JP2013082564A - Ablation processing method of ceramic substrate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ablation processing method of a ceramic substrate, whereby energy diffusion and reflection of a laser beam can be suppressed.SOLUTION: The ablation processing method of a ceramic substrate involves performing an ablation processing by irradiating the ceramic substrate with a laser beam. The method comprises: a protection film formation step of applying a liquid resin onto at least a target area of the ceramic substrate for the ablation processing, wherein the liquid resin has a fine powder of a nitride capable of absorbing the wavelength of the laser beam mixed therein, thereby forming a protection film containing the fine powder; and a laser processing step of, after carrying out the protection film formation step, irradiating the area of the ceramic substrate on which the protection film is formed with the laser beam, thereby performing the ablation processing.

Description

本発明は、セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法に関する。   The present invention relates to an ablation processing method for a ceramic substrate in which an ablation process is performed by irradiating a ceramic substrate with a laser beam.

ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、例えばレーザ加工装置によるアブレーション加工によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。   A wafer such as a silicon wafer or a sapphire wafer formed on the surface by dividing a plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. by dividing lines is divided into individual devices by ablation processing by a laser processing apparatus, for example. Devices are widely used in various electric devices such as mobile phones and personal computers.

レーザ加工装置によるアブレーション加工方法では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射してアブレーション加工によりレーザ加工溝を形成する。そして、このレーザ加工溝に沿ってブレーキング装置でウエーハを割断して個々のデバイスへと分割する（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。   In the ablation processing method using a laser processing apparatus, a laser processing groove is formed by ablation processing by irradiating the wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that is absorptive to the wafer. Then, the wafer is cleaved by the braking device along the laser processing groove and divided into individual devices (see, for example, JP-A-10-305420).

一方、複数のセラミックスコンデンサが分割予定ラインによって区画されたセラミックス基板を個々のセラミックスコンデンサに分割するには、焼結する前の比較的軟らかい状態のセラミックス基板を切削ブレードで切断して個々のセラミックスコンデンサに分割している（例えば、特開２００３−１４２３３４号公報参照）。   On the other hand, in order to divide a ceramic substrate in which a plurality of ceramic capacitors are divided by lines to be divided into individual ceramic capacitors, each ceramic capacitor is cut by cutting a relatively soft ceramic substrate before sintering with a cutting blade. (See, for example, JP-A-2003-142334).

特開２００７−１１８０１１号公報JP 2007-118011 A 特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特開２００３−１４２３３４号公報JP 2003-142334 A

焼結する前のセラミックス基板は比較的軟らかいため、取扱いが難しいという問題がある。そこで、セラミックス基板を焼結した後、分割予定ラインにレーザビームを照射してアブレーション加工によって個々のセラミックスコンデンサに分割できれば、取扱いが容易になり生産性が向上すると期待される。   Since the ceramic substrate before sintering is relatively soft, there is a problem that it is difficult to handle. Therefore, if the ceramic substrate is sintered and then irradiated with a laser beam on the division line and can be divided into individual ceramic capacitors by ablation, it is expected that handling will be easy and productivity will be improved.

しかし、セラミックス基板にレーザビームを照射すると、セラミックス基板の上面でレーザビームのエネルギーの拡散及びレーザビームの反射が起こり、レーザビームのエネルギーがアブレーション加工に十分使用されずエネルギー損失が大きいという問題がある。   However, when a ceramic substrate is irradiated with a laser beam, the laser beam energy is diffused and reflected on the upper surface of the ceramic substrate, and the laser beam energy is not sufficiently used for ablation processing, resulting in a large energy loss. .

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a ceramic substrate ablation processing method capable of suppressing energy diffusion and laser beam reflection.

本発明によると、セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とするセラミックス基板のアブレーション加工方法が提供される。   According to the present invention, there is provided an ablation processing method for a ceramic substrate in which a ceramic substrate is irradiated with a laser beam to perform ablation processing, and at least a region of the ceramic substrate to be ablated has nitridation that absorbs the wavelength of the laser beam. A protective film forming step of forming a protective film containing fine powder by applying a liquid resin mixed with fine powder of the product, and after performing the protective film forming step, the protective film is formed on the region of the ceramic substrate There is provided a method for ablating a ceramic substrate, comprising a laser processing step of performing ablation processing by irradiating a laser beam.

好ましくは、窒化物の微粉末の平均粒径はレーザビームのスポット径より小さい。好ましくは、レーザビームの波長は３５５ｎｍ以下であり、前記窒化物の微粉末は、ＡｌＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、六方晶ＢＮ及びＴｉＮからなる群から選択された窒化物を含み、液状樹脂はポリビニルアルコールを含む。   Preferably, the average particle diameter of the fine nitride powder is smaller than the spot diameter of the laser beam. Preferably, the wavelength of the laser beam is 355 nm or less, the nitride fine powder includes a nitride selected from the group consisting of AlN, ZrN, HfN, hexagonal BN, and TiN, and the liquid resin includes polyvinyl alcohol. Including.

本発明のセラミックス基板のアブレーション加工方法は、少なくともアブレーション加工をすべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して保護膜を形成するので、レーザビームが窒化物の微粉末に吸収されてバンドギャップエネルギーに達して原子の結合力が破壊されることによって連鎖的にセラミックス基板のバンドギャップエネルギーに達してアブレーション加工が施され、エネルギーの拡散及びレーザビームの反射が抑制されてセラミックス基板のアブレーション加工が効率的に円滑に遂行される。   The method for ablating a ceramic substrate according to the present invention comprises applying a liquid resin mixed with fine powder of nitride having an absorptivity to the wavelength of the laser beam to at least a region of the ceramic substrate to be ablated, and applying a protective film. As it forms, the laser beam is absorbed by the fine powder of nitride, reaches the band gap energy, and the bonding force of the atoms is broken, thereby reaching the band gap energy of the ceramic substrate in a chain and ablation processing is performed, The diffusion of energy and the reflection of the laser beam are suppressed, and the ablation processing of the ceramic substrate is performed efficiently and smoothly.

本発明のアブレーション加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置の斜視図である。It is a perspective view of the laser processing apparatus suitable for implementing the ablation processing method of this invention. レーザビーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. 粘着テープを介して環状フレームにより支持されたセラミックス基板の斜視図である。It is a perspective view of the ceramic substrate supported by the annular frame via the adhesive tape. 液状樹脂塗布工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a liquid resin application | coating process. アブレーション加工工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an ablation process process. アブレーション加工が終了した状態の粘着テープを介して環状フレームにより支持されたセラミックス基板の斜視図である。It is a perspective view of the ceramic substrate supported by the cyclic | annular frame via the adhesive tape of the state which ablation processing was complete | finished.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明のセラミックス基板のアブレーション加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置の概略構成図を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus suitable for carrying out the ablation processing method for a ceramic substrate of the present invention.

レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。   The laser processing apparatus 2 includes a first slide block 6 mounted on a stationary base 4 so as to be movable in the X-axis direction. The first slide block 6 is moved along the pair of guide rails 14 in the machining feed direction, that is, the X-axis direction, by the machining feed means 12 including the ball screw 8 and the pulse motor 10.

第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。   A second slide block 16 is mounted on the first slide block 6 so as to be movable in the Y-axis direction. That is, the second slide block 16 is moved in the indexing direction, that is, the Y-axis direction along the pair of guide rails 24 by the indexing feeding means 22 constituted by the ball screw 18 and the pulse motor 20.

第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランプ３０が設けられている。   A chuck table 28 is mounted on the second slide block 16 via a cylindrical support member 26, and the chuck table 28 can be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the processing feed means 12 and the index feed means 22. . The chuck table 28 is provided with a clamp 30 for clamping the semiconductor wafer sucked and held by the chuck table 28.

静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。   A column 32 is erected on the stationary base 4, and a casing 35 for accommodating the laser beam irradiation unit 34 is attached to the column 32. As shown in FIG. 2, the laser beam irradiation unit 34 includes a laser oscillator 62 that oscillates a YAG laser or a YVO4 laser, a repetition frequency setting unit 64, a pulse width adjustment unit 66, and a power adjustment unit 68. .

レーザビーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されているセラミックス基板に照射される。   The pulse laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 68 of the laser beam irradiation unit 34 is reflected by the mirror 70 of the condenser 36 attached to the tip of the casing 35 and further collected by the condenser objective lens 72. The ceramic substrate is irradiated with light and irradiated onto the chuck table 28.

ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット３８が配設されている。撮像ユニット３８は、可視光によってセラミックス基板の加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。   At the tip of the casing 35, an image pickup unit 38 that detects the processing region to be laser processed in alignment with the condenser 36 in the X-axis direction is disposed. The image pickup unit 38 includes an image pickup element such as a normal CCD that picks up an image of a processed region of the ceramic substrate with visible light.

撮像ユニット３８は更に、セラミックス基板に赤外線を照射する赤外線照射器と、赤外線照射器によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像ユニットを含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。   The imaging unit 38 further includes an infrared irradiator that irradiates the ceramic substrate with infrared rays, an optical system that captures infrared rays emitted by the infrared irradiator, and an infrared CCD that outputs an electrical signal corresponding to the infrared rays captured by the optical system. An infrared imaging unit composed of an infrared imaging element such as an image sensor is included, and the captured image signal is transmitted to a controller (control means) 40.

コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。   The controller 40 includes a central processing unit (CPU) 42 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 44 that stores a control program, and a random read / write that stores arithmetic results. An access memory (RAM) 46, a counter 48, an input interface 50, and an output interface 52 are provided.

５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。   Reference numeral 56 denotes a processing feed amount detection means comprising a linear scale 54 disposed along the guide rail 14 and a read head (not shown) disposed on the first slide block 6. Is input to the input interface 50 of the controller 40.

６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。   Reference numeral 60 denotes index feed amount detection means comprising a linear scale 58 disposed along the guide rail 24 and a read head (not shown) disposed on the second slide block 16. The detection signal is input to the input interface 50 of the controller 40.

撮像ユニット３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。   An image signal captured by the imaging unit 38 is also input to the input interface 50 of the controller 40. On the other hand, a control signal is output from the output interface 52 of the controller 40 to the pulse motor 10, the pulse motor 20, the laser beam irradiation unit 34, and the like.

図３に示すように、レーザ加工装置２の加工対象であるセラミックス基板１１の表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のセラミックスコンデンサ１３が形成されている。   As shown in FIG. 3, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonal to each other on the surface of the ceramic substrate 11 which is the processing target of the laser processing apparatus 2, and the first street S1. Many ceramic capacitors 13 are formed in a region partitioned by the second street S2.

セラミックス基板１１は粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、セラミックス基板１１はダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示すクランプ３０により環状フレームＦをクランプすることによりチャックテーブル２８上に支持固定される。   The ceramic substrate 11 is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral portion of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the ceramic substrate 11 is supported by the annular frame F via the dicing tape T, and is supported and fixed on the chuck table 28 by clamping the annular frame F by the clamp 30 shown in FIG.

本発明のセラミックス基板のアブレーション加工方法では、まず、セラミックス基板１１のアブレーション加工すべき領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布工程を実施する。   In the ceramic substrate ablation processing method of the present invention, first, a liquid resin coating is performed in which a liquid resin in which fine powder of nitride having absorptivity with respect to the wavelength of the laser beam is mixed is applied to the region of the ceramic substrate 11 to be ablated. Perform the process.

例えば、図４に示すように、液状樹脂供給源７６にはレーザビームの波長（例えば３５５ｎｍ）に対して吸収性を有する窒化物の微粉末（例えばＡｌＮ）を混入したＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等の液状樹脂８０が貯蔵されている。   For example, as shown in FIG. 4, the liquid resin supply source 76 is made of PVA (polyvinyl alcohol) mixed with fine nitride powder (for example, AlN) having an absorptivity with respect to the wavelength of the laser beam (for example, 355 nm). A liquid resin 80 is stored.

ポンプ７８を駆動することにより、液状樹脂供給源７６に貯蔵されている液状樹脂８０を供給ノズル７４からセラミックス基板１１の表面に供給し、液状樹脂８０をセラミックス基板１１の表面に塗布する。そして、この液状樹脂８０を硬化させてレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末が混入された保護膜８２を形成する。   By driving the pump 78, the liquid resin 80 stored in the liquid resin supply source 76 is supplied from the supply nozzle 74 to the surface of the ceramic substrate 11, and the liquid resin 80 is applied to the surface of the ceramic substrate 11. Then, the liquid resin 80 is cured to form a protective film 82 mixed with fine nitride powder that absorbs the wavelength of the laser beam.

セラミックス基板１１の表面上への液状樹脂８０の塗布方法は、例えばセラミックス基板１１を回転させながら塗布するスピンコート法を採用可能である。ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）等の液状樹脂中に混入される窒化物の微粉末として、本実施形態ではＡｌＮを採用した。   As a method for applying the liquid resin 80 onto the surface of the ceramic substrate 11, for example, a spin coating method in which the ceramic substrate 11 is applied while rotating can be employed. In this embodiment, AlN is adopted as a fine powder of nitride mixed in a liquid resin such as PVA (polyvinyl alcohol) or PEG (polyethylene glycol).

図４に示す実施形態では窒化物の微粉末を含有する液状樹脂８０をセラミックス基板１１の全面に塗布して保護膜８２を形成しているが、液状樹脂８０をアブレーション加工すべき領域、即ち第１のストリートＳ１及び第２のストリートＳ２のみに塗布して保護膜を形成するようにしてもよい。液状樹脂に混入する窒化物の微粉末の平均粒径はレーザビームのスポット径より小さいのが好ましく、例えば１０μｍより小さいのが好ましい。   In the embodiment shown in FIG. 4, a liquid resin 80 containing fine nitride powder is applied to the entire surface of the ceramic substrate 11 to form the protective film 82. The protective film may be formed by applying only to the first street S1 and the second street S2. The average particle diameter of the nitride fine powder mixed in the liquid resin is preferably smaller than the spot diameter of the laser beam, for example, smaller than 10 μm.

本実施形態では、窒化物の微粉末として、ＡｌＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、六方晶ＢＮ、ＴｉＮを採用することができる。表１にこれらの窒化物の消光係数（消衰係数）ｋ及び融点を示す。ちなみに、消光係数ｋと吸収係数αとの間にはα＝４πｋ／λの関係がある。ここで、λは使用する光の波長である。   In the present embodiment, AlN, ZrN, HfN, hexagonal BN, and TiN can be employed as the fine powder of nitride. Table 1 shows the extinction coefficient (extinction coefficient) k and melting point of these nitrides. Incidentally, there is a relationship of α = 4πk / λ between the extinction coefficient k and the absorption coefficient α. Here, λ is the wavelength of light to be used.

Figure 2013082564
Figure 2013082564

液状樹脂塗布工程を実施してセラミックス基板１１の表面に保護膜８２を形成後、アブレーション加工によるレーザ加工工程を実施する。このレーザ加工工程では、図５に示すように、セラミックス基板１１及び保護膜８２中の窒化物の微粉末に対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のパルスレーザビーム３７を集光器３６で集光してセラミックス基板１１の表面に照射しつつ、チャックテーブル２８を図５で矢印Ｘ１方向に所定の加工送り速度で移動して、第１のストリートＳ１に沿ってアブレーション加工によりレーザ加工溝８４を形成する。   After performing the liquid resin coating process to form the protective film 82 on the surface of the ceramic substrate 11, a laser processing process by ablation processing is performed. In this laser processing step, as shown in FIG. 5, a pulse laser beam 37 having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity with respect to fine powder of nitride in the ceramic substrate 11 and the protective film 82 is collected by a condenser 36. While condensing and irradiating the surface of the ceramic substrate 11, the chuck table 28 is moved in the direction of the arrow X1 in FIG. 5 at a predetermined processing feed speed, and laser processing grooves 84 are ablated along the first street S 1. Form.

セラミックス基板１１を保持したチャックテーブル２８をＹ軸方向に割り出し送りしながら、全ての第１のストリートに沿ってアブレーション加工により同様なレーザ加工溝８４を形成する。   While indexing and feeding the chuck table 28 holding the ceramic substrate 11 in the Y-axis direction, similar laser processing grooves 84 are formed by ablation along all the first streets.

次いで、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１のストリートＳ１と直交する方向に伸長する全ての第２のストリートＳ２に沿ってアブレーション加工により同様なレーザ加工溝８４を形成する。全てのストリートＳ１，Ｓ２に沿ってレーザ加工溝８４を形成した状態の斜視図が図６に示されている。   Next, after the chuck table 28 is rotated 90 degrees, similar laser processing grooves 84 are formed by ablation along all the second streets S2 extending in the direction orthogonal to the first streets S1. FIG. 6 shows a perspective view of the state where the laser processing grooves 84 are formed along all the streets S1 and S2.

本実施形態のレーザ加工条件は、例えば以下のように設定されている。   The laser processing conditions of this embodiment are set as follows, for example.

光源 ：ＹＡＧパルスレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
平均出力 ：０．５〜１０Ｗ
繰り返し周波数 ：１０〜２００ｋＨｚ
スポット径 ：φ１〜１０μｍ
送り速度 ：１０〜１００ｍｍ／秒 Light source: YAG pulse laser Wavelength: 355 nm (third harmonic of YAG laser)
Average output: 0.5-10W
Repetition frequency: 10 to 200 kHz
Spot diameter: φ1-10μm
Feeding speed: 10 to 100 mm / sec

尚、本発明の加工対象となるセラミックス基板は、コンデンサセラミックス基板、圧電素子セラミックス基板、小型モジュールセラミックス基板、高周波モジュールセラミックス基板、部品内蔵セラミックス基板、インターポーザーセラミックス基板、ＩＣパッケージセラミックス基板を含む。また、セラミックス基板の素材は、アルミナセラミックス、ＰＺＴ、ＬＴＣＣ、アルチックを含む。   The ceramic substrate to be processed of the present invention includes a capacitor ceramic substrate, a piezoelectric element ceramic substrate, a small module ceramic substrate, a high frequency module ceramic substrate, a component built-in ceramic substrate, an interposer ceramic substrate, and an IC package ceramic substrate. The material of the ceramic substrate includes alumina ceramics, PZT, LTCC, and Altic.

本実施形態のセラミックス基板のアブレーション加工方法によると、レーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂８０をセラミックス基板１１の表面に塗布して保護膜８２を形成してから、アブレーション加工を実施するので、レーザビームのエネルギーが窒化物の微粉末に吸収されてバンドギャップエネルギーに達し原子の結合力が破壊されることによって連鎖的にセラミックス基板１１のバンドギャップエネルギーに達してアブレーション加工が施される。   According to the ablation processing method of the ceramic substrate of the present embodiment, a protective film 82 is formed by applying a liquid resin 80 mixed with fine powder of nitride having absorptivity with respect to the wavelength of the laser beam to the surface of the ceramic substrate 11. Then, since the ablation process is performed, the energy of the laser beam is absorbed by the fine nitride powder, reaches the band gap energy, and the bond strength of the atoms is broken, thereby chain-banding the ceramic substrate 11. And ablation processing is performed.

よって、エネルギーの拡散及びレーザビームの反射が抑制されてアブレーション加工が効率的に円滑に遂行される。液状樹脂中に混入される窒化物の微粉末は、加工促進剤としての作用を成すことになる。   Therefore, the diffusion of energy and the reflection of the laser beam are suppressed, and the ablation process is efficiently and smoothly performed. The fine nitride powder mixed in the liquid resin serves as a processing accelerator.

全てのストリートＳ１，Ｓ２に沿ってレーザ加工溝８４を形成後、良く知られたブレーキング装置を使用して、ダイシングテープＴを半径方向に拡張してセラミックス基板１１に外力を付与し、この外力によりセラミックス基板１１をレーザ加工溝８４に沿って個々のセラミックスコンデンサ１３に分割する。   After forming the laser processed grooves 84 along all the streets S1 and S2, the dicing tape T is expanded in the radial direction by using a well-known braking device to apply an external force to the ceramic substrate 11, and this external force Thus, the ceramic substrate 11 is divided into individual ceramic capacitors 13 along the laser processing grooves 84.

Ｔ 粘着テープ（ダイシングテープ）
Ｆ 環状フレーム
２ レーザ加工装置
１１ セラミックス基板
１３ セラミックスコンデンサ
２８ チャックテーブル
３４ レーザビーム照射ユニット
３６ 集光器
８０ 微粉末含有液状樹脂
８２ 保護膜
８４ レーザ加工溝 T Adhesive tape (dicing tape)
F annular frame 2 laser processing device 11 ceramic substrate 13 ceramic capacitor 28 chuck table 34 laser beam irradiation unit 36 condenser 80 fine powder-containing liquid resin 82 protective film 84 laser processing groove

Claims (3)

セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、
少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、
を具備したことを特徴とするセラミックス基板のアブレーション加工方法。 An ablation processing method for a ceramic substrate in which an ablation process is performed by irradiating a ceramic substrate with a laser beam,
A protective film forming step of forming a protective film containing fine powder by applying a liquid resin mixed with fine powder of nitride having absorptivity with respect to the wavelength of the laser beam to at least a region of the ceramic substrate to be ablated;
A laser processing step of performing an ablation process by irradiating a laser beam to a region of the ceramic substrate on which the protective film is formed after performing the protective film forming step;
A method of ablating a ceramic substrate, comprising: 前記窒化物の微粉末の平均粒径はレーザビームのスポット径より小さいことを特徴とする請求項１記載のセラミックス基板のアブレーション加工方法。   2. The method of ablating a ceramic substrate according to claim 1, wherein the average particle diameter of the fine powder of nitride is smaller than the spot diameter of the laser beam. 前記レーザビームの波長は３５５ｎｍ以下であり、前記窒化物の微粉末は、ＡｌＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、六方晶ＢＮ及びＴｉＮからなる群から選択された窒化物を含み、前記液状樹脂はポリビニルアルコールを含むことを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載のセラミックス基板のアブレーション加工方法。   The wavelength of the laser beam is 355 nm or less, the nitride fine powder includes a nitride selected from the group consisting of AlN, ZrN, HfN, hexagonal BN, and TiN, and the liquid resin includes polyvinyl alcohol. The method for ablating a ceramic substrate according to claim 1 or 2, wherein the method is ablated.
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