JP2013008352A5 - 加算器及び全加算器 - Google Patents

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  1. 第1の信号が入力される接続制御部と、
    前記接続制御部を有し、第2の信号が入力され、前記第1の信号及び前記第2の信号を演算処理し第3の信号を出力することができる機能を有する演算部と、を有し、
    前記接続制御部は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲート電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1の信号の入力端子電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのオフ電流は、前記第1のトランジスタのオフ電流よりも低く、
    前記第1のトランジスタは、前記第3の信号として第1の電位または第2の電位のいずれを出力するかを制御することができる機能を有し
    前記第2のトランジスタは、前記第1の信号を前記第1のトランジスタのゲートに保持させることができる機能を有することを特徴とする加算器。
  2. 第1の信号が入力される接続制御部と、
    前記接続制御部を有し、第2の信号が入力され、前記第1の信号及び前記第2の信号を演算処理し第3の信号を出力することができる機能を有する演算部と、
    第1の電位供給制御部と、
    第2の電位供給制御部と、を有し、
    前記接続制御部は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲート電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1の信号の入力端子電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのオフ電流は、前記第1のトランジスタのオフ電流よりも低く、
    前記第1のトランジスタは、前記第3の信号として第1の電位または第2の電位のいずれを出力するかを制御することができる機能を有し
    前記第2のトランジスタは、前記第1の信号を前記第1のトランジスタのゲートに保持させることができる機能を有し
    前記第1の電位供給制御部は、第1の期間において、前記第1の電位を前記演算部に供給することができる機能を有し
    前記第2の電位供給制御部は、前記第1の期間の後の第2の期間において、前記第2の電位を前記演算部に供給することができる機能を有することを特徴とする加算器。
  3. 請求項1又は2において、
    前記第2のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むことを特徴とする加算器。
  4. 第1の信号が入力される第1の接続制御部と、
    前記第1の接続制御部を有し、第2の信号及び第3の信号が入力され、前記第1の信号、前記第2の信号、及び前記第3の信号を演算処理し第4の信号を出力することができる機能を有する第1の演算部と、
    前記第1の信号が入力される第2の接続制御部と、
    前記第2の接続制御部を有し、前記第2の信号及び前記第3の信号が入力され、前記第1の信号、前記第2の信号、及び前記第3の信号を演算処理し第5の信号を出力することができる機能を有する第2の演算部と、
    第1の電位供給制御部と、
    第2の電位供給制御部と、を有し、
    前記第1の接続制御部は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲート電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのオフ電流は、前記第1のトランジスタのオフ電流よりも低く、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1の信号の入力端子電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタは、前記第4の信号として第1の電位又は第2の電位のいずれを出力するかを制御することができる機能を有し
    前記第2のトランジスタは、前記第1の信号を前記第1のトランジスタのゲートに保持させることができる機能を有し
    前記第2の接続制御部は、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
    前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3のトランジスタのゲート電気的に接続され、
    前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1の信号の入力端子電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタは、前記第5の信号として前記第1の電位又は前記第2の電位のいずれを出力するかを制御することができる機能を有し
    前記第4のトランジスタは、前記第1の信号を前記第1のトランジスタのゲートに保持させることができる機能を有し
    前記第1の電位供給制御部は、
    第1の期間において、前記第1の電位を前記第1の演算部および前記第2の演算部に供給し、
    前記第2の電位供給制御部は、前記第1の期間の後の第2の期間において、前記第2の電位を前記第1の演算部及び前記第2の演算部に供給することができる機能を有することを特徴とする全加算器。
  5. 請求項4において、
    前記第2のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの各々は、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むことを特徴とする全加算器。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3217137B2 (ja) * 1992-07-28 2001-10-09 株式会社日立製作所 映像信号記録装置、再生装置及び伝送装置
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
JP6446258B2 (ja) * 2013-12-27 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP6235426B2 (ja) * 2014-07-10 2017-11-22 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP6674838B2 (ja) 2015-05-21 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
US9934826B2 (en) * 2016-04-14 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2018069785A1 (en) 2016-10-12 2018-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and system using the same
JP7073090B2 (ja) 2016-12-28 2022-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 ニューラルネットワークを利用したデータ処理装置、電子部品、および電子機器
KR20240099356A (ko) * 2018-03-02 2024-06-28 에이아이스톰, 아이엔씨. 전하 도메인 수학적 엔진 및 방법
JP7159696B2 (ja) * 2018-08-28 2022-10-25 富士通株式会社 情報処理装置,並列計算機システムおよび制御方法

Family Cites Families (149)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775693A (en) 1971-11-29 1973-11-27 Moskek Co Mosfet logic inverter for integrated circuits
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPS62274773A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
US4800303A (en) 1987-05-19 1989-01-24 Gazelle Microcircuits, Inc. TTL compatible output buffer
US5039883A (en) 1990-02-21 1991-08-13 Nec Electronics Inc. Dual input universal logic structure
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3298974B2 (ja) 1993-03-23 2002-07-08 電子科学株式会社 昇温脱離ガス分析装置
US6242289B1 (en) 1995-09-08 2001-06-05 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3618424B2 (ja) * 1995-09-07 2005-02-09 エイ・アイ・エル株式会社 低消費電力論理回路
JPH0993118A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Kawasaki Steel Corp パストランジスタ論理回路
US6078194A (en) 1995-11-13 2000-06-20 Vitesse Semiconductor Corporation Logic gates for reducing power consumption of gallium arsenide integrated circuits
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100186342B1 (ko) * 1996-09-06 1999-05-15 문정환 병렬 가산기
US5980092A (en) 1996-11-19 1999-11-09 Unisys Corporation Method and apparatus for optimizing a gated clock structure using a standard optimization tool
CA2305703A1 (en) 1997-10-10 1999-04-22 David W. Christianson Compositions and methods for inhibiting arginase activity
US6049883A (en) 1998-04-01 2000-04-11 Tjandrasuwita; Ignatius B. Data path clock skew management in a dynamic power management environment
GB2336487B (en) * 1998-04-17 2002-01-09 Advanced Risc Mach Ltd Conditional invert functions in precharged circuits
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
US6204695B1 (en) 1999-06-18 2001-03-20 Xilinx, Inc. Clock-gating circuit for reducing power consumption
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
US6281710B1 (en) 1999-12-17 2001-08-28 Hewlett-Packard Company Selective latch for a domino logic gate
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP3727838B2 (ja) 2000-09-27 2005-12-21 株式会社東芝 半導体集積回路
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
TW465188B (en) 2001-01-02 2001-11-21 Faraday Tech Corp Clock gate buffer circuit
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
DE10119051B4 (de) 2001-04-18 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Freigabe eines Taktsignals in Abhängigkeit von einem Freigabesignal
US6822478B2 (en) 2001-07-03 2004-11-23 Texas Instruments Incorporated Data-driven clock gating for a sequential data-capture device
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
EP1443130B1 (en) 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
DE60325860D1 (de) 2002-06-21 2009-03-05 Koninkl Philips Electronics Nv Schaltung mit asynchron arbeitenden komponenten
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
TWI272641B (en) 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7076748B2 (en) 2003-08-01 2006-07-11 Atrenta Inc. Identification and implementation of clock gating in the design of integrated circuits
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
WO2005088726A1 (ja) 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
CN101057333B (zh) 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
EP2455975B1 (en) 2004-11-10 2015-10-28 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide
JP5118812B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7256622B2 (en) 2004-12-08 2007-08-14 Naveen Dronavalli AND, OR, NAND, and NOR logical gates
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI412138B (zh) 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
US7323909B2 (en) 2005-07-29 2008-01-29 Sequence Design, Inc. Automatic extension of clock gating technique to fine-grained power gating
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4560502B2 (ja) 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101397571B1 (ko) 2005-11-15 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제조방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
US20070161165A1 (en) 2006-01-12 2007-07-12 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems and methods involving thin film transistors
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US7443202B2 (en) 2006-06-02 2008-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic apparatus having the same
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
US7576582B2 (en) 2006-12-05 2009-08-18 Electronics And Telecommunications Research Institute Low-power clock gating circuit
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
KR100941843B1 (ko) 2008-04-14 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 인버터 및 이를 구비한 표시장치
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2010087911A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Toshiba Corp 論理回路
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US8232947B2 (en) * 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011034012A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
KR101740943B1 (ko) 2009-09-24 2017-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011043175A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and display device having the same
MY158956A (en) 2009-10-16 2016-11-30 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
KR102462043B1 (ko) 2009-10-16 2022-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101930682B1 (ko) 2009-10-29 2018-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
MY180559A (en) 2009-10-30 2020-12-02 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
MY166309A (en) 2009-11-20 2018-06-25 Semiconductor Energy Lab Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
CN104716139B (zh) 2009-12-25 2018-03-30 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101872188B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013009285A (ja) * 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508256B2 (en) * 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit

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