JP2013016585A - Multi-wavelength semiconductor laser device - Google Patents

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Kyosuke Kuramoto
恭介 蔵本
Yasuaki Tatsuoka
靖晃 立岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve such a problem that the chip size increases when configuring a three-wavelength semiconductor laser device by arranging a two-wavelength laser consisting of a red laser diode and an infrared laser diode, and a blue-violet laser diode side by side, because the distance between the light-emitting points of two lasers in the two-wavelength laser is limited, and that the manufacturing cost increases when stacking the two-wavelength laser and the blue-violet laser vertically because the assembly process is complicated.SOLUTION: A three-wavelength semiconductor laser device is configured by mounting a blue-violet laser diode and a two-wavelength laser diode, having the light-emitting points formed near the chip end, side by side. This can provide an easy-to-manufacture three-wavelength semiconductor laser device in which three light-emitting points can be brought close to each other.

Description

この発明は、波長の異なる光を放射する複数のレーザダイオードを有する多波長半導体レーザ装置に関するものである。   The present invention relates to a multiwavelength semiconductor laser device having a plurality of laser diodes that emit light having different wavelengths.

ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ）などの光ディスクは、大容量の記録媒体として現在盛んに利用されている。これらの光ディスクの記録・再生に用いられるレーザダイオード（以下、ＬＤという）の発振波長はそれぞれ異なり、ＣＤ用ＬＤの発振波長は７８０ｎｍ帯（赤外）、ＤＶＤ用ＬＤの発振波長は６５０ｎｍ帯（赤色）、ＢＤ用ＬＤの発振波長は４０５ｎｍ帯（青紫色）である。したがって、１つの光ディスク装置でＣＤ、ＤＶＤおよびＢＤの情報を取り扱うためには、赤外、赤色、青紫色の３つの光源が必要となる。   Optical disks such as CDs, DVDs, and BDs (Blu-ray Discs) are currently actively used as large-capacity recording media. Laser diodes (hereinafter referred to as LDs) used for recording / reproduction of these optical discs have different oscillation wavelengths, the CD LD oscillation wavelength is 780 nm band (infrared), and the DVD LD oscillation wavelength is 650 nm band (red). ), The oscillation wavelength of the LD for BD is a 405 nm band (blue-violet). Therefore, in order to handle CD, DVD, and BD information with one optical disk device, three light sources of infrared, red, and blue-violet are required.

波長の異なるＬＤチップを横に並べて多波長半導体レーザ装置を構成する場合、特に赤色ＬＤと赤外ＬＤからなる２波長ＬＤと青紫ＬＤを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長ＬＤの２つのレーザの発光点間の距離に、機器上の制約があるためチップサイズが大きくなる。そのため、従来の多波長半導体レーザ装置として、ヒートシンク上に設置された青紫色ＬＤ上に赤色ＬＤと赤外ＬＤを接着して並置することにより、１つの光ディスク装置でＣＤ、ＤＶＤおよびＢＤの情報を取り扱うことができるようにしたものがある（例えば、特許文献１ 参照）。   When a multi-wavelength semiconductor laser device is configured by horizontally arranging LD chips having different wavelengths, particularly when a three-wavelength semiconductor laser device is configured by horizontally arranging a two-wavelength LD composed of a red LD and an infrared LD and a blue-violet LD. Since the distance between the light emitting points of the two lasers of the LD is limited on the equipment, the chip size is increased. Therefore, as a conventional multi-wavelength semiconductor laser device, information on CD, DVD, and BD can be obtained with one optical disk device by adhering a red LD and an infrared LD in parallel on a blue-violet LD installed on a heat sink. There is one that can be handled (for example, see Patent Document 1).

特開２００６−５９４７１号公報JP 2006-59471 A

しかしながら、特許文献１に記載の多波長レーザ装置においては、赤外ＬＤと赤色ＬＤが青紫色ＬＤ上に接着して配置されているため、赤外ＬＤおよび赤色ＬＤが動作時に発する熱をヒートシンクに効率的に放熱することができないという問題があった。また、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなるという問題があった。   However, in the multi-wavelength laser device described in Patent Document 1, since the infrared LD and the red LD are disposed on the blue-violet LD, the heat generated by the infrared LD and the red LD during operation is used as a heat sink. There was a problem that heat could not be efficiently dissipated. In addition, there is a problem that the assembly process becomes complicated and the manufacturing cost increases.

この発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、チップサイズが小さく光学設計が容易で、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供するものである。   The present invention has been made to solve the above problems, and provides a multi-wavelength semiconductor laser device having a small chip size, easy optical design, and easy manufacture.

この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第１の基板上に第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部とを有する第１のレーザダイオードと、第２の基板上に半導体積層構造が形成され、第３の発振波長の光を出射する第３のレーザ部を有し、前記第３のレーザ部の共振器が前記半導体積層構造の積層方向および共振器方向と垂直な方向における中央線から一端部方向へずれた位置に形成された第２のレーザダイオードと、前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第２のレーザダイオードは前記一端部側で前記第１のレーザダイオードと隣接するようにサブマウント上に実装されていることを特徴とするものである。   A multi-wavelength semiconductor laser device according to the present invention includes a first laser unit that emits light of a first oscillation wavelength and a second laser unit that emits light of a second oscillation wavelength on a first substrate. A first laser diode having a semiconductor multilayer structure formed on a second substrate, and a third laser unit that emits light of a third oscillation wavelength, wherein the resonator of the third laser unit includes: A second laser diode formed at a position shifted from the center line in the stacking direction of the semiconductor stacked structure and the direction perpendicular to the resonator direction toward the one end, the first laser diode and the second laser diode; A submount for mounting is provided, and the second laser diode is mounted on the submount so as to be adjacent to the first laser diode on the one end side.

また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第１のレーザダイオードと前記第２のレーザダイオードは隣接するように前記サブマウント上に実装されており、前記第１のレーザダイオードは共振器側を前記サブマウント側に、前記第２のレーザダイオードは前記第２の基板側を前記サブマウント側にして実装されていることを特徴とするものである。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。   The multi-wavelength semiconductor laser device according to the present invention includes a first laser unit that emits light having a first oscillation wavelength and a second laser that emits light having a second oscillation wavelength on a first substrate. A first laser diode having a laser section; a second laser diode having a semiconductor multilayer structure on a second substrate; and emitting light having a third oscillation wavelength; the first laser diode; The first laser diode and the second laser diode are mounted on the submount so as to be adjacent to each other, and the first laser diode is disposed on the resonator side. Is mounted on the submount side, and the second laser diode is mounted with the second substrate side on the submount side. Other features of the present invention will become apparent below.

この発明によれば、チップサイズが小さく光学設計が容易で、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   According to the present invention, a multi-wavelength semiconductor laser device having a small chip size, easy optical design, and easy manufacture can be obtained.

この発明の一実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略斜視図である。1 is a schematic perspective view showing the structure of a multiwavelength semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. この発明の一実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus which concerns on one embodiment of this invention. この発明の一実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。1 is a schematic side view showing the structure of a multiwavelength semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention. この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the multiwavelength semiconductor laser apparatus based on another embodiment of this invention.

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る多波長半導体レーザ装置の斜視図である。また、図２は本実施の形態１の多波長半導体レーザ装置に搭載される２波長ＬＤと青紫ＬＤの積層構造を示す断面図である。また、図３は本実施の形態１の多波長半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向に対して直交する一方向からみた側面図である。実施の形態における多波長半導体レーザ装置は、金属板材を円板状に成形したステム１０１と、ステム１０１の上面に載置されたブロック１０３と、ブロック１０３を構成する一平面に載置されたサブマウント１０５とを有する。サブマウント１０５上には、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９が搭載される。２波長ＬＤ１０７は、第１の基板２０７上に半導体積層構造を有し、第１のレーザ部として波長７８０ｎｍの赤外レーザ光を出射する赤外レーザ部２０１と、第２のレーザ部として波長６５０ｎｍの赤色レーザ光を出射する赤色レーザ部２０３とがモノリシックに形成されている。裏面には第１の裏面ｎ側電極２０９が形成されている。青紫ＬＤ１０９は、第２の基板２１１上に窒化物系半導体が積層された第３のレーザ部２０５が形成されたもので、波長４０５ｎｍの青紫レーザ光を出射する。裏面には第２の裏面ｎ側電極２１３が形成されている。青紫ＬＤ１０９の共振器１１７は、共振器方向および半導体積層方向と垂直な方向においてチップの中央線２１５からチップの一端部２１７方向へずれた位置に形成されている。ステム１０１を貫通して設けられたリードピン１１１は、２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９とボンディングワイヤ１１３を介して電気的に接続され、接地ピン１１５はステム１０１を貫通し、ステム１０１と電気的に接続されている。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a perspective view of the multiwavelength semiconductor laser device according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a laminated structure of a two-wavelength LD and a blue-violet LD mounted on the multi-wavelength semiconductor laser device of the first embodiment. FIG. 3 is a side view of the multi-wavelength semiconductor laser device according to the first embodiment viewed from one direction orthogonal to the laser beam emission direction. The multiwavelength semiconductor laser device according to the embodiment includes a stem 101 obtained by forming a metal plate into a disk shape, a block 103 placed on the upper surface of the stem 101, and a sub placed on one plane constituting the block 103. And a mount 105. On the submount 105, a two-wavelength LD 107 and a blue-violet LD 109 are mounted. The two-wavelength LD 107 has a semiconductor laminated structure on the first substrate 207, and an infrared laser unit 201 that emits infrared laser light having a wavelength of 780 nm as a first laser unit, and a wavelength of 650 nm as a second laser unit. The red laser part 203 that emits the red laser light is monolithically formed. A first back surface n-side electrode 209 is formed on the back surface. The blue-violet LD 109 has a third laser unit 205 in which a nitride semiconductor is stacked on a second substrate 211, and emits a blue-violet laser beam having a wavelength of 405 nm. A second back surface n-side electrode 213 is formed on the back surface. The resonator 117 of the blue-violet LD 109 is formed at a position displaced from the center line 215 of the chip toward the one end 217 of the chip in the direction perpendicular to the resonator direction and the semiconductor lamination direction. The lead pin 111 provided through the stem 101 is electrically connected to the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 via the bonding wire 113, and the ground pin 115 penetrates the stem 101 and is electrically connected to the stem 101. ing.

ブロック１０３は、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料で形成されており、２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９で発生した熱を効率よく放熱する。   The block 103 is made of a metal material having a high thermal conductivity such as a copper alloy, and efficiently dissipates heat generated by the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109.

ブロック１０３に載置されたサブマウント１０５上に２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９が隣接してはんだ付けされている。青紫ＬＤ１０９は、中央線２１５からずれて共振器が形成された一端部２１７側が２波長ＬＤ１０７と隣接するようにサブマウント１０５上に搭載されている。２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９から放出されるレーザ光は、同一方向に放射されるように配置されている。なお、ブロック１０３、サブマウント１０５、２つのＬＤの設置順は特に限定されない。   A two-wavelength LD 107 and a blue-violet LD 109 are adjacently soldered onto a submount 105 placed on the block 103. The blue-violet LD 109 is mounted on the submount 105 so that the one end 217 side where the resonator is formed deviating from the center line 215 is adjacent to the two-wavelength LD 107. The laser beams emitted from the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 are arranged so as to be emitted in the same direction. The order in which the block 103, the submount 105, and the two LDs are installed is not particularly limited.

リードピン１１１は、絶縁体を介してステム１０１を貫通しており、２波長ＬＤ１０７のｐ側電極３０１および青紫ＬＤ１０９のｐ側電極３０３とボンディングワイヤ１１３で電気的に接続される。   The lead pin 111 penetrates the stem 101 through an insulator, and is electrically connected to the p-side electrode 301 of the two-wavelength LD 107 and the p-side electrode 303 of the blue-violet LD 109 by a bonding wire 113.

接地ピン１１５はステム１０１と溶接で接合されており、ステム１０１を介してブロック１０３およびサブマウント１０５は接地ピン１１５と電気的に接続されている。サブマウント１０５上にはＧＮＤ配線パターン３０５が形成されており、２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９は、ＧＮＤ配線パターン３０５と第１の裏面ｎ側電極２０９および第２のｎ側電極２１３が接続されるようにサブマウント１０５上に配置され、接地ピン１１５と電気的に接続されている。さらにサブマウント１０５上のＧＮＤ配線パターン３０５と接地ピン１１５とはボンディングワイヤ１１３で電気的に接続されている。   The ground pin 115 is joined to the stem 101 by welding, and the block 103 and the submount 105 are electrically connected to the ground pin 115 via the stem 101. A GND wiring pattern 305 is formed on the submount 105, and the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 are connected to the GND wiring pattern 305, the first back surface n-side electrode 209, and the second n-side electrode 213. Are disposed on the submount 105 and electrically connected to the ground pin 115. Further, the GND wiring pattern 305 and the ground pin 115 on the submount 105 are electrically connected by a bonding wire 113.

このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点間の距離の制約を満たした状態でチップサイズが小さい多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   By configuring the multi-wavelength semiconductor laser device in this way, it is possible to obtain a multi-wavelength semiconductor laser device having a small chip size while satisfying the restriction on the distance between the light emitting points of the two lasers of the two-wavelength LD 107.

さらに本実施の形態１では、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの共振器と青紫ＬＤ１０９の共振器１１７は同方向となっており、また、図２に示すように２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３が共振器方向において同一平面上に揃っている。そのため、モニタＰＤの配置などの光学設計を容易にすることができる。また、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９のの間隔を調整することにより、各発光点間の距離を等しくすることも可能である。   Further, in the first embodiment, the resonators of the two lasers of the two-wavelength LD 107 and the resonator 117 of the blue-violet LD 109 are in the same direction, and the two lasers of the two-wavelength LD 107 emit light as shown in FIG. The points 219 and 221 and the light emission point 223 of the blue-violet LD 109 are aligned on the same plane in the resonator direction. Therefore, optical design such as the arrangement of the monitor PD can be facilitated. Further, by adjusting the distance between the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109, the distances between the light emitting points can be made equal.

本実施の形態１によれば、多波長半導体レーザ装置を、２つのレーザの発光点間の距離に制約がある２波長ＬＤと発光点が中央からずれた青紫ＬＤを隣接して載置するように構成したので、各発光点間の距離を等しくすることができる。あるいは、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点間の距離の制約を満たした状態で光学系が小さくなるように設計することが可能な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。また、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの共振器と青紫ＬＤ１０９の共振器は同方向となっており、２波長ＬＤ１０７の２つの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３が共振器方向において同一平面上に揃っているので、光学設計を容易にすることができる。   According to the first embodiment, the multi-wavelength semiconductor laser device is mounted so that the two-wavelength LD having a restriction on the distance between the light emission points of the two lasers and the blue-violet LD whose light emission points are shifted from the center are adjacent to each other. Thus, the distance between the light emitting points can be made equal. Alternatively, it is possible to obtain a multi-wavelength semiconductor laser device that can be designed so that the optical system becomes small in a state where the restriction on the distance between the emission points of the two lasers of the two-wavelength LD 107 is satisfied. In addition, the two laser resonators of the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 have the same direction, and the two light-emitting points 219 and 221 of the two-wavelength LD 107 and the light-emitting point 223 of the blue-violet LD 109 are the same in the resonator direction. Since they are aligned on a plane, optical design can be facilitated.

また本実施の形態１では、サブマウント１０５のＧＮＤ配線パターン３０５と接地ピン１１５とがボンディングワイヤ１１３で電気的に接続されているが、接地ピン１１５とステム１０１とが溶接で接合されており、ステム１０１およびブロック１０３およびサブマウント１０５は電気的に接続されているので、サブマウント１０５上のＧＮＤ配線パターン３０１と接地ピン１１５との間のボンディングワイヤ１１３を省くこともできる。   In the first embodiment, the GND wiring pattern 305 and the ground pin 115 of the submount 105 are electrically connected by the bonding wire 113, but the ground pin 115 and the stem 101 are joined by welding. Since the stem 101, the block 103, and the submount 105 are electrically connected, the bonding wire 113 between the GND wiring pattern 301 and the ground pin 115 on the submount 105 can be omitted.

実施の形態２．
図４は本発明の他の実施の形態２に係る多波長半導体レーザ装置の斜視図である。また、図５は本実施の形態２の多波長半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向に対する側面図である。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 is a perspective view of a multi-wavelength semiconductor laser device according to another embodiment 2 of the present invention. FIG. 5 is a side view of the multi-wavelength semiconductor laser device according to the second embodiment with respect to the laser beam emission direction.

本実施の形態２に係る多波長半導体レーザ装置は、２波長ＬＤ１０７をサブマウント１０５上に積層する際に、２つの発光点２１９、２２１側をサブマウント１０５側に、基板２０７の第１のｎ側電極２０９がサブマウント１０５から離れる方向とするジャンクションダウンで積層している。２波長ＬＤ１０７は発熱量が大きくジャンクションダウンで実装することにより共振器から発生する熱をサブマウント１０５を介して効率的に放熱することが可能となる。放熱の問題が２波長ＬＤ１０７と比較して少ない青紫ＬＤ１０９は組立てが容易なジャンクションアップで実装する。青紫ＬＤ１０９の光軸の水平位置を２波長ＬＤ１０７の各光軸から切り離し、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９の光学設計を分けて行う場合には、青紫ＬＤ１０９の共振器をチップ中央からずれた位置に形成する必要はない。サブマウント１０５上には２波長ＬＤ１０７用の信号パターン５０１と青紫ＬＤ１０９用にＧＮＤパターン５０３が形成されている。サブマウント１０５とサブマウント１０５上の信号パターン５０１とは絶縁膜などで電気的に絶縁されている。本実施の形態２のその他の構成は、実施の形態１と同様である。２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点間の距離および青紫ＬＤ１０９の光学系に制約がある場合には、実施の形態１と同様に青紫ＬＤ１０９の共振器をチップ中央からずれた位置に形成することで外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   In the multi-wavelength semiconductor laser device according to the second embodiment, when the two-wavelength LD 107 is stacked on the submount 105, the two light emitting points 219 and 221 are on the submount 105 side, and the first n of the substrate 207 is first n. The side electrodes 209 are stacked in a junction down direction away from the submount 105. The two-wavelength LD 107 generates a large amount of heat and is mounted in a junction-down manner so that heat generated from the resonator can be efficiently radiated through the submount 105. The blue-violet LD 109, which has less heat dissipation problems than the two-wavelength LD 107, is mounted with a junction-up that is easy to assemble. When the horizontal position of the optical axis of the blue-violet LD 109 is separated from each optical axis of the two-wavelength LD 107 and the optical design of the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 is performed separately, the resonator of the blue-violet LD 109 is formed at a position shifted from the center of the chip. do not have to. On the submount 105, a signal pattern 501 for the two-wavelength LD 107 and a GND pattern 503 for the blue-violet LD 109 are formed. The submount 105 and the signal pattern 501 on the submount 105 are electrically insulated by an insulating film or the like. Other configurations of the second embodiment are the same as those of the first embodiment. When there are restrictions on the distance between the emission points of the two lasers of the two-wavelength LD 107 and the optical system of the blue-violet LD 109, the resonator of the blue-violet LD 109 is formed at a position shifted from the center of the chip as in the first embodiment. Thus, it is possible to reduce the size of the external optical system and to obtain a multiwavelength semiconductor laser device excellent in heat dissipation.

本実施の形態２によれば、多波長半導体レーザ装置を、２波長ＬＤ１０７をジャンクションダウンとし、青紫ＬＤ１０９をジャンクションアップで実装したので、放熱に優れ組立てが容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   According to the second embodiment, since the multi-wavelength semiconductor laser device is mounted with the two-wavelength LD 107 junction-down and the blue-violet LD 109 junction-up, it is possible to obtain a multi-wavelength semiconductor laser device that is excellent in heat dissipation and easy to assemble. it can.

実施の形態３．
図６は本発明の他の実施の形態３の多波長半導体レーザ装置に搭載される２波長ＬＤと青紫ＬＤの積層構造を示す断面図である。本実施の形態３に係る多波長半導体レーザ装置は、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９を実装するサブマウント１０５に段差６０１が形成されており、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９の実装位置が共振器方向に対する鉛直断面上で異なる位置にある。本実施の形態３のその他の構成は、実施の形態２と同様である。また、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３が共振器方向において同一平面上に揃っている。本実施の形態３のその他の構成は、実施の形態２と同様である。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a laminated structure of a two-wavelength LD and a blue-violet LD mounted on a multi-wavelength semiconductor laser device according to another embodiment 3 of the present invention. In the multi-wavelength semiconductor laser device according to the third embodiment, a step 601 is formed on the submount 105 on which the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 are mounted, and the mounting positions of the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 are perpendicular to the resonator direction. It is in a different position on the cross section. Other configurations of the third embodiment are the same as those of the second embodiment. In addition, the emission points 219 and 221 of the two lasers of the two-wavelength LD 107 and the emission point 223 of the blue-violet LD 109 are aligned on the same plane in the resonator direction. Other configurations of the third embodiment are the same as those of the second embodiment.

このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。また、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能で、モニタＰＤの配置などの光学設計を容易にすることができる。   By constructing the multi-wavelength semiconductor laser device in this way, it becomes possible to bring the two laser emission points 219 and 221 of the two-wavelength LD 107 closer to the emission point 223 of the blue-violet LD 109 on the vertical cross section with respect to the resonator direction. Thus, it is possible to reduce the size of the optical system and to obtain a multiwavelength semiconductor laser device excellent in heat dissipation. It is also possible to align the emission points 219 and 221 of the two lasers of the two-wavelength LD 107 and the emission point 223 of the blue-violet LD 109 on the same plane in the resonator direction, thereby facilitating optical design such as the arrangement of the monitor PD. Can do.

実施の形態４．
図７は本発明の他の実施の形態４の多波長半導体レーザ装置に搭載される２波長ＬＤと青紫ＬＤの積層構造を示す断面図である。本実施の形態４に係る多波長半導体レーザ装置は、段差が形成されたサブマウント１０５上に搭載された２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９の一部が、上下に重なり部分７０１を有している。本実施の形態４のその他の構成は、実施の形態２と同様である。 Embodiment 4 FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a laminated structure of a two-wavelength LD and a blue-violet LD mounted on a multi-wavelength semiconductor laser device according to another embodiment 4 of the present invention. In the multiwavelength semiconductor laser device according to the fourth embodiment, a part of the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 mounted on the submount 105 in which the step is formed has an overlapping portion 701 in the vertical direction. Other configurations of the fourth embodiment are the same as those of the second embodiment.

このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   By constructing the multi-wavelength semiconductor laser device in this way, it becomes possible to bring the two laser emission points 219 and 221 of the two-wavelength LD 107 closer to the emission point 223 of the blue-violet LD 109 on the vertical cross section with respect to the resonator direction. Thus, it is possible to reduce the size of the optical system and to obtain a multiwavelength semiconductor laser device excellent in heat dissipation.

実施の形態５．
図８および図９は本発明の他の実施の形態５の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略図である。図８は本実施の形態５の多波長半導体レーザ装置の概略断面図、図９は概略側面図である。本実施の形態５に係る多波長半導体レーザ装置は、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９を実装するサブマウント１０５に第１の平面部８０１と概第１の平面部に対して内角θ１を形成する第１の側面８０３を有する第１の側壁部８０５が形成されている。２波長ＬＤ１０７は第１の平面部８０１に実装され、青紫ＬＤ１０９は第２の基板側が第１の側面８０３と対向するように第１の側壁部８０５に実装されている。第１の平面部８０１および第１の側壁部８０５には信号配線パターン８０７およびＧＮＤ配線パターン８０９が形成されている。本実施の形態５では２波長ＬＤ１０７をジャンクションダウンで実装し、青紫ＬＤ１０９をジャンクションアップで実装しているので、第１の平面部８０１には信号配線パターン８０７を形成し、第１の側壁部８０５にはＧＮＤ配線パターン８０９が形成されている。信号配線パターン８０７およびＧＮＤ配線パターン８０９はボンディングワイヤ１１３によってリードピン１１１あるいは接地ピン１１５と接続されている。本実施の形態５のその他の構成は、実施の形態１と同様である。さらに第１の平面部８０１と第１の側壁部８０５の間に第１の凹部８１１を形成することで、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能となる。本実施の形態５では、第１の側面８０３は、第１の平面部８０１に対して鉛直面としているが、第１の側面８０３は、第１の平面部８０１に対して必ずしも鉛直である必要はなく、内角θ１は９０度以上であってもよい。内角θ１を９０度以上にした場合には内角θ１を９０度とした場合より、青紫ＬＤ１０９へのワイヤボンディングが容易となる。 Embodiment 5 FIG.
8 and 9 are schematic views showing the structure of a multiwavelength semiconductor laser device according to another embodiment 5 of the present invention. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the multi-wavelength semiconductor laser device of the fifth embodiment, and FIG. 9 is a schematic side view. In the multi-wavelength semiconductor laser device according to the fifth embodiment, the first plane portion 801 and the first plane portion having the inner angle θ1 are formed on the submount 105 on which the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 are mounted. The first side wall portion 805 having the side surface 803 is formed. The two-wavelength LD 107 is mounted on the first flat surface portion 801, and the blue-violet LD 109 is mounted on the first side wall portion 805 so that the second substrate side faces the first side surface 803. A signal wiring pattern 807 and a GND wiring pattern 809 are formed on the first plane portion 801 and the first side wall portion 805. In the fifth embodiment, since the two-wavelength LD 107 is mounted with junction-down and the blue-violet LD 109 is mounted with junction-up, a signal wiring pattern 807 is formed on the first plane portion 801, and the first sidewall portion 805 is formed. A GND wiring pattern 809 is formed in the. The signal wiring pattern 807 and the GND wiring pattern 809 are connected to the lead pin 111 or the ground pin 115 by the bonding wire 113. Other configurations of the fifth embodiment are the same as those of the first embodiment. Further, by forming a first recess 811 between the first flat surface portion 801 and the first side wall portion 805, the two laser emission points 219 and 221 of the two-wavelength LD 107 and the emission point 223 of the blue-violet LD 109 resonate. It is also possible to align on the same plane in the vessel direction. In the fifth embodiment, the first side surface 803 is a vertical surface with respect to the first flat surface portion 801, but the first side surface 803 is not necessarily vertical with respect to the first flat surface portion 801. The internal angle θ1 may be 90 degrees or more. When the inner angle θ1 is 90 degrees or more, wire bonding to the blue-violet LD 109 is easier than when the inner angle θ1 is 90 degrees.

このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   By constructing the multi-wavelength semiconductor laser device in this way, it becomes possible to bring the two laser emission points 219 and 221 of the two-wavelength LD 107 closer to the emission point 223 of the blue-violet LD 109 on the vertical cross section with respect to the resonator direction. Thus, it is possible to reduce the size of the optical system and to obtain a multiwavelength semiconductor laser device excellent in heat dissipation.

実施の形態６．
図１０および図１１は本発明の他の実施の形態６の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略図である。図１０は本実施の形態６の多波長半導体レーザ装置の概略断面図、図１１は概略側面図である。本実施の形態６に係る多波長半導体レーザ装置は、サブマウント１０５の第２の平面部１００１と概第２の平面部１００１に対して外角θ２をなす面である第２の側壁部１００３に、それぞれ２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９が実装されている。第２の平面部１００１および第２の側壁部１００３には信号配線パターン１００５が形成されている。本実施の形態５では２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９をジャンクションダウンで実装しているので、第２の平面部１００１および第２の側壁部１００３には信号配線パターン１００５が形成されているが、ジャンクションアップで実装した場合には、その実装部分にＧＮＤ配線パターンが形成される。信号配線パターン１００５はボンディングワイヤ１１３によってリードピン１１１と接続され、２波長ＬＤ１０７の第１の裏面ｎ電極２０９および青紫ＬＤ１０９の第２の裏面ｎ電極２１３がボンディングワイヤ１１３によって接地ピン１１５と接続されている。本実施の形態６のその他の構成は、実施の形態１と同様である。さらに本実施の形態６に係る多波長半導体レーザ装置は、青紫ＬＤ１０９の実装位置を調節することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能となる。 Embodiment 6 FIG.
10 and 11 are schematic views showing the structure of a multiwavelength semiconductor laser device according to another embodiment 6 of the present invention. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the multiwavelength semiconductor laser device of the sixth embodiment, and FIG. 11 is a schematic side view. In the multi-wavelength semiconductor laser device according to the sixth embodiment, the second side wall portion 1003 that is the surface that forms the outer angle θ2 with respect to the second flat surface portion 1001 and the second flat surface portion 1001 of the submount 105, Two-wavelength LD 107 and blue-violet LD 109 are respectively mounted. A signal wiring pattern 1005 is formed on the second plane portion 1001 and the second side wall portion 1003. In the fifth embodiment, since the two-wavelength LD 107 and the blue-violet LD 109 are mounted with junction down, the signal wiring pattern 1005 is formed on the second flat surface portion 1001 and the second side wall portion 1003. In the case of mounting with GND, a GND wiring pattern is formed on the mounting portion. The signal wiring pattern 1005 is connected to the lead pin 111 by the bonding wire 113, and the first back surface n electrode 209 of the two-wavelength LD 107 and the second back surface n electrode 213 of the blue-violet LD 109 are connected to the ground pin 115 by the bonding wire 113. . Other configurations of the sixth embodiment are the same as those of the first embodiment. Furthermore, the multi-wavelength semiconductor laser device according to the sixth embodiment adjusts the mounting position of the blue-violet LD 109 so that the two laser emission points 219 and 221 of the two-wavelength LD 107 and the emission point 223 of the blue-violet LD 109 are in the resonator direction. It is also possible to align them on the same plane.

このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   By constructing the multi-wavelength semiconductor laser device in this way, it becomes possible to bring the two laser emission points 219 and 221 of the two-wavelength LD 107 closer to the emission point 223 of the blue-violet LD 109 on the vertical cross section with respect to the resonator direction. Thus, it is possible to reduce the size of the optical system and to obtain a multiwavelength semiconductor laser device excellent in heat dissipation.

実施の形態７．
図１２は本発明の他の実施の形態７の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。本実施の形態７に係る多波長半導体レーザ装置は、サブマウント１０５の第２の側壁部１００３に、第２の凹部１２０１が形成されている。この第２の凹部１２０１は、第２の凹部１２０１を形成する凹部側面１２０３と青紫ＬＤ１０９からの光との間に所定の間隔を有するように形成されている。この第２の凹部１２０１によって青紫ＬＤ１０９からの光とサブマウント１０５とが所定の間隔を有して分離されており、サブマウント１０５上の実装位置によって青紫ＬＤ１０９からの光にサブマウント１０５が与える影響を小さくすることが可能となる。本実施の形態７のその他の構成は、実施の形態６と同様である。 Embodiment 7 FIG.
FIG. 12 is a schematic sectional view showing the structure of a multiwavelength semiconductor laser device according to another embodiment 7 of the present invention. In the multi-wavelength semiconductor laser device according to the seventh embodiment, the second recess 1201 is formed in the second side wall portion 1003 of the submount 105. The second recess 1201 is formed to have a predetermined distance between the recess side surface 1203 that forms the second recess 1201 and the light from the blue-violet LD 109. The light from the blue-violet LD 109 and the submount 105 are separated from each other by the second recess 1201 at a predetermined interval, and the effect of the submount 105 on the light from the blue-violet LD 109 is determined depending on the mounting position on the submount 105. Can be reduced. Other configurations of the seventh embodiment are the same as those of the sixth embodiment.

このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、さらにサブマウント１０５が光に与える影響を小さくし、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。   By configuring the multi-wavelength semiconductor laser device in this way, it becomes possible to bring the light emission points 219 and 221 of the two lasers of the two-wavelength LD 107 close to the light emission point 223 of the blue-violet LD 109 on the vertical section with respect to the resonator direction. It is possible to reduce the influence of the submount 105 on the light, reduce the size of the external optical system, and obtain a multiwavelength semiconductor laser device excellent in heat dissipation.

本明細書の各実施の形態では、赤外レーザおよび赤色レーザの２波長ＬＤと青紫ＬＤを搭載することで多波長半導体レーザ装置を構成したが、各レーザの波長はこれに限定されない。例えば赤色、緑色、青色の三つの波長のレーザを組み合わせて本発明の多波長半導体レーザ装置を構成してもよい。   In each embodiment of the present specification, a multi-wavelength semiconductor laser device is configured by mounting a two-wavelength LD of an infrared laser and a red laser and a blue-violet LD, but the wavelength of each laser is not limited to this. For example, the multi-wavelength semiconductor laser device of the present invention may be configured by combining lasers with three wavelengths of red, green, and blue.

なお、図面および明細書では本発明の典型的な好ましい実施形態を開示しており、特定の用語を使用しているが、それらは一般的かつ記述的な意味合いでのみ使用しており、本明細書に記載の特許請求の範囲を限定することを目的とするものではないことは言うまでもない。   While the drawings and specification disclose typical preferred embodiments of the invention and use specific terminology, they are used in a general and descriptive sense only, and It goes without saying that it is not intended to limit the scope of the claims described in the book.

１０５ サブマウント
１０７ ２波長ＬＤ
１０９ 青紫ＬＤ
１１７ 共振器
２０１ 第１のレーザ部
２０３ 第２のレーザ部
２０５ 第３のレーザ部
２０７ 第１の基板
２１１ 第２の基板
２１５ 中央線
２１７ 一端部
２１９、２２１、２２３ 発光点
６０１ 段差
７０１ 重なり部分
８０１ 第１の平面部
８０３ 第１の側面
８０５ 第１の側壁部
１００１ 第２の平面部
１００３ 第２の側壁部
１２０１ 第２の凹部
１２０３ 凹部側面 105 Submount 107 Two-wavelength LD
109 Blue-violet LD
117 Resonator 201 First Laser Part 203 Second Laser Part 205 Third Laser Part 207 First Substrate 211 Second Substrate 215 Center Line 217 One End Part 219, 221, 223 Light Emitting Point 601 Step 701 Overlapping Part 801 First flat surface portion 803 First side surface 805 First side wall portion 1001 Second flat surface portion 1003 Second side wall portion 1201 Second concave portion 1203 Concave side surface

Claims (10)

第１の基板上に第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部とを有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造が形成され、第３の発振波長の光を出射する第３のレーザ部を有し、前記第３のレーザ部の共振器が前記半導体積層構造の積層方向および共振器方向と垂直な方向における中央線から一端部方向へずれた位置に形成された第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記第２のレーザダイオードは前記一端部側で前記第１のレーザダイオードと隣接するようにサブマウント上に実装されていることを特徴とする多波長半導レーザ装置。 A first laser diode having a first laser part that emits light of a first oscillation wavelength and a second laser part that emits light of a second oscillation wavelength on a first substrate;
A semiconductor multilayer structure is formed on the second substrate, and has a third laser part that emits light having a third oscillation wavelength. The resonator of the third laser part has a stacking direction of the semiconductor multilayer structure and A second laser diode formed at a position shifted from the center line in the direction perpendicular to the resonator direction toward the one end;
A submount for mounting the first laser diode and the second laser diode;
The multi-wavelength semiconductor laser device, wherein the second laser diode is mounted on a submount so as to be adjacent to the first laser diode on the one end side. 第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記第１のレーザダイオードと前記第２のレーザダイオードは隣接するように前記サブマウント上に実装されており、
前記第１のレーザダイオードは共振器側を前記サブマウント側に、前記第２のレーザダイオードは前記第２の基板側を前記サブマウント側にして実装されていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。 A first laser diode having a first laser part that emits light of a first oscillation wavelength and a second laser part that emits light of a second oscillation wavelength on a first substrate;
A second laser diode having a semiconductor multilayer structure on the second substrate and emitting light of a third oscillation wavelength;
A submount for mounting the first laser diode and the second laser diode;
The first laser diode and the second laser diode are mounted on the submount so as to be adjacent to each other,
The multi-wavelength semiconductor laser wherein the first laser diode is mounted with the resonator side on the submount side, and the second laser diode is mounted with the second substrate side on the submount side. apparatus. 前記サブマウントに段差が形成されており、第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードの実装位置が共振器方向に対する鉛直断面上で異なる位置にあることを特徴とする請求項２に記載の多波長半導体レーザ装置。   The multi-step according to claim 2, wherein a step is formed in the submount, and the mounting positions of the first laser diode and the second laser diode are different positions on a vertical section with respect to the resonator direction. Wavelength semiconductor laser device. 前記第１のレーザダイオードのレーザ光軸と前記第２のレーザダイオードのレーザ光軸が共振器方向の一平面上に揃っていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。   A multi-wavelength semiconductor laser device, wherein a laser optical axis of the first laser diode and a laser optical axis of the second laser diode are aligned on one plane in a cavity direction. 前記第１のレーザダイオードの一部分と前記第２のレーザダイオードの一部分が共振器方向に対する鉛直断面上で重なっていることを特徴とする請求項３に記載の多波長半導体レーザ装置。   4. The multiwavelength semiconductor laser device according to claim 3, wherein a part of the first laser diode and a part of the second laser diode overlap each other on a vertical section with respect to a cavity direction. 第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記サブマウントが第１の平面部と概第１の平面部に対して内角を形成する第１の側面を有する第１の側壁部を有し、
前記第１のレーザダイオードを前記第１の平面部に実装し、前記第２のレーザダイオードを、前記第２の基板側が前記第１の側面と対向するように前記第１の側壁部に実装していることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。 A first laser diode having a first laser part that emits light of a first oscillation wavelength and a second laser part that emits light of a second oscillation wavelength on a first substrate;
A second laser diode having a semiconductor multilayer structure on the second substrate and emitting light of a third oscillation wavelength;
A submount for mounting the first laser diode and the second laser diode;
The submount has a first side wall portion having a first side surface and a first side surface forming an internal angle with respect to the first flat surface portion and the first flat surface portion;
The first laser diode is mounted on the first plane portion, and the second laser diode is mounted on the first side wall portion so that the second substrate side faces the first side surface. A multi-wavelength semiconductor laser device. 第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記サブマウントが第２の平面部と概第２の平面部に対して外角を形成する第２の側面面を有する第２の側壁部を有し、
前記第１のレーザダイオードを前記第２の平面部に実装し、前記第２のレーザダイオードを、共振器側が前記第２の側面と対向するように前記第２の側壁部に実装していることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。 A first laser diode having a first laser part that emits light of a first oscillation wavelength and a second laser part that emits light of a second oscillation wavelength on a first substrate;
A second laser diode having a semiconductor multilayer structure on the second substrate and emitting light of a third oscillation wavelength;
A submount for mounting the first laser diode and the second laser diode;
The submount has a second side wall portion having a second side surface and an outer angle with respect to the second flat surface portion and the second flat surface portion;
The first laser diode is mounted on the second plane portion, and the second laser diode is mounted on the second side wall portion so that the resonator side faces the second side surface. A multi-wavelength semiconductor laser device. 前記サブマウントの前記第２の側壁部に凹部を有し、前記第２のレーザダイオードからの光が前記凹部を形成する側面との間に所定の間隔を有することを特徴とする請求項７に記載の多波長半導体レーザ装置。   The second side wall portion of the submount has a recess, and the light from the second laser diode has a predetermined distance from a side surface forming the recess. The multi-wavelength semiconductor laser device described. 前記凹部が溝状であることを特徴とする請求項８に記載の多波長半導体レーザ装置。   9. The multiwavelength semiconductor laser device according to claim 8, wherein the concave portion has a groove shape. 前記第２のレーザダイオードの共振器が端部近傍に形成されていることを特徴とする請求項２から９のいずれか１項に記載の多波長半導体レーザ装置。   10. The multiwavelength semiconductor laser device according to claim 2, wherein the resonator of the second laser diode is formed in the vicinity of an end portion. 10.
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