JP2013093279A

JP2013093279A - 有機ｅｌデバイス製造装置

Info

Publication number: JP2013093279A
Application number: JP2011235965A
Authority: JP
Inventors: An Zushi; 庵圖師; Hiroki Kameyama; 大樹亀山; Makoto Fukushima; 真福島; Jae Hun Cheng; 載勳鄭; Sang-Woo Lee; 相雨李
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp; Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Hitachi High Tech Corp; Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2011-10-27
Filing date: 2011-10-27
Publication date: 2013-05-16
Also published as: TW201324675A; KR20130046340A; KR101411249B1; CN103094492A

Abstract

【課題】アクチュエータを設けることなく、基板を確実に保持できる有機ＥＬデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー９１と、基板搬送機から基板６を受取るための基板受けピン６６と、基板ホルダー昇降機構６８と、基板ホルダー９１の端部に設けられ、基板クランプ６１とクランプ支持金具６２とクランプ付勢バネからなる基板保持機構と、基板６を基板クランプ６１から解放するためのクランプ開閉ピン６７とを備え、クランプ支持金具６２は縦方向に回転し第１の腕６２ａ
と第２の腕６２ｃを有し、第１の腕６２ａの端には基板クランプ６１の一端が固定され、第２の腕６２ｃの端には縦方向に回転する回転部が設けられ、基板クランプ６１が基板６を基板ホルダー９１に押圧するよう、有機ＥＬデバイス製造装置を構成する。
【選択図】図５

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electro−Luminescence）デバイス製造装置に係わり、特に成膜時等において好適に基板を保持することのできる有機ＥＬデバイス製造装置に関する。

有機ＥＬデバイスを製造する有力な方法として真空蒸着法がある。真空蒸着法は、真空処理室内において、基板とマスクとを重ねた状態で処理ガスに晒し、蒸着処理を実施するものである。また、近年、処理基板は大型化しており、Ｇ６世代の基板サイズは１５００ｍｍ×１８００ｍｍになる。このような大型基板に対応するため、基板面を垂直に保持した状態で処理ガスに晒し、蒸着処理を実施することが行われている。下記の特許文献１には、基板面を垂直に保持した状態で蒸着処理を実施する技術が開示されている。

上述したように、真空処理室内において基板面を垂直に保持した状態で蒸着処理を実施する場合、安定した蒸着処理を行うためには、基板を安定して保持することが必要であり、基板を安定して保持するためには、基板を確実に保持することのできる基板保持機構を設けることが必要である。しかし、基板保持のためのアクチュエータ（動作装置）を、真空処理室内に設けた場合は、粉塵等により有機ＥＬデバイスが汚染される恐れがある。したがって、基板保持のためのアクチュエータを真空処理室内に設けることなく基板を確実に保持することが望まれていた。

特開２０１０−０８６９５６号公報

本発明の目的は、基板保持のためのアクチュエータを真空処理室内に設けることなく、基板を確実に保持することのできる有機ＥＬデバイス製造装置を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬデバイス製造装置においては、
真空処理室内に設けられ基板を載置するための基板ホルダーと、
前記真空処理室外に設けられた基板搬送機から基板を受取るための、前記真空処理室内に垂直方向に立設して固定された基板受けピンと、
前記基板受けピンに対し前記基板ホルダーを昇降させる基板ホルダー昇降機構と、
前記基板ホルダーの端部に設けられ、基板を前記基板ホルダーに保持するための基板保持機構と、
基板を前記基板保持機構から解放するための、前記真空処理室内に垂直方向に立設して固定されたクランプ開閉ピンとを備え、
前記基板保持機構は、基板を前記基板ホルダーに押圧する板状の基板クランプと、前記基板クランプを支持するクランプ支持金具と、前記基板クランプが基板を前記基板ホルダーに押圧するように付勢するバネとを有し、
前記クランプ支持金具は、水平方向の第１の軸を中心にして回転動作可能であり、前記第１の軸から延伸する第１の腕と第２の腕を有し、前記第１の腕の端には前記基板クランプの一端が固定され、前記第２の腕の端には、水平方向の第２の軸を中心にして回転動作可能な回転部が設けられ、前記第１の軸と前記２つの腕の端を結ぶ直線が３角形を形成する形状であって、
前記真空処理室外に設けられた基板搬送機から前記基板受けピンが基板を受取る状態では、前記第２の腕の回転部が前記クランプ開閉ピンにより押し上げられて、前記第１の腕と第２の腕を結ぶ直線が略水平の状態かつ前記基板クランプが略垂直の状態になり、前記受取った基板を前記基板ホルダーに載置した状態では、前記第１の腕と第２の腕を結ぶ直線が略垂直の状態かつ前記基板クランプが略水平の状態になり、前記基板クランプが基板を前記基板ホルダーに押圧する状態になることを特徴とする。

本発明によれば、基板保持のためのアクチュエータを真空処理室内に設けることなく、基板を確実に保持することのできる有機ＥＬデバイス製造装置を提供することができる。

本発明の実施形態における有機ＥＬデバイス製造装置を示す図である。本発明の実施形態における搬送チャンバと処理チャンバの構成の概要を示す図である。本発明の実施形態における搬送チャンバと処理チャンバの構成の模式図と動作説明図である。本発明の実施形態における動作フローを示す図である。本発明の実施形態における基板受取状態での基板保持機構を示す図である。本発明の実施形態における基板保持状態での基板保持機構を示す図である。本発明の実施形態における基板旋回手段及び基板密着手段を示す図である。本発明の実施形態におけるアライメント部の構成を示す図である。本発明の実施形態における基板マスク固定手段の実施例を示す図で、図７に前記実施例を加えた図である。

本発明の実施形態を、図１から図９を用いて説明する。有機ＥＬデバイス製造装置は、単に発光材料層(ＥＬ層)を形成し電極で挟むだけの構造ではなく、陽極の上に正孔注入層や輸送層、陰極の上に電子注入層や輸送層を形成するなど、様々な材料が薄膜としてなる多層構造を形成したり、基板を洗浄したりする。図１は、その製造装置の一例を示した水平断面図である。

本実施形態における有機ＥＬデバイス製造装置１００は、大別して処理対象の基板６(以下、単に基板ともいう)を搬入するロードクラスタ３、前記基板６を処理する４つのクラスタ（Ａ〜Ｄ）、各クラスタ間又はクラスタとロードクラスタ３あるいは次工程(封止工程)との間に設置された５つの受渡室４（４ａ〜４ｅ）から構成されている。本実施形態の有機ＥＬデバイス製造装置１００では、基板の蒸着面を上面にして搬送し、蒸着するときに基板を立てて蒸着する。

ロードクラスタ３は、前後に真空を維持するためにゲート弁１０を有するロードロック室３１と、前記ロードロック室３１から基板６を受取り、旋回して受渡室４ａに基板を搬入する搬送ロボット５Ｒからなる。各ロードロック室３１及び各受渡室４は、前後にゲート弁１０を有し、当該ゲート弁１０の開閉を制御し真空を維持しながら、ロードクラスタ３あるいは次のクラスタ等へ基板を受渡する。

各クラスタ（Ａ〜Ｄ）は、それぞれ、一台の搬送ロボット５を有する搬送チャンバ２と、搬送ロボット５から基板を受取り、所定の処理をする図面上で上下に配置された２つの処理チャンバ１(第１の添え字ａ〜ｄはクラスタを示し、第２の添え字ｕ、ｄは上側下側を示す)を有する。搬送チャンバ２と処理チャンバ１の間には、ゲート弁１０が設けてある。

図２は、搬送チャンバ２と処理チャンバ１の構成の概要を示す斜視図である。処理チャンバ１の構成は処理内容によって異なるが、真空で蒸着材料である発光材料を蒸着しＥＬ層を形成する真空蒸着チャンバ１ｂｕを例にとって説明する。図３は、搬送チャンバ２ｂと真空蒸着チャンバ１ｂｕの構成の模式図と動作説明図である。図２における搬送ロボット５は、全体を上下に移動可能(図３の矢印５９参照)で、左右に旋回可能な３リンク構造のアーム５７を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５８を上下二段に２本有する。
１本ハンドの場合は、基板を次の工程に渡すための回転動作、前の工程から基板を受取るための回転動作、及びこれに付随するゲート弁の開閉動作が搬入出処理の間に必要だが、上下二段にすることによって、片方のハンドに搬入する基板を持たせ、基板を保持していない方のハンドで真空蒸着チャンバから基板の搬出動作をさせた後、連続して搬入動作を行なうことができる。２本ハンドにするか１本ハンドにするかは要求される生産能力によって決める。以後の説明では、説明を簡単にするために１本ハンドで説明する。

一方、真空蒸着チャンバ１ｂｕは、大別して、発光材料を昇華させ基板６に蒸着させる蒸着部７と、基板６の必要な部分に蒸着させるために基板６とシャドウマスク８１の位置合せを行うアライメント部８と、及び搬送ロボット５と基板６の受渡しを行い、蒸着部７へ基板６を移動させる処理受渡部９からなる。
アライメント部８と処理受渡部９は、右側Ｒラインと左側Ｌラインの２系統設ける。本実施形態での処理の基本的な考え方は、一方のライン(例えばＲライン)で蒸着している間に、他方のＬラインでは基板６を搬出入し、基板６とシャドウマスク８１とのアライメントをし、蒸着する準備を完了させることである。この処理を交互に行なうことによって、蒸着材料を基板６に蒸着させずに無駄に昇華している時間を減少させることができる。

本実施形態では、図４に示すように、まず、（１）基板６を処理受渡部９に搬入し、基板ホルダー９１に固定する。この固定方法については後述する。その後、（２）前記基板をほぼ垂直に立て、次に、（３）基板６をシャドウマスク８１から一定の距離、例えば０．５ｍｍ離れた位置まで接近させ、（４）その状態でアライメントを行なう。アライメント終了後、（５）基板サイズが大きくても、基板６とシャドウマスク８１の間の隙間が数十μｍ以下になるように、基板６とシャドウマスク８１を密着させ、（６）磁石により基板６とシャドウマスク８１を吸着固定し、（７）蒸着材料を基板６に蒸着する。蒸着終了後は、（８）磁石による基板６とシャドウマスク８１の固定を解除し、（９）基板６をシャドウマスク８１から一定の距離を離し、（１０）基板６を水平にし、（１１）基板６を処理受渡部９から搬出する。

次に、上記本実施形態のステップである（１）〜（１０）ステップを実現する構成及び動作を順に説明する。
まず、（１）ステップを実現する構成及び動作を、図５と図６を用いて説明する。図５は、本発明の実施形態における基板受取状態での基板保持機構を示す図であり、真空処理室外に設けられた基板搬送機である搬送ロボット５から、基板６を、円柱状の基板受けピン６６が受取った状態である。図５において、基板受けピン６６は、基板６を支えるよう３本以上設けられ、基板ホルダー９１に設けられた貫通穴９１ａを垂直方向に貫き、真空処理室内の固定ベース６９に垂直方向に立設して固定されている。基板ホルダー９１の端は、垂直方向に延びる垂直端部９１ｂと接続され、垂直端部９１ｂの下部には、水平方向に延びる水平端部９１ｃが接続されている。垂直端部９１ｂと水平端部９１ｃから、基板ホルダー端部が構成される。水平端部９１ｃには、基板ホルダーサポート９１ｅを介して、基板ホルダー昇降機構６８が接続されている。基板ホルダー昇降機構６８は、固定された基板受けピン６６に対し、基板ホルダー９１を昇降させるものである。

水平端部９１ｃには、貫通穴９１ｄが設けられている。この貫通穴９１ｄを貫通して、円柱状のクランプ開閉ピン６７が、固定ベース６９に垂直方向に立設して固定されている。クランプ開閉ピン６７は、基板６を後述する基板保持機構から解放するためのものである。垂直端部９１ｂには、固定金具６５が取付けられ、固定金具６５に、略「く」の字型のクランプ支持金具６２が、水平方向の第１の軸６２ｃを中心にして、矢印Ｄのように回転動作するように設けられている。クランプ支持金具６２は、巻きバネ６３により、図５において左回転方向に付勢されている。

クランプ支持金具６２は、第１の軸６２ｃから延伸する第１の腕６２ａと第２の腕６２ｂを有し、第１の腕６２ａの端には基板クランプ６１の一端が固定され、第２の腕６２ｂの端には、回転部６４が設けられている。回転部６４は、水平方向の第２の軸６４ｃを中心にして回転動作可能である。回転部６４には、巻きバネ６３により、略下方向の力が働いており、クランプ開閉ピン６７の上部先端で、回転部６４を受け止めている。
かくして、第１の軸６２ｃと前記２つの腕６２ａ、６２ｂの端を結ぶ直線が３角形を形成する形状となっている。このように図５においては、第２の腕６２ｂの回転部６４がクランプ開閉ピン６７の上部先端に押され、第１の腕６２ａと第２の腕６２ｂを結ぶ直線が略水平の状態になり、基板クランプ６１が略垂直の状態になる。したがって、基板６を基板受けピン６６で受取ってから、基板ホルダー９１上に載置するまでの間、基板クランプ６１が妨げとなることがない。

基板クランプ６１は、弾性を有する金属製の板であり、その一端が、クランプ支持金具６２の第１の腕６２ａの端に固定され、他端が、基板ホルダー９１に載置された基板６を押圧する（後述の図６参照）。

このように、基板ホルダー９１の端部には、基板６を基板ホルダー９１に保持するための基板保持機構として、基板６を基板ホルダー９１に押圧する板状の基板クランプ６１と、基板クランプ６１を支持するクランプ支持金具６２と、基板クランプ６１が基板６を基板ホルダー９１に押圧するように付勢するバネ６３が設けられている。

次に、搬送ロボット５から基板６を基板受けピン６６で受取った後、基板６が、基板ホルダー９１上に載置されるまでの状態について説明する。図６は、本発明の実施形態における基板保持状態での基板保持機構を示す図であり、基板６が、基板ホルダー９１上に載置され、板状の基板クランプ６１により、基板ホルダー９１の上面に押圧されている。
図６においては、基板ホルダー９１が、基板ホルダー昇降機構６８により上昇され、基板受けピン６６の上部先端が、基板ホルダー９１の上面よりも低くなっている。これにより、基板６が、基板受けピン６６の上部先端から離れ、基板ホルダー９１上に載置される。

また、基板ホルダー９１が上昇したことにより、クランプ開閉ピン６７の上部先端が、水平端部９１ｃの上面近くに位置し、クランプ開閉ピン６７の上部先端と回転部６４が離間している。このとき、回転部６４には、巻きバネ６３により、略下方向の力が働いている。このように図６においては、巻きバネ６３のバネ力により、第１の腕６２ａと第２の腕６２ｂを結ぶ直線が、略垂直の状態になり、基板クランプ６１が略水平の状態になり、基板クランプ６１が基板６を基板ホルダー９１に押圧する状態になる。
図５から図６の状態に移る際に、回転部６４とクランプ開閉ピン６７の位置が水平方向にずれるが、回転部６４が、クランプ開閉ピン６７の上を回転しながら移動するので、粉塵等の発生を抑制することができる。

次に、図７を用いて、（２）（１０）を実現する基板旋回手段９２を説明する。図７は、上記ステップのうち、（２）（１０）を実現する基板旋回手段９２、及び（３）（５）（９）を実現する基板密着手段９３を有する処理受渡部９(図３参照) を示したもので、しかも、配線の被覆材からのアウトガスの問題を解消する真空内配線リンク機構の適用を示した図である。
基板旋回手段９２は、処理受渡部９に搬入された基板を載置し保持する基板ホルダー９１及び基板６を一体として、アライメント実施前にほぼ垂直に立て、アライメント終了後は水平状態に戻す機能を有する。

図７において、基板旋回手段９２は、大別して、旋回対象である基板６及び基板ホルダー９１などの旋回部を旋回させる真空内配線リンク機構９２Ｌと、前記旋回部を矢印Ａの方向に前記機構を介して旋回駆動する旋回駆動部９２Ｂとからなる。
真空内配線リンク機構９２Ｌは、第１リンク９２Ｌ１と第２リンク９２Ｌ２、及びそれらを真空側から隔離し、その内部を大気雰囲気にするシール部９２Ｓからなる。前記第１リンク９２Ｌ１は、一端を回転支持台９２ｋに支持され、他端を大気連通部９４Ｈに、中空部を持つように接続されている。前記第２リンク９２Ｌ２は、大気連通部９４Ｈに対し前記第１リンク９２Ｌ１との反対側に設けられ、一端を第１リンク９２Ｌ１同様、中空部を持つように大気連通部９４Ｈに、他端を図１に示す仕切り部１１に設けられた支持部１１Ａに接続されている。

前記シール部９２Ｓは、一端を大気連通部９４Ｈの接続部に、他端を真空蒸着チャンバ１ｂｕの側壁に接続された第１シール部９２Ｓ１と、一端を大気連通部９４Ｈの接続部に、他端を支持部１１Ａに接続された第２シール部９２Ｓ２からなる。それぞれのシール部９２Ｓ１、９２Ｓ２は、それぞれの両端を繋ぐベローズ９２Ｖ１、９２Ｖ２を有しており、また、それぞれのシール部９２Ｓ１、９２Ｓ２の大気連通部９４Ｈ側の接続部は、第１リンク９２Ｌ１と第２リンク９２Ｌ２を回転可能に支持している。
上記実施形態では、配線９４ｆをリンク内に敷設するためにリンク内を中空にしたが、シール部９２Ｓはそれぞれのリンクを包含するように構成しているので、リンクと真空シール部の間に配線を敷設してもよい。この場合、リンクは必ずしも中空にする必要はない。

一方、旋回駆動部９２Ｂは、大気側に設けられた旋回用モータ９２ｍと、旋回用モータ９２ｍの旋回運動を前記第１リンク９２Ｌ１に伝達する歯車９２ｈ１、９２ｈ２と、第１リンクＬ１の一端を支持する回転支持台９２ｋとを有する。なお、旋回用モータ９２ｍは大気側に設けられた制御装置６０で制御される。

なお、図７は、真空蒸着チャンバ１ｂｕのＲラインを示しており、図１に示す仕切り部１１を面対象中心として、真空蒸着チャンバ１ｂｕのＬラインにも同一構造が配置される。従って、Ｒラインの第１リンク９２Ｌ１、大気連通部９４Ｈ、第２リンク９２Ｌ２、及びＬラインの第１リンク９２Ｌ１、大気連通部９４Ｈ、第２リンク９２Ｌ２の各中空部は、仕切り部１１に設けられた支持部１１Ａを介して、大気で繋がっている構造となる。第２リンク９２Ｌ２は必ずしも中空である必要はないが、後述するように第２リンク９２Ｌ２は、仕切り部１１の中空部で図７に示すＢ方向に移動する必要があるので、移動部で粉塵が出る可能性があり、支持部１１Ａの中空部に繋げて、大気に繋がる構造とした。

以上、本実施形態による基板旋回手段９２を用いると、基板蒸着面を上面にして搬送しているので、基板６を立てればそのまま前述したアライメントができる。

次に、ステップ（４）のアライメントを達成する構成と動作を、図８を用いて説明する。図８に、本実施形態によるアライメント部８を示す。本実施形態では、図８に示すように、基板６とシャドウマスク８１を概ね垂直に立てて、アライメントを行なう。アライメント部８は、シャドウマスク８１、シャドウマスク８１を固定するアライメントベース８２、アライメントベース８２を保持し、アライメントベース８２即ちシャドウマスク８１のＸＺ平面での姿勢を規定するアライメント駆動部８３、アライメントベース８２を下から支持し、アライメント駆動部８３の動きに協調してシャドウマスク８１の姿勢を規定するアライメント従動部８４、基板６と前記シャドウマスク８１に設けられたアライメントマークを検出する４箇所に設けられたアライメント光学系８５、アライメントマークの映像を処理し、アライメント量を求めアライメント駆動部８３を制御する制御装置６０(図７参照)からなる。

このような、構成を用いて次のようにアライメントを行なう。アライメントベース８２は、その四隅近くであって、上部に２ヶ所８１ａ、８１ｂ、その２ヶ所のそれぞれの下に設けられた８１ｃ、８１ｄの計４ヶ所の回転支持部により回転可能に支持されている。
前記４箇所に設けられたアライメント光学系８５により、基板６とシャドウマスク８１の位置ズレ(ΔＸ、ΔＹ、θ)を検出する。θは、図８のＸＺ面における傾きである。この結果に基づいて、アライメントベース８２上部に設けた回転支持部８１ａを図８に示すＸ方向、Ｚ方向に、同じく上部に設けた回転支持部８１ｂをＺ方向に移動させて、前記位置ズレを解消し、アライメントする。このとき、アライメントベース８２の上記移動にともない、回転支持部８１ｂはＸ方向に、アライメントベース８２下部に設けた回転支持部８１ｃ、８１ｄはＸ及びＺ方向に従動的に移動する。回転支持部８１aの駆動は、真空蒸着チャンバ１ｂｕの上部壁１Ｔ上に設けられた駆動モータを有するアライメント駆動部８３Ｌ、回転支持部８１ｂの駆動及び受動はアライメント駆動部８３Ｒ、及び回転支持部８１ｃ、８１ｄの従動は真空蒸着チャンバ１ｂｕの下部壁１Ｙ下に設けられたアライメント従動部８４Ｌ、８４Ｒで行なう。

アライメントのための機構部は、シール部を介して大気側に設けられており、真空蒸着に悪影響及ぼす粉塵等を真空内に持ち込まないようしており、また、このことによって保守性も向上できる。さらに、アライメント光学系８５についても、カメラ及び光源等を、真空側に突き出た内部が大気中である収納筒に収納し、同様な効果を奏している。

次に、ステップ（３）（５）（９）の基板６とシャドウマスク８１を密着させる基板密着手段９３の構成及び動作について、図７を用いて説明する。基板密着手段９３は、基板旋回手段９２を全体的に、矢印Ｂ方行に移動させることによって、基板６を、まず、シャドウマスク８１まで一定距離のところまで近づけ、その後密着させ、蒸着後は元の位置まで戻す手段である。そのために、基板密着手段９３は、基板旋回手段９２を載置する旋回駆動部載置台９３ｔと、旋回駆動部載置台９３ｔの走行用のレール９３ｒと、旋回駆動部載置台９３ｔをボールネジ９３ｎを介して駆動する接近用モータ９３ｍを有する。仕切り部１１の中空部にも、旋回駆動部載置台９３ｔの動きに従動して、基板旋回手段９２の第２リンク９２Ｌ２をＢ方向に移動させるレール(図示せず)がある。レールと言っても、その稼動長さは高々２ｍｍ位である。このような機構を制御装置６０によって制御することで、基板６をシャドウマスク８１に密着させることができる。

上記実施形態によれば、基板６とシャドウマスク８１が接触しない距離、例えば０．５ｍｍ前後を保ちながらアライメントでき、その後、基板６をシャドウマスク８１に密着させることで、蒸着におけるボケを低減でき、高精度の蒸着が可能となる。

また、図７に示した実施形態においては、大気連通部９４Ｈ内部は、基板旋回手段９２のところで説明したように、第１リンク９２Ｌ１を介して大気側に開放されている。その結果、押圧に伴うモータ等の粉塵は、大気に排出され、真空蒸着に悪影響を与えることはない。また、モータへの駆動線及びセンサ部からの信号線９４ｆを、大気連通部９４Ｈと第１リンク９２Ｌ１を介して制御装置６０に接続している真空内配線機構を実現しているので、配線の被覆材からのアウトガスによる真空度低下の問題の発生もない。さらに、前記大気連通部９４Ｈや前記リンクを錆に強く十分な強度を持つ金属、例えばステンレス、アルミニウムで構成しているので、アウトガスの発生もない。
従って、上記実施形態によれば、高真空を保持でき、信頼性の高い蒸着処理をすることができる。

次に、ステップ（６）（８）、即ち蒸着時に基板６とシャドウマスク８１とを固定し、安定して蒸着できるようにし、蒸着終了後にその固定を解除する基板マスク固定手段２０の本実施形態における実施例を、図９を用いて説明する。図９は、図７に基板マスク固定手段２０を付加した図である。図面の複雑さを考慮し、説明に直接関係ない符号を省略している。
本実施形態における基板マスク固定手段２０は、基板６とシャドウマスク８１を吸着固定する永久磁石２１Ｊを保持する基板マスク吸着体２１と、前記基板マスク吸着体２１を処理受渡部９の上部から矢印Ｃのように旋回し、前記基板マスク吸着体２１を基板ホルダー９1の位置まで移動させる吸着体移動手段である吸着体旋回手段２２とからなる。

前記基板マスク吸着体２１は、旋回して基板ホルダー９１に近づくと、非磁性材料の基板６を挟んで、磁性材料で構成されたシャドウマスク８１を吸着し始め、近づくにつれて吸着力を強くし、接触すると吸着固定する。このとき、吸着力が強すぎてシャドウマスク８１が変形する場合は、接触させずに、適切な吸着力が得られる位置まで旋回させて吸着固定してもよい。その結果、基板６とシャドウマスク８１は一体化し、その一体化した状態で蒸着することで安定して確実に蒸着できる。

図９において、吸着体旋回手段２２は、大別して、旋回対象である基板マスク吸着体２１を旋回させるリンク機構２２Ｌと、前記旋回物を矢印Ｃの方向に前記機構を介して旋回駆動する吸着体旋回駆動部２２Ｂとからなる。
リンク機構２２Ｌは、第１リンク２２Ｌ１及び第２リンク２２Ｌ２と、並びにそれらを真空側から隔離するシール部２２Ｓとからなる。リンク機構２２Ｌの基本的な構成は、基板密着手段９３の真空内配線リンク機構９２Ｌと同じであるが、次の点が異なる。

第１に、本実施形態では、ステップ（６）は、図４に示す基板密着手段９３で基板６をシャドウマスクに密着させるステップ（５）の後に行なうので、基板マスク固定手段２０を前後に移動させる必要はない。従って、リンクを前後に移動させるためのベローズは不要となり、シール部２２Ｓも真空蒸着チャンバ１ｂｕの側壁に第１シール部２２ｓ１を、支持部１１Ａに第２シール部２２ｓ２を、リンク機構２２が回転可能に設ければよい。逆に言えば、前記動作フロー（５）の前に行なうのであれば、真空内配線リンク機構９２Ｌと同一構造とし、基板旋回手段９２と同様に吸着体旋回手段２２全体を前後に移動させることが必要である。

第２に、真空内配線リンク機構９２Ｌのリンクは配線をするために中空であったが、リンク機構２２Ｌでは配線がないので必ずしも中空である必要はない。
また、第２リンク２２Ｌ２の支持部１１Ａ内の回転支持体(図示せず)において、仮に粉塵が発生しても、真空内配線リンク機構９２Ｌの第２リンクの支持体と同一空間を有しているので、前記真空内配線リンク機構９２Ｌを介して前記粉塵を大気側に排気することが可能である。

一方、吸着体旋回駆動部２２Ｂは、前述した旋回駆動部９２Ｂとパワー的な規模は異なるものの、基本的には旋回駆動部９２Ｂと同一の構造を有している。従って、基板旋回手段９２における符号番号を９２から２２に置換えることができるので、ここでは説明を省略する。なお、基板マスク吸着体２１の待機位置は、基板旋回手段９２の旋回が支障とならないよう、基板旋回手段９２の旋回領域の上部に設けるとよい。

基板マスク固定手段２０の本実施形態によれば、基板マスク吸着体２１を処理受渡部９と分離した、あるいは別体の独立した構造とすることができるので、基板マスク吸着体２１あるいは処理受渡部９の構成機構を、故障等により交換する必要が生じても、基板マスク吸着体２１については、処理受渡部９に関係なく、基板マスク吸着体２１のみを交換すればよく、処理受渡部９については、基板マスク吸着体２１に関係なく、処理受渡部９のみを交換すればよい。さらに、特に処理受渡部９について言えば、その構造が簡素化し保守し易くなる。従って、保守性の高い基板マスク吸着体あるいは処理受渡部を提供できる。

最後に、ステップ（７）の蒸着処理について、本実施形態における実施例を、図３を用いて説明する。蒸着部７は、図３に示すように、蒸着源７１をレール７６上に沿って上下方向に移動させる上下駆動手段７２、蒸着源７１をレール７５上に沿って左右のアライメント部間移動する左右駆動ベース７４を有する。蒸着源７１は、内部に蒸着材料である発光材料を有し、前記蒸着材料を加熱制御(図示せず)することによって安定した蒸発速度が得られ、図３の引出し図に示すように、ライン状に並んだ複数の噴射ノズルから噴射７３される構造となっている。必要により、安定した蒸着が得られるように添加剤も同時に加熱して蒸着する。

なお、上記説明では有機ＥＬデバイスを例に説明したが、有機ＥＬデバイスと同じ背景にある蒸着処理をする成膜装置にも適用できる。

１：処理チャンバ、１ｂｕ：真空蒸着チャンバ、２：搬送チャンバ、３：ロードクラスタ、６：基板、７：蒸着部、８：アライメント部、９：処理受渡部、１１：仕切り部、２０：基板マスク固定手段、２１：永久磁石を保持する基板マスク吸着体、２１Ｊ：永久磁石、２２：吸着体旋回手段、２２Ｂ：吸着体旋回駆動部、２３：電磁石を保持する基板マスク吸着体、２３ｄ：電磁石、２３Ｈ:２３の収納ケース、６０：制御装置、６１：基板クランプ、６２：クランプ支持金具、６２ａ：第１の腕、６２ｂ：第２の腕、６２ｃ：第１の軸、６３：巻きバネ、６４：回転部、６４ｃ：第２の軸、６５：固定金具、６６：基板受けピン、６７：クランプ開閉ピン、６８：基板ホルダー昇降機構、６９：固定ベース、７１：蒸発源、８１：シャドウマスク、８１ａ〜ｄ：回転支持部、８２：アライメントベース、８３：アライメント駆動部、８３Ｚ：Ｚ軸駆動部、８３Ｘ：Ｘ軸駆動部、８４：アライメント従動部、８５：アライメント光学系、９１：基板ホルダー、９１ａ：貫通穴、９１ｂ：垂直端部、９１ｃ：水平端部、９１ｄ：貫通穴、９１ｅ：基板ホルダーサポート、９２：基板旋回手段、９３：基板密着手段、９４Ｈ：大気連通部、１００：有機ＥＬデバイスの製造装置、Ａ〜Ｄ：クラスタ。

Claims

真空処理室内に設けられ基板を載置するための基板ホルダーと、
前記真空処理室外に設けられた基板搬送機から基板を受取るための、前記真空処理室内に垂直方向に立設して固定された基板受けピンと、
前記基板受けピンに対し前記基板ホルダーを昇降させる基板ホルダー昇降機構と、
前記基板ホルダーの端部に設けられ、基板を前記基板ホルダーに保持するための基板保持機構と、
基板を前記基板保持機構から解放するための、前記真空処理室内に垂直方向に立設して固定されたクランプ開閉ピンとを備え、
前記基板保持機構は、基板を前記基板ホルダーに押圧する板状の基板クランプと、前記基板クランプを支持するクランプ支持金具と、前記基板クランプが基板を前記基板ホルダーに押圧するように付勢するバネとを有し、
前記クランプ支持金具は、水平方向の第１の軸を中心にして回転動作可能であり、前記第１の軸から延伸する第１の腕と第２の腕を有し、前記第１の腕の端には前記基板クランプの一端が固定され、前記第２の腕の端には、水平方向の第２の軸を中心にして回転動作可能な回転部が設けられ、前記第１の軸と前記２つの腕の端を結ぶ直線が３角形を形成する形状であって、
前記真空処理室外に設けられた基板搬送機から前記基板受けピンが基板を受取る状態では、前記第２の腕の回転部が前記クランプ開閉ピンにより押し上げられて、前記第１の腕と第２の腕を結ぶ直線が略水平の状態かつ前記基板クランプが略垂直の状態になり、前記受取った基板を前記基板ホルダーに載置した状態では、前記第１の腕と第２の腕を結ぶ直線が略垂直の状態かつ前記基板クランプが略水平の状態になり、前記基板クランプが基板を前記基板ホルダーに押圧する状態になることを特徴とする有機ＥＬデバイス製造装置。
前記基板保持機構が、前記基板ホルダーの垂直端部に設けられたことを特徴とする、請求項１に記載された有機ＥＬデバイス製造装置。
前記基板ホルダー昇降機構が、前記真空処理室外に設けられたことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載された有機ＥＬデバイス製造装置。