JP2012515560A - 均質基板を含む大面積均質アレイの製作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2009年1月26日に出願された米国特許仮出願第61/147,452号の優先権を主張するものである。同仮出願は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる。
ミクロ構造およびナノ構造を含む、大面積構造を製作するための既存の手順および装置の改良が必要とされている。例えば、1つの重要な技術分野は、先端部材(tip)または先端部材のアレイから材料を基板に移す能力である。例えば、直接描画パターニングまたはリソグラフィ法であるこの方法によって、ドットおよび線を形成することができる。ナノスケール先端部材を使用して、ナノスケール構造を形成することができる。このような構造の1つの用途としては、例えば、幹細胞をはじめとする、より優れた細胞工学が含まれる。
本明細書に記載される態様は、例えば、物品、装置、機器、ソフトウェア、製造方法、および使用方法を含む。
序論
本明細書において言及したすべての参考文献は、全体として参照により本明細書に組み入れられる。
本明細書に記載される態様の実施に使用され得る機器構成には、NSCRIPTOR、DPN5000、およびNLP2000、ならびにこれらの機器に関連するインク、基板、ソフトウェアなどの構成要素を含むNanoInk社製の機器が含まれる。機器は、ナノリソグラフィを含む直接描画リソグラフィを可能にすることができる。パターニング用の機器が、例えば、2009年1月22日に公開されたRozhokらへの米国特許公報第2009/0023607号に記載されている。
カンチレバーは当技術分野において公知であり、例えば、AFMカンチレバーであり得る。カンチレバーは、例えば、中実先端部材、中空先端部材、ナノスコピック先端部材、走査型プローブ顕微鏡先端部材、およびAFM先端部材などの先端部材をその上に含むことができる。例えば、窒化ケイ素およびシリコンなどの公知の材料を使用することができる。カンチレバーおよび先端部材は、高密度アレイに適合されてもよい。例えば、カンチレバーは屈曲させることができ、先端部材は伸長させることができる。
先端部材は、パターニング化合物またはインク材料で被覆することができる。被覆は特に限定されず、パターニング化合物またはインク材料を先端部材端部に配置することができる。パターニング化合物および材料は、ナノリソグラフィプリンティングの技術分野において公知であり、有機化合物および無機材料、化学品、生体材料、非反応性材料および反応性材料、分子化合物および粒子、ナノ粒子、自己組織化単分子膜を形成する材料、可溶性化合物、高分子、セラミック、金属、磁性材料、金属酸化物、主族元素、化合物混合物および材料混合物、導電性高分子、核酸材料、RNA、DNA、PNA、タンパク質、およびペプチドなどの生体分子、抗体、酵素、脂質、炭水化物、ならびに更にはウイルスなどの有機体を含む。米国特許第6,827,979号を含む、本出願に記載の参考文献は、使用可能な多くのパターニング化合物について記載している。チオールおよび硫化物を含む硫黄含有化合物を使用できる。
蒸着は当技術分野において公知である。例えば、Mirkinらへの米国特許第6,827,979号を参照されたい。先端部材を含むカンチレバーのアレイを、先端部材上への材料の蒸着に適合させることができる。
2008年2月5日に出願されたHaaheimらへの米国仮出願第61/026,196号は、レベリング方法およびソフトウェアならびに機器構成を種々の態様において記載しており、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる。
基板の温度を注意深く制御することができる。例えば、別の態様は、その上に少なくとも1つの先端部材を含む少なくとも1つのカンチレバーと、先端部材上に沈着させた材料とを提供する工程と、材料が先端部材から基板上に沈着して材料沈着物が形成されるようにカンチレバーを基板に接触させる工程とを含み、基板の温度が、材料沈着物のサイズを制御するように適合される、方法を提供する。
一態様は、少なくとも1平方ミリメートルの表面積を与える少なくとも1つの表面を含む少なくとも1つの中実基板を含む物品であって、表面が、表面積の少なくとも90%、または少なくとも95%、または少なくとも99%を占める材料沈着物の均質アレイを含む、物品を提供する。材料沈着物が表面積の内側の領域を画定し、材料沈着物の周囲に材料沈着物を含まないエッジ領域が存在し得る。エッジ領域の量は、例えば、表面積の10%以下、または5%以下、または1%以下であり得る。例えば、表面積は、100平方単位であってもよく、表面積の少なくとも90平方単位が、均質沈着物で満たされていてもよい。エッジにある残りの10平方単位は、沈着物を含まなくてもよい。
生体細胞および細胞生物学は当技術分野において一般に公知である。例えば、Cell Biology, 2nd Ed., Pollard & Earnshaw, 2008を参照されたい。細胞は、原核細胞または真核細胞であり得る。細胞は、体細胞であり得る。細胞は、全能性細胞、多能性(pluripotent)細胞、多能性(multipotent)細胞、単能性細胞、自己再生可能な細胞、および/または分化可能な細胞であり得る。細胞は、前駆細胞、高分化型(terminally differentiated)細胞などであり得る。本明細書に記載される方法および装置を用いることにより、様々な細胞を調べ、商業利用することができる。
単1D先端部材を用いて様々なインクを金にパターニングするために、DPNパラメータが開発され、制御されてきた。これらの先端部材のための公知のインキングプロセスは、浸漬コーティングである。均質な先端部材コーティングは、均質な構造の製作のためのDPNにおける重要なパラメータである。しかし、先端部材上にチオール結晶が任意に形成されるため、これを浸漬コーティングによって商業的に実現するのは困難であり得る。高スループットおよび大面積製作のため、ペン先端部材の均質なインクコーティングは、2Dペンアレイを用いて実現することができる。先端部材およびシリコン支持体の全体にわたるチオール結晶の架橋、ならびに浸漬および乾燥時に溶媒によって先端部材に生じ得る破損のため、2Dチップは、溶液浸漬コーティングによって被覆することができない。
これらの先端部材を均質に被覆するために、蒸気コーティングに基づく新規な手順がいくつかのチオールインクのために開発された。これらの手順は、固体であればその融点、液体であれば沸点に依存する。真空炉を用いて2Dペンアレイを蒸気コーティングした。先端部材を真空下にて蒸気コーティングすると、チオールインクの融点が所望の作業温度に低下することになる。これは、これらの分子の気相への蒸発を容易にし、これらチオール分子をペン先端部材上に再び凝縮させるために行われた。密閉容器中で、ペンアレイを固体インク材料の真上に配置した。コーティングは、760トルでのチオール化合物の融点に応じて、50〜90℃で行った。コーティングに使用した圧力は300ミリトル未満であった。コーティングプロセスは、プログラム可能な炉を用いた少なくとも2つまたは3つのサイクルを含んでいた。第1のサイクルは、アルミニウム箔で覆われたブリキ容器にチップおよびチオール化合物を装填することを含んでいた。炉室を-300ミリトル以下の圧力に達する(1時間で達し得る)まで排気した。次いで、所望の設定点まで温度を徐々に上昇させた。温度を設定点にて3時間維持した後、6時間かけて徐々に25℃まで冷却した。システムを一晩室温にて放置した。ペン先端部材の均質な被覆を確実にするため全過程を3回繰返した。
均質かつ高品質なパターニングを実現するためには、上述の問題を解決しなければならない。上記新規な改良された手順は、2Dナノプリントアレイを基板表面に対していかにしてレベリングするかということ、および全ての先端部材がほぼ同じ負荷で、均等にではあるがほんのわずかだけ表面と接触することをいかにして確実にするかということについて対処するものである。レベリングは、NanoInkのNSCRIPTOR(登録商標)を2D-レベリングユーザインターフェース(同じくNanoInkが開発)と併用して行った。レベリングは2段階で(1つの段階をマクロスケールにて、1つの段階をより精密な光偏向を用いたミクロスケールにて)行った。まず、図6のスキャナのz軸モータを用いて基板に対する2Dチップの平行性を視認することにより、マクロスケールレベリングを行った。この時点では、2Dチップはまだ、表面の数百ミクロン上方にある。第2に、ペンカンチレバーを表面の方へ曲げ、機器の光学系を用いて焦点合わせを行った。この時、レベリングは、レベリングプロトコルと併用した精密な光偏向を用いて行う。カンチレバーの変化をビューポート(図6の挿入図に示すA1-3およびB1-3)を通してモニタリングし、これらの変化をz-モータおよびz-ピエゾによって制御した。
幹細胞分化のためのDPNおよび2Dペンアレイを用いて金基板上にチオール化した分子ナノ構造の製作を成功させるためには、いくつかの問題に対処する必要がある。基板全体にわたる均質なスポット直径、スポット直径を100nm未満に再現すること、再現可能なプロトコル、チオール化した分子の拡散の制御(拡散の減速または高速化)、および非特異的な沈着を最小限にすること、といった重要なパラメータは、均質な幹細胞分化を実現するために対処する必要がある非常に重要な問題である。これらの問題は、チオール化した被覆先端部材および基板システムの加熱または冷却を可能にする加熱・冷却ステージを用いることにより対処することができる。
従来、時折問題になっていたのは、限定されるわけではないが、ODT(1オクタデカンチオール)、HDT(1-ヘキサデカンチオール)、およびMUD(11-メルカプト-1-ウンデカノール)といった多くの低融点チオール分子が被覆2Dペンアレイから高速に拡散するということであった。これら分子は、室温で高速拡散し、これにより、被覆先端部材と金基板との間の接触点を必要最小限に(滞留時間0.01秒)にしても100nmより大きいナノ構造が製作される場合が多かった。この問題を回避するため、本発明者らは、基板を冷却する冷却ステージを設計した。冷却システムは、電源と、熱電冷却器または加熱器とも呼ばれるペルチェモジュールを伴うステージとしてのアルミニウムの固体ブロックと、回路基板と、デジタル加熱制御器とで構成される。パルス的に電圧を印加することにより、アルミニウム製ステージおよび基板を10℃未満に冷却することができる。図12は、この設計の構成要素を示す。
第1世代冷却ステージに付随する固有の問題のため、第2世代が開発された。連続電流フローを用いる第2世代は、第1の設計と比較して大幅な改善であった。なぜなら、より長時間(約40分)一定の温度を保持することができたからである。この新たに設計されたステージは、図14に示されるような、積み重ねられ、各ブロックが5mm離間したアルミニウムブロックであった。ブロックにおける間隔により、空気が入り込んで熱伝達を起こすことが可能となる。
1mm2以上の範囲の大規模パターニングを行う際、滞留時間を最小限とすることが2つの理由から重要である。1つには、最大スループットを得るために、エッジからエッジまでの描画時間を高速化すること、および製作時間(望ましくは2時間未満)にわたって非特異的な沈着を回避することであり、熱ドリフトが起こることなく第2世代を用いて達成することができた最大描画時間は40分であり、これは、ドット間のピッチが280nm以下である高密度アレイを製作するには不十分である。そのため、新規なステージ設計および材料により、ドリフティングを起こすことなく温度を数十時間一定に保持する冷却・加熱ステージとして第3世代が設計された。図18は、加熱・冷却システムを示す。熱放散のために銅が使用され、ヒートシンクは多数のフィンおよび大きい表面積を有している。真空システムが基板を保持する。
ディップペン・ナノリソグラフィを使用し、ナノメートルスケールで沈着させたメチル基を有するチオール化したインク(ODT)を用いて5mm2の均質なナノパターンを金の表面に2Dナノプリントアレイで作製した。ナノパターンは、280nmの固定距離(ピッチ、dα)および固定直径(dβ約65〜70nm)だけ離間した一連の並行ドットで構成されていた。Lonza社から入手した細胞を4つの経路に通し、24ウェルプレート中で、1mLの基本培地(Lonza社、間充織細胞成育培地)を用いて1つのウェルにつき50,000個の細胞の濃度でODT基板に接触させた状態で培養した。
Claims (21)
- 少なくとも1平方ミリメートルの表面積を与える少なくとも1つの表面を含む少なくとも1つの中実基板を含む物品であって、前記表面が、前記表面積の少なくとも90%を占める材料沈着物の均質アレイを含む、物品。
- 前記材料沈着物の均質アレイが、前記表面積の少なくとも95%を占める、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物の均質アレイが、前記表面積の少なくとも99%を占める、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物が、実質的に円形の沈着物を含む、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物が、約1ミクロン未満の平均直径によって特徴付けられる、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物が、約500nm未満の平均直径によって特徴付けられる、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物が、約500nm未満であるが約50nmより大きい平均直径によって特徴付けられる、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物が、約1ミクロン未満の平均直径によって特徴付けられる、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物の中心間で測定したピッチが約1ミクロン未満であることによって特徴付けられる、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物の中心間で測定したピッチが約500nm未満であることによって特徴付けられる、請求項1記載の物品。
- 前記表面積が少なくとも5平方ミリメートルである、請求項1記載の物品。
- 前記表面積が少なくとも10平方ミリメートルである、請求項1記載の物品。
- 少なくとも1つの細胞を前記表面にさらに含む、請求項1記載の物品。
- 前記材料沈着物の直接描画ナノリソグラフィ印刷を行う工程を含む、請求項1記載の物品の製造方法。
- 少なくとも1平方ミリメートルの表面積を与える少なくとも1つの表面を含む少なくとも1つの中実基板を含む物品であって、前記表面が、前記表面積の少なくとも95パーセントを占める材料沈着物の均質アレイを含む、物品。
- 前記沈着物がドットである、請求項15記載の物品。
- 前記沈着物が線である、請求項15記載の物品。
- 少なくとも1平方ミリメートルの表面積を与える少なくとも1つの表面を含む少なくとも1つの中実基板を含む物品であって、前記表面が、前記表面積の少なくとも99パーセントを占める材料沈着物の均質アレイを含む、物品。
- 前記沈着物がドットである、請求項18記載の物品。
- 前記沈着物が線である、請求項18記載の物品。
- マーキング表示を含まない、請求項1記載の物品。
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100229264A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-09-09 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including controlled tip loading vapor deposition |
US8214916B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-03 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including leveling with use of bright spots |
US9040339B2 (en) | 2013-10-01 | 2015-05-26 | The Pen | Practical method of producing an aerogel composite continuous thin film thermoelectric semiconductor material |
US9276190B2 (en) | 2013-10-01 | 2016-03-01 | The Pen | Practical method of producing an aerogel composite continuous thin film thermoelectric semiconductor material by modified MOCVD |
US20220260904A1 (en) * | 2019-07-23 | 2022-08-18 | University Of Massachusetts | Thermal imprinting of nanostructure materials |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007126689A1 (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-08 | Northwestern University | Article for parallel lithography with two-dimensional pen arrays |
WO2008091279A2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-07-31 | Northwestern University | Etching and hole arrays |
WO2008112713A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Nanoink, Inc. | Nanolithography with use of viewports |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE23838E (en) | 1950-09-14 | 1954-06-08 | Post-deflected color kinescope | |
US5171992A (en) * | 1990-10-31 | 1992-12-15 | International Business Machines Corporation | Nanometer scale probe for an atomic force microscope, and method for making same |
US6827979B2 (en) * | 1999-01-07 | 2004-12-07 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby |
US6635311B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-10-21 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or products thereby |
US7291284B2 (en) * | 2000-05-26 | 2007-11-06 | Northwestern University | Fabrication of sub-50 nm solid-state nanostructures based on nanolithography |
US6642129B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-11-04 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Parallel, individually addressable probes for nanolithography |
SE0102764D0 (sv) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | Astrazeneca Ab | Compounds |
AU2003211027A1 (en) | 2002-03-27 | 2003-10-13 | Nanoink, Inc. | Method and apparatus for aligning patterns on a substrate |
US7060977B1 (en) | 2002-05-14 | 2006-06-13 | Nanoink, Inc. | Nanolithographic calibration methods |
EP1363164B1 (en) | 2002-05-16 | 2015-04-29 | NaWoTec GmbH | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface |
US7034854B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-04-25 | Nanoink, Inc. | Methods and apparatus for ink delivery to nanolithographic probe systems |
US20040228962A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-18 | Chang Liu | Scanning probe microscopy probe and method for scanning probe contact printing |
CA2564876C (en) | 2004-04-30 | 2013-04-16 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Method and apparatus for depositing material onto a surface |
ATE491938T1 (de) * | 2004-10-29 | 2011-01-15 | Japan Science & Tech Agency | Substrat für maldi-tof-ms und massenspektrometrisches verfahren unter verwendung davon |
CA2593573A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-20 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Topographically indexed support substrates |
US8256017B2 (en) * | 2006-08-31 | 2012-08-28 | Nanoink, Inc. | Using optical deflection of cantilevers for alignment |
AU2007350336A1 (en) * | 2006-12-18 | 2008-10-09 | Northwestern University | Fabrication of microstructures and nanostructures using etching resist |
JP5269887B2 (ja) | 2007-05-09 | 2013-08-21 | ナノインク インコーポレーティッド | 小型ナノファブリケーション装置 |
JP2010536033A (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-25 | ノースウエスタン ユニバーシティ | カンチレバーアレイのための、独立してアドレス可能な自己修正インク付け方法 |
AU2009210719A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Nanoink, Inc. | Array and cantilever array leveling |
ES2687650T3 (es) | 2008-04-25 | 2018-10-26 | Northwestern University | Litografía de Plumas de Polímero |
GB0812789D0 (en) * | 2008-07-12 | 2008-08-20 | Univ Liverpool | Materials and methods for cell growth |
US20100229264A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-09-09 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including controlled tip loading vapor deposition |
US8214916B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-03 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including leveling with use of bright spots |
CA2750434A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including substrate temperature control |
US9918209B2 (en) | 2013-10-28 | 2018-03-13 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Policies for selecting sources for resource strings |
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Patent Citations (3)
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WO2007126689A1 (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-08 | Northwestern University | Article for parallel lithography with two-dimensional pen arrays |
WO2008091279A2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-07-31 | Northwestern University | Etching and hole arrays |
WO2008112713A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Nanoink, Inc. | Nanolithography with use of viewports |
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