JP2012522345A - 有機オプトエレクトロニクス素子および有機オプトエレクトロニクス素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・支持体に第1の電極を設けるステップ
・前記第1の電極に感光性材料を設け、該感光性材料の所定の区域外を露光する露光ステップ
・前記感光性材料を除去する除去ステップ
・前記第1の電極に別の感光性材料を設け、該別の感光性材料の所定の部分領域外を露光する露光ステップ
・前記別の感光性材料を除去する除去ステップ
・少なくとも前記第1の電極に、少なくとも1つの有機活性層を含む有機積層と第2の電極とを形成するステップ
前記感光性材料の除去ステップでは、前記第1の電極の厚さは製造公差の範囲内で変わらない。上記製造方法において有利には、前記所定の区域と前記部分領域とが重なる少なくとも1つのオーバーラップ領域における、前記支持体と反対側の前記第1の電極の主面の仕事関数を、該第1の電極の他の領域の仕事関数と比較して低下させる。
・感光性材料が2回設けられ、
・露光されず、
・前記感光性材料が設けられるごとに除去され、
・有利には前記感光性材料が設けられるごとに現像された、
前記第1の電極の少なくとも1つの領域である。
Claims (14)
- ・支持体(2)と、
・前記支持体(2)に設けられた第1の電極(11)と、
・少なくとも1つの有機活性層(33)を含む少なくとも1つの有機積層(3)と、
・第2の電極(22)と
を有する有機オプトエレクトロニクス素子であって、
前記有機積層(33)は、前記第1の電極(11)と前記第2の電極(22)との間に存在し、
横方向に少なくとも1つの暗領域(4)と少なくとも1つの明領域(5)とが設けられており、
前記暗領域(4)および前記明領域(5)の双方において、少なくとも局所的に、前記第1の電極(11)と前記第2の電極(22)と前記有機積層(33)とが前記支持体に設けられており、
前記暗領域(4)の第1の反射率と前記明領域(5)の第2の反射率との差は最大15パーセントポイントである
ことを特徴とする、有機オプトエレクトロニクス素子。 - 前記暗領域(4)において、前記支持体(2)と反対側の前記第1の電極(11)の主面(6)上に、自己組織化分子を含む単層膜(7)が設けられている、請求項1記載の有機オプトエレクトロニクス素子。
- 前記単層膜(7)は単調色かつ電気絶縁性であり、0.5nm〜5.0nmの厚さを有する、請求項1または2記載の有機オプトエレクトロニクス素子。
- 前記単層膜(7)は、2[(トリメチルオキシシシル)エチル]ベンゼンまたは3‐[2‐(トリメチルオキシシシル)エチル]ピリジンを含むか、または、2[(トリメチルオキシシシル)エチル]ベンゼンまたは3‐[2‐(トリメチルオキシシシル)エチル]ピリジンから成る、請求項2または3記載の有機オプトエレクトロニクス素子。
- 前記有機積層(3)に向かい合う前記支持体(2)の面(20)は、前記暗領域(4)において表面粗化部分(8)を有する、請求項1から4までのいずれか1項記載の有機オプトエレクトロニクス素子。
- 前記表面粗化部分(8)の平均粗面度は5nm〜1μmである、請求項5記載の有機オプトエレクトロニクス素子。
- 前記支持体(2)と前記第1の電極(11)との間に、透明な中間層(12)が設けられており、
前記中間層(12)の厚さは10nm〜200nmである、請求項1から6までのいずれか1項記載の有機オプトエレクトロニクス素子。 - 前記有機オプトエレクトロニクス素子は、複数の前記暗領域(4)と複数の前記明領域(5)とを有し、
前記明領域(4)によって少なくとも1つのパターンおよび/または記号が形成されており、前記有機オプトエレクトロニクス素子が動作していない間は、該パターンおよび/または記号は見えない、請求項1から7までのいずれか1項記載の有機オプトエレクトロニクス素子。 - 前記暗領域(4)の面積あたりの光パワーは、前記明領域(5)の面積あたりの光パワーの最大50%である、請求項1から8までのいずれか1項記載の有機オプトエレクトロニクス素子。
- 前記支持体(2)はガラスを含み、
前記第1の電極(11)は透明導電性酸化物を含み、
前記第2の電極(22)は金属を含む、
請求項1から9までのいずれか1項記載の有機オプトエレクトロニクス素子。 - 前記支持体(2)と反対側の前記第1の電極(11)の主面(6)の仕事関数は、前記明領域(5)よりも前記暗領域(4)において高く、
前記第1の電極(11)の材料は、前記暗領域(4)と前記明領域(5)とにおいて同じである、請求項1から10までのいずれか1項記載の有機オプトエレクトロニクス素子。 - 有機オプトエレクトロニクス素子(1)の製造方法であって、
・支持体(2)に第1の電極(11)を設けるステップと、
・前記第1の電極(11)に感光性材料(9)を設け、所定の区域(13)外において前記感光性材料(9)を露光する露光ステップと、
・前記第1の電極(11)の厚さが変わらないように、前記感光性材料(9)を除去する除去ステップと、
・前記第1の電極(11)に別の感光性材料(14)を設け、部分領域(15)外において該別の感光性材料(14)を露光する露光ステップと、
・前記別の感光性材料(14)を除去する除去ステップと、
・少なくとも前記第1の電極(11)に、少なくとも1つの有機活性層(33)を含む有機積層(3)と第2の電極(22)とを生成するステップと
を有し、
前記所定の区域(13)と前記部分領域(15)とが重なる少なくとも1つのオーバーラップ領域(16)において、前記支持体(2)と反対側の前記第1の電極(11)の主面(6)の仕事関数を、該第1の電極(11)の他の領域より低下させる
ことを特徴とする、製造方法。 - 前記製造方法は、前記別の感光性材料(14)の露光ステップと該別の感光性材料(14)の除去ステップとの間にさらに、前記部分領域(15)外において前記第1の電極(11)の材料を除去するステップを有し、
前記オーバーラップ領域(15)によって少なくとも1つの明領域(5)が形成され、該明領域(5)以外の他の前記部分領域(15)によって暗領域(4)が形成される、請求項12記載の製造方法。 - 前記第1の電極(11)はインジウム錫酸化物を含むかまたはインジウム錫酸化物から成り、
前記感光性材料(9)および前記別の感光性材料(14)の露光を、240nm〜380nmの波長で行い、
前記感光性材料(9)および前記別の感光性材料(14)としてポジ型フォトレジストを使用し、
前記オーバーラップ領域(16)において前記感光性材料(9)および前記別の感光性材料(14)を現像する、請求項12または13記載の製造方法。
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