surrounded by the lower guide plate 150 fixed to the inner tank 120 of the Ni plating tank 80. The same applies to the Au plating tank 90.

また、図１４及び図１５に示すように、互いに隣り合う下側ガイド板１５０の間に位置して鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板１５４で下側ガイド板１５０を連結して構成した平面格子状の下側ガイド板構造体１５６と、互いに隣り合う上側ガイド板１５２の間に位置して鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板（図示せず）で下側ガイド板１５２を連結して構成した平面格子状の上側ガイド板構造体１５８で、支持棒１４２で下方を支持し基板ホルダ８４で保持してＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲を包囲するようにしてもよい。   Further, as shown in FIGS. 14 and 15, the lower guide plate 150 is connected by a plurality of connecting plates 154 that are positioned between the adjacent lower guide plates 150 and extend linearly in the vertical direction. The lower guide plate 152 is composed of a plurality of connecting plates (not shown) that are positioned between the planar guide-like lower guide plate structure 156 and the adjacent upper guide plates 152 and extend linearly in the vertical direction. Is a planar lattice-shaped upper guide plate structure 158 constructed by connecting the substrates, and the periphery of each substrate W supported by the support rod 142 and held by the substrate holder 84 and immersed in the plating solution in the Ni plating bath 80 May be surrounded.

このように、平面格子状の下側ガイド板構造体１５６及び上側ガイド板構造体１５８でＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲を包囲することで、図１６に示すように、基板Ｗの側方に格子状の流路を形成して、基板Ｗの側方を上方に向かって流れるめっき液の流れに乱れが生じることを連結板１５６で防止することができる。しかも、下側ガイド板構造体１５６にあっては、下側ガイド板１５０を連結板１５６で補強して、下側ガイド板１５０自体の強度及び安定性を増大させることができる。このことは、上側ガイド板構造体１５８にあっても同様である。   In this way, by surrounding the periphery of each substrate W immersed in the plating solution in the Ni plating tank 80 with the lower guide plate structure 156 and the upper guide plate structure 158 in the form of a planar lattice, it is shown in FIG. As described above, it is possible to prevent the disturbance of the flow of the plating solution flowing upward on the side of the substrate W by forming the grid-like flow path on the side of the substrate W with the connecting plate 156. Moreover, in the lower guide plate structure 156, the lower guide plate 150 can be reinforced by the connecting plate 156 to increase the strength and stability of the lower guide plate 150 itself. The same applies to the upper guide plate structure 158.

これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。   Although one embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.

５０ バンプパッド
５２ 亜鉛めっき膜
５４ Ｎｉめっき膜
５６ Ａｕめっき膜
６０ 前洗浄槽
６２，７２，８２，９２ 水洗槽
６４，７４，８４，９４，１０２ 基板ホルダ
６６ 前洗浄装置
７０ ジンケート処理槽
７６ ジンケート処理装置
８０ Ｎｉめっき槽
８６ 無電解Ｎｉめっき装置
９０ Ａｕめっき槽
９６ 無電解Ａｕめっき装置
１００ 乾燥ユニット
１０４ 乾燥装置
１０８ 基板保持具
１１０ 装置間基板搬送装置
１２８ 温度調節器
１３０ フィルタ
１３２ めっき液循環ライン
１３６ 蓋体
１４０ 側板
１４２ 支持棒
１５０ 下側ガイド板
１５２ 上側ガイド板
１５４ 連結板
１５６ 上側ガイド板構造体
１５８ 下側ガイド板構造体 50 Bump pad 52 Zinc plating film 54 Ni plating film 56 Au plating film 60 Pre-cleaning tanks 62, 72, 82, 92 Water-washing tanks 64, 74, 84, 94, 102 Substrate holder 66 Pre-cleaning apparatus 70 Jincate treatment tank 76 Zincate treatment Apparatus 80 Ni plating tank 86 Electroless Ni plating apparatus 90 Au plating tank 96 Electroless Au plating apparatus 100 Drying unit 104 Drying apparatus 108 Substrate holder 110 Inter-board substrate transfer apparatus 128 Temperature controller 130 Filter 132 Plating solution circulation line 136 Lid Body 140 side plate 142 support rod 150 lower guide plate 152 upper guide plate 154 connecting plate 156 upper guide plate structure 158 lower guide plate structure

Claims (5)

内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽と、
複数枚の基板を鉛直方向に並列に保持して前記めっき槽内のめっき液に浸漬させる基板ホルダと、
前記基板ホルダで保持してめっき液に浸漬させた各基板の周囲をそれぞれ囲繞して、各基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板を有することを特徴とする無電解めっき装置。 A plating tank for holding the plating solution while forming a flow of the plating solution upward in the interior;
A substrate holder that holds a plurality of substrates in parallel in the vertical direction and is immersed in the plating solution in the plating tank;
A plurality of sheets that surround the periphery of each substrate held by the substrate holder and immersed in the plating solution, and form a plating solution flow that is continuous with the plating solution flow along the substrate surface on the outer peripheral portion of each substrate An electroless plating apparatus comprising: a guide plate. 前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、１〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき装置。   The electroless plating apparatus according to claim 1, wherein a distance between the substrate held by the substrate holder and the guide plate surrounding the substrate is 1 to 10 mm. 前記複数枚のガイド板は、互いに隣接するガイド板間に配置されて鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板で互いに平面格子状に連結されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき装置。   The plurality of guide plates are arranged between adjacent guide plates and connected to each other in a planar grid pattern by a plurality of connecting plates extending linearly in the vertical direction. The electroless plating apparatus described. 前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、
前記下側ガイド板は前記基板ホルダに、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。 The guide plate includes a lower guide plate surrounding the lower half of the substrate held by the substrate holder and immersed in the plating solution in the plating tank, and an upper guide plate surrounding the upper half of the substrate. Become
The lower guide plate is attached to the substrate holder, and the upper guide plate is attached to the back surface of the lid that opens and closes the upper end opening of the plating tank. The electroless plating apparatus according to item. 前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、
前記下側ガイド板は前記めっき槽の内部に、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。 The guide plate includes a lower guide plate surrounding the lower half of the substrate held by the substrate holder and immersed in the plating solution in the plating tank, and an upper guide plate surrounding the upper half of the substrate. Become
The lower guide plate is attached to the inside of the plating tank, and the upper guide plate is attached to the back surface of the lid that opens and closes the upper end opening of the plating tank. The electroless plating apparatus according to claim 1.

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