JP2013020973A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 67
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 34
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 34
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 229
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 38
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 36
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 101100167062 Caenorhabditis elegans chch-3 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【解決手段】
このプラズマ処理装置は、マイクロ波のエネルギーを、処理容器2の上部に配置された誘電体窓16を介して処理容器2内に供給して、ガス供給源100から処理容器2内に供給した処理ガスをプラズマ化して、処理容器2の下部に配置された基板Wをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、ガス供給源100から供給される処理ガスを、誘電体窓16からの距離が異なる位置に導入する少なくとも第1及び第2のガス導入部を備えている。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- マイクロ波のエネルギーを、処理容器の上部に配置された誘電体窓を介して前記処理容器内に供給して、ガス供給源から前記処理容器内に供給した処理ガスをプラズマ化して、前記処理容器の下部に配置された基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記ガス供給源から供給される処理ガスを、前記誘電体窓からの距離が異なる位置に導入する少なくとも第1及び第2のガス導入部を備える、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記ガス供給源は、第1及び第2のガス源を有し、
前記第1のガス導入部は、前記誘電体窓直下のプラズマ励起領域側に設けられ、
前記第2のガス導入部は、前記基板直上のプラズマ拡散領域側に設けられ、
前記プラズマ励起領域は電子温度が前記プラズマ拡散領域よりも高く、
前記第1及び第2のガス導入部には、前記第1のガス源からガス供給が行われ、
前記第1又は第2のガス導入部には、前記第2のガス源からガス供給が行われ、
前記基板におけるプラズマ処理の特性を変化させるよう、前記第1及び第2のガス導入部に供給されるガス量が変化可能とされている、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1のガス導入部は、前記誘電体窓の中央部に位置する中央導入口を有する中央導入部であり、
前記第2のガス導入部は、前記基板上方の空間の周方向に沿って配列され、前記誘電体窓よりも下方に位置する複数の周辺導入口を有する周辺導入部である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1のガス導入部からガス供給するステップと、前記第2のガス導入部からガス供給するステップと、を所定周期で繰り返す制御を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 共通ガス源に接続される共通ガスラインと、
前記共通ガスラインに設けられ、前記共通ガスラインを、第1及び第2分岐共通ガスラインに分岐し、前記第1及び第2分岐共通ガスラインを流れるガスの流量の比率を調節可能なフロースプリッタと、
添加ガス源と前記第1及び第2分岐共通ガスラインの少なくとも一方とを接続する添加ガスラインと、
を備え、
前記ガス供給源は、前記共通ガス源と、前記添加ガス源とを備えており、
前記第1のガス導入部は、前記第1分岐共通ガスラインに接続され、前記基板の中央部の上方に位置する中央導入口を有する中央導入部であり、
前記第2のガス導入部は、前記第2分岐共通ガスラインに接続され、前記基板上方の空間の周方向に沿って配列され、前記誘電体窓よりも下方に位置する複数の周辺導入口を有する周辺導入部である、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012181763A JP5568608B2 (ja) | 2012-08-20 | 2012-08-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012181763A JP5568608B2 (ja) | 2012-08-20 | 2012-08-20 | プラズマ処理装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011150365A Division JP5377587B2 (ja) | 2011-07-06 | 2011-07-06 | アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013020973A true JP2013020973A (ja) | 2013-01-31 |
JP5568608B2 JP5568608B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=47692165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012181763A Expired - Fee Related JP5568608B2 (ja) | 2012-08-20 | 2012-08-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5568608B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014160557A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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-
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