JP2013001774A - Adhesive sheet and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet roll capable of restraining a rolling trace from being transferred in an adhesive layer, and capable of restraining sufficiently a void from being generated caused by entangled air, when bonding the adhesive layer onto an object to be bonded.SOLUTION: This adhesive sheet includes a separation base material, the adhesive layer provided partially on a surface of the separation base material, and an adhesive film layer laminated on the adhesive layer, the adhesive sheet has a longest formation part of making total length of the adhesive layer along a longitudinal direction of the adhesive sheet get longest, includes, in one side of the longest formation part, an adhesive layer non-forming area not provided with the adhesive layer, and includes, in the other one side of the longest formation part, an adhesive layer non-forming area, and a non-formation area not provided with the adhesive layer and the adhesive film layer.

Description

本発明は、接着シート及び半導体装置に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet and a semiconductor device.

従来、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接合には銀ペーストが主に使用されている。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、銀ペーストからなる接着剤層の膜厚の制御困難性、及び接着剤層のボイド発生等により上記要求に対処しきれなくなってきている。   Conventionally, silver paste is mainly used for joining a semiconductor element and a support member for mounting the semiconductor element. However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor elements, the support members used are required to be small and fine. In response to these requirements, silver paste causes problems during wire bonding due to protrusion or inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer made of silver paste, and generation of voids in the adhesive layer. As a result, it has become impossible to meet the above requirements.

そのため、上記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。このフィルム状接着剤は、個片貼り付け方式あるいはウェハ裏面貼り付け方式において使用されている。フィルム状接着剤を用いて個片貼り付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、ロール状（リール状）に巻き取られたフィルム状接着剤をカッティング又はパンチングによって任意のサイズに切り出し、フィルム状接着剤の個片を得る。この個片を、半導体素子搭載用の支持部材に貼り付け、フィルム状接着剤付き支持部材を得る。その後、ダイシング工程によって個片化した半導体素子をフィルム状接着剤付き支持部材に接合（ダイボンド）して半導体素子付き支持部材を作製する。更に、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程等を経ることにより半導体装置を作製する。
しかし、個片貼り付け方式においてフィルム状接着剤を用いる場合には、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であるため、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。 For this reason, film adhesives have been used in recent years to meet the above requirements. This film-like adhesive is used in an individual piece attaching method or a wafer back surface attaching method. When manufacturing a semiconductor device by a piece-by-piece pasting method using a film adhesive, first cut out the film adhesive wound in a roll shape (reel shape) into an arbitrary size by cutting or punching, A piece of film adhesive is obtained. This piece is attached to a support member for mounting a semiconductor element to obtain a support member with a film adhesive. Then, the semiconductor element separated by the dicing process is joined (die-bonded) to the support member with a film adhesive to produce a support member with a semiconductor element. Furthermore, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.
However, in the case of using a film adhesive in the piece bonding method, a dedicated assembly device for cutting out the film adhesive and bonding it to the support member is necessary, so compared with the method using silver paste As a result, the manufacturing cost is high.

一方、フィルム状接着剤を用いてウェハ裏面貼り付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、半導体ウェハの回路面とは反対側の面（裏面）にフィルム状接着剤を貼り付け、更にフィルム状接着剤の半導体ウェハ側と反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる。次に、ダイシングによって半導体ウェハ及びフィルム状接着剤を個片化し、フィルム状接着剤付き半導体素子を得る。得られたフィルム状接着剤付き半導体素子をピックアップし、それを半導体素子搭載用の支持部材に接合（ダイボンド）する。その後、加熱、硬化、ワイヤボンド等の工程を経ることにより半導体装置を作製する。
このフィルム状接着剤を用いたウェハ裏面貼り付け方式は、フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、フィルム状接着剤を個片化するための専用の装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま又は熱盤を付加する等の装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、フィルム状接着剤を用いた半導体装置の組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。 On the other hand, when a semiconductor device is manufactured using a film-like adhesive by a wafer back surface attachment method, first, a film-like adhesive is attached to the surface (back surface) opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer, A dicing tape is bonded to the surface opposite to the semiconductor wafer side of the film adhesive. Next, the semiconductor wafer and the film adhesive are separated into pieces by dicing to obtain a semiconductor element with a film adhesive. The obtained semiconductor element with a film adhesive is picked up and bonded (die-bonded) to a support member for mounting the semiconductor element. Thereafter, a semiconductor device is manufactured through processes such as heating, curing, and wire bonding.
This wafer back surface pasting method using a film adhesive does not require a dedicated device for separating the film adhesive into individual pieces because the semiconductor element with the film adhesive is bonded to the support member. The assembly apparatus for silver paste can be used as it is or by modifying a part of the apparatus such as adding a hot platen. For this reason, the semiconductor device is attracting attention as a method that can be manufactured at a relatively low cost among the methods for assembling a semiconductor device using a film adhesive.

しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウェハ裏面貼り付け方式においては、半導体ウェハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウェハに貼り付けする工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼り付けする工程との２つの貼り付け工程が必要である。そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このような接着シートは、例えば、剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有している。   However, in the above wafer back surface attaching method using a film adhesive, the process of attaching the film adhesive to the semiconductor wafer and the dicing tape are attached to the film adhesive before dicing the semiconductor wafer. Two pasting steps, including the step of attaching, are required. Therefore, in order to simplify this process, an adhesive sheet (die-bonded dicing sheet) having both functions is developed by laminating a film adhesive and a dicing tape (see, for example, Patent Document 1). ). Such an adhesive sheet has, for example, a three-layer structure of release substrate / adhesive layer / adhesive film.

また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献２参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層（接着剤層及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
プリカット加工が施された接着シートは、例えば、図３（ａ）に示すような構造を有している。また、図３（ｂ）は図３（ａ）の接着シート２００のＸ−Ｘ端面図であり、剥離基材１上に接着剤層２が積層され、その上にさらに粘着フィルム層３が、剥離基材１側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。なお、粘着フィルム層３は接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように積層されており、これにより、半導体ウェハのダイシングを行う際に、半導体ウェハの外周部のウェハリングに粘着フィルム層３を貼り付けて接着シート２００を固定することができるようになっている。 In addition, there is known a method (so-called precut processing) in which such an adhesive sheet is processed in advance into the shape of a wafer constituting a semiconductor element (see, for example, Patent Document 2). Such pre-cut processing is a method in which a resin layer (an adhesive layer and an adhesive film) is punched in accordance with the shape of a wafer to be used, and a resin layer other than a portion to which the wafer is attached is peeled off.
The pre-cut adhesive sheet has a structure as shown in FIG. 3A, for example. Moreover, FIG.3 (b) is XX end elevation of the adhesive sheet 200 of Fig.3 (a), the adhesive bond layer 2 is laminated | stacked on the peeling base material 1, and the adhesion film layer 3 is further on it, The layers are laminated so that the release substrate 1 side is an adhesive surface. The pressure-sensitive adhesive film layer 3 covers the adhesive layer 2 and is laminated so as to be in contact with the release substrate 1 around the adhesive layer 2, so that when the semiconductor wafer is diced, the semiconductor wafer The adhesive sheet 200 can be fixed by affixing the adhesive film layer 3 to the wafer ring on the outer periphery of the adhesive sheet.

かかるプリカット加工を施す場合、上記の接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。
上記プリカット加工が施された接着シート２００は、通常、例えば図４に示すような外径が一定な円筒状の巻き芯２１１に巻きつけられ、図５に示すように、ロール状の接着シートロール２１０として提供される。このような、接着シートを巻き芯に巻きつけた接着シートロールとしては、例えば、巻き芯２１１の接着シート２００に対する接触面積を大きくすることを目的として、所定の直径を有する巻き芯を用いた接着シートロールが開示されている（例えば、特許文献３等参照）。 When performing such pre-cut processing, the above adhesive sheet is generally pre-cut with a film-like adhesive in accordance with the wafer shape of the adhesive layer, bonded to the dicing tape, and then attached to the dicing tape. It is manufactured by applying a pre-cut process in accordance with the wafer ring shape, or by bonding a dicing tape pre-cut into a wafer ring shape in advance with a pre-cut film adhesive.
The pre-cut adhesive sheet 200 is usually wound around a cylindrical core 211 having a constant outer diameter, for example, as shown in FIG. 4, and as shown in FIG. Provided as 210. As such an adhesive sheet roll in which an adhesive sheet is wound around a winding core, for example, for the purpose of increasing the contact area of the winding core 211 with the adhesive sheet 200, bonding using a winding core having a predetermined diameter is used. A sheet roll is disclosed (see, for example, Patent Document 3).

特開平７−４５５５７号公報JP 7-45557 A 実公平６−１８３８３号公報Japanese Utility Model Publication No. 6-18383 国際公開２０１０／０６４３７６号パンフレットInternational Publication 2010/064376 Pamphlet

しかしながら、上記のように、図３に示す接着シート２００のようなプリカット加工が施された接着シート２００を、上記巻き芯２１１等の外径が一定な従来の円筒状の巻き芯に巻きつけた接着シートロール２１０では、以下のような不具合が生じることを本発明者らは見出した。すなわち、上記プリカット加工が施された接着シート２００においては、図３（ｂ）に示すように、部分的に接着剤層２と粘着フィルム層３とを積層するため、接着剤層２と粘着フィルム層３との積層部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロール２１０の直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなったりした場合、図６（ａ）に示すように、接着剤層２の部分に他の接着剤層２の巻き跡１２が転写され、図６（ａ）のＹ−Ｙ端面図である図６（ｂ）に示すように、フィルムの平滑性が損なわれることがある。また、接着剤層２の厚みが厚くなった場合、巻き跡１２が更に転写されやすくなる。これら巻き跡１２の転写により接着シート２００に平滑性の欠陥があると、接着シート２００を半導体ウェハへ貼り付けた時に半導体ウェハと接着剤層２との間に空気を巻き込み、半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。   However, as described above, the adhesive sheet 200 that has been pre-cut like the adhesive sheet 200 shown in FIG. 3 is wound around a conventional cylindrical core having a constant outer diameter, such as the core 211. The present inventors have found that the following problems occur in the adhesive sheet roll 210. That is, in the adhesive sheet 200 subjected to the pre-cut processing, as shown in FIG. 3B, the adhesive layer 2 and the adhesive film are partially laminated with the adhesive layer 2 and the adhesive film layer 3. The layered portion with the layer 3 is thicker than the other portions. Therefore, when the diameter of the adhesive sheet roll 210 is increased or the tension at the time of winding is increased, the other adhesive layer 2 is wound around the adhesive layer 2 as shown in FIG. The trace 12 is transferred, and the smoothness of the film may be impaired as shown in FIG. 6B which is a YY end view of FIG. Further, when the thickness of the adhesive layer 2 is increased, the winding marks 12 are further easily transferred. If the adhesive sheet 200 has a smooth defect due to the transfer of the traces 12, air is entrained between the semiconductor wafer and the adhesive layer 2 when the adhesive sheet 200 is attached to the semiconductor wafer. , Malfunctions may occur.

なお、接着シートとしては、図７（ａ）及び図７（ａ）のＺ−Ｚ端面図である図７（ｂ）に示すように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層２及び粘着フィルム層３の外方にも粘着フィルム層３が形成された接着シート２２０、及び接着シート２２０が巻き芯２１１に巻きつけられた接着シートロール２３０も知られているが、この場合にも、上記と同様に、接着シート２２０が従来の巻き芯２１１に巻きつけられると、接着剤層２に巻き跡１２が転写され、半導体装置組み立て方法上の不具合が生じることがある。
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シート、及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。 In addition, as an adhesive sheet, as shown in FIG. 7 (b) which is a ZZ end view of FIG. 7 (a) and FIG. 7 (a), an adhesive layer 2 pre-cut according to the wafer shape and Although the adhesive sheet 220 in which the adhesive film layer 3 is formed also outside the adhesive film layer 3 and the adhesive sheet roll 230 in which the adhesive sheet 220 is wound around the winding core 211 are also known, Similarly to the above, when the adhesive sheet 220 is wound around the conventional winding core 211, the winding marks 12 are transferred to the adhesive layer 2, and a problem in the method of assembling the semiconductor device may occur.
The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, the transfer of the winding marks to the adhesive layer is suppressed, and voids due to air entrainment when the adhesive layer is stuck to the adherend are suppressed. An object of the present invention is to provide an adhesive sheet in which generation is suppressed, and a semiconductor device using the same.

本発明は、（１）剥離基材と前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と前記接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、前記接着シートは、前記接着シートの長手方向における前記接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、前記最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、前記最長形成部のもう一方の片側に前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シートに関する。
また本発明は、（２）前記接着剤層及び前記粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状あるいは前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層又は前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有している（１）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（３）前記接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものである（１）又は（２）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（４）前記熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０００００以上である高分子量成分である（３）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（５）前記高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である（４）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（６）前記熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものである（２）〜（５）のいずれかに記載の接着シートに関する。
本発明はまた、（７）上記本発明の接着シートを用いて製造された半導体装置に関する。 The present invention includes (1) an adhesive sheet comprising a release substrate, an adhesive layer partially provided on the surface of the release substrate, and an adhesive film layer laminated on the adhesive layer; The adhesive sheet has a longest forming portion that has the longest total length of the adhesive layers in the longitudinal direction of the adhesive sheet, and the adhesive layer is provided on one side of the longest forming portion. An adhesive layer non-formation region that is not formed, the adhesive layer non-formation region on the other side of the longest formation part, and a non-formation region in which the adhesive layer and the adhesive film layer are not provided It has an adhesive sheet.
In the present invention, (2) at least one of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film has a circular shape or a planar shape of an adherend to which the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive film is to be attached after peeling the release substrate. The adhesive sheet according to (1), which has a planar shape matching the above.
The present invention also relates to (3) the adhesive sheet according to (1) or (2), wherein the adhesive layer contains a thermoplastic resin and a thermopolymerizable component.
The present invention also relates to (4) the adhesive sheet according to (3), wherein the thermoplastic resin is a high molecular weight component having a functional monomer and a weight average molecular weight of 100,000 or more.
The present invention also relates to (5) the adhesive sheet according to (4), wherein the high molecular weight component is an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer.
The present invention also relates to (6) the adhesive sheet according to any one of (2) to (5), wherein the thermopolymerizable component contains an epoxy resin and an epoxy resin curing agent.
The present invention also relates to (7) a semiconductor device manufactured using the adhesive sheet of the present invention.

本発明によれば、接着シートを巻き芯に巻きつけて接着シートロールとする時に、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シート、及びこれを用いた半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, when an adhesive sheet is wound around a winding core to form an adhesive sheet roll, transfer of the traces to the adhesive layer is suppressed, and air is entrained when the adhesive layer is attached to the adherend. It is possible to provide an adhesive sheet in which generation of voids due to the above is suppressed, and a semiconductor device using the same.

本発明の第１実施形態における接着シートを模式的に示す（ａ）平面図及び（ｂ）Ａ−Ａ断面図である。It is (a) top view and (b) AA sectional view showing typically the adhesive sheet in a 1st embodiment of the present invention. 本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section showing one embodiment of a semiconductor device of the present invention. （ａ）は、従来の接着シートの一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ端面図である。(A) is a top view which shows typically an example of the conventional adhesive sheet, (b) is XX end elevation of (a). 接着シートロールに用いる巻き芯を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the winding core used for an adhesive sheet roll. 図３に示す接着シートを円筒状の巻き芯に巻きつけてなる接着シートロールを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the adhesive sheet roll formed by winding the adhesive sheet shown in FIG. 3 around a cylindrical winding core. （ａ）は、図３に示す接着シートに巻き跡が転写されている様子を示す模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＹ−Ｙ端面図である。(A) is a schematic diagram which shows a mode that the winding trace is transcribe | transferred to the adhesive sheet shown in FIG. 3, (b) is a YY end view of (a). （ａ）は、従来の接着シートの他の一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＺ−Ｚ端面図である。(A) is a top view which shows typically another example of the conventional adhesive sheet, (b) is a ZZ end elevation of (a).

本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示すものとする。
また本明細書において「工程」との用語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。 In the present specification, a numerical range indicated by using “to” indicates a range including the numerical values described before and after the numerical value as a minimum value and a maximum value, respectively.
In addition, in this specification, the term “process” is not limited to an independent process, and is included in this term if the intended action of the process is achieved even when it cannot be clearly distinguished from other processes. It is.

（接着シート）
本発明の接着シートは、剥離基材と、前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と、を含んで構成されている。
また接着シートは、接着シートの長手方向における接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、その最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有しており、もう一方の片側には前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有している。
ここで「接着シートの長手方向」とは、接着シートが巻き芯に巻きつけられる方向であり、接着シートが巻き芯に巻きつけられたときに重なって巻きつけられる方向である。また「接着シートの短手方向」は、前記接着シートの長手方向と垂直な方向であり、巻き芯の軸と平行な方向である。以下、接着シートの長手方向及び接着シートの短手方向を、それぞれ、単に「長手方向」及び「短手方向」と称する場合がある。
本発明の接着シートは、上記構成であることにより、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される。 (Adhesive sheet)
The adhesive sheet of this invention is comprised including the peeling base material and the adhesive bond layer partially provided in the surface of the said peeling base material.
In addition, the adhesive sheet has a longest forming portion where the total length of the adhesive layers in the longitudinal direction of the adhesive sheet is the longest, and the adhesive layer is not provided with the adhesive layer on one side of the longest forming portion. It has a formation region, and the other side has the adhesive layer non-formation region and a non-formation region where the adhesive layer and the adhesive film layer are not provided.
Here, the “longitudinal direction of the adhesive sheet” is a direction in which the adhesive sheet is wound around the winding core, and is a direction in which the adhesive sheet is wound in an overlapping manner when the adhesive sheet is wound around the winding core. The “short direction of the adhesive sheet” is a direction perpendicular to the longitudinal direction of the adhesive sheet, and is a direction parallel to the axis of the winding core. Hereinafter, the longitudinal direction of the adhesive sheet and the short direction of the adhesive sheet may be simply referred to as “longitudinal direction” and “short direction”, respectively.
Since the adhesive sheet of the present invention has the above-described configuration, the transfer of the winding marks to the adhesive layer is suppressed, and the generation of voids due to the entrainment of air when the adhesive layer is attached to the adherend is suppressed. .

具体的には、本発明の接着シートは、上記の通り、剥離基材の表面に部分的に接着剤層と粘着フィルム層が設けられており、最長形成部と非形成領域とを有している。そして、そのような接着シートを巻き芯に巻きつけてロール状にすると、最長形成部においては接着剤層と粘着フィルム層が最も長く形成されているため他の部分に比べて厚くなるのに対し、非形成領域では接着剤層及び粘着フィルム層が形成されていないため、接着剤層または粘着フィルム層の厚みの分、剥離基材間に隙間が生じることになる。そのため、例えば従来のように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層及び粘着フィルム層の外方にも粘着フィルム層が形成された接着シートでは、他の部分に比べて厚く積層された最長形成部に巻取りの圧力が集中すると考えられる。そして、前記最長形成部に圧力が集中すると、前記長手方向における粘着フィルム層の端部の段差が、他の接着剤層に食い込んで転写され、巻き跡が発生すると考えられる。   Specifically, as described above, the adhesive sheet of the present invention is partially provided with an adhesive layer and a pressure-sensitive adhesive film layer on the surface of the release substrate, and has a longest formed portion and a non-formed region. Yes. And when such an adhesive sheet is wound around a winding core to form a roll, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer are formed to be the longest in the longest forming part, whereas it is thicker than other parts. Since the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer are not formed in the non-formation region, a gap is generated between the release substrates by the thickness of the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive film layer. Therefore, for example, as in the past, in the adhesive sheet in which the adhesive film layer was formed on the outside of the adhesive layer and the adhesive film layer that were pre-cut according to the wafer shape, the adhesive sheet was laminated thicker than other parts. It is considered that the winding pressure is concentrated on the longest forming portion. And when pressure concentrates on the longest formation part, the level | step difference of the edge part of the adhesive film layer in the said longitudinal direction will bite into another adhesive bond layer, and it will transfer, and it will be thought that a winding mark generate | occur | produces.

これに対して本発明では、最長形成部の片側のみに接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域を有し、もう一方の片側は非形成領域を有さない。すなわち、最長形成部に集中する圧力が非形成領域を有さない部分にかかることになり、前記長手方向における粘着フィルム層の端部の段差にかかる圧力が軽減されると考える。そのため、上記巻き跡が生じにくくなり、接着シートの接着剤層を半導体ウェハ等の被着体に貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等が発生することを十分に抑制することができる。
なお、本発明の接着シートは通常、シートロールとして提供され、使用する際にはラミネート装置を用いて接着シートをウェハに貼り付ける。本発明の巻き跡のボイドの抑制のためには、最長形成部の片側のみではなく両側に非形成領域を有さないことが効果的であるが、その場合、前記ラミネート装置において接着シートを容易に取り出すことが困難になり、また接着シートの自動認識をすることができなくなってしまうため、作業性の観点から好ましくない。 On the other hand, in this invention, it has a non-formation area | region in which the adhesive bond layer and the adhesion film layer are not provided only in the one side of the longest formation part, and the other one side does not have a non-formation area | region. That is, it is considered that the pressure concentrated on the longest forming portion is applied to a portion having no non-forming region, and the pressure applied to the step of the end portion of the adhesive film layer in the longitudinal direction is reduced. For this reason, the above-mentioned traces are less likely to occur, and it is possible to sufficiently suppress the occurrence of voids and the like due to air entrainment when the adhesive layer of the adhesive sheet is attached to an adherend such as a semiconductor wafer.
The adhesive sheet of the present invention is usually provided as a sheet roll, and when used, the adhesive sheet is attached to a wafer using a laminating apparatus. In order to suppress voids in the winding marks of the present invention, it is effective not to have non-formation regions on both sides as well as on one side of the longest formation portion. This is not preferable from the viewpoint of workability.

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

図１（ａ）は、本発明の接着シートを示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
図１に示す接着シートは、例えば、剥離基材１と、剥離基材１の表面に部分的に設けられた接着剤層２と、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように形成された粘着フィルム層３と、含んで構成されている。
具体的には、接着剤層２は、図１に示すように、剥離基材１の長手方向に沿って複数設けられている。またそれぞれの接着剤層２は、円形であり、かつ、前記短手方向における剥離基材１の中央部に形成されている。
また、粘着フィルム層３は、接着剤層２よりも大きな円形であり、接着剤層２をすべて覆うように積層されるとともに、接着剤層２が形成された領域の周囲において剥離基材１と直接接触するように設けられている。本実施形態では、粘着フィルム層３も前記短手方向における剥離基材１の中央部に形成されているため、図１の接着シート１００では、前記短手方向における中心が最長形成部４となる。
一方、前記短手方向における粘着フィルム層３の片側では、前記粘着フィルム層３の端部から剥離基材１の両端部までの領域に接着剤層２も粘着フィルム層３も形成されていない。
また、粘着フィルム層３のもう一方の片側では、粘着フィルム層３のウェハ形状にプリカット加工された端部から剥離基材１の端部までの領域には粘着フィルム層３が形成されている。 Fig.1 (a) is a top view which shows the adhesive sheet of this invention, FIG.1 (b) is AA sectional drawing of Fig.1 (a).
The adhesive sheet shown in FIG. 1 includes, for example, a release substrate 1, an adhesive layer 2 partially provided on the surface of the release substrate 1, and covers the adhesive layer 2 and the periphery of the adhesive layer 2. And an adhesive film layer 3 formed so as to be in contact with the release substrate 1.
Specifically, a plurality of adhesive layers 2 are provided along the longitudinal direction of the release substrate 1 as shown in FIG. Moreover, each adhesive bond layer 2 is circular, and is formed in the center part of the peeling base material 1 in the said transversal direction.
Further, the pressure-sensitive adhesive film layer 3 has a larger circular shape than the adhesive layer 2 and is laminated so as to cover the entire adhesive layer 2, and around the region where the adhesive layer 2 is formed, It is provided to be in direct contact. In this embodiment, since the adhesive film layer 3 is also formed at the central portion of the peeling substrate 1 in the short direction, the center in the short direction is the longest forming portion 4 in the adhesive sheet 100 of FIG. .
On the other hand, on one side of the adhesive film layer 3 in the lateral direction, neither the adhesive layer 2 nor the adhesive film layer 3 is formed in the region from the end of the adhesive film layer 3 to both ends of the release substrate 1.
On the other side of the pressure-sensitive adhesive film layer 3, the pressure-sensitive adhesive film layer 3 is formed in a region from the end portion of the pressure-sensitive adhesive film layer 3 that has been precut into a wafer shape to the end portion of the release substrate 1.

以下、本発明の接着シートの各構成要素について詳細に説明する。
＜剥離基材＞
剥離基材１は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
また、剥離基材１の接着剤層２と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。 Hereinafter, each component of the adhesive sheet of this invention is demonstrated in detail.
<Peeling substrate>
The peeling substrate 1 plays a role as a carrier film when using the adhesive sheet. Examples of the peeling substrate 1 include polyester films such as polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, Polyolefin films such as polypropylene film, polymethylpentene film, and polyvinyl acetate film, and plastic films such as polyvinyl chloride film and polyimide film can be used. Moreover, paper, a nonwoven fabric, metal foil, etc. can also be used.
Further, the surface of the release substrate 1 on the side in contact with the adhesive layer 2 may be surface-treated with a release agent such as a silicone release agent, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent.

剥離基材１の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜１００μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍであることが特に好ましい。   Although the thickness of the peeling base material 1 can be suitably selected in the range which does not impair the workability | operativity at the time of use, it is preferable that it is 10-500 micrometers, It is more preferable that it is 25-100 micrometers, It is 30-50 micrometers. It is particularly preferred.

＜接着剤層＞
接着剤層２の材料としては、特に制限されないが、例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び、酸素反応性接着剤等を含んで構成される。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着剤として半導体素子の固定に使用されることを考慮すると、接着剤層２は熱硬化性接着剤を含んで構成されていることが好ましい。 <Adhesive layer>
Although it does not restrict | limit especially as a material of the adhesive bond layer 2, For example, it is comprised including a thermosetting adhesive, a photocurable adhesive, a thermoplastic adhesive, an oxygen reactive adhesive, etc. These can be used singly or in combination of two or more, but considering that they are used for fixing semiconductor elements as an adhesive, the adhesive layer 2 includes a thermosetting adhesive. Preferably it is.

熱硬化性接着剤としては、熱により硬化するものであれば特に制限はなく、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソジアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ熱重合性成分を含むものが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着シートとしての耐熱性及び熱硬化による接着力を考慮すると、上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることにより、かかる接着剤層を介して半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。   The thermosetting adhesive is not particularly limited as long as it is cured by heat, and heat having a functional group such as a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group or an amide group. The thing containing a polymeric component is mentioned. These can be used singly or in combination of two or more types, and in consideration of heat resistance as an adhesive sheet and adhesive force due to thermosetting, the above-mentioned thermopolymerizable component and thermoplastic resin are contained. It is preferable to use a thermosetting adhesive. By using a thermosetting adhesive containing the above-mentioned thermopolymerizable component and a thermoplastic resin, the semiconductor element can be used as a support member for mounting the semiconductor element or another semiconductor element through the adhesive layer. Can be fixed to.

ここで、熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、または少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限されないが、熱可塑性樹脂（Ａ）としてＴｇ（ガラス転移温度）が１０〜１００℃であり、且つ、重量平均分子量が５０００〜２０００００であるもの、又は熱可塑性樹脂（Ｂ）としてＴｇが−５０℃〜１０℃であり、且つ、重量平均分子量１０００００以上が好ましい。   Here, the thermoplastic resin is not particularly limited as long as it is a resin having thermoplasticity, or at least a resin that has thermoplasticity in an uncured state and forms a crosslinked structure after heating, but as the thermoplastic resin (A) A Tg (glass transition temperature) of 10 to 100 ° C. and a weight average molecular weight of 5,000 to 200,000, or a thermoplastic resin (B) having a Tg of −50 ° C. to 10 ° C., and a weight average A molecular weight of 100,000 or more is preferable.

前者の熱可塑性樹脂（Ａ）としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリイミド樹脂を用いることが好ましい。   As the former thermoplastic resin (A), for example, polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, Examples include polyether ketone resins. Among these, it is preferable to use a polyimide resin.

後者の熱可塑性樹脂（Ｂ）としては、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能基モノマーに由来する構造単位を含むグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。   As the latter thermoplastic resin (B), it is preferable to use a polymer containing a structural unit derived from a functional monomer. The functional group of the functional monomer of this polymer is a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group. , Hydroxyl group, carboxyl group, isocyanurate group, amino group, amide group and the like, among which glycidyl group is preferable. More specifically, a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer containing a structural unit derived from a functional group monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferable, and is incompatible with a thermosetting resin such as an epoxy resin. More preferably.

上記熱可塑性樹脂（Ｂ）のうち、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーに由来する構造単位を含有し、かつ重量平均分子量が１０００００以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製の商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３等が挙げられる。   Among the thermoplastic resins (B), the polymer containing a structural unit derived from a functional monomer contains, for example, a structural unit derived from a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, and has a weight average molecular weight. Examples thereof include glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymers having a valence of 100,000 or more. Among them, those which are incompatible with the epoxy resin are preferable. Specific examples of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer include trade name: HTR-860P-3 manufactured by Nagase ChemteX Corporation.

上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。   As the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer, for example, (meth) acrylic ester copolymer, acrylic rubber and the like can be used, and acrylic rubber is more preferable. The acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.

上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を構成する、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のグリシジル基含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として０．５〜６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。   The amount of the glycidyl group-containing monomer unit such as the glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate constituting the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer is preferably 0.5 to 6.0% by mass based on the total amount of the monomers, More preferably, it is 0.5 to 5.0 mass%, and particularly preferably 0.8 to 5.0 mass%. When the amount of the glycidyl group-containing monomer unit is within this range, sufficient adhesive force can be ensured and gelation can be prevented.

グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外のモノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定することができ、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層２のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
上記モノマーを重合させて、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重量平均分子量が１０００００以上である重合体を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。 Examples of monomers other than glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate include ethyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and these can be used alone or in combination of two or more. In the present invention, ethyl (meth) acrylate refers to both ethyl acrylate and ethyl methacrylate. The mixing ratio in the case of using a combination of functional monomers can be determined in consideration of Tg of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer, and it is preferable that Tg is −10 ° C. or higher. . When Tg is −10 ° C. or higher, the tackiness of the adhesive layer 2 in the B-stage state is appropriate, and the handleability tends to be good.
In the case of producing a polymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more containing a structural unit derived from a functional monomer by polymerizing the monomer, the polymerization method is not particularly limited. For example, pearl polymerization, solution polymerization, etc. Can be used.

官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体の重量平均分子量は、１０００００以上が好ましく、３０００００〜３００００００であることが好ましく、５０００００〜２００００００であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。すなわち、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易いフィルムにすることができる。また、分子量が１０００００以上あることで室温でのフィルムの硬さが巻き取り時の圧力による転写を防ぐことができる。仮に何らかの原因で転写があった場合も、熱可塑性樹脂であることで、半導体ウェハとの貼り付け時の熱により変形し、ボイドを低減する事ができる。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。 The weight average molecular weight of the polymer containing a structural unit derived from a functional monomer is preferably 100,000 or more, preferably 300,000 to 3,000,000, and more preferably 500,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is within this range, the strength, flexibility, and tackiness of a sheet or film are appropriate, and the flowability is appropriate, so the circuit fillability of wiring is ensured. It tends to be possible. That is, it is possible to maintain a film shape under a work environment in manufacturing a semiconductor device and to make a film that is easy to handle. Further, when the molecular weight is 100,000 or more, the film hardness at room temperature can prevent transfer due to the pressure during winding. Even if there is a transfer for some reason, it is a thermoplastic resin, so that it can be deformed by heat at the time of bonding to a semiconductor wafer, and voids can be reduced.
In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.

また、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重量平均分子量が１０００００以上である重合体の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、重合体の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。   Moreover, the usage-amount of the polymer whose weight average molecular weight containing the structural unit derived from a functional monomer is 100000 or more is 10-400 mass parts with respect to 100 mass parts of thermopolymerizable components. When it is in this range, storage elastic modulus and flowability during molding can be ensured, and handling properties at high temperatures tend to be good. Moreover, 15-350 mass parts is more preferable with respect to 100 mass parts of thermopolymerizable components, and 20-300 mass parts is especially preferable.

また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れるダイボンドダイシングシートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。
上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 The thermopolymerizable component is not particularly limited as long as it is polymerized by heat. For example, functional groups such as glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group, isocyanurate group, amino group, amide group, etc. These compounds can be used alone or in combination of two or more, but considering the heat resistance as an adhesive sheet, they are cured by heat and have an adhesive action. It is preferable to use a resin. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a phenol resin, a thermosetting polyimide resin, a polyurethane resin, a melamine resin, and a urea resin, and in particular, heat resistance, workability, and reliability. It is most preferable to use an epoxy resin in that a die-bonded dicing sheet excellent in the above can be obtained. When using an epoxy resin as the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent together.
The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. For example, a bifunctional epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin, a novolak such as a phenol novolac type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin. A type epoxy resin or the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲシリーズ（商品名：ｊＥＲ８０７、ｊＥＲ８１５、ｊＥＲ８２５、ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９）、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び、新日化エポキシ製造株式会社製の商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名：ｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５４、日本化薬株式会社製の商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＮ−４３８等が挙げられる。更に、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製の商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、新日化エポキシ製造株式会社製の商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。   As the epoxy resin, for example, as bisphenol A type epoxy resin, jER series (trade names: jER807, jER815, jER825, jER825, jER828, jER834, jER1001, jER1004, jER1007, jER1009) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Dow Chemical Brand names manufactured by the company: DER-330, DER-301, DER-361, and brand names manufactured by Nippon Kayaku Epoxy Manufacturing Co., Ltd .: YD8125, YDF8170, and the like. Examples of the phenol novolac type epoxy resin include trade names of Mitsubishi Chemical Corporation: jER152 and jER154, trade names of Nippon Kayaku Co., Ltd .: EPPN-201, trade names of Dow Chemical Co., Ltd., and DEN-438. . Furthermore, as the o-cresol novolac type epoxy resin, trade names of Nippon Kayaku Co., Ltd .: EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, Nippon Kayaku Epoxy Co., Ltd. Product names manufactured by Manufacturing Co., Ltd .: YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704 and the like.

多官能エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名：Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、ＢＡＳＦ社製の商品名：アラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製の商品名：デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。   As the multifunctional epoxy resin, trade names of Mitsubishi Chemical Corporation: Epon 1031S, trade names of BASF: Araldite 0163, trade names of Nagase ChemteX Corporation: Denacol EX-611, EX-614, EX- 614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321, and the like.

アミン型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名：ｊＥＲ６０４、新日化エポキシ製造株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製の商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製の商品名：ＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、ＢＡＳＦ社製の商品名：アラルダイトＰＴ８１０、ユニオンカーバイド社製の商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
なお、熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることにより、半導体装置作製後、半導体素子と支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置の使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。 Examples of amine type epoxy resins include Mitsubishi Chemical Corporation trade name: jER604, Nippon Kayaku Epoxy Manufacturing Corporation YH-434, Mitsubishi Gas Chemical Corporation trade names: TETRAD-X and TETRAD-C, Sumitomo Product name: ELM-120 manufactured by Kagaku Corporation. Examples of the heterocyclic ring-containing epoxy resin include BASF's trade name: Araldite PT810, Union Carbide's trade names: ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206, and the like. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
In addition, the heat-polymerizable component contains an epoxy resin and an epoxy resin curing agent, so that it can be sufficiently fixed to the semiconductor element and the supporting member or another semiconductor element after the semiconductor device is manufactured, Damage or failure of the semiconductor device can be prevented in an environment where the semiconductor device is used.

エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   When using an epoxy resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent. As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used, for example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, dicyandiamide, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol. Examples thereof include bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups such as S, phenol resins such as phenol novolac resins, bisphenol A novolac resins, and cresol novolac resins. Among these, phenol resins such as phenol novolak resin, bisphenol A novolak resin, and cresol novolak resin are preferable in terms of excellent electric corrosion resistance at the time of moisture absorption. These epoxy resin curing agents can be used alone or in combination of two or more.

上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、三菱化学株式会社製、商品名：ｊＥＲキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、ｊＥＲキュアＹＬ６０６５、ｊＥＲキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５、及び、三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。   Among the above-mentioned phenol resin curing agents, for example, trade names: Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite VH-4150, Phenolite are preferable. Light VH4170, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name: H-1, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: jER cure MP402FPY, jER cure YL6065, jER cure YLH129B65, and Mitsui Chemicals, trade name: Millex XL , Milex XLC, Milex RN, Milex RS, Milex VR and the like.

接着剤層２は、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであることが好ましい。ここで、本発明における貯蔵弾性率は、強制振動非共振法による引張り試験によって求めることができる。また接着剤層２は、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａであることが好ましい。接着剤層２が上記範囲の貯蔵弾性率を有することにより、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材間の応力を緩和し、幅広い温度域で十分な接着力を確保できる。これにより半導体装置作製の作業中あるいは半導体装置が使用される環境下で、半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。
ここで、接着剤層２の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。 The adhesive layer 2 preferably has a storage elastic modulus of 10 to 10,000 MPa before curing at 25 ° C. Here, the storage elastic modulus in this invention can be calculated | required by the tension test by a forced vibration non-resonance method. The adhesive layer 2 preferably has a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 30 MPa. When the adhesive layer 2 has a storage elastic modulus in the above range, the stress between the semiconductor element and the support member for mounting the semiconductor element can be relaxed, and a sufficient adhesive force can be secured in a wide temperature range. As a result, damage or failure of the semiconductor device can be prevented during the semiconductor device manufacturing operation or in an environment where the semiconductor device is used.
Here, as a method of increasing the storage elastic modulus of the adhesive layer 2, for example, a method of increasing the amount of the epoxy resin used, an epoxy resin having a high glycidyl group concentration, or a phenol resin having a high hydroxyl group concentration is used. The method of raising the crosslinking density of this, the method of adding a filler, etc. are mentioned.

上記接着剤層２が熱重合性成分を含む場合、接着剤層２には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。   When the adhesive layer 2 contains a thermopolymerizable component, a curing accelerator may be further added to the adhesive layer 2. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator, For example, imidazole etc. are mentioned. Specific examples include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Or in combination of two or more.

この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。   5 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a thermopolymerizable component, and, as for the addition amount of this hardening accelerator, 3 mass parts or less are more preferable. When this addition amount exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.

接着剤層２には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。   For the purpose of improving the flexibility and reflow crack resistance, a high molecular weight resin compatible with the thermopolymerizable component can be added to the adhesive layer 2. Such a high molecular weight resin is not particularly limited, and examples thereof include a phenoxy resin, a high molecular weight thermopolymerizable component, and an ultrahigh molecular weight thermopolymerizable component. These may be used alone or in combination of two or more.

熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層２のＴｇを確保することができる。   The amount of the high molecular weight resin that is compatible with the thermopolymerizable component may be 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of the thermopolymerizable component when the adhesive layer includes the thermopolymerizable component. preferable. Within this range, the Tg of the adhesive layer 2 can be secured.

また、接着剤層２には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。また、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。   In addition, an inorganic filler can be added to the adhesive layer 2 for the purpose of improving its handleability, improving thermal conductivity, adjusting melt viscosity, imparting thixotropic properties, and the like. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, and aluminum borate whisker. , Boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like. Further, the shape of the filler is not particularly limited. These fillers can be used alone or in combination of two or more. Among these, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica are preferable from the viewpoint of improving thermal conductivity. From the viewpoint of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, crystallinity Silica and amorphous silica are preferred.

無機フィラーの添加量は、接着剤層２の総量を基準として１〜２０質量％が好ましい。添加量が１質量％未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、２０質量％を超えると、接着剤層２の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。   The addition amount of the inorganic filler is preferably 1 to 20% by mass based on the total amount of the adhesive layer 2. When the addition amount is less than 1% by mass, the effect of addition tends to be insufficient, and when it exceeds 20% by mass, the adhesive layer 2 has poor adhesive properties, electrical characteristics are deteriorated due to residual voids, and the like. There is a tendency to cause problems.

また、接着剤層２には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。   Various adhesives can also be added to the adhesive layer 2 in order to improve interfacial bonding between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based, and among them, a silane-based coupling agent is preferable because it is highly effective.

上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層２全量を基準として０．０１〜１０質量％とするのが好ましい。   It is preferable that the usage-amount of the said coupling agent shall be 0.01-10 mass% on the basis of the adhesive layer 2 whole quantity from the surface of the effect, heat resistance, and cost.

更に、接着剤層２には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤等が挙げられる。   Furthermore, an ion scavenger can be added to the adhesive layer 2 in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. Such an ion scavenger is not particularly limited. For example, a triazine thiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc., a compound known as a copper damage inhibitor to prevent copper from being ionized and dissolved, a zirconium-based compound, Examples include inorganic ion adsorbents such as antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds.

上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層２全量を基準として０．１〜１０質量％が好ましい。   The amount of the ion scavenger used is preferably 0.1 to 10% by mass on the basis of the total amount of the adhesive layer 2 from the viewpoint of the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.

接着剤層２の厚さは、２〜２００μｍであることが好ましく、５〜１２０μｍであることが特に好ましい。厚さが２μｍ以上であることにより、接着剤として十分な接着力が確保される傾向があり、２００μｍ以下であることにより、半導体装置が肉薄になり、半導体装置の使用用途が広がる傾向がある。   The thickness of the adhesive layer 2 is preferably 2 to 200 μm, and particularly preferably 5 to 120 μm. When the thickness is 2 μm or more, a sufficient adhesive force as an adhesive tends to be secured, and when the thickness is 200 μm or less, the semiconductor device becomes thin, and the usage of the semiconductor device tends to be widened.

接着剤層２の形状は、上記の通り、被着体の形状に応じて適宜選択される。具体的には、例えば、被着体を貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、被着体として円形の平面形状を有する一般的な半導体ウェハを用いる場合には、接着剤層２の形状を、円形の平面形状又は半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状（半導体ウェハ形状）としてもよい。半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層２が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。   As described above, the shape of the adhesive layer 2 is appropriately selected according to the shape of the adherend. Specifically, for example, since a portion other than the portion to which the adherend is attached is wasted, the shape of the adhesive layer 2 is used when a general semiconductor wafer having a circular planar shape is used as the adherend. May be a circular planar shape or a planar shape (semiconductor wafer shape) that matches the planar shape of the semiconductor wafer. The adhesive layer 2 having a planar shape that matches the planar shape of the semiconductor wafer tends to facilitate the process of dicing the semiconductor wafer.

ただし、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状よりもやや大きい平面形状であってもよい。また、一般的に半導体ウェハは円の外周の一部が直線である平面形状を有しているため、接着シートの平面形状が円形形状である場合でも、一般的な半導体ウェハへの接着剤層の貼り付け、及び、半導体ウェハのダイシングを容易に行うことが可能となる傾向にある。また、接着剤層２の外周の一部が粘着フィルム層３の外周の一部の近傍にあるようにするために、接着剤層２の外周の一部に凸部を有していてもよい。   However, the planar shape of the adhesive layer does not need to completely match the planar shape of the semiconductor wafer, and may be a slightly larger planar shape than the planar shape of the semiconductor wafer, for example. Moreover, since the semiconductor wafer generally has a planar shape in which a part of the outer periphery of the circle is a straight line, even when the planar shape of the adhesive sheet is a circular shape, the adhesive layer on the general semiconductor wafer And the semiconductor wafer dicing tend to be easily performed. Further, in order to make a part of the outer periphery of the adhesive layer 2 be in the vicinity of a part of the outer periphery of the adhesive film layer 3, a part of the outer periphery of the adhesive layer 2 may have a convex portion. .

＜粘着フィルム＞
以下、粘着フィルム層３に用いられる粘着フィルムについて説明する。
粘着フィルムとしては、基材フィルムに粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルム層３における接着剤層２と接する側の層が上記粘着剤層となっている。
粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。 <Adhesive film>
Hereinafter, the adhesive film used for the adhesive film layer 3 will be described.
As an adhesive film, what provided the adhesive layer in the base film is preferable. In this case, the layer on the side in contact with the adhesive layer 2 in the pressure-sensitive adhesive film layer 3 is the pressure-sensitive adhesive layer.
Examples of the base film used for the adhesive film include a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyolefin film such as a polyvinyl acetate film, and a polychlorinated film. Examples thereof include plastic films such as vinyl film and polyimide film.

また、上記基材フィルムは異なる２種類以上のフィルムを積層したものであっても良い。この場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向上する点で、２５℃での引張弾性率が２０００ＭＰａ以上であることが好ましく、２２００ＭＰａ以上であることがより好ましく、２４００ＭＰａ以上であることが特に好ましい。   The base film may be a laminate of two or more different films. In this case, the film on the side on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed preferably has a tensile elastic modulus at 25 ° C. of 2000 MPa or more, more preferably 2200 MPa or more in terms of improving the pick-up workability of the semiconductor element. Preferably, it is particularly preferably 2400 MPa or more.

また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、２５℃での引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、６００ＭＰａ以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ ７１１３に準じて測定されるものである。   Further, the film on the side opposite to the side on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed preferably has a tensile modulus of elasticity of 1000 MPa or less at 25 ° C. in terms of large film elongation and good workability in the expanding step. More preferably, it is 800 MPa or less, and particularly preferably 600 MPa or less. This tensile elastic modulus is measured according to JIS K7113.

基材フィルムが２種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては特に制限はなく、別々に作製したフィルムをラミネートする方法、一方のフィルム上に他方のフィルムを押出しラミネートする方法、２種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法、及び、接着剤を用いて２種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。   When the base film is a laminate of two or more types of films, the lamination method is not particularly limited, a method of laminating separately produced films, a method of extruding and laminating the other film on one film A method in which two or more kinds of films are bonded together by extrusion coating, a method in which a polymer as a raw material of one film is dissolved or dispersed in a solvent to form a varnish, and is applied onto the other film and heated to remove the solvent, And well-known methods, such as the method of bonding 2 or more types of films together using an adhesive agent, can be used.

粘着フィルムを構成する上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化する（すなわち、粘着力を制御できる）ものが好ましく、高エネルギー線によって硬化するものがより好ましく、紫外線によって硬化するものが特に好ましい。
ここで、高エネルギー線としては、例えば、紫外線等が挙げられる。 The pressure-sensitive adhesive layer constituting the pressure-sensitive adhesive film is preferably one that is cured by high energy rays or heat (that is, the adhesive force can be controlled), more preferably one that is cured by high energy rays, and one that is cured by ultraviolet rays. Particularly preferred.
Here, examples of the high energy ray include ultraviolet rays.

かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層２に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。   Various types of pressure-sensitive adhesives constituting such a pressure-sensitive adhesive layer are conventionally known. Among them, it is preferable to select and use a material whose adhesive strength to the adhesive layer 2 is reduced by irradiation with high energy rays.

上記粘着剤としては、特に制限されないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。   Although it does not restrict | limit especially as said adhesive, For example, the high energy ray polymerization which has an ethylenically unsaturated group in the side chain, the compound which has a diol group, an isocyanate compound, a urethane (meth) acrylate compound, a diamine compound, a urea methacrylate compound, etc. For example, a functional copolymer. These can be used alone or in combination of two or more.

また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。   When the pressure-sensitive adhesive layer contains a heat-polymerizable component that is cured by heat, a curing accelerator may be further added to the pressure-sensitive adhesive layer. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator, For example, imidazole etc. are mentioned. Specific examples include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Or in combination of two or more.

硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。   5 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a thermopolymerizable component, and, as for the addition amount of a hardening accelerator, 3 mass parts or less are more preferable. When this addition amount exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.

また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。   When the pressure-sensitive adhesive layer contains a high-energy ray polymerizable component that is cured by irradiation with high-energy rays, a photopolymerization initiator that generates free radicals upon irradiation with actinic rays can be added to the pressure-sensitive adhesive layer. . Examples of such a photopolymerization initiator include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4- Methoxy-4′-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1- Aromatic ketones such as hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropanone-1, 2,4-diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone , Benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin Benzoin ether such as nyl ether, benzoin such as methyl benzoin and ethyl benzoin, benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4 , 5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2-mer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (2,4-dimethoxy) 2,4,5-triarylimidazole dimer such as phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer , 9-phenyl acridine, 1,7-bis (9,9'-acridinyl) like acridine derivatives heptane, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、高エネルギー線重合性成分の総量１００質量部に対して通常０．０１〜３０質量部である。   Although there is no restriction | limiting in particular as the usage-amount of the said photoinitiator, Usually, it is 0.01-30 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of a high energy ray polymeric component.

粘着フィルムにおいて、粘着剤層の厚さは、０．１〜４０μｍであることが好ましい。この厚さが０．１μｍ以上であることにより、十分な粘着力を確保することができる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散することが抑制され、４０μｍ以下であることにより、経済的にも有利となる。   In the adhesive film, the thickness of the adhesive layer is preferably 0.1 to 40 μm. When the thickness is 0.1 μm or more, there is a tendency that a sufficient adhesive force can be ensured, and the semiconductor chip is prevented from being scattered during dicing. It will be advantageous.

また粘着フィルム全体の厚さは、１０〜３００μｍであることが好ましい。フィルム全体の厚さが１０μｍ以上であることにより、ダイシング時の粘着フィルムの切断を抑制させることができる。また、３００μｍ以下であることにより、経済的にも有利となる。   Moreover, it is preferable that the thickness of the whole adhesive film is 10-300 micrometers. When the thickness of the entire film is 10 μm or more, cutting of the adhesive film during dicing can be suppressed. Moreover, it becomes economically advantageous because it is 300 micrometers or less.

＜接着シートの製造方法＞
以上説明した本発明の接着シートは、接着剤層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。また上記粘着フィルムも同様に、粘着剤層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、基材フィルム上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。 <Method for producing adhesive sheet>
The adhesive sheet of the present invention described above can be obtained by dissolving or dispersing the composition forming the adhesive layer in a solvent to form a varnish, applying it onto the release substrate 1, and removing the solvent by heating. . Similarly, the above-mentioned pressure-sensitive adhesive film can be obtained by dissolving or dispersing the composition forming the pressure-sensitive adhesive layer in a solvent to form a varnish, applying the varnish on the base film, and removing the solvent by heating.

ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。   Here, the solvent for varnishing is not particularly limited, but considering volatility during film production, for example, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, It is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, and xylene.

また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   In addition, for the purpose of improving the coating properties, for example, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミル等を使用することが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。   For the production of the varnish when the inorganic filler is added, it is preferable to use a raking machine, a three-roll, a ball mill, a bead mill or the like in consideration of the dispersibility of the inorganic filler, or a combination thereof. You can also. Moreover, after mixing an inorganic filler and a low molecular weight raw material beforehand, the mixing time can also be shortened by mix | blending a high molecular weight raw material. Further, after the varnish is formed, the bubbles in the varnish can be removed by vacuum degassing or the like.

ここで、剥離基材１及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。   Here, as a method for applying the varnish to the peeling substrate 1 and the substrate film, a known method can be used, for example, knife coating method, roll coating method, spray coating method, gravure coating method, bar coating method. A curtain coating method or the like can be used.

また、本発明の接着シートは、例えば、接着剤層２を剥離基材１に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層２を形成するためのワニス等の原材料を分布させておく方法や、剥離基材１にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材１の全面に接着剤層２を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また、粘着フィルム層３を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。   Moreover, the adhesive sheet of the present invention is, for example, a method in which raw materials such as varnish for partially forming the adhesive layer 2 are distributed in advance when the adhesive layer 2 is applied to the release substrate 1, It can be formed using a method such as masking the release substrate 1 and applying the raw material such as the varnish to a part other than the mask portion. It is preferable to form the adhesive layer 2 on the entire surface of the substrate by a coating method and perform unnecessary punching to remove unnecessary portions. Moreover, also as a method of forming the adhesive film layer 3 partially, a method of punching and removing unnecessary portions in the same manner as described above is preferable.

以上説明したような構成の接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層２と粘着フィルム層３との界面の粘着力が大きく低下し、半導体素子に接着剤層２を保持したまま粘着フィルム層３から容易にピックアップすることが可能となる。   When the adhesive sheet having the structure as described above is irradiated with high energy rays such as radiation, the adhesive strength at the interface between the adhesive layer 2 and the adhesive film layer 3 is greatly reduced after irradiation, and the adhesive layer 2 is applied to the semiconductor element. It becomes possible to easily pick up from the adhesive film layer 3 while holding

本発明の接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム層３との界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限は受けないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。   In the adhesive sheet of the present invention, the method for reducing the adhesive strength at the interface between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film layer 3 is not limited to the method for reducing the adhesive strength only by irradiation with high energy rays such as radiation. A method of using heating together with the purpose of accelerating the curing reaction at the same time as or after irradiation of the line is mentioned. By using heating together, it becomes possible to lower the adhesive strength at a lower temperature and in a shorter time. The heating temperature is not particularly limited as long as it is below the decomposition point of the adhesive layer, but a temperature of 50 to 170 ° C. is preferable.

（半導体装置の製造方法）
次に、本発明の接着シートロールを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
接着剤層２及び粘着フィルム層３からなる積層体を半導体ウェハへ貼り付ける場合、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製の商品名：ＲＡＤ−２５００等が挙げられる。 (Method for manufacturing semiconductor device)
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet roll of the present invention will be described.
When the laminated body which consists of the adhesive bond layer 2 and the adhesion film layer 3 is affixed on a semiconductor wafer, it can carry out continuously by the automated process. As an apparatus for performing the operation of attaching the laminated body to such a semiconductor wafer, for example, trade name: RAD-2500 manufactured by Lintec Corporation can be given.

具体的には、接着シートロール１１０の接着シート１００から、剥離基材１を剥離し、積層体の接着剤層２を半導体ウェハに貼り付ける。次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層２及び粘着フィルム層３により半導体ウェハは積層体に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。   Specifically, the peeling base material 1 is peeled from the adhesive sheet 100 of the adhesive sheet roll 110, and the adhesive layer 2 of the laminate is attached to the semiconductor wafer. Next, the semiconductor wafer with a laminated body obtained by the above process is diced to obtain a semiconductor element with a laminated body having a required size. Here, steps such as washing and drying may be further performed. At this time, since the semiconductor wafer is sufficiently adhered and held in the laminate by the adhesive layer 2 and the adhesive film layer 3, the semiconductor wafer is suppressed from falling off during each of the above steps.

次に、放射線等の高エネルギー線を積層体の粘着フィルム層３に照射し、粘着フィルム層３における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。   Next, high energy rays such as radiation are irradiated to the adhesive film layer 3 of the laminate, and a part or most of the adhesive layer in the adhesive film layer 3 is polymerized and cured. At this time, heating may be further performed for the purpose of accelerating the curing reaction simultaneously with or after irradiation with the high energy beam.

粘着フィルム層３への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。   Irradiation of the high energy ray to the adhesive film layer 3 is performed from the surface of the base film on which the adhesive layer is not provided. Therefore, when ultraviolet rays are used as the high energy rays, the substrate film needs to be light transmissive. In addition, when using an electron beam as a high energy ray, the base film does not necessarily need to be light transmissive.

高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層２との間の粘着力は、接着剤層２と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層２と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層２が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。   After the high energy beam irradiation, the semiconductor element to be picked up is picked up by, for example, a suction collet. At this time, the semiconductor element to be picked up can be pushed up from the lower surface of the base film by, for example, a needle rod. By curing the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive force between the semiconductor element and the adhesive layer 2 becomes larger than the pressure-sensitive adhesive force between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer. Then, peeling occurs at the interface between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer, and the semiconductor element with the adhesive layer in a state where the adhesive layer 2 adheres to the lower surface of the semiconductor element is picked up.

この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層２を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層２は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。
その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。 This semiconductor element with an adhesive layer is placed on a support member for mounting a semiconductor element via the adhesive layer 2 and heated. The adhesive layer 2 develops an adhesive force by heating, and the bonding between the semiconductor element and the semiconductor element mounting support member is completed.
Then, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.

なお、接着シート１００が剥離基材１及び接着剤層２で構成され、粘着フィルム層３を有していない場合は、例えば、接着シート１００の接着剤層２を覆うように粘着フィルムを貼り付けてから、上記と同様な方法で半導体装置を製造してもよい。また、接着シート１００の接着剤層２を半導体ウェハに貼り付けた後に、剥離基材１を剥離し、半導体ウェハに貼り付けられた接着剤層２を覆うように粘着フィルムを貼り付け、上記と同様な方法で半導体装置を製造してもよい。   In addition, when the adhesive sheet 100 is composed of the peeling substrate 1 and the adhesive layer 2 and does not have the adhesive film layer 3, for example, an adhesive film is attached so as to cover the adhesive layer 2 of the adhesive sheet 100 Then, the semiconductor device may be manufactured by the same method as described above. In addition, after the adhesive layer 2 of the adhesive sheet 100 is attached to the semiconductor wafer, the release substrate 1 is peeled off, and an adhesive film is attached so as to cover the adhesive layer 2 attached to the semiconductor wafer. A semiconductor device may be manufactured by a similar method.

なお、半導体ウェハの厚さは特に限定されないが、上記半導体装置の製造方法は薄い半導体ウェハにも適した方法であり、例えば１０〜１００μｍであってもよい。   Although the thickness of the semiconductor wafer is not particularly limited, the semiconductor device manufacturing method is also suitable for a thin semiconductor wafer, and may be, for example, 10 to 100 μm.

（半導体装置）
図２は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
図２に示すように、半導体装置３００は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板７０上に、接着剤層２及び半導体素子７２からなる接着剤層付き半導体素子が２つ積層されている。また、有機基板７０には、回路パターン７４及び端子７６が形成されており、この回路パターン７４と２つの半導体素子７２とが、ワイヤボンド７８によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材８０により封止され、半導体装置３００が形成されている。この半導体装置３００は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート１００を用いて製造されるものである。 (Semiconductor device)
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the semiconductor device of the present invention manufactured by the semiconductor device manufacturing method described above.
As shown in FIG. 2, in the semiconductor device 300, two semiconductor elements with an adhesive layer made up of an adhesive layer 2 and a semiconductor element 72 are stacked on an organic substrate 70 serving as a support member for mounting a semiconductor element. . A circuit pattern 74 and a terminal 76 are formed on the organic substrate 70, and the circuit pattern 74 and the two semiconductor elements 72 are connected to each other by wire bonds 78. These are sealed with a sealing material 80 to form a semiconductor device 300. This semiconductor device 300 is manufactured using the adhesive sheet 100 of the present invention by the above-described method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.

（接着剤層形成用ワニスの作製）
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、新日化エポキシ製造株式会社製、エポキシ当量：２２０）６０質量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、三井化学株式会社製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＳＩＬＱＵＥＳＴ Ａ−１８９ Ｓｉｌａｎｅ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）１．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＳＩＬＱＵＥＳＴ Ａ−１１６０ Ｓｉｌａｎｅ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）３質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２Ｖ、日本アエロジル株式会社製）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。次に、この第２のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、ナガセケムテックス株式会社製）２００質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ、四国化成工業株式会社製）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。 (Preparation of adhesive layer forming varnish)
First, cresol novolac type epoxy resin (trade name: YDCN-703, manufactured by Nippon Kayaku Epoxy Manufacturing Co., Ltd., epoxy equivalent: 220) as an epoxy resin, and low water-absorbing phenol resin (trade name: as a curing agent) XLC-LL, manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd., phenol xylene glycol dimethyl ether condensate) was added to 40 parts by mass, and 1500 parts by mass of cyclohexanone was stirred and mixed to prepare a first varnish. Next, 1.5 parts by mass of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (trade name: SILQUEST A-189 Silane, manufactured by Momentive Performance Materials Japan LLC) as a coupling agent is added to the first varnish. And 3 parts by mass of γ-ureidopropyltriethoxysilane (trade name: SILQUEST A-1160 Silane, manufactured by Momentive Performance Materials Japan GK), and silica filler (trade name: R972V, (Nippon Aerosil Co., Ltd.) 32 parts by mass was added and stirred and mixed, and then a dispersion treatment was performed with a bead mill to prepare a second varnish. Next, 200 parts by mass of an epoxy group-containing acrylic copolymer (trade name: HTR-860P-3, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) and 1-cyanoethyl-2 as a curing accelerator are added to the second varnish. -0.5 part by mass of phenylimidazole (trade name: Curesol 2PZ-CN, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added and mixed by stirring to prepare an adhesive layer forming varnish.

（接着剤層の作製）
（実施例１、比較例１、３）
上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名：テイジンピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社製）上に塗布し、１４０℃で７分間加熱乾燥を行い、膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。
（実施例２、比較例２、４）
実施例１、比較例１の作製方法と同様に塗布乾燥を行い、膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。 (Preparation of adhesive layer)
(Example 1, Comparative Examples 1, 3)
The adhesive layer-forming varnish is applied onto a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (trade name: Teijin Purex A31, manufactured by Teijin DuPont Films Ltd.), which is a peeling substrate, and heat-dried at 140 ° C. for 7 minutes. Then, an adhesive layer in a B-stage state having a film thickness of 40 μm was formed.
(Example 2, Comparative Examples 2, 4)
Coating and drying were carried out in the same manner as in the production methods of Example 1 and Comparative Example 1 to form a B-staged adhesive layer having a thickness of 60 μm.

（第一の切断工程）
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して直径：２１０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に接着剤層（支持接着剤層）が残る形状になるよう加工を行った。 (First cutting process)
The obtained adhesive layer is subjected to circular precut processing with a diameter of 210 mm by adjusting the depth of cut into the peeling substrate to 10 μm or less, and at both ends in the short direction of the peeling substrate. Processing was performed so that the adhesive layer (supporting adhesive layer) remained.

（第二の切断工程）
その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧９．８Ｎ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼り付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状に直径：２９０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、支持接着剤層上に粘着フィルム（支持粘着フィルム）が積層され、該支持粘着フィルムが支持接着剤層上に積層されるよう加工を行った。これにより、図１、図７に示す構造を有する接着シートを得た。 (Second cutting step)
Thereafter, unnecessary portions of the adhesive layer were removed, and the pressure-sensitive adhesive film was attached at room temperature, linear pressure of 9.8 N / cm, and speed of 0.5 m / min so that the pressure-sensitive adhesive layer was in contact with the adhesive layer. . Then, the adhesive film is adjusted so that the depth of cut into the release substrate is 10 μm or less, and is subjected to circular precut processing with a diameter of 290 mm concentrically with the adhesive layer, and on the supporting adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive film (supporting pressure-sensitive adhesive film) was laminated, and processing was performed so that the support pressure-sensitive adhesive film was laminated on the support adhesive layer. Thereby, an adhesive sheet having the structure shown in FIGS. 1 and 7 was obtained.

（実施例１）
膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図１（ａ）の形状の接着シートを得た。 Example 1
An adhesive sheet having a shape of FIG. 1A was obtained using an adhesive layer in a B-stage state having a film thickness of 40 μm.

（実施例２）
膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図１（ａ）の形状の接着シートを得た。 (Example 2)
An adhesive sheet having the shape of FIG. 1A was obtained using an adhesive layer in a B stage state having a film thickness of 60 μm.

（比較例１）
膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図３（ａ）の形状の接着シートを得た。 (Comparative Example 1)
An adhesive sheet having the shape of FIG. 3A was obtained using an adhesive layer in a B-stage state having a film thickness of 40 μm.

（比較例２）
膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図３（ａ）の形状の接着シートを得た。 (Comparative Example 2)
An adhesive sheet having the shape of FIG. 3A was obtained using an adhesive layer in a B-stage state having a film thickness of 60 μm.

（比較例３）
膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図７（ａ）の形状の接着シートを得た。 (Comparative Example 3)
An adhesive sheet having the shape of FIG. 7A was obtained using an adhesive layer in a B-stage state having a film thickness of 40 μm.

（比較例４）
膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図７（ａ）の形状の接着シートを得た。 (Comparative Example 4)
An adhesive sheet having a shape shown in FIG. 7A was obtained using an adhesive layer in a B-stage state having a film thickness of 60 μm.

＜評価方法＞
実施例１〜２及び比較例１〜４の接着シートを、円形形状の粘着フィルムの数が３００枚になるように、巻き取り張力を９．８Ｎ又は２９．４Ｎとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを２週間冷蔵庫内（５℃）で保管した。その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、３００枚目のフィルムについて半導体ウェハに貼り付けたときのボイドの発生の有無を目視にて評価した。下記の評価基準に従って、○、△、×の３段階で接着シートの巻き跡の転写抑制性を評価した。
○：ボイドを全く確認できない。
△：目立たない微細ボイドが確認できる。
×：目立つボイドが確認できる。
その結果を表１に示す。 <Evaluation method>
The adhesive sheets of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 were wound in a roll shape with a winding tension of 9.8 N or 29.4 N so that the number of circular adhesive films was 300, and bonded. A sheet roll was produced. The obtained adhesive sheet roll was stored in a refrigerator (5 ° C.) for 2 weeks. Then, after returning the adhesive sheet roll to room temperature, the roll was unwound, and the presence or absence of voids when the 300th film was attached to the semiconductor wafer was visually evaluated. According to the following evaluation criteria, the transfer inhibition property of the trace of the adhesive sheet was evaluated in three stages of ○, Δ, and ×.
○: No voids can be confirmed.
Δ: Inconspicuous fine voids can be confirmed.
X: A conspicuous void can be confirmed.
The results are shown in Table 1.

以上の結果から明らかなように、本発明の接着シート（実施例１〜２）によれば、比較例の接着シート（比較例１〜４）と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができ、それによって、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。   As is clear from the above results, according to the adhesive sheets (Examples 1 and 2) of the present invention, in comparison with the adhesive sheets (Comparative Examples 1 to 4) of the comparative example, It was confirmed that it was possible to sufficiently suppress the transfer of the winding marks to the adhesive layer, thereby sufficiently suppressing the generation of voids when the adhesive layer was attached to the semiconductor wafer. .

Figure 2013001774
Figure 2013001774

１…剥離基材、２…接着剤層、３…粘着フィルム層、７２…半導体素子、１００，２００…接着シート、３００…半導体装置   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Release substrate, 2 ... Adhesive layer, 3 ... Adhesive film layer, 72 ... Semiconductor element, 100, 200 ... Adhesive sheet, 300 ... Semiconductor device

Claims (7)

剥離基材と前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と前記接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、前記接着シートは、前記接着シートの長手方向における前記接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、前記最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、前記最長形成部のもう一方の片側に前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シート。   An adhesive sheet comprising a release substrate, an adhesive layer partially provided on the surface of the release substrate, and an adhesive film layer laminated on the adhesive layer, and the adhesion The sheet has a longest formation portion in which the total length of the adhesive layers in the longitudinal direction of the adhesive sheet is the longest, and the adhesive layer is not provided with the adhesive layer on one side of the longest formation portion. The adhesive sheet which has a formation area | region and has the said adhesive layer non-formation area | region and the non-formation area | region in which the said adhesive bond layer and the adhesion film layer are not provided in the other one side of the said longest formation part. 接着剤層及び粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状あるいは剥離基材を剥離した後に前記接着剤層又は前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有している請求項１に記載の接着シート。   At least one of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film has a circular shape or a planar shape that matches the planar shape of the adherend to which the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive film is to be attached after peeling the release substrate. Item 2. The adhesive sheet according to Item 1. 接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものである請求項１又は２に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1 or 2, wherein the adhesive layer contains a thermoplastic resin and a thermopolymerizable component. 熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０００００以上である高分子量成分である請求項３に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 3, wherein the thermoplastic resin is a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more containing a functional monomer. 高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である請求項４に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 4, wherein the high molecular weight component is an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer. 熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものである請求項２〜５のいずれかに記載の接着シート。   The adhesive sheet according to any one of claims 2 to 5, wherein the heat-polymerizable component contains an epoxy resin and an epoxy resin curing agent. 請求項１〜６のいずれかに記載の接着シートを用いて製造された半導体装置。   The semiconductor device manufactured using the adhesive sheet in any one of Claims 1-6.
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