JP2013065903A - ガスレーザ装置 - Google Patents
ガスレーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013065903A JP2013065903A JP2013004259A JP2013004259A JP2013065903A JP 2013065903 A JP2013065903 A JP 2013065903A JP 2013004259 A JP2013004259 A JP 2013004259A JP 2013004259 A JP2013004259 A JP 2013004259A JP 2013065903 A JP2013065903 A JP 2013065903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- crystal
- gas
- plane
- caf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】 ガスレーザ装置は、レーザチャンバ11と、レーザチャンバ11の一方の側とその反対側に設置された光共振器と、レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、レーザガスを励起する励起部と、レーザチャンバに設けられ、入射平面がフッ化カルシウム結晶の(111)結晶面に平行であり、励起されたレーザガスから発生するレーザ光の入射平面への入射角度は、24.9°から68.73°の角度範囲内であり、フッ化カルシウム結晶が[111]軸を中心に回転され、真性複屈折が極小となる領域に設置される2つのウィンドウ12,13と、を備える ことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められており、露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在の露光用ガスレーザ装置としては、波長248nmの深紫外光を放出するKrFエキシマレーザ装置、並びに、波長193nmの真空紫外光を放出するArFエキシマレーザ装置が用いられている。次世代の露光技術として、露光用レンズとウエハー間を液体で満たして屈折率を変えることによって、露光光源の見かけの波長を短波長化する液浸技術をArFエキシマレーザ露光に適用しようとしている。ArFエキシマレーザ液浸では、純水を液浸液にした場合134nmの波長になる。また、次々世代の露光用光源として、波長157nmの真空紫外光を放出するF2 (フッ素分子)レーザ装置によるF2 レーザ液浸露光が採用される可能性もある。F2 レーザ液浸では、115nmの波長になると言われている。
多くの半導体露光装置の光学系には、投影光学系が採用されている。投影光学系では、異なる屈折率を有するレンズ等の光学素子が組み合わされて色収差補正が行われる。現在、露光用光源であるレーザ波長の248nm〜157nmの波長(紫外線)域では、投影光学系のレンズ材料として使用に適する光学材料は、合成石英とCaF2 以外にはない。このため、KrFエキシマレーザ用の投影レンズとしては、合成石英のみで構成された全屈折タイプの単色レンズが採用され、ArFエキシマレーザ用の投影レンズとしては、合成石英とCaF2 で構成された全屈折タイプの部分色消しレンズが採用されている。ところが、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザの自然発振スペクトル線幅は約350〜400pmと広いために、これらの投影レンズを使用すると、色収差が発生して解像力が低下する。そこで、色収差が無視できるまでに、これらのガスレーザ装置から放出されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。このため、これらのガスレーザ装置には狭帯域化素子(エタロンやグレーティング等)を有する狭帯域化モジュールがレーザ共振器内に設けられ、スペクトル線幅の狭帯域化が実現されている。
上記したように、ArFエキシマレーザ液浸リソグラフィーの場合、媒体としてH2 Oを使用したとき、屈折率が1.44になるため、屈折率に比例するレンズ開口数NAは原理的に従来の開口数に対して1.44倍に増やすことができる。NAが高くなるにつれ、光源であるレーザ光の偏光純度の影響が大きくなる。偏光の向きがマスクパターンの方向に平行であるTE偏光の場合は影響がないが、それが直交するTM偏光の場合は、像のコントラストが低くなってしまう。これは、後者の場合、ウエハー上の焦点における電界のベクトルが異なる方向であるため、ウエハーへの入射角が大きくなるに従い、電界のベクトルが同一である前者に比べ、強度が弱くなってしまうためである。この影響はNAが1.0に近づくか超える場合に強くなり、ArFエキシマレーザ液浸はこの場合に該当する。そのため、以上のように露光装置の照明系では、所望の偏光状態を制御する必要がある。この偏光照明の制御には、露光装置の照明系に入力されるレーザの偏光状態が直線偏光であることが要求されている。偏光純度は、直線偏光と非直線偏光の割合であり、レーザの偏光は、偏光純度が高く維持されることが要求されている。
レーザ光の偏光純度を高めるための技術として、これまでに特許文献1と特許文献2に記載の技術がある。
レーザチャンバと、
レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、
レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、
前記レーザガスを励起する励起部と、
前記レーザチャンバに設けられ、
入射平面がフッ化カルシウム結晶の(111)結晶面に平行であり、
励起された前記レーザガスから発生するレーザ光の入射平面への入射角度は、24.9°から68.73°の角度範囲内であり、
前記フッ化カルシウム結晶が[111]軸を中心に回転され、真性複屈折が極小となる領域に設置される2つのウィンドウと、
を備える
ことを特徴とする。
前記レーザ光の入射平面への入射角度は、24.9°から68.73°の角度範囲内であり、
前記フッ化カルシウム結晶が[111]軸を中心に回転され、真性複屈折が極小となる領域に設置され、前記レーザ光を分割するビームスプリッタ
を備える。
β1 =θ1 −θ2 +θ3 −θ4 ・・・(11)
β2 =θ1 −θ5 +θ6 −θ7 +θ8 ・・・(12)
となる。いま、2個目のウェッジ基板93は1個目のウェッジ基板92と形状が同じで、上下反転させて入射角を同じ(θ5 =θ1 )という条件にすると、
θ5 =θ1 ・・・(13)
θ6 =θ2 ・・・(14)
θ7 =θ3 ・・・(15)
θ8 =θ4 ・・・(16)
α1 =α2 ・・・(17)
が成り立つ。これらの(13)〜(17)式を(12)式に代入してやると、
β2 =0 ・・・(18)
となる。
2、2’…表面(カット面)
3…レーザ光
4…射出光
10…発振用レーザ
11…レーザチャンバ
12、13…ウィンドウ
14…狭帯域化モジュール
15…出力鏡(部分反射ミラー)
16…ビーム拡大プリズム
17…グレーティング
18、19…ミラー1
20…増幅用レーザ
21…レーザチャンバ
22、23…ウィンドウ
24、25…部分反射ミラー
30…発振段レーザパワーモニタ
31…第1ビームスプリッタ
40…モニターモジュール
41…第2ビームスプリッタ
50…光学パルスストレッチャ
51…第3ビームスプリッタ
91、91' …ビーム拡大光学系
92、93…ウェッジ基板
Claims (3)
- レーザチャンバと、
レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、
レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、
前記レーザガスを励起する励起部と、
前記レーザチャンバに設けられ、
入射平面がフッ化カルシウム結晶の(111)結晶面に平行であり、
励起された前記レーザガスから発生するレーザ光の入射平面への入射角度は、24.9°から68.73°の角度範囲内であり、
前記フッ化カルシウム結晶が[111]軸を中心に回転され、真性複屈折が極小となる領域に設置される2つのウィンドウと、
を備える
ことを特徴とするガスレーザ装置。 - 前記ウィンドウは、射出平面がフッ化カルシウム結晶の(111)結晶面に平行である
ことを特徴とする請求項1に記載のガスレーザ装置。 - 入射平面がフッ化カルシウム結晶の(111)結晶面に平行であり、
前記レーザ光の入射平面への入射角度は、24.9°から68.73°の角度範囲内であり、
前記フッ化カルシウム結晶が[111]軸を中心に回転され、真性複屈折が極小となる領域に設置され、前記レーザ光を分割するビームスプリッタ
を備える
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のガスレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013004259A JP2013065903A (ja) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | ガスレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013004259A JP2013065903A (ja) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | ガスレーザ装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011191544A Division JP2011238976A (ja) | 2011-09-02 | 2011-09-02 | ガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013065903A true JP2013065903A (ja) | 2013-04-11 |
Family
ID=48189050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013004259A Pending JP2013065903A (ja) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | ガスレーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013065903A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108736302A (zh) * | 2018-07-31 | 2018-11-02 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于双折射晶体的离轴八程激光放大装置及设计方法 |
JPWO2018092813A1 (ja) * | 2016-11-16 | 2019-10-17 | 国立大学法人電気通信大学 | レーザ共振器、及びレーザ共振器の設計方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330659A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Toshiba Corp | ガスレーザ装置 |
JP2001007430A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Komatsu Ltd | 超狭帯域化フッ素レーザ装置 |
JP2002151776A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Gigaphoton Inc | 真空紫外レーザ装置 |
WO2003009017A1 (fr) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Procede de fabrication d'un element optique |
JP2003347627A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Gigaphoton Inc | 紫外線レーザ装置 |
JP2008116940A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-22 | Schott Ag | 光の結晶透過中に起こる直線偏光の解消を防止するための配置及び方法 |
-
2013
- 2013-01-15 JP JP2013004259A patent/JP2013065903A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330659A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Toshiba Corp | ガスレーザ装置 |
JP2001007430A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Komatsu Ltd | 超狭帯域化フッ素レーザ装置 |
JP2002151776A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Gigaphoton Inc | 真空紫外レーザ装置 |
WO2003009017A1 (fr) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Procede de fabrication d'un element optique |
JP2003347627A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Gigaphoton Inc | 紫外線レーザ装置 |
JP2008116940A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-22 | Schott Ag | 光の結晶透過中に起こる直線偏光の解消を防止するための配置及び方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018092813A1 (ja) * | 2016-11-16 | 2019-10-17 | 国立大学法人電気通信大学 | レーザ共振器、及びレーザ共振器の設計方法 |
CN108736302A (zh) * | 2018-07-31 | 2018-11-02 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于双折射晶体的离轴八程激光放大装置及设计方法 |
CN108736302B (zh) * | 2018-07-31 | 2023-06-06 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于双折射晶体的离轴八程激光放大装置及设计方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5630773B2 (ja) | ガス放電チャンバ | |
US7965756B2 (en) | Optical element for gas laser and gas laser apparatus using the same | |
US6424666B1 (en) | Line-narrowing module for high power laser | |
US8902948B2 (en) | Polarization purity control device and gas laser apparatus provided with the same | |
JP4763471B2 (ja) | レーザチャンバのウィンドウ劣化判定装置および方法 | |
JP4822285B2 (ja) | ガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置 | |
JP2006073921A (ja) | 紫外線ガスレーザ用光学素子及び紫外線ガスレーザ装置 | |
JP4907865B2 (ja) | 多段増幅型レーザシステム | |
JP5358142B2 (ja) | ガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置 | |
US11264773B2 (en) | Laser apparatus and method for manufacturing optical element | |
JP2013065903A (ja) | ガスレーザ装置 | |
JP4883641B2 (ja) | ガスレーザ用光学素子の緩衝手段及びそれを用いたガスレーザ装置 | |
JP4803680B2 (ja) | ガスレーザ装置 | |
JP5393725B2 (ja) | 多段増幅型レーザシステム | |
JP2011238976A (ja) | ガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置 | |
US20170149199A1 (en) | Laser device | |
US10965087B2 (en) | Laser device | |
US20230375847A1 (en) | Optical isolator, ultraviolet laser device, and electronic device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130117 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141111 |