JP2013041902A - 半導体製造装置及び半導体製造方法。 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013041902A JP2013041902A JP2011176460A JP2011176460A JP2013041902A JP 2013041902 A JP2013041902 A JP 2013041902A JP 2011176460 A JP2011176460 A JP 2011176460A JP 2011176460 A JP2011176460 A JP 2011176460A JP 2013041902 A JP2013041902 A JP 2013041902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- semiconductor substrate
- transfer
- manufacturing apparatus
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、傾斜した半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する転写部を配置し、転写部が配置された半導体基板の表面近傍を流れるように半導体基板の表面に溶液を供給する。
【選択図】 図1
Description
溶液にシリコンウエハを浸漬させて、シリコンウエハ全表面に凹部に形成する技術としては以下のような技術が開示されている。
傾いた基板の表面を均一に洗浄する技術としては以下のような技術が開示されている。
アクアナイフから傾斜角度がθに保たれた表面に洗浄液を供給する技術が開示されている。
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。
また、前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する。
また、前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する。
また、前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する。
また、前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する。
また、前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記半導体基板の表面近傍を流れた溶液を回収する回収手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。
また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。
また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。
また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。
また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。
<第1の実施例>
図1は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図1は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
100は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。
101は基板保持部である。転写処理中に基板保持部は同じ位置を保持する。
基板保持部101の部材としては、基板100との相性からシリコンにしてもよい。
これにより、転写処理により基板100が破損することを回避することができる。
配置位置制御部102は、転写部103を半導体基板毎に所定の時間(例えば転写処理時間)の間、所定の位置において停止配置することができる。
配置位置制御部102は、転写部の配置位置(基板との距離)を所定の距離に制御することができる(配置位置制御手段)。
転写部103は、半導体基板100の表面と対向する当該平面には白金である触媒201をさらに備えている。
104は転写部ユニットであり、転写部103と弾性部108と固定部110が一体となって、構成される。
回収槽107は傾斜した半導体基板100の表面を溶液404が流れる位置の下部(かつ低部)に設置されている。
108は弾性部であり、転写部ユニット104の一部である。
また弾性部108の部材としては転写処理の際に、基板100への押下圧力や基板100自体の反りを考慮するとゴムのような弾性体を使用するものとする。
110は固定部であり、転写部103を弾性部108に固定(接続)するためのものである。
111は供給制御部であり、転写処理回数(例えば半導体基板毎)単位で所定の量(例えば50cc単位)の溶液404を供給する。
供給制御部111は傾斜した半導体基板100の表面を溶液404が流れる位置の上部(かつ高部)に設置されている。
また、供給制御部111は傾斜した半導体基板100の表面の全面に、所定量の溶液を均等に分散させてから供給するものとする。
供給制御部111は、つまり溶液404を半導体基板100毎に所定量供給する。
図2を説明する。
図2は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法(処理ステップ)である。
ステップS103では、転写部103が、転写部103の形状を基板100の表面に転写する(転写工程)。
転写処理を終了する。
図3を説明する。
201の領域は転写部の領域であり、転写部の表面には触媒である白金がコーティングされている。
202の領域は、転写部に開いた穴であり、転写部の表面(半導体基板100の表面と対向することが可能な平面)と裏面を貫通している。
さらに穴同士の配置関係は、一定間隔に整列する必要はなく特に限定されるものではない。
なお、図3の転写部の表面にある円形の穴202の直径は20μm程度である。
なお、図3の転写部の表面にある触媒201の最短のスペースは2μm程度である。
図4を説明する。
301の領域は非転写部分の領域であり、202の穴(凹部)の領域(エッチングされない)に該当する領域である。
302の領域は転写部分の領域であり、201の触媒(凸部)の領域(エッチングされる)に該当する領域である。
図5を説明する。
図5は図1を拡大した図である。
図5は、配置位置制御部102が、溶液の触媒として作用する転写部103を半導体基板100の表面近傍に配置した場合を示す図である。
図6を説明する。
図6は図1を拡大した図である。
図5の場合と比べて配置位置制御部102が、転写部103を基板表面により近く配置した場合である。
<変形例>
尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素(SiC)、GaAs、InGaAsであってもよい。
103 転写部
201 触媒(凹部)
202 穴(凸部)
404 溶液(過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液)
Claims (13)
- 転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、
傾斜した前記半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する前記転写部を配置する配置手段と、
前記転写部が配置された前記半導体基板の表面近傍を流れるように、前記半導体基板の表面に前記溶液を供給する供給手段と、
を備えることを特徴する半導体製造装置。 - 前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する請求項1乃至請求項3に記載の半導体製造装置。
- 前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する請求項4に記載の半導体製造装置。
- 前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項5に記載の半導体製造装置。
- 前記半導体基板の表面近傍を流れた溶液を回収する回収手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項6に記載の半導体製造装置。
- 前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項1乃至請求項7に記載の半導体製造装置。
- 前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項8に記載の半導体製造装置。
- 前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項9に記載の半導体製造装置。
- 前記半導体は太陽電池であることを特徴とする請求項1乃至請求項10に記載の半導体製造装置。
- 前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項1乃至請求項11に記載の半導体製造装置。
- 転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、
傾斜した前記半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する前記転写部を配置する配置工程と、
前記転写部が配置された前記半導体基板の表面近傍を流れるように、前記半導体基板の表面に前記溶液を供給する供給工程と、
を含むことを特徴する半導体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176460A JP5836001B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176460A JP5836001B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041902A true JP2013041902A (ja) | 2013-02-28 |
JP5836001B2 JP5836001B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=47890061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011176460A Expired - Fee Related JP5836001B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5836001B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041899A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2016171251A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 立体構造形成装置及び対象物の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58164786A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Fujitsu Ltd | 電極の形成方法 |
JPS6180826A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 液体処理装置 |
JPH10112455A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Fujitsu Ltd | ウェット処理装置 |
JP2008026862A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング装置及び方法 |
WO2011099594A1 (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-18 | Kobayashi Hikaru | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、並びに転写用部材 |
WO2013024746A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | Kobayashi Hikaru | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、半導体装置の製造プログラム、半導体用処理剤、並びに転写用部材 |
JP2013041899A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2013041901A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2013041898A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2013041900A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
-
2011
- 2011-08-12 JP JP2011176460A patent/JP5836001B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58164786A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Fujitsu Ltd | 電極の形成方法 |
JPS6180826A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 液体処理装置 |
JPH10112455A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Fujitsu Ltd | ウェット処理装置 |
JP2008026862A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング装置及び方法 |
WO2011099594A1 (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-18 | Kobayashi Hikaru | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、並びに転写用部材 |
WO2013024746A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | Kobayashi Hikaru | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、半導体装置の製造プログラム、半導体用処理剤、並びに転写用部材 |
JP2013041899A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2013041901A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2013041898A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2013041900A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6010075707; Takashi Fukushima: 'Fabrication of Low Reflectivity Poly-Crystalline Si Surfaces by Structure Transfer Method' Electrochemical and Solid-State Letters Vol.14, No.2, 20101118, p. B13-B15 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041899A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2016171251A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 立体構造形成装置及び対象物の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5836001B2 (ja) | 2015-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5698684B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、並びに転写用部材 | |
JP6120172B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、半導体装置の製造プログラム、半導体用処理剤、並びに転写用部材 | |
US8257994B2 (en) | Method for manufacturing solar cell by forming a high concentration P-type impurity diffusion layer | |
TW201246320A (en) | Method for cleaning silicon substrate, and method for producing solar cell | |
US9502240B2 (en) | Preparation method of crystalline silicon film based on layer transfer | |
JPH0690014A (ja) | 薄型太陽電池及びその製造方法,エッチング方法及び自動エッチング装置,並びに半導体装置の製造方法 | |
CN105789042A (zh) | 一种硅微米线阵列的制备工艺 | |
JP5836001B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 | |
JP2014531757A (ja) | ナノ構造化領域に対する電気接点 | |
JP5878709B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 | |
US20140030873A1 (en) | Method for fabricating patterned silicon nanowire array and silicon microstructure | |
JP5878708B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 | |
JP2013041898A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 | |
CN103887367A (zh) | 一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法 | |
KR20120015512A (ko) | 실리콘 와이어 구조체의 제조방법 | |
JP5836000B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 | |
EP2551895B1 (en) | Method of manufacturing an electronic device having a plastic substrate | |
CN109411565A (zh) | 太阳能电池片及其制备方法、光伏组件 | |
KR101819825B1 (ko) | 플렉시블 전극 제조방법 | |
KR102476635B1 (ko) | 고효율 태양전지의 제조방법 | |
TWI555077B (zh) | A manufacturing method of a semiconductor device, a manufacturing apparatus for a semiconductor device, and a semiconductor device Body device, and transfer element | |
JP2014146712A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
JP5920421B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
CN102231412A (zh) | 太阳能电池的制作方法 | |
JP2013041864A (ja) | 太陽電池及び半導体装置の製造方法、並びに転写用型版 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130531 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130618 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140717 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140805 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140805 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140805 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5836001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |