JP2013045924A - 露光装置、クリーニング方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、露光液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングするクリーニング装置と、を備える。
【選択図】図１０

Description

本発明は、露光装置、クリーニング方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、その基板ステージに保持された基板を露光する。

米国特許出願公開第２００８／００４３２１１号明細書 米国特許出願公開第２００８／０１００８１２号明細書

液浸露光装置において、例えば基板ステージが汚染されていると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及びクリーニング方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングするクリーニング装置と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板が第１保持部に保持されている状態において基板と第１部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第２部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、液浸部材と第２部材との間にクリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、クリーニング液体を供給する第１供給口と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板と第１面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第２部材と、空間部に配置され、クリーニング液体を供給する第２供給口と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射する射出部と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、第１部材、間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部に接触するクリーニング部材と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第１〜第５のいずれか一つの態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板が第１保持部に保持されている状態において基板と第１面を有する第１部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第２部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、液浸部材と第２部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板と第１面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第２部材と、を備え、空間部にクリーニング液体を供給することを含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第１０の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第１１の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第１２の態様に従えば、第７〜第１１のいずれか一つの態様のクリーニング方法でクリーニングされた露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第１３の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを実行させるプログラムが提供される。

本発明の第１４の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板が第１保持部に保持されている状態において基板と第１面を有する第１部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第２部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、液浸部材と第２部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを実行させるプログラムが提供される。

本発明の第１５の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板と第１面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第２部材と、を備え、空間部にクリーニング液体を供給することを実行させるプログラムが提供される。

本発明の第１６の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを実行させるプログラムが提供される。

本発明の第１７の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを実行させるプログラムが提供される。

本発明の第１８の態様に従えば、第１３〜第１７のいずれか一つの態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る液浸部材及び基板ステージの一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す図である。 第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す図である。 第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第２実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第４実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第４実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第５実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第６実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第７実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第８実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第８実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第８実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第９実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 第１０実施形態に係る液浸部材の一例を説明するための図である。 第１０実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 間隙の下方に位置する部材の一例を示す図である。 間隙の下方に位置する部材の一例を示す図である。 間隙の下方に位置する部材の一例を示す図である。 デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８と、制御装置８に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置８Ｒとを備えている。記憶装置８Ｒは、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８Ｒには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

また、露光装置ＥＸは、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する干渉計システム１１と、検出システム３００とを備えている。検出システム３００は、基板Ｐのアライメントマークを検出するアライメントシステム３０２と、基板Ｐの上面（表面）Ｐａの位置を検出する表面位置検出システム３０３とを含む。なお、検出システム３００が、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２の位置を検出するエンコーダシステムを備えてもよい。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

また、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する空間１０２の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ）を調整するチャンバ装置１０３を備えている。チャンバ装置１０３は、空間１０２を形成するチャンバ部材１０４と、その空間１０２の環境を調整する空調システム１０５とを有する。

空間１０２は、空間１０２Ａ及び空間１０２Ｂを含む。空間１０２Ａは、基板Ｐが処理される空間である。基板ステージ２及び計測ステージ３は、空間１０２Ａを移動する。

空調システム１０５は、空間１０２Ａ、１０２Ｂに気体を供給する給気部１０５Ｓを有し、その給気部１０５Ｓから空間１０２Ａ、１０２Ｂに気体を供給して、その空間１０２Ａ、１０２Ｂの環境を調整する。本実施形態においては、少なくとも基板ステージ２、計測ステージ３、及び投影光学系ＰＬの終端光学素子１２が空間１０２Ａに配置される。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、ガイド面９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２と計測ステージ３とは、ガイド面１０Ｇ上を独立して移動可能である。

基板ステージ２を移動するための駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ３を移動するための駆動システム６は、平面モータを含み、計測ステージ３に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。

本実施形態において、基板ステージ２は、基板Ｐの下面Ｐｂをリリース可能に保持する第１保持部３１と、基板Ｐが配置可能な開口Ｔｈを規定し、基板Ｐが第１保持部３１に保持されている状態において基板Ｐの上面Ｐａの周囲に配置される上面とを有する。

本実施形態において、基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、第１保持部３１の周囲に配置され、カバー部材Ｔの下面Ｔｂをリリース可能に保持する第２保持部３２を有する。カバー部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。本実施形態においては、カバー部材Ｔが、第１保持部３１に保持された基板Ｐが配置される開口Ｔｈを有する。本実施形態においては、カバー部材Ｔが上面２Ｕを有する。

本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの上面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部３２は、カバー部材Ｔの上面２ＵとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｔを保持する。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの上面Ｐａと第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面２Ｕとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

なお、カバー部材Ｔは、基板ステージ２に一体的に形成されていてもよい。例えば、基板ステージ２の少なくとも一部の部材が上面２Ｕを有してもよい。

本実施形態において、計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する第３保持部３３と、第３保持部３３の周囲に配置され、カバー部材Ｑをリリース可能に保持する第４保持部３４とを有する。第３，第４保持部３３，３４は、ピンチャック機構を有する。カバー部材Ｑは、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの周囲に配置される。なお、第３保持部３３及び第４保持部３４の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、計測部材Ｃ及びカバー部材Ｑの少なくとも一方は、計測ステージ３に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第３保持部３３は、計測部材Ｃの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、計測部材Ｃを保持する。第４保持部３４は、カバー部材Ｑの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｑを保持する。本実施形態において、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面と第４保持部３４に保持されたカバー部材Ｑの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

ここで、以下の説明において、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面２Ｕを適宜、基板ステージ２の上面２Ｕ、と称し、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面及び第４保持部３４に保持されたカバー部材Ｑの上面を合わせて適宜、計測ステージ３の上面３Ｕ、と称する。

干渉計システム１１は、マスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット１１Ａと、基板ステージ２及び計測ステージ３の位置を計測するレーザ干渉計ユニット１１Ｂとを含む。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に配置された計測ミラー３Ｒを用いて、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置を計測可能である。

アライメントシステム３０２は、基板Ｐのアライメントマークを検出して、その基板Ｐのショット領域Ｓの位置を検出する。アライメントシステム３０２は、基板ステージ２（基板Ｐ）が対向可能な下面を有する。基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの上面（表面）Ｐａは、−Ｚ方向を向くアライメントシステム３０２の下面と対向可能である。

表面位置検出システム３０３は、例えばオートフォーカス・レベリングシステムとも呼ばれ、基板ステージ２に保持された基板Ｐの上面（表面）Ｐａに検出光を照射して、その基板Ｐの上面Ｐａの位置を検出する。表面位置検出システム３０３は、基板ステージ２（基板Ｐ）が対向可能な下面を有する。基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの上面Ｐａは、−Ｚ方向を向く表面位置検出システム３０３の下面と対向可能である。

基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果、及び検出システム３００の検出結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

液浸部材７は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。

終端光学素子１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。本実施形態において、射出面１３側に液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１３から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１３は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１３は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１３がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

液浸部材７は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面１４を有する。本実施形態において、射出面１３及び下面１４は、射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３と、投影領域ＰＲに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材７は、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。

本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して移動可能である。その物体は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１３との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面（上面）Ｐａは、−Ｚ方向を向く終端光学素子１２の射出面１３、及び−Ｚ方向を向く液浸部材７の下面１４と対向可能である。もちろん、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つに限られない。また、それら物体は、検出システム３００の少なくとも一部と対向可能である。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光時において、液浸部材７は、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

図２は、本実施形態に係る液浸部材７及び基板ステージ２の一例を示す側断面図である。図３は、図２の一部を拡大した図である。なお、図２においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置）に基板Ｐが配置されているが、上述のように、基板ステージ２（カバー部材Ｔ）、及び計測ステージ３（カバー部材Ｑ、計測部材Ｃ）を配置することもできる。

図２に示すように、液浸部材７は、少なくとも一部が終端光学素子１２の射出面１３と対向する対向部７１と、少なくとも一部が終端光学素子１２の周囲に配置される本体部７２とを含む。対向部７１は、射出面１３と対向する位置に孔（開口）７Ｋを有する。対向部７１は、少なくとも一部が射出面１３とギャップを介して対向する上面７Ｕと、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面７Ｈとを有する。孔７Ｋは、上面７Ｕと下面７Ｈとを結ぶように形成される。上面７Ｕは、孔７Ｋの上端の周囲に配置され、下面７Ｈは、孔７Ｋの下端の周囲に配置される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、孔７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。

本実施形態において、上面７Ｕ及び下面７Ｈのそれぞれは、光路Ｋの周囲に配置される。本実施形態において、下面７Ｈは、平坦面である。下面７Ｈは、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。以下の説明において、下面７Ｈを適宜、保持面７Ｈ、と称する。

また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な供給口１５と、液体ＬＱを回収可能な回収口１６とを有する。供給口１５は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。回収口１６は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。なお、供給口１５は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体ＬＱを供給可能である。なお、回収口１６は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体ＬＱを回収可能である。

供給口１５は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。なお、供給口１５は、射出面１３と開口７Ｋとの間の空間及び終端光学素子１２の側面の一方又は両方に面していればよい。本実施形態において、供給口１５は、上面７Ｕと射出面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口１５から供給された液体ＬＱは、その上面７Ｕと射出面１３との間の空間を流れた後、開口７Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。

供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置１８と接続されている。液体供給装置１８は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路１７Ｒ、及びその供給流路１７Ｒと液体供給装置１８とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口１５は、液体ＬＱを供給する。

回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口１６は、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。回収口１６は、物体の表面と対向する液浸部材７の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口１６に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口１６は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。

本実施形態において、本体部７２は、基板Ｐ（物体）に面する開口７Ｐを有する。開口７Ｐは、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、開口７Ｐに配置された多孔部材１９を有する。本実施形態において、多孔部材１９は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口７Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。

本実施形態において、多孔部材１９は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面１９Ｈと、下面１９Ｈの反対方向を向く上面１９Ｕと、上面１９Ｕと下面１９Ｈとを結ぶ複数の孔とを有する。下面１９Ｈは、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、保持面７Ｈ及び下面１９Ｈを含む。

本実施形態において、回収口１６は、多孔部材１９の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材１９の孔（回収口１６）を介して回収される。なお、多孔部材１９が配置されなくてもよい。

回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、回収口１６を真空システムに接続可能であり、回収口１６を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路２０Ｒ、及びその回収流路２０Ｒと液体回収装置２１とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１６から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。

本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

図２及び図３に示すように、カバー部材Ｔは、基板Ｐの上面Ｐａと間隙Ｇａを介して隣接する上面Ｔａを有する。間隙Ｇａは、第１保持部３１に保持された基板Ｐと第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔとの間の間隙を含む。基板ステージ２は、少なくとも一部が基板Ｐとカバー部材Ｔ（基板ステージ２）との間の間隙Ｇａに配置される多孔部材８０を備えている。多孔部材８０の少なくとも一部は、間隙Ｇａの下方に位置する。本実施形態において、間隙Ｇａに流入する液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材８０を介して回収される。

本実施形態において、多孔部材８０は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一方が対向可能な上面８０Ａと、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面Ｐｃが対向可能な第１側面８０Ｂと、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内面Ｔｃが対向可能な第２側面８０Ｃとを有する。基板Ｐの側面Ｐｃは、基板Ｐの上面Ｐａと、上面Ｐａの反対方向を向く基板Ｐの下面Ｐｂとを結ぶ。カバー部材Ｔの内面Ｔｃは、カバー部材Ｔの上面Ｔａと、上面Ｔａの反対方向を向くカバー部材Ｔの下面Ｔｂとを結ぶ。カバー部材Ｔの上面Ｔａは、基板ステージ２の上面２Ｕを含む。多孔部材８０が配置されない状態において、基板Ｐの側面Ｐｃとカバー部材Ｔの内面Ｔｃとは、対向可能である。

本実施形態において、多孔部材８０は、例えばチタン製である。多孔部材８０は、例えば焼結法により形成可能である。

本実施形態において、多孔部材８０の上面８０Ａは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、液体ＬＱに対する上面８０Ａの接触角は、例えば９０度よりも大きい。液体ＬＱに対する上面８０Ａの接触角は、例えば１００度以上でもよいし、１１０度以上でもよい。

本実施形態においては、多孔部材８０の上面８０Ａに、フッ素を含む撥液性の材料がコーティングされている。すなわち、上面８０Ａに、撥液性の材料を含む膜８０Ｆが配置されている。撥液性の材料は、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）でもよいし、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）でもよいし、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）でもよいし、テフロン（登録商標）でもよい。

本実施形態において、液体ＬＱに対する多孔部材８０の上面８０Ａの接触角は、第１側面８０Ｂの接触角よりも大きい。また、本実施形態において、液体ＬＱに対する多孔部材８０の上面８０Ａの接触角は、第２側面８０Ｃの接触角よりも大きい。

なお、液体ＬＱに対する多孔部材８０の上面８０Ａの接触角は、第１側面８０Ｂの接触角よりも小さくてもよいし、第１側面８０Ｂの接触角とほぼ同じでもよい。なお、液体ＬＱに対する多孔部材８０の上面８０Ａの接触角は、第２側面８０Ｃの接触角よりも小さくてもよいし、第２側面８０Ｃの接触角とほぼ同じでもよい。

本実施形態において、液体ＬＱに対する基板Ｐの上面Ｐａの接触角、及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの接触角は、第１側面８０Ｂの接触角よりも大きい。また、本実施形態において、液体ＬＱに対する基板Ｐの上面Ｐａの接触角、及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの接触角は、第２側面８０Ｃの接触角よりも大きい。

なお、液体ＬＱに対する基板Ｐの上面Ｐａの接触角、及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの接触角は、第１側面８０Ｂの接触角よりも小さくてもよいし、第１側面８０Ｂの接触角とほぼ同じでもよい。なお、液体ＬＱに対する基板Ｐの上面Ｐａの接触角、及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの接触角は、第２側面８０Ｃの接触角よりも小さくてもよいし、第２側面８０Ｃの接触角とほぼ同じでもよい。

また、本実施形態において、多孔部材８０の上面８０Ａは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの上面Ｐａ、及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面Ｔａとほぼ面一である。

なお、多孔部材８０の上面８０Ａは、基板Ｐの上面Ｐａ及びカバー部材Ｔの上面Ｔａよりも低い位置（−Ｚ側の位置）に配置されてもよいし、高い位置（＋Ｚ側の位置）に配置されてもよい。

本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面Ｐｃと、多孔部材８０の第１側面８０Ｂとの距離Ｌ１は、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内面Ｔｃと多孔部材８０の第２側面８０Ｃとの距離Ｌ２よりも大きい。

なお、側面Ｐｃと第１側面８０Ｂとの距離Ｌ１は、内面Ｔｃと第２側面８０Ｃとの距離Ｌ２よりも小さくてもよいし、距離Ｌ２とほぼ同じでもよい。

本実施形態において、基板ステージ２は、間隙Ｇａに通じる空間部２３を有する。空間部２３は、間隙Ｇａの下方に位置する。本実施形態において、多孔部材８０の少なくとも一部は、空間部２３に配置される。すなわち、本実施形態において、多孔部材８０の少なくとも一部は、間隙Ｇａの下方に配置される。本実施形態において、多孔部材８０は、間隙Ｇａに配置される第１部分８０１と、間隙Ｇａの下方の空間部２３に配置される第２部分８０２とを含む。

本実施形態において、第１保持部３１の中心に対する放射方向に関して、間隙Ｇａの寸法Ｗａは、空間部２３の寸法Ｗｂよりも小さい。なお、寸法Ｗａは、寸法Ｗｂよりも大きくてもよいし、寸法Ｗｂとほぼ同じでもよい。

また、本実施形態において、第１保持部３１の中心に対する放射方向に関して、第２部分８０２の寸法Ｗ２は、第１部分８０１の寸法Ｗ１よりも大きい。なお、寸法Ｗ２は、寸法Ｗ１よりも小さくてもよいし、寸法Ｗ１とほぼ同じでもよい。

なお、第１保持部３１の中心に対する放射方向の寸法とは、ＸＹ平面内における放射方向に関する寸法をいう。

本実施形態において、多孔部材８０は、ケース８１に支持されている。ケース８１は、空間部２３において、第２部分８０２の少なくとも一部に接触するように配置される。本実施形態において、ケース８１は、第２部分８０２の下面及び側面の少なくとも一部に接触するように配置される。本実施形態において、ケース８１は、例えばセラミック製である。なお、ケース８１が金属製でもよい。

また、本実施形態において、多孔部材８０及びケース８１とカバー部材Ｔとの間に、支持部材８２が配置される。支持部材８２は、多孔部材８０（第２部分８０２）及びケース８１の少なくとも一部に支持される。支持部材８２は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂの少なくとも一部と対向可能である。支持部材８２は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂの少なくとも一部を支持する。

本実施形態において、基板ステージ２は、空間部２３に配置される吸引口２４を有する。本実施形態において、吸引口２４は、空間部２３を形成する基板ステージ２の内面の少なくとも一部に形成されている。吸引口２４は、空間部２３が負圧になるように、空間部２３の流体の少なくとも一部を吸引する。吸引口２４は、空間部２３の液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。

吸引口２４は、流路２５を介して、流体吸引装置２６と接続されている。流体吸引装置２６は、吸引口２４を真空システムに接続可能であり、吸引口２４を介して液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。流路２５の少なくとも一部は、基板ステージ２の内部に形成される。吸引口２４から吸引された流体（液体及び気体の少なくとも一方）は、流路２５を介して、流体吸引装置２６に吸引される。

本実施形態において、ケース８１は、ケース８１の外面と内面とを結ぶ孔（開口）８１Ｈを有する。孔８１Ｈの上端の開口８３は、多孔部材８０の下面に面する。孔８１Ｈの下端の開口は、吸引口２４と結ばれる。吸引口２４は、ケース８１の内側の空間が負圧になるように、そのケース８１の内側の空間の流体を、孔８１Ｈを介して吸引可能である。

本実施形態において、第１保持部３１は、例えばピンチャック機構を有する。第１保持部３１は、基板ステージ２の支持面３１Ｓに配置され、基板Ｐの下面Ｐｂが対向可能な周壁部３５と、周壁部３５の内側の支持面３１Ｓに配置され、複数のピン部材を含む支持部３６と、支持面３１Ｓに配置され、流体を吸引する吸引口３７とを有する。吸引口３７は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置８に制御される。周壁部３５の上面は、基板Ｐの下面Ｐｂと対向可能である。周壁部３５は、基板Ｐの下面Ｐｂとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置８は、基板Ｐの下面Ｐｂと周壁部３５の上面とが接触された状態で、吸引口３７の吸引動作を実行することによって、周壁部３５と基板Ｐの下面Ｐｂと支持面３１Ｓとで形成される空間３１Ｈを負圧にすることができる。これにより、基板Ｐが第１保持部３１に保持される。また、吸引口３７の吸引動作が解除されることによって、基板Ｐは第１保持部３１から解放される。

本実施形態において、第２保持部３２は、例えばピンチャック機構を有する。第２保持部３２は、基板ステージ２の支持面３２Ｓにおいて周壁部３５を囲むように配置され、カバー部材Ｔの下面Ｔｂが対向可能な周壁部３８と、支持面３２Ｓにおいて周壁部３８を囲むように配置され、カバー部材Ｔの下面Ｔｂが対向可能な周壁部３９と、周壁部３８と周壁部３９との間の支持面３２Ｓに配置され、複数のピン部材を含む支持部４０と、支持面３２Ｓに配置され、流体を吸引する吸引口４１とを有する。吸引口４１は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置８に制御される。周壁部３８、３９の上面は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂと対向可能である。周壁部３８、３９は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置８は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂと周壁部３８、３９の上面とが接触された状態で、吸引口４１の吸引動作を実行することによって、周壁部３８と周壁部３９とカバー部材Ｔの下面Ｔｂと支持面３２Ｓとで形成される空間３２Ｈを負圧にすることができる。これにより、カバー部材Ｔが第２保持部３２に保持される。また、吸引口４１の吸引動作が解除されることによって、カバー部材Ｔは第２保持部３２から解放される。

空間部２３は、周壁部３５の周囲の空間を含む。本実施形態において、空間部２３は、周壁部３５と周壁部３８との間の空間を含む。

図４は、間隙Ｇａに流入する液体ＬＱの少なくとも一部が、多孔部材８０を介して回収される状態の一例を示す図である。本実施形態においては、終端光学素子１２及び液浸部材７と第１保持部３１に保持された基板Ｐ及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの少なくとも一方との間に液浸空間ＬＳが形成される。また、液浸空間ＬＳは、間隙Ｇａ上に形成される可能性がある。その液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が、間隙Ｇａに流入する可能性がある。

本実施形態において、制御装置８は、間隙Ｇａに流入した液体ＬＱの少なくとも一部を、多孔部材８０を介して回収する。間隙Ｇａに流入した液体ＬＱを回収するとき、制御装置８は、流体吸引装置２６を制御して、吸引口２４を真空システムに接続する。これにより、空間部２３の流体が、吸引口２４から吸引され、空間部２３が負圧になる。

上述のように、吸引口２４は、孔８１Ｈを介して、ケース８１の内側の空間の流体を吸引可能である。吸引口２４の吸引動作が行われることによって、ケース８１の内側の空間、及びそのケース８１の内側の空間に配置されている多孔部材８０の孔が負圧になる。これにより、多孔部材８０の周囲の流体が、多孔部材８０の孔から吸引される。本実施形態において、多孔部材８０の孔は、流体を回収可能な回収口として機能する。

図４に示すように、吸引口２４の吸引動作が行われることによって、多孔部材８０の第１側面８０Ｂと基板Ｐの側面Ｐｃとの間に流入した液体ＬＱは、第１側面８０Ｂの孔に吸引される。すなわち、多孔部材８０は、第１側面８０Ｂと基板Ｐの側面Ｐｃとの間に流入した液体ＬＱを、基板Ｐの側面Ｐｃと対向する第１側面８０Ｂの孔から回収する。

また、図４に示すように、吸引口２４の吸引動作が行われることによって、多孔部材８０の第２側面８０Ｃとカバー部材Ｔの内面Ｔｃとの間に流入した液体ＬＱは、第２側面８０Ｃの孔に吸引される。すなわち、多孔部材８０は、第２側面８０Ｃとカバー部材Ｔの内面Ｔｃとの間に流入した液体ＬＱを、カバー部材Ｔの内面Ｔｃと対向する第２側面８０Ｃの孔から回収する。

多孔部材８０を介して回収された液体ＬＱの少なくとも一部は、吸引口２４から吸引される。本実施形態において、第１、第２側面８０Ｂ、８０Ｃの孔から回収された液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材８０の内部を流れた後、吸引口２４から吸引される。 これにより、間隙Ｇａ及び空間部２３から液体ＬＱが除去される。

本実施形態において、第２部分８０２の下面及び側面は、ケース８１で覆われている。第１部分８０１の第１、第２側面８０Ｂ、８０Ｃは、ケース８１で覆われていない。第１部分８０１の第１、第２側面８０Ｂ、８０Ｃは、間隙Ｇａに流入した液体ＬＱと接触可能である。したがって、吸引口２４の吸引動作が行われることによって、間隙Ｇａに流入した液体ＬＱは、第１、第２側面８０Ｂ、８０Ｃから円滑に回収される。

上述のように、本実施形態において、液体ＬＱに対する多孔部材８０の上面８０Ａの接触角は、第１、第２側面８０Ｂ、８０Ｃの接触角よりも大きい。本実施形態において、液体ＬＱの上面８０Ａの孔への流入は、第１、第２側面８０Ｂ、８０Ｃの孔への流入よりも抑制される。例えば、多孔部材８０は、上面８０Ａの孔から液体ＬＱを回収しなくてもよい。

なお、液体ＬＱの上面８０Ａの孔への流入が、第１、第２側面８０Ｂ、８０Ｃの孔への流入よりも抑制されなくてもよい。すなわち、多孔部材８０は、上面８０Ａの孔から液体ＬＱを回収してもよい。

次に、露光装置ＥＸの動作の一例について、図５〜図１０を参照して説明する。

図５は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例を示すフローチャートである。 図５に示すように、本実施形態においては、露光用の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する処理を含む露光シーケンスＳＭ１と、露光装置ＥＸの少なくとも一部をクリーニングするクリーニングシーケンスＳＭ２とが実行される。本実施形態においては、露光シーケンスＳＭ１が実行された後に、クリーニングシーケンスＳＭ２が実行される例について説明するが、クリーニングシーケンスＳＭ２が実行された後に、露光シーケンスＳＭ１が実行されてもよいし、露光シーケンスＳＭ１とクリーニングシーケンスＳＭ２とが複数回繰り返されてもよい。

なお、クリーニングシーケンスＳＭ２は、例えば露光によって基板Ｐに形成されたパターンに欠陥が増えた場合、あるいは露光後の基板Ｐの上面Ｐａの周縁部に残留液体が増えた場合等、必要に応じて実行されてもよい。

露光シーケンスＳＭ１について説明する。図６は、本実施形態に係る露光シーケンスＳＭ１の一例を示すフローチャートである。図７は、第１保持部３１（基板ステージ２）に保持された基板Ｐの一例を示す図である。図８は、基板ステージ２及び計測ステージ３の動作の一例を示す図である。

本実施形態において、基板ステージ２は、少なくとも第１位置ＥＰと第２位置ＲＰとの間を移動可能である。第１位置ＥＰは、終端光学素子１２及び液浸部材７と第１保持部３１に保持した基板Ｐの上面Ｐａ及び基板ステージ２の上面２Ｕ（Ｔａ）の少なくとも一方との間に液浸空間ＬＳを形成可能な位置である。換言すれば、第１位置ＥＰは、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置である。

第２位置ＲＰは、終端光学素子１２及び液浸部材７と第１保持部３１に保持した基板Ｐの上面Ｐａ及び基板ステージ２の上面２Ｕの少なくとも一方との間に液浸空間ＬＳを形成不可能な位置である。

第１位置ＥＰは、第１保持部３１に保持された基板Ｐを露光可能な位置である。本実施形態において、第２位置ＲＰは、例えば露光後の基板Ｐを第１保持部３１から搬出する動作、及び露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入する動作の少なくとも一方が実行される基板交換位置である。

なお、第２位置ＥＰは、基板交換位置に限られない。

以下の説明において、第１位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称し、第２位置ＲＰを適宜、基板交換位置ＲＰ、と称する。

また、以下の説明において、基板交換位置ＲＰにおいて、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入する処理、及び露光後の基板Ｐを第１保持部３１から搬出する処理を適宜、基板交換処理、と称する。

第１保持部３１に保持されている基板Ｐを露光するために、基板ステージ２を露光位置ＥＰに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を開始する（ステップＳＴ１）。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐが液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに投影される。

図７に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置８は、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。

基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐとが対向され、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐの上面Ｐａ及び基板ステージ２の上面２Ｕの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、駆動システム５によって基板ステージ２がＸＹ平面内において移動される。制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐの上面Ｐａ及び基板ステージ２の上面２Ｕの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２を移動しながら、基板Ｐの露光を実行する。

例えば基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのうち最初のショット領域（第１のショット領域）Ｓを露光するために、制御装置８は、その第１のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１のショット領域Ｓ（基板Ｐ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動しながら、その第１のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬを照射する。

第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、次の第２のショット領域Ｓを露光するために、制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、第１のショット領域Ｓと同様に、第２のショット領域Ｓを露光する。

制御装置８は、投影領域ＰＲに対してショット領域ＳをＹ軸方向に移動しながらそのショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する動作（スキャン露光動作）と、そのショット領域Ｓの露光が終了した後、次のショット領域Ｓを露光開始位置に移動するための動作（ステッピング動作）とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓを、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して順次露光する。基板Ｐの複数のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬが順次照射される。

本実施形態において、制御装置８は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図７中、矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。基板Ｐの露光における基板ステージ２の移動中の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳは、間隙Ｇａ上に形成される。

基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのうち最後のショット領域Ｓの露光が終了することによって、換言すれば、複数のショット領域Ｓに対する露光光ＥＬの照射が終了することによって、その基板Ｐの露光が終了する（ステップＳＴ２）。

複数のショット領域Ｓに対する露光光ＥＬの照射終了後（基板Ｐの露光終了後）、制御装置８は、基板交換処理を実行するために、基板ステージ２を基板交換位置ＲＰに移動する（ステップＳＴ３）。

図８に示すように、基板交換位置ＲＰに基板ステージ２が配置された後、制御装置８は、基板搬送装置（不図示）を用いて、露光後の基板Ｐを第１保持部３１から搬出（アンロード）する（ステップＳＴ４）。

露光後の基板Ｐが第１保持部３１から搬出（アンロード）された後、制御装置８は、基板搬送装置（不図示）を用いて、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する（ステップＳＴ５）。

なお、図８に示すように、基板交換処理が実行されているとき、露光位置ＥＰに計測ステージ３が配置される。制御装置８は、必要に応じて、計測ステージ３（計測部材Ｃ、計測器）を用いて、所定の計測処理を実行する。露光前の基板Ｐが第１保持部３１にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を露光位置ＥＰに移動する（ステップＳＴ６）。

本実施形態においては、制御装置８は、基板ステージ２を基板交換位置ＲＰから露光位置ＥＰへ移動するときに、アライメントシステム３０２を用いて、基板ステージ２（第１保持部３１）に保持されている基板Ｐのアライメントマークを検出する（ステップＳＴ７）。また、制御装置８は、基板ステージ２を基板交換位置ＲＰから露光位置ＥＰへ移動するときに、表面位置検出システム３０３を用いて、基板ステージ２（第１保持部３１）に保持されている基板Ｐの上面Ｐａの位置を検出する。

基板Ｐのアライメントマークの検出及び基板Ｐの上面Ｐａの位置の検出が終了した後、制御装置８は、その検出結果に基づいて、基板Ｐの位置を調整しつつ、その基板Ｐの露光を開始する。以下、同様の処理が繰り返され、複数の基板Ｐが順次露光される。

本実施形態においては、基板Ｐの露光が実行される第１期間の少なくとも一部、及び基板Ｐの露光が実行されない第２期間の少なくとも一部のそれぞれにおいて、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引動作が実行される。

本実施形態において、第１期間は、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに配置される期間を含む。また、第１期間は、基板Ｐの露光が開始されてから（ステップＳＴ１）、その基板Ｐの露光が終了するまで（ステップＳＴ２）の期間を含む。

本実施形態において、第１期間は、複数のショット領域Ｓのうち最初のショット領域Ｓの露光が開始されてから最後のショット領域Ｓの露光が終了するまでの期間を含む。制御装置８は、複数のショット領域Ｓのうち最初のショット領域Ｓの露光が開始されてから最後のショット領域Ｓの露光が終了するまで、吸引口２４の流体吸引動作を実行し続ける。これにより、例えば複数のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬが順次照射される第１期間の少なくとも一部において、間隙Ｇａ上に液浸空間ＬＳが形成され、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱが間隙Ｇａに流入しても、間隙Ｇａに流入した液体ＬＱは、第１期間において吸引口２４（多孔部材８０）から直ちに吸引される。また、間隙Ｇａを介して空間部２３に流入した液体ＬＱも、吸引口２４（多孔部材８０）から吸引される。

本実施形態において、第２期間は、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射終了後の期間を含む。本実施形態において、第２期間は、複数のショット領域Ｓに対する露光光ＥＬの照射終了後の期間を含む。換言すれば、第２期間は、複数のショット領域Ｓのうち最後のショット領域Ｓの露光後の期間を含む。第２期間において吸引口２４（多孔部材８０）の吸引動作が実行されることによって、第１期間における吸引口２４（多孔部材８０）の吸引動作によって空間部２３の液体ＬＱが吸引（回収）仕切れなくても、その第２期間における吸引口２４（多孔部材８０）の吸引動作によって、間隙Ｇａ（空間部２３）から液体ＬＱが除去される。

また、本実施形態において、第２期間は、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射開始前の期間を含む。本実施形態において、第２期間は、複数のショット領域Ｓに対する露光光ＥＬの照射開始前の期間を含む。換言すれば、第２期間は、複数のショット領域Ｓのうち最初のショット領域Ｓの露光前の期間を含む。第２期間において吸引口２４（多孔部材８０）の吸引動作が実行されることによって、間隙Ｇａ（空間部２３）から液体ＬＱを除去した後、基板Ｐの露光を開始することができる。

本実施形態において、制御装置８は、基板Ｐの露光が実行される第１期間の少なくとも一部における吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を、基板Ｐの露光が実行されない第２期間における吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力よりも小さくする。すなわち、制御装置８は、第１期間の少なくとも一部において、間隙Ｇａ（空間部２３）の流体を吸引口２４から第１吸引力で吸引し、第２期間において、間隙Ｇａ（空間部２３）の流体を吸引口２４から第１吸引力よりも大きい第２吸引力で吸引する。換言すれば、制御装置８は、第１期間の少なくとも一部において吸引口２４（多孔部材８０）から単位時間当たり第１流量で流体を吸引し、第２期間において吸引口２４（多孔部材８０）から単位時間当たり第１流量よりも多い第２流量で流体を吸引する。

本実施形態において、第２期間は、順次露光される複数の基板Ｐのうち、第１の基板Ｐの露光終了時（最後のショット領域Ｓの露光終了時）から次の第２の基板Ｐの露光開始時（最初のショット領域Ｓの露光開始時）までの少なくとも一部の期間を含む。

例えば、第２期間は、第１の基板Ｐの露光終了後（ステップＳＴ２）から、その露光後の第１の基板Ｐが第１保持部３１から搬出され、露光前の第２の基板Ｐが第１保持部３１に搬入され、その露光前の第２の基板Ｐのアライメントマーク検出開始（ステップＳＴ７）までの期間でもよい。すなわち、本実施形態において、第２期間は、基板Ｐの露光終了（ステップＳＴ２）から次の基板Ｐのアライメントマーク検出まで（ステップＳＴ７）の期間でもよい。

また、第２期間は、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射終了後（ステップＳＴ２）、露光前の基板Ｐを第１保持部３１で保持した基板ステージ２が露光位置ＥＰに移動を開始するまで（ステップＳＴ６）の期間でもよい。

また、第２期間は、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射終了後（ステップＳＴ２）、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入するまで（ステップＳＴ５）の期間でもよい。

また、第２期間は、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射終了後（ステップＳＴ２）、基板Ｐが第１保持部３１から搬出されるまで（ステップＳＴ４）の期間でもよい。

また、第２期間は、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射終了後（ステップＳＴ２）、その露光後の基板Ｐを第１保持部３１で保持した基板ステージ２が基板交換位置ＥＰに移動を開始するまで（ステップＳＴ３）の期間でもよい。

なお、第２期間は、基板ステージ２が基板交換位置ＲＰに配置される期間でもよい。また、第２期間は、第１保持部３１に基板Ｐが保持されていない期間でもよい。第１保持部３１に基板Ｐが保持されていない期間は、露光後の基板Ｐが第１保持部３１から搬出されてから（ステップＳＴ４）、露光前の基板Ｐが第１保持部３１に搬入されるまで（ステップＳＴ５）の期間（基板交換処理期間）を含む。なお、第１保持部３１に基板Ｐが保持されていない期間は、基板交換処理期間に限られない。

なお、第２期間は、ステップＳＴ３〜ＳＴ７の期間でもよいし、ステップＳＴ３〜ＳＴ６の期間でもよいし、ステップＳＴ３〜ＳＴ５の期間でもよいし、ステップＳＴ３〜ＳＴ４の期間でもよいし、ステップＳＴ４〜ＳＴ７の期間でもよいし、ステップＳＴ４〜ＳＴ６の期間でもよい。

本実施形態において、制御装置８は、基板Ｐ（複数のショット領域Ｓ）の露光において吸引口２４（多孔部材８０）から第１吸引力で流体を吸引し、基板Ｐの最後のショット領域Ｓに対する露光光ＥＬの照射終了時（ステップＳＴ２）に、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を第１吸引力から第２吸引力へ変更する。その場合、第２期間は、基板Ｐ（複数のショット領域Ｓ）に対する露光光ＥＬの照射終了後、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐの上面及び基板ステージ２の上面２Ｕの少なくとも一方との間に液浸空間ＬＳが形成されている期間を含む。

なお、液浸空間ＬＳが基板ステージ２上に形成されている状態から計測ステージ３上に形成される状態へ変化するとき（例えばステップＳＴ３）に、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を第１吸引力から第２吸引力へ変更してもよい。その場合、露光光ＥＬの照射終了後、液浸空間ＬＳが基板Ｐの上面及び基板ステージ２の上面２Ｕの少なくとも一方の上に形成されている期間において吸引口２４（多孔部材８０）から第１吸引力で流体が吸引される。

なお、露光後の基板Ｐが第１保持部３１から搬出されるとき（ステップＳＴ４）に、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を第１吸引力から第２吸引力へ変更してもよい。

なお、露光前の基板Ｐが第１保持部３１に搬入されるとき（ステップＳＴ５）に、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を第２吸引力から第１吸引力へ変更してもよい。

なお、液浸空間ＬＳが計測ステージ３上に形成されている状態から基板ステージ２上に形成される状態へ変化するとき（例えばステップＳＴ６）に、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を第２吸引力から第１吸引力へ変更してもよい。

なお、基板Ｐのアライメントマークが検出されるとき（ステップＳＴ７）に、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を第２吸引力から第１吸引力へ変更してもよい。

なお、基板Ｐの最初のショット領域Ｓに対する露光光ＥＬの照射開始時（ステップＳＴ１）に、吸引口２４（多孔部材８０）の吸引力を第２吸引力から第１吸引力へ変更してもよい。

なお、本実施形態において、例えば基板Ｐ（ショット領域Ｓ）に露光光ＥＬが照射されるスキャン露光動作において吸引口２４（多孔部材８０）の流体吸引動作を実行し、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されないステッピング動作において吸引口２４（多孔部材８０）の流体吸引動作を停止してもよい。なお、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されないステッピング動作において吸引口２４（多孔部材８０）の流体吸引動作を実行し、基板Ｐ（ショット領域Ｓ）に露光光ＥＬが照射されるスキャン露光動作において吸引口２４（多孔部材８０）の流体吸引動作を停止してもよい。

なお、本実施形態において、スキャン露光動作中に吸引口２４（多孔部材８０）から第１吸引力で流体を吸引し、ステッピング動作中に吸引口２４（多孔部材８０）から第２吸引力で流体を吸引してもよい。

次に、クリーニングシーケンスＳＭ２について説明する。図９は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示すフローチャートである。

本実施形態においては、クリーニング用の液体ＬＣを用いてクリーニングシーケンスＳＭ２が実行される。本実施形態において、クリーニングシーケンスＳＭ２は、クリーニング用の液体ＬＣを供給する処理（ステップＳＣ１）と、液体ＬＣを用いるクリーニングを行った後、リンス（フラッシング）用の液体を供給する処理（ステップＳＣ２）とを含む。

本実施形態においては、液体ＬＣを用いて、カバー部材Ｔの少なくとも一部、及び間隙Ｇａの下方に位置する部材の少なくとも一部の一方又は両方をクリーニングする例について説明する。本実施形態において、間隙Ｇａの下方に位置する部材は、多孔部材８０の少なくとも一部を含む。なお、間隙Ｇａの下方に位置する部材は、基板ステージ２が有する部材でもよい。なお、間隙Ｇａの下方に位置する部材が、間隙Ｇａの下方に配置される基板ステージ２の空間部２３の内面の少なくとも一部でもよい。すなわち、例えば基板Ｐの露光において基板Ｐとカバー部材Ｔとの間の間隙Ｇａからその間隙Ｇａの下方の空間に流入した液体ＬＱが接触する可能性がある部材が液体ＬＣでクリーニングされてもよい。

図１０は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。本実施形態においては、クリーニングシーケンスＳＭ２を実行するとき、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持される。ダミー基板ＤＰは、デバイスを製造するための基板Ｐよりも異物を放出し難い基板である。ダミー基板ＤＰとして、例えば半導体ウエハを用いてもよい。例えば、感光膜が形成されてなく、液体ＬＣ（ＬＱ）に対して撥液性の膜が形成されている半導体ウエハを用いてもよい。なお、ダミー基板ＤＰとして、例えば金属製の基板を用いてもよい。

本実施形態において、ダミー基板ＤＰの外形は、基板Ｐの外形とほぼ等しい。第１保持部３１は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。本実施形態において、第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰの側面と第１側面８０Ｂとの距離は、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と第１側面８０Ｂとの距離とほぼ等しい。なお、ダミー基板ＤＰの外形は、基板Ｐの外形よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。なお、第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰの側面と第１側面８０Ｂとの距離は、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と第１側面８０Ｂとの距離よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。

本実施形態においては、液浸部材７の下面１４が対向可能なダミー基板ＤＰの上面は、液体ＬＣ（ＬＱ）に対して撥液性である。また、第１側面８０Ｂと対向するダミー基板ＤＰの側面も、液体ＬＣ（ＬＱ）に対して撥液性である。例えば、液体ＬＣ（ＬＱ）に対するダミー基板ＤＰの上面及び側面の接触角は、９０度以上である。

本実施形態において、液体ＬＣと液体ＬＱとは種類が異なる。液体ＬＣが、例えばアルコールを含んでもよい。例えば、液体ＬＣが、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つを含んでもよい。

なお、液体ＬＣとして、アルカリ性液体を用いてもよい。例えば、液体ＬＣが、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）を含んでもよい。例えば、液体ＬＣとして、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液を用いてもよい。

なお、液体ＬＣとして、酸性液体を用いてもよい。例えば、液体ＬＣが、過酸化水素を含んでもよい。例えば、液体ＬＣとして、過酸化水素水溶液（過酸化水素水）を用いてもよい。

なお、液体ＬＣとして、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリの溶液、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム等の有機アルカリの溶液を用いてもよい。なお、液体ＬＣとして、アンモニア水を用いてもよい。

なお、液体ＬＣが、バッファードフッ酸溶液を含んでもよい。また、液体ＬＣが、バッファードフッ酸及び過酸化水素を含む溶液でもよい。バッファードフッ酸（緩衝フッ酸）は、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物である。なお、液体ＬＣとして、オゾンを含むオゾン液体を用いてもよい。なお、液体ＬＣとして、過酸化水素とオゾンとを含む溶液を用いてもよい。

図１０に示すように、本実施形態においては、液浸部材７と多孔部材８０との間に液体ＬＣの液浸空間ＬＴが形成されるように、液浸部材７の下面１４が面する空間に液体ＬＣが供給される。本実施形態においては、下面１４が面する空間に液体ＬＣが供給されるときに、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持され、第２保持部３２にカバー部材Ｔが保持される。ダミー基板ＤＰとカバー部材Ｔとの間の間隙Ｇｄに多孔部材８０の少なくとも一部が配置された状態で、下面１４が面する空間に液体ＬＣが供給される。

また、本実施形態においては、多孔部材８０上に液体ＬＣの液浸空間ＬＴの少なくとも一部が形成されるように、液浸部材７の下面１４とダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄ及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの少なくとも一方とが対向する状態で、下面１４が面する空間に液体ＬＣが供給される。

本実施形態においては、カバー部材Ｔの上面Ｔａ、多孔部材８０の上面８０Ａ、及びダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄの少なくとも一つが対向可能な位置に配置された供給口から、下面１４が面する空間に液体ＬＣが供給される。

例えば、液浸部材７の供給口１５から下面１４が面する空間に液体ＬＣが供給されてもよい。例えば、液体ＬＣを送出可能な供給装置を流路１７に接続し、その供給装置から送出された液体ＬＣを、流路１７を介して供給口１５に供給してもよい。例えば、制御装置８は、供給口１５から液体ＬＣを供給するとともに、液浸部材７の回収口１６から液体ＬＣを回収して、液浸部材７と多孔部材８０との間に液体ＬＣの液浸空間ＬＴを形成してもよい。

なお、液浸部材７の回収口１６から下面１４が面する空間に液体ＬＣが供給されてもよい。すなわち、クリーニングシーケンスＳＭ２において、上面Ｔａ、上面８０Ａ、及び上面Ｐａｄの少なくとも一つが対向可能な液浸部材７の回収口１６が、液体ＬＣを供給する供給口として機能してもよい。例えば、液体ＬＣを送出可能な供給装置を流路２０に接続し、その供給装置から送出された液体ＬＣを、流路２０を介して回収口１６に供給してもよい。

なお、上面Ｔａ、上面８０Ａ、及び上面Ｐａｄの少なくとも一つが対向可能な液浸部材７の少なくとも一部に供給口１５及び回収口１６とは別の開口を設け、その開口から液体ＬＣを供給してもよい。

液浸部材７（例えば、供給口１５及び回収口１６の一方又は両方）から供給された液体ＬＣは、多孔部材８０の上面８０Ａに接触する。これにより、上面８０Ａが液体ＬＣでクリーニングされる。また、液体ＬＣは、カバー部材Ｔの上面Ｔａの少なくとも一部に接触する。これにより、上面Ｔａの少なくとも一部が液体ＬＣでクリーニングされる。また、液体ＬＣは、多孔部材８０とダミー基板ＤＰとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材８０の第１側面８０Ｂが液体ＬＣでクリーニングされる。また、液体ＬＣは、多孔部材８０とカバー部材Ｔとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材８０の第２側面８０Ｃ及びカバー部材Ｔの内面Ｔｃが液体ＬＣでクリーニングされる。

本実施形態において、多孔部材８０は、液浸部材７から供給された液体ＬＣの少なくとも一部を回収する。制御装置８は、流体吸引装置２６を制御して、多孔部材８０の孔から液体ＬＣを回収する。これにより、多孔部材８０の孔の内面（多孔部材８０の内部）が液体ＬＣでクリーニングされる。

本実施形態において、制御装置８は、液浸部材７から液体ＬＣを供給するとともに、多孔部材８０の孔から液体ＬＣを回収して、液浸部材７と多孔部材８０との間に液体ＬＣの液浸空間ＬＴを形成する。なお、制御装置８は、液浸部材７から液体ＬＣを供給するとき、多孔部材８０の回収動作を停止し、液浸部材７からの液体ＬＣの供給を停止したとき、多孔部材８０からの液体ＬＣの回収を行ってもよい。

制御装置８は、液体ＬＣの供給を所定時間実行する。所定時間は、多孔部材８０及びカバー部材Ｔ等をクリーニングするのに十分な液体ＬＣの供給時間である。制御装置８は、液体ＬＣの供給を開始してから所定時間経過後、液体ＬＣの供給を停止する。これにより、液体ＬＣを用いるクリーニングが終了する。

なお、制御装置８は、液体ＬＣを所定量供給した後、液体ＬＣの供給を停止してもよい。所定量は、多孔部材８０及びカバー部材Ｔ等をクリーニングするのに十分な液体ＬＣの供給量である。

液体ＬＣの供給を停止した後、制御装置８は、多孔部材８０を用いる回収を所定時間係属し、間隙Ｇｄ等に存在する液体ＬＣを全て回収する。

液体ＬＣが全て回収された後、制御装置８は、リンス（フラッシング）用の液体を供給する。本実施形態においては、リンス用の液体として、露光用の液体ＬＱを用いる。

本実施形態においては、液浸部材７からリンス用の液体ＬＱが供給される。例えば、液浸部材７の供給口１５から液体ＬＱが供給されてもよいし、回収口１６から液体ＬＱが供給されてもよいし、供給口１５及び回収口１６とは別に液浸部材７に設けられた開口から液体ＬＱが供給されてもよい。

液浸部材７からリンス用の液体ＬＱが供給されるとき、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持される。本実施形態においては、液浸部材７と、ダミー基板ＤＰ、多孔部材８０、及びカバー部材Ｔの少なくとも一部との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成されるように、液浸部材７の下面１４が面する空間に液体ＬＱが供給される。本実施形態において、制御装置８は、液浸部材７の供給口１５から液体ＬＱを供給するとともに、液浸部材７の回収口１６から液体ＬＱを回収して、液浸部材７と多孔部材８０との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成する。

液浸部材７から供給された液体ＬＱは、多孔部材８０の上面８０Ａに接触する。これにより、上面８０Ａが液体ＬＱでリンスされる。また、液体ＬＱは、カバー部材Ｔの上面Ｔａの少なくとも一部に接触する。これにより、上面Ｔａの少なくとも一部が液体ＬＱでリンスされる。また、液体ＬＱは、多孔部材８０とダミー基板ＤＰとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材８０の第１側面８０Ｂが液体ＬＱでリンスされる。また、液体ＬＱは、多孔部材８０とカバー部材Ｔとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材８０の第２側面８０Ｃ及びカバー部材Ｔの内面Ｔｃが液体ＬＱでリンスされる。

本実施形態においては、多孔部材８０上に液体ＬＱの液浸空間ＬＳの少なくとも一部が形成されている状態で、多孔部材８０から液体ＬＱの少なくとも一部が回収される。制御装置８は、流体吸引装置２６を制御して、多孔部材８０の孔から液体ＬＱを回収する。これにより、多孔部材８０の孔の内面（多孔部材８０の内部）が液体ＬＱでリンスされる。

なお、例えば供給口１５からリンス用の液体ＬＱを供給し、その液体ＬＱの少なくとも一部を多孔部材８０から回収し、液浸部材７の回収口１６から液体ＬＱを回収しないようにしてもよい。

制御装置８は、液体ＬＱの供給を所定時間実行する。所定時間は、多孔部材８０及びカバー部材Ｔ等をリンスするのに十分な液体ＬＱの供給時間である。制御装置８は、液体ＬＱの供給を開始してから所定時間経過後、液体ＬＱの供給を停止する。これにより、液体ＬＱを用いるリンスが終了する。リンス用の液体ＬＱが供給されることによって、多孔部材８０及びカバー部材Ｔ等に残留する液体ＬＣが除去される。

なお、制御装置８は、液体ＬＱを所定量供給した後、液体ＬＱの供給を停止してもよい。所定量は、多孔部材８０及びカバー部材Ｔ等をリンスするのに十分な液体ＬＱの供給量である。

なお、本実施形態においては、クリーニング用の液体ＬＣを供給するクリーニング処理が行われた後、リンス（フラッシング）用の液体ＬＱを供給するリンス処理（フラッシング処理）が行われることとしたが、リンス処理（フラッシング処理）は省略されてもよい。

以上により、クリーニングシーケンスＳＭ２が終了する。クリーニングシーケンスＳＭ２が終了した後、例えば露光シーケンスＳＭ１が実行されてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、間隙Ｇａの周囲に配置されている多孔部材８０及びカバー部材Ｔ等を良好にクリーニングすることができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

なお、以下の実施形態においては、主に、多孔部材８０、ケース８１、カバー部材Ｔ、及び空間部２３の内面の少なくとも一部をクリーニングする場合を例にして説明するが、上述のように、間隙Ｇａの下方に位置する部材、あるいは基板Ｐの露光において基板Ｐとカバー部材Ｔとの間の間隙Ｇａからその間隙Ｇａの下方の空間に流入した液体ＬＱが接触する可能性がある部材をクリーニング対象としてもよい。

図１１は、第２実施形態に係る基板ステージ２００Ａの一例を示す図である。図１１に示すように、本実施形態において、多孔部材８０は、多孔部材８０の第２側面８０Ｃと、カバー部材Ｔの内面Ｔｃとが接触するように配置される。なお、図１１に示す例では、支持部材８２は省略されている。なお、図１１に示す例においても、支持部材８２が配置されてもよい。

また、本実施形態において、基板ステージ２は、多孔部材８０の温度を調整する温度調整装置３０５を備えている。温度調整装置３０５は、例えばペルチェ素子を含む。本実施形態において、温度調整装置３０５は、ケース８１に接触するように配置されている。温度調整装置３０５は、ケース８１を介して、多孔部材８０の温度を調整する。温度調整装置３０５は、ケース８１の温度も調整可能である。

なお、温度調整装置３０５が、多孔部材８０の少なくとも一部に接触するように配置されてもよい。

なお、温度調整装置３０５が、例えばケース８１の内部に形成された流路に温度調整された流体（気体及び液体の一方又は両方）を供給する供給装置を含んでもよい。

また、本実施形態において、基板ステージ２００Ａは、カバー部材Ｔの温度を調整する温度調整装置３０６を備えている。温度調整装置３０６は、例えばペルチェ素子を含む。本実施形態において、温度調整装置３０６は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂに接触するように配置されている。本実施形態において、温度調整装置３０６は、周壁部３８と周壁部３９との間の空間３２Ｈにおいて、カバー部材Ｔの下面Ｔｂに接触するように配置される。なお、温度調整装置３０６は、カバー部材Ｔに接触しなくてもよい。例えば、温度調整装置３０６が、カバー部材Ｔの下面Ｔｂに対向するように、支持面３２Ｓに配置されてもよい。

なお、温度調整装置３０６が、例えばカバー部材Ｔの内部に形成された流路に温度調整された流体（気体及び液体の一方又は両方）を供給する供給装置を含んでもよい。

なお、第１実施形態で説明した多孔部材８０の温度を調整する温度調整装置、及びカバー部材Ｔの温度を調整する温度調整装置が設けられてもよい。

本実施形態において、多孔部材８０をクリーニングする場合、第１側面８０Ｂとダミー基板ＤＰの側面との間の間隙上に、液体ＬＣの液浸空間ＬＴが形成される。液体ＬＣは、上面８０Ａ、及び第１側面８０Ｂに接触する。

制御装置８は、流体吸引装置２６を制御して、多孔部材８０の吸引動作を実行する。第１側面８０Ｂとダミー基板ＤＰの側面との間の間隙の液体ＬＣは、第１側面８０Ｂの孔から回収される。これにより、多孔部材８０の内部が液体ＬＣでクリーニングされる。

また、液浸空間ＬＴの液体ＬＣをカバー部材Ｔに接触させることにより、カバー部材Ｔが液体ＬＣでクリーニングされる。

なお、クリーニングシーケンスＳＭ２において、温度調整装置３０５を用いて多孔部材８０の温度を調整しながら、多孔部材８０に液体ＬＣを供給してもよい。また、温度調整装置３０５を用いて多孔部材８０の温度を調整しながら、多孔部材８０の孔から液体ＬＣを回収してもよい。

なお、クリーニングシーケンスＳＭ２において、温度調整装置３０６を用いてカバー部材Ｔの温度を調整しながら、カバー部材Ｔに液体ＬＣを供給してもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１２は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。図１２に示すように、本実施形態においては、クリーニング用の液体ＬＣが、空間部２３の内面とケース８１の外面との間の空間２３Ｓに供給される。液体ＬＣは、空間部２３の内面及びケース８１の外面の少なくとも一方に接触する。これにより、空間部２３の内面及びケース８１の外面の少なくとも一部が液体ＬＣでクリーニングされる。

本実施形態においては、液体ＬＣが空間２３Ｓに供給されるように、液浸部材７からの液体ＬＣの供給、及び多孔部材８０からの液体ＬＣの回収が行われる。例えば、液浸部材７から液体ＬＣが供給されるとき、その液体ＬＣが空間２３Ｓに流入するように、多孔部材８０からの液体ＬＣの回収量が低減される。

本実施形態においては、空間２３Ｓの液体ＬＣを回収する回収口３５１を有する回収機構３５０が設けられる。図１２において、回収口３５１は、空間２３Ｓに面するように、空間部２３の内面に形成されている。回収口３５１は、流路３５２を介して、流体吸引装置２６Ｂに接続される。回収口３５１から回収された液体ＬＣの少なくとも一部は、流体吸引装置２６Ｂに吸引される。

本実施形態によれば、多孔部材２３及びカバー部材Ｔのみならず、間隙Ｇａ（Ｇｄ）の下方に配置される空間部２３の内面及びケース８１の外面の少なくとも一方も液体ＬＣでクリーニングされる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１３は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。図１３において、第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰ２は、第１側面８０Ｂが対向する側面Ｐｃｄを有する。本実施形態において、側面Ｐｃｄは、ダミー基板ＤＰ２の中心（第１保持部３１の中心）に対して外側に向かって下方に傾斜している。

本実施形態においては、側面Ｐｃｄが傾斜しているので、ダミー基板ＤＰ２の上面と多孔部材８０の上面８０Ａとの間の間隙に供給された液体ＬＣは、第１側面８０Ｂに円滑に接触する。また、ダミー基板ＤＰ２の上面と多孔部材８０の上面８０Ａとの間の間隙に供給された液体ＬＣは、その間隙を介して、空間部２３に円滑に流入する。これにより、多孔部材８０等は、良好にクリーニングされる。

図１４は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。図１４において、第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰ３は、第１側面８０Ｂが対向する側面Ｐｃｄを有する。本実施形態において、側面Ｐｃｄは、ダミー基板ＤＰ３の中心（第１保持部３１の中心）に対して外側に向かって上方に傾斜している。

本実施形態においては、側面Ｐｃｄが上方に傾斜しているので、ダミー基板ＤＰ３の上面と多孔部材８０の上面８０Ａとの間の間隙に供給された液体ＬＣは、その間隙を介して、空間部２３に円滑に流入する。これにより、多孔部材８０等は、良好にクリーニングされる。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１５は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。本実施形態においては、液体ＬＣは、カバー部材Ｔの上面Ｔａ及びダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される可動部材３６０から供給される。可動部材３６０は、例えば基板交換位置ＲＰにおいて、基板ステージ２の少なくとも一部に液体ＬＣを供給可能である。

可動部材３６０は、基板ステージ２に対して移動可能である。可動部材３６０は、上面Ｔａ及び上面Ｐａｄの少なくとも一方が対向可能な位置に配置され、液体ＬＣを供給可能な供給口３６１を有する。

本実施形態において、可動部材３６０は、アクチュエータを含む駆動装置３６２の作動により移動可能である。可動部材３６０は、例えばＺ軸方向に移動可能である。本実施形態において、駆動装置３６２は、可動部材３６０を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、供給口３６１は、上面Ｔａ及び上面Ｐａｄの少なくとも一方が対向可能な可動部材３６０の下面に配置される。また、本実施形態において、可動部材３６０は、液体ＬＣを回収可能な回収口３６３を有する。

空間部２３には、多孔部材８０が配置される。多孔部材８０の少なくとも一部は、間隙Ｇｄ（Ｇａ）に配置される。

本実施形態において、カバー部材Ｔに超音波を与える超音波発生装置８５が設けられている。超音波発生装置８５は、例えばピエゾ素子等の超音波発生素子を含む。

超音波発生装置８５は、カバー部材Ｔの少なくとも一部と接触する。本実施形態において、超音波発生装置８５は、カバー部材Ｔの裏面Ｔｂに接触するように配置される。本実施形態において、超音波発生装置８５は、周壁部３８と周壁部３９との間の空間３２Ｈにおいて、裏面Ｔｂに接触するように配置される。本実施形態において、第２保持部３２は、空間３２Ｈに配置され、超音波発生装置８５を支持する支持部８６を有する。 超音波発生装置８５が作動することによって、カバー部材Ｔが振動する。

本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄとカバー部材Ｔの上面Ｔａとの間の間隙上に液体ＬＣの液浸空間ＬＴの少なくとも一部が形成されるように、可動部材３６０の下面とダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄ及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの少なくとも一方とが対向する状態で、供給口３６１から液体ＬＣが供給される。

供給口３６１から供給された液体ＬＣの少なくとも一部は、上面Ｔａと上面Ｐａｄとの間隙を介して、多孔部材８００が配置されている空間部２３に流入する。これにより、多孔部材８００の上面が液体ＬＣでクリーニングされる。また、空間部２３の内面も液体ＬＣでクリーニングされる。

制御装置８は、多孔部材８００の孔から液体ＬＣを回収しながら、供給口３６１から液体ＬＣを供給する。これにより、多孔部材８００の内部も液体ＬＣでクリーニングされる。

また、本実施形態においては、可動部材３６０の供給口３６１からの液体ＬＣの供給と並行して、回収口３６３からの液体ＬＣの回収が行われる。

制御装置８は、駆動装置３６２を制御して、基板ステージ２（間隙）に対する可動部材３６０の位置を調整しながら、供給口３６１から液体ＬＣを供給することができる。

また、本実施形態において、制御装置８は、超音波発生装置８５を制御して、カバー部材Ｔに超音波を与えながら、供給口３６１から液体ＬＣを供給することができる。

本実施形態においても、多孔部材８００を含む基板ステージ２の少なくとも一部を良好にクリーニングすることができる。

なお、本実施形態おいては、基板交換位置ＲＰにおいて、可動部材３６０を用いる基板ステージ２の少なくとも一部のクリーニングが実行されることとしたが、露光位置ＥＰにおいて、液浸部材７を用いる基板ステージ２の少なくとも一部のクリーニングが実行されてもよい。液浸部材７を用いてクリーニングする場合、制御装置８は、液浸部材７の下面１４が対向可能な位置に基板ステージ２を配置する。制御装置８は、ダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄとカバー部材Ｔの上面Ｔａとの間の間隙上に液体ＬＣの液浸空間ＬＴの少なくとも一部が形成されるように、液浸部材７の下面１４とダミー基板ＤＰの上面及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの少なくとも一方とが対向する状態で、例えば供給口１５から液体ＬＣを供給する。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１６は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。本実施形態において、基板ステージ２は、少なくとも一部が空間部２３に配置され、流体を回収可能な孔を有する多孔部材８０と、空間部２３に配置され、クリーニング用の液体ＬＣを供給する供給口３７０とを備えている。

本実施形態において、供給口３７０は、空間部２３の内面とケース８１の外面との間の空間２３Ｓに面するように、空間部２３の内面に配置される。供給口３７０は、流路３７１を介して、液体ＬＣを送出可能な供給装置３７２と接続される。供給装置３７２から送出された液体ＬＣは、流路３７１を介して、供給口３７０に供給される。

クリーニングシーケンスＳＭ２の少なくとも一部の期間において、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持される。多孔部材８０の一部は、ダミー基板ＤＰとカバー部材Ｔとの間の間隙に配置される。また、多孔部材８０の一部は、空間部２３に配置される。本実施形態においては、少なくとも供給口３７０から液体ＬＣが供給されるときに、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持される。

クリーニングシーケンスＳＭ２において、供給口３７０から空間２３Ｓに液体ＬＣが供給される。供給口３７０から空間２３Ｓに供給された液体ＬＣは、空間部２３の内面及びケース８１の外面の少なくとも一部に接触する。これにより、空間部２３の内面及びケース８１の外面の少なくとも一部が液体ＬＣでクリーニングされる。

また、供給口３７０から空間２３Ｓに供給された液体ＬＣの少なくとも一部は、多孔部材８０の第１側面８０Ｂに接触する。これにより、多孔部材８０の第１側面８０Ｂの少なくとも一部が液体ＬＣでクリーニングされる。

本実施形態において、供給口３７０から供給され、多孔部材８０の表面に接触した液体ＬＣは、多孔部材８０の孔を介して回収される。すなわち、クリーニングシーケンスＳＭ２において、制御装置８は、流体吸引装置２６を制御して、多孔部材８０の孔からの回収動作を実行する。

図１６に示す例においては、供給口３７０から供給された液体ＬＣの少なくとも一部は、第１側面８０Ｂに接触する。第１側面８０Ｂに接触した液体ＬＣの少なくとも一部は、その第１側面８０Ｂの孔から回収される。なお、供給口３７０から供給された液体ＬＣの少なくとも一部が、第２側面８０Ｃに接触してもよい。また、第２側面８０Ｃに接触した液体ＬＣの少なくとも一部が、その第２側面８０Ｃの孔から回収されてもよい。

本実施形態において、制御装置８は、供給口３７０からの液体ＬＣの供給と並行して、多孔部材８０からの液体ＬＣの回収を実行する。なお、供給口３７０から液体ＬＣが供給されるとき、多孔部材８０の回収動作が停止されてもよい。また、供給口３７０からの液体ＬＣの供給が停止されるとき、多孔部材８０の液体ＬＣの回収が実行されてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、空間部２３に配置された供給口３７０から液体ＬＣを供給することにより、間隙Ｇｄ（Ｇａ）の下方に配置される空間部２３の内面の少なくとも一部、及びケース８１の外面の少なくとも一部を液体ＬＣでクリーニングすることができる。また、供給口３７０から供給された液体ＬＣで、多孔部材８０の孔をクリーニングすることができる。

なお、図１７に示すように、空間部２３の供給口３７０から供給された液体ＬＣの少なくとも一部が、ダミー基板ＤＰとカバー部材Ｔとの間の間隙Ｇｄを介して、ダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄ及びカバー部材Ｔの上面Ｔａの少なくとも一方が面する空間に流れてもよい。図１７に示す例では、空間部２３の液体ＬＣは、間隙Ｇｄのうち、ダミー基板ＤＰの上面Ｐａｄと多孔部材８０の上面８０Ａとの間の間隙から、上面Ｐａｄ及び上面Ｔａが面する空間に供給される。これにより、カバー部材Ｔの上面Ｔａ及び内面Ｔｃの少なくとも一方が液体ＬＣでクリーニングされる。

本実施形態において、空間部２３から上面Ｔａ及び上面Ｐａｄが面する空間に流出した液体ＬＣは、例えば上面Ｔａ及び上面Ｐａｄの少なくとも一方が対向可能に配置された液浸部材７の回収口１６から回収される。なお、例えば図１５等を参照して説明した可動部材３６０が有する回収口３６３から液体ＬＣを回収してもよい。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１８は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。本実施形態において、露光装置ＥＸは、カバー部材Ｔ、多孔部材８０、ケース８１の外面、及び空間部２３の内面の少なくとも一部に光ＥＣを照射する射出装置３８０を備えている。

本実施形態において、光ＥＣは、カバー部材Ｔ、多孔部材８０、ケース８１の外面、及び空間部２３の内面の少なくとも一部をクリーニングするための光である。光ＥＣは、例えば光洗浄効果を有する紫外光を含む。

本実施形態において、射出装置３８０は、光ＥＣを射出する射出部３８１を含む射出部材３８２と、射出部材３８２を移動可能なアクチュエータを含む駆動装置３８３とを有する。

本実施形態において、射出部３８１は、上面Ｔａ及び上面８０Ａの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される。駆動装置３８３は、基板ステージ２に対して射出部材３８２を移動可能である。本実施形態において、射出部材３８２は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。また、駆動装置３８３は、基板ステージ２に対する射出部材３８２の位置を調整可能である。射出部材３８２が移動することによって、射出部３８１も移動する。射出部材３８２の位置が調整されることによって、基板ステージ２に対する射出部３８１の位置も調整される。

本実施形態においては、クリーニングシーケンスＳＭ２の少なくとも一部の期間において、第１保持部３１にダミー基板Ｄ４が保持される。本実施形態においては、少なくとも射出部３８１から光ＥＣが射出されるときに、第１保持部３１にダミー基板ＤＰ４が保持される。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰ４とカバー部材Ｔとの間の間隙に多孔部材８０の少なくとも一部が配置される。

本実施形態において、ダミー基板ＤＰ４の少なくとも一部が第１側面８０Ｂと対向する。本実施形態において、ダミー基板ＤＰ４は、第１側面８０Ｂが対向可能な側面Ｐｃ４を有する。本実施形態において、側面Ｐｃ４は、光ＥＣの少なくとも一部を反射する反射面を含む。反射面は、例えば蒸着法により形成された金属膜の表面を含む。本実施形態において、側面Ｐｃ４は、ダミー基板ＤＰ４（第１保持部３１）の中心に対する放射方向に関して、外側に向かって下方に傾斜する。

本実施形態において、射出部３８１は、ダミー基板ＤＰ４の側面Ｐｃ４に光ＥＣを照射する。制御装置８は、射出部３８１からの光ＥＣが側面Ｐｃ４に照射されるように、ダミー基板ＤＰ４（基板ステージ２）に対する射出部３８１の位置を調整する。

射出部３８１から射出され、側面Ｐｃ４に照射された光ＥＣの少なくとも一部は、その側面Ｐｃ４で反射する。側面Ｐｃ４で反射した光ＥＣの少なくとも一部は、多孔部材８０の第１側面８０Ｂに照射される。これにより、第１側面８０Ｂが光ＥＣでクリーニングされる。

なお、本実施形態においては、射出部３８１から射出された光ＥＣは、ダミー基板ＤＰ４を介して第１側面８０Ｂに照射されることとしたが、例えば図１９に示すように、上面８０Ａ及び上面Ｔａの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される射出部３８１から射出された光ＥＣが、ケース８１の外面、及び空間部２３の内面の少なくとも一部に照射されてもよい。

なお、射出部３８１から射出された光ＥＣが、カバー部材Ｔの少なくとも一部に照射されてもよい。例えば、射出部３８１から射出された光ＥＣが、上面Ｔａ及び内面Ｔｃの少なくとも一方に照射されてもよい。

なお、本実施形態において、ダミー基板ＤＰ４を介さずに、第１側面８０Ｂに光ＥＣを照射してもよい。また、第１側面８０Ｂに限らず、上面８０Ａ及び第２側面８０Ｃの少なくとも一部に、射出部３８１からの光ＥＣが照射されてもよい。

なお、図２０に示すように、光ＥＣを射出する射出部３８１Ｂが、空間部２３に配置されてもよい。射出部３８１Ｂから射出された光ＥＣが、多孔部材８０（ケース８１）、カバー部材Ｔ、及び空間部２３の内面の少なくとも一部に照射されることによって、それら多孔部材８０（ケース８１）、カバー部材Ｔ、及び空間部２３の内面の少なくとも一部が光ＥＣでクリーニングされる。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２１は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。本実施形態において、露光装置ＥＸは、カバー部材Ｔの表面、及び多孔部材８０の表面の少なくとも一部に接触するクリーニング部材３９０を備えている。

本実施形態において、クリーニング部材３９０は、カバー部材Ｔの表面、及び多孔部材８０の表面の少なくとも一部を擦ることができる研磨部材を含む。本実施形態において、クリーニング部材３９０は、砥石を含む。

本実施形態において、クリーニング部材３９０は、アクチュエータを含む駆動装置３９１の作動によって、基板ステージ２に対して移動可能である。駆動装置３９１は、基板ステージ２に対するクリーニング部材３９０の位置を調整可能である。本実施形態において、クリーニング部材３９０は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、クリーニング部材３９０は、カバー部材Ｔの上面Ｔａ及び多孔部材８０の上面８０Ａの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される。

本実施形態においては、クリーニングシーケンスＳＭ２の少なくとも一部の期間において、第１保持部３１にダミー基板等の物体は保持されない。

本実施形態において、多孔部材８０は、基板Ｐの露光において間隙Ｇａに配置される第１部分８０１を有する。図２１に示す例では、クリーニング部材３９１は、第１側面８０Ｂに接触する。駆動装置３９１は、第１側面８０Ｂとクリーニング部材３９１とが接触した状態で、クリーニング部材３９１を動かす。これにより、第１側面８０Ｂがクリーニング部材３９１で擦られ、第１側面８０Ｂがクリーニングされる。

本実施形態において、クリーニング部材３９０は、異物を吸引する吸引口３９２を有する。吸引口３９２は、流路３９３を介して、吸引装置３９４と接続される。本実施形態において、流路３９３の少なくとも一部は、クリーニング部材３９０の内部に形成される。多孔部材８０とクリーニング部材３９０との接触により発生した異物は、吸引口３９２から吸引される。

以上説明したように、本実施形態によれば、クリーニング部材３９０を用いて、多孔部材８０の少なくとも一部をクリーニングすることができる。

なお、本実施形態においては、クリーニング部材３９０を用いて第１側面３９２をクリーニングすることとしたが、上面８０Ａとクリーニング部材３９０とを接触させてもよいし、第２側面８０Ｃとクリーニング部材３９０とを接触させてもよい。また、カバー部材Ｔの表面（上面Ｔａ、内面Ｔｃ、及び下面Ｔｂの少なくとも一つ）とクリーニング部材３９０とを接触させてもよい。

なお、クリーニング部材３９０とケース８１の外面とを接触させてもよいし、クリーニング部材３９０と空間部２３の内面とを接触させてもよい。なお、ケース８１の外面及び空間部２３の外面の少なくとも一方と接触可能なように、クリーニング部材３９０の外形が調整されてもよい。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２２は、本実施形態に係る液浸部材７００の一例を示す図である。図２２において、液浸部材７００は，液体ＬＱを供給する供給口１５Ｋと、液体ＬＱを回収する回収口１６Ｋとを備えている。

供給口１５Ｋは、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋに面するように配置される。なお、供給口１５Ｋの少なくとも一部が、終端光学素子１２の側面と対向するように配置されてもよい。

回収口１６Ｋは、基板Ｐが対向可能に配置される。本実施形態において、回収口１６Ｋは、多孔部材１９Ｋの孔を含む。回収口１６は、光路Ｋに対して供給口１５Ｋの外側に配置される。

液浸部材７００は、回収口１６から回収された液体ＬＱが流動可能な流路２０Ｋを有する。なお、回収口１６から回収された気体も、流路２０Ｋを流動する。

本実施形態において、液浸部材７００は、流路２０Ｋに面する第１排出口７０１と、流路２０Ｋに面する第２排出口７０２とを有する。本実施形態において、第１排出口７０１は、実質的に流路２０Ｋの気体のみを排出し、液体ＬＱを排出しない。第２排出口７０２は、実質的に流路２０Ｋの液体ＬＱのみを排出し、気体を排出しない。本実施形態において、第２排出口７０２は、多孔部材の孔を含む。なお、第１排出口７０１から液体及び気体の両方が排出されてもよいし、第２排出口７０２から液体及び気体の両方が排出されてもよい。

供給口１５Ｋは、流路を介して液体供給装置１８Ｋと接続される。第１排出口７０１は、流路を介して第１回収装置２１Ｋａと接続される。第２排出口７０２は、流路を介して第２回収装置２１Ｋｂと接続される。

本実施形態において、液浸部材７００の周囲の少なくとも一部に、流体を回収する回収部材７５０が配置される。回収部材７５０は、基板Ｐが対向可能な下面を有する。回収部材７５０は、基板Ｐが対向可能な回収口７５１を有する。回収口７５１は、流路を介して回収装置２１Ｋｃと接続される。

回収口７５１は、回収部材７５０の下面と基板Ｐとの間の空間の液体ＬＱを回収可能である。回収口７５１は、液浸部材７００の下面と基板Ｐとの間の空間から流出した液体ＬＱを回収する。

なお、図２２においては、液浸部材７００の下面及び回収部材７５０の下面と対向する位置に基板Ｐが配置されることとしたが、例えば基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方が配置されてもよいし、基板Ｐ、基板ステージ２、及び計測ステージ３とは異なる物体が配置されてもよい。

次に、液浸部材７００を用いて、基板ステージ２の少なくとも一部をクリーニングする例について説明する。図２３は、液浸部材７００を用いるクリーニングシーケンスＳＭ２の一例を示す図である。

クリーニングシーケンスＳＭ２において、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが配置される。ダミー基板ＤＰとカバー部材Ｔとの間の間隙に、多孔部材８０の第１部分８０１が配置される。

また、クリーニングシーケンスＳＭ２において、液浸部材７００の下面と多孔部材８０の上面８０Ａとが対向するように、液浸部材７００に対する基板ステージ２の位置が調整される。

本実施形態においては、カバー部材Ｔ、多孔部材８０、ケース８１、及び空間部２３の内面の少なくとも一部がクリーニング用の液体ＬＣによってクリーニングされる。本実施形態においては、第２排出口７０２から流路２０Ｋに液体ＬＣが供給される。本実施形態において、第２回収装置２１Ｋｂは、液体ＬＣを送出可能である。第２回収装置２１Ｋｂから送出された液体ＬＣは、第２排出口７０２に供給される。

第２排出口７０２から流路２０Ｋに液体ＬＣが供給されることによって、流路２０Ｋの内面の少なくとも一部が液体ＬＣでクリーニングされる。また、流路２０Ｋの液体ＬＣの少なくとも一部は、回収口１６Ｋを介して、液浸部材７００の下面が面する空間ＳＰに供給される。液浸部材７００の下面が面する空間は、液浸部材７００と基板ステージ２との間の空間を含む。

本実施形態においては、液浸部材７００の下面と多孔部材８０の上面８０Ａ（間隙Ｇｄ）とが対向された状態で、回収口１６Ｋから液体ＬＣが供給される。回収口１６Ｋから供給された液体ＬＣは、多孔部材８０の少なくとも一部に接触する。これにより、多孔部材８０の少なくとも一部が液体ＬＣでクリーニングされる。

本実施形態においては、回収口１６Ｋから空間ＳＰに液体ＬＣが供給されるとき、供給口１５Ｋから液体ＬＱが供給される。供給口１５Ｋから供給された液体ＬＱは、終端光学素子１２の表面の少なくとも一部を覆う。また、供給口１５Ｋから供給された液体ＬＱは、終端光学素子１２の光軸に対する放射方向に関して、終端光学素子１２から外側に向かって流れる。これにより、空間ＳＰの液体ＬＣが終端光学素子１２に接触することが抑制される。

回収口１６Ｋから空間ＳＰに供給された液体ＬＣ、及び供給口１５Ｋから供給された液体ＬＱは、回収部材７５０の回収口７５１から回収される。

以上説明したように、本実施形態においても、液体ＬＣを用いて、間隙Ｇａ（Ｇｄ）の周囲に存在する部材の表面の少なくとも一部を良好にクリーニングすることができる。

なお、上述の各実施形態においては、少なくとも一部が間隙Ｇａに配置される多孔部材８０をクリーニングすることとしたが、例えば図２４に示すように、間隙Ｇａの下方に位置する多孔部材８００がクリーニングされてもよい。図２４において、多孔部材８００の全部が間隙Ｇａの下方に配置されている。すなわち、多孔部材８００は、間隙Ｇａに配置されない。また、図２４に示す例では、多孔部材８００は、ケース８１０に支持される。図２４に示す多孔部材８００（ケース８１０）であっても、上述の実施形態に従って、クリーニングすることができる。

なお、図２５及び図２６に示すように、ケース８１（８１０）が省略されてもよい。ケース８１（８１０）に支持されていない多孔部材８０（８００）を、上述の実施形態に従って、クリーニングしてもよい。

なお、上述したように、制御装置８は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置８は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置８Ｒは、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８Ｒには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

なお、制御装置８に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。

記憶装置８Ｒに記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）８が読み取り可能である。記憶装置８Ｒには、制御装置８に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。

露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備える場合、記憶装置８Ｒに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを実行させてもよい。

また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板が第１保持部に保持されている状態において基板と第１面を有する第１部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第２部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備える場合、記憶装置８Ｒに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、液浸部材と第２部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを実行させてもよい。

また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、基板と第１面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第２部材と、を備える場合、記憶装置８Ｒに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、空間部にクリーニング液体を供給することを実行させてもよい。

また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備える場合、記憶装置８Ｒに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを実行させてもよい。

また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第１保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備える場合、記憶装置８Ｒに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、第１部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを実行させてもよい。

記憶装置８Ｒに記憶されているプログラムが制御装置８に読み込まれることにより、基板ステージ２、液浸部材７、駆動システム５、及び流体吸引装置２６等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているような、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、露光用の液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、２Ｕ…上面、３…計測ステージ、５…駆動システム、６…駆動システム、７…液浸部材、８…制御装置、８Ｒ…記憶装置、１２…終端光学素子、１３…射出面、１４…下面、１５…供給口、１６…回収口、１９…多孔部材、２２…吸引口、２３…空間部、２４…吸引口、２６…流体吸引装置、３１…第１保持部、３２…第２保持部、３５…周壁部、３８…周壁部、８０…多孔部材、８０Ａ…上面、８０Ｂ…第１側面、８０Ｃ…第２側面、８５…超音波発生装置、３６０…可動部材、３６１…供給口、３８０…射出装置、３８１…射出部、３８２…射出部材、３８３…駆動装置、３９０…クリーニング部材、８０１…第１部分、８０２…第２部分、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｇａ…間隙、ＬＣ…液体、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、Ｔ…カバー部材、

Claims (57)

1. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
   前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
   前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングするクリーニング装置と、を備える露光装置。
2. 前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項１に記載の露光装置。
3. 前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項１又は２に記載の露光装置。
4. 前記クリーニング装置は、前記第１面が対向可能な位置に配置され、クリーニング液体を供給する第１供給口を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
5. 前記第１供給口は、前記基板保持装置に対して移動可能な第１可動部材に配置される請求項４に記載の露光装置。
6. 前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材を備え、
   前記第１供給口は、前記液浸部材に配置される請求項４に記載の露光装置。
7. 少なくとも前記第１供給口から前記クリーニング液体が供給されるときに、前記第１保持部にダミー基板が保持され、
   前記ダミー基板の上面と前記第１面との間の間隙上に前記クリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、前記液浸部材の下面と前記ダミー基板の上面及び前記第１面の少なくとも一方とが対向する状態で、前記第１供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項６に記載の露光装置。
8. 前記間隙の下方に位置する部材は、多孔部材を含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
9. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
   前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
   前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板と前記第１部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第２部材と、
   前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、
   前記液浸部材と前記第２部材との間にクリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、前記クリーニング液体を供給する第１供給口と、を備える露光装置。
10. 少なくとも前記第１供給口から前記クリーニング液体が供給されるときに、前記第１保持部にダミー基板が保持され、
    前記ダミー基板と前記第１部材との間の間隙に前記第２部材の少なくとも一部が配置された状態で、前記第１供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項９に記載の露光装置。
11. 前記第２部材上に前記クリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、前記液浸部材の下面と前記ダミー基板の上面及び前記第１面の少なくとも一方とが対向する状態で、前記第１供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項９又は１０に記載の露光装置。
12. 前記第１供給口は、前記液浸部材に配置される請求項９〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
13. 前記第２部材が有する回収口は、前記第１供給口から供給された前記クリーニング液体の少なくとも一部を回収する請求項９〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
14. 前記第１供給口は、前記基板の露光において、前記露光液体の供給及び回収の一方又は両方を行う請求項９〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
15. 前記基板保持装置は、前記基板の上面と前記第１面との間の間隙に通じる空間部と、前記空間部に配置され、クリーニング液体を供給可能な第２供給口と、を有する請求項９〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
16. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
    前記基板と前記第１面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第２部材と、
    前記空間部に配置され、クリーニング液体を供給する第２供給口と、を備える露光装置。
17. 前記第２部材が有する回収口は、前記第２供給口から供給された前記クリーニング液体の少なくとも一部を回収する請求項１６に記載の露光装置。
18. 少なくとも前記第２供給口から前記クリーニング液体が供給されるときに、前記第１保持部にダミー基板が保持され、
    前記第２供給口から供給された前記クリーニング液体の少なくとも一部は、前記ダミー基板と前記第１部材との間の間隙を介して、前記ダミー基板の上面及び前記第１面の少なくとも一方が面する空間に流れる請求項１６又は１７に記載の露光装置。
19. 前記ダミー基板と前記第１部材との間の間隙に前記第２部材の少なくとも一部が配置された状態で、前記第２供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項１８に記載の露光装置。
20. 前記クリーニング装置は、クリーニング光を射出する射出部を有する請求項１〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
21. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
    前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射する射出部と、を備える露光装置。
22. 前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項２１に記載の露光装置。
23. 前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項２１又は２２に記載の露光装置。
24. 前記射出部は、前記第１面が対向可能な位置に配置される請求項２０〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
25. 前記射出部は、前記基板保持装置に対して移動可能な第２可動部材に配置される請求項２０〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。
26. 少なくとも前記射出部から前記クリーニング光が射出されるときに、前記第１保持部にダミー基板が保持され、
    前記射出部から射出された前記クリーニング光は、前記ダミー基板が有する反射面を介して照射される請求項２０〜２５のいずれか一項に記載の露光装置。
27. 前記ダミー基板と前記第１部材との間の間隙に前記第２部材の少なくとも一部が配置された状態で、前記射出部から前記クリーニング光を射出する請求項２０〜２６のいずれか一項に記載の露光装置。
28. 前記射出部は、前記基板の上面と前記第１面との間の間隙に通じる空間部に配置される請求項２０〜２７のいずれか一項に記載の露光装置。
29. 前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部は、前記基板の露光において前記基板と前記第１部材との間の間隙に配置される請求項２０〜２８のいずれか一項に記載の露光装置。
30. 前記第１部材の表面、及び前記間隙の下方に位置する部材の表面の少なくとも一部に接触するクリーニング部材を有する請求項１〜２８のいずれか一項に記載の露光装置。
31. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
    前記第１部材、前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部に接触するクリーニング部材と、を備える露光装置。
32. 前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項３１に記載の露光装置。
33. 前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項３１又は３２に記載の露光装置。
34. 前記クリーニング部材は、前記第１面が対向可能な位置に配置される請求項３１〜３３のいずれか一項に記載の露光装置。
35. 前記クリーニング部材は、前記基板保持装置に対して移動可能である請求項３１〜３３４のいずれか一項に記載の露光装置。
36. 前記クリーニング部材は、異物を吸引する吸引口を有する請求項３１〜３５のいずれか一項に記載の露光装置。
37. 前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部は、前記基板の露光において前記基板と前記第１部材との間の間隙に配置される請求項３１〜３６のいずれか一項に記載の露光装置。
38. 前記第１保持部の周囲に配置され、前記第１部材をリリース可能に保持する第２保持部を備える請求項１〜３７のいずれか一項に記載の露光装置。
39. 請求項１〜３８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
40. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、
    前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを含むクリーニング方法。
41. 前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項４０に記載のクリーニング方法。
42. 前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項４０又は４１に記載のクリーニング方法。
43. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
    前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板と前記第１面を有する第１部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第２部材と、
    前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、
    前記液浸部材と前記第２部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを含むクリーニング方法。
44. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
    前記基板と前記第１面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第２部材と、を備え、
    前記空間部にクリーニング液体を供給することを含むクリーニング方法。
45. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、
    前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを含むクリーニング方法。
46. 前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項４５に記載のクリーニング方法。
47. 前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項４５又は４６に記載のクリーニング方法。
48. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、
    前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを含むクリーニング方法。
49. 前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項４８に記載のクリーニング方法。
50. 前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項４８又は４９に記載のクリーニング方法。
51. 請求項４０〜５０のいずれか一項に記載のクリーニング方法でクリーニングされた露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
52. コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、
    前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを実行させるプログラム。
53. コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
    前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板と前記第１面を有する第１部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第２部材と、
    前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、
    前記液浸部材と前記第２部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを実行させるプログラム。
54. コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、
    前記基板と前記第１面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第２部材と、を備え、
    前記空間部にクリーニング液体を供給することを実行させるプログラム。
55. コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、
    前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを実行させるプログラム。
56. コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記基板の下面をリリース可能に保持する第１保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第１保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第１面を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、
    前記第１部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを実行させるプログラム。
57. 請求項５２〜５６のいずれか一項に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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