JP2013015478A - Physical quantity sensor and electronic apparatus - Google Patents

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JP2013015478A JP2011149801A JP2011149801A JP2013015478A JP 2013015478 A JP2013015478 A JP 2013015478A JP 2011149801 A JP2011149801 A JP 2011149801A JP 2011149801 A JP2011149801 A JP 2011149801A JP 2013015478 A JP2013015478 A JP 2013015478A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a physical quantity sensor capable of reducing in size and enhancing detection accuracy.SOLUTION: A physical quantity sensor 1 comprises: a base substrate 2; fixing portions 31 and 32 disposed on a first principal surface 2a of the base substrate 2; connecting portions 34 and 35; a movable portion 33; movable electrode fingers 361 through 365 disposed at the movable portion 33; and fixed electrode fingers 381 through 388 that are disposed on the first principal surface 2a of the base substrate 2 and are arranged opposite to the movable electrode fingers 361 through 365. The fixed electrode fingers 381 through 388 are constituted of first fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 disposed at one side of the movable electrode fingers 361 through 365 and of second fixed electrode fingers 381, 383, 385 and 387 disposed at other side thereof. The first fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 are connected to wiring 41 disposed on the first principal surface 2a of the base substrate 2, and the second fixed electrode fingers 381, 383, 385 and 387 are connected to wiring 42 disposed on a second principal surface 2b of the base substrate 2 through a through electrode 471.

Description

本発明は、物理量センサー及び物理量センサーを備えた電子機器に関する。   The present invention relates to a physical quantity sensor and an electronic device including the physical quantity sensor.

従来、物理量センサーとして、半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画され、当該空洞の下に位置するベースプレート部と、空洞および半導体基板に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞および溝の横に位置する枠部と、空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、力学量（例えば、加速度）により変位する可動電極を有する梁構造体と、空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサー（以下、物理量センサーという）が知られている（特許文献１参照）。   Conventionally, as a physical quantity sensor, it is defined by a laterally extending cavity formed in a semiconductor substrate, and is partitioned by a base plate portion located under the cavity and a longitudinally extending groove formed in the cavity and the semiconductor substrate. A frame structure positioned beside the frame, a beam structure defined by a cavity and a groove, having a movable electrode positioned on the cavity, extending from the frame section, and displaced by a mechanical quantity (for example, acceleration), and a cavity And a semiconductor dynamic quantity sensor (hereinafter referred to as a physical quantity sensor) provided with a fixed electrode that is defined by a groove, is positioned above the cavity, extends from the frame, and is disposed opposite to the movable electrode of the beam structure. Is known (see Patent Document 1).

特開２０００−２８６４３０号公報JP 2000-286430 A

特許文献１によれば、上記物理量センサーは、容量変化検出型であって、第１の固定電極からの配線（以下、第１配線という）及び第２の固定電極からの配線（以下、第２配線という）が、半導体基板の一方の面に設けられ、第１の固定電極及び第２の固定電極の電位を外部に取り出すことが可能な構成となっている。
しかしながら、上記物理量センサーは、半導体基板の一方の面に第１配線と第２配線とを共に配置するための所定のスペースが必要であることから、更なる小型化が阻害される虞がある。 According to Patent Document 1, the physical quantity sensor is a capacitance change detection type, and includes a wiring from a first fixed electrode (hereinafter referred to as a first wiring) and a wiring from a second fixed electrode (hereinafter referred to as a second wiring). Wiring) is provided on one surface of the semiconductor substrate, and the potential of the first fixed electrode and the second fixed electrode can be taken out to the outside.
However, since the physical quantity sensor requires a predetermined space for arranging the first wiring and the second wiring on one surface of the semiconductor substrate, there is a possibility that further miniaturization may be hindered.

また、上記物理量センサーは、省スペース上、第１配線と第２配線とを互いに近接して設ける必要があることから、第１配線と第２配線との間の寄生容量（浮遊容量）が増大する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、検出した本来の容量（静電容量）に、増大した寄生容量が付加されてしまうことから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度が劣化する虞がある。
また、上記物理量センサーは、第１配線と第２配線とが互いに近接して設けられていることから、例えば、第１配線と第２配線とに跨る異物などを介して、第１配線と第２配線とが短絡する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、信頼性を損なう虞がある。 In addition, since the physical quantity sensor needs to provide the first wiring and the second wiring close to each other in order to save space, the parasitic capacitance (floating capacitance) between the first wiring and the second wiring is increased. There is a risk.
As a result, the physical quantity sensor adds an increased parasitic capacitance to the detected original capacitance (capacitance), so that the detection accuracy as a capacitance change detection type physical quantity sensor may be deteriorated.
In the physical quantity sensor, since the first wiring and the second wiring are provided close to each other, for example, the first wiring and the second wiring are connected via a foreign substance straddling the first wiring and the second wiring. There is a possibility that the two wires are short-circuited.
As a result, the physical quantity sensor may impair reliability.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例にかかる物理量センサーは、基板と、前記基板の第１主面に設けられた固定部と、前記固定部に連結部を介して変位可能に連結された可動部と、前記可動部に設けられた可動電極指と、前記基板の前記第１主面に設けられ、且つ、前記可動電極指に対向して配置された固定電極指と、を備え、前記固定電極指は、前記可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指と、他方の側に配置された第２固定電極指と、を有し、前記第１固定電極指は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１配線に接続され、前記第２固定電極指は、前記基板の内部に設けられた内部電極を介して、基板内部または前記第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されたことを特徴とする。   Application Example 1 A physical quantity sensor according to this application example includes a substrate, a fixed portion provided on the first main surface of the substrate, and a movable portion connected to the fixed portion via a connecting portion so as to be displaceable. A movable electrode finger provided on the movable portion; and a fixed electrode finger provided on the first main surface of the substrate and disposed opposite to the movable electrode finger. Has a first fixed electrode finger arranged on one side of the movable electrode finger and a second fixed electrode finger arranged on the other side, and the first fixed electrode finger is formed on the substrate. The second fixed electrode finger is connected to a first wiring provided on the first main surface, and the second fixed electrode finger is disposed inside the substrate or on the opposite side of the first main surface via an internal electrode provided inside the substrate. It is connected to a second wiring provided on the second main surface.

これによれば、物理量センサーは、固定電極指が、可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指（第１の固定電極に相当）と、他方の側に配置された第２固定電極指（第２の固定電極に相当）と、を有し、第１固定電極指が基板の第１主面に設けられた第１配線に接続され、第２固定電極指が内部電極を介して、例えば、第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されている。
これにより、物理量センサーは、第１配線と第２配線とがそれぞれ異なる面（第１主面及び第２主面）に設けられたことから、第１配線と第２配線とが共に同じ面に設けられた従来構成と比較して、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。 According to this, in the physical quantity sensor, the fixed electrode finger includes a first fixed electrode finger (corresponding to the first fixed electrode) arranged on one side of the movable electrode finger and a second electrode arranged on the other side. A fixed electrode finger (corresponding to a second fixed electrode), the first fixed electrode finger is connected to a first wiring provided on the first main surface of the substrate, and the second fixed electrode finger is an internal electrode For example, it is connected to the second wiring provided on the second main surface opposite to the first main surface.
Thus, in the physical quantity sensor, since the first wiring and the second wiring are provided on different surfaces (first main surface and second main surface), both the first wiring and the second wiring are on the same surface. Compared with the conventional configuration provided, space efficiency is improved, and further miniaturization can be achieved.

また、物理量センサーは、第１配線が第１主面に、第２配線が第２主面に設けられたことから、第１配線と第２配線とを互いに近接させずに配置することができる。
これにより、物理量センサーは、第１配線と第２配線との間の寄生容量を低減できることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。 Further, since the physical quantity sensor is provided with the first wiring on the first main surface and the second wiring on the second main surface, the first wiring and the second wiring can be arranged without being close to each other. .
As a result, the physical quantity sensor can reduce the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring, so that it is possible to improve the detection accuracy as a capacitance change detection type physical quantity sensor.

加えて、物理量センサーは、第１配線が第１主面に、第２配線が第２主面に設けられたことから、例えば、第１配線と第２配線とに跨る異物などを介しての第１配線と第２配線との短絡を回避できる。
これにより、物理量センサーは、信頼性を向上させることができる。 In addition, since the first wiring is provided on the first main surface and the second wiring is provided on the second main surface, the physical quantity sensor has, for example, a foreign substance straddling the first wiring and the second wiring. A short circuit between the first wiring and the second wiring can be avoided.
Thereby, the physical quantity sensor can improve the reliability.

［適用例２］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることが好ましい。   Application Example 2 In the physical quantity sensor according to the application example described above, it is preferable that at least a part of the first wiring and the second wiring overlap each other in plan view.

これによれば、物理量センサーは、第１配線及び第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることから、第１配線及び第２配線の長さを略等しくすることができる。
この結果、物理量センサーは、第１配線及び第２配線のそれぞれの寄生容量を略等しくすることができることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。 According to this, the physical quantity sensor can make the lengths of the first wiring and the second wiring substantially equal because at least a part of the first wiring and the second wiring overlap each other in plan view. .
As a result, since the physical quantity sensor can make the parasitic capacitances of the first wiring and the second wiring substantially equal, it is possible to improve the detection accuracy as a capacitance change detection type physical quantity sensor.

［適用例３］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記第１配線の一端部は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１接続端子と接続され、前記第２配線の一端部は、前記基板の前記第２主面に設けられた第２接続端子と接続され、平面視において、前記第１接続端子と前記第２接続端子とが互いに重なっていることが好ましい。   Application Example 3 In the physical quantity sensor according to the application example, one end portion of the first wiring is connected to a first connection terminal provided on the first main surface of the substrate, and one end portion of the second wiring. Is connected to a second connection terminal provided on the second main surface of the substrate, and the first connection terminal and the second connection terminal preferably overlap each other in plan view.

これによれば、物理量センサーは、平面視において、第１接続端子と第２接続端子とが互いに重なっていることから、外部への接続スペースの縮小化を図ることができる。
この結果、物理量センサーは、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
加えて、物理量センサーは、平面視において、第１接続端子と第２接続端子とが互いに重なっていることから、例えば、第１接続端子を外部部材へ接続する際に、直下の第２接続端子の固定により、第１接続端子へのワイヤーボンディングを、ワイヤーボンディング時の力の分散が抑制された状態で容易に行うことができる。 According to this, since the first connection terminal and the second connection terminal overlap each other in plan view, the physical quantity sensor can reduce the connection space to the outside.
As a result, the physical quantity sensor has improved space efficiency and can be further reduced in size.
In addition, in the physical quantity sensor, since the first connection terminal and the second connection terminal overlap each other in plan view, for example, when connecting the first connection terminal to the external member, the second connection terminal directly below By fixing, the wire bonding to the first connection terminal can be easily performed in a state where the dispersion of force during the wire bonding is suppressed.

［適用例４］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板の前記第１主面には、第１凹部が設けられ、該第１凹部内に前記第１配線が設けられたことが好ましい。   Application Example 4 In the physical quantity sensor according to the application example described above, it is preferable that a first recess is provided on the first main surface of the substrate, and the first wiring is provided in the first recess.

これによれば、物理量センサーは、基板の第１主面に第１凹部が設けられ、第１凹部内に第１配線が設けられたことから、第１配線の第１主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、第１配線と非接続部材（例えば、第２固定電極指）との短絡を回避することが可能となる。 According to this, in the physical quantity sensor, the first recess is provided in the first main surface of the substrate, and the first wiring is provided in the first recess, so that the first wiring protrudes from the first main surface. It can be avoided.
As a result, the physical quantity sensor can avoid a short circuit between the first wiring and the non-connecting member (for example, the second fixed electrode finger).

［適用例５］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板の前記第２主面には、第２凹部が設けられ、該第２凹部内に前記第２配線が設けられたことが好ましい。   Application Example 5 In the physical quantity sensor according to the application example described above, it is preferable that a second recess is provided on the second main surface of the substrate, and the second wiring is provided in the second recess.

これによれば、物理量センサーは、基板の第２主面に第２凹部が設けられ、第２凹部内に第２配線が設けられたことから、第２配線の第２主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、第２配線と外部の非接続部材との短絡を回避することが可能となる。 According to this, in the physical quantity sensor, the second concave portion is provided on the second main surface of the substrate, and the second wiring is provided in the second concave portion, so that the second wiring protrudes from the second main surface. It can be avoided.
As a result, the physical quantity sensor can avoid a short circuit between the second wiring and the external non-connection member.

［適用例６］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁性を有する材料で構成され、前記固定電極指は、半導体材料で構成されたことが好ましい。   Application Example 6 In the physical quantity sensor according to the application example described above, it is preferable that the substrate is made of an insulating material, and the fixed electrode finger is made of a semiconductor material.

これによれば、物理量センサーは、基板が絶縁性を有する材料で構成され、固定電極指が半導体材料で構成されたことから、基板と固定電極指との絶縁分離を確実に行うことができる。   According to this, since the substrate is made of an insulating material and the fixed electrode finger is made of a semiconductor material, the substrate and the fixed electrode finger can be reliably insulated from each other.

［適用例７］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例１ないし適用例６のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする。   Application Example 7 An electronic apparatus according to this application example includes the physical quantity sensor described in any one of Application Examples 1 to 6.

これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例１ないし適用例６のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことから、上記適用例のいずれかに記載された効果を奏する電子機器を提供できる。   According to this, since the electronic apparatus of this configuration includes the physical quantity sensor described in any one of the application examples 1 to 6, the electronic apparatus that exhibits the effects described in any of the application examples. Can provide.

本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図。FIG. 2 is a schematic plan view showing a schematic configuration of a physical quantity sensor of the present embodiment. 図１のＡ−Ａ線での模式断面図。The schematic cross section in the AA of FIG. 図１のＢ−Ｂ線での模式断面図。The schematic cross section in the BB line of FIG. 図１のＣ−Ｃ線での模式断面図。The schematic cross section in the CC line | wire of FIG. 図２の要部拡大図。The principal part enlarged view of FIG. 図３の要部拡大図。The principal part enlarged view of FIG. （ａ）〜（ｅ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。(A)-(e) is a schematic cross section explaining the manufacturing process of a physical quantity sensor. （ａ）〜（ｃ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。(A)-(c) is a schematic cross section explaining the manufacturing process of a physical quantity sensor. （ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。(A)-(d) is a schematic cross section explaining the manufacturing process of a physical quantity sensor. 変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows schematic structure of the physical quantity sensor of a modification. 物理量センサーを用いた電子機器（ノート型パーソナルコンピューター）の斜視図。The perspective view of the electronic device (notebook type personal computer) using a physical quantity sensor. 物理量センサーを用いた電子機器（携帯電話機）の斜視図。The perspective view of the electronic device (cellular phone) using a physical quantity sensor. 物理量センサーを用いた電子機器（ディジタルスチルカメラ）の斜視図。The perspective view of the electronic device (digital still camera) using a physical quantity sensor.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.

（実施形態）
最初に、本実施形態にかかる、例えば、加速度や角速度などの物理量を検出する容量変化検出型の物理量センサーの構成について説明する。
図１は、本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での模式断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線での模式断面図であり、図４は、図１のＣ−Ｃ線での模式断面図である。また、図５は、図２の要部拡大図であり、図６は、図３の要部拡大図である。
なお、説明の便宜上、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図１では、蓋部材を２点鎖線にて記載してある。 (Embodiment)
First, a configuration of a capacitance change detection type physical quantity sensor according to the present embodiment that detects a physical quantity such as acceleration or angular velocity will be described.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a schematic configuration of the physical quantity sensor of the present embodiment, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 1. 5 is an enlarged view of the main part of FIG. 2, and FIG. 6 is an enlarged view of the main part of FIG.
For convenience of explanation, the dimensional ratio of each component is different from the actual one. In FIG. 1, the lid member is indicated by a two-dot chain line.

なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」という。また、図１〜図４では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「Ｚ軸方向」という。   In the following, for convenience of explanation, the front side of the paper in FIG. 1 is referred to as “upper”, the rear side of the paper is referred to as “lower”, the right side is referred to as “right”, and the left side is referred to as “left”. 1 to 4 show an X axis, a Y axis, and a Z axis as three axes orthogonal to each other. In the following, the direction parallel to the X axis (left-right direction) is the “X-axis direction”, the direction parallel to the Y-axis is “Y-axis direction”, and the direction parallel to the Z-axis (vertical direction) is “Z-axis direction”. "

図１〜図４に示すように、物理量センサー１は、基板としてのベース基板２と、ベース基板２に支持されたセンサー素子３と、センサー素子３を覆うように設けられた蓋部材５と、を備えている。   As shown in FIGS. 1 to 4, the physical quantity sensor 1 includes a base substrate 2 as a substrate, a sensor element 3 supported by the base substrate 2, a lid member 5 provided so as to cover the sensor element 3, It has.

ベース基板２は、センサー素子３を支持する機能を有する。
ベース基板２は、板状をなし、その上面である第１主面２ａには、凹部２１が設けられている。この凹部２１は、ベース基板２を平面視したときに、後述するセンサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５が収まるように形成されている。
凹部２１は、センサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５がベース基板２に接触することを回避する逃げ部を構成する。これにより、ベース基板２は、センサー素子３の可動部３３の変位を許容することができる。
なお、この逃げ部は、凹部２１に代えて、ベース基板２をその厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔であってもよい。また、本実施形態では、凹部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。 The base substrate 2 has a function of supporting the sensor element 3.
The base substrate 2 has a plate shape, and a concave portion 21 is provided on the first main surface 2a which is the upper surface thereof. The concave portion 21 is formed to accommodate a movable portion 33, movable electrode portions 36 and 37, and connecting portions 34 and 35 of the sensor element 3 described later when the base substrate 2 is viewed in plan.
The concave portion 21 constitutes an escape portion that prevents the movable portion 33, the movable electrode portions 36 and 37, and the connecting portions 34 and 35 of the sensor element 3 from contacting the base substrate 2. Thereby, the base substrate 2 can allow the displacement of the movable portion 33 of the sensor element 3.
The escape portion may be a through-hole that penetrates the base substrate 2 in the thickness direction (Z-axis direction) instead of the recess 21. In the present embodiment, the shape of the recess 21 in plan view is a quadrangle (specifically, a rectangle), but is not limited thereto.

また、ベース基板２の第１主面２ａには、前述した凹部２１の外側に、その外周に沿って、第１凹部としての凹部２２が設けられている。凹部２２の一端部側は、ベース基板２の外周部まで延びている。
また、ベース基板２の第１主面２ａには、凹部２４が凹部２１の左側縁部近傍から凹部２２に沿ってベース基板２の外周部まで設けられている。
一方、ベース基板２の第１主面２ａの反対側の第２主面２ｂには、平面視において、凹部２２と殆どの部分が重なるように、第２凹部としての凹部２３が設けられている。
この凹部２２〜２４は、平面視で配線に対応した形状をなしている。具体的には、凹部２２は、後述する第１配線としての配線４１及び第１接続端子としての電極４４に対応した形状をなし、凹部２３は、後述する第２配線としての配線４２及び第２接続端子としての電極４５に対応した形状をなし、凹部２４は、後述する配線４３及び電極４６に対応した形状をなしている。 Further, the first main surface 2a of the base substrate 2 is provided with a recess 22 as a first recess along the outer periphery of the recess 21 described above. One end of the recess 22 extends to the outer periphery of the base substrate 2.
Further, a recess 24 is provided on the first main surface 2 a of the base substrate 2 from the vicinity of the left edge of the recess 21 to the outer periphery of the base substrate 2 along the recess 22.
On the other hand, the second main surface 2b opposite to the first main surface 2a of the base substrate 2 is provided with a concave portion 23 as a second concave portion so as to overlap most of the concave portion 22 in plan view. .
The recesses 22 to 24 have a shape corresponding to the wiring in a plan view. Specifically, the recess 22 has a shape corresponding to a wiring 41 as a first wiring to be described later and an electrode 44 as a first connection terminal, and the recess 23 has a wiring 42 and a second wiring as a second wiring to be described later. The shape corresponding to the electrode 45 as a connection terminal is formed, and the recess 24 has a shape corresponding to a wiring 43 and an electrode 46 described later.

ここで、凹部２２〜２４の深さ寸法は、それぞれ配線４１〜４３の厚さ寸法よりも大きくなっている。
また、凹部２２〜２４の電極４４〜４６が設けられた部位の深さは、それぞれ配線４１〜４３が設けられた部位よりも深くなっている。
このように凹部２２〜２４の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー１の製造時において、電極４４〜４６と、後にセンサー素子３となるセンサー基板との接合や外部部材との接触を回避することができる。 Here, the depth dimensions of the recesses 22 to 24 are larger than the thickness dimensions of the wirings 41 to 43, respectively.
Moreover, the depth of the site | part provided with the electrodes 44-46 of the recessed parts 22-24 is deeper than the site | part in which the wiring 41-43 was each provided.
In this way, by deepening a part of the recesses 22 to 24, when manufacturing the physical quantity sensor 1 to be described later, the electrodes 44 to 46 are joined to the sensor substrate that will later become the sensor element 3, Can be avoided.

ベース基板２の構成材料としては、具体的には、絶縁性を有する、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いるのが好ましく、特に、センサー素子３がシリコン材料を主材料としたシリコン基板で構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。
これにより、物理量センサー１は、ベース基板２（ガラス基板）とセンサー素子３（シリコン基板）とを陽極接合することができる。 Specifically, as the constituent material of the base substrate 2, it is preferable to use an insulating, high-resistance silicon material or glass material. In particular, the sensor element 3 is composed of a silicon substrate whose main material is a silicon material. In this case, it is preferable to use a glass material containing alkali metal ions (mobile ions) (for example, borosilicate glass such as Pyrex (registered trademark) glass).
Thereby, the physical quantity sensor 1 can anodically bond the base substrate 2 (glass substrate) and the sensor element 3 (silicon substrate).

また、ベース基板２の構成材料は、センサー素子３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、ベース基板２の構成材料とセンサー素子３の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、ベース基板２とセンサー素子３との接合時などにおいて、高温下にさらされても、ベース基板２とセンサー素子３との間の残留応力（熱応力）を低減することができる。   Further, it is preferable that the constituent material of the base substrate 2 has as little difference in thermal expansion coefficient as that of the constituent material of the sensor element 3. Specifically, the heat between the constituent material of the base substrate 2 and the constituent material of the sensor element 3 is preferable. The difference in expansion coefficient is preferably 3 ppm / ° C. or less. As a result, the physical quantity sensor 1 reduces the residual stress (thermal stress) between the base substrate 2 and the sensor element 3 even when exposed to a high temperature, such as when the base substrate 2 and the sensor element 3 are joined. be able to.

センサー素子３は、固定部３１，３２と、可動部３３と、連結部３４，３５と、可動電極部３６，３７と、固定電極部３８，３９と、を備えている。
センサー素子３は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動部３３及び可動電極部３６，３７が、連結部３４，３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の隙間、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。
すなわち、物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の静電容量、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー１は、これらの静電容量の変化に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することできる。 The sensor element 3 includes fixed portions 31 and 32, a movable portion 33, connecting portions 34 and 35, movable electrode portions 36 and 37, and fixed electrode portions 38 and 39.
The sensor element 3 has an X-axis direction (+ X direction or −X) while the movable portion 33 and the movable electrode portions 36 and 37 elastically deform the connecting portions 34 and 35 according to changes in physical quantities such as acceleration and angular velocity. Displacement in the X direction). With the displacement, the physical quantity sensor 1 changes the size of the gap between the movable electrode portion 36 and the fixed electrode portion 38 and the size of the gap between the movable electrode portion 37 and the fixed electrode portion 39. .
That is, the physical quantity sensor 1 causes the capacitance between the movable electrode portion 36 and the fixed electrode portion 38 and the capacitance between the movable electrode portion 37 and the fixed electrode portion 39 in accordance with such displacement. Each size changes. Therefore, the physical quantity sensor 1 can detect physical quantities such as acceleration and angular velocity based on these changes in capacitance.

この固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５及び可動電極部３６，３７は、例えば、一枚のシリコン基板から一体的に形成されている。
固定部３１，３２は、それぞれ、前述したベース基板２の第１主面２ａに接合されている。具体的には、固定部３１は、ベース基板２の第１主面２ａの凹部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合され、固定部３２は、凹部２１に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１，３２は、平面視したときに、それぞれ、凹部２１と凹部２１の外周縁部とに跨るように設けられている。 The fixed portions 31 and 32, the movable portion 33, the connecting portions 34 and 35, and the movable electrode portions 36 and 37 are integrally formed from, for example, a single silicon substrate.
The fixing portions 31 and 32 are respectively joined to the first main surface 2a of the base substrate 2 described above. Specifically, the fixing portion 31 is joined to a portion on the −X direction side (left side in the figure) with respect to the concave portion 21 of the first main surface 2 a of the base substrate 2, and the fixing portion 32 is connected to the concave portion 21. It is joined to the + X direction side (right side in the figure). Further, the fixing portions 31 and 32 are provided so as to straddle the concave portion 21 and the outer peripheral edge portion of the concave portion 21 when viewed in plan.

なお、固定部３１，３２の位置及び形状などは、連結部３４，３５や配線４１，４２，４３の位置及び形状などに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
２つの固定部３１，３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部３３の形状は、センサー素子３を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。 The positions and shapes of the fixing portions 31 and 32 are determined according to the positions and shapes of the connecting portions 34 and 35 and the wirings 41, 42, and 43, and are not limited to the above-described configuration.
A movable portion 33 is provided between the two fixed portions 31 and 32. In the present embodiment, the movable part 33 has a longitudinal shape extending in the X-axis direction. In addition, the shape of the movable part 33 is determined according to the shape and size of each part constituting the sensor element 3, and is not limited to the above-described structure.

可動部３３は、固定部３１に対して連結部３４を介して連結され、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されている。より具体的には、可動部３３の左側の端部が連結部３４を介して固定部３１に連結されるとともに、可動部３３の右側の端部が連結部３５を介して固定部３２に連結されている。
この連結部３４，３５は、可動部３３を固定部３１，３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４，３５は、図１にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。 The movable portion 33 is connected to the fixed portion 31 via a connecting portion 34 and is connected to the fixed portion 32 via a connecting portion 35. More specifically, the left end portion of the movable portion 33 is connected to the fixed portion 31 via the connecting portion 34, and the right end portion of the movable portion 33 is connected to the fixed portion 32 via the connecting portion 35. Has been.
The connecting portions 34 and 35 connect the movable portion 33 to the fixed portions 31 and 32 so as to be displaceable. In the present embodiment, the connecting portions 34 and 35 are configured to be able to displace the movable portion 33 in the X-axis direction (+ X direction or −X direction) as indicated by an arrow a in FIG.

具体的に説明すると、連結部３４は、２つの梁３４１，３４２で構成されている。そして、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。換言すると、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁３４１，３４２の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１，３５２で構成されている。 Specifically, the connecting portion 34 is composed of two beams 341 and 342. Each of the beams 341 and 342 has a shape extending in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction. In other words, each of the beams 341 and 342 has a shape that is folded a plurality of times (three times in the present embodiment) in the Y-axis direction. Note that the number of times the beams 341 and 342 are folded may be one or two times, or four or more times.
Similarly, the connecting portion 35 is composed of two beams 351 and 352 having a shape extending in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction.

このように、ベース基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向での一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、可動電極部３７が設けられている。
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１，３６２，３６３，３６４，３６５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備えている。この可動電極指３７１，３７２，３７３，３７４，３７５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。 As described above, the movable electrode portion 36 is provided on one side (+ Y direction side) in the width direction of the movable portion 33 supported so as to be displaceable in the X-axis direction with respect to the base substrate 2, and the other side (− A movable electrode portion 37 is provided on the Y direction side.
The movable electrode portion 36 includes a plurality of movable electrode fingers 361 to 365 that protrude in the + Y direction from the movable portion 33 and are arranged in a comb-teeth shape. The movable electrode fingers 361, 362, 363, 364, 365 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side. Similarly, the movable electrode portion 37 includes a plurality of movable electrode fingers 371 to 375 that protrude from the movable portion 33 in the −Y direction and are arranged in a comb-teeth shape. The movable electrode fingers 371, 372, 373, 374, and 375 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side.

複数の可動電極指３６１〜３６５及び複数の可動電極指３７１〜３７５は、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＸ軸方向）に並んで設けられている。
これにより、後述する固定電極部３８の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
同様に、後述する固定電極部３９の固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
可動電極部３６は、固定電極部３８に対して間隔を隔てて対向している。また、可動電極部３７は、固定電極部３９に対して間隔を隔てて対向している。 The plurality of movable electrode fingers 361 to 365 and the plurality of movable electrode fingers 371 to 375 are provided side by side in the direction in which the movable portion 33 is displaced (that is, the X-axis direction).
As a result, the capacitance between the fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388 and the movable electrode portion 36 of the fixed electrode portion 38 to be described later, and the fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387 and the movable electrode portion 36 Can be efficiently changed according to the displacement of the movable portion 33.
Similarly, the capacitance between the fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 and the movable electrode portion 37 of the fixed electrode portion 39 to be described later, and the fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 and the movable electrode portion 37 Can be efficiently changed according to the displacement of the movable portion 33.
The movable electrode part 36 is opposed to the fixed electrode part 38 with an interval. The movable electrode portion 37 is opposed to the fixed electrode portion 39 with an interval.

固定電極部３８は、前述した可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備えている。固定電極指３８１〜３８８の可動部３３側とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の凹部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延びている。   The fixed electrode unit 38 includes a plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 arranged so as to form a comb tooth shape that meshes with the plurality of movable electrode fingers 361 to 365 of the movable electrode unit 36 described above at intervals. The ends of the fixed electrode fingers 381 to 388 on the side opposite to the movable portion 33 side are respectively joined to the + Y direction side portion with respect to the concave portion 21 on the upper surface of the base substrate 2. The fixed electrode fingers 381 to 388 each have a fixed end as a fixed end and a free end extending in the −Y direction.

固定電極指３８１〜３８８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３８１，３８２は、対をなし、前述した可動電極指３６１，３６２の間に設けられ、固定電極指３８３，３８４は、対をなし、可動電極指３６２，３６３の間に設けられ、固定電極指３８５，３８６は、対をなし、可動電極指３６３，３６４の間に設けられ、固定電極指３８７，３８８は、対をなし、可動電極指３６４，３６５の間に設けられている。   The fixed electrode fingers 381 to 388 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side. The fixed electrode fingers 381 and 382 make a pair and are provided between the movable electrode fingers 361 and 362. The fixed electrode fingers 383 and 384 make a pair and are provided between the movable electrode fingers 362 and 363. The fixed electrode fingers 385 and 386 are paired and provided between the movable electrode fingers 363 and 364, and the fixed electrode fingers 387 and 388 are paired and provided between the movable electrode fingers 364 and 365. Yes.

ここで、固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指である。
このように、複数の固定電極指３８１〜３８８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。 Here, the fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 are first fixed electrode fingers, respectively, and the fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 are the first fixed electrode fingers on the base substrate 2, respectively. On the other hand, it is the 2nd fixed electrode finger arrange | positioned through a space | gap (gap).
As described above, the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 are composed of a plurality of first fixed electrode fingers and a plurality of second fixed electrode fingers arranged alternately. In other words, in the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388, the first fixed electrode fingers are arranged on one side of the movable electrode fingers, and the second fixed electrode fingers are arranged on the other side.

第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とは、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とを電気的に絶縁することができる。そのため、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。   The first fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 and the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 are separated from each other on the base substrate 2. Thereby, the 1st fixed electrode finger 382,384,386,388 and the 2nd fixed electrode finger 381,383,385,387 can be electrically insulated. Therefore, the capacitance between the first fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 and the movable electrode portion 36, and the static capacitance between the second fixed electrode fingers 381, 383, 385 and 387 and the movable electrode portion 36. Capacitance can be measured separately, and physical quantities can be detected with high accuracy based on the measurement results.

同様に、固定電極部３９は、前述した可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備えている。固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の凹部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延びている。   Similarly, the fixed electrode portion 39 includes a plurality of fixed electrode fingers 391 to 398 arranged in a comb-like shape that meshes with the plurality of movable electrode fingers 371 to 375 of the movable electrode portion 37 described above at intervals. ing. The ends of the fixed electrode fingers 391 to 398 on the side opposite to the movable portion 33 are respectively joined to the portion on the −Y direction side with respect to the concave portion 21 on the upper surface of the base substrate 2. Each fixed electrode finger 391 to 398 has a fixed end as a fixed end and a free end extending in the + Y direction.

固定電極指３９１〜３９８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１，３９２は、対をなし、前述した可動電極指３７１，３７２の間に設けられ、固定電極指３９３，３９４は、対をなし、可動電極指３７２，３７３の間に設けられ、固定電極指３９５，３９６は、対をなし、可動電極指３７３，３７４の間に設けられ、固定電極指３９７，３９８は、対をなし、可動電極指３７４，３７５の間に設けられている。   The fixed electrode fingers 391 to 398 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side. The fixed electrode fingers 391 and 392 are paired and provided between the movable electrode fingers 371 and 372 described above, and the fixed electrode fingers 393 and 394 are paired and provided between the movable electrode fingers 372 and 373. The fixed electrode fingers 395 and 396 are paired and provided between the movable electrode fingers 373 and 374, and the fixed electrode fingers 397 and 398 are paired and provided between the movable electrode fingers 374 and 375. Yes.

ここで、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指である。
このように、複数の固定電極指３９１〜３９８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３９１〜３９８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。 Here, the fixed electrode fingers 392, 394, 396, and 398 are first fixed electrode fingers, respectively, and the fixed electrode fingers 391, 393, 395, and 397 are respectively the first fixed electrode fingers on the base substrate 2. On the other hand, it is the 2nd fixed electrode finger arrange | positioned through a space | gap (gap).
As described above, the plurality of fixed electrode fingers 391 to 398 are composed of a plurality of first fixed electrode fingers and a plurality of second fixed electrode fingers arranged alternately. In other words, in the plurality of fixed electrode fingers 391 to 398, the first fixed electrode finger is disposed on one side of the movable electrode finger, and the second fixed electrode finger is disposed on the other side.

第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７とは、前述した固定電極部３８と同様、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び、第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。   The first fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 and the second fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 are separated from each other on the base substrate 2, like the fixed electrode portion 38 described above. As a result, the capacitance between the first fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 and the movable electrode portion 37, and the gap between the second fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 and the movable electrode portion 37 are obtained. Can be measured separately, and the physical quantity can be detected with high accuracy based on the measurement results.

センサー素子３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンなどのシリコン材料を用いるのが好ましい。
すなわち、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８及び複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。 The constituent material of the sensor element 3 is not particularly limited as long as the physical quantity can be detected based on the change in capacitance as described above. However, a semiconductor is preferable, and specifically, for example, single crystal silicon, polycrystal It is preferable to use a silicon material such as silicon.
That is, the fixed portions 31 and 32, the movable portion 33, the connecting portions 34 and 35, the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398, and the plurality of movable electrode fingers 361 to 365 and 371 to 375 are mainly made of silicon. It is preferable to be configured as a material.

シリコンは、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、センサー素子３をシリコンを主材料として構成することにより、センサー素子３の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー１の高感度化を図ることができる。また、シリコンは疲労が少ないため、物理量センサー１の耐久性を向上させることもできる。
また、センサー素子３を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、センサー素子３の導電性を優れたものとすることができる。 Silicon can be processed with high accuracy by etching. Therefore, by configuring the sensor element 3 with silicon as a main material, the dimensional accuracy of the sensor element 3 can be improved, and as a result, the physical quantity sensor 1 can be highly sensitive. Further, since silicon is less fatigued, the durability of the physical quantity sensor 1 can be improved.
Further, it is preferable that the silicon material constituting the sensor element 3 is doped with impurities such as phosphorus and boron. Thereby, the physical quantity sensor 1 can make the conductivity of the sensor element 3 excellent.

また、センサー素子３は、前述したように、ベース基板２の第１主面２ａに固定部３１，３２及び固定電極部３８，３９が接合されることにより、ベース基板２に支持されている。
このようなセンサー素子３とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。 Further, as described above, the sensor element 3 is supported by the base substrate 2 by bonding the fixed portions 31 and 32 and the fixed electrode portions 38 and 39 to the first main surface 2a of the base substrate 2.
A method for joining the sensor element 3 and the base substrate 2 is not particularly limited, but an anodic bonding method is preferably used.

配線４１、配線４３は、前述したベース基板２の第１主面２ａ（固定電極部３８，３９側の面）に設けられ、配線４２は、ベース基板２の第２主面２ｂに設けられている。
詳述すると、配線４１は、前述したベース基板２の凹部２１の外側に設けられ、凹部２１の外周に沿うように凹部２２内に形成されている。そして、配線４１の一端部は、ベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４４に接続されている。
配線４１は、前述したセンサー素子３の第１固定電極指である各固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８及び各固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８に電気的に接続されている。 The wiring 41 and the wiring 43 are provided on the first main surface 2a (the surface on the fixed electrode portions 38 and 39 side) of the base substrate 2, and the wiring 42 is provided on the second main surface 2b of the base substrate 2. Yes.
More specifically, the wiring 41 is provided outside the recess 21 of the base substrate 2 described above, and is formed in the recess 22 along the outer periphery of the recess 21. One end of the wiring 41 is connected to the electrode 44 at the outer peripheral portion of the first main surface 2a of the base substrate 2 (the portion outside the lid member 5 on the base substrate 2).
The wiring 41 is electrically connected to the fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 and the fixed electrode fingers 392, 394, 396, and 398, which are the first fixed electrode fingers of the sensor element 3 described above.

また、配線４２は、平面視において、配線４１と殆どの部分が重なるように、前述したベース基板２の第２主面２ｂの凹部２３内に設けられている。そして、配線４２の一端部は、ベース基板２の第２主面２ｂの外周部において、前述した電極４４に対して、平面視において重なるように設けられた電極４５に接続されている。
配線４２は、内部電極としてのベース基板２を厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通電極４７１，４７２を介して、前述したセンサー素子３の第２固定電極指である固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７に電気的に接続されている。なお、配線４２は、ベース基板２の内部に形成されていてもよい。
具体的には、ベース基板２を複数の基板が積層された積層基板として構成し、この積層基板の積層面に配線４２が形成されていてもよいということである。 Further, the wiring 42 is provided in the concave portion 23 of the second main surface 2b of the base substrate 2 described above so that most of the wiring 42 and the wiring 41 overlap in a plan view. One end of the wiring 42 is connected to an electrode 45 provided so as to overlap the above-described electrode 44 in a plan view on the outer peripheral portion of the second main surface 2b of the base substrate 2.
The wiring 42 is a fixed electrode finger 381, which is the second fixed electrode finger of the sensor element 3 described above, through through electrodes 471 and 472 that penetrate the base substrate 2 as an internal electrode in the thickness direction (Z-axis direction). 383, 385, 387 and fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 are electrically connected. Note that the wiring 42 may be formed inside the base substrate 2.
Specifically, the base substrate 2 may be configured as a laminated substrate in which a plurality of substrates are laminated, and the wiring 42 may be formed on the laminated surface of the laminated substrate.

配線４３は、ベース基板２の固定部３１との接合部から、ベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）に延びるように凹部２４内に設けられている。そして、配線４３の固定部３１側とは反対側の端部は、前述した電極４４に対して間隔を隔てて並ぶようにベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４６に接続されている。   The wiring 43 is formed in the recess 24 so as to extend from the joint portion with the fixing portion 31 of the base substrate 2 to the outer peripheral portion of the first main surface 2a of the base substrate 2 (the outer portion of the lid member 5 on the base substrate 2). Is provided. The end of the wiring 43 opposite to the fixed portion 31 side is arranged on the outer peripheral portion (on the base substrate 2) of the first main surface 2a of the base substrate 2 so as to be arranged at a distance from the electrode 44 described above. In the outer portion of the lid member 5, it is connected to the electrode 46.

このような配線４１〜４３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 The material of the wirings 41 to 43 is not particularly limited as long as it has conductivity, and various electrode materials can be used. For example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (IZO ( Indium Zinc Oxide), In 2 O 3 , SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , oxides (transparent electrode materials) such as Al-containing ZnO, Au, Pt, Ag, Cu, Al or alloys containing these, etc. One or more of these can be used in combination.

配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いるのが好ましい。配線４１、配線４２がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、ベース基板２が透明基板である場合、ベース基板２の第１主面２ａ上に存在する異物などをベース基板２の第２主面２ｂ側から容易に視認することができる。   As a constituent material of the wirings 41 to 43, it is preferable to use a transparent electrode material (particularly ITO). When the wiring 41 and the wiring 42 are each made of a transparent electrode material, when the base substrate 2 is a transparent substrate, foreign matter or the like existing on the first main surface 2a of the base substrate 2 is removed from the second main surface of the base substrate 2. It can be easily visually recognized from the surface 2b side.

また、電極４４〜４６の構成材料としては、それぞれ、前述した配線４１〜４３と同様、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。本実施形態では、電極４４〜４６の構成材料として、後述する貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の構成材料と同じものが用いられている。   In addition, the constituent materials of the electrodes 44 to 46 are not particularly limited as long as they have electrical conductivity as in the case of the wirings 41 to 43 described above, and various electrode materials can be used. In the present embodiment, as the constituent materials of the electrodes 44 to 46, the same constituent materials as those of through electrodes 471, 472 and protrusions 481, 482, 50 described later are used.

そして、配線４１上の、平面視において、センサー素子３の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８１が設けられ、配線４１上の、平面視において、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８２が設けられている。
そして、突起部４８１を介して固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と配線４１とが電気的に接続されるとともに、突起部４８２を介して固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１とが電気的に接続されている。 Then, in the plan view on the wiring 41, conductive projections 481 are provided in portions overlapping the fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 of the sensor element 3, respectively. In FIG. 4, the conductive electrode protrusions 482 are provided in portions overlapping the fixed electrode fingers 392, 394, 396, and 398, respectively.
The fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 and the wiring 41 are electrically connected via the protruding portion 481, and the fixed electrode fingers 392, 394, 396 and 398 and the wiring 41 are connected via the protruding portion 482. And are electrically connected.

配線４２と、センサー素子３の固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７との間には、それぞれベース基板２を貫通し導電性を有する貫通電極４７１が設けられ、配線４２と、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７との間には、それぞれベース基板２を貫通し導電性を有する貫通電極４７２が設けられている。
そして、貫通電極４７１を介して固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と配線４２とが電気的に接続されるとともに、貫通電極４７２を介して固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２とが電気的に接続されている。
配線４３上の、平面視において、センサー素子３の固定部３１と重なる部分には、導電性を有する突起部５０が設けられている。
そして、突起部５０を介して固定部３１と配線４３とが電気的に接続されている。 Between the wiring 42 and the fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 of the sensor element 3, penetrating electrodes 471 that penetrate the base substrate 2 and have conductivity are provided, respectively, and the wiring 42 and the fixed electrode fingers 391 are provided. , 393, 395, and 397 are provided with through electrodes 472 that pass through the base substrate 2 and have conductivity.
The fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387 and the wiring 42 are electrically connected through the through electrode 471, and the fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 and the wiring 42 are connected through the through electrode 472. And are electrically connected.
A projecting portion 50 having conductivity is provided on a portion of the wiring 43 that overlaps with the fixing portion 31 of the sensor element 3 in plan view.
Then, the fixing portion 31 and the wiring 43 are electrically connected via the protruding portion 50.

なお、図１に示すように、配線４１及び凹部２２は、貫通電極４７１，４７２を迂回して設けられている。
なお、図１では、説明の便宜上、配線４１及び配線４２の幅、電極４４及び電極４５のサイズを互いに異ならせて記載しているが、実際には、これらは等幅、同サイズが好ましい。 As shown in FIG. 1, the wiring 41 and the recess 22 are provided so as to bypass the through electrodes 471 and 472.
In FIG. 1, for convenience of explanation, the width of the wiring 41 and the wiring 42 and the size of the electrode 44 and the electrode 45 are different from each other. However, in actuality, they are preferably the same width and the same size.

物理量センサー１は、電極４４（配線４１）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量及び第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。
そして、物理量センサー１は、電極４５（配線４２）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量及び第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。 The physical quantity sensor 1 uses the electrode 44 (wiring 41) and the electrode 46 (wiring 43), so that the capacitance between the first fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388 and the movable electrode portion 36 and the first The electrostatic capacitance between the fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 and the movable electrode portion 37 can be measured.
Then, the physical quantity sensor 1 uses the electrode 45 (wiring 42) and the electrode 46 (wiring 43) so that the electrostatic capacitance between the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387 and the movable electrode portion 36 and The electrostatic capacitance between the second fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 and the movable electrode part 37 can be measured.

貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属単体またはこれらを含む合金などの金属が好適に用いられる。このような金属を用いて貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０を構成することにより、配線４１〜４３と固定電極部３８，３９及び固定部３１との間の接触抵抗を小さくすることができる。   The constituent materials of the through electrodes 471, 472 and the protrusions 481, 482, 50 are not particularly limited as long as they have conductivity, and various electrode materials can be used. For example, Au, Pt Metals such as simple metals such as Ag, Cu, and Al or alloys containing them are preferably used. By forming the through electrodes 471 and 472 and the protrusions 481, 482 and 50 using such a metal, the contact resistance between the wirings 41 to 43 and the fixed electrode portions 38 and 39 and the fixed portion 31 is reduced. be able to.

また、図５、図６に示すように、配線４１、配線４３上には、絶縁膜６が設けられている。そして、前述した貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０上には、絶縁膜６は形成せずに貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の表面（上面）が露出している。
この絶縁膜６は、配線４１、配線４３とセンサー素子３の非接続部との電気的接続（短絡）を回避する機能を有する。これにより、物理量センサー１は、配線４１と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続、及び配線４３と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行うことができる。 As shown in FIGS. 5 and 6, the insulating film 6 is provided on the wiring 41 and the wiring 43. Then, the insulating film 6 is not formed on the through electrodes 471, 472 and the protrusions 481, 482 and 50 described above, and the surfaces (upper surfaces) of the through electrodes 471, 472 and the protrusions 481, 482 and 50 are exposed. ing.
The insulating film 6 has a function of avoiding electrical connection (short circuit) between the wiring 41 and the wiring 43 and the non-connection portion of the sensor element 3. Thereby, the physical quantity sensor 1 avoids the short circuit between the wiring 41 and the non-connection portion more reliably, and the first fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388, 392, 394, 396 and 398 are connected to the wiring 41. The electrical connection and the electrical connection between the fixed part 31 and the wiring 43 can be performed while more reliably avoiding the short circuit between the wiring 43 and the non-connection part.

本実施形態では、絶縁膜６は、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６の形成領域を除いて、ベース基板２の第１主面２ａ（凹部２１，２２，２４を含む）の略全域に亘って形成されている。なお、絶縁膜６の形成領域は、配線４１、配線４３を覆うことができれば、これに限定されず、例えば、ベース基板２の第１主面２ａのセンサー素子３との接合部位や蓋部材５との接合部位を除くような形状をなしていてもよい。   In the present embodiment, the insulating film 6 includes the first main surface 2a (recesses 21, 22, 22) of the base substrate 2 except for the formation regions of the through electrodes 471, 472, the protrusions 481, 482, 50 and the electrodes 44 to 46. 24). Note that the formation region of the insulating film 6 is not limited to this as long as the wiring 41 and the wiring 43 can be covered. For example, the bonding portion of the first main surface 2a of the base substrate 2 with the sensor element 3 or the lid member 5 is used. It may have a shape that excludes the joint part.

また、図５に示すように、蓋部材５と配線４３上の絶縁膜６との間には、隙間２２２が形成されている。図示しないが、この隙間２２２と同様の隙間が蓋部材５と配線４１上の絶縁膜６との間にも形成されている。隙間２２２は、蓋部材５内を減圧したり、不活性ガスを充填したりするのに用いることができる。
なお、隙間２２２は、蓋部材５とベース基板２とを接着剤により接合する際に、接着剤により塞いでもよい。 As shown in FIG. 5, a gap 222 is formed between the lid member 5 and the insulating film 6 on the wiring 43. Although not shown, a gap similar to the gap 222 is also formed between the lid member 5 and the insulating film 6 on the wiring 41. The gap 222 can be used to depressurize the inside of the lid member 5 or to fill with an inert gas.
The gap 222 may be closed with an adhesive when the lid member 5 and the base substrate 2 are joined with the adhesive.

このような絶縁膜６の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、ベース基板２がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ2）を用いることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、前述したような短絡を回避することができる。 The constituent material of the insulating film 6 is not particularly limited, and various insulating materials can be used. The base substrate 2 is a glass material (particularly, a glass material to which alkali metal ions are added). When configured, it is preferable to use silicon dioxide (SiO 2 ). Thereby, the physical quantity sensor 1 can avoid the short circuit as described above.

また、絶縁膜６の厚さ（平均厚さ）は、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。物理量センサー１は、このような厚さの範囲で絶縁膜６を形成すると、前述したような短絡を回避することができる。
また、物理量センサー１は、ベース基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、且つ、センサー素子３がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板２の第１主面２ａのセンサー素子３との接合部位に絶縁膜６が存在していても、絶縁膜６を介してベース基板２とセンサー素子３とを陽極接合することができる。 Moreover, the thickness (average thickness) of the insulating film 6 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 1000 nm, and more preferably about 10 to 200 nm. The physical quantity sensor 1 can avoid the short circuit as described above when the insulating film 6 is formed in such a thickness range.
Further, in the physical quantity sensor 1, when the base substrate 2 is made of a glass material containing alkali metal ions and the sensor element 3 is made of silicon as a main material, the sensor on the first main surface 2a of the base substrate 2 is used. Even if the insulating film 6 is present at the junction with the element 3, the base substrate 2 and the sensor element 3 can be anodic bonded via the insulating film 6.

蓋部材５は、前述したセンサー素子３を保護する機能を有する。
蓋部材５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。この凹部５１は、センサー素子３の可動部３３及び可動電極部３６，３７などの変位が可能なようにセンサー素子３との間に空隙を設けて形成されている。 The lid member 5 has a function of protecting the sensor element 3 described above.
The lid member 5 has a plate shape, and a concave portion 51 is provided on one surface (lower surface) thereof. The recess 51 is formed with a gap between the sensor element 3 and the sensor element 3 so that the movable part 33 and the movable electrode parts 36 and 37 of the sensor element 3 can be displaced.

そして、蓋部材５の下面は、前述したベース基板２の第１主面２ａに接合されている。蓋部材５とベース基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
また、蓋部材５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。 The lower surface of the lid member 5 is bonded to the first main surface 2a of the base substrate 2 described above. The method for bonding the lid member 5 and the base substrate 2 is not particularly limited, and for example, a bonding method using an adhesive, an anodic bonding method, a direct bonding method, or the like can be used.
In addition, the constituent material of the lid member 5 is not particularly limited as long as it can exhibit the functions as described above. For example, a silicon material, a glass material, or the like can be suitably used.

次に、物理量センサー１の製造方法の一例について説明する。
図７（ａ）〜（ｅ）、図８（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図である。 Next, an example of a method for manufacturing the physical quantity sensor 1 will be described.
FIGS. 7A to 7E, FIGS. 8A to 8C, and FIGS. 9A to 9D are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the physical quantity sensor.

物理量センサー１の製造方法は、配線形成工程と、絶縁膜形成工程と、接合工程と、センサー素子形成工程と、蓋部材接合工程と、分割工程と、を含んでいる。
なお、ここでは、複数個取りを前提として説明するが、個別に製造しても構わない。 The manufacturing method of the physical quantity sensor 1 includes a wiring forming process, an insulating film forming process, a bonding process, a sensor element forming process, a lid member bonding process, and a dividing process.
Here, the description will be made on the premise that a plurality of pieces are taken, but they may be manufactured individually.

［配線形成工程］
まず、図７（ａ）に示すように、後に個片化することでベース基板２となるウエハー状の基板１０２を用意する。
次に、図７（ｂ）に示すように、基板１０２の上面（第１主面１０２ａ）及び下面（第２主面１０２ｂ）をエッチングすることにより、凹部２１，２２，２３及び貫通孔２３ａを形成する。このとき、図７（ｂ）では図示しないが、凹部２４も同様に形成する。 [Wiring formation process]
First, as shown in FIG. 7A, a wafer-like substrate 102 to be a base substrate 2 is prepared by later being separated into pieces.
Next, as shown in FIG. 7B, by etching the upper surface (first main surface 102a) and the lower surface (second main surface 102b) of the substrate 102, the recesses 21, 22, 23 and the through holes 23a are formed. Form. At this time, although not shown in FIG. 7B, the recess 24 is formed in the same manner.

凹部２１〜２４及び貫通孔２３ａの形成方法（エッチング方法）としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングなどの物理的エッチング法、ウェットエッチングなどの化学的エッチング法などのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。   A method for forming the recesses 21 to 24 and the through hole 23a (etching method) is not particularly limited, but examples thereof include physical etching methods such as plasma etching, reactive ion etching, beam etching, and light-assisted etching, and wet etching. One or a combination of two or more of chemical etching methods can be used. Note that the same method can be used for etching in the following steps.

また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。また、マスク形成、エッチング、マスク除去を複数回繰り返し、凹部２１と凹部２２〜２４と貫通孔２３ａとを順に形成することができる。そして、このマスクは、エッチング後に、除去される。このマスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液などを用いることができる。
なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、凹部２１と凹部２２〜２４と（深さの異なる複数の凹部）を一括形成してもよい。 In the etching as described above, for example, a mask formed by a photolithography method can be preferably used. Further, the mask formation, etching, and mask removal can be repeated a plurality of times to form the recesses 21, the recesses 22 to 24, and the through holes 23a in order. The mask is removed after etching. As a method for removing the mask, for example, when the mask is made of a resist material, a resist stripping solution is used. When the mask is made of a metal material, a metal stripping solution such as a phosphoric acid solution is used. be able to.
In addition, as a mask, you may form the recessed part 21 and the recessed parts 22-24 (a several recessed part from which depth differs) collectively, for example by using a gray scale mask.

次に、図７（ｃ）に示すように、基板１０２に配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０を形成する。
以下、図９に基づき、配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の形成について詳述する。
まず、図９（ａ）に示すように、凹部２２内に配線４１を形成するとともに、凹部２３内に配線４２を形成する。このとき、図９では図示しないが、凹部２４内に配線４３を配線４１、配線４２と一括して形成する。そして、複数の貫通孔２３ａ内に貫通電極４７１，４７２を形成する。 Next, as shown in FIG. 7C, wirings 41 to 43, through electrodes 471, 472, and protrusions 481, 482, 50 are formed on the substrate 102.
Hereinafter, the formation of the wirings 41 to 43, the through electrodes 471 and 472, and the protrusions 481, 482 and 50 will be described in detail with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 9A, the wiring 41 is formed in the recess 22 and the wiring 42 is formed in the recess 23. At this time, although not shown in FIG. 9, the wiring 43 is formed together with the wiring 41 and the wiring 42 in the recess 24. Then, through electrodes 471 and 472 are formed in the plurality of through holes 23a.

そして、図９（ｂ）に示すように、配線４１に複数の突起部４８１，４８２を形成（成膜）する。このとき、図９（ｂ）では図示しないが、配線４１に電極４４を形成し、配線４２に電極４５を形成し、配線４３に突起部５０及び電極４６を形成する。なお、突起部４８１，４８２，５０の形成は、貫通電極４７１，４７２の形成前に行ってもよい。   Then, as shown in FIG. 9B, a plurality of protrusions 481 and 482 are formed (film formation) on the wiring 41. At this time, although not shown in FIG. 9B, the electrode 44 is formed on the wiring 41, the electrode 45 is formed on the wiring 42, and the protrusion 50 and the electrode 46 are formed on the wiring 43. The protrusions 481, 482, 50 may be formed before the through electrodes 471, 472 are formed.

配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の形成方法（成膜方法）としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、薄膜接合法などが挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。   A method for forming the wirings 41 to 43, the through electrodes 471, 472, and the protrusions 481, 482, 50 (film formation method) is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition, sputtering (low temperature sputtering), and ion plating. Examples include dry plating methods, wet plating methods such as electrolytic plating and electroless plating, thermal spraying methods, and thin film bonding methods. Note that the same method can be used for film formation in the following steps.

なお、基板１０２には、絶縁性を有する絶縁性基板を用いることが好ましく、絶縁性基板として透明基板を用いることがより好ましい。具体的には、基板１０２には、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いたガラス基板を用いることが好ましい。
また、配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いることが好ましい。 Note that an insulating substrate having an insulating property is preferably used as the substrate 102, and a transparent substrate is more preferably used as the insulating substrate. Specifically, a glass substrate using a glass material containing alkali metal ions (movable ions) (for example, borosilicate glass such as Pyrex (registered trademark) glass) is preferably used for the substrate 102.
Moreover, as a constituent material of the wirings 41 to 43, it is preferable to use a transparent electrode material (particularly ITO).

［絶縁膜形成工程］
次に、図９（ｃ）に示すように、配線４１などを覆うように、基板１０２の第１主面１０２ａに絶縁膜１０６を形成（成膜）する。ここで、絶縁膜１０６は、後述する個片化を経て絶縁膜６となるものである。
次に、図９（ｄ）に示すように、絶縁膜１０６の貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２を覆っている部分を除去する。また、図９（ｄ）では図示しないが、絶縁膜１０６の突起部５０及び電極４４〜４６を覆っている部分も除去する。これにより、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６を露出させる。
なお、この際、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の上面は、絶縁膜１０６の上面と殆ど段差がない状態になっている。 [Insulating film formation process]
Next, as shown in FIG. 9C, an insulating film 106 is formed (deposited) on the first main surface 102a of the substrate 102 so as to cover the wiring 41 and the like. Here, the insulating film 106 becomes the insulating film 6 through individualization described later.
Next, as shown in FIG. 9D, portions of the insulating film 106 covering the through electrodes 471 and 472 and the protrusions 481 and 482 are removed. Although not shown in FIG. 9D, the portions of the insulating film 106 that cover the protrusions 50 and the electrodes 44 to 46 are also removed. As a result, the through electrodes 471, 472, the protrusions 481, 482, 50 and the electrodes 44 to 46 are exposed.
At this time, the upper surfaces of the through electrodes 471, 472 and the protrusions 481, 482, 50 are in a state where there is almost no step from the upper surface of the insulating film 106.

［接合工程］
図７に戻って、次に、図７（ｄ）に示すように、後に複数のセンサー素子３となるウエハー状のセンサー基板１０３を用意し、基板１０２の第１主面１０２ａにセンサー基板１０３を接合する。これにより、センサー基板１０３と貫通電極４７１，４７２及び突起部４８１，４８２とが接続される。このとき、図７（ｄ）では図示しないが、センサー基板１０３と突起部５０とが同様に接続される。
なお、基板１０２とセンサー基板１０３との接合には、陽極接合法を用いることが好ましい。 [Jointing process]
Returning to FIG. 7, next, as shown in FIG. 7D, a wafer-like sensor substrate 103 to be a plurality of sensor elements 3 later is prepared, and the sensor substrate 103 is attached to the first main surface 102 a of the substrate 102. Join. As a result, the sensor substrate 103 is connected to the through electrodes 471 and 472 and the protrusions 481 and 482. At this time, although not shown in FIG. 7D, the sensor substrate 103 and the protrusion 50 are similarly connected.
Note that an anodic bonding method is preferably used for bonding the substrate 102 and the sensor substrate 103.

ここで、センサー基板１０３は、センサー素子３の厚さより厚くしておくことが好ましい。これにより、センサー基板１０３の取り扱い性を向上させることができる（例えば、搬送時、段取り時などにおける破損低減など）。なお、センサー基板１０３の厚さは、センサー素子３の厚さと同じであってもよい。
なお、センサー基板１０３には、半導体基板であるシリコン基板を用いることが好ましく、貫通電極４７１，４７２及び突起部４８１，４８２，５０の構成材料としては、Ａｕを用いることが、接触抵抗を小さくする上で好ましい。 Here, the sensor substrate 103 is preferably thicker than the sensor element 3. Thereby, the handleability of the sensor substrate 103 can be improved (for example, reduction of breakage during transportation, setup, etc.). Note that the thickness of the sensor substrate 103 may be the same as the thickness of the sensor element 3.
In addition, it is preferable to use a silicon substrate which is a semiconductor substrate for the sensor substrate 103, and using Au as a constituent material of the through electrodes 471, 472 and the protrusions 481, 482, 50 reduces contact resistance. Preferred above.

次に、図７（ｅ）に示すように、センサー基板１０３をセンサー素子３の厚さまで肉薄化する。肉薄化の方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＭＰ法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。
なお、センサー基板１０３の厚さが、当初からセンサー素子３の厚さと同じであれば、この肉薄化は必要ない。 Next, the sensor substrate 103 is thinned to the thickness of the sensor element 3 as shown in FIG. The thinning method is not particularly limited, and for example, a CMP method or a dry polishing method can be preferably used.
If the thickness of the sensor substrate 103 is the same as the thickness of the sensor element 3 from the beginning, this thinning is not necessary.

［センサー素子形成工程］
次に、図８（ａ）に示すように、センサー基板１０３をエッチングすることによりセンサー素子３を形成する。 [Sensor element formation process]
Next, as shown in FIG. 8A, the sensor element 3 is formed by etching the sensor substrate 103.

［蓋部材接合工程］
次に、図８（ｂ）に示すように、基板１０２の第１主面１０２ａに、複数の凹部５１を有し個片化することにより蓋部材５となるウエハー状の基板１０５を接合する。これにより、基板１０２と基板１０５とで各センサー素子３を各凹部５１内に収容する。
なお、基板１０２と基板１０５との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。 [Cover member joining process]
Next, as shown in FIG. 8B, a wafer-like substrate 105 serving as the lid member 5 is bonded to the first main surface 102a of the substrate 102 by having a plurality of recesses 51 and separating them. Thereby, each sensor element 3 is accommodated in each recess 51 by the substrate 102 and the substrate 105.
Note that a method for bonding the substrate 102 and the substrate 105 is not particularly limited, and for example, a bonding method using an adhesive, an anodic bonding method, a direct bonding method, or the like can be used.

［分割工程］
次に、図８（ｃ）に示すように、センサー素子３を収容し一体となった基板１０２及び基板１０５を、図示しない分割装置（ダイシング装置）などを用いてセンサー素子３毎の個片に分割することにより、物理量センサー１を得る。
なお、分割により、基板１０２はベース基板２となり、基板１０５は蓋部材５となる。 [Division process]
Next, as shown in FIG. 8 (c), the substrate 102 and the substrate 105 that house and integrate the sensor element 3 are separated into individual pieces for each sensor element 3 using a not-shown dividing device (dicing device) or the like. The physical quantity sensor 1 is obtained by dividing.
Note that the substrate 102 becomes the base substrate 2 and the substrate 105 becomes the lid member 5 by the division.

上述したように、本実施形態の物理量センサー１は、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８がベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７が貫通電極４７１，４７２を介して第１主面２ａの反対側の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と配線４２とがそれぞれ異なる面（第１主面２ａ及び第２主面２ｂ）に設けられたことから、配線４１と配線４２とが共に同じ面に設けられた従来構成と比較して、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。 As described above, in the physical quantity sensor 1 of the present embodiment, the first fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388, 392, 394, 396 and 398 have the wiring 41 provided on the first main surface 2 a of the base substrate 2. The second fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387, 391, 393, 395, 397 are provided on the second main surface 2b opposite to the first main surface 2a via the through electrodes 471,472. Connected to the wiring 42.
Thereby, in the physical quantity sensor 1, since the wiring 41 and the wiring 42 are provided on different surfaces (the first main surface 2a and the second main surface 2b), both the wiring 41 and the wiring 42 are provided on the same surface. Compared with the conventional configuration, the space efficiency is improved and further miniaturization can be achieved.

また、物理量センサー１は、配線４１が第１主面２ａに、配線４２が第２主面２ｂに設けられたことから、配線４１と配線４２とを互いに近接させずに配置することができる。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と配線４２との間の寄生容量を低減できることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。 Further, since the physical quantity sensor 1 is provided with the wiring 41 on the first main surface 2a and the wiring 42 on the second main surface 2b, the wiring 41 and the wiring 42 can be arranged without being close to each other.
As a result, the physical quantity sensor 1 can reduce the parasitic capacitance between the wiring 41 and the wiring 42, so that it is possible to improve detection accuracy as a capacitance change detection type physical quantity sensor.

加えて、物理量センサー１は、配線４１が第１主面２ａに、配線４２が第２主面２ｂに設けられたことから、例えば、配線４１と配線４２とに跨る異物などを介しての配線４１と配線４２との短絡を回避できる。
これにより、物理量センサー１は、信頼性を向上させることができる。 In addition, since the physical quantity sensor 1 is provided with the wiring 41 on the first main surface 2a and the wiring 42 on the second main surface 2b, for example, wiring through a foreign substance straddling the wiring 41 and the wiring 42 is used. A short circuit between 41 and the wiring 42 can be avoided.
Thereby, the physical quantity sensor 1 can improve reliability.

また、物理量センサー１は、配線４１及び配線４２の殆どの部分が、平面視において、互いに重なっていることから、配線４１及び配線４２の長さを略等しくすることができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１及び配線４２のそれぞれの寄生容量を略等しくすることができることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。 Further, in the physical quantity sensor 1, since most of the wiring 41 and the wiring 42 overlap each other in plan view, the lengths of the wiring 41 and the wiring 42 can be made substantially equal.
As a result, the physical quantity sensor 1 can substantially equalize the parasitic capacitances of the wiring 41 and the wiring 42, so that the detection accuracy as a capacitance change detection type physical quantity sensor can be improved.

また、物理量センサー１は、平面視において、電極４４と電極４５とが互いに重なっていることから、外部への接続スペースの縮小化を図ることができる。
この結果、物理量センサー１は、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
加えて、物理量センサー１は、平面視において、電極４４と電極４５とが互いに重なっていることから、例えば、電極４４を外部部材へ接続する際に、直下の電極４５のハンダなどの接合材による固定により、電極４４へのワイヤーボンディングを、ワイヤーボンディング時の力の分散が抑制された状態で容易に行うことができる。 In addition, since the electrode 44 and the electrode 45 overlap each other in the plan view, the physical quantity sensor 1 can reduce the connection space to the outside.
As a result, the physical quantity sensor 1 is improved in space efficiency and can be further downsized.
In addition, since the electrode 44 and the electrode 45 overlap each other in plan view, the physical quantity sensor 1 is made of, for example, a bonding material such as solder of the electrode 45 directly below when the electrode 44 is connected to an external member. By fixing, wire bonding to the electrode 44 can be easily performed in a state where dispersion of force during wire bonding is suppressed.

また、物理量センサー１は、ベース基板２の第１主面２ａの凹部２２内に配線４１が設けられ、凹部２２の深さ寸法が配線４１の厚さ寸法よりも大きいことから、配線４１の、第１主面２ａからの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１とセンサー素子３の非接続部位（例えば、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７）との短絡を回避することが可能となる。
同様に、物理量センサー１は、ベース基板２の第２主面２ｂの凹部２３内に配線４２が設けられ、凹部２３の深さ寸法が配線４２の厚さ寸法よりも大きいことから、配線４２の、第２主面２ｂからの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４２と外部の非接続部材（例えば、外部の実装基板の非接続パターン）との短絡を回避することが可能となる。 In the physical quantity sensor 1, the wiring 41 is provided in the concave portion 22 of the first main surface 2 a of the base substrate 2, and the depth dimension of the concave portion 22 is larger than the thickness dimension of the wiring 41. Protrusion from the first main surface 2a can be avoided.
As a result, the physical quantity sensor 1 can avoid a short circuit between the wiring 41 and the non-connected portion of the sensor element 3 (for example, the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387, 391, 393, 395, 397). It becomes possible.
Similarly, in the physical quantity sensor 1, the wiring 42 is provided in the concave portion 23 of the second main surface 2 b of the base substrate 2, and the depth dimension of the concave portion 23 is larger than the thickness dimension of the wiring 42. The protrusion from the second main surface 2b can be avoided.
As a result, the physical quantity sensor 1 can avoid a short circuit between the wiring 42 and an external non-connection member (for example, an external connection board non-connection pattern).

また、物理量センサー１は、ベース基板２が絶縁性を有する材料（例えば、ガラスなど）で構成され、固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８を備えたセンサー素子３が半導体材料（例えば、シリコンなど）で構成されたことから、ベース基板２と固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８との絶縁分離を確実に行うことができる。   In the physical quantity sensor 1, the base substrate 2 is made of an insulating material (for example, glass), and the sensor element 3 including the fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398 is a semiconductor material (for example, silicon). ), The insulating separation between the base substrate 2 and the fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398 can be reliably performed.

（変形例）
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
図１０は、変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して詳細な説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。 (Modification)
Next, a modification of the above embodiment will be described.
FIG. 10 is a schematic plan view illustrating a schematic configuration of a physical quantity sensor according to a modification. In addition, about the common part with the said embodiment, the same code | symbol is attached | subjected, detailed description is abbreviate | omitted, and it demonstrates centering on a different part from the said embodiment.

図１０に示すように、物理量センサー１０１は、第２配線としての配線１４２のＹ軸方向に延びる部分が、平面視において、凹部２１の右側（＋Ｘ方向側）を迂回することなく、固定電極指３８７に接続された貫通電極４７１と、固定電極指３９７に接続された貫通電極４７２とを結ぶように設けられている。
また、物理量センサー１０１は、平面視において、電極４５が電極４４と重ならない、電極４４よりも＋Ｙ方向側の位置に設けられている。
また、物理量センサー１０１は、配線１４２が上記のような配置により配線４１よりも短くなったことに対応して、配線１４２に付加される寄生容量を調整する幅広な容量調整部１４２ａが設けられている。
これにより、物理量センサー１０１は、配線１４２に付加される寄生容量を配線４１に付加される寄生容量と略等しくすることができる。
なお、第２凹部としての凹部１２３は、上記の配線１４２、容量調整部１４２ａ及び電極４５の配置や形状に対応して形成されている。
これによれば、物理量センサー１０１は、上記実施形態に準じた効果を奏することができる。 As shown in FIG. 10, the physical quantity sensor 101 is configured so that the portion extending in the Y-axis direction of the wiring 142 as the second wiring does not bypass the right side (+ X direction side) of the recess 21 in plan view. The through electrode 471 connected to 387 and the through electrode 472 connected to the fixed electrode finger 397 are provided to be connected.
The physical quantity sensor 101 is provided at a position on the + Y direction side of the electrode 44 so that the electrode 45 does not overlap the electrode 44 in plan view.
In addition, the physical quantity sensor 101 is provided with a wide capacitance adjusting unit 142a that adjusts the parasitic capacitance added to the wiring 142 in response to the wiring 142 becoming shorter than the wiring 41 due to the arrangement as described above. Yes.
Thereby, the physical quantity sensor 101 can make the parasitic capacitance added to the wiring 142 substantially equal to the parasitic capacitance added to the wiring 41.
The recess 123 as the second recess is formed corresponding to the arrangement and shape of the wiring 142, the capacity adjustment unit 142 a, and the electrode 45.
According to this, the physical quantity sensor 101 can exhibit an effect according to the above embodiment.

（電子機器）
次に、上記実施形態及び変形例の物理量センサーを用いた電子機器を説明する。
図１１は、物理量センサーを用いた電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
図１１に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、パーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。 (Electronics)
Next, an electronic apparatus using the physical quantity sensor according to the embodiment and the modification will be described.
FIG. 11 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic apparatus using a physical quantity sensor.
As shown in FIG. 11, the personal computer 1100 includes a main body 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display unit 100, and the display unit 1106 is connected to the main body 1104 via a hinge structure. And is rotatably supported.
Such a personal computer 1100 incorporates a physical quantity sensor 1. The personal computer 1100 may incorporate a physical quantity sensor 101 instead of the physical quantity sensor 1.

図１２は、物理量センサーを用いた電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図１２に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、携帯電話機１２００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。 FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) as an electronic device using a physical quantity sensor.
As shown in FIG. 12, the mobile phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and the display unit 100 is disposed between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. .
Such a cellular phone 1200 incorporates a physical quantity sensor 1. Note that the cellular phone 1200 may include the physical quantity sensor 101 instead of the physical quantity sensor 1.

図１３は、物理量センサーを用いた電子機器としてのディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図１３には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。 FIG. 13 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera as an electronic apparatus using a physical quantity sensor. In FIG. 13, the connection with external devices is also shown in a simplified manner.
Here, a normal camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.
A display unit 1310 is provided on the back surface (front side in the figure) of the case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and the display unit 1310 is configured to perform display based on an imaging signal from the CCD. Functions as a viewfinder that displays images as electronic images.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (the back side in the figure) of the case 1302.

撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、ディジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。 When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory 1308.
In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, if necessary. Further, the imaging signal stored in the memory 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.
Such a digital still camera 1300 incorporates a physical quantity sensor 1. The digital still camera 1300 may include a physical quantity sensor 101 instead of the physical quantity sensor 1.

このような電子機器は、小型化及び高精度化された物理量センサー１または物理量センサー１０１を備えるので、より小型化されるとともに、優れた性能を発揮することができる。
なお、上記物理量センサーを用いた電子機器は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどに適用することができる。 Since such an electronic device includes the physical quantity sensor 1 or the physical quantity sensor 101 that is downsized and highly accurate, the electronic apparatus can be further downsized and can exhibit excellent performance.
In addition to the personal computer (mobile personal computer) of FIG. 11, the mobile phone of FIG. 12, and the digital still camera of FIG. Printers), laptop personal computers, televisions, video cameras, video tape recorders, various navigation devices, pagers, electronic notebooks (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game devices, word processors, workstations, videophones , Crime prevention TV monitor, electronic binoculars, POS terminal, medical equipment (for example, electronic thermometer, blood pressure monitor, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish detector, various measuring devices, instruments (E.g. vehicle, navigation Aircraft, gauges of a ship), can be applied to a flight simulator.

以上、本発明の物理量センサー及び電子機器について図示の実施形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも１つの固定電極指がその他の固定電極指に対して絶縁性を有する基板上で分離していれば、前述した実施形態及び変形例に限定されない。 Although the physical quantity sensor and the electronic device of the present invention have been described based on the illustrated embodiment and modifications, the present invention is not limited to these.
For example, if at least one fixed electrode finger of a plurality of fixed electrode fingers arranged in a comb-tooth shape is separated on a substrate having insulation with respect to the other fixed electrode fingers, However, the present invention is not limited to the embodiments and the modified examples.

また、固定電極部の複数の固定電極指と、これに噛み合うように設けられた可動電極部の複数の可動電極指との本数、配置及び大きさなどの形態は、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
また、可動部は、Ｙ軸方向に変位させるように構成してもよいし、Ｘ軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合は、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。 The number, arrangement, size, and the like of the plurality of fixed electrode fingers of the fixed electrode portion and the plurality of movable electrode fingers of the movable electrode portion provided so as to mesh with the fixed electrode fingers are the embodiments and modifications described above. It is not limited to.
In addition, the movable part may be configured to be displaced in the Y-axis direction, or may be configured to be rotated around an axis parallel to the X-axis. In this case, the physical quantity may be detected based on the change in capacitance due to the change in the facing area between the movable electrode finger and the fixed electrode finger.

１…物理量センサー、２…基板としてのベース基板、２ａ…第１主面、２ｂ…第２主面、３…センサー素子、５…蓋部材、６…絶縁膜、２１…凹部、２２…第１凹部としての凹部、２３…第２凹部としての凹部、２４…凹部、３１，３２…固定部、３３…可動部、３４，３５…連結部、３６，３７…可動電極部、３８，３９…固定電極部、４１…第１配線としての配線、４２…第２配線としての配線、４３…配線、４４〜４６…電極、５０…突起部、５１…凹部、３４１，３４２，３５１，３５２…梁、３６１〜３６５，３７１〜３７５…可動電極指、３８１〜３８８，３９１〜３９８…固定電極指（３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８…第１固定電極指、３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７…第２固定電極指）、４７１，４７２…貫通電極、４８１，４８２…突起部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Physical quantity sensor, 2 ... Base substrate as a board | substrate, 2a ... 1st main surface, 2b ... 2nd main surface, 3 ... Sensor element, 5 ... Cover member, 6 ... Insulating film, 21 ... Recessed part, 22 ... 1st Recessed portion as a recessed portion, 23: Recessed portion as a second recessed portion, 24: Recessed portion, 31, 32 ... Fixed portion, 33 ... Movable portion, 34, 35 ... Connection portion, 36, 37 ... Movable electrode portion, 38, 39 ... Fixed Electrode part 41 ... Wiring as first wiring, 42 ... Wiring as second wiring, 43 ... Wiring, 44-46 ... Electrode, 50 ... Protrusion, 51 ... Recess, 341,342,351,352 ... Beam, 361-365, 371-375 ... movable electrode fingers, 381-388, 391-398 ... fixed electrode fingers (382, 384, 386, 388, 392, 394, 396, 398 ... first fixed electrode fingers, 381, 383 385, 387, 391, 393 395,397 ... second fixed electrode fingers), 471 and 472 ... through electrode 481, 482 ... projections.

Claims (7)

基板と、
前記基板の第１主面に設けられた固定部と、
前記固定部に連結部を介して変位可能に連結された可動部と、
前記可動部に設けられた可動電極指と、
前記基板の前記第１主面に設けられ、且つ、前記可動電極指に対向して配置された固定電極指と、を備え、
前記固定電極指は、前記可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指と、他方の側に配置された第２固定電極指と、を有し、
前記第１固定電極指は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１配線に接続され、
前記第２固定電極指は、前記基板の内部に設けられた内部電極を介して、基板内部または前記第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されたことを特徴とする物理量センサー。 A substrate,
A fixing portion provided on the first main surface of the substrate;
A movable part connected to the fixed part via a connecting part so as to be displaceable;
Movable electrode fingers provided on the movable part;
A fixed electrode finger provided on the first main surface of the substrate and disposed to face the movable electrode finger,
The fixed electrode finger has a first fixed electrode finger arranged on one side of the movable electrode finger and a second fixed electrode finger arranged on the other side,
The first fixed electrode finger is connected to a first wiring provided on the first main surface of the substrate,
The second fixed electrode finger is connected to a second wiring provided in the substrate or on the second main surface opposite to the first main surface via an internal electrode provided in the substrate. Physical quantity sensor characterized by. 請求項１に記載の物理量センサーにおいて、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることを特徴とする物理量センサー。   2. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein at least a part of the first wiring and the second wiring overlap each other in plan view. 請求項１または請求項２に記載の物理量センサーにおいて、前記第１配線の一端部は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１接続端子と接続され、前記第２配線の一端部は、前記基板の前記第２主面に設けられた第２接続端子と接続され、
平面視において、前記第１接続端子と前記第２接続端子とが互いに重なっていることを特徴とする物理量センサー。 3. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein one end of the first wiring is connected to a first connection terminal provided on the first main surface of the substrate, and one end of the second wiring. Is connected to a second connection terminal provided on the second main surface of the substrate,
The physical quantity sensor, wherein the first connection terminal and the second connection terminal overlap each other in a plan view. 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板の前記第１主面には、第１凹部が設けられ、該第１凹部内に前記第１配線が設けられたことを特徴とする物理量センサー。   4. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein a first recess is provided in the first main surface of the substrate, and the first wiring is provided in the first recess. 5. A physical quantity sensor characterized by that. 請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板の前記第２主面には、第２凹部が設けられ、該第２凹部内に前記第２配線が設けられたことを特徴とする物理量センサー。   5. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein a second recess is provided in the second main surface of the substrate, and the second wiring is provided in the second recess. A physical quantity sensor characterized by that. 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁性を有する材料で構成され、前記固定電極指は、半導体材料で構成されたことを特徴とする物理量センサー。   6. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein the substrate is made of an insulating material, and the fixed electrode finger is made of a semiconductor material. sensor. 請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the physical quantity sensor according to any one of claims 1 to 6.
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