JP2013069835A - Manufacturing method of coupling substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品を搭載するための素子基板が複数連結して形成されるとともに、各素子基板間に分割のための分割溝を有する連結基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a connection substrate in which a plurality of element substrates for mounting electronic components are formed and connected, and a division groove for division is provided between the element substrates.
近年、発光ダイオード素子等の発光素子を有する発光装置の高輝度および白色化に伴い、携帯電話、液晶ＴＶ、液晶ディスプレイのバックライト等に発光素子を有する発光装置が使用されている。発光素子を有する発光装置は、例えば、発光ダイオード素子等の発光素子と、この発光素子を搭載する素子基板とから構成され、従来、素子基板として樹脂材料からなるものが用いられている。しかし、発光素子の高輝度化に伴って発熱量が増加し、耐熱性に優れ、かつ発光素子から発生する熱を速やかに放散して十分な発光輝度を得られる素子基板が求められている。 In recent years, light-emitting devices having light-emitting elements such as light-emitting diode elements have been used in backlights of mobile phones, liquid crystal TVs, liquid crystal displays, and the like as light-emitting devices having light-emitting elements such as light-emitting diodes have become brighter and whiter. A light-emitting device having a light-emitting element includes, for example, a light-emitting element such as a light-emitting diode element and an element substrate on which the light-emitting element is mounted. Conventionally, an element substrate made of a resin material is used. However, there is a need for an element substrate that has an increased amount of heat generation with an increase in luminance of the light emitting element, has excellent heat resistance, and can quickly dissipate heat generated from the light emitting element to obtain sufficient light emission luminance.
耐熱性の高い素子基板として、アルミナ基板が知られている。また、アルミナ基板に比べて高い反射率が得られる素子基板として、低温同時焼成セラミックス基板（Low Temperature Co-fired Ceramics）が知られている（例えば、特許文献１参照）。以下、低温同時焼成セラミックス基板をＬＴＣＣ基板と記す。 An alumina substrate is known as an element substrate having high heat resistance. Further, low temperature co-fired ceramics is known as an element substrate that can obtain a higher reflectance than an alumina substrate (see, for example, Patent Document 1). Hereinafter, the low temperature co-fired ceramic substrate is referred to as an LTCC substrate.
ＬＴＣＣ基板は、ガラスとアルミナ粉末のようなセラミックス粉末とからなり、ガラスとセラミックスとの屈折率差が大きく、光の入射方向に面する両者の界面の占める割合が多く、かつセラミックス粉末の粒径が使用波長より大きいことから、高い反射率が得られる。これにより、発光素子からの光を効率よく利用でき、発熱量を低減できる。また、無機酸化物からなるために光源による劣化が少なく、長期間に亘って基板の色調を維持できる。 The LTCC substrate is made of ceramic powder such as glass and alumina powder, has a large refractive index difference between glass and ceramic, a large proportion of the interface between the two facing the light incident direction, and the particle size of the ceramic powder. Is larger than the wavelength used, and thus a high reflectance can be obtained. Thereby, the light from a light emitting element can be utilized efficiently and the emitted-heat amount can be reduced. Moreover, since it consists of an inorganic oxide, there is little deterioration by a light source and the color tone of a board | substrate can be maintained over a long period of time.
ところで、発光装置等に対する小型化の要求から、素子基板についても小型化が求められている。小型の素子基板を作製する場合、取扱い性を向上させる観点から、まず複数の素子基板が連結して形成されるとともに、各素子基板間に分割溝が形成された連結基板を製造し、めっき処理や発光素子の実装を行った後、分割溝を利用して個々の素子基板に分割することが好ましい。 By the way, due to the demand for miniaturization of light emitting devices and the like, miniaturization of element substrates is also required. When manufacturing a small element substrate, from the viewpoint of improving the handleability, first, a plurality of element substrates are connected and formed, and a connection substrate in which a division groove is formed between each element substrate is manufactured, and plating treatment is performed. After mounting the light-emitting elements, it is preferable to divide into individual element substrates using the dividing grooves.
連結基板は、例えば、分割溝の形成されていない未焼成の連結基板を製造し、この未焼成の連結基板における素子基板間にセラミックグリーンシート積層体切断機等を用いて分割溝を形成した後、焼成等を行って製造される。 For example, after manufacturing a non-fired connection board in which no split groove is formed and forming a split groove using a ceramic green sheet laminate cutting machine or the like between element substrates in the non-fired connection board, the connection board is formed. It is manufactured by firing and the like.
また、分割溝は、例えば、未焼成の連結基板の表面にセラミックグリーンシート積層体切断機等の切断刃を押し付けることにより形成され、具体的には、未焼成の連結基板の表面における縦横方向のうち、まず一方向において端部から順に１本ずつ形成した後、これと交差する他方向において端部から順に１本ずつ形成される。 The dividing grooves are formed, for example, by pressing a cutting blade such as a ceramic green sheet laminate cutting machine on the surface of the unfired connection substrate, specifically, in the vertical and horizontal directions on the surface of the unfired connection substrate. Among them, first, one is formed in order from the end in one direction, and then one by one is formed in order from the end in the other direction crossing this.
しかしながら、切断刃を押し付けて分割溝を形成する場合、切断刃の押し付けにより未焼成の連結基板に水平方向の外力が加わり、全体が外側に広がるように変形し、素子基板に変形や位置ずれが発生しやすい。例えば、素子基板には位置合わせのためのアライメントマークが形成されるが、アライメントマークの位置が本来の位置からずれることにより、分割溝の形成位置、素子基板における電極等の各種導体の相対的な位置等にバラツキが発生し、発光装置等としたときに実装位置の精度等が低下しやすい。特に、未焼成の連結基板には多数の素子基板が形成されることから、素子基板における変形や位置ずれが大きくなりやすい。 However, when the dividing blade is formed by pressing the cutting blade, a horizontal external force is applied to the unfired connecting substrate by pressing the cutting blade, and the entire substrate is deformed so as to spread outward, and the element substrate is not deformed or displaced. Likely to happen. For example, an alignment mark for alignment is formed on the element substrate, but the position of the alignment mark is shifted from the original position, so that the formation position of the dividing groove, the relative position of various conductors such as electrodes on the element substrate, and the like. Variations occur in the position and the like, and the accuracy of the mounting position is likely to be lowered when the light emitting device is used. In particular, since a large number of element substrates are formed on the unfired connection substrate, deformation and misalignment of the element substrates are likely to increase.
また、分割溝の形成は、分割溝を形成する表面とは反対側の表面を真空吸着により固定して行うが、素子基板の各角部に分割を容易にするための貫通孔である分割孔が形成される場合、この分割孔のために真空吸着が不十分のため十分に固定できない。また、素子基板の中央部に発光素子等を搭載するための凹部が形成される場合、この凹部の開口部側を真空吸着すると、凹部の底部が開口部側に凸状に変形しやすい。いずれの場合についても、素子基板における変形や位置ずれが発生しやすく、発光装置等としたときに実装位置の精度等が低下しやすい。 In addition, the division grooves are formed by fixing the surface opposite to the surface on which the division grooves are formed by vacuum suction, but the division holes are through holes for facilitating division at each corner of the element substrate. Is not sufficiently fixed due to insufficient vacuum suction due to the divided holes. Further, when a recess for mounting a light emitting element or the like is formed at the center of the element substrate, if the opening side of the recess is vacuum-sucked, the bottom of the recess is easily deformed into a convex shape toward the opening. In either case, the element substrate is likely to be deformed or displaced, and the accuracy of the mounting position is likely to be lowered when the light emitting device is used.
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、分割溝を形成する際の素子基板の変形や位置ずれを抑制できる連結基板の製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a connection substrate that can suppress deformation and displacement of the element substrate when forming the dividing grooves.
本発明の連結基板の製造方法は、複数の素子基板となる未焼成の連結基板の第１の主面に０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせた後、前記第１の主面とは反対側の第２の主面に前記複数の素子基板に分割するための分割溝を形成する工程と、前記第１の主面から前記粘着シートを剥離した後、前記未焼成の連結基板を焼成する工程とを有することを特徴とする。 In the method for manufacturing a connection board according to the present invention, after bonding an adhesive sheet having an adhesive strength of 0.09 N / 20 mm or more to the first main surface of an unfired connection board to be a plurality of element substrates, the first substrate Forming a dividing groove for dividing the plurality of element substrates on the second main surface opposite to the main surface, and peeling the pressure-sensitive adhesive sheet from the first main surface, and then firing the unfired And a step of firing the connecting substrate.
本発明の連結基板の他の製造方法は、複数の素子基板となる未焼成の連結基板の第１の主面に０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせた後、前記第１の主面とは反対側の第２の主面に前記複数の素子基板に分割するための分割溝を形成する工程と、前記第２の主面に０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせた後、前記第１の主面から前記粘着シートを剥離するとともに、前記第１の主面に前記複数の素子基板に分割するための分割溝を形成する工程と、前記第２の主面から前記粘着シートを剥離した後、前記未焼成の連結基板を焼成する工程とを有することを特徴とする。 Another manufacturing method of the connection board of the present invention is the above-described method, in which an adhesive sheet having an adhesive strength of 0.09 N / 20 mm or more is bonded to the first main surface of the unfired connection board to be a plurality of element substrates, Forming a dividing groove for dividing the plurality of element substrates on the second main surface opposite to the first main surface; and an adhesive strength of 0.09 N / 20 mm or more on the second main surface After bonding the pressure-sensitive adhesive sheet having the above, a step of peeling the pressure-sensitive adhesive sheet from the first main surface and forming a dividing groove for dividing the plurality of element substrates on the first main surface; And a step of firing the unfired connection substrate after peeling the pressure-sensitive adhesive sheet from the second main surface.
本発明によれば、分割溝の形成時、分割溝を形成する主面とは反対側の主面に所定の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせることで、各素子基板となる部分を粘着シートによって拘束でき、その変形や位置ずれを抑制できる。結果として、発光装置等としたときの実装位置の精度等を向上できる。 According to the present invention, at the time of forming the dividing groove, the adhesive sheet having a predetermined adhesive force is bonded to the main surface opposite to the main surface on which the dividing groove is formed, so that each element substrate becomes a pressure-sensitive adhesive sheet. Can restrain the deformation and displacement. As a result, it is possible to improve the accuracy of the mounting position when the light emitting device is used.
以下、連結基板の製造方法について詳細に説明する。
連結基板の製造方法は、複数の素子基板となる未焼成の連結基板の第１の主面に０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせた後、第１の主面とは反対側の第２の主面に複数の素子基板に分割するための分割溝を形成する工程と、第１の主面から粘着シートを剥離した後、未焼成の連結基板を焼成する工程とを有することを特徴とする。
Hereinafter, the manufacturing method of a connection board | substrate is demonstrated in detail.
The manufacturing method of a connection board | substrate attaches the adhesive sheet which has 0.09 N / 20mm or more adhesive force to the 1st main surface of the unbaking connection board | substrate used as a some element substrate, Then, Forming a dividing groove for dividing into a plurality of element substrates on the second main surface on the opposite side, and baking the unfired connecting substrate after peeling the adhesive sheet from the first main surface; It is characterized by having.
他の連結基板の製造方法は、複数の素子基板となる未焼成の連結基板の第１の主面に０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせた後、第１の主面とは反対側の第２の主面に複数の素子基板に分割するための分割溝を形成する工程と、第２の主面に０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせた後、第１の主面から粘着シートを剥離するとともに、第１の主面に複数の素子基板に分割するための分割溝を形成する工程と、第２の主面から粘着シートを剥離した後、未焼成の連結基板を焼成する工程とを有することを特徴とする。 In another method for manufacturing a connection substrate, an adhesive sheet having an adhesive strength of 0.09 N / 20 mm or more is bonded to the first main surface of an unfired connection substrate to be a plurality of element substrates, and then the first main substrate is bonded. A step of forming a dividing groove for dividing into a plurality of element substrates on the second main surface opposite to the surface, and an adhesive sheet having an adhesive force of 0.09 N / 20 mm or more is pasted on the second main surface After the alignment, the adhesive sheet is peeled off from the first main surface, a dividing groove for dividing the first main surface into a plurality of element substrates is formed, and the adhesive sheet is peeled off from the second main surface. And firing the unfired connecting substrate.
上記各製造方法によれば、未焼成の連結基板の分割溝を形成する主面とは反対側の主面に粘着シートを貼り合わせ、この粘着シートが貼り合わされた状態で未焼成の連結基板に分割溝を形成することで、各素子基板となる部分を粘着シートによって拘束でき、各素子基板となる部分の変形や位置ずれ等を抑制できる。結果として、発光装置等としたときの実装位置の精度等を向上できる。特に、未焼成の連結基板における素子基板の形成数が０．２５ｐｃｓ／ｍｍ２以上の場合に、各素子基板となる部分の変形や位置ずれ等を顕著に抑制できる。なお、素子基板の形成数の上限は、特に限定されないが、通常１．０ｐｃｓ／ｍｍ２以下である。例えば、連結基板のサイズが１７０ｍｍ×１７０ｍｍの場合、素子基板の形成数が２０００個以上となると、変形や位置ずれ等を抑制する効果が顕著となる。 According to each of the above manufacturing methods, the adhesive sheet is bonded to the main surface opposite to the main surface that forms the dividing grooves of the unfired connection substrate, and the unbonded connection substrate is bonded to the unfired connection substrate. By forming the division grooves, the portions to be the respective element substrates can be restrained by the adhesive sheet, and the deformation and the positional deviation of the portions to be the respective element substrates can be suppressed. As a result, it is possible to improve the accuracy of the mounting position when the light emitting device is used. In particular, when the number of element substrates formed on the unfired connection substrate is 0.25 pcs / mm 2 or more, the deformation or misalignment of the portions to be the element substrates can be remarkably suppressed. The upper limit of the number of formed element substrates is not particularly limited, but is usually 1.0 pcs / mm 2 or less. For example, when the size of the connection substrate is 170 mm × 170 mm, when the number of element substrates formed is 2000 or more, the effect of suppressing deformation, displacement, and the like becomes significant.
また、粘着シートを貼り合わせることで、各素子基板となる部分の角部に分割を容易にするための分割孔が設けられる場合であっても、分割孔を粘着シートにより塞ぐことができ、真空吸着による固定を確実に行うことができる。さらに、各素子基板となる部分の中央部に発光素子等を搭載するための凹部が設けられる場合であっても、その開口部側に粘着シートを貼り合わせることで、開口部を粘着シートにより塞ぐことができ、真空吸着により開口部とは反対側に位置する底部が開口部側に引き寄せられることによる変形を抑制できる。 In addition, by bonding the pressure-sensitive adhesive sheet, the divided holes can be closed with the pressure-sensitive adhesive sheet even in the case where a division hole for facilitating the division is provided at the corner portion of each element substrate. Fixing by adsorption can be performed reliably. Furthermore, even when a concave portion for mounting a light emitting element or the like is provided in the central portion of each element substrate, the opening is closed with the adhesive sheet by bonding the adhesive sheet to the opening side. It is possible to suppress deformation due to the bottom portion located on the side opposite to the opening portion being attracted to the opening portion side by vacuum suction.
特に、粘着シートの粘着力、より具体的には初期粘着力を０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上とすることで、分割溝の形成時における各素子基板となる部分の固定を確実にし、各素子基板となる部分の変形や位置ずれ等を抑制できる。さらに、粘着シートの粘着力、より具体的には剥離時の粘着力を０．５１Ｎ／２０ｍｍ以下とすることで、粘着シートの剥離時、素子基板となる部分の表面に形成された形成物、例えば、位置合わせのためのアライメントマークや未焼成外部電極端子等の剥離等による損傷を抑制できる。 In particular, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive sheet, more specifically, the initial adhesive strength is set to 0.09 N / 20 mm or more, thereby ensuring the fixing of the portion to be each element substrate at the time of forming the dividing groove, It is possible to suppress the deformation and displacement of the portion. Furthermore, by forming the adhesive strength of the adhesive sheet, more specifically, the adhesive strength at the time of peeling to 0.51 N / 20 mm or less, a formed product formed on the surface of the portion that becomes the element substrate at the time of peeling of the adhesive sheet, For example, damage due to peeling of alignment marks for alignment, unfired external electrode terminals, or the like can be suppressed.
上記粘着力を有する粘着シートとしては、例えば、初期粘着力が０．０９〜０．５１Ｎ／２０ｍｍの範囲内にあり、剥離時に粘着力を低下させるための処理を必要としないもの、また初期粘着力が０．５１Ｎ／２０ｍｍを超え、剥離時に粘着力を低下させるための処理が必要となるものが挙げられるが、いずれであってもよい。粘着力を低下させる処理としては、加熱または放射線の照射が挙げられる。なお、加熱または放射線の照射により粘着力が低下するものであっても、初期粘着力が０．０９〜０．５１Ｎ／２０ｍｍの範囲内にあるものについては、剥離時に加熱または放射線の照射を行わずに使用できる。 Examples of the pressure-sensitive adhesive sheet having the above-mentioned pressure-sensitive adhesive strength include those having an initial pressure-sensitive adhesive strength in the range of 0.09 to 0.51 N / 20 mm and requiring no treatment for reducing the pressure-sensitive adhesive strength at the time of peeling. Although the force exceeds 0.51 N / 20 mm and a treatment for reducing the adhesive force at the time of peeling is required, any may be used. Examples of the treatment for reducing the adhesive strength include heating or radiation irradiation. In addition, even if the adhesive strength is reduced by heating or irradiation, those having an initial adhesive strength in the range of 0.09 to 0.51 N / 20 mm are heated or irradiated at the time of peeling. Can be used without
連結基板の製造に用いられる粘着シートは、通常、基材と、この基材上に形成された粘着剤層とから構成される The pressure-sensitive adhesive sheet used for the production of the connection substrate is usually composed of a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base material.
基材としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプ ロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素 樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。基材の厚さは、例えば、５〜２００μｍが好ましい。 Examples of the base material include low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, etc. Polyolefin, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene -Hexene copolymers, polyesters such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfur Examples thereof include fluid, aramid (paper), glass, glass cloth, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), and paper. As for the thickness of a base material, 5-200 micrometers is preferable, for example.
粘着剤層の構成材料としては、例えば、（メタ）アクリル系ポリマーやゴム系ポリマー等を含む公知の粘着剤が挙げられる。粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。 Examples of the constituent material of the pressure-sensitive adhesive layer include known pressure-sensitive adhesives including (meth) acrylic polymers and rubber-based polymers. As the adhesive, for example, an acrylic adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable.
（メタ）アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プルピル基、イソプルピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、及びドデシル基等の炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖または分岐のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of the monomer component for forming the (meth) acrylic polymer include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, and a hexyl group. Group, heptyl group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, and Examples include alkyl (meth) acrylates having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, preferably 4 to 18 carbon atoms, such as a dodecyl group. These alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
上記以外のモノマー成分としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、及びクロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸等の酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー等が挙げられる。これらモノマー成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of other monomer components include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid-containing monomers, anhydrous Acid anhydride monomers such as maleic acid and itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6- (meth) acrylic acid 6- Hydroxyl groups such as hydroxyhexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate Containing monomer , Sulfones such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Examples thereof include acid group-containing monomers and phosphate group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate. These monomer components may be used alone or in combination of two or more.
また、（メタ）アクリル系ポリマーの架橋処理等を目的に多官能モノマー等も必要に応じて共重合モノマー成分として使用できる。 Moreover, a polyfunctional monomer etc. can also be used as a copolymerization monomer component as needed for the purpose of a crosslinking treatment of a (meth) acrylic polymer.
多官能モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これら多官能モノマーは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and pentaerythritol di (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate And the like. These polyfunctional monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
多官能モノマーの使用量は、粘着特性等の観点より全モノマー成分の３０質量％以下が好ましく、さらに好ましくは１５質量％以下である。 The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by mass or less, more preferably 15% by mass or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.
（メタ）アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種または２種以上のモノマー成分を含む混合物を溶液重合方式、乳化重合方式、塊状重合方式、または懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。 The (meth) acrylic polymer is prepared by applying an appropriate method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, or a suspension polymerization method to a mixture containing one or more monomer components, for example. It can be carried out.
重合開始剤としては、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキサイド等の過酸化物系が挙げられる。単独で用いるのが望ましいが、還元剤と組み合わせてレドックス系重合開始剤として使用することもできる。還元剤としては、例えば、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩等のイオン化の塩、トリエタノールアミン等のアミン類、アルドース、ケトース等の還元糖等を挙げることができる。また、アゾ化合物も好ましい重合開始剤であり、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオアミジン酸塩、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス−Ｎ，Ｎ’−ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド等を使用できる。また、上記重合開始剤を２種以上の併用もできる。 Examples of the polymerization initiator include peroxides such as hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, and t-butyl peroxide. Although it is desirable to use it alone, it can also be used as a redox polymerization initiator in combination with a reducing agent. Examples of the reducing agent include ionized salts such as sulfites, hydrogen sulfites, iron, copper, and cobalt salts, amines such as triethanolamine, and reducing sugars such as aldose and ketose. Azo compounds are also preferred polymerization initiators, and are 2,2′-azobis-2-methylpropioamidine, 2,2′-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile, 2,2′-azobis- N, N′-dimethyleneisobutylaminate, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis-2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide and the like can be used. Two or more of the above polymerization initiators can be used in combination.
反応温度は通常５０〜８５℃程度、反応時間は１〜８時間程度とされる。また、前記製造法のなかでも溶液重合法が好ましく、（メタ）アクリル系ポリマーの溶媒としては一般に酢酸エチル、トルエン等の極性溶剤が用いられる。溶液濃度は通常２０〜８０質量％程度とされる。 The reaction temperature is usually about 50 to 85 ° C., and the reaction time is about 1 to 8 hours. Among the production methods, a solution polymerization method is preferable, and a polar solvent such as ethyl acetate or toluene is generally used as a solvent for the (meth) acrylic polymer. The solution concentration is usually about 20 to 80% by mass.
粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めるため、架橋剤を適宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマー等があげられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は引き剥がし粘着力が下がり過ぎないことを考慮し、一般的には、上記ベースポリマー１００質量部に対して、０．０１〜５質量部程度配合するのが好ましい。粘着剤には、必要により、上記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有できる。 In order to increase the number average molecular weight of the (meth) acrylic polymer that is the base polymer, a crosslinking agent can be appropriately added to the pressure-sensitive adhesive. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, aziridine compounds, melamine resins, urea resins, anhydrous compounds, polyamines, and carboxyl group-containing polymers. In the case of using a crosslinking agent, the amount used is generally about 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer, considering that the peeling adhesive strength does not decrease too much. Is preferred. If necessary, the pressure-sensitive adhesive may contain conventional additives such as various tackifiers, anti-aging agents, fillers, anti-aging agents, and coloring agents in addition to the above-described components.
粘着剤は、紫外線、電子線等の放射線により硬化して粘着力が低下する放射線硬化型粘着剤としてもよい。放射線硬化型粘着剤を用いた場合、放射線、例えば、紫外線の照射によって粘着力が低下することから、粘着シートの剥離が容易となる。 The pressure-sensitive adhesive may be a radiation-curing pressure-sensitive adhesive that is cured by radiation such as ultraviolet rays or electron beams to reduce the adhesive force. When a radiation curable pressure-sensitive adhesive is used, the pressure-sensitive adhesive sheet is easily peeled off because the pressure-sensitive adhesive force is reduced by irradiation with radiation, for example, ultraviolet rays.
放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前述の（メタ）アクリル系ポリマーに放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した放射線硬化性粘着剤が挙げられる。 As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include a radiation curable pressure-sensitive adhesive obtained by blending the aforementioned (meth) acrylic polymer with a radiation curable monomer component or oligomer component.
配合する放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、及び１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of the radiation curable monomer component and oligomer component to be blended include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、特に制限されるものではないが、粘着性を考慮すると、粘着剤を構成する(メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００質量部に対して、５〜５００質量部が好ましく、さらに好ましくは６０〜１５０質量部である。 The blending amount of the radiation curable monomer component or oligomer component is not particularly limited, but in consideration of the tackiness, with respect to 100 parts by mass of the base polymer such as a (meth) acrylic polymer constituting the pressure sensitive adhesive. 5 to 500 parts by mass, and more preferably 60 to 150 parts by mass.
また、放射線硬化型粘着剤としては、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを使用できる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この場合においては、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意である。 Moreover, as a radiation curing type adhesive, what has a carbon-carbon double bond in a polymer side chain or a principal chain, or the principal chain terminal can be used as a base polymer. As such a base polymer, a polymer having a (meth) acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. In this case, it is not necessary to add a radiation curable monomer component or oligomer component, and its use is optional.
放射線硬化型粘着剤には、紫外線線等により硬化させる場合、光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α−メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニゾインメチルエーテルの如きベンゾインエーテル系化合物、２−メチル−２−ヒドロキシプロピルフェノン等のα−ケトール系化合物、ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物、２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。 The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α-methylacetophenone, methoxyacetophenone, and 2,2-dimethoxy-2. Acetophenone compounds such as phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzoin ethyl ether, Benzoin ether compounds such as benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether, α-ketol compounds such as 2-methyl-2-hydroxypropylphenone, ketal compounds such as benzyldimethyl ketal, 2-naphthalenesulfonyl chloride Aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl-4 -Benzophenone compounds such as methoxybenzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4 Examples thereof include thioxanthone compounds such as diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone, camphorquinone, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, and acyl phosphonate.
光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００質量部に対して、０．１〜１０質量部程度が好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量部である。 As for the compounding quantity of a photoinitiator, about 0.1-10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of base polymers, such as the (meth) acrylic-type polymer which comprises an adhesive, More preferably, it is 0.5-10. Part by mass.
また、粘着剤は、加熱により粘着力が低下する熱剥離型粘着剤、具体的には発泡剤を含有する加熱発泡剥離型粘着剤であってもよい。加熱発泡剥離型粘着剤としては、例えば、前述の（メタ）アクリル系ポリマーに発泡剤を含有させたものが挙げられる。 The pressure-sensitive adhesive may be a heat-peelable pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by heating, specifically, a heat-foamable peel-type pressure-sensitive adhesive containing a foaming agent. Examples of the heat-foaming release pressure-sensitive adhesive include those obtained by adding a foaming agent to the aforementioned (meth) acrylic polymer.
発泡剤としては、特に制限されないが、熱膨張性微小球を好適に使用できる。発泡剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用できる。熱膨張性微小球としては、公知の熱膨張性微小球から適宜選択できる。熱膨張性微小球としては、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に使用できる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等の加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球等が挙げられる。 Although it does not restrict | limit especially as a foaming agent, A thermally expansible microsphere can be used conveniently. A foaming agent can be used individually or in combination of 2 or more types. The heat-expandable microsphere can be appropriately selected from known heat-expandable microspheres. As the heat-expandable microsphere, a foaming agent encapsulated in microencapsulation can be preferably used. Examples of such thermally expandable microspheres include microspheres in which substances such as isobutane, propane, and pentane that are easily gasified and expanded by heating are encapsulated in an elastic shell.
殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法や、界面重合法等により製造できる。 The shell is often formed of a hot-melt material or a material that breaks down due to thermal expansion. Examples of the substance forming the shell include vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone. Thermally expandable microspheres can be produced by a conventional method such as a coacervation method or an interfacial polymerization method.
発泡剤としては、熱膨張性微小球以外の発泡剤も使用できる。このような発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤等の各種発泡剤を適宜選択して使用できる。無機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水酸化ホウ素ナトリウム、各種アジド類等が挙げられる。また、有機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、水；トリクロロモノフル オロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン系化合物；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシ レート等のアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３´−ジスルホニルヒドラジド、４，４´−オキシビス（ベンゼン スルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等のヒドラジン系化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４´−オキシビス （ベンゼンスルホニルセミカルバジド）等のセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾール等のトリアゾール系化合 物；Ｎ，Ｎ´−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ´−ジメチル−Ｎ，Ｎ´−ジニトロソテレフタルアミド等のＮ−ニトロソ系化合物等が挙げられる。 As the foaming agent, foaming agents other than the thermally expandable microspheres can be used. As such a foaming agent, various foaming agents such as various inorganic foaming agents and organic foaming agents can be appropriately selected and used. Typical examples of the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, various azides and the like. Representative examples of organic foaming agents include water; chlorofluorinated alkane compounds such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane; azobisisobutyronitrile, azodicarbonamide, barium azodi. Azo compounds such as carboxylate; hydrazine compounds such as paratoluenesulfonyl hydrazide, diphenylsulfone-3,3′-disulfonyl hydrazide, 4,4′-oxybis (benzene sulfonyl hydrazide), allyl bis (sulfonyl hydrazide); p- Semicarbazide compounds such as toluylenesulfonyl semicarbazide and 4,4′-oxybis (benzenesulfonyl semicarbazide); triazole compounds such as 5-morpholyl-1,2,3,4-thiatriazole; N, N′-dinitroso Pentamethyle And N-nitroso compounds such as N, N'-dimethyl-N, N'-dinitrosotephthalamide.
発泡剤（熱膨張性微小球等）の配合量は、熱剥離型粘着剤の膨張倍率や粘着力の低下性等に応じて適宜選択できるが、一般にはベースポリマー１００質量部に対して、１〜１５０質量部が好ましく、より好ましくは１０〜１３０質量部、さらに好ましくは２５〜１００質量部である。 The blending amount of the foaming agent (thermally expandable microspheres, etc.) can be appropriately selected according to the expansion ratio of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive, the decrease in adhesive strength, etc. -150 mass parts is preferable, More preferably, it is 10-130 mass parts, More preferably, it is 25-100 mass parts.
粘着剤層の形成は、上記した各粘着剤を必要に応じて溶媒やその他の添加剤等と混合して、シート状の層に形成する慣用の方法により行うことができる。具体的には、上記粘着剤を含む混合物を基材上に塗布し、必要に応じて乾燥や硬化させる方法、また適当なセパレータ（剥離紙等）上に上記混合物を塗布して粘着剤層を形成し、これを基材上に転写させる方法等が挙げられる。 The pressure-sensitive adhesive layer can be formed by a conventional method in which the above-mentioned pressure-sensitive adhesives are mixed with a solvent, other additives, or the like as necessary to form a sheet-like layer. Specifically, a mixture containing the above-mentioned pressure-sensitive adhesive is applied onto a substrate and dried or cured as necessary, or the above-mentioned mixture is applied onto an appropriate separator (release paper, etc.) to form a pressure-sensitive adhesive layer. The method of forming and transferring this on a base material etc. is mentioned.
粘着剤層の厚さは、粘着剤の種類、必要とされる粘着力等に応じて適宜選択できるが、熱剥離型粘着剤以外のものについては、１〜５０μｍが好ましく、より好ましくは２〜３０μｍであり、熱剥離型粘着剤については、５〜３００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜１５０μｍである。粘着剤層が薄すぎると、十分な粘着力が得られないおそれがある。また、粘着剤層が厚すぎると、粘着力が過度に高くなり、粘着シートの剥離が困難となるおそれがある。 Although the thickness of an adhesive layer can be suitably selected according to the kind of adhesive, the adhesive force required, etc., about 1 other than heat-peeling adhesives, 1-50 micrometers is preferable, More preferably, it is 2 It is 30 micrometers, and about a heat peeling type adhesive, 5-300 micrometers is preferable, More preferably, it is 20-150 micrometers. If the pressure-sensitive adhesive layer is too thin, sufficient adhesive strength may not be obtained. Moreover, when an adhesive layer is too thick, adhesive force becomes high too much and there exists a possibility that peeling of an adhesive sheet may become difficult.
粘着シートの貼り合わせは、例えば、未焼成の連結基板に粘着シートを重ね合わせた後、これらの表面をハンディーローラー等で一方の端部から他方の端部にかけて押圧する方法等、公知の方法を適用して行うことができる。 Bonding of the pressure-sensitive adhesive sheet is performed by, for example, a known method such as a method in which the pressure-sensitive adhesive sheet is superposed on an unfired connecting substrate and then the surface is pressed from one end to the other end with a handy roller or the like. Can be applied.
一方、粘着シートの剥離は、粘着剤の種類に応じて以下に示すように行うことができる。 On the other hand, peeling of an adhesive sheet can be performed as shown below according to the kind of adhesive.
放射線硬化型粘着剤および熱剥離型粘着剤以外の粘着剤の場合、粘着力を低下させる特別な処理を行うことなく、そのまま未焼成の連結基板から粘着シートを剥離する。 In the case of a pressure-sensitive adhesive other than the radiation-curable pressure-sensitive adhesive and the heat-peelable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off from the unfired connection substrate as it is without performing a special treatment for reducing the adhesive strength.
放射線硬化型粘着剤の場合、放射線、例えば、紫外線を照射し、粘着力を低下させた後、未焼成の連結基板から粘着シートを剥離する。紫外線の照射は、粘着力を０．５１Ｎ／２０ｍｍ以下に低下させることが好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ２以上の紫外線照射積算光量が好ましい。紫外線照射積算光量を３０ｍＪ／ｃｍ２以上とすることにより、粘着剤を十分に硬化させ、粘着力を低下できる。通常、紫外線照射積算光量は１０００ｍＪ／ｃｍ２以下が好ましい。 In the case of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, radiation, for example, ultraviolet rays is irradiated to reduce the adhesive strength, and then the pressure-sensitive adhesive sheet is peeled from the unfired connection substrate. Irradiation with ultraviolet rays preferably lowers the adhesive strength to 0.51 N / 20 mm or less, and an ultraviolet irradiation accumulated light quantity of 30 mJ / cm 2 or more is preferable. By setting the UV irradiation integrated light amount to 30 mJ / cm 2 or more, the pressure-sensitive adhesive can be sufficiently cured and the adhesive strength can be reduced. In general, the cumulative amount of ultraviolet irradiation is preferably 1000 mJ / cm 2 or less.
熱剥離型粘着剤の場合、加熱によって粘着力を低下させた後、未焼成の連結基板から粘着シートを剥離する。加熱温度は、粘着力を０．５１Ｎ／２０ｍｍ以下に低下させるものが好ましく、７０〜１２０℃が好ましい。加熱温度を７０℃以上とすることにより、粘着力を効果的に低下できる。また、１２０℃以下とすることにより、基材の変形等を抑制できる。加熱時間は、粘着剤自体が７０〜１２０℃に達すればよく、特に限定されない。 In the case of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive force is reduced by heating, and then the pressure-sensitive adhesive sheet is peeled from the unfired connection substrate. The heating temperature is preferably one that reduces the adhesive strength to 0.51 N / 20 mm or less, and preferably 70 to 120 ° C. By setting the heating temperature to 70 ° C. or higher, the adhesive strength can be effectively reduced. Moreover, a deformation | transformation etc. of a base material can be suppressed by setting it as 120 degrees C or less. The heating time is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive itself reaches 70 to 120 ° C.
以下、発光素子を搭載するための素子基板の連結基板を例に挙げて具体的に説明する。まず、連結基板、および発光装置について説明する。なお、以下では、連結基板、および発光装置における同一部分について、同一の符号を付して説明する。 Hereinafter, the connection substrate of the element substrate for mounting the light emitting element will be specifically described as an example. First, the connection substrate and the light emitting device will be described. In the following description, the same parts of the connecting substrate and the light emitting device will be described with the same reference numerals.
図１は、連結基板の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示す連結基板のＡ−Ａ’線断面図である。 FIG. 1 is a plan view illustrating an example of a connection board, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of the connection board illustrated in FIG. 1.
連結基板１は、主として無機絶縁材料からなる略板状であって、中央部に素子基板群２が形成されるとともに、この素子基板群２に、縦３列、横３行、合計９個の素子基板となる構成単位である素子基板３が互いに隣接して配列される。９個の素子基板３の外側には、これを囲むようにして余剰部４が設けられる。ここで、略板状とは、目視レベルで全体が板状に見えるものであり、以後、略とは目視レベルでそのように見えるものを指す。
The
連結基板１の上面１ａには、隣接する素子基板３の境界線、余剰部４と素子基板３との境界線、およびこれらの境界線の延長線に、分割溝５が設けられる。図２に示すように、連結基板１の下面１ｂについても、上面１ａの分割溝５に対応する位置に分割溝５が設けられる。
On the
連結基板１は、最終的に、分割溝５に応力を負荷する等により分割されて、独立した９個の素子基板３となる。また、分割による欠け等の不具合発生を防止するために、各素子基板３の４隅には、上面１ａから下面１ｂに貫通するように分割孔６が形成される。
The
連結基板１を構成する無機絶縁材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス（ＬＴＣＣ）等が挙げられる。無機絶縁材料としては、高反射性、製造の容易性、易加工性、経済性等の観点から、ＬＴＣＣが好ましい。
Examples of the inorganic insulating material constituting the
分割溝５の上面１ａおよび下面１ｂに開口する開口部の幅は１〜５０μｍが好ましい。開口部の幅が１μｍ未満であると、連結基板１の分割精度が低下し、分割後の素子基板３にバリや欠けが発生しやすい。一方、開口部の幅が５０μｍを超えると、例えば、連結基板１の表面を平滑化するブラスト処理において、ブラスト処理に用いる研磨粒子が内部に侵入しやすい。
As for the width of the opening part opened to the
分割溝５の深さは、１００〜４００μｍが好ましい。深さが１００μｍ未満であると、十分な分割精度を得られない。一方、深さが４００μｍを超えると、連結基板１の製造時の成形性が低下する。分割溝５の深さは、より好ましくは２００〜３００μｍである。
The depth of the dividing
分割溝５の断面形状は、図２に示すようなＶ字形状が好ましいが、必ずしもこのような形状に限定されず、長方形状もしくはＵ字形状でもよい。なお、図２に示す連結基板１では、上面１ａおよび下面１ｂの両面に分割溝５を設けたが、必ずしも両主面に分割溝５を設ける必要はなく、上面１ａまたは下面１ｂの一方のみに分割溝５を設けてもよい。
The sectional shape of the dividing
図３は、素子基板３の平面図であり、図４は、図３に示す素子基板３のＢ−Ｂ’線断面図である。
FIG. 3 is a plan view of the
素子基板３は、２ワイヤタイプの発光素子が８個搭載されるとともに、これらが電気的に並列接続されるものである。素子基板３は、略板状の本体部３１を有し、この本体部３１の上部に枠部３２が形成される。枠部３２の表面には、例えば、位置合わせ等に利用されるアライメントマーク３２１が形成される。本体部３１の上面のうち、枠部３２で囲まれた領域は発光素子の搭載される搭載面３３となり、また枠部３２の内部は発光素子の搭載後にシリコーン樹脂等の封止材が注入されて封止される。
The
搭載面３３には、発光素子と電気的に接続される配線導体３４が設けられる。配線導体３４は、第１の電極３４ａおよび第２の電極３４ｂを有する。第１の電極３４ａは、搭載面３３の中央に配設された１個のアノード側またはカソード側電極である。第２の電極３４ｂは、搭載面３３の外周部付近に配設された、第１の電極と反対極側の複数の電極である。第２の電極３４ｂは、搭載される発光素子と同数形成され、それぞれ第１の電極３４ａを囲む円周上に略等間隔で配設される。ここで、第１の電極３４ａと第２の電極３４ｂとの間の円周上の部分に、実際に発光素子が搭載される搭載部Ｔが設けられる。
A
第２の電極３４ｂの個数は、搭載される発光素子の個数と同数の８個であるが、それ以外に必要とする電極等があれば、必要に応じて形成できる。すなわち、配線導体３４を構成する第１の電極３４ａの形状および位置、第２の電極３４ｂの形状および個数等は、必ずしも限定されない。また、配線導体３４の構成材料は、通常の発光素子基板に用いられる配線導体層と同様のものであれば特に制限されない。配線導体３４の厚さは５〜１５μｍが好ましい。
The number of
下面１ｂには、アノード側およびカソード側に対応する一対の外部電極端子３５が設けられる。一対の外部電極端子３５は、それぞれ本体部３１の内部に形成された接続ビア３６を介して、第１の電極３４ａ、第２の電極３４ｂと電気的に接続される。外部電極端子３５および接続ビア３６の形状や構成材料は、通常の発光素子基板と同様にできる。また、外部電極端子３５および接続ビア３６の配置については、第１の電極３４ａおよび第２の電極３４ｂを介して発光素子を電気的に並列接続できれば特に限定されない。
A pair of
また、本体部３１の熱抵抗を低減するために、本体部３１の内部にサーマルビア３７および放熱層３８が埋設される。サーマルビア３７を下面１ｂから搭載部Ｔまで貫通させた場合、熱抵抗は小さくできるが搭載部Ｔの平坦度が悪くなり、搭載する素子と搭載部Ｔの熱的な接触が悪くなる。サーマルビア３７は、例えば発光素子の搭載部Ｔより小さい柱状で、下面１ｂから内部に埋設された放熱層３８にかけて配設するのが好ましい。このようにサーマルビア３７と搭載部Ｔとの間を基板材料等で距離を持たせることで、搭載面３３、特に搭載部Ｔの平坦度を向上し、熱抵抗を低減でき、また発光素子を搭載したときの傾きも抑制できる。
Further, in order to reduce the thermal resistance of the
図５は、図３に示される素子基板３を有する発光装置の平面図であり、図６は、図５に示す発光装置のＣ−Ｃ’線断面図である。なお、図５では、封止層を除いた状態を示す。
5 is a plan view of the light emitting device having the
発光装置１０は、素子基板３と、この素子基板３の搭載部Ｔに搭載され、一対の電極がそれぞれ配線導体３４の第１の電極３４ａおよび第２の電極３４ｂにワイヤボンディングされた２ワイヤタイプのＬＥＤ素子からなる発光素子１１とを備える。
The
発光素子１１は、８個が並列に接続されるように設けられ、いずれも下面が同サイズの正方形であり、図示しない接着剤であるシリコーンダイボンド材により搭載部Ｔに固定される。各発光素子１１の図示しない電極の一方は、ボンディングワイヤ１２によって第１の電極３４ａに接続され、他方の電極は、第２の電極３４ｂのうち最も近い電極にボンディングワイヤ１２によって接続される。８個の発光素子１１の８対１６個の電極を接続する１６本のボンディングワイヤ１２は、互いに交差しないように配置される。さらに、これらの発光素子１１やボンディングワイヤ１２を覆うように、モールド樹脂からなる封止層１３が設けられる。
Eight
このような発光装置１０は、例えば、携帯電話、液晶ＴＶ、液晶ディスプレイ等のバックライト、自動車用あるいは装飾用の照明、その他の光源として好適に用いられる。
Such a
次に、連結基板１の製造方法を説明する。連結基板１は以下の工程により製造される。なお、以下では、連結基板１の構成材料をガラスセラミックスとし、素子基板３の本体部３１を３枚のグリーンシートから構成し、枠部３２を１枚のグリーンシートから構成する場合について説明する。
Next, the manufacturing method of the connection board |
（Ａ）グリーンシート作製工程
ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物を用いてグリーンシートを作製する。グリーンシートとしては、いずれも所定数の素子基板３が形成されるものであって、本体部３１を構成するための上層、中層、および下層の３枚のグリーンシート、ならびに枠部３２を構成するための１枚のグリーンシートの計４枚を製造する。
(A) Green sheet production process A green sheet is produced using the glass ceramic composition containing glass powder and ceramic powder. As the green sheets, a predetermined number of
グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて製造する。 A green sheet is a glass-ceramic composition containing glass powder and ceramic powder, and a slurry is prepared by adding a binder and, if necessary, a plasticizer, a dispersant, a solvent, etc. And then dried.
ガラス粉末としては、ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０〜７００℃のものが好ましい。Ｔｇが５５０℃未満の場合には、脱脂が困難となるおそれがあり、７００℃を超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。 The glass powder preferably has a glass transition point (Tg) of 550 to 700 ° C. When Tg is less than 550 ° C., degreasing may be difficult, and when it exceeds 700 ° C., the shrinkage start temperature becomes high and the dimensional accuracy may be lowered.
また、ガラス粉末は、８００〜９３０℃で焼成したときに結晶が析出するものが好ましい。結晶が析出することで、十分な機械的強度を得ることができる。さらに、ＤＴＡ（示差熱分析）により測定される結晶化ピーク温度（Ｔｃ）が８８０℃以下のものが好ましい。Ｔｃが８８０℃以下の場合、良好な寸法精度を得ることができる。 The glass powder is preferably one in which crystals precipitate when fired at 800 to 930 ° C. A sufficient mechanical strength can be obtained by the precipitation of crystals. Furthermore, the thing whose crystallization peak temperature (Tc) measured by DTA (differential thermal analysis) is 880 degrees C or less is preferable. When Tc is 880 ° C. or less, good dimensional accuracy can be obtained.
ガラス粉末としては、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２を５７〜６５％、Ｂ２Ｏ３を１３〜１８％、ＣａＯを９〜２３％、Ａｌ２Ｏ３を３〜８％、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏから選ばれる少なくとも一方を合計で０．５〜６％含有するものが好ましい。このようなものを用いることで、表面平坦度の向上が容易となる。 The glass powder is expressed in mol% on the basis of oxide, SiO 2 is 57 to 65%, B 2 O 3 is 13 to 18%, CaO is 9 to 23%, Al 2 O 3 is 3 to 8%, K those containing 0.5 to 6% of at least one of them in total selected from 2 O and Na 2 O are preferred. By using such a material, the surface flatness can be easily improved.
ＳｉＯ２は、ガラスのネットワークフォーマとなる。ＳｉＯ２の含有量が５７％未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、ＳｉＯ２の含有量が６５％を超える場合には、ガラス溶融温度やＴｇが過度に高くなるおそれがある。ＳｉＯ２の含有量は、好ましくは５８％以上、より好ましくは５９％以上、特に好ましくは６０％以上である。また、ＳｉＯ２の含有量は、好ましくは６４％以下、より好ましくは６３％以下である。 SiO 2 becomes a glass network former. When the content of SiO 2 is less than 57%, it is difficult to obtain a stable glass and the chemical durability may be lowered. On the other hand, when the content of SiO 2 exceeds 65%, the glass melting temperature and Tg may be excessively increased. The content of SiO 2 is preferably 58% or more, more preferably 59% or more, and particularly preferably 60% or more. Further, the content of SiO 2 is preferably 64% or less, more preferably 63% or less.
Ｂ２Ｏ３は、ガラスのネットワークフォーマとなる。Ｂ２Ｏ３の含有量が１３％未満の場合、ガラス溶融温度やＴｇが過度に高くなるおそれがある。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８％を超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１４％以上、より好ましくは１５％以上である。また、Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１７％以下、より好ましくは１６％以下である。 B 2 O 3 is a glass network former. If the content of B 2 O 3 is less than 13%, there is a possibility that the glass melting temperature or Tg may be too high. On the other hand, when the content of B 2 O 3 exceeds 18%, it is difficult to obtain a stable glass, and the chemical durability may be lowered. The content of B 2 O 3 is preferably 14% or more, more preferably 15% or more. Further, the content of B 2 O 3 is preferably 17% or less, more preferably 16% or less.
Ａｌ２Ｏ３は、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Ａｌ２Ｏ３の含有量が３％未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が８％を超える場合、ガラス溶融温度やＴｇが過度に高くなるおそれがある。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは４％以上、より好ましくは５％以上である。また、Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは７％以下、より好ましくは６％以下である。 Al 2 O 3 is added to increase the stability, chemical durability, and strength of the glass. If the content of Al 2 O 3 is less than 3%, the glass may become unstable. On the other hand, when the content of Al 2 O 3 exceeds 8%, the glass melting temperature and Tg may be excessively high. The content of Al 2 O 3 is preferably 4% or more, more preferably 5% or more. Further, the content of Al 2 O 3 is preferably 7% or less, more preferably 6% or less.
ＣａＯは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めるとともに、ガラス溶融温度やＴｇを低下させるために添加される。ＣａＯの含有量が９％未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、ＣａＯの含有量が２３％を超える場合、ガラスが不安定になるおそれがある。ＣａＯの含有量は、好ましくは１２％以上、より好ましくは１３％以上、特に好ましくは１４％以上である。また、ＣａＯの含有量は、好ましくは２２％以下、より好ましくは２１％以下、特に好ましくは２０％以下である。 CaO is added to increase glass stability and crystal precipitation, and to lower the glass melting temperature and Tg. When the content of CaO is less than 9%, the glass melting temperature may be excessively high. On the other hand, when the content of CaO exceeds 23%, the glass may become unstable. The content of CaO is preferably 12% or more, more preferably 13% or more, and particularly preferably 14% or more. Further, the content of CaO is preferably 22% or less, more preferably 21% or less, and particularly preferably 20% or less.
Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏは、Ｔｇを低下させるために添加される。Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏの合計した含有量が０．５％未満の場合、ガラス溶融温度やＴｇが過度に高くなるおそれがある。一方、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏの合計した含有量が６％を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏの合計した含有量は、０．８％以上５％以下が好ましい。 K 2 O and Na 2 O are added to lower Tg. When the total content of K 2 O and Na 2 O is less than 0.5%, the glass melting temperature and Tg may be excessively high. On the other hand, when the total content of K 2 O and Na 2 O exceeds 6%, chemical durability, particularly acid resistance may be lowered, and electrical insulation may be lowered. The total content of K 2 O and Na 2 O is preferably 0.8% or more and 5% or less.
なお、ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、Ｔｇ等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は１０％以下が好ましい。 In addition, glass powder is not necessarily limited to what consists only of the said component, Other components can be contained in the range with which various characteristics, such as Tg, are satisfy | filled. When other components are contained, the total content is preferably 10% or less.
ガラス粉末は、上記組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕して得られる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水またはエチルアルコールを用いることが好ましい。粉砕機としては、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等が挙げられる。 The glass powder is obtained by producing a glass having the above composition by a melting method and pulverizing it by a dry pulverization method or a wet pulverization method. In the case of the wet pulverization method, it is preferable to use water or ethyl alcohol as a solvent. Examples of the pulverizer include a roll mill, a ball mill, and a jet mill.
ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５〜２μｍが好ましい。ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく取り扱いが困難になるばかりでなく、均一分散が困難になる。一方、ガラス粉末のＤ５０が２μｍを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径は、例えば粉砕後に必要に応じて分級して調整してもよい。 The 50% particle size (D50) of the glass powder is preferably 0.5-2 μm. When the D50 of the glass powder is less than 0.5 μm, the glass powder tends to aggregate and difficult to handle, and uniform dispersion becomes difficult. On the other hand, when the D50 of the glass powder exceeds 2 μm, there is a possibility that the glass softening temperature rises or the sintering is insufficient. The particle diameter may be adjusted by classification as necessary after pulverization, for example.
セラミックス粉末としては、従来からガラスセラミックスに用いられているものを使用でき、例えば、アルミナ粉末、またはアルミナ粉末とアルミナよりも高い屈折率を有するセラミックスの粉末との混合粉末が好ましい。以下、アルミナよりも高い屈折率を有するセラミックスの粉末を高屈折率セラミックス粉末と示す。 As the ceramic powder, those conventionally used for glass ceramics can be used. For example, alumina powder or a mixed powder of alumina powder and ceramic powder having a higher refractive index than alumina is preferable. Hereinafter, a ceramic powder having a higher refractive index than alumina is referred to as a high refractive index ceramic powder.
高屈折率セラミックス粉末は、ガラスセラミックスの反射率を向上させる成分であり、例えば、チタニア粉末、ジルコニア粉末、安定化ジルコニア粉末等が挙げられる。アルミナの屈折率が１．８程度であるのに対して、チタニアの屈折率は２．７程度、ジルコニアの屈折率は２．２程度であり、アルミナに比べて高い屈折率を有している。これらのセラミックスの粉末のＤ５０は、０．５〜４μｍが好ましい。 The high refractive index ceramic powder is a component that improves the reflectance of the glass ceramic, and examples thereof include titania powder, zirconia powder, and stabilized zirconia powder. While the refractive index of alumina is about 1.8, the refractive index of titania is about 2.7 and the refractive index of zirconia is about 2.2, which is higher than that of alumina. . The D50 of these ceramic powders is preferably 0.5 to 4 μm.
ガラス粉末とセラミックス粉末とは、例えばガラス粉末が３０〜５０質量％、セラミックス粉末が５０〜７０質量％となるように配合し、混合して、ガラスセラミックス組成物とする。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーとする。 For example, the glass powder and the ceramic powder are blended so that the glass powder is 30 to 50% by mass and the ceramic powder is 50 to 70% by mass, and mixed to obtain a glass ceramic composition. Moreover, a binder, and a plasticizer, a dispersing agent, a solvent, etc. are added to this glass ceramic composition as needed, and it is set as a slurry.
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に使用できる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を使用できる。溶剤としては、トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノール等の有機溶剤を好適に使用できる。 As the binder, for example, polyvinyl butyral, acrylic resin and the like can be suitably used. As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate and the like can be used. As the solvent, organic solvents such as toluene, xylene, 2-propanol and 2-butanol can be suitably used.
スラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて、本体部３１となる上層、中層、および下層の３枚のグリーンシートを作製する。また、同様にして、枠部３２となるグリーンシートを作製する。
The slurry is formed into a sheet shape by a doctor blade method or the like, and dried to produce three green sheets of an upper layer, a middle layer, and a lower layer that become the
（Ｂ）未焼成導体形成工程
前記工程で作製されたグリーンシートの表面および内部に、未焼成導体、すなわち未焼成配線導体、未焼成外部電極端子、未焼成接続ビア、未焼成サーマルビア、未焼成放熱層等を形成する。
(B) Unsintered conductor formation process On the surface and inside of the green sheet produced in the above process, unsintered conductor, that is, unsintered wiring conductor, unsintered external electrode terminal, unsintered connection via, unsintered thermal via, unsintered A heat dissipation layer and the like are formed.
図７に示すように、上層用グリーンシート３１ａには、各素子基板３の搭載面３３の中央部となる位置に第１の未焼成電極３４ａを形成する。また、第１の未焼成電極３４ａを囲むようにリング状の未焼成連結導体３４ｃを形成するとともに、８個の第２の未焼成電極３４ｂを、未焼成連結導体３４ｃから内側に延出するように略等間隔に形成する。さらに、第１の未焼成電極３４ａの中心部、および未焼成連結導体３４ｃの所定の位置に、上層用グリーンシート３１ａを貫通するように未焼成接続ビア３６を形成する。なお、図中、符号５で示す破線は、後工程で分割溝５が形成される溝形成予定部であり、符号６で示す破線は、後工程で分割孔６が形成される孔形成予定部である。以下の図８、９についても同様である。
As shown in FIG. 7, the first
図８に示すように、中層用グリーンシート３１ｂには、上面に未焼成放熱層３８を形成するとともに、厚さ方向に貫通するように未焼成接続ビア３６および未焼成サーマルビア３７を形成する。また、図９に示すように、下層用グリーンシート３１ｃには、厚さ方向に貫通するように未焼成接続ビア３６および未焼成サーマルビア３７を形成するとともに、下面に未焼成外部電極端子３５を形成する。
As shown in FIG. 8, an unfired
第１の未焼成電極３４ａは、上層用グリーンシート３１ａを貫通する未焼成接続ビア３６により一方の未焼成放熱層３８と電気的に接続され、該未焼成放熱層３８は中層用グリーンシート３１ｂおよび下層用グリーンシート３１ｃを貫通する未焼成接続ビア３６により一方の未焼成外部電極端子３５に電気的に接続される。第２の未焼成電極３４ｂは、上層用グリーンシート３１ａを貫通する未焼成接続ビア３６により他方の未焼成放熱層３８と電気的に接続され、該未焼成放熱層３８は中層用グリーンシート３１ｂおよび下層用グリーンシート３１ｃを貫通する未焼成接続ビア３６により他方の未焼成外部電極端子３５に電気的に接続される。
The first
各未焼成導体は、スクリーン印刷による導体ペーストの塗布、または充填により形成する。導体ペーストとしては、例えば、銅、銀、金等を主成分とする金属の粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。なお、上記金属粉末としては、銀粉末、銀と白金またはパラジウムからなる金属粉末が好ましく用いられる。 Each green conductor is formed by applying or filling a conductor paste by screen printing. As the conductive paste, for example, a paste obtained by adding a vehicle such as ethyl cellulose to a metal powder mainly composed of copper, silver, gold or the like, and a solvent or the like as required can be used. In addition, as said metal powder, the metal powder which consists of silver powder and silver, platinum, or palladium is used preferably.
（Ｃ）積層工程
上記工程で得られた本体部３１となる上層用グリーンシート３１ａ、中層用グリーンシート３１ｂ、および下層用グリーンシート３１ｃ、ならびに枠部３２となるグリーンシートを所定の順序で重ね合わせ、熱圧着により一体化する。これにより、分割溝５が形成されていない未焼成の連結基板１を得る。
(C) Lamination process The upper layer
（Ｄ）分割溝および分割孔形成工程
分割溝５が形成されていない未焼成の連結基板１の表裏面に、それぞれグリーンシート切断機等を用いて、縦３列、横３行に配列される素子基板３の境界線上に縦４本、横４本の分割溝５を形成する。さらに、分割溝５の１６か所の交点において交点を中心とする円形の貫通孔を分割孔６として孔開け機等を用いて形成し、分割溝５が形成された未焼成の連結基板１を得る。分割溝５の形成は、例えば、以下のようにして行う。
(D) Divided groove and divided hole forming step The front and back surfaces of the unfired connecting
まず、図１０（ａ）に示すように、未焼成の連結基板１の下面１ｂに粘着シート７ａを貼り合わせる。下面１ｂへの粘着シート７の貼り合わせは、例えば、下面１ｂに粘着シート７ａを重ね合わせてハンディーローラー等にて積層方向に加圧して行う。その後、図１０（ｂ）に示すように、粘着シート７ａが貼り合わされた下面１ｂ側を多孔質状の吸着台８により真空吸着して固定し、この状態で上面１ａにグリーンシート切断機により分割溝５を形成する。その後、下面１ｂに貼り合わされた粘着シート７ａの剥離のために加熱や紫外線の照射を行う場合、加熱または紫外線の照射を行う。
First, as shown in FIG. 10A, an
次に、図１０（ｃ）に示すように、下面１ｂに粘着シート７ａが貼り合わされた状態で、上面１ａに粘着シート７ｂを貼り合わせる。上面１ａへの粘着シート７ｂの貼り合わせは、例えば、上面１ａに粘着シート７ｂを重ね合わせてハンディーローラー等にて積層方向に加圧して行う。
Next, as shown in FIG. 10C, the
さらに、図１１（ａ）に示すように、上面１ａおよび下面１ｂに粘着シート７ａおよび７ｂが貼り合わされた未焼成の連結基板１の上面１ａ側を多孔質状の吸着台８により真空吸着して固定する。その後、図１１（ｂ）に示すように、上面１ａ側を真空吸着により固定しつつ、下面１ｂから粘着シート７ａを剥離し、下面１ｂにグリーンシート切断機により分割溝５を形成する。
Further, as shown in FIG. 11 (a), the
さらに、上面１ａに貼り合わされた粘着シート７ｂの剥離のために加熱や紫外線の照射を行う場合、加熱または紫外線の照射を行った後、図１１（ｃ）に示すように、上面１ａに粘着シート７ｂが貼り合わされた状態で、下面１ｂを多孔質状の吸着台８により真空吸着する。その後、図１１（ｄ）に示すように、下面１ｂを真空吸着により固定しつつ、上面１ａから粘着シート７ｂを剥離する。
Further, when heating or ultraviolet irradiation is performed for peeling off the pressure-
上記方法により、両主面に分割溝５が形成された未焼成の連結基板１を得ることができる。また、上記したように、未焼成の連結基板１を真空吸着により固定しつつ、粘着シート７ｂを剥離することで、粘着シート７ｂを容易に剥離できる。この際、粘着シート７ａ、７ｂとして粘着力の異なるシートを用いることで、具体的には、先に剥離する粘着シート７ａの粘着力を粘着シート７ｂの粘着力よりも小さくすることで、先に剥離する粘着シート７ａを剥離しやすくなるため好ましい。
By the said method, the unbaking connection board |
分割溝５は、焼成後の連結基板１における上面１ａまたは下面１ｂに開口する開口部の幅が１〜５０μｍとなるように形成することが好ましい。また、分割溝５は、焼成後の連結基板１における上面１ａまたは下面１ｂからの深さが１００〜４００μｍとなるように形成することが好ましい。
The dividing
粘着シート７は、例えば、基材７１と、この基材７１の一方の主面に形成された粘着層７２とを有し、この粘着層７２によって未焼成の連結基板１に貼り合わされる。未焼成の連結基板１への粘着シート７の貼り合わせは、上記したように、未焼成の連結基板１と粘着シート７とを重ね合わせ、ハンディーローラー等で一方の端部から他方の端部にかけて押圧する方法等により行うことができる。
The pressure-sensitive adhesive sheet 7 has, for example, a
一方、未焼成の連結基板１からの粘着シート７の剥離についても、既に説明したように、粘着層７２を構成する粘着剤の種類に応じて以下のように行うことができる。すなわち、放射線硬化型粘着剤および熱剥離型粘着剤以外の粘着剤の場合、粘着力を低下させる特別な処理を行うことなく、そのまま未焼成の連結基板１から粘着シート７を剥離する。放射線硬化型粘着剤の場合、放射線、例えば、紫外線を照射し、粘着力を低下させた後、未焼成の連結基板１から粘着シート７を剥離する。熱剥離型粘着剤の場合、加熱によって粘着力を低下させた後、未焼成の連結基板１から粘着シート７を剥離する。なお、放射線硬化型粘着剤および熱剥離型粘着剤の場合であっても、初期粘着力が０．０９〜０．５１Ｎ／２０ｍｍの範囲内にあるものについては、剥離時に放射線の照射または加熱を行う必要はない。
On the other hand, the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet 7 from the
（Ｅ）焼成工程
分割溝５が形成された未焼成の連結基板１は、必要に応じてバインダー等を脱脂後、ガラスセラミックス組成物を焼結させるための焼成を行って連結基板１とする。
(E) Firing step The unfired connecting
脱脂は、例えば５００〜６００℃の温度で１〜１０時間保持する。脱脂温度が５００℃未満もしくは脱脂時間が１時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は６００℃程度、脱脂時間は１０時間とすれば、バインダー等を十分に除去でき、これを超えるとかえって生産性等が低下するおそれがある。 Degreasing is held, for example, at a temperature of 500 to 600 ° C. for 1 to 10 hours. When the degreasing temperature is less than 500 ° C. or the degreasing time is less than 1 hour, the binder or the like may not be sufficiently removed. On the other hand, if the degreasing temperature is about 600 ° C. and the degreasing time is 10 hours, the binder and the like can be sufficiently removed, and if it exceeds this, productivity and the like may be lowered.
焼成は、緻密な構造の獲得と分割精度、生産性を考慮して、８００〜９３０℃の温度範囲で適宜時間を調整できる。具体的には、８５０〜９００℃の温度で２０〜６０分の保持が好ましく、特に８６０〜８８０℃の温度が好ましい。焼成温度が８００℃未満では、緻密な構造を得られないおそれがある。一方、焼成温度は９３０℃を超えると、構造が緻密になり過ぎて分割溝５の表面粗さＲａが過度に低くなり、分割精度が低下するおそれがある。また、変形により生産性等が低下するおそれもある。さらに、導体ペーストとして、銀を主成分とする金属粉末を含有する導体ペーストを用いた場合、焼成温度が８８０℃を超えると、過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれもある。
In the firing, the time can be appropriately adjusted in a temperature range of 800 to 930 ° C. in consideration of acquisition of a dense structure, division accuracy, and productivity. Specifically, holding at a temperature of 850 to 900 ° C. for 20 to 60 minutes is preferable, and a temperature of 860 to 880 ° C. is particularly preferable. If the firing temperature is less than 800 ° C., a dense structure may not be obtained. On the other hand, if the firing temperature exceeds 930 ° C., the structure becomes too dense, the surface roughness Ra of the dividing
以上、連結基板１の製造方法について、ガラスセラミックスの場合を例に挙げて説明したが、構成材料としてはガラスセラミックス以外のセラミックスであってもよく、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト等であってもよい。これらのものについても、ガラスセラミックスの場合と同様、原料粉末にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により所定のグリーンシートとする。このグリーンシートからなる分割溝５が形成されていない未焼成の連結基板１について、粘着シート７を用いて分割溝５を形成する。その後、分割溝５が形成された未焼成の連結基板１について、必要に応じて脱脂を行い、所定の焼成温度、例えば、酸化アルミニウムについては１４００〜１７００℃、窒化アルミニウムについては１７００〜１９５０℃で焼成する。これにより、連結基板１が得られる。
As described above, the manufacturing method of the
以上、連結基板１の製造方法について説明したが、分割溝５は必ずしも上面１ａおよび下面１ｂの両面に形成される必要はなく、上面１ａおよび下面１ｂの一方に形成されてもよい。また、分割溝５の形成順序についても、上面１ａおよび下面１ｂのいずれが先であってもよく、必ずしも上面１ａに先に分割溝５を形成する必要はない。さらに、粘着力を低下させる処理を行う時期についても、必ずしも真空吸着前に限られず、真空吸着後、すなわち真空吸着された状態で行ってもよい。また、連結基板１を構成するグリーンシートの枚数、素子基板群２や素子基板３の形成数、配置、発光素子１１の搭載数、配置等についても、必要に応じて適宜変更できる。
Although the manufacturing method of the
次に、本発明の具体的な実施例を記載する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されない。 Next, specific examples of the present invention will be described. The present invention is not limited to these examples.
（実施例：例１〜７、比較例：例８）
図１２に模式的に示すような未焼成の連結基板１を製造した。ここで、未焼成の連結基板１は、焼成前の大きさが１７０ｍｍ×１７０ｍｍとなるものであり、外周部付近の余剰部４を除いた部分に６箇所の素子基板群２を有するものである。未焼成の連結基板１における個々の素子基板３の大きさは、焼成後の大きさで２．５ｍｍ×１．５ｍｍであり、連結基板１の全体における素子基板３の形成数、すなわち６箇所の素子基板群２における素子基板３の形成数の合計数は、２９４０個である。
(Example: Examples 1 to 7, Comparative Example: Example 8)
An unfired connecting
まず、素子基板３の本体部３１となるグリーンシート（上層用グリーンシート、内層用グリーンシート、および下層用グリーンシート）、および枠部３２となるグリーンシートを作製した。グリーンシートの作製においては、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２が６０．４％、Ｂ２Ｏ３が１５．６％、Ａｌ２Ｏ３が６％、ＣａＯが１５％、Ｋ２Ｏが１％、Ｎａ２Ｏが２％となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより４０時間粉砕してガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
First, a green sheet (upper layer green sheet, inner layer green sheet, and lower layer green sheet) to be the
次いで、このガラス粉末、アルミナフィラー（昭和電工社製、商品名：ＡＬ−４５Ｈ）、ジルコニアフィラー（第一稀元素化学工業社製、商品名：ＨＳＹ−３Ｆ−Ｊ）を、ガラス粉末３８質量％、アルミナフィラー３８質量％、ジルコニアフィラー２４質量％の割合となるように配合し、混合して、ガラスセラミックス組成物を調製した。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）を配合し、混合してスラリーを調製した。 Next, this glass powder, alumina filler (manufactured by Showa Denko KK, trade name: AL-45H), zirconia filler (manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Industries, trade name: HSY-3F-J), and 38% by mass of glass powder. A glass ceramic composition was prepared by blending and mixing so as to have a ratio of 38% by mass of alumina filler and 24% by mass of zirconia filler. 50 g of this glass ceramic composition, 15 g of an organic solvent (toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol mixed at a mass ratio of 4: 2: 2: 1), plasticizer (di-2-ethylhexyl phthalate) 2.5 g of polyvinyl butyral (trade name: PVK # 3000K, manufactured by Denka) as a binder and 5 g of a dispersant (trade name: BYK180, manufactured by Big Chemie) were further blended and mixed to prepare a slurry.
このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させて、素子基板３の本体部３１となる上層用グリーンシート３１ａ、中層用グリーンシート３１ｂ、および下層用グリーンシート３１ｃ、ならびに枠部３２となるグリーンシートを製造した。なお、上層用グリーンシート３１ａ、中層用グリーンシート３１ｂ、下層用グリーンシート３１ｃ、および枠部３２となるグリーンシートは、上記したように所定の個数の素子基板群２および素子基板３が形成されるものである。
This slurry is applied onto a PET film by a doctor blade method and dried to be an upper layer
一方、導電性金属粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ５５０）、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比８５：１５の割合で配合し、固形分が８５質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散後、磁器乳鉢中で１時間混練し、さらに三本ロールにて３回分散して導体ペーストを製造した。 On the other hand, conductive metal powder (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S550) and ethyl cellulose as a vehicle are blended at a mass ratio of 85:15, and α as a solvent so that the solid content is 85 mass%. After dispersing in terpineol, the mixture was kneaded in a porcelain mortar for 1 hour, and further dispersed three times with a three roll to produce a conductor paste.
上層用グリーンシート３１ａ、中層用グリーンシート３１ｂ、および下層用グリーンシート３１ｃについては、図７〜９に示すように、導体ペーストのスクリーン印刷により各未焼成導体を形成した。また、枠部３２となるグリーンシートについては、各素子基板３の中央部をグリーンシート用パンチングマシーンにより円形にくり抜いた。また、各グリーンシートには、各素子基板３の角部に分割孔６となる直径０．６ｍｍの円形の貫通孔を孔開け機により形成した。
Regarding the upper layer
次に、上層用グリーンシート３１ａ、中層用グリーンシート３１ｂ、および下層用グリーンシート３１ｃを所定の順で積層するとともに、上層用グリーンシート３１ａの上部に枠部３２となるグリーンシートを積層し、加熱および加圧により一体化した。こうして、分割溝５が形成されていない未焼成の連結基板１を得た。未焼成の連結基板１の厚さは０．７ｍｍである。
Next, the upper layer
次いで、分割溝５が形成されていない未焼成の連結基板１に、表１に示すような粘着力を有する粘着シート７を用い、図１０、１１に示すようにして分割溝５を形成した。粘着力は、「ＪＩＳ Ｋ ６８５４−３ Ｔ型剥離接着試験」に準じて、被着体としてグリーンシート積層体に被着させたときの粘着力である。ここで、測定に用いたグリーンシート積層体の厚みは１．２ｍｍとした。グリーンシート積層体への被着は、「ＪＩＳ Ｚ ０２３７」に準じて、ハンディーローラーにて、２０ｍｍ／ｓ、２往復の条件で圧着を行った。粘着力の測定は、いずれも粘着力を低下させる処理をせずに行った。
Next, the dividing
ここで、表１には、粘着シート７の剥離処理タイプを示した。「熱」は、所定温度での加熱により粘着力が低下するもの、「ＵＶ光」はＵＶ光の照射により粘着力が低下するもの、「なし」は加熱やＵＶ光の照射を行わないものを示す。表１に示す粘着力は、このような熱剥離タイプおよびＵＶ光剥離タイプであっても加熱やＵＶ光の照射を行わずに測定した粘着力であるが、仮に剥離時に加熱やＵＶ光の照射を行えばより粘着力が低下することから、剥離処理が容易となる。 Here, Table 1 shows the peeling treatment type of the pressure-sensitive adhesive sheet 7. “Heat” means that the adhesive strength is reduced by heating at a predetermined temperature, “UV light” means that the adhesive strength is reduced by UV light irradiation, and “None” means that heat and UV light irradiation are not performed. Show. The adhesive strength shown in Table 1 is the adhesive strength measured without performing heating or UV light irradiation even in such a heat-peeling type and UV light peeling type, but it is assumed that heating or UV light irradiation is performed at the time of peeling. If it performs, since adhesive force will fall more, a peeling process will become easy.
まず、図１０（ａ）に示すように、未焼成の連結基板１の下面１ｂに粘着シート７ａを貼り合わせた。下面１ｂへの粘着シート７ａの貼り合わせは、下面１ｂに粘着シート７ａを重ね合わせてハンディーローラーにて積層方向に加圧して行った。その後、図１０（ｂ）に示すように、粘着シート７ａが貼り合わされた下面１ｂ側を多孔質状の吸着台８により真空吸着して固定し、この状態で上面１ａにグリーンシート切断機により分割溝５を形成した。その後、下面１ｂに貼り合わされた粘着シート７ａの剥離処理のタイプに応じて、加熱や紫外線の照射により粘着力が低下するものについては、加熱または紫外線の照射を行った。
First, as shown in FIG. 10A, the
次に、図１０（ｃ）に示すように、下面１ｂに粘着シート７ａが貼り合わされた状態で、上面１ａに粘着シート７ｂを貼り合わせた。上面１ａへの粘着シート７ｂの貼り合わせは、上面１ａに粘着シート７ｂを重ね合わせてハンディーローラーにて積層方向に加圧して行った。
Next, as shown in FIG. 10C, the
さらに、図１１（ａ）に示すように、上面１ａおよび下面１ｂに粘着シート７ａ、７ｂが貼り合わされた未焼成の連結基板１の上面１ａ側を多孔質状の吸着台８により真空吸着して固定した。その後、図１１（ｂ）に示すように、上面１ａ側を真空吸着により固定しつつ、下面１ｂから粘着シート７ａを剥離し、下面１ｂにグリーンシート切断機により分割溝５を形成した。
Further, as shown in FIG. 11A, the
さらに、上面１ａに貼り合わされた粘着シート７ｂの剥離処理のタイプに応じて、加熱や紫外線の照射により粘着力が低下するものについては、加熱または紫外線の照射を行った後、図１１（ｃ）に示すように、上面１ａに粘着シート７ｂが貼り合わされた状態で、下面１ｂを多孔質状の吸着台８により真空吸着した。その後、図１１（ｄ）に示すように、下面１ｂを真空吸着により固定しつつ、上面１ａから粘着シート７ｂを剥離した。これにより、両主面に分割溝５が形成された未焼成の連結基板１を得た。
Furthermore, in the case where the adhesive strength is reduced by heating or irradiation with ultraviolet rays according to the type of peeling treatment of the
なお、分割溝５は、素子基板３どうしの間、また素子基板３と余剰部４との間に、未焼成の連結基板１における深さで２８０μｍとなるようにセラミックグリーンシート積層体切断機（ＵＨＴ社製Ｇ−ｃｕｔ６）を用いて形成した。
In addition, the division | segmentation groove |
このような未焼成の連結基板１の製造において、分割溝５の形成前後における位置ずれを評価した。評価は、図１３に示すような４２箇所の評価点９において、分割溝５の形成前後に各素子基板３の左上角部に設けられた分割孔６の位置ずれを測定し、これを平均するとともに、同様の操作を他の２枚の未焼成の連結基板１について行い、計３枚の未焼成の連結基板１の位置ずれの平均値を求めた。結果を表２に示す。表中、位置ずれの平均値が０．０５ｍｍ以下であるものを位置ずれが抑制されたものとして「○」で示し、平均値が０．０５ｍｍを超えるものを「×」で示した。
In manufacturing the
なお、評価点９は、６箇所の素子基板群２における４つの角部および長辺部の中央部に位置する素子基板３（特に、その左上角部に設けられた分割孔６）、また左右方向における中央部の２箇所の素子基板群２についてはさらに中央部および短辺部の中央部に位置する素子基板３（特に、その左上角部に設けられた分割孔６）とした。
The evaluation points 9 are the element substrate 3 (particularly, the divided
また、未焼成の連結基板１について、粘着シート７を剥離したときの表面の印刷膜の状態（剥離結果）を評価した。評価は、光学顕微鏡を用いて印刷膜の剥離の有無を調べた。結果を表２に示す。表中、印刷膜の剥離がなかったものを「○」、一部の印刷膜が剥離したものを「×」で示す。
Moreover, about the unbaked connection board |
表２から明らかなように、粘着シート７の粘着力が０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の場合、分割溝５の形成による位置ずれを有効に抑制できる。また、粘着シート７の剥離による印刷膜の損傷を抑制する観点から、粘着シート７の粘着力、特に剥離時の粘着力は０．５１Ｎ／２０ｍｍ以下が好ましく、粘着シート７の種類としては、剥離処理を必要としないか、剥離処理が必要な場合には加熱処理を行うものが好ましい。
As is apparent from Table 2, when the adhesive strength of the adhesive sheet 7 is 0.09 N / 20 mm or more, the positional shift due to the formation of the dividing
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行ってもよい。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this, and various modifications may be made within the scope of the claims.
１…連結基板、１ａ…上面、１ｂ…下面、２…素子基板群、３…素子基板、４…余剰部、５…分割溝、６…分割孔、７ａ，７ｂ…粘着シート、８…吸着台、９…評価点、１０…発光装置、１１…発光素子、１２…ボンディングワイヤ、１３…封止層、３１…本体部、３１ａ…上層用グリーンシート、３１ｂ…中層用グリーンシート、３１ｃ…下層用グリーンシート、３２…枠部、３３…搭載面、３４…配線導体、３４ａ…第１の電極、３４ｂ…第２の電極、３４ｃ…連結導体、３５…外部電極端子、３６…接続ビア、３７…サーマルビア、３８…放熱層、７１…基材、７２…粘着層、３２１…アライメントマーク、Ｔ…搭載部
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記第１の主面から前記粘着シートを剥離した後、前記未焼成の連結基板を焼成する工程と
を有することを特徴とする連結基板の製造方法。 After bonding an adhesive sheet having an adhesive force of 0.09 N / 20 mm or more to the first main surface of an unfired connection substrate to be a plurality of element substrates, the second main surface is opposite to the first main surface. Forming a dividing groove for dividing the plurality of element substrates on the main surface of
And a step of firing the unfired connection substrate after peeling the pressure-sensitive adhesive sheet from the first main surface.
前記第２の主面に０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シートを貼り合わせた後、前記第１の主面から前記粘着シートを剥離するとともに、前記第１の主面に前記複数の素子基板に分割するための分割溝を形成する工程と、
前記第２の主面から前記粘着シートを剥離した後、前記未焼成の連結基板を焼成する工程と
を有することを特徴とする連結基板の製造方法。 After bonding an adhesive sheet having an adhesive force of 0.09 N / 20 mm or more to the first main surface of an unfired connection substrate to be a plurality of element substrates, the second main surface is opposite to the first main surface. Forming a dividing groove for dividing the plurality of element substrates on the main surface of
After sticking an adhesive sheet having an adhesive strength of 0.09 N / 20 mm or more to the second main surface, the adhesive sheet is peeled off from the first main surface, and the plurality of the first main surfaces Forming a dividing groove for dividing the element substrate;
And a step of firing the unfired connection substrate after peeling the pressure-sensitive adhesive sheet from the second main surface.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018178055A (en) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | ニッタ株式会社 | Temperature-sensitive adhesive, and processing method of work piece |
| JP2019514156A (en) * | 2016-06-16 | 2019-05-30 | エルジー・ケム・リミテッド | Heating element and method of manufacturing the same |
| WO2021045155A1 (en) * | 2019-09-04 | 2021-03-11 | Tdk株式会社 | Electronic component mounting structure |
| CN114342566B (en) * | 2019-09-04 | 2024-06-04 | Tdk株式会社 | Electronic component mounting structure |
-
2011
- 2011-09-22 JP JP2011207024A patent/JP2013069835A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019514156A (en) * | 2016-06-16 | 2019-05-30 | エルジー・ケム・リミテッド | Heating element and method of manufacturing the same |
| US10964445B2 (en) | 2016-06-16 | 2021-03-30 | Lg Chem, Ltd. | Heating element and manufacturing method therefor |
| JP2018178055A (en) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | ニッタ株式会社 | Temperature-sensitive adhesive, and processing method of work piece |
| WO2021045155A1 (en) * | 2019-09-04 | 2021-03-11 | Tdk株式会社 | Electronic component mounting structure |
| JP2021040072A (en) * | 2019-09-04 | 2021-03-11 | Tdk株式会社 | Electronic component mounting structure |
| CN114342566A (en) * | 2019-09-04 | 2022-04-12 | Tdk株式会社 | Electronic component mounting structure |
| JP7222334B2 (en) | 2019-09-04 | 2023-02-15 | Tdk株式会社 | Electronic component mounting structure |
| CN114342566B (en) * | 2019-09-04 | 2024-06-04 | Tdk株式会社 | Electronic component mounting structure |
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