JP2013020264A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板20上に、バンク層221と該バンク層221により区画形成された凹状区画領域223とを所定のマトリクスパターンで配列するとともに、表示部たる画素部110に、表示に寄与する実画素部111と、表示に寄与しないダミー画素部112とを構成する。さらに基板20上には、走査線を導通する走査信号の出力制御を行う走査線駆動回路80と、該走査線駆動回路80を駆動させるための駆動制御信号が導通する駆動制御信号導通部320とが設けられ、基板20を平面視した場合に、駆動制御信号導通部320が、少なくともダミー画素部112のバンク層221と重畳配置する部分を含むように配置されている。
【選択図】図2
Description
ところで、上記非表示領域は通常の表示機能を果たしてはいない。
そこで、本発明者は、該非表示領域を積極的に有効利用するために、上記スイッチング手段の作動制御を行う作動制御手段への駆動制御信号の導通部を少なくとも非表示領域に形成した。したがって、非表示領域と同様、実質的に表示機能を担わない駆動制御信号導通部が該非表示領域に配置されるため、基板上における表示機能を担わない部分の面積が相殺されるものとなり、基板上の表示不能な領域の増大を低減させることが可能となる。
さらに駆動制御信号導通部を基板厚さ方向において隔壁部の下側に位置するように、すなわち表示方向において隔壁部と駆動制御信号導通部とが重畳配置する構成とした。この場合、基板を平面視した場合に、駆動制御信号導通部が隔壁部と重畳配置する部分を含むように配置され、非表示領域の第2電極層と駆動制御信号導通部との間の距離が比較的大きなものとなる。すなわち、第2電極層と駆動制御信号導通部との間の距離が、凹状区画領域よりも相対的に大きな隔壁部の下方に駆動制御信号導通部を設けることで、該第2電極層と駆動制御信号導通部との間のキャパシタンスが、凹状区画部の下方に設けるよりも小さくなり、該キャパシタンスによる駆動制御信号への外的影響が低減される。ここで、凹状区画領域は駆動制御信号導通部側(基板側)に凹んだ底部を具備しており、その底部に第2電極層を含んでいるため、隔壁部と比して静電容量が大きくなる傾向にあり、逆に隔壁部は駆動制御信号導通部側(基板側)から突出した凸部を具備しており、その凸部の頂側に第2電極層を含んでいるため凹状区画領域と比して静電容量が小さくなる傾向にある。
したがって、このような本発明の表示装置は、通常の表示を行わない領域を低減し基板を表示領域として有効に利用できるとともに、駆動制御信号への外的影響、例えばパルス波形変化等に基づく当該表示装置の誤作動発生を防止ないし抑制することが可能となる。なお、上記表示装置において、表示本体層には表示物質として例えば有機EL物質を用いることができ、その他にも、表示物質として液晶物質を用いることもできる。
さらに、前記基板上には、複数の検査線が形成されるとともに、前記スイッチング手段が該検査線に接続され、前記作動制御手段が前記検査線を導通する信号に関する制御を行う検査制御手段を含むものとすることも可能で、勿論、作動制御手段がデータ制御手段及び走査制御手段、検査制御手段のそれぞれを含むものとすることも可能である。この場合、作動制御手段により走査線及び/又はデータ線及び/又は検査線を導通する信号に関する制御を確実に行うことが可能となり、さらにこれら走査線及び/又はデータ線及び/又は検査線、スイッチング手段等を基板上に配設するため、基板面積の有効利用が望まれるが、本発明のような作動制御手段への駆動制御信号導通部の構成を採用することにより該有効利用と、駆動制御信号の安定した送信が可能となり得る。
また、検査回路90は、当該表示装置101の作動状況あるいは初期不良等を検査するための回路であって、例えば該検査結果を外部に出力するための検査情報出力手段を備えている。
そして、ITOからなる画素電極23が、この第2層間絶縁層284の面上に形成されるとともに、当該第2層間絶縁層284に設けられたコンタクトホール23aを介してドレイン電極244に接続されている。すなわち、画素電極23は、ドレイン電極244を介して、シリコン層241の高濃度ドレイン電極241Dに接続されている。
まず、図5ないし図8を参照して、表示装置101の製造プロセス、特にアクティブマトリクス基板20上の各構成要素に関する製造プロセスを説明する。なお、図5ないし図8に示す各断面図は、図1中のA−B線の断面のうち走査線駆動回路80が形成され、ダミー領域112が形成される領域の断面115(図5(a)参照)と、実画素111(TFT24)が形成される領域の断面116(図5(a)参照)とにそれぞれ対応している。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
次に、ICVD法、プラズマCVD法などを用いてアモルファスシリコン層501を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
さらに、図5(b)に示すように、当該ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によってパターニングし、島状のシリコン層241,251及び261を形成する。このうちシリコン層241は、表示領域内に形成され、画素電極23に接続されるTFT(画素用TFT)24を構成するものであり、シリコン層251,261は、走査線駆動回路80に含まれるPチャネル型及びNチャネル型のTFT(駆動回路用TFT)をそれぞれ構成するものである。
続いて、図7(j)に示すように、第2層間絶縁層284のうち、画素用TFTのドレイン電極244に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール23aを形成する。
なお、正孔注入/輸送層、発光層をそれぞれインクジェットプロセスにより形成するが、この際、インクジェットヘッドは発光ドット間のピッチにより傾き方向を制御している。すなわち、インクジェットヘッドに形成されているノズルのピッチと、発光ドットのピッチとは必ずしも一致しないため、ヘッドの傾けて配置することにより発光ドットのピッチに合うように調整するのである。
図9(a)は、携帯電話を示す斜視図である。1000は携帯電話本体を示し、そのうちの1001は本発明の表示装置を用いた表示部である。
図9(b)は、腕時計型電子機器を示す図である。1100は時計本体を示す斜視図である。1101は本発明の表示装置を用いた表示部である。
Claims (12)
- 基板上に、表示に寄与する表示領域と、表示に寄与しない非表示領域とを含むとともに、該表示領域及び非表示領域には、隔壁部と該隔壁部により区画形成された凹状区画領域とが所定のマトリクスパターンで配列され、前記表示領域は、前記凹状区画領域の凹状底部に前記基板側から少なくとも第1電極層と、表示若しくは非表示を切り換え可能な物質を含む表示主体層と、第2電極層とを含み、
前記非表示領域は、前記凹状区画領域の凹状底部に前記基板側から少なくとも前記表示主体層と、第2電極層とを含み、
前記基板上には、前記第1電極層に接続され、該第1電極層への通電制御を行うスイッチング手段と、該スイッチング手段に接続され、該スイッチング手段の作動を制御する作動制御手段と、該作動制御手段を駆動させるための駆動制御信号が導通する駆動制御信号導通部とが設けられ、
前記駆動制御信号導通部が、少なくとも前記非表示領域に配置された部分を含み、前記基板を平面視した場合に、前記隔壁部と重畳する部分を含むように配置されていることを特徴とする表示装置。 - 前記基板上には、前記作動制御手段を駆動させるための駆動電流を供給する駆動電圧導通部が設けられ、該駆動電圧導通部及び前記駆動制御信号導通部と前記第2電極層との間には絶縁層が形成され、前記駆動制御信号導通部は前記駆動電圧導通部と比して前記第2電極側から遠い絶縁層領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記非表示領域は、前記基板と前記表示主体層との間に位置する第1電極層を備え、さらに該第1電極層と前記第2電極層との間の導通を遮る遮蔽用絶縁層を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記遮蔽用絶縁層の表層面は、前記隔壁部の表層面と比して相対的に前記表示主体層との親和性が高い材質にて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記基板上には、複数の走査線及び複数のデータ線が交差するように形成されてなり、前記スイッチング手段が該走査線とデータ線との交点に対応して形成されてなり、前記作動制御手段が前記データ線を導通する信号に関する制御を行うデータ制御手段を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記基板上には、複数の走査線及び複数のデータ線が交差するように形成されてなり、前記スイッチング手段が該走査線とデータ線との交点に対応して形成されてなり、前記作動制御手段が前記走査線を導通する信号に関する制御を行う走査制御手段を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記基板上には、複数の検査線が形成されるとともに、前記スイッチング手段が該検査線に接続され、前記作動制御手段が前記検査線を導通する信号に関する制御を行う検査制御手段を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記表示主体層は有機EL物質を具備してなることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の表示装置。
- 隔壁部によって区画形成された複数の凹状領域が形成されてなり、前記複数の凹状領域には、表示領域と前記表示領域に隣接して形成されてなる非表示領域とが形成されてなり、
前記凹状領域には少なくとも発光層が形成されてなり、前記発光層の一方の面側には第1の電極層が形成されてなり、他方の面側には第2の電極層が形成されてなる表示装置であって、
前記第1電極層に接続され、該第1電極層への通電制御を行うスイッチング手段と、該スイッチング手段に接続され、そのスイッチング手段の作動を制御する作動制御手段と、該作動制御手段を駆動させるための駆動電流を供給する駆動電圧導通部とが設けられ、
前記駆動制御信号導通部が、前記隔壁部と平面的に重なるように配置されてなることを特徴とする表示装置。 - 表示領域と、前記表示領域に隣接して形成されてなる非表示領域と、に発光層が形成されてなり、前記発光層の一方の面側には第1の電極層が形成されてなり、他方の面側には第2の電極層が形成なる表示装置であって、
前記第1電極層に接続され、該第1電極層への通電制御を行うスイッチング手段と、該スイッチング手段に接続され、該スイッチング手段の作動を制御する作動制御手段と、該作動制御手段を駆動させるための駆動電流を供給する駆動電圧導通部とが設けられ、
前記駆動制御信号導通部が、少なくとも前記非表示領域と重なるように配置されてなることを特徴とする表示装置。 - 前記表示領域に形成されてなる画素電極と同一材料のパターンが前記非表示領域に形成されてなり、前記駆動制御信号導通部が前記パターンと重ならないように配置されてなることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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---|---|---|---|---|
US6949883B2 (en) * | 2001-12-06 | 2005-09-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
KR100498849B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-07-04 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 전자 기기 |
JP2003264075A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2005013986A (ja) * | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | デバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
KR100544123B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR100552963B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 휘도 불균일이 개선된 평판표시장치 |
JP4285158B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2009-06-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR100663028B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-12-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
JP3951055B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
KR100560452B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치 |
JP2006100325A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR20070067995A (ko) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 평판표시소자의 제조장치 및 그 제조방법 |
KR100814382B1 (ko) | 2006-08-03 | 2008-03-18 | 한국식품연구원 | 기능성 더덕 음료 및 그의 제조방법 |
KR101377715B1 (ko) * | 2006-12-15 | 2014-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US20080284690A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Sam Min Ko | Organic light emitting display device |
KR101839930B1 (ko) | 2010-12-29 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101749161B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2017-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR102114316B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN104678625A (zh) * | 2013-11-28 | 2015-06-03 | 启耀光电股份有限公司 | 矩阵电路基板、显示装置及矩阵电路基板的制造方法 |
TWI681460B (zh) * | 2014-10-31 | 2020-01-01 | 日商Jsr股份有限公司 | 使用親撥材料的薄膜電晶體的製造方法、金氧半導體場效電晶體及其製造方法 |
JP2016115444A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
KR102536628B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2023-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명표시장치 |
KR102649645B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2024-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102614612B1 (ko) * | 2016-10-25 | 2023-12-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통홀을 통해 기판의 앞면과 배면을 연결한 평판 표시장치 |
CN110928018B (zh) * | 2016-12-20 | 2021-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
CN106991990A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-07-28 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US10809839B2 (en) * | 2017-07-19 | 2020-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Touch panel display device |
KR102452251B1 (ko) * | 2017-08-04 | 2022-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102402597B1 (ko) * | 2017-10-20 | 2022-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102577043B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
KR102260284B1 (ko) | 2018-03-30 | 2021-06-03 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치, 그 제조 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1124604A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
WO1999010862A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Seiko Epson Corporation | Afficheur a matrice active |
JP2001318627A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003241686A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3293163B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネル |
JP4046783B2 (ja) | 1995-03-31 | 2008-02-13 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
JP3249077B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2002-01-21 | キヤノン株式会社 | マトリクス基板と液晶装置 |
TW578130B (en) * | 1997-02-17 | 2004-03-01 | Seiko Epson Corp | Display unit |
JP2941247B2 (ja) | 1997-03-17 | 1999-08-25 | キヤノン株式会社 | インク吐出密度設定方法及びカラーフィルタの製造方法及び表示装置の製造方法及び表示装置を備えた装置の製造方法 |
TW398004B (en) * | 1997-03-31 | 2000-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | Flat display panel, its manufacturing method, its controlling device and driving method |
JPH112716A (ja) | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Canon Inc | カラーフィルタ、これを用いた液晶素子及びこれらの製造方法、並びに該製造方法に用いられるインクジェット用インク |
JP3520396B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP3332812B2 (ja) | 1997-07-31 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び表示装置の製造方法及び表示装置を備えた装置の製造方法 |
CN100530760C (zh) | 1998-03-17 | 2009-08-19 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
US6304670B1 (en) | 1998-07-08 | 2001-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Coloration and display of data matrices |
US6394578B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Production process of color filter, liquid crystal display device using the color filter produced by the production process, and ink-jet head |
JP2000148090A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-26 | Stanley Electric Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
US6342321B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of drying resinous composition layer, method of manufacturing color filter substrate using the same drying method, and liquid crystal display device |
JP4075028B2 (ja) | 1999-06-14 | 2008-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、表示装置、および電子機器 |
JP4402202B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型半導体表示装置 |
JP4397463B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2010-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型半導体表示装置 |
US6364450B1 (en) | 1999-08-03 | 2002-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus |
TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
US6580094B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
JP3706012B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2005-10-12 | 三菱電機株式会社 | 面放電ac型プラズマディスプレイパネル用基板、面放電ac型プラズマディスプレイパネル及び面放電ac型プラズマディスプレイ装置 |
JP3988067B2 (ja) | 1999-12-27 | 2007-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置部品の製造方法 |
US7633471B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric appliance |
JP3628997B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
KR100498849B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-07-04 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 전자 기기 |
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JPH1124604A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
WO1999010862A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Seiko Epson Corporation | Afficheur a matrice active |
JP2001318627A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003241686A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器 |
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