JP2012506616A - ウェーハレベルでパッケージングされたmemsデバイス - Google Patents
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- 1つまたは複数のエッチングされた能動構成要素を有する能動層(34)と、ハンドル層(32)と、前記能動層と前記ハンドル層(32)の間に配置された誘電層(36)とを備えるシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハで形成されるベースセクションと、
ハンドル層および誘電層(44)を有するカバープレートと
を備える、ウェーハレベルでパッケージングされたセンサデバイスであって、
前記カバープレートの前記誘電層が、1つまたは複数の能動構成要素と対応するようにエッチングされ、前記カバープレートが前記ベースに接合され、前記ベースウェーハのハンドル層(32)またはカバープレートのハンドル層(42)のうちの少なくとも1つ、および対応する誘電層(36、44)が、前記能動層の表面の一部を露出させるために、1つまたは複数のエッチングされたピットフィーチャを有する、デバイス。 - 前記能動層の前記露出された表面上に配置された金属化部をさらに含み、前記金属化部が、前記能動構成要素のうちの1つまたは複数の構成要素と電気的連通している、請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスの外側の縁部において、前記ベースセクションおよび前記カバープレートを選択的にエッチングすることにより形成された、少なくとも1つのアイソレータフランジをさらに備える、請求項2に記載のデバイス。
- 前記ベースセクションの前記能動層(34)が、異方性エッチングプロセスに抗するレベルのドーパントを有し、1つまたは複数のセットバックが、前記能動構成要素の近傍で、前記ベースセクションの前記ハンドル層(32)の中に形成され、前記1つまたは複数のセットバックが異方性エッチングにより形成される、請求項1に記載のデバイス。
- ウェーハレベルのパッケージデバイスを形成するための方法であって、
ベースのシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハ(30)の能動層(34)の中に、少なくとも1つの能動構成要素をエッチングするステップであって、前記SOIウェーハ(30)が、誘電層(36)により前記能動層(34)から分離されたハンドル層(32)を有する、ステップと、
前記形成された能動構成要素の近傍で前記誘電層(36)をエッチングするステップと、
前記少なくとも1つの能動構成要素と合致する空洞を形成するためにカバープレートウェーハ(40)の誘電層(44)をエッチングするステップであって、前記カバープレート(40)が、前記カバープレートウェーハの誘電層(44)に取り付けられたハンドル層(42)を有する、ステップと、
前記能動層(34)の表面を露出させるために前記ハンドル層(32、42)および対応する誘電層(36、44)のうちの少なくとも1層をエッチングするステップと、
前記能動層(34)の前記露出された表面の一部の上に金属化部(50)を形成するステップとを含む、方法。 - 外側の縁部において、前記ベースウェーハおよび前記カバープレートウェーハの中に、少なくとも1つのアイソレータフランジをエッチングするステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- ウェーハレベルのパッケージデバイスを形成するための方法であって、
ベースのシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハ(30)の能動層(34)の中に、少なくとも1つの能動構成要素を形成するステップと、
前記能動層(34)にドーパントを加えるステップと、
少なくとも1つの能動構成要素の近傍で前記SOIウェーハ(30)のハンドル層(32)を異方性エッチングするステップと、
前記ベースウェーハの前記能動構成要素に合致する1つまたは複数の空洞を形成するために、カバープレートSOIウェーハ(40)の能動層および誘電層(44)をエッチングするステップと、
前記カバープレートSOIウェーハ(40)に前記SOIウェーハ(30)を接合するステップと、
前記対応する能動層(34)の表面を前記ベースSOIウェーハ(30)から、または前記カバープレートSOIウェーハ(40)から露出させるために、前記ハンドル層(32、42)のうちの少なくとも1つ、および対応する誘電層(36、44)をエッチングするステップと、
前記露出された能動層(34)の少なくとも一部の上に金属化部(50)を形成するステップとを含む、方法。 - 1つまたは複数のアイソレーションフランジを形成するために、前記SOIウェーハをエッチングするステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
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