JP2013027003A - Piezoelectric device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面実装型の圧電デバイスに関し、特に圧電振動片をパッケージのキャビティ内に導電性接着剤を用いて接着する圧電デバイスに関する。 The present invention relates to a surface-mount type piezoelectric device, and more particularly to a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is bonded in a cavity of a package using a conductive adhesive.
表面実装用の圧電デバイスは、圧電振動片がアルミナセラミック等の絶縁性ベースに収納され、その絶縁性ベースの開口部にリッドを固着して封止してある。圧電デバイスを製造する場合には、絶縁性ベース又はリッドのいずれか一方の封止面に、予め封止材層を形成しておき、絶縁性ベースおよびリッドを重ね合わせて封止している。圧電振動片はパッケージ内に導電性接着剤を用いて接着されている。 In the surface mounting piezoelectric device, a piezoelectric vibrating piece is housed in an insulating base such as alumina ceramic, and a lid is fixed and sealed in an opening of the insulating base. When manufacturing a piezoelectric device, a sealing material layer is formed in advance on one of the sealing surfaces of the insulating base and the lid, and the insulating base and the lid are overlapped and sealed. The piezoelectric vibrating piece is bonded in the package using a conductive adhesive.
近年、電子機器の小型化に伴い、圧電振動片等の圧電デバイスはより一層の小型化が要求されている。小型化に伴い圧電振動片と接続電極との接着に用いる導電性接着剤の塗布面積も小さくなり、導通不良及び電子機器の落下による強い外部衝撃が加わったときに圧電振動片の脱落が生じる恐れがある。特許文献１では、圧電振動片と接続電極との接触面積を大きくするために、セラミックの台座部に凸部を形成する。接続電極部に凸部を形成させている。 In recent years, with the downsizing of electronic equipment, piezoelectric devices such as piezoelectric vibrating reeds are required to be further downsized. Along with downsizing, the application area of the conductive adhesive used to bond the piezoelectric vibrating piece to the connection electrode is also reduced, and the piezoelectric vibrating piece may fall off when a strong external impact is applied due to poor conduction or dropping of electronic equipment. There is. In Patent Document 1, in order to increase the contact area between the piezoelectric vibrating piece and the connection electrode, a convex portion is formed on the ceramic pedestal. A convex portion is formed on the connection electrode portion.
しかしながら、導電性接着剤が余分に塗布され圧接することで、導電性接着剤の余剰分が圧電振動片の下面から励振電極に付着するようなおそれがある。その結果、圧電振動片の振動性能が劣化するおそれがある。 However, when the conductive adhesive is excessively applied and pressed, there is a possibility that an excess of the conductive adhesive may adhere to the excitation electrode from the lower surface of the piezoelectric vibrating piece. As a result, the vibration performance of the piezoelectric vibrating piece may be deteriorated.
そこで、本発明は、圧電振動片と接続電極との接触面積を大きくするとともに、導電性接着剤が励振電極側へ漏れ出ないようにした圧電デバイスを提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a piezoelectric device that increases the contact area between the piezoelectric vibrating piece and the connection electrode, and prevents the conductive adhesive from leaking to the excitation electrode side.
第１観点の圧電デバイスは、励振電極と該励振電極から伸びた引出電極とを有する圧電振動片と、圧電振動片を収納するとともに、引出電極に対応して形成された接続電極パッドを有するベース板と、接続電極パッドに塗布され引出電極と接続電極パッドとを電気的に接続するとともに圧電振動片を固定する導電性接着剤と、を備える。そして、圧電デバイスの接続電極パッドは、くぼみ面と該くぼみ面の全周囲に形成された壁面と有し、くぼみ面の底面と壁面の内側に形成される空間に導電性接着剤が塗布されている。 A piezoelectric device according to a first aspect includes a piezoelectric vibrating piece having an excitation electrode and an extraction electrode extending from the excitation electrode, and a base having a connection electrode pad that accommodates the piezoelectric vibration piece and is formed corresponding to the extraction electrode And a conductive adhesive that is applied to the connection electrode pad and electrically connects the extraction electrode and the connection electrode pad and fixes the piezoelectric vibrating piece. The connection electrode pad of the piezoelectric device has a recessed surface and a wall surface formed all around the recessed surface, and a conductive adhesive is applied to the space formed on the bottom surface and the inner surface of the recessed surface. Yes.
第２観点の圧電デバイスは、ベース板はセラミックを含み、接続電極パッドは印刷によってセラミック上に形成される下地金属層と下地金属層上にメッキによって形成される金属メッキ層とを有する。
第３観点の圧電デバイスは、ベース板はガラス又は圧電材を含み、接続電極パッドはガラス又は圧電材上に形成される下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とを有する。
In the piezoelectric device according to the second aspect, the base plate includes ceramic, and the connection electrode pad has a base metal layer formed on the ceramic by printing and a metal plating layer formed by plating on the base metal layer.
In the piezoelectric device of the third aspect, the base plate includes glass or a piezoelectric material, and the connection electrode pad has a base metal layer formed on the glass or the piezoelectric material and a surface metal layer formed on the base metal layer.
第４観点の圧電デバイスにおいて、接続電極パッドのくぼみ面は圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、くぼみ面及び壁面のなす断面は円弧状である。
第５観点の圧電デバイスにおいて、接続パッドのくぼみ面は圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、くぼみ面及び壁面のなす断面は四角形状である。
第６観点の圧電デバイスにおいて、接続パッドのくぼみ面は圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、壁面からへこみ面への断面は直線状でありへこみ面の断面は凸凹状である。
In the piezoelectric device according to the fourth aspect, the recessed surface of the connection electrode pad is circular or rectangular when viewed from the piezoelectric vibrating piece side, and the cross section formed by the recessed surface and the wall surface is arcuate.
In the piezoelectric device according to the fifth aspect, the recessed surface of the connection pad is circular or rectangular when viewed from the piezoelectric vibrating piece side, and the cross section formed by the recessed surface and the wall surface is a square shape.
In the piezoelectric device according to the sixth aspect, the concave surface of the connection pad is circular or rectangular when viewed from the piezoelectric vibrating piece side, the cross section from the wall surface to the concave surface is linear, and the cross section of the concave surface is uneven.
本発明の圧電デバイスは、導電接着剤の導通不良率を小さくして歩留まりを向上させるとともに、圧電振動片の励振電極へ導電性接着剤が漏れ出ることを防止することができる。 The piezoelectric device of the present invention can reduce the conduction failure rate of the conductive adhesive to improve the yield, and can prevent the conductive adhesive from leaking to the excitation electrode of the piezoelectric vibrating piece.
（第１実施形態）
＜第１水晶デバイス１００の全体構成＞
第１水晶デバイス１００の全体構成について、図１〜図６を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、第１リッド１０Ａを取り外した第１実施形態の第１水晶デバイス１００の平面図であり、（ｂ）は、第１リッド１０Ａとセラミックパッケージ４０Ａとを接合した第１水晶デバイス１００のＡ−Ａ’断面図である。図２は、接続電極パッド形成工程のフローチャートである。
(First embodiment)
<Overall Configuration of First Crystal Device 100>
The overall configuration of the first crystal device 100 will be described with reference to FIGS.
FIG. 1A is a plan view of the first crystal device 100 of the first embodiment with the first lid 10A removed, and FIG. 1B is a first crystal in which the first lid 10A and the ceramic package 40A are joined. 2 is a cross-sectional view of the device 100 along AA ′. FIG. FIG. 2 is a flowchart of the connection electrode pad forming process.
ここで、水晶振動片としてＡＴカットの水晶振動片２０が使われている。つまり、ＡＴカットの水晶振動片２０は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、第１実施形態ではＡＴカットの水晶振動片２０の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をｙ’軸及びｚ’軸として用いる。すなわち、第１実施形態において第１水晶デバイス１００の長手方向をｘ軸方向、第１水晶デバイス１００の高さ方向をｙ’軸方向、ｘ及びｙ’軸方向に垂直な方向をｚ’として説明する。 Here, an AT-cut quartz crystal vibrating piece 20 is used as the quartz crystal vibrating piece. In other words, the AT-cut quartz crystal vibrating piece 20 has a main surface (YZ plane) inclined with respect to the Y axis of the crystal axis (XYZ) from the Z axis to the Y axis direction by 35 degrees 15 minutes with respect to the X axis. . Therefore, in the first embodiment, new axes that are inclined with respect to the axial direction of the AT-cut quartz crystal vibrating piece 20 are used as the y ′ axis and the z ′ axis. That is, in the first embodiment, the longitudinal direction of the first crystal device 100 is defined as the x-axis direction, the height direction of the first crystal device 100 is defined as the y′-axis direction, and the direction perpendicular to the x and y′-axis directions is defined as z ′. To do.
図１（ｂ）に示されたように、表面実装型の第１水晶デバイス１００は第１リッド１０Ａと、台座セラミック部４５を有する絶縁性のセラミックパッケージ４０Ａと、セラミックパッケージ４０Ａに載置される水晶振動片２０とを備える。第１リッド１０Ａは、コバール合金製又はガラス製である。 As shown in FIG. 1B, the surface mount type first crystal device 100 is mounted on the first lid 10A, the insulating ceramic package 40A having the pedestal ceramic portion 45, and the ceramic package 40A. A crystal vibrating piece 20. The first lid 10A is made of Kovar alloy or glass.
水晶振動片２０は、その水晶振動片２０の中央付近の両主面に配置された一対の励振電極２２ａと２２ｂとを備える。また、励振電極２２ａには水晶振動片２０の底面（−ｙ’側）の−ｘ側の一端まで伸びた引出電極２３ａ及び接続電極２４ａが形成され、励振電極２２ｂには水晶振動片２０の底面（−ｙ’側）の−ｘ側の他端まで伸びた引出電極２３ｂ及び接続電極２４ｂが形成されている。 The quartz crystal vibrating piece 20 includes a pair of excitation electrodes 22 a and 22 b disposed on both main surfaces near the center of the quartz crystal vibrating piece 20. The excitation electrode 22a is formed with an extraction electrode 23a and a connection electrode 24a that extend to one end on the −x side of the bottom surface (−y ′ side) of the crystal vibrating piece 20, and the excitation electrode 22b has a bottom surface of the crystal vibrating piece 20. An extraction electrode 23b and a connection electrode 24b extending to the other end on the −x side of (−y ′ side) are formed.
また、励振電極２２ａ、２２ｂ、引出電極２３ａ、２３ｂ及び接続電極２４ａ、２４ｂは例えば下地としてのクロム層が用いられ、クロム層の上面に金層が用いられる。なお、クロム層の厚さは例えば０．０５μｍ〜０．１μｍで、金層の厚さは例えば０．２μｍ〜２μｍである。 Further, for the excitation electrodes 22a and 22b, the extraction electrodes 23a and 23b, and the connection electrodes 24a and 24b, for example, a chromium layer is used as a base, and a gold layer is used on the upper surface of the chromium layer. The chromium layer has a thickness of, for example, 0.05 μm to 0.1 μm, and the gold layer has a thickness of, for example, 0.2 μm to 2 μm.
セラミックパッケージ４０Ａは、アルミナを主原料とするセラミック粉末およびバインダー等を含むグリーンシートよりプレス抜きされた底面用セラミック層４１、台座セラミック部４５及び壁用セラミック層４９からなる。これら複数のセラミック層４１，４５及び４９より構成されたセラミックパッケージ４０は、キャビティＣＴを形成し、このキャビティＣＴ内にＡＴカットの水晶振動片２０を搭載する。セラミックパッケージ４０Ａはこれらの複数のセラミック層を積層し、焼結して形成されている。セラミックパッケージ４０Ａは、外側底面Ｍ１に表面実装型の外部電極５１，５２を有する。 The ceramic package 40A includes a bottom ceramic layer 41, a pedestal ceramic portion 45, and a wall ceramic layer 49 that are pressed from a green sheet containing ceramic powder mainly composed of alumina, a binder, and the like. The ceramic package 40 composed of the plurality of ceramic layers 41, 45 and 49 forms a cavity CT, and the AT-cut quartz crystal vibrating piece 20 is mounted in the cavity CT. The ceramic package 40A is formed by laminating and sintering a plurality of these ceramic layers. The ceramic package 40A has surface-mounted external electrodes 51 and 52 on the outer bottom surface M1.
また、第１接続電極パッド４３ａがキャビティＣＴに形成された台座セラミック部４５に形成されている。水晶振動片２０は、台座セラミック部４５の第１接続電極パッド４３ａに導電性接着剤６０を介して接続電極２４ａ，２４ｂに電気的に接着される。 Further, the first connection electrode pad 43a is formed on the pedestal ceramic part 45 formed in the cavity CT. The quartz crystal vibrating piece 20 is electrically bonded to the connection electrodes 24 a and 24 b via the conductive adhesive 60 to the first connection electrode pad 43 a of the pedestal ceramic part 45.
ＡＴカットの水晶振動片２０は、セラミックパッケージ４０Ａの台座セラミック部４５の第１接続電極パッド４３ａに搭載され、導電性接着剤６０を介して接着される。壁用セラミック層４９の＋ｙ’面に封止材４８が均一に形成される。不活性ガスで満たされたチャンバー（不図示）又は真空のチャンバー（不図示）内で、ＡＴカットの水晶振動片２０を収容したセラミックパッケージ４０Ａに第１リッド１０Ａが配置される。セラミックパッケージ４０Ａと第１リッド１０Ａとは、真空中又は不活性ガス中で封止材４８により接合されパッケージ８０Ａを形成する。 The AT-cut quartz crystal vibrating piece 20 is mounted on the first connection electrode pad 43a of the pedestal ceramic portion 45 of the ceramic package 40A and is bonded via the conductive adhesive 60. The sealing material 48 is uniformly formed on the + y ′ surface of the wall ceramic layer 49. The first lid 10 </ b> A is disposed in a ceramic package 40 </ b> A containing the AT-cut crystal vibrating piece 20 in a chamber (not shown) filled with an inert gas or a vacuum chamber (not shown). The ceramic package 40A and the first lid 10A are joined by a sealing material 48 in a vacuum or an inert gas to form a package 80A.
＜接続電極パッド形成方法＞
図２は、接続電極パッド形成工程のフローチャートである。図３（ａ）は、第１接続電極パッド４３ａの拡大平面図であり、（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図４（ａ）は、第２接続電極パッド４３ｂの拡大平面図であり、（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。図５（ａ）は、第３接続電極パッド４３ｃの拡大平面図であり、（ｂ）は、図５（ａ）のＤ−Ｄ’断面図である。
<Method for forming connection electrode pad>
FIG. 2 is a flowchart of the connection electrode pad forming process. FIG. 3A is an enlarged plan view of the first connection electrode pad 43a, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. FIG. 4A is an enlarged plan view of the second connection electrode pad 43b, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. FIG. 5A is an enlarged plan view of the third connection electrode pad 43c, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG.
第１接続電極パッド４３ａ、第２接続電極パッド４３ｂ及び第３接続電極パッド４３ｃとはそれぞれ別の形成工程で形成される。図２では３つの接続電極パッドに共通する工程を、ステップＳ１０代の番号で示している。そして、第１接続電極パッド４３ａの工程をステップＳ２０代の番号で、第２接続電極パッド４３ｂの工程をステップＳ３０代の番号で、第３接続電極パッド４３ｃの工程をステップＳ４０代の番号で示している。 The first connection electrode pad 43a, the second connection electrode pad 43b, and the third connection electrode pad 43c are formed in separate formation processes. In FIG. 2, the steps common to the three connection electrode pads are indicated by the numbers in step S10. The process of the first connection electrode pad 43a is indicated by the number of the generation in step S20, the process of the second connection electrode pad 43b is indicated by the number of the generation of step S30, and the process of the third connection electrode pad 43c is indicated by the number of the generation of step S40. ing.
（第１接続電極パッド４３ａの製造工程）
ステップＳ１１において、台座セラミック部４５はアルミナセラミックシート（グリーンシートとも呼ばれる。）から形成されるため、アルミナセラミックシートが用意される。
(Manufacturing process of the first connection electrode pad 43a)
In step S11, since the pedestal ceramic part 45 is formed from an alumina ceramic sheet (also referred to as a green sheet), an alumina ceramic sheet is prepared.
ステップＳ１２において、スクリーン印刷によりタングステン（Ｗ）ペーストが台座セラミック部４５の領域に塗布される。パッド用のタングステンペーストの塗布厚さは２０μｍ以上の厚さで、配線などのペーストより厚く形成される。例えば２度塗りによって厚く形成されその厚さは一定厚さである。 In step S <b> 12, a tungsten (W) paste is applied to the area of the pedestal ceramic part 45 by screen printing. The application thickness of the tungsten paste for the pad is 20 μm or more, and is thicker than the paste such as wiring. For example, it is thickly formed by coating twice, and its thickness is constant.
ステップＳ２１において、台座セラミック部４５の位置に塗布されたタングステンペーストに円弧状の型を押圧して円弧状のくぼみ部ＣＯＮ１を形成する（図３を参照）。タンスステンペーストを円形のドリルで削って円弧状のくぼみ部ＣＯＮ１を形成してもよい。 In step S21, an arc-shaped mold is pressed against the tungsten paste applied to the position of the pedestal ceramic portion 45 to form an arc-shaped recess portion CON1 (see FIG. 3). The arcuate depression CON1 may be formed by scraping the stainless paste with a circular drill.
ステップＳ１３において、台座セラミック部４５は底面用セラミック層４１に積層される。また壁用セラミック層４９が台座セラミック部４５に積層される。また積層された底面用セラミック層４１、台座セラミック部４５及び壁用セラミック層４９のセラミックシートが接合するようにそれらに所定の圧力が加えられる。なお、底面用セラミック層４１にはすでに外部電極５１，５２用にスクリーン印刷によりタングステンペーストが塗布されている。 In step S <b> 13, the pedestal ceramic part 45 is laminated on the bottom ceramic layer 41. A wall ceramic layer 49 is laminated on the pedestal ceramic portion 45. In addition, a predetermined pressure is applied to the laminated ceramic sheets for the bottom surface ceramic layer 41, the pedestal ceramic portion 45, and the wall ceramic layer 49. Note that a tungsten paste is already applied to the bottom ceramic layer 41 by screen printing for the external electrodes 51 and 52.
ステップＳ１４において、底面用セラミック層４１、台座セラミック部４５及び壁用セラミック層４９のセラミックシートが積層された状態で、個々のデバイス用に切断される。
ステップＳ１５において、積層されたセラミックシートは、９００°Ｃから１３００°Ｃで加熱され焼成される。
In step S14, the ceramic sheets for the bottom surface ceramic layer 41, the pedestal ceramic portion 45, and the wall ceramic layer 49 are laminated and cut for individual devices.
In step S15, the laminated ceramic sheets are heated and fired at 900 ° C to 1300 ° C.
ステップＳ１６において、第１接続電極パッド４３ａ用のタングステン上に、ニッケル及び金がメッキされる。表面に現れている外部電極５１，５２用のタングステン上にもメッキが施される。 In step S16, nickel and gold are plated on the tungsten for the first connection electrode pad 43a. Plating is also performed on tungsten for the external electrodes 51 and 52 appearing on the surface.
図３（ａ）は、図１（ａ）において点線で囲まれたＥＮ部の拡大図である。第１接続電極パッド４３ａは、タングステン一層又は多層でその上にニッケルメッキ及び金メッキが施されているが、図３（ｂ）では一層として描かれている。図３（ｂ）に示されるように第１接続電極パッド４３ａには、円弧状のくぼみ部ＣＯＮ１が形成されている。くぼみ部ＣＯＮ１の周囲はすべてバンク（壁面）ＢＫが形成される。バンクＢＫがくぼみ部ＣＯＮ１の全周囲に形成されているため、第１接続電極パッド４３ａに塗布された導電性接着剤６０の塗布量が多少変動してもバンクＢＫから越えにくい。 FIG. 3A is an enlarged view of the EN portion surrounded by a dotted line in FIG. The first connection electrode pad 43a is a single layer or multiple layers of tungsten, on which nickel plating and gold plating are applied, but is illustrated as a single layer in FIG. As shown in FIG. 3B, the first connection electrode pad 43a is formed with an arcuate depression CON1. A bank (wall surface) BK is formed around the indented part CON1. Since the bank BK is formed all around the recessed portion CON1, it is difficult to exceed the bank BK even if the amount of the conductive adhesive 60 applied to the first connection electrode pad 43a varies slightly.
図３（ｂ）に示されるように円弧状のくぼみ部ＣＯＮ１内部には小さな凹凸がない。しかしくぼみ部ＣＯＮ１内部にドット状の小さな凹凸を形成してもよい。また、くぼみ部ＣＯＮ１は、円錐形状又は四角錐形状で形成されてもよい。 As shown in FIG. 3B, there is no small unevenness inside the arcuate depression CON1. However, you may form a small dot-shaped unevenness | corrugation inside the hollow part CON1. Further, the indented part CON1 may be formed in a conical shape or a quadrangular pyramid shape.
（第２接続電極パッド４３ｂの製造工程）
ステップＳ１０代の共通する工程は、上述した第１接続電極パッド４３ａの製造工程と同じである。そのため、異なるステップＳ３０代を説明する。
(Manufacturing process of the second connection electrode pad 43b)
The common process of step S10 is the same as the manufacturing process of the first connection electrode pad 43a described above. Therefore, a different step S30 generation will be described.
ステップＳ３１において、スクリーン印刷によって台座セラミック部４５の位置にタングステンペーストで下地４３１が形成される。
ステップＳ３２において、スクリーン印刷によって下地４３１の上面に四角形に中抜きされた枠部４３２がタングステンペーストの重ね塗りにより形成される。スクリーン印刷のスクリーン紗が四角形に中抜きされた枠に形成されている。このため、第２接続電極パッド４３ｂは、四角柱形状のくぼみ部ＣＯＮ２が形成される（図４を参照）。枠部４３２がさらにタングステンペーストで重ね塗りされ、枠部４３２が二層になってもよい。
In step S31, a base 431 is formed with tungsten paste at the position of the pedestal ceramic portion 45 by screen printing.
In step S32, a frame portion 432 that is hollowed out in a square shape on the upper surface of the base 431 by screen printing is formed by overcoating with tungsten paste. A screen ridge for screen printing is formed in a frame that is hollowed out in a square shape. Therefore, the second connection electrode pad 43b is formed with a quadrangular prism-shaped depression CON2 (see FIG. 4). The frame portion 432 may be further overcoated with a tungsten paste, and the frame portion 432 may have two layers.
図４（ａ）では、第２接続電極パッド４３ｂは、タングステン二層でその上にニッケルメッキ及び金メッキが施されているが、図４（ｂ）ではニッケルメッキ及び金メッキが描かれていない。図４（ａ）に示されるように第２接続電極パッド４３ｂは、四角柱のくぼみ部ＣＯＮ２が形成されているが、円柱のくぼみ部ＣＯＮ２であってもよい。くぼみ部ＣＯＮ２の周囲はすべてバンクＢＫ（枠部４３２）が形成される。バンクＢＫがくぼみ部ＣＯＮ２の全周囲に形成されているため、第２接続電極パッド４３ｂに塗布された導電性接着剤６０の塗布量が多少変動してもバンクＢＫから越えにくい。 In FIG. 4 (a), the second connection electrode pad 43b is a two-layer tungsten layer on which nickel plating and gold plating are applied. In FIG. 4 (b), nickel plating and gold plating are not drawn. As shown in FIG. 4A, the second connection electrode pad 43b is formed with a quadrangular prism recess CON2, but may be a cylindrical recess CON2. A bank BK (frame portion 432) is formed around the recess portion CON2. Since the bank BK is formed all around the recessed part CON2, it is difficult to exceed the bank BK even if the amount of the conductive adhesive 60 applied to the second connection electrode pad 43b varies slightly.
（第３接続電極パッド４３ｃの製造工程）
ステップＳ１０代の共通する工程は、上述した第１接続電極パッド４３ａの製造工程と同じである。そのため、異なるステップＳ４０代を説明する。
(Manufacturing process of the third connection electrode pad 43c)
The common process of step S10 is the same as the manufacturing process of the first connection electrode pad 43a described above. Therefore, a different step S40 generation will be described.
ステップＳ４１において、スクリーン印刷によって台座セラミック部４５の位置にタングステンペーストで下地４３１が形成される。
ステップＳ４２において、下地４３１の上面に円形に中抜きされた枠部４３２の形成と同時にスクリーン印刷で帯状突起部４６がタングステンペーストの重ね塗りにより形成される（図５を参照）。
In step S41, a base 431 is formed with tungsten paste at the position of the pedestal ceramic portion 45 by screen printing.
In step S42, simultaneously with the formation of the circularly hollowed frame portion 432 on the upper surface of the base 431, the band-like protrusions 46 are formed by screen-printing by overcoating tungsten paste (see FIG. 5).
ステップＳ４３において、枠部４３２の上面に円形に中抜きされた枠部４３３がタングステンペーストの重ね塗りにより形成される。第３接続電極パッド４３ｃは、帯状突起部４６を有する円柱形のくぼみ部ＣＯＮ３が形成される。 In step S43, a frame portion 433 that is hollowed out in a circular shape is formed on the upper surface of the frame portion 432 by overcoating with tungsten paste. The third connection electrode pad 43c is formed with a cylindrical recess portion CON3 having a belt-like protrusion 46.
図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第３接続電極パッド４３ｃは、円柱形のくぼみ部ＣＯＮ３の底部に帯状突起部４６が形成されている。第３接続電極パッド４３ｃは、台座セラミック部４５の上にタングステンの下地４３１と、帯状突起部４６を有する枠部４３２と枠部４３３との三層からなり、焼成後その上にニッケル、金メッキを施して形成される。帯状突起部４６は帯状形状ではなくドット状の形状であってもよい。 As shown in FIGS. 5A and 5B, the third connection electrode pad 43c has a band-shaped protrusion 46 formed at the bottom of the cylindrical recess CON3. The third connection electrode pad 43c is composed of three layers of a tungsten base 431 on the pedestal ceramic portion 45, a frame portion 432 having a belt-like projection portion 46, and a frame portion 433. After firing, nickel and gold plating is applied thereon. Formed. The band-shaped protrusion 46 may have a dot shape instead of the band shape.
また図５（ａ）に示されるように第３接続電極パッド４３ｃは、円柱のくぼみ部ＣＯＮ３ではなく四角柱のくぼみ部ＣＯＮ３であってもよい。くぼみ部ＣＯＮ３の周囲はすべてバンクＢＫ（枠部４３２，４３３）が形成される。バンクＢＫがくぼみ部ＣＯＮ３の全周囲に形成されているため、第３接続電極パッド４３ｃに塗布された導電性接着剤６０の塗布量が多少変動してもバンクＢＫから越えにくい。 Further, as shown in FIG. 5A, the third connection electrode pad 43c may be a quadrangular prism recess portion CON3 instead of the cylindrical recess portion CON3. Banks BK (frame portions 432 and 433) are formed all around the recess portion CON3. Since the bank BK is formed all around the recessed part CON3, it is difficult to exceed the bank BK even if the application amount of the conductive adhesive 60 applied to the third connection electrode pad 43c varies slightly.
＜導電性接着剤の塗布面積＞
図６は、導電性接着剤の塗布面積と導通不良発生率の関係を示す図である。横軸に導電性接着剤の塗布面積（ｍｍ２）を示し、縦軸に対数目盛で導通不良の発生率（％）を示す。図６に示された塗布面積は、接続電極パッドと導電接着剤とが接している面積を示す。この塗布面積は、例えば、図５（ａ）のように上（＋ｙ’側）から見た投影面積ではなく、接続電極パッドに凹凸があると、その凹凸の側面の面積も合わせた面積である。また導通不良発生率（％）は、０．１ｍＶの電圧を印加した際に得られた不良率である。
<Application area of conductive adhesive>
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the application area of the conductive adhesive and the occurrence rate of conduction failure. The horizontal axis represents the application area (mm 2 ) of the conductive adhesive, and the vertical axis represents the occurrence rate (%) of poor conduction on a logarithmic scale. The application area shown in FIG. 6 indicates an area where the connection electrode pad is in contact with the conductive adhesive. For example, as shown in FIG. 5A, this application area is not a projected area viewed from above (+ y ′ side), but if the connection electrode pad has irregularities, the area of the side surfaces of the irregularities is also combined. . The conduction failure occurrence rate (%) is a failure rate obtained when a voltage of 0.1 mV is applied.
図６に示すように、導電性接着剤６０の塗布面積（ｍｍ２）が０．２Φ（０．０３ｍｍ２）では不良発生率は４．０％であり、導電性接着剤６０の塗布面積（ｍｍ２）が０．３Φ（０．０７ｍｍ２）では不良発生率は１．０％であり、導電性接着剤６０の塗布面積（ｍｍ２）が０．４Φ（０．１２５ｍｍ２）では０．０５％で、導電性接着剤６０の塗布面積（ｍｍ２）が０．４５Φ（０．１５９ｍｍ２）では０．００７％である。これらの測定結果から、一点鎖線ＬＮに示されるように、導電性接着剤６０の塗布面積（ｍｍ２）が小さくなると指数的に導通不良発生率が増加することを示している。 As shown in FIG. 6, when the application area (mm 2 ) of the conductive adhesive 60 is 0.2Φ (0.03 mm 2 ), the defect occurrence rate is 4.0%, and the application area of the conductive adhesive 60 ( When the mm 2 ) is 0.3Φ (0.07 mm 2 ), the defect occurrence rate is 1.0%, and when the application area (mm 2 ) of the conductive adhesive 60 is 0.4Φ (0.125 mm 2 ), the ratio is 0. 05% coating area of the conductive adhesive 60 (mm 2) is 0.007% for 0.45Φ (0.159mm 2). From these measurement results, as indicated by the alternate long and short dash line LN, when the application area (mm 2 ) of the conductive adhesive 60 is reduced, the occurrence rate of conduction failure exponentially increases.
図３〜図５に示されるように、第１接続電極パッド４３ａ、第２接続電極パッド４３ｂ，第３接続電極パッド４３ｃにくぼみ部ＣＯＮを形成することにより、これら接続電極パッドと導電性接着剤６０との塗布面積を大きくし、導通不良を減らすことができる。また、くぼみ部ＣＯＮの全周囲をバンクＢＫで囲むことにより、導電性接着剤６０の塗布量が多少多くても、導電性接着剤６０の広がりを抑える効果も得られる。このため、導電性接着剤６０の塗布径のばらつき及び塗布位置のばらつきを減らすことができる。また、余剰分の導電性接着剤６０が水晶振動片２０の下面から励振電極２２ｂに付着するおそれがない。 As shown in FIG. 3 to FIG. 5, by forming a recessed portion CON in the first connection electrode pad 43 a, the second connection electrode pad 43 b, and the third connection electrode pad 43 c, these connection electrode pads and the conductive adhesive The application area with 60 can be increased and conduction defects can be reduced. Further, by enclosing the entire periphery of the recessed portion CON with the bank BK, an effect of suppressing the spreading of the conductive adhesive 60 can be obtained even if the amount of the conductive adhesive 60 applied is somewhat large. For this reason, the dispersion | variation in the application diameter of the conductive adhesive 60 and the dispersion | variation in an application position can be reduced. Further, there is no possibility that the surplus conductive adhesive 60 adheres to the excitation electrode 22b from the lower surface of the quartz crystal vibrating piece 20.
＜第２実施形態；第２水晶デバイス１１０の構成＞
第２水晶デバイス１１０の構成について図面を参照しながら説明する。
図７は、音叉型水晶振動片３０を備えた表面実装型の第２水晶デバイス１１０の概略図を示している。
<Second Embodiment; Configuration of Second Crystal Device 110>
The configuration of the second crystal device 110 will be described with reference to the drawings.
FIG. 7 shows a schematic diagram of a surface-mount type second crystal device 110 provided with a tuning fork type crystal vibrating piece 30.
図７（ａ）は、音叉型水晶振動片３０を収納した第２水晶デバイス１１０の内面図である。図７（ａ）に描かれた第２水晶デバイス１１０は、第２リッド１０Ｂを取り除いた状態である。図７（ｂ）は、第２水晶デバイス１１０をＥ−Ｅ’断面で切った断面構成図である。ただし、リッド１０と第１ベース板４０とが分離された状態が示されている。 FIG. 7A is an internal view of the second crystal device 110 in which the tuning fork type crystal vibrating piece 30 is housed. The second crystal device 110 depicted in FIG. 7A is in a state where the second lid 10B is removed. FIG. 7B is a cross-sectional configuration diagram of the second crystal device 110 cut along the E-E ′ cross section. However, the state where the lid 10 and the first base plate 40 are separated is shown.
第２水晶デバイス１１０は、第２リッド１０Ｂ及びベース板４０Ｂから構成されたパッケージ８０Ｂを有している。第２リッド１０Ｂは、リッド側凹部１７をベース板４０Ｂ側の片面に有している。ベース板４０Ｂはベース側凹部４７を第２リッド１０Ｂ側の片面に有している。第２リッド１０Ｂ及びベース板４０Ｂはホウ酸ガラス又は水晶材から構成される。リッド側凹部１７とベース側凹部４７とは接合されてキャビティ―ＣＴ（図７（ｂ）を参照）を形成する。キャビティ―ＣＴに音叉型水晶振動片３０が装着されている。 The second crystal device 110 has a package 80B composed of the second lid 10B and the base plate 40B. The 2nd lid 10B has the lid side recessed part 17 in the single side | surface by the side of the base board 40B. The base plate 40B has a base-side recess 47 on one side on the second lid 10B side. The second lid 10B and the base plate 40B are made of borate glass or quartz material. The lid-side recess 17 and the base-side recess 47 are joined to form a cavity-CT (see FIG. 7B). A tuning fork type crystal vibrating piece 30 is attached to the cavity-CT.
第２リッド１０Ｂは、枠部１９に接合面Ｍ３を備えている。第２リッド１０Ｂの接合面Ｍ３は低融点ガラスからなる非導電性の封止材４８が環状に塗布される。なお、封止材４８は後述するベース板４０Ｂの接合面Ｍ２に環状に塗布されてもよい。 The second lid 10 </ b> B includes a joint surface M <b> 3 on the frame portion 19. A non-conductive sealing material 48 made of low-melting glass is annularly applied to the bonding surface M3 of the second lid 10B. The sealing material 48 may be annularly applied to the joint surface M2 of the base plate 40B described later.
音叉型水晶振動片３０は、一対の振動腕３６と基部３３とからなり、基部３３に引出電極３１ａ、３１ｂを備える。引出電極３１ａ、３１ｂは、導電性接着剤６０で後述するベース板４０Ｂの第１接続電極パッド４３ａに接続し導通する。一対の振動腕３６は、表面、裏面及び側面に励振電極３５ａ及び３５ｂが形成されており、励振電極３５ａは引出電極３１ａにつながっており、励振電極３５ｂは引出電極３１ｂにつながっている。振動腕３６の先端部は金属膜を備えた錘部３８を形成している。一対の振動腕３６の表裏両面には、溝部３４が形成されている。 The tuning fork type crystal vibrating piece 30 includes a pair of vibrating arms 36 and a base portion 33, and the base portion 33 includes extraction electrodes 31 a and 31 b. The extraction electrodes 31a and 31b are connected to and electrically connected to a first connection electrode pad 43a of a base plate 40B described later with a conductive adhesive 60. Excitation electrodes 35a and 35b are formed on the front, back, and side surfaces of the pair of vibrating arms 36, the excitation electrode 35a is connected to the extraction electrode 31a, and the excitation electrode 35b is connected to the extraction electrode 31b. The tip of the vibrating arm 36 forms a weight portion 38 having a metal film. Grooves 34 are formed on both front and back surfaces of the pair of vibrating arms 36.
引出電極３１ａ、引出電極３２ｂ、励振電極３５ａ、励振電極３５ｂ及び錘部３８は、ともに、１５０Å〜５００Å（１５ｎｍ〜５０ｎｍ）のクロム（Ｃｒ）層の上に４００Å〜８００Å（４０ｎｍ〜８０ｎｍ）の金（Ａｕ）層が形成された構成である。 The extraction electrode 31a, the extraction electrode 32b, the excitation electrode 35a, the excitation electrode 35b, and the weight portion 38 are all 400 to 800 to (40 to 80 nm) gold on a 150 to 500 to (15 to 50 nm) chromium (Cr) layer. The (Au) layer is formed.
図７（ａ）、（ｂ）に示されるように、ベース板４０Ｂは、ベース側凹部４７を第２リッド１０Ｂ側の片面に有する。ベース側凹部４７が形成されることにより、一対の台座４５ａと突起部４５ｂと枠部４９１とがベース側凹部４７の底面から突き出るように形成されている。台座４５ａには第１接続電極パッド４３ａが形成され、導電性接着剤６０を介して音叉型水晶振動片３０が載置されている。ベース板４０Ｂは、エッチングによりベース側凹部４７を設ける際、同時に一対の台座４５ａと突起部４５ｂと枠部４９とスルーホール４２ａとスルーホール４２ｂとを形成する。スルーホール４２ａは一対の台座４５ａの一方に形成され、スルーホール４２ｂは、突起部４５ｂに形成される。台座４５ａには第１接続電極パッド４３ａが形成され、突起部４５ｂには接続電極４３が形成され、その接続電極４３は台座４５ａの他方にまで伸び、その台座４５ａの第１接続電極パッド４３ａに接続されている。 As shown in FIGS. 7A and 7B, the base plate 40B has a base-side concave portion 47 on one side on the second lid 10B side. By forming the base-side concave portion 47, the pair of pedestals 45 a, the protruding portions 45 b, and the frame portion 491 are formed so as to protrude from the bottom surface of the base-side concave portion 47. A first connection electrode pad 43 a is formed on the pedestal 45 a, and the tuning fork type crystal vibrating piece 30 is placed via the conductive adhesive 60. When the base-side concave portion 47 is provided by etching, the base plate 40B simultaneously forms a pair of pedestals 45a, protrusions 45b, a frame portion 49, a through hole 42a, and a through hole 42b. The through hole 42a is formed in one of the pair of bases 45a, and the through hole 42b is formed in the protrusion 45b. A first connection electrode pad 43a is formed on the pedestal 45a, a connection electrode 43 is formed on the protrusion 45b, the connection electrode 43 extends to the other side of the pedestal 45a, and the first connection electrode pad 43a of the pedestal 45a is connected to the first connection electrode pad 43a. It is connected.
ベース板４０Ｂは枠部４９１に接合面Ｍ２を有している。接合面Ｍ２の形状及び面積は、第２リッド１０Ｂの枠部１９の接合面Ｍ３の形状及び面積とほぼ同じである。ベース板４０Ｂの実装面Ｍ１には、第１外部電極５１及び第２外部電極５２が形成される。 The base plate 40B has a joint surface M2 at the frame portion 491. The shape and area of the joint surface M2 are substantially the same as the shape and area of the joint surface M3 of the frame portion 19 of the second lid 10B. A first external electrode 51 and a second external electrode 52 are formed on the mounting surface M1 of the base plate 40B.
スルーホール４２ａ及びスルーホール４２ｂには、スルーホール配線１５が形成される。第１接続電極パッド４３ａは、スルーホール４２ａのスルーホール配線１５を通じてベース板４０Ｂの実装面Ｍ１に設けた外部電極５１に接続する。接続電極４３は、スルーホール４２ｂのスルーホール配線１５を通じてベース板４０Ｂの実装面Ｍ１に設けた外部電極５２に接続する。つまり、引出電極３１ａは外部電極５１と電気的に接続し、引出電極３１ｂは外部電極５２と電気的に接続している。スルーホール４２ａ及びスルーホール４２ｂは、共晶金属７０を用いて封止される。 A through-hole wiring 15 is formed in the through-hole 42a and the through-hole 42b. The first connection electrode pad 43a is connected to the external electrode 51 provided on the mounting surface M1 of the base plate 40B through the through hole wiring 15 of the through hole 42a. The connection electrode 43 is connected to the external electrode 52 provided on the mounting surface M1 of the base plate 40B through the through-hole wiring 15 of the through-hole 42b. That is, the extraction electrode 31 a is electrically connected to the external electrode 51, and the extraction electrode 31 b is electrically connected to the external electrode 52. The through hole 42 a and the through hole 42 b are sealed using a eutectic metal 70.
ベース板４０Ｂは一枚の水晶板がエッチングされることによってベース側凹部４７が形成される。エッチングされなかった一対の台座４５ａ、突起部４５ｂ及び枠部４９１は実装面Ｍ１から同じ高さに形成される。 In the base plate 40B, a base-side concave portion 47 is formed by etching a single crystal plate. The pair of bases 45a, protrusions 45b, and frame portions 491 that are not etched are formed at the same height from the mounting surface M1.
一対の台座４５ａには、図３に示された第１接続電極パッド４３ａが形成されている。図示していないが、図４又は図５に示された第２接続電極パッド４３ｂ又は第３接続電極パッド４３ｃであってもよい。第１接続電極パッド４３ａ、第２接続電極パッド４３ｂ及び第３接続電極パッド４３ｃには、くぼみ部ＣＯＮが形成されているため、接続電極パッドと導電性接着剤６０との塗布面積が大きくなる。またくぼみ部ＣＯＮの全周囲をバンクＢＫで囲むことにより、導電性接着剤６０の塗布量が多少多くても、導電性接着剤６０の広がりを抑える。 The first connection electrode pads 43a shown in FIG. 3 are formed on the pair of bases 45a. Although not shown, the second connection electrode pad 43b or the third connection electrode pad 43c shown in FIG. 4 or 5 may be used. Since the recess portion CON is formed in the first connection electrode pad 43a, the second connection electrode pad 43b, and the third connection electrode pad 43c, the application area of the connection electrode pad and the conductive adhesive 60 is increased. Further, by enclosing the entire periphery of the recessed portion CON with the bank BK, the spread of the conductive adhesive 60 is suppressed even if the amount of the conductive adhesive 60 applied is somewhat large.
＜第３実施形態；第３水晶デバイス１２０の構成＞
第３水晶デバイス１２０の構成について、図８及び図９を参照しながら説明する。
図８は、第３水晶デバイス１２０の第２リッド１０Ｂ側から見た斜視図である。図９（ａ）は、リッドを取り外した第３水晶デバイス１２０の平面図であり、（ｂ）は、第３水晶デバイス１２０のＦ−Ｆ’断面図である。第３水晶デバイス１２０と第２水晶デバイス１１０との違いは、第３水晶デバイス１２０にキャスタレーションを備えた点が異なっている。第２実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付し説明を省略し相違点について説明する。
<Third Embodiment; Configuration of Third Crystal Device 120>
The configuration of the third crystal device 120 will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is a perspective view of the third crystal device 120 as viewed from the second lid 10B side. FIG. 9A is a plan view of the third crystal device 120 with the lid removed, and FIG. 9B is a cross-sectional view of the third crystal device 120 taken along the line FF ′. The difference between the third crystal device 120 and the second crystal device 110 is that the third crystal device 120 is provided with a castellation. The same components as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof will be omitted, and differences will be described.
ベース板４０Ｃは、実装面Ｍ１に一対の外部電極５１，５２がそれぞれ形成され、ベース板４０ＣのＹ軸方向の両辺には一対のキャスタレーション２２２ａ、２２２ｂが形成されている。また、キャスタレーション２２２ａには外部電極５１に接続された側面電極２２３ａが形成され、キャスタレーション２２２ｂには外部電極５２と接続された側面電極２２３ｂが形成されている。ベース板４０Ｃの接合面Ｍ２にはベース側凹部４７及び一対の台座４５ａ及び枠部４９１（図１０を参照）が形成されている。キャスタレーション２２２ａ、２２２ｂはトラック状の貫通孔（不図示）をダイシングされた際に形成される。 The base plate 40C has a pair of external electrodes 51 and 52 formed on the mounting surface M1, respectively, and a pair of castellations 222a and 222b formed on both sides in the Y-axis direction of the base plate 40C. Further, a side electrode 223a connected to the external electrode 51 is formed on the castellation 222a, and a side electrode 223b connected to the external electrode 52 is formed on the castellation 222b. A base-side concave portion 47, a pair of bases 45a, and a frame portion 491 (see FIG. 10) are formed on the joint surface M2 of the base plate 40C. The castellations 222a and 222b are formed when a track-shaped through hole (not shown) is diced.
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。たとえば、リッド及びベースは水晶材であったがガラス板であってもよい。 As described above, the optimal embodiment of the present invention has been described in detail. However, as will be apparent to those skilled in the art, the present invention can be implemented with various modifications and variations within the technical scope thereof. For example, the lid and the base are made of quartz, but may be glass plates.
また、実施形態では水晶振動片が使用されたが、水晶以外にタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を利用することができる。また、接合材として低融点ガラスが使用されたが、ポリイミド樹脂などの非導電性の樹脂接合材が使用されてもよい。さらに圧電デバイスとして、発振回路を組み込んだＩＣなどをパッケージ内に配置させた圧電発振器にも本発明は適用できる。 In the embodiment, a quartz crystal resonator element is used. However, in addition to quartz, a piezoelectric material such as lithium tantalate or lithium niobate can be used. Moreover, although low melting glass was used as the bonding material, a non-conductive resin bonding material such as polyimide resin may be used. Furthermore, the present invention can also be applied to a piezoelectric oscillator in which an IC incorporating an oscillation circuit or the like is arranged in a package as a piezoelectric device.
１０Ａ、１０Ｂ … リッド
１５ … スルーホール配線
１７ … リッド側凹部、 ４７ … ベース側凹部
１９、４９１ … 枠部
２０， … ＡＴカット水晶振動片
２２ａ，２２ｂ，３５ａ，３５ｂ … 励振電極
２３ａ，２３ｂ，３１ａ，３１ｂ … 引出電極
２４ａ，２４ｂ … 接続電極
３０ … 音叉型水晶振動片
３３ … 基部、３４ … 溝部、３６ … 振動腕、３８ … 錘部
４０Ａ … パッケージ、４０Ｂ，４０Ｃ … ベース
４１ … 底部セラミック層
４２ａ，４２ｂ … スルーホール
４３，４４ … 接続電極
４３ａ、４３ｂ、４３ｃ … 接続電極パッド
４５ … 台座セラミック部，４５ａ … 台座，４５ｂ … 突起部
４６ … 帯状突起部
４８ … 封止材
４９ … 壁用セラミック層
５１、５２ … 外部電極
６０ … 導電性接着剤
７０ … 共晶金属
８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ … パッケージ
１００、１１０，１２０ … 圧電デバイス
２２２（ａ，ｂ） … キャスタレーション
２２３（ａ，ｂ） … 側面電極
ＢＨ … 貫通孔
ＣＴ … キャビティ
Ｍ１ … 実装面、 Ｍ２、Ｍ３ … 接合面
10A, 10B ... Lid 15 ... Through-hole wiring 17 ... Lid side concave portion, 47 ... Base side concave portion 19, 491 ... Frame portion
20, ... AT cut quartz crystal vibrating pieces 22a, 22b, 35a, 35b ... Excitation electrodes 23a, 23b, 31a, 31b ... Extraction electrodes 24a, 24b ... Connecting electrodes 30 ... Tuning fork type crystal vibrating piece 33 ... Base, 34 ... Groove, 36 ... vibrating arm 38 ... weight 40A ... package 40B and 40C ... base 41 ... bottom ceramic layers 42a and 42b ... through holes 43 and 44 ... connection electrodes 43a, 43b and 43c ... connection electrode pad 45 ... pedestal ceramic part 45a ... pedestal, 45b ... Protrusion 46 ... Band-like protrusion 48 ... Sealing material 49 ... Ceramic layers 51 and 52 for walls ... External electrodes
60 ... conductive adhesive 70 ... eutectic metal 80A, 80B, 80C ... package 100, 110, 120 ... piezoelectric device 222 (a, b) ... castellation 223 (a, b) ... side electrode BH ... through hole CT ... Cavity M1 ... Mounting surface, M2, M3 ... Bonding surface
Claims (7)
前記圧電振動片を収納するとともに、前記引出電極に対応して形成された接続電極パッドを有するベース板と、
前記接続電極パッドに塗布され前記引出電極と前記接続電極パッドとを電気的に接続するとともに前記圧電振動片を固定する導電性接着剤と、を備え、
前記接続電極パッドはくぼみ面と該くぼみ面の全周囲に形成された壁面と有し、前記くぼみ面の底面と前記壁面の内側に形成される空間に前記導電性接着剤が塗布されている圧電デバイス。 A piezoelectric vibrating piece having an excitation electrode and an extraction electrode extending from the excitation electrode;
A base plate that houses the piezoelectric vibrating piece and has a connection electrode pad formed corresponding to the extraction electrode;
A conductive adhesive that is applied to the connection electrode pad and electrically connects the lead electrode and the connection electrode pad and fixes the piezoelectric vibrating piece; and
The connection electrode pad has a recessed surface and a wall surface formed all around the recessed surface, and the conductive adhesive is applied to the bottom surface of the recessed surface and a space formed inside the wall surface. device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011162974A JP2013027003A (en) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | Piezoelectric device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013027003A true JP2013027003A (en) | 2013-02-04 |
Family
ID=47784828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011162974A Pending JP2013027003A (en) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | Piezoelectric device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013027003A (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140625 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150414 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150420 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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