JP2013040357A - Film forming device - Google Patents

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Hirokazu Okada
浩和 岡田
Shuichi Shimada
修一 島田
Takehiro Jakudo
健洋 雀堂
Hin Han
賓 範
Takayuki Kobayashi
貴行 小林
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Optorun Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that it is difficult to prevent the film quality of a formed film from being deteriorated when vacuum deposition is performed using an evaporation material in a state of a solution in an inline system.SOLUTION: A film forming device includes: an evaporation chamber 10; an auxiliary chamber 20 separated via a partition wall 40; an evaporation material supplying belt 30 provided movably from the evaporation chamber to the auxiliary chamber through the partition wall; an evaporation material solution supplying part (34) of supplying an evaporation material solution onto the evaporation material supplying belt in the auxiliary chamber; a heating part 33 of performing heating in such a manner that the evaporation material on the evaporation material supplying belt in the evaporation chamber is vaporized; and a holding-carrying part of a film forming object 1; wherein a solvent is evaporated and separated in a state where the evaporation material in the evaporation material solution supplied from the evaporation material solution supplying part is left on the evaporation material supplying belt in the auxiliary chamber, the evaporation material heated in the heating part is evaporated in the evaporation chamber and the obtained vapor of the evaporation material is jetted and deposited on the film forming object, and thus the film of the evaporation material is formed.

Description

本発明は成膜装置に関し、特に、インライン方式で真空蒸着を行う成膜装置に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus, and more particularly to a film forming apparatus that performs vacuum deposition by an in-line method.

真空蒸着は無機膜及び有機膜を形成する方法として広く用いられており、真空蒸着により、光学部品などの表面に防汚膜として機能する有機膜を形成する方法が知られている。
例えば、真空蒸着装置を構成するチャンバ中に設けられたヒーターで有機膜形成用蒸着材料を加熱して気化させ、成膜対象物の表面に蒸着材料の蒸気を噴出して蒸着材料を堆積させ、有機膜を形成する。 Vacuum deposition is widely used as a method of forming an inorganic film and an organic film, and a method of forming an organic film that functions as an antifouling film on the surface of an optical component or the like by vacuum deposition is known.
For example, the vapor deposition material for organic film formation is heated and vaporized by a heater provided in a chamber constituting the vacuum vapor deposition apparatus, vapor of the vapor deposition material is ejected on the surface of the film formation target, and the vapor deposition material is deposited. An organic film is formed.

有機膜を形成するための蒸着装置としては、種々の構成のものが知られている。
例えば、特許文献１には、固体あるいは粉体の有機膜形成用蒸着材料を用いて真空蒸着により有機膜を成膜する成膜装置が記載されている。 As a vapor deposition apparatus for forming an organic film, those having various configurations are known.
For example, Patent Document 1 describes a film forming apparatus that forms an organic film by vacuum deposition using a solid or powder organic film forming vapor deposition material.

一方、例えば特許文献２の図４及び対応する明細書の記載には、液状の防汚剤を含浸させた多孔性タブレットあるいは液状の防汚剤そのものをボートで加熱して蒸着する蒸着装置が開示されている。   On the other hand, for example, FIG. 4 of Patent Document 2 and the description of the corresponding specification disclose a vapor deposition apparatus for vapor deposition by heating a porous tablet impregnated with a liquid antifouling agent or the liquid antifouling agent itself with a boat. Has been.

また、特許文献３には、多孔性無機酸化物マトリックスにパーフルロロアルキル基を有するシラン化合物などのオルガノシラン化合物を含浸させてなる蒸着材料を用いて高真空下で真空蒸着することで撥水性コーティングを施す方法が開示されている。   Patent Document 3 discloses water repellency by vacuum deposition under high vacuum using a deposition material obtained by impregnating a porous inorganic oxide matrix with an organosilane compound such as a silane compound having a perfluoroalkyl group. A method of applying a coating is disclosed.

上記の真空蒸着で用いられる有機膜形成用蒸着材料は、蒸着材料の劣化防止と均一性の確保の目的で溶媒に溶解された溶液の状態で用いられる場合がある。
しかしながら、例えばインライン方式で真空蒸着を行う成膜装置において溶液の状態の有機膜形成用蒸着材料を用いて真空蒸着する場合、蒸着材料に溶媒が混入して成膜されやすく、形成される有機膜の耐久性及び耐摩擦性などの膜質が劣化してしまうという不利益がある。 The organic film-forming vapor deposition material used in the above vacuum vapor deposition may be used in the state of a solution dissolved in a solvent for the purpose of preventing deterioration of the vapor deposition material and ensuring uniformity.
However, for example, when a vacuum deposition is performed using a deposition material for forming an organic film in a solution state in a film deposition apparatus that performs vacuum deposition by an in-line method, an organic film that is formed easily because a solvent is mixed into the deposition material. There is a disadvantage that the film quality such as the durability and the friction resistance is deteriorated.

特開２００９−２６３７５１号公報JP 2009-263755 A 特開２００２−１５５３５３号公報JP 2002-155353 A 特開平９−１３７１２２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-137122

解決しようとする課題は、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、形成される膜の膜質の劣化を防止することが難しいことである。   The problem to be solved is that it is difficult to prevent deterioration of the quality of the formed film when vacuum deposition is performed using a deposition material in a solution state by an in-line method.

本発明の成膜装置は、蒸着チャンバと、隔壁で前記蒸着チャンバから隔てられて設けられた副チャンバと、隔壁を貫通して前記蒸着チャンバ内から前記副チャンバ内にわたって設けられ、前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動可能に設けられた蒸着材料供給ベルトと、蒸着材料を溶媒に溶解した蒸着材料溶液を前記副チャンバ中において前記蒸着材料供給ベルト上に供給する蒸着材料溶液供給部と、前記蒸着チャンバ内に設けられ、前記蒸着チャンバ内の所定の箇所の前記蒸着材料供給ベルト上の蒸着材料が気化するように加熱する加熱部と、前記蒸着チャンバ内に設けられ、成膜対象物を保持及び搬送する保持搬送部とを有し、前記副チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部から供給された前記蒸着材料溶液のうちの前記蒸着材料を前記蒸着材料供給ベルト上に残して前記溶媒を蒸発させて分離し、前記蒸着チャンバにおいて前記加熱部で加熱された前記蒸着材料を気化して得られた前記蒸着材料の蒸気を前記成膜対象物に噴出して堆積させ、前記蒸着材料の膜を形成する。   The film forming apparatus of the present invention is provided with a vapor deposition chamber, a sub chamber provided with a partition wall separated from the vapor deposition chamber, a partition wall penetrating from the vapor deposition chamber to the sub chamber, and from the sub chamber. A deposition material supply belt movably provided to the deposition chamber; a deposition material solution supply unit configured to supply a deposition material solution obtained by dissolving the deposition material in a solvent onto the deposition material supply belt in the sub chamber; and the deposition. A heating unit that is provided in the chamber and that heats the vapor deposition material on the vapor deposition material supply belt at a predetermined location in the vapor deposition chamber to vaporize; and a heating unit that is provided in the vapor deposition chamber and holds a film formation target. The vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. The vapor deposition material vapor obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is separated from the vapor deposition material supply belt by evaporating and separating the solvent. The film of the vapor deposition material is formed by jetting to deposit the film.

上記の本発明の成膜装置は、蒸着チャンバと、副チャンバと、蒸着材料供給ベルトと、蒸着材料溶液供給部と、加熱部と、保持搬送部とを有する。副チャンバは、隔壁で蒸着チャンバから隔てられて設けられている。蒸着材料供給ベルトは、隔壁を貫通して蒸着チャンバ内から副チャンバ内にわたって設けられ、副チャンバから蒸着チャンバへ移動可能に設けられている。蒸着材料溶液供給部は、蒸着材料を溶媒に溶解した蒸着材料溶液を副チャンバ中において蒸着材料供給ベルト上に供給する。加熱部は、蒸着チャンバ内に設けられ、蒸着チャンバ内の所定の箇所の蒸着材料供給ベルト上の蒸着材料が気化するように加熱する。保持搬送部は、蒸着チャンバ内に設けられ、成膜対象物を保持及び搬送する。
ここで、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離し、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成する。 The film forming apparatus according to the present invention includes a vapor deposition chamber, a sub chamber, a vapor deposition material supply belt, a vapor deposition material solution supply unit, a heating unit, and a holding and conveying unit. The sub chamber is provided separated from the deposition chamber by a partition wall. The vapor deposition material supply belt is provided from the vapor deposition chamber to the sub chamber through the partition wall, and is movably provided from the sub chamber to the vapor deposition chamber. The vapor deposition material solution supply unit supplies a vapor deposition material solution obtained by dissolving the vapor deposition material in a solvent onto the vapor deposition material supply belt in the sub chamber. The heating unit is provided in the vapor deposition chamber and heats the vapor deposition material on a vapor deposition material supply belt at a predetermined position in the vapor deposition chamber so that the vapor deposition material is vaporized. The holding and conveying unit is provided in the vapor deposition chamber and holds and conveys the film formation target.
Here, the vapor deposition material out of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate and separate the solvent, and the vapor deposition heated by the heating unit in the vapor deposition chamber The vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the material is jetted and deposited on the film formation target to form a film of the vapor deposition material.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記蒸着材料供給ベルトが環状の形状であり、前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動した後前記副チャンバに戻るように構成されている。   In the film forming apparatus of the present invention, preferably, the vapor deposition material supply belt has an annular shape, and is configured to return to the sub chamber after moving from the sub chamber to the vapor deposition chamber.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記副チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部から供給された前記蒸着材料溶液のうちの前記蒸着材料を前記蒸着材料供給ベルト上に残して前記溶媒を連続的に蒸発させて分離する。   In the film forming apparatus of the present invention described above, preferably, the vapor deposition material out of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber is left on the vapor deposition material supply belt, and the solvent. Are separated by continuous evaporation.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記蒸着材料溶液供給部が前記蒸着材料溶液を連続的に前記蒸着材料供給ベルト上に供給する。   In the film forming apparatus of the present invention, preferably, the vapor deposition material solution supply unit continuously supplies the vapor deposition material solution onto the vapor deposition material supply belt.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記保持搬送部がパスバイ方式で成膜工程中に前記成膜対象物を連続的に搬送する。   In the film forming apparatus according to the present invention, preferably, the holding and conveying unit continuously conveys the film formation target object during the film forming process in a pass-by manner.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記保持搬送部がステップバイステップ方式で成膜工程毎に前記成膜対象物の搬送及び静止保持を繰り返す。   In the film forming apparatus of the present invention, preferably, the holding and conveying unit repeats the conveyance and stationary holding of the film formation target for each film forming process in a step-by-step manner.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記蒸着材料供給ベルトを前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動させる蒸着材料供給ベルト駆動部を有し、前記蒸着材料供給ベルトを前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動させる。   The film forming apparatus of the present invention preferably includes a vapor deposition material supply belt driving unit that moves the vapor deposition material supply belt from the sub chamber to the vapor deposition chamber, and the vapor deposition material supply belt is moved from the sub chamber. Move to the deposition chamber.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記副チャンバ、前記蒸着材料供給ベルト、前記蒸着材料溶液供給部、及び前記加熱部がユニット化されている。   In the film forming apparatus of the present invention, preferably, the sub chamber, the vapor deposition material supply belt, the vapor deposition material solution supply unit, and the heating unit are unitized.

上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記副チャンバが隔壁で隔てられた複数個のチャンバから構成されている。さらに好適には、前記副チャンバが隔壁で隔てられた３個以上のチャンバから構成されている。   The film forming apparatus of the present invention preferably includes a plurality of chambers in which the sub chamber is separated by a partition wall. More preferably, the sub chamber comprises three or more chambers separated by a partition wall.

本発明の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   According to the film forming apparatus of the present invention, even when vacuum deposition is performed using a deposition material in a solution state in an in-line method, the deposition of the deposition material solution supplied from the deposition material solution supply unit in the sub chamber. After leaving the material on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separating it, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is ejected to the film formation target. By depositing and forming a film of an evaporation material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

図１は本発明の第１実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図２は本発明の第２実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図３は本発明の第３実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention. 図４は本発明の第４実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. 図５は本発明の第５実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. 図６は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. 図７は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. 図８は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. 図９は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. 図１０は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. 図１１は本発明の第７実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. 図１２は本発明の第７実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the seventh embodiment of the present invention. 図１３は本発明の第７実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. 図１４は本発明の第７実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 14 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. 図１５は本発明の第７実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. 図１６は本発明の第８実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 16 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

以下に、本発明の成膜装置並びにそれを用いた有機膜の形成方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of a film forming apparatus and an organic film forming method using the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

＜第１実施形態＞
［成膜装置の構成］
図１は本発明の第１実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
成膜装置は、例えば、蒸着チャンバ１０と、副チャンバ２０と、蒸着材料供給ベルト３０と、蒸着材料溶液供給部（不図示）と、加熱部３３と、保持搬送部（不図示）とを有する。 <First Embodiment>
[Configuration of deposition system]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.
The film forming apparatus includes, for example, a vapor deposition chamber 10, a sub chamber 20, a vapor deposition material supply belt 30, a vapor deposition material solution supply unit (not shown), a heating unit 33, and a holding conveyance unit (not shown). .

蒸着チャンバ１０は、排気管を介して真空ポンプ１１が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における蒸着チャンバ１０内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。 The vapor deposition chamber 10 is connected to a vacuum pump 11 through an exhaust pipe, and the inside can be depressurized to a predetermined pressure. The back pressure in the vapor deposition chamber 10 during film formation by vacuum vapor deposition is, for example, about 10 −2 to 10 −5 Pa.

副チャンバ２０は、隔壁４０で蒸着チャンバ１０から隔てられて設けられている。副チャンバ２０は、排気管を介して真空ポンプ２１が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における副チャンバ２０内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。副チャンバ２０の背圧は、蒸着チャンバ１０より低真空とすることができる。 The sub chamber 20 is provided by being separated from the vapor deposition chamber 10 by a partition wall 40. The sub chamber 20 is connected to a vacuum pump 21 through an exhaust pipe, and the inside can be depressurized to a predetermined pressure. The back pressure in the sub chamber 20 at the time of film formation by vacuum deposition is, for example, about 10 −2 to 10 −5 Pa. The back pressure of the sub chamber 20 can be lower than that of the deposition chamber 10.

蒸着材料供給ベルト３０は、隔壁４０を貫通して蒸着チャンバ１０内から副チャンバ２０内にわたって設けられ、蒸着チャンバ１０から副チャンバ２０へ移動可能に設けられている。
例えば、蒸着材料供給ベルト３０が環状の形状であり、蒸着チャンバ１０から副チャンバ２０へ移動した後蒸着チャンバ１０に戻るように構成されている。 The vapor deposition material supply belt 30 is provided from the vapor deposition chamber 10 to the sub chamber 20 through the partition 40, and is movably provided from the vapor deposition chamber 10 to the sub chamber 20.
For example, the vapor deposition material supply belt 30 has an annular shape, and is configured to return to the vapor deposition chamber 10 after moving from the vapor deposition chamber 10 to the sub chamber 20.

蒸着材料供給ベルト３０は、例えばステンレススチールなどの耐熱性及び耐蝕性を有する材料で形成されており、板状、ワイヤ、メッシュなどの構成とすることができる。
本実施形態においては、蒸着材料供給ベルトとしてベルト状の形状を示しているが、これに限らない。例えば複数個のテーブルなど、蒸着チャンバ１０から副チャンバ２０へ移動可能に設けられ、蒸着材料を蒸着チャンバ１０から副チャンバ２０へ搬送可能な構造であれば、本実施形態において蒸着材料供給ベルトに代えて採用できる。
蒸着材料供給ベルト３０の長さは、成膜装置の大きさなどに応じて調整することができ、例えば５００〜２０００ｍｍ程度の範囲の長さを有しており、例えば長さ１０００ｍｍである。
また、蒸着材料供給ベルト３０の幅についても成膜装置の大きさや成膜対象物の大きさなどに応じて調整することができ、例えば３０〜２００ｍｍ程度の範囲の幅を有している。 The vapor deposition material supply belt 30 is formed of a material having heat resistance and corrosion resistance, such as stainless steel, and can have a plate shape, a wire, a mesh, or the like.
In the present embodiment, a belt-like shape is shown as the vapor deposition material supply belt, but the present invention is not limited to this. For example, in this embodiment, a plurality of tables or the like can be used instead of the vapor deposition material supply belt as long as the vapor deposition material can be transferred from the vapor deposition chamber 10 to the sub chamber 20. Can be adopted.
The length of the vapor deposition material supply belt 30 can be adjusted according to the size of the film forming apparatus, and has a length in the range of about 500 to 2000 mm, for example, a length of 1000 mm.
Further, the width of the vapor deposition material supply belt 30 can also be adjusted according to the size of the film forming apparatus, the size of the film forming object, and the like, and has a width in the range of about 30 to 200 mm, for example.

例えば、蒸着材料供給ベルト３０を副チャンバ２０から蒸着チャンバ１０へ移動させる蒸着材料供給ベルト駆動部を有し、蒸着材料供給ベルト３０を副チャンバ２０から蒸着チャンバ１０へ移動させる。
本実施形態においては、蒸着材料供給ベルト駆動部は、副チャンバ２０内に設けられた第１回転駆動部３１と蒸着チャンバ１０内に設けられた第２回転駆動部３２から構成されている。第１回転駆動部３１と第２回転駆動部３２は、蒸着材料供給ベルト３０を移動させるように駆動する部材であり、それぞれ、例えば、シャフトとシャフトを回転させる部分とシャフトに接続された円筒形状部などからなる。
上記のように蒸着材料供給ベルト３０が環状の形状であり、第１回転駆動部３１と第２回転駆動部３２により蒸着材料供給ベルト３０が回転して副チャンバ２０から蒸着チャンバ１０へ移動し、その後副チャンバ２０に戻るように構成されている。
本実施形態においては、第１回転駆動部３１と第２回転駆動部３２が鉛直方向に離間して設けられ、蒸着材料供給ベルト３０が鉛直方向に移動する構成となっている。 For example, a vapor deposition material supply belt drive unit that moves the vapor deposition material supply belt 30 from the sub chamber 20 to the vapor deposition chamber 10 is provided, and the vapor deposition material supply belt 30 is moved from the sub chamber 20 to the vapor deposition chamber 10.
In the present embodiment, the vapor deposition material supply belt drive unit includes a first rotation drive unit 31 provided in the sub chamber 20 and a second rotation drive unit 32 provided in the vapor deposition chamber 10. The first rotation drive unit 31 and the second rotation drive unit 32 are members that drive the evaporation material supply belt 30 to move. For example, a shaft, a portion that rotates the shaft, and a cylindrical shape that is connected to the shaft, respectively. It consists of parts.
As described above, the deposition material supply belt 30 has an annular shape, and the deposition material supply belt 30 is rotated by the first rotation driving unit 31 and the second rotation driving unit 32 and moved from the sub chamber 20 to the deposition chamber 10. After that, it is configured to return to the sub chamber 20.
In the present embodiment, the first rotation drive unit 31 and the second rotation drive unit 32 are provided separately in the vertical direction, and the vapor deposition material supply belt 30 moves in the vertical direction.

隔壁４０は、蒸着材料供給ベルト３０により貫通されているが、副チャンバ２０と蒸着チャンバ１０間の圧力差を保持できるように、貫通部分において蒸着材料供給ベルト３０との間隙をできるだけ小さく保つことが好ましい。   The partition wall 40 is penetrated by the vapor deposition material supply belt 30, but the gap between the vapor deposition material supply belt 30 can be kept as small as possible in the penetrating portion so that the pressure difference between the sub chamber 20 and the vapor deposition chamber 10 can be maintained. preferable.

蒸着材料溶液供給部（不図示）は、供給管３４に接続されており、蒸着材料を溶媒に溶解した蒸着材料溶液を副チャンバ２０中において蒸着材料供給ベルト３０上に供給する。
本実施形態においては、第１回転駆動部３１に接する部分の蒸着材料供給ベルト３０上に蒸着材料溶液を供給する構成である。
例えば、蒸着材料溶液供給部は、ニードルバルブ、ディスペンサ、スクリューポンプなどの手段で構成でき、蒸着材料溶液を連続的に蒸着材料供給ベルト３０上に供給することができる。 The vapor deposition material solution supply unit (not shown) is connected to the supply pipe 34 and supplies a vapor deposition material solution obtained by dissolving the vapor deposition material in a solvent onto the vapor deposition material supply belt 30 in the sub chamber 20.
In the present embodiment, the vapor deposition material solution is supplied onto the vapor deposition material supply belt 30 at a portion in contact with the first rotation drive unit 31.
For example, the vapor deposition material solution supply unit can be configured by means such as a needle valve, a dispenser, and a screw pump, and the vapor deposition material solution can be continuously supplied onto the vapor deposition material supply belt 30.

加熱部３３は、蒸着チャンバ１０内に設けられ、蒸着チャンバ１０内の所定の箇所の蒸着材料供給ベルト３０上の蒸着材料が気化するように加熱する。
本実施形態においては抵抗加熱によるボックス型の加熱部３３を示しているが、これに限らず、電子ビーム照射などの種々の手段を採用でき、加熱する位置は適宜選択可能である。また、蒸着材料供給ベルト３０自体を加熱可能に構成することで、蒸着材料供給ベルト３０を直接加熱してもよい。
ボックス型の加熱部を用いる場合、本実施形態においては第２回転駆動部３２を覆うように加熱部３３を配置しているが、これに限らず、第２回転駆動部３２は加熱部３３の外部に配置されていてもよい。 The heating unit 33 is provided in the vapor deposition chamber 10 and heats the vapor deposition material on the vapor deposition material supply belt 30 at a predetermined location in the vapor deposition chamber 10 to vaporize.
In the present embodiment, the box-type heating unit 33 by resistance heating is shown, but not limited to this, various means such as electron beam irradiation can be adopted, and the heating position can be selected as appropriate. Further, the vapor deposition material supply belt 30 may be directly heated by configuring the vapor deposition material supply belt 30 so as to be heatable.
In the case where a box-type heating unit is used, in the present embodiment, the heating unit 33 is disposed so as to cover the second rotation driving unit 32. However, the present invention is not limited to this, and the second rotation driving unit 32 includes the heating unit 33. It may be arranged outside.

保持搬送部（不図示）は、蒸着チャンバ１０内に設けられ、成膜対象物１を保持及び搬送方向２へ搬送する。
いわゆる、インライン方式で成膜対象物を蒸着チャンバ１０内にパスバイあるいはステップバイステップなどの方式で連続的に搬送可能である。 The holding and conveying unit (not shown) is provided in the vapor deposition chamber 10 and conveys the film formation target 1 in the holding and conveying direction 2.
A so-called in-line method can deposit a film formation object continuously into the vapor deposition chamber 10 by a pass-by or step-by-step method.

例えば、保持搬送部がパスバイ方式で成膜工程中に成膜対象物１を搬送方向２へ連続的に搬送する。
あるいは、例えば、保持搬送部がステップバイステップ方式で成膜工程毎に成膜対象物１の搬送方向２への搬送及び静止保持を繰り返す。 For example, the holding conveyance unit continuously conveys the film formation target 1 in the conveyance direction 2 during the film formation process by the pass-by method.
Alternatively, for example, the holding conveyance unit repeats conveyance in the conveyance direction 2 and stationary holding of the film formation target 1 for each film formation process in a step-by-step manner.

本実施形態においては、成膜対象物１が加熱部３３の鉛直方向下部に配置されている構成である。   In the present embodiment, the film formation target 1 is arranged in the lower part of the heating unit 33 in the vertical direction.

本実施形態の成膜装置においては、例えば、副チャンバ２０において蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト３０上に残して溶媒を連続的に蒸発させて分離する。
上記のように蒸着材料溶液供給部により蒸着材料溶液を連続的に蒸着材料供給ベルト３０上に供給しても、副チャンバ２０に内で溶媒を連続的に蒸発させて分離し、蒸着材料溶液のうちの蒸着材料のみを蒸着材料供給ベルト３０上に残すことができる。 In the film forming apparatus according to the present embodiment, for example, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber 20 is left on the vapor deposition material supply belt 30 to continuously evaporate the solvent. To separate.
As described above, even if the vapor deposition material solution is continuously supplied onto the vapor deposition material supply belt 30 by the vapor deposition material solution supply unit, the solvent is continuously evaporated and separated in the sub chamber 20, and the vapor deposition material solution is separated. Only the vapor deposition material can be left on the vapor deposition material supply belt 30.

蒸着材料供給ベルト３０上に残された蒸着材料は、蒸着材料供給ベルト３０の移動により蒸着チャンバ１０に搬送される。
蒸着材料は加熱部３３で加熱されて気化される。気化して得られた蒸着材料の蒸気は、成膜対象物１に噴出されて成膜対象物１上に堆積し、蒸着材料の膜が形成される。
これは、いわゆるフラッシュコーティングによる成膜であり、蒸着材料が加熱部に達する度に蒸発して成膜対象物１に噴出され、蒸着材料の膜が形成される。 The vapor deposition material remaining on the vapor deposition material supply belt 30 is conveyed to the vapor deposition chamber 10 by the movement of the vapor deposition material supply belt 30.
The vapor deposition material is heated and vaporized by the heating unit 33. The vapor of the vapor deposition material obtained by vaporization is ejected to the film formation target 1 and deposited on the film formation target 1 to form a film of the vapor deposition material.
This is film formation by so-called flash coating. When the vapor deposition material reaches the heating unit, it evaporates and is ejected onto the film formation target 1 to form a film of the vapor deposition material.

蒸着材料供給ベルト３０の移動速度と蒸着材料溶液の供給速度を調整することで、副チャンバ２０にて溶媒を完全に分離して、蒸着材料供給ベルト３０上に蒸着材料のみを残すことができる。
蒸着材料供給ベルト３０の移動速度は、蒸着材料溶液の溶媒の種類や粘度、あるいは蒸着材料溶液の供給量などに応じて適宜調整可能であり、例えば０．２〜３．５ｍｍ／ｓ程度の範囲である。 By adjusting the moving speed of the vapor deposition material supply belt 30 and the supply speed of the vapor deposition material solution, it is possible to completely separate the solvent in the sub chamber 20 and leave only the vapor deposition material on the vapor deposition material supply belt 30.
The moving speed of the vapor deposition material supply belt 30 can be appropriately adjusted according to the type and viscosity of the solvent of the vapor deposition material solution, the supply amount of the vapor deposition material solution, and the like, for example, in the range of about 0.2 to 3.5 mm / s. It is.

また、蒸着チャンバ１０から副チャンバ２０へ戻る際の蒸着材料供給ベルト３０は、副チャンバでの蒸着材料の気化を避けるために水冷される構成とすることができる。
また、副チャンバ２０内の第１回転駆動部３１も水冷される構成とすることができる。 Further, the vapor deposition material supply belt 30 when returning from the vapor deposition chamber 10 to the sub chamber 20 can be configured to be water cooled in order to avoid vaporization of the vapor deposition material in the sub chamber.
Moreover, the 1st rotation drive part 31 in the subchamber 20 can also be set as the structure cooled with water.

［蒸着材料溶液を構成する蒸着材料］
蒸着材料は、目的とする防汚膜の特性に応じて適宜選択可能であり、例えば防汚膜を形成するための蒸着材料としては、フッ化炭素系化合物及びシリコーン樹脂などを用いることができ、例えば、パーフロロアルキルシラザンを好ましく用いることができる。
また、防汚膜以外の用途の蒸着材料を用いることも可能である。 [Vapor deposition material constituting vapor deposition material solution]
The vapor deposition material can be appropriately selected according to the characteristics of the target antifouling film. For example, as the vapor deposition material for forming the antifouling film, a fluorocarbon compound and a silicone resin can be used. For example, perfluoroalkylsilazane can be preferably used.
It is also possible to use a vapor deposition material other than the antifouling film.

また、特許文献３に開示されたオルガノシラン化合物を好ましく用いることができる。
例えば、下記式（１）で示されるパーフロロアルキル基を有するシラン化合物である。 Moreover, the organosilane compound disclosed in Patent Document 3 can be preferably used.
For example, it is a silane compound having a perfluoroalkyl group represented by the following formula (1).

（化１）
ＣｎＦ２ｎ＋１−（ＣＨ２）ｍ−Ｓｉ（Ｒ１Ｒ２Ｒ３） …（１） (Chemical formula 1)
C n F 2n + 1 - ( CH 2) m -Si (R 1 R 2 R 3) ... (1)

式（１）中、Ｒ１は１〜３個の炭素原子を有するアルコキシであるか、またはＣｎＦ２ｎ＋１−（ＣＨ２）ｍ−Ｓｉ（Ｒ２Ｒ３）−Ｏ−であり、Ｒ２，Ｒ３は１〜３個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、ｎは１〜１２であり、およびｍは１〜６である。 In formula (1), R 1 is alkoxy having 1 to 3 carbon atoms or C n F 2n + 1 — (CH 2 ) m —Si (R 2 R 3 ) —O—, and R 2 , R 3 is alkyl or alkoxy having 1 to 3 carbon atoms, n is 1 to 12, and m is 1 to 6.

式（１）の化合物として、例えば、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，７−ウンデカフルオロヘプチル）シラン；トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル）シラン；トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）シラン；ジエトキシメチル（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）シラン；ビス［エトキシメチル（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル）］シリルエーテルを用いることができる。   Examples of the compound of the formula (1) include triethoxy (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-undecafluoroheptyl) silane; triethoxy (3,3,4,4) , 5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl) silane; triethoxy (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8, 8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl) silane; diethoxymethyl (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9) , 10, 10, 10-heptadecafluorodecyl) silane; bis [ethoxymethyl (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl) Silyl ether can be used.

［蒸着材料溶液を構成する溶媒］
蒸着材料溶液を構成する溶媒としては、上記の蒸着材料を溶解するものであり、蒸着材料より少なくとも低温及び低真空のいずれかで蒸発する特性を有していれば特に制限はない。
例えば、パーフルオロ炭化水素などの蒸着材料より少なくとも低温及び低真空のいずれかで蒸発しやすい溶媒を好ましく用いることができる。 [Solvent constituting vapor deposition material solution]
The solvent constituting the vapor deposition material solution is not particularly limited as long as it dissolves the above vapor deposition material and has a property of evaporating at least at a low temperature and a low vacuum than the vapor deposition material.
For example, a solvent that easily evaporates at least at either a low temperature or a low vacuum than a vapor deposition material such as perfluorohydrocarbon can be preferably used.

例えば、蒸着材料溶液として、フッ化炭素系化合物２０％、溶媒としてパーフルオロヘキサン８０％を含有する「オプツールＤＳＸ（商品名、ダイキン工業株式会社製）」を好ましく用いることができる。
例えば、蒸着材料溶液の供給量を１０μｌ／ｓとし、副チャンバ２０の背圧を１×１０−１Ｐａとし、蒸着材料供給ベルト３０の移動速度を０．２〜３．５ｍｍ／ｓとすることで、副チャンバ２０においてパーフルオロヘキサンを完全に分離し、蒸着チャンバ１０においてフッ化炭素系化合物のみを蒸着させることができる。 For example, “OPTOOL DSX (trade name, manufactured by Daikin Industries, Ltd.)” containing 20% of a fluorocarbon compound and 80% of perfluorohexane as a solvent can be preferably used as the vapor deposition material solution.
For example, the supply amount of the vapor deposition material solution is 10 μl / s, the back pressure of the sub chamber 20 is 1 × 10 −1 Pa, and the moving speed of the vapor deposition material supply belt 30 is 0.2 to 3.5 mm / s. Thus, the perfluorohexane can be completely separated in the sub chamber 20 and only the fluorocarbon-based compound can be deposited in the deposition chamber 10.

［真空蒸着方法］
次に、本実施形態に係る有機膜形成用蒸着材料を用いた真空蒸着方法について説明する。
例えば、上述の本実施形態に係る真空蒸着装置を用いて行う。
まず、例えば、蒸着チャンバ１０及び副チャンバ２０を所定の圧力に真空引きする。
例えば、加熱部３３を所定の温度に加熱し、また、第１回転駆動部３１及び第２回転駆動部３２を回転駆動し、蒸着材料供給ベルト３０を蒸着チャンバ１０から副チャンバ２０へ移動させる。 [Vacuum deposition method]
Next, a vacuum deposition method using the organic film forming deposition material according to the present embodiment will be described.
For example, the vacuum evaporation apparatus according to the above-described embodiment is used.
First, for example, the vapor deposition chamber 10 and the sub chamber 20 are evacuated to a predetermined pressure.
For example, the heating unit 33 is heated to a predetermined temperature, and the first rotation driving unit 31 and the second rotation driving unit 32 are rotated to move the vapor deposition material supply belt 30 from the vapor deposition chamber 10 to the sub chamber 20.

例えば、保持搬送部（不図示）により、蒸着チャンバ１０内にインライン方式で成膜対象物を搬送する。   For example, the deposition target is transported into the vapor deposition chamber 10 by an inline method by a holding transport unit (not shown).

次に、例えば、蒸着材料溶液供給部（不図示）により、供給管３４から蒸着材料を溶媒に溶解した蒸着材料溶液を副チャンバ２０中において蒸着材料供給ベルト３０上に供給する。   Next, for example, a vapor deposition material solution obtained by dissolving the vapor deposition material in a solvent is supplied from the supply pipe 34 onto the vapor deposition material supply belt 30 in the sub chamber 20 by a vapor deposition material solution supply unit (not shown).

本実施形態においては、副チャンバ２０において蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト３０上に残して溶媒を連続的に蒸発させて分離する。
上記のように蒸着材料溶液供給部により蒸着材料溶液を連続的に蒸着材料供給ベルト３０上に供給しても、副チャンバ２０に内で溶媒を連続的に蒸発させて分離し、蒸着材料溶液のうちの蒸着材料のみを蒸着材料供給ベルト３０上に残すことができる。 In the present embodiment, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub-chamber 20 is left on the vapor deposition material supply belt 30, and the solvent is continuously evaporated and separated.
As described above, even if the vapor deposition material solution is continuously supplied onto the vapor deposition material supply belt 30 by the vapor deposition material solution supply unit, the solvent is continuously evaporated and separated in the sub chamber 20, and the vapor deposition material solution is separated. Only the vapor deposition material can be left on the vapor deposition material supply belt 30.

次に、蒸着材料供給ベルト３０上に残された蒸着材料は、蒸着材料供給ベルト３０の移動により蒸着チャンバ１０に搬送され、蒸着材料は加熱部３３で加熱されて気化される。
気化して得られた蒸着材料の蒸気は、成膜対象物１に噴出されて成膜対象物１上に堆積し、蒸着材料の膜が形成される。 Next, the vapor deposition material left on the vapor deposition material supply belt 30 is conveyed to the vapor deposition chamber 10 by the movement of the vapor deposition material supply belt 30, and the vapor deposition material is heated by the heating unit 33 and vaporized.
The vapor of the vapor deposition material obtained by vaporization is ejected to the film formation target 1 and deposited on the film formation target 1 to form a film of the vapor deposition material.

本実施形態の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。
例えば防汚膜を形成する場合、防汚膜の耐久性及び耐摩擦性などの高い膜質を実現できる。
これは、蒸着材料供給ベルトを採用することで、少なくとも圧力及び温度のいずれかの異なる２箇所以上の領域を設けることができ、これにより、蒸着材料溶液から溶媒を連続的に分離することが可能となったものである。 According to the film forming apparatus of the present embodiment, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state in an in-line method, of the vapor deposition material solutions supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. After the vapor deposition material is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separated, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is jetted onto the film formation target. By depositing and forming a film of a vapor deposition material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.
For example, when an antifouling film is formed, high film quality such as durability and friction resistance of the antifouling film can be realized.
By adopting a vapor deposition material supply belt, it is possible to provide at least two regions with different pressures and temperatures, thereby continuously separating the solvent from the vapor deposition material solution. It has become.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法において、蒸着材料の効率的な蒸発のためには、蒸着材料供給ベルト表面上の蒸着材料を均一にならすことが効果的である。
例えば、副チャンバにおける蒸着材料溶液からの溶媒分離後から蒸着チャンバにおける蒸着材料の蒸発までの間に、蒸着材料供給ベルトの表面にオリフィスを設けることで蒸着材料を均一にならすことができる。例えば蒸着材料供給ベルトの幅が３０ｍｍである時、上記のオリフィスの寸法としては、例えば蒸着材料ベルトとの隙間を０．２ｍｍ、幅を２８ｍｍとする。 In the film forming apparatus and film forming method of the present embodiment, it is effective to make the vapor deposition material uniform on the surface of the vapor deposition material supply belt in order to efficiently evaporate the vapor deposition material.
For example, the vapor deposition material can be made uniform by providing an orifice on the surface of the vapor deposition material supply belt between the time after the solvent separation from the vapor deposition material solution in the sub chamber and the evaporation of the vapor deposition material in the vapor deposition chamber. For example, when the width of the vapor deposition material supply belt is 30 mm, the dimensions of the orifice are, for example, a gap with the vapor deposition material belt of 0.2 mm and a width of 28 mm.

また、本実施形態の成膜装置及び成膜方法において、成膜装置を長期間使用すると、蒸発しきれなかった蒸着材料が蒸着材料供給ベルト上や各オリフィスに堆積し、正常な動作を阻害したり、膜質に悪影響を及ぼすことがある。
例えば、蒸着材料供給ベルトの表面に接触しているまたは適切な隙間を維持した部品（スクレイパー）を取り付けることで、上記の不要となった蒸着材料を除去できる。
スクレイパーの設置位置は、蒸発チャンバから蒸着材料を供給する供給管までの間である。具体的には、例えば蒸着材料供給ベルト表面に接触する板を蒸発チャンバの内部に設置することで、上記の不要となった蒸着材料を適切に除去できる。 Further, in the film forming apparatus and film forming method of the present embodiment, when the film forming apparatus is used for a long period of time, the vapor deposition material that could not be evaporated is deposited on the vapor deposition material supply belt and each orifice, and the normal operation is hindered. Or adversely affect film quality.
For example, the unnecessary vapor deposition material can be removed by attaching a component (scraper) that is in contact with the surface of the vapor deposition material supply belt or maintains an appropriate gap.
The installation position of the scraper is between the evaporation chamber and the supply pipe for supplying the vapor deposition material. Specifically, for example, by installing a plate in contact with the surface of the vapor deposition material supply belt inside the evaporation chamber, the above unnecessary vapor deposition material can be appropriately removed.

＜変形例＞
上記の本実施形態の成膜装置は、副チャンバ、蒸着材料供給ベルト、蒸着材料溶液供給部、及び加熱部がユニット化されていることが好ましい。
ユニット化された構成とすることで、成膜装置への装着、整備あるいは交換などの処理が容易になる。 <Modification>
In the film forming apparatus of the present embodiment, the sub chamber, the vapor deposition material supply belt, the vapor deposition material solution supply unit, and the heating unit are preferably unitized.
By adopting a unitized configuration, it is easy to mount, maintain or replace the film forming apparatus.

＜第２実施形態＞
図２は本発明の第２実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態においては、第１実施形態と同様に、成膜対象物１が加熱部３３の鉛直方向下部に配置されている。
また、本実施形態においては、第１回転駆動部３１と第２回転駆動部３２が水平方向に離間して設けられ、蒸着材料供給ベルト３０が水平方向に移動する構成となっている。
また、第１回転駆動部３１を過ぎた部分の蒸着材料供給ベルト３０上に蒸着材料溶液を供給する構成である。
上記を除いて、第１実施形態と同様の構成である。 Second Embodiment
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention.
In the present embodiment, as in the first embodiment, the film formation target 1 is arranged at the lower part in the vertical direction of the heating unit 33.
Moreover, in this embodiment, the 1st rotation drive part 31 and the 2nd rotation drive part 32 are spaced apart and provided in the horizontal direction, and the vapor deposition material supply belt 30 moves in the horizontal direction.
In addition, the vapor deposition material solution is supplied onto the vapor deposition material supply belt 30 in the portion past the first rotation drive unit 31.
Except for the above, the configuration is the same as that of the first embodiment.

本実施形態の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   According to the film forming apparatus of the present embodiment, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state in an in-line method, of the vapor deposition material solutions supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. After the vapor deposition material is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separated, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is jetted onto the film formation target. By depositing and forming a film of a vapor deposition material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第３実施形態＞
図３は本発明の第３実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態においては、第１実施形態と異なり、成膜対象物１が加熱部３３の鉛直方向上部に配置されている。
また、本実施形態においては、第１回転駆動部３１と第２回転駆動部３２が鉛直方向に離間して設けられ、蒸着材料供給ベルト３０が鉛直方向に移動する構成となっている。
また、第１回転駆動部３１を過ぎた部分の蒸着材料供給ベルト３０上に蒸着材料溶液を供給する構成である。
上記を除いて、第１実施形態と同様の構成である。 <Third Embodiment>
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention.
In the present embodiment, unlike the first embodiment, the film formation target 1 is arranged on the upper part of the heating unit 33 in the vertical direction.
Moreover, in this embodiment, the 1st rotation drive part 31 and the 2nd rotation drive part 32 are spaced apart and provided in the perpendicular direction, and the vapor deposition material supply belt 30 moves to the perpendicular direction.
In addition, the vapor deposition material solution is supplied onto the vapor deposition material supply belt 30 in the portion past the first rotation drive unit 31.
Except for the above, the configuration is the same as that of the first embodiment.

本実施形態の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   According to the film forming apparatus of the present embodiment, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state in an in-line method, of the vapor deposition material solutions supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. After the vapor deposition material is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separated, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is jetted onto the film formation target. By depositing and forming a film of a vapor deposition material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第４実施形態＞
図４は本発明の第４実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態においては、第３実施形態と同様に、成膜対象物１が加熱部３３の鉛直方向上部に配置されている。
また、本実施形態においては、第１回転駆動部３１と第２回転駆動部３２が水平方向に離間して設けられ、蒸着材料供給ベルト３０が水平方向に移動する構成となっている。
また、第１回転駆動部３１を過ぎた部分の蒸着材料供給ベルト３０上に蒸着材料溶液を供給する構成である。
上記を除いて、第１実施形態と同様の構成である。 <Fourth embodiment>
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
In the present embodiment, as in the third embodiment, the film formation target 1 is arranged on the upper part in the vertical direction of the heating unit 33.
Moreover, in this embodiment, the 1st rotation drive part 31 and the 2nd rotation drive part 32 are spaced apart and provided in the horizontal direction, and the vapor deposition material supply belt 30 moves in the horizontal direction.
In addition, the vapor deposition material solution is supplied onto the vapor deposition material supply belt 30 in the portion past the first rotation drive unit 31.
Except for the above, the configuration is the same as that of the first embodiment.

本実施形態の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   According to the film forming apparatus of the present embodiment, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state in an in-line method, of the vapor deposition material solutions supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. After the vapor deposition material is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separated, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is jetted onto the film formation target. By depositing and forming a film of a vapor deposition material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第５実施形態＞
図５は本発明の第５実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態においては、第１実施形態と異なり、成膜対象物１が加熱部３３に対して水平横方向に配置されている。
また、成膜対象物１は、図面上手前側から奥側（または奥側から手前側）に搬送される構成である。
また、本実施形態においては、第１回転駆動部３１と第２回転駆動部３２が水平方向に離間して設けられ、蒸着材料供給ベルト３０が水平方向に移動する構成となっている。
また、第１回転駆動部３１を過ぎた部分の蒸着材料供給ベルト３０上に蒸着材料溶液を供給する構成である。 <Fifth Embodiment>
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
In the present embodiment, unlike the first embodiment, the film formation target 1 is arranged in a horizontal lateral direction with respect to the heating unit 33.
In addition, the film formation target 1 is transported from the front side in the drawing to the back side (or from the back side to the front side).
Moreover, in this embodiment, the 1st rotation drive part 31 and the 2nd rotation drive part 32 are spaced apart and provided in the horizontal direction, and the vapor deposition material supply belt 30 moves in the horizontal direction.
In addition, the vapor deposition material solution is supplied onto the vapor deposition material supply belt 30 in the portion past the first rotation drive unit 31.

また、本実施形態においては、加熱部としてディストリビュータ（分配器）３３Ｓが用いられている。ディストリビュータ３３Ｓには複数個所の開口部が設けられており、ディストリビュータ３３Ｓで加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に複数個所の開口部から噴出して、成膜対象物上に広範囲に蒸着材料の膜を形成することができる。
上記を除いて、第１実施形態と同様の構成である。 In the present embodiment, a distributor 33S is used as the heating unit. The distributor 33S is provided with a plurality of openings, and the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the distributor 33S is ejected from the openings at the plurality of positions to the film formation target. A film of a vapor deposition material can be formed over a wide range on the film formation target.
Except for the above, the configuration is the same as that of the first embodiment.

本実施形態の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   According to the film forming apparatus of the present embodiment, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state in an in-line method, of the vapor deposition material solutions supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. After the vapor deposition material is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separated, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is jetted onto the film formation target. By depositing and forming a film of a vapor deposition material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

本実施形態においては、加熱部としてディストリビュータ（分配器）３３Ｓを用いているが、第１〜第４実施形態と同様の加熱部を用いてもよい。
また、第１〜第４実施形態の成膜装置の加熱部として、本実施形態に記載のディストリビュータ（分配器）を用いてもよい。 In the present embodiment, the distributor (distributor) 33S is used as the heating unit, but the same heating unit as in the first to fourth embodiments may be used.
Moreover, you may use the distributor (distributor) as described in this embodiment as a heating part of the film-forming apparatus of 1st-4th embodiment.

＜第６実施形態＞
図６〜図１０は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
図６〜図１０の各成膜装置は、それぞれ第１〜第５実施形態の成膜装置に対応し、副チャンバが隔壁で隔てられた複数個のチャンバから構成されていることが異なる。即ち、本実施形態においては、隔壁で隔てられた第１副チャンバ２０Ｓと第２副チャンバ２２を有している。
第１副チャンバ２０Ｓは、第１〜第５実施形態の副チャンバ２０と同様の構成である。
第２副チャンバ２２は、排気管を介して真空ポンプ２３が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における第２副チャンバ２２内の背圧は、例えば大気圧〜蒸着チャンバ２０の背圧の間である。
第１副チャンバ２０Ｓと第２副チャンバ２２が第１隔壁４１で隔てられ、第２副チャンバ２２と蒸着チャンバ１０が第２隔壁４２で隔てられている。
例えば、第１副チャンバ２０Ｓ、第２副チャンバ２２、蒸着チャンバ１０の順に真空度が高くなる構成とすることができる。
上記を除いて、第１実施形態と同様の構成である。 <Sixth Embodiment>
6 to 10 are schematic configuration diagrams of a film forming apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
Each of the film forming apparatuses of FIGS. 6 to 10 corresponds to the film forming apparatuses of the first to fifth embodiments, and is different in that the sub chamber is composed of a plurality of chambers separated by a partition wall. That is, in the present embodiment, the first sub chamber 20S and the second sub chamber 22 are separated by the partition wall.
The first sub chamber 20S has the same configuration as the sub chamber 20 of the first to fifth embodiments.
The second sub chamber 22 is connected to a vacuum pump 23 via an exhaust pipe, and the inside can be reduced to a predetermined pressure. The back pressure in the second sub chamber 22 at the time of film formation by vacuum vapor deposition is, for example, between atmospheric pressure and the back pressure of the vapor deposition chamber 20.
The first sub chamber 20S and the second sub chamber 22 are separated by a first partition 41, and the second sub chamber 22 and the deposition chamber 10 are separated by a second partition 42.
For example, the first subchamber 20S, the second subchamber 22, and the vapor deposition chamber 10 can be configured to increase the degree of vacuum in this order.
Except for the above, the configuration is the same as that of the first embodiment.

第１隔壁４１と第２隔壁４２は、蒸着材料供給ベルト３０により貫通されているが、第１副チャンバ２０Ｓ、第２副チャンバ２２及び蒸着チャンバ１０間の圧力差を保持できるように、貫通部分において蒸着材料供給ベルト３０との間隙をできるだけ小さく保つことが好ましい。   The first partition wall 41 and the second partition wall 42 are penetrated by the deposition material supply belt 30, but the penetration portion is provided so that the pressure difference among the first sub chamber 20 </ b> S, the second sub chamber 22, and the deposition chamber 10 can be maintained. It is preferable to keep the gap with the vapor deposition material supply belt 30 as small as possible.

本実施形態の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。
これは、蒸着材料供給ベルトを採用することで、少なくとも圧力及び温度のいずれかの異なる３箇所以上の領域を設けることができ、これにより、蒸着材料溶液から溶媒を連続的に分離することが可能となったものである。 According to the film forming apparatus of the present embodiment, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state in an in-line method, of the vapor deposition material solutions supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. After the vapor deposition material is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separated, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is jetted onto the film formation target. By depositing and forming a film of a vapor deposition material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.
By adopting a vapor deposition material supply belt, it is possible to provide at least three regions with different pressures and temperatures, thereby continuously separating the solvent from the vapor deposition material solution. It has become.

＜第７実施形態＞
図１１〜図１５は本発明の第７実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
図１１〜図１５の各成膜装置は、それぞれ第１〜第５実施形態の成膜装置に対応し、副チャンバが隔壁で隔てられた３個以上のチャンバから構成されていることが異なる。即ち、本実施形態においては、隔壁で隔てられた第１副チャンバ２０Ｓ、第２副チャンバ２２及び第３副チャンバ２４を有している。本実施形態では副チャンバが３個のチャンバから構成されているが、３個以上のチャンバから構成されていてもよい。
第１副チャンバ２０Ｓは、第１〜第５実施形態の副チャンバ２０と同様の構成である。
第２副チャンバ２４は、排気管を介して真空ポンプ２５が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における第２副チャンバ２４内の背圧は、例えば大気圧〜蒸着チャンバ２０の背圧の間である。
第３副チャンバ２６は、排気管を介して真空ポンプ２７が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における第３副チャンバ２６内の背圧は、例えば大気圧〜蒸着チャンバ２０の背圧の間である。
第１副チャンバ２０Ｓと第２副チャンバ２４が第１隔壁４３で隔てられ、第２副チャンバ２４と第３副チャンバ２６が第２隔壁４４で隔てられ、第３副チャンバ２６と蒸着チャンバ１０が第３隔壁４５で隔てられている。
例えば、第１副チャンバ２０Ｓ、第２副チャンバ２４、第３副チャンバ２６、蒸着チャンバ１０の順に真空度が高くなる構成とすることができる。
上記を除いて、第１実施形態と同様の構成である。 <Seventh embodiment>
FIGS. 11-15 is a schematic block diagram of the film-forming apparatus based on 7th Embodiment of this invention.
Each of the film forming apparatuses of FIGS. 11 to 15 corresponds to the film forming apparatuses of the first to fifth embodiments, and is different in that the sub chamber includes three or more chambers separated by a partition wall. In other words, in the present embodiment, the first sub chamber 20S, the second sub chamber 22, and the third sub chamber 24 are separated by a partition wall. In this embodiment, the sub chamber is composed of three chambers, but may be composed of three or more chambers.
The first sub chamber 20S has the same configuration as the sub chamber 20 of the first to fifth embodiments.
A vacuum pump 25 is connected to the second sub chamber 24 via an exhaust pipe, and the inside can be reduced to a predetermined pressure. The back pressure in the second sub chamber 24 at the time of film formation by vacuum vapor deposition is, for example, between atmospheric pressure and the back pressure of the vapor deposition chamber 20.
A vacuum pump 27 is connected to the third sub chamber 26 via an exhaust pipe, and the inside can be reduced to a predetermined pressure. The back pressure in the third sub chamber 26 at the time of film formation by vacuum vapor deposition is, for example, between atmospheric pressure and the back pressure of the vapor deposition chamber 20.
The first sub chamber 20S and the second sub chamber 24 are separated by a first partition wall 43, the second sub chamber 24 and the third sub chamber 26 are separated by a second partition wall 44, and the third sub chamber 26 and the deposition chamber 10 are separated. They are separated by a third partition wall 45.
For example, the first subchamber 20S, the second subchamber 24, the third subchamber 26, and the vapor deposition chamber 10 may be configured to increase the degree of vacuum in this order.
Except for the above, the configuration is the same as that of the first embodiment.

第１隔壁４３、第２隔壁４４及び第３隔壁３５は、蒸着材料供給ベルト３０により貫通されているが、第１副チャンバ２０Ｓ、第２副チャンバ２４、第３副チャンバ２６及び蒸着チャンバ１０間の圧力差を保持できるように、貫通部分において蒸着材料供給ベルト３０との間隙をできるだけ小さく保つことが好ましい。   The first partition 43, the second partition 44, and the third partition 35 are penetrated by the deposition material supply belt 30, but between the first sub chamber 20 </ b> S, the second sub chamber 24, the third sub chamber 26, and the deposition chamber 10. It is preferable to keep the gap with the vapor deposition material supply belt 30 as small as possible in the penetrating portion so that the pressure difference can be maintained.

本実施形態の成膜装置によれば、インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離した後、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。
これは、蒸着材料供給ベルトを採用することで、少なくとも圧力及び温度のいずれかの異なる４箇所以上の領域を設けることができ、これにより、蒸着材料溶液から溶媒を連続的に分離することが可能となったものである。
さらに、必要に応じてさらに副チャンバを構成するチャンバの数を増加させることも可能である。 According to the film forming apparatus of the present embodiment, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state in an in-line method, of the vapor deposition material solutions supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber. After the vapor deposition material is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate the solvent and separated, the vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber is jetted onto the film formation target. By depositing and forming a film of a vapor deposition material, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.
This is because it is possible to provide at least four regions with different pressure and temperature by using a vapor deposition material supply belt, which enables continuous separation of the solvent from the vapor deposition material solution. It has become.
Furthermore, it is possible to increase the number of chambers constituting the sub chamber as required.

上記の第６実施形態及び第７実施形態においては、副チャンバは複数個のチャンバで構成されている。
上記の構成では、第１副チャンバの背圧を高く設定して第１副チャンバでの溶媒分離は行わず、第２副チャンバ以降において徐々に溶媒分離を行う構成としてもよい。
また、真空蒸着材料の供給速度と複数個の副チャンバの配置及び背圧設定により、蒸着チャンバに至るまでの副チャンバ内で所要の圧力勾配ができるようにすることができる。
材料を副チャンバ内へ導入する際、副チャンバの背圧が適切に設定されていないと溶媒が一気に蒸発してしまい、蒸着材料ごと飛散させてしまうことがあるが、上記のように圧力勾配を設けたり、第１副チャンバでの溶媒分離は行わず、第２副チャンバ以降において徐々に溶媒分離を行う構成とすることで、これを抑制することができる。
例えば、第１副チャンバにＡｒなどのガスを導入し、材料供給口とあわせて設計することで適切な圧力勾配を得ることができる。
さらに、カバー、メッシュ、ワイヤなどを使用して、蒸着材料の飛散を防ぐことも可能である。 In the sixth embodiment and the seventh embodiment, the sub chamber is composed of a plurality of chambers.
In the above configuration, the back pressure of the first sub chamber may be set high so that the solvent separation in the first sub chamber is not performed, and the solvent separation is gradually performed after the second sub chamber.
Moreover, a required pressure gradient can be formed in the sub chamber up to the vapor deposition chamber by the supply speed of the vacuum vapor deposition material, the arrangement of the plurality of sub chambers, and the setting of the back pressure.
When the material is introduced into the sub-chamber, if the back pressure in the sub-chamber is not set appropriately, the solvent may evaporate all at once and the vapor deposition material may be scattered. This can be suppressed by providing or gradually separating the solvent after the second sub chamber without performing the solvent separation in the first sub chamber.
For example, an appropriate pressure gradient can be obtained by introducing a gas such as Ar into the first sub chamber and designing it together with the material supply port.
Furthermore, it is possible to prevent the vapor deposition material from being scattered by using a cover, a mesh, a wire, or the like.

＜第８実施形態＞
図１６は本発明の第８実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
蒸着材料の蒸気噴出部が複数個並列に並べて構成されている。
即ち、１つの蒸着チャンバ１０に対して、隔壁４０Ａで隔てられ、排気管を介して真空ポンプ２１Ａが接続された副チャンバ２０Ａ、蒸着材料供給ベルト３０Ａ、蒸着材料溶液供給部に接続された供給管３４Ａ、及び加熱部３３Ａからなる第１ユニットＡと、隔壁４０Ｂで隔てられ、排気管を介して真空ポンプ２１Ｂが接続された副チャンバ２０Ｂ、蒸着材料供給ベルト３０Ｂ、蒸着材料溶液供給部に接続された供給管３４Ｂ、及び加熱部３３Ｂからなる第２ユニットＢと、隔壁４０Ｃで隔てられ、排気管を介して真空ポンプ２１Ｃが接続された副チャンバ２０Ｃ、蒸着材料供給ベルト３０Ｃ、蒸着材料溶液供給部に接続された供給管３４Ｃ、及び加熱部３３Ｃからなる第３ユニットＣが並列に並べて構成されている。 <Eighth Embodiment>
FIG. 16 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.
A plurality of vapor ejection portions of the vapor deposition material are arranged in parallel.
That is, a single vapor deposition chamber 10 is separated by a partition wall 40A and is connected to a sub chamber 20A to which a vacuum pump 21A is connected via an exhaust pipe, a vapor deposition material supply belt 30A, and a supply pipe connected to a vapor deposition material solution supply unit. 34A and the first unit A composed of the heating unit 33A and the sub chamber 20B separated by the partition wall 40B and connected to the vacuum pump 21B through the exhaust pipe, the vapor deposition material supply belt 30B, and the vapor deposition material solution supply unit. The sub-chamber 20C, the vapor deposition material supply belt 30C, the vapor deposition material solution supply section, which are separated from the second unit B including the supply pipe 34B and the heating unit 33B by the partition wall 40C and to which the vacuum pump 21C is connected via the exhaust pipe. The third unit C including the supply pipe 34C and the heating unit 33C connected to each other is arranged in parallel.

蒸着材料の蒸気噴出部が複数個並列に並べて構成することで、幅の広い蒸着対象物に対しても蒸着可能である。   Vapor deposition can be performed on a wide deposition object by arranging a plurality of vapor ejection portions of the vapor deposition material in parallel.

本実施形態においても、各副チャンバは隔壁で隔てられた複数個のチャンバから構成されていてもよい。さらに、各副チャンバは隔壁で隔てられた３個以上のチャンバから構成されていてもよい。
また、加熱部として、第５実施形態に記載のディストリビュータ（分配器）を用いてもよい。 Also in this embodiment, each sub chamber may be composed of a plurality of chambers separated by a partition wall. Furthermore, each sub chamber may be composed of three or more chambers separated by a partition wall.
Moreover, you may use the distributor (distributor) as described in 5th Embodiment as a heating part.

本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、蒸着材料としては、防汚膜のほか、防汚膜以外の用途の蒸着材料を用いることも可能である。蒸着材料が溶媒に溶解あるいは分散されて保存される場合に、溶媒あるいは分散媒を除去してから蒸着させることが可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。 The present invention is not limited to the above description.
For example, as the vapor deposition material, it is possible to use a vapor deposition material for applications other than the antifouling film, other than the antifouling film. When the vapor deposition material is stored after being dissolved or dispersed in a solvent, the vapor deposition can be performed after removing the solvent or the dispersion medium.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１…成膜対象物
２…搬送方向
１０…蒸着チャンバ
１１…真空ポンプ
２０…副チャンバ
２０Ｓ…第１副チャンバ
２１…真空ポンプ
２２…第２副チャンバ
２３…真空ポンプ
２４…第２副チャンバ
２５…真空ポンプ
２６…第３副チャンバ
２７…真空ポンプ
３０…蒸着材料供給ベルト
３１…第１回転駆動部
３２…第２回転駆動部
３３…加熱部
３３Ｓ…ディストリビュータ（分配器）
３４…供給管
４０…隔壁
４１…第１隔壁
４２…第２隔壁
４３…第１隔壁
４４…第２隔壁
４５…第３隔壁
２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ…副チャンバ
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ…真空ポンプ
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ…蒸着材料供給ベルト
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ…加熱部
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ…供給管
４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ…隔壁
Ａ…第１ユニット
Ｂ…第２ユニット
Ｃ…第３ユニット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming target 2 ... Conveyance direction 10 ... Deposition chamber 11 ... Vacuum pump 20 ... Sub chamber 20S ... 1st sub chamber 21 ... Vacuum pump 22 ... 2nd sub chamber 23 ... Vacuum pump 24 ... 2nd sub chamber 25 ... Vacuum pump 26 ... Third sub chamber 27 ... Vacuum pump 30 ... Vapor deposition material supply belt 31 ... First rotation drive unit 32 ... Second rotation drive unit 33 ... Heating unit 33S ... Distributor (distributor)
34 ... Supply pipe 40 ... Partition 41 ... First partition 42 ... Second partition 43 ... First partition 44 ... Second partition 45 ... Third partition 20A, 20B, 20C ... Subchambers 21A, 21B, 21C ... Vacuum pump 30A, 30B, 30C ... Vapor deposition material supply belt 33A, 33B, 33C ... Heating section 34A, 34B, 34C ... Supply pipe 40A, 40B, 40C ... Partition A ... First unit B ... Second unit C ... Third unit

Claims (10)

蒸着チャンバと、
隔壁で前記蒸着チャンバから隔てられて設けられた副チャンバと、
隔壁を貫通して前記蒸着チャンバ内から前記副チャンバ内にわたって設けられ、前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動可能に設けられた蒸着材料供給ベルトと、
蒸着材料を溶媒に溶解した蒸着材料溶液を前記副チャンバ中において前記蒸着材料供給ベルト上に供給する蒸着材料溶液供給部と、
前記蒸着チャンバ内に設けられ、前記蒸着チャンバ内の所定の箇所の前記蒸着材料供給ベルト上の蒸着材料が気化するように加熱する加熱部と、
前記蒸着チャンバ内に設けられ、成膜対象物を保持及び搬送する保持搬送部と
を有し、
前記副チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部から供給された前記蒸着材料溶液のうちの前記蒸着材料を前記蒸着材料供給ベルト上に残して前記溶媒を蒸発させて分離し、
前記蒸着チャンバにおいて前記加熱部で加熱された前記蒸着材料を気化して得られた前記蒸着材料の蒸気を前記成膜対象物に噴出して堆積させ、前記蒸着材料の膜を形成する
成膜装置。 A deposition chamber;
A sub-chamber provided separated from the deposition chamber by a partition;
A vapor deposition material supply belt provided through the partition wall from the vapor deposition chamber to the sub chamber and movably from the sub chamber to the vapor deposition chamber;
A vapor deposition material solution supply unit for supplying a vapor deposition material solution obtained by dissolving the vapor deposition material in a solvent onto the vapor deposition material supply belt in the sub chamber;
A heating unit that is provided in the vapor deposition chamber and that heats the vapor deposition material on the vapor deposition material supply belt at a predetermined location in the vapor deposition chamber to vaporize;
A holding and conveying unit that is provided in the vapor deposition chamber and holds and conveys a film formation target;
In the sub chamber, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit is left on the vapor deposition material supply belt to evaporate and separate the solvent.
A film forming apparatus for forming a film of the vapor deposition material by jetting and depositing vapor of the vapor deposition material obtained by vaporizing the vapor deposition material heated by the heating unit in the vapor deposition chamber on the film formation target . 前記蒸着材料供給ベルトが環状の形状であり、前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動した後前記副チャンバに戻るように構成されている
請求項１に記載の成膜装置。 The film deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition material supply belt has an annular shape and is configured to return to the sub chamber after moving from the sub chamber to the vapor deposition chamber. 前記副チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部から供給された前記蒸着材料溶液のうちの前記蒸着材料を前記蒸着材料供給ベルト上に残して前記溶媒を連続的に蒸発させて分離する
請求項１または２に記載の成膜装置。 The vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the sub chamber remains on the vapor deposition material supply belt, and the solvent is continuously evaporated to separate the vapor deposition material solution. 2. The film forming apparatus according to 1. 前記蒸着材料溶液供給部が前記蒸着材料溶液を連続的に前記蒸着材料供給ベルト上に供給する
請求項１〜３のいずれかに記載の成膜装置。 The film deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition material solution supply unit continuously supplies the vapor deposition material solution onto the vapor deposition material supply belt. 前記保持搬送部がパスバイ方式で成膜工程中に前記成膜対象物を連続的に搬送する
請求項１〜４のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the holding and conveying unit continuously conveys the film formation target object during a film forming process by a pass-by method. 前記保持搬送部がステップバイステップ方式で成膜工程毎に前記成膜対象物の搬送及び静止保持を繰り返す
請求項１〜４のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the holding and conveying unit repeats conveyance and stationary holding of the film forming target for each film forming process in a step-by-step manner. 前記蒸着材料供給ベルトを前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動させる蒸着材料供給ベルト駆動部を有し、前記蒸着材料供給ベルトを前記副チャンバから前記蒸着チャンバへ移動させる
請求項１〜６のいずれかに記載の成膜装置。 The vapor deposition material supply belt drive unit that moves the vapor deposition material supply belt from the sub chamber to the vapor deposition chamber, and moves the vapor deposition material supply belt from the sub chamber to the vapor deposition chamber. 2. The film forming apparatus according to 1. 前記副チャンバ、前記蒸着材料供給ベルト、前記蒸着材料溶液供給部、及び前記加熱部がユニット化されている
請求項１〜７のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the sub chamber, the vapor deposition material supply belt, the vapor deposition material solution supply unit, and the heating unit are unitized. 前記副チャンバが隔壁で隔てられた複数個のチャンバから構成されている
請求項１〜８のずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the sub-chamber includes a plurality of chambers separated by a partition wall. 前記副チャンバが隔壁で隔てられた３個以上のチャンバから構成されている
請求項９に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 9, wherein the sub chamber includes three or more chambers separated by a partition wall.
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