JP2012511179A - レチクル上の欠陥を検出する方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (20)
- レチクル上の欠陥を検出する方法において、
レチクルをウェーハ上の第1の区域及び前記ウェーハ上の少なくとも1つの第2の区域に印刷する段階であって、前記レチクルは、リソグラフィ工程のパラメータの異なる値を使用して異なる第1の区域に印刷され、前記レチクルは、前記パラメータの公称値を使用して少なくとも1つの第2の区域に印刷され、及び前記レチクルは単一ダイレチクルである、レチクルを印刷することと、
ウェーハ検査システムを使用して前記第1の区域の第1の像及び前記少なくとも1つの第2の区域の1つ又はそれ以上の第2の像を取得する段階と、
前記少なくとも1つの第2の像と比較して前記第1の像の変異を確定するために、異なる第1の区域に対して取得された前記第1の像を前記1つ又はそれ以上の第2の像の少なくとも1つと別々に比較することと、
前記変異が前記第1の像の第2の部分より大きい前記第1の像の第1の部分及び前記第1の像の2つ又はそれ以上に共通である前記第1の部分に基づいて前記レチクル上の欠陥を検出することと、から成る方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記パラメータは、照射線量を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記パラメータは、焦点を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記レチクルを前記ウェーハ上の第3の区域に印刷することを更に備えており、
前記レチクルは、前記リソグラフィ工程の追加的なパラメータの異なる値を使用して異なる第3の区域に印刷され、
前記方法は、更に、
前記ウェーハ検査システムを使用して前記第3の区域の第3の像を取得すること、
前記少なくとも1つの第2の像と比較して前記第3の像の変異を確定するために異なる第3の区域に対して取得された前記第3の像を前記1つ又はそれ以上の第2の像の少なくとも1つと別々に比較すること、及び
前記変異が前記第3の像の第2の部分より大きい前記第3の像の第1の部分及び前記第3の像の2つ又はそれ以上に共通である前記第3の像の前記第1の部分に基づいて前記レチクル上の前記欠陥を検出すること、を備えている、方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
前記パラメータは、照射線量を備えており、
前記追加的なパラメータは、焦点を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1の区域は、前記ウェーハ上の1つの列に配置され、
前記少なくとも1つの第2の区域は、前記ウェーハ上の1つ又はそれ以上の追加的な列に配置される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1の区域は、前記ウェーハ上の異なるダイに対応しており、
前記少なくとも1つの第2の区域は、前記ウェーハ上の少なくとも1つの追加的なダイに対応しており、
前記異なる第1の区域に対して取得された前記第1の像を前記少なくとも1つの第2の像と別々に比較することは、前記異なるダイの1つを前記少なくとも1つの追加的なダイの1つと比較することを備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1の区域は、前記ウェーハ上の異なるダイに対応しており、
前記少なくとも1つの第2の区域は、前記ウェーハ上の少なくとも2つの追加的なダイに対応しており、
前記異なる第1の区域に対して取得された前記第1の像を前記少なくとも1つの第2の像と別々に比較することは、前記異なるダイの1つを前記追加的なダイの2つと比較することを備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記変異は、前記少なくとも1つの第2の像の前記特徴の限界寸法と比較した前記第1の像の特徴の限界寸法の変異を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記欠陥を検出することは、前記第1の像の前記2つ又はそれ以上に共通である前記第1の部分を特定するために、前記第1の像の中の前記第1の部分の場所を比較することを備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記欠陥を検出することは、前記第1の部分及び前記第1の像の前記2つ又はそれ以上に共通である前記第1の部分に基づいて前記レチクル上の潜在的な欠陥を検出すること及び前記潜在的欠陥が実在する欠陥か否かを判別するために、前記第1の像の前記2つ又はそれ以上に共通である前記第1の部分に対応する前記ウェーハ上の場所を再検討すること、を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記欠陥を検出することは、前記結晶成長欠陥に対応する前記第1の部分を前記レチクル上の他の欠陥に対応する前記第1の部分から区別するために、前記第1の像の前記第1の部分の場所を前記レチクル上のパターン付き特徴に対応する前記第1の像のパターン付き特徴の場所と比較することを備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記欠陥を検出することは、前記結晶成長欠陥を前記レチクル上の他の欠陥から区別するために前記第1の部分のビニングに基づいて設計を行うことを備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記方法は、製造への前記レチクルの放出及び製造における前記レチクルの使用の後で行われる、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記欠陥は、前記レチクル上のパターン付き特徴の欠陥を備えていない、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記結晶成長欠陥は、前記パラメータの前記公称値で前記ウェーハ上に印刷される結晶成長欠陥を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記結晶成長欠陥は、前記パラメータの前記公称値で前記レチクルと共にウェーハ上に印刷される前記ダイのほぼ100%において印刷されるものである結晶成長欠陥を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記欠陥は、前記第1の像及び前記1つ又はそれ以上の第2の像に現れる、方法。 - レチクル上の欠陥を検出するためのコンピュータにより実現される方法において、
ウェーハ上の第1の区域の第1の像を取得することであって、前記第1の像は、ウェーハ検査システムによって生成され、レチクルは、リソグラフィ工程のパラメータの異なる値を使用して異なる第1の区域に印刷され、前記レチクルは、単一ダイレチクルである、第1の像を取得することと、
前記ウェーハ上の少なくとも1つの第2の区域の1つ又はそれ以上の第2の像を取得することであって、前記1つ又はそれ以上の第2の像は、前記ウェーハ検査システムによって生成され、前記レチクルは、前記パラメータの公称値を使用して前記少なくとも1つの第2の区域に印刷される、第2の像を取得することと、
前記少なくとも1つの第2の像と比較して前記第1の像の変異を確定するために、異なる第1の区画に対して取得された前記第1の像を前記1つ又はそれ以上の第2の像の少なくとも1つと別々に比較することと、
前記変異が前記第1の像の第2の部分より大きい前記第1の像の第1の部分及び前記第1の像の2つ又はそれ以上に共通である前記第1の部分に基づいて前記レチクル上の欠陥を検出することと、から成る方法。 - レチクル上の欠陥を検出するように構成されるウェーハ検査システムにおいて、
ウェーハ上の第1の区域の第1の像と前記ウェーハ上の少なくとも1つの第2の区域の1つ又はそれ以上の第2の像を取得するように構成される検査サブシステムであって、レチクルは、リソグラフィ工程のパラメータの異なる値を使用して異なる第1の区域に印刷され、前記レチクルは、前記パラメータの公称値を使用して前記少なくとも1つの第2の区域に印刷され、前記レチクルは、単一ダイレチクルである、検査サブシステムと、
前記少なくとも1つの第2の像と比較して前記第1の像の変異を確定するために、且つ前記変異が前記第1の像の第2の部分より大きい第1の像の第1の部分及び前記第1の像の2つ又はそれ以上に共通である前記第1の部分に基づいて前記レチクル上の欠陥を検出するために、異なる第1の区域に対して取得された前記第1の像を前記1つ又はそれ以上の第2の像の少なくとも1つと別々に比較するように構成されるコンピュータサブシステムであって、前記欠陥は、前記レチクル上の結晶成長欠陥を備えている、コンピュータサブシステムと、を備えているウェーハ検査システム。
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