JP2013042092A - 薄膜処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ8の座ぐり部8aに基板7を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板7の上にSiC膜301を形成する(第1の工程)。反応室にエッチングガスを導入し、基板7が取り除かれたサセプタ8を回転させながら、サセプタ8の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ8の座ぐり部8aからその周縁部8bに至る段差部8cに形成された反応ガスに起因するSiC膜301を除去する(第2の工程)。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ8の上に形成された反応ガスに起因するSiC膜301を除去する(第3の工程)。第1の工程と第2の工程を繰り返した後に第3の工程を行う。
【選択図】図2
Description
反応室にエッチングガスを導入し、基板が取り除かれたサセプタを回転させながら、サセプタの上方からエッチングガスを流下させて、サセプタの座ぐり部からその周縁部に至る段差部に形成された反応ガスに起因する薄膜を除去する第2の工程と、
反応室にエッチングガスを導入し、サセプタの上に形成された反応ガスに起因する薄膜を除去する第3の工程とを有し、
第1の工程と第2の工程を繰り返した後に第3の工程を行うことを特徴とする薄膜処理方法に関する。
インヒータ9aの温度:1680℃
アウトヒータ9bの温度:1750℃
3SiC+8ClF3 → 3SiF4+3CF4+4Cl2 (1)
1a 内壁
2 ライナ
2a 胴部
2b 頭部
3 流路
4 反応ガス
5 供給口
6 排気口
7 基板
8 サセプタ
8a 座ぐり部
8b 周縁部
8c 段差部
9 ヒータ
9a インヒータ
9b アウトヒータ
10、13 フランジ
11、14 パッキン
12 配管
15 シャワープレート
15a 貫通孔
16 回転軸
17 回転筒
20 ブースバー
21 ヒータベース
22 連結部
23 電極棒
24a、24b 放射温度計
100 成膜装置
101 ベースプレート
102 ベルジャ
103 ベースプレートカバー
301 SiC膜
302 Si膜
Claims (5)
- 反応室に配置されたサセプタの座ぐり部に基板を載置し、前記反応室に反応ガスを導入して前記基板の上に所定の膜を形成する第1の工程と、
前記反応室にエッチングガスを導入し、前記基板が取り除かれた前記サセプタを回転させながら、前記サセプタの上方から前記エッチングガスを流下させて、前記サセプタの座ぐり部からその周縁部に至る段差部に形成された前記反応ガスに起因する薄膜を除去する第2の工程と、
前記反応室にエッチングガスを導入し、前記サセプタの上に形成された前記反応ガスに起因する薄膜を除去する第3の工程とを有し、
前記第1の工程と前記第2の工程を繰り返した後に前記第3の工程を行うことを特徴とする薄膜処理方法。 - 前記第1の工程と前記第2の工程を繰り返した後、前記周縁部に形成された前記薄膜の厚みが所定値以上となったところで前記第3の工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の薄膜処理方法。
- 前記反応室の外部に設けた放射温度計で前記サセプタの温度を測定し、前記周縁部と前記段差部の境界からの放射光の輝度温度が変化したところで前記第2の工程を終了することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜処理方法。
- 前記所定の膜はSiC膜であり、前記エッチングガスはClF3ガスを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜処理方法。
- 前記所定の膜はSi膜であり、前記エッチングガスはHClガスを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜処理方法。
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