JP2012253234A - Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板および発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＬＥＤ素子用リードフレーム基板において、切断時に発生するタイバーの切り口のダレを防止することができるようにする。
【解決手段】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部２と、ＬＥＤチップ搭載部２と離間して配置されＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部３とが、タイバー部６０、７０、８０によって複数連結されたリードフレーム１と、ＬＥＤチップ搭載部２および前記電気的接続エリア部３の一部を除くリードフレーム１の部位を覆う樹脂部とを備え、樹脂部とともにタイバー部６０、７０、８０を切断して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、タイバー部６０、７０、８０は、切断代よりも長く延ばされ、樹脂部に外周を囲まれて形成された構成とする。
【選択図】図６
【解決手段】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部２と、ＬＥＤチップ搭載部２と離間して配置されＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部３とが、タイバー部６０、７０、８０によって複数連結されたリードフレーム１と、ＬＥＤチップ搭載部２および前記電気的接続エリア部３の一部を除くリードフレーム１の部位を覆う樹脂部とを備え、樹脂部とともにタイバー部６０、７０、８０を切断して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、タイバー部６０、７０、８０は、切断代よりも長く延ばされ、樹脂部に外周を囲まれて形成された構成とする。
【選択図】図６
Description
本発明は、ＬＥＤ（Light EmittingDiode）素子用リードフレーム基板および発光素子に関する。
一般的に、ＬＥＤ素子が実装されるリードフレームは、鉄−ニッケル等の合金薄板、銅−ニッケル−錫等の合金薄板からなるリードフレーム用金属板材を、その片面または両面から塩化第二鉄等のエッチャントを用いてフォトエッチング加工することで製造される。また、かかるリードフレームは、ＬＥＤチップを搭載するためのパッド（アイランド部）を有するＬＥＤチップ搭載部と、このＬＥＤチップ搭載部に対して離間配置された、ＬＥＤチップと電気的に接続されるインナーリード及びアウターリードを有する電気的接続エリア部を備えている（特許文献１〜３参照）。
上記リードフレームのパッドは、その表面側にＬＥＤ素子を載置するための搭載部（搭載面）と、その裏面側には、ＬＥＤチップから発生する駆動熱やＬＥＤチッブ周囲の環境条件による熱を放散されるための放熱部（放熱板）を備えており、ＬＥＤチップに熱が蓄積されないように、パッド裏面側の放熱部から外界側に熱が放出されるように構成されている。
上記リードフレームのパッドは、その表面側にＬＥＤ素子を載置するための搭載部（搭載面）と、その裏面側には、ＬＥＤチップから発生する駆動熱やＬＥＤチッブ周囲の環境条件による熱を放散されるための放熱部（放熱板）を備えており、ＬＥＤチップに熱が蓄積されないように、パッド裏面側の放熱部から外界側に熱が放出されるように構成されている。
このようなリードフレーム（単位リードフレーム）は、金属板材をエッチングするなどして、複数のリードフレームパターンが、タイバーと称される連結部によって連結されたリードフレームを形成した後、樹脂モールド成形を行って、ＬＥＤ素子用リードフレーム基板を形成し、ＬＥＤ素子の配線工程の前後のいずれかの工程でこのＬＥＤ素子用リードフレーム基板をタイバーが貫通する切断代に沿って切断して個片化することより製造される。
しかしながら、上記のような従来技術のＬＥＤ素子用リードフレーム基板および発光素子には以下の問題があった。
従来技術では、ＬＥＤ素子用リードフレーム基板を切断して個片化するとき、延性材料からなるタイバーの切り口にダレが生じていた。このようなダレは、個片化された発光素子の形状誤差になるだけでなく、ダレ部が剥離して金属の異物が発生し、後続の組立工程で短絡などの異常や不良が発生する原因になるという問題がある。
従来技術では、ＬＥＤ素子用リードフレーム基板を切断して個片化するとき、延性材料からなるタイバーの切り口にダレが生じていた。このようなダレは、個片化された発光素子の形状誤差になるだけでなく、ダレ部が剥離して金属の異物が発生し、後続の組立工程で短絡などの異常や不良が発生する原因になるという問題がある。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ素子用リードフレーム基板の切断時に発生するタイバーの切り口のダレを防止することができるＬＥＤ素子用リードフレーム基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、このようなＬＥＤ素子用リードフレーム基板を用いて発光素子を形成することにより、タイバーのダレに起因する不良を防止できる発光素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、このようなＬＥＤ素子用リードフレーム基板を用いて発光素子を形成することにより、タイバーのダレに起因する不良を防止できる発光素子を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部と、該ＬＥＤチップ搭載部と離間して配置され前記ＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部とが、タイバーによって複数連結されたリードフレームと、前記ＬＥＤチップ搭載部および前記電気的接続エリア部の一部を除く前記リードフレームの部位を覆う樹脂部とを備え、該樹脂部とともに前記タイバーを切断して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、前記タイバーは、切断代よりも長く延ばされ、前記樹脂部に外周を囲まれて形成されており、かつ、前記タイバーは、その幅が、前記樹脂部の外面に近い部分では次第に細くなるように形成されている構成とする。
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のＬＥＤ素子用リードフレーム基板において、前記タイバーは、ハーフエッチングによって形成された構成とする。
請求項３に記載の発明では、発光素子において、請求項１または２に記載のＬＥＤ素子用リードフレーム基板の前記タイバーを切断して製造された前記個片基板上にＬＥＤチップを搭載した構成とする。
本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム基板によれば、タイバーが樹脂部で囲まれて形成されるため、タイバーの切断時にタイバーの変形が樹脂部によって規制されるので、ＬＥＤ素子用リードフレーム基板の切断時に発生するタイバーの切り口のダレを防止することができるという効果を奏する。
さらに、タイバーは、次第に幅が細くなりつつも樹脂部の外面に近い部分まで形成されているので、強度を大きくすることでき、それによってＬＥＤ素子用リードフレーム基板の強度を保つことができるという効果もある。
本発明の発光素子は、本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム基板を用いるため、タイバーのダレに起因する不良を防止できるという効果を奏する。
さらに、タイバーは、次第に幅が細くなりつつも樹脂部の外面に近い部分まで形成されているので、強度を大きくすることでき、それによってＬＥＤ素子用リードフレーム基板の強度を保つことができるという効果もある。
本発明の発光素子は、本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム基板を用いるため、タイバーのダレに起因する不良を防止できるという効果を奏する。
以下では、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板、および発光素子について添付図面を参照して説明する。
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態の発光素子の構成を示す模式的な平面図、および右側面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＤ視の側面図である。図２は、本発明の実施形態の発光素子の構成を示す模式的な裏面図である。図３は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図４は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態の発光素子の構成を示す模式的な平面図、および右側面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＤ視の側面図である。図２は、本発明の実施形態の発光素子の構成を示す模式的な裏面図である。図３は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図４は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
本実施形態の発光素子５０の概略構成は、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図２〜図４に示すように、外形が直方体状に形成されているものであり、銅−ニッケル−錫等の合金板（厚さｔ０とする）をエッチング加工により所定形状に形成した後、切断して個片化したリードフレーム１Ａ（図１（ａ）参照）と、ＬＥＤ素子であるＬＥＤチップ１０と、個片化されたリードフレーム１ＡおよびＬＥＤチップ１０をパッケージングする樹脂パッケージ４（樹脂部）と、ＬＥＤチップ１０を光透過可能に封止する透明樹脂部９とを備える。
ここで、個片化されたリードフレーム１Ａおよび樹脂パッケージ４は、個片化されたリードフレーム基板１１Ａ（個片基板、図１（ａ）参照）を構成している。
以下では、図１（ａ）に示すように、発光素子５０の平面視において互いに直交する側面に沿う方向を、Ｘ方向（図１（ａ）の左側から右側に向かう方向）、Ｙ方向（図１（ｂ）の下側から上側に向かう方向）と称する。
樹脂パッケージ４の中心部には、円状に開口し内部側のＬＥＤチップ搭載部２、電気的接続エリア部３に向かうにつれて縮径するテーパー面で構成された穴部であるリフレクター部５が設けられている。
ここで、個片化されたリードフレーム１Ａおよび樹脂パッケージ４は、個片化されたリードフレーム基板１１Ａ（個片基板、図１（ａ）参照）を構成している。
以下では、図１（ａ）に示すように、発光素子５０の平面視において互いに直交する側面に沿う方向を、Ｘ方向（図１（ａ）の左側から右側に向かう方向）、Ｙ方向（図１（ｂ）の下側から上側に向かう方向）と称する。
樹脂パッケージ４の中心部には、円状に開口し内部側のＬＥＤチップ搭載部２、電気的接続エリア部３に向かうにつれて縮径するテーパー面で構成された穴部であるリフレクター部５が設けられている。
個片化されたリードフレーム１Ａは、ＬＥＤチップ１０を搭載するために１乃至複数箇所に形成されたパッド２ａを有するＬＥＤチップ搭載部２と、ＬＥＤチップ１０との電気的接続を行うためのリード３ａが形成された電気的接続エリア部３を有している。
ＬＥＤチップ搭載部２と電気的接続エリア部３とは、リフレクター部５の内部側で離間領域ＧをあけてＹ方向に対向されており、Ｘ方向に延びる離間領域Ｇに樹脂パッケージ４の一部が充填されることにより、電気的に絶縁されている（図３参照）。
本実施形態では、パッド２ａはＬＥＤチップ搭載部２においてリフレクター部５の内側の領域、リード３ａは電気的接続エリア部３においてリフレクター部５の内側の領域に設けられている。
ＬＥＤチップ搭載部２と電気的接続エリア部３とは、リフレクター部５の内部側で離間領域ＧをあけてＹ方向に対向されており、Ｘ方向に延びる離間領域Ｇに樹脂パッケージ４の一部が充填されることにより、電気的に絶縁されている（図３参照）。
本実施形態では、パッド２ａはＬＥＤチップ搭載部２においてリフレクター部５の内側の領域、リード３ａは電気的接続エリア部３においてリフレクター部５の内側の領域に設けられている。
図４に示すように、ＬＥＤチップ搭載部２のＸ方向の両側面には、離間領域Ｇに隣接する位置において、それぞれタイバー部６ＸがＸ方向に沿って突出されている。
タイバー部６Ｘの断面形状（６ｂ）は図１（ｂ）に示したようなものであり、樹脂パッケージ４の底面４ｆ（後述する）に近い部分では、タイバー部６Ｘの幅が次第に狭くなるように形成されている。すなわち、本実施形態においては、タイバー部６Ｘは、厚さ方向の片面がパッド２ａに整列されており、厚さ（ｔ０−ｔ１）（ただし、ｔ１＜ｔ０）の部分の断面形状は長方形状（または台形状）となっており、また、厚さｔ１の部分の断面形状は略三角形状で、ＬＥＤチップ搭載部２の裏面側（パッド２ａの反対面）に近い側の頂点は当該裏面に整列されているか厚さ方向の少し内側に配置されている。
このような断面形状としておくと、図１（ｂ）に示すように、一方のタイバー部６Ｘは、Ｘ方向正方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。また、特に図示しないが他方のタイバー部６ＸもＸ方向負方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。
また、電気的接続エリア部３のＸ方向の両側面には、離間領域Ｇに隣接する位置において、それぞれ厚さ（ｔ０−ｔ１）のタイバー部７ＸがＸ方向に沿って突出されている。
タイバー部７Ｘの断面形状（７ｂ）は図１（ｂ）に示したようなものであり、樹脂パッケージ４の底面４ｆ（後述する）に近い部分では、タイバー部７Ｘの幅が次第に狭くなるように形成されている。すなわち、本実施形態においては、厚さ方向の片面がリード３ａに整列されており、厚さ（ｔ０−ｔ１）（ただし、ｔ１＜ｔ０）の部分の断面形状は長方形状（または台形状）となっており、また、厚さｔ１の部分の断面形状は略三角形状で、電気的接続エリア部３の裏面側（リード３ａの反対面）に近い側の頂点は当該裏面に整列されているか厚さ方向の少し内側に配置されている。
このような断面形状としておくと、図１（ｂ）に示すように、一方のタイバー部７Ｘは、Ｘ方向正方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。また、特に図示しないが他方のタイバー部７ＸもＸ方向負方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。
タイバー部６Ｘの断面形状（６ｂ）は図１（ｂ）に示したようなものであり、樹脂パッケージ４の底面４ｆ（後述する）に近い部分では、タイバー部６Ｘの幅が次第に狭くなるように形成されている。すなわち、本実施形態においては、タイバー部６Ｘは、厚さ方向の片面がパッド２ａに整列されており、厚さ（ｔ０−ｔ１）（ただし、ｔ１＜ｔ０）の部分の断面形状は長方形状（または台形状）となっており、また、厚さｔ１の部分の断面形状は略三角形状で、ＬＥＤチップ搭載部２の裏面側（パッド２ａの反対面）に近い側の頂点は当該裏面に整列されているか厚さ方向の少し内側に配置されている。
このような断面形状としておくと、図１（ｂ）に示すように、一方のタイバー部６Ｘは、Ｘ方向正方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。また、特に図示しないが他方のタイバー部６ＸもＸ方向負方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。
また、電気的接続エリア部３のＸ方向の両側面には、離間領域Ｇに隣接する位置において、それぞれ厚さ（ｔ０−ｔ１）のタイバー部７ＸがＸ方向に沿って突出されている。
タイバー部７Ｘの断面形状（７ｂ）は図１（ｂ）に示したようなものであり、樹脂パッケージ４の底面４ｆ（後述する）に近い部分では、タイバー部７Ｘの幅が次第に狭くなるように形成されている。すなわち、本実施形態においては、厚さ方向の片面がリード３ａに整列されており、厚さ（ｔ０−ｔ１）（ただし、ｔ１＜ｔ０）の部分の断面形状は長方形状（または台形状）となっており、また、厚さｔ１の部分の断面形状は略三角形状で、電気的接続エリア部３の裏面側（リード３ａの反対面）に近い側の頂点は当該裏面に整列されているか厚さ方向の少し内側に配置されている。
このような断面形状としておくと、図１（ｂ）に示すように、一方のタイバー部７Ｘは、Ｘ方向正方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。また、特に図示しないが他方のタイバー部７ＸもＸ方向負方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。
図３に示すように、ＬＥＤチップ搭載部２のＹ方向負方向側の側面には、ＬＥＤチップ搭載部２の厚さｔ０よりも薄い厚さ（ｔ０−ｔ１）（ただし、ｔ１＜ｔ０）のタイバー部８ＹがＹ方向負方向に突出されている。タイバー部８Ｙは、厚さ方向の片面がパッド２ａに整列されており、タイバー部８Ｙの厚さ方向の他の片面はＬＥＤチップ搭載部２との間に段差ｔ１を有している。この段差ｔ１の部分には、樹脂パッケージ４が充填されている。このため、図１（ｃ）に示すように、タイバー部８Ｙは、Ｙ方向負方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。
また、電気的接続エリア部３のＹ方向正方向側の側面にも、電気的接続エリア部３の厚さｔ０よりも薄い厚さ（ｔ０−ｔ１）のタイバー部８ＹがＹ方向正方向に突出されている。タイバー部８Ｙは、厚さ方向の片面がリード３ａに整列されており、タイバー部８Ｙの厚さ方向の他の片面は電気的接続エリア部３との間に段差ｔ１を有している。この段差ｔ１の部分には、樹脂パッケージ４が充填されている。このため、特に図示しないが、タイバー部８Ｙは、Ｙ方向正方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。
また、電気的接続エリア部３のＹ方向正方向側の側面にも、電気的接続エリア部３の厚さｔ０よりも薄い厚さ（ｔ０−ｔ１）のタイバー部８ＹがＹ方向正方向に突出されている。タイバー部８Ｙは、厚さ方向の片面がリード３ａに整列されており、タイバー部８Ｙの厚さ方向の他の片面は電気的接続エリア部３との間に段差ｔ１を有している。この段差ｔ１の部分には、樹脂パッケージ４が充填されている。このため、特に図示しないが、タイバー部８Ｙは、Ｙ方向正方向から見ると樹脂パッケージ４によって周囲を囲まれている。
本実施形態においては、タイバー部８Ｙは、厚さに対して幅が広い形状であるので、タイバー部８Ｙの断面形状は図１（ｃ）に示すような形状（長方形状または台形状）としているが、タイバー部８Ｙの幅がより細い場合に、前述したタイバー部６Ｘ、７Ｘと同様に、樹脂パッケージ４の底面４ｆ（後述する）に近い部分では、タイバー部８Ｘの幅が次第に狭くなるように形成してもよい。その場合、タイバー部８Ｙが複数本形成されるようにしてもよい。
タイバー部６Ｘは、個片化されたリードフレーム１Ａが個片化される前の後述するリードフレーム１において、ＬＥＤチップ搭載部２同士をＸ方向に連結していた後述のタイバー部６０が切断されることにより形成されたものである。
タイバー部７Ｘは、後述するリードフレーム１において、電気的接続エリア部３同士をＸ方向に連結していた後述のタイバー部７０が切断されることにより形成されたものである。
タイバー部８Ｙは、後述するリードフレーム１において、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３をＹ方向に連結していた後述のタイバー部８０が切断されることにより形成されたものである。
タイバー部７Ｘは、後述するリードフレーム１において、電気的接続エリア部３同士をＸ方向に連結していた後述のタイバー部７０が切断されることにより形成されたものである。
タイバー部８Ｙは、後述するリードフレーム１において、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３をＹ方向に連結していた後述のタイバー部８０が切断されることにより形成されたものである。
パッド２ａとリード３ａとの表面には、ＬＥＤチップ１０のボンディングおよびリード３ａに対するワイヤーボンディングを良好に行うためのめっきが施されている。めっきの種類としては、銀めっき、金めっき、パラジウムめっきなどの中から用途に合わせて自由に選択することができる。また、銀めっき、金めっき、パラジウムめっきなどを施すに先立ち、熱拡散性の優れたニッケルめっきなど下地めっきを行ってもよい。
樹脂パッケージ４は、発光素子５０の主要な外形を形成しており、図１（ａ）に示すように、リフレクター部５の開口の周囲を覆う上面４ｅと、Ｘ方向負方向、正方向側の側面をそれぞれ構成する側面４ａ、４ｂと、Ｙ方向正方向、負方向側の側面をそれぞれ構成する側面４ｃ、４ｄとを備える。
これら側面４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、後述するリードフレーム１をＸ方向、Ｙ方向に沿って切断することで形成されたものである。
このため、後述のタイバー部６０、７０、８０の切り口である切断面６ａ、７ａ、６ｂ、７ｂ、８ｃ、８ｄは、切断面６ａ、７ａが側面４ａと、切断面６ｂ、７ｂが側面４ｂと、切断面８ｃが側面４ｃと、切断面８ｄが側面４ｄと、それぞれ同一平面に整列している。
これら側面４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、後述するリードフレーム１をＸ方向、Ｙ方向に沿って切断することで形成されたものである。
このため、後述のタイバー部６０、７０、８０の切り口である切断面６ａ、７ａ、６ｂ、７ｂ、８ｃ、８ｄは、切断面６ａ、７ａが側面４ａと、切断面６ｂ、７ｂが側面４ｂと、切断面８ｃが側面４ｃと、切断面８ｄが側面４ｄと、それぞれ同一平面に整列している。
また、上面４ｅに対して厚さ方向反対側となる面は、図２に示すように、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の外周を囲む領域と、離間領域Ｇに対応する領域とに、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の表面と整列した平面からなる底面４ｆが形成されている。
このため、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３は、底面４ｆ側から見るとき、それぞれの外周が樹脂パッケージ４によって囲まれている。
このため、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３は、底面４ｆ側から見るとき、それぞれの外周が樹脂パッケージ４によって囲まれている。
樹脂パッケージ４の材質としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、芳香族系ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）などが挙げられ、これらの樹脂から１種の樹脂を用いたり、複数の樹脂を混合した混合樹脂を用いたりすることができる。
また、樹脂パッケージ４には、リフレクター部５における反射特性を向上するため、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、酸化ジルコニウム、セラミック材からなる微粒子、あるいは、これら微粒子を１種以上混合したからなる混合物などを採用することができる。混合物を用いる場合、混合比率は構成することで、反射率特性を適宜の反射率に調整することができる。例えば、上記の添加剤を組み合わせることで、９０〜９６％程度の反射率が得られる。
また、これらの添加物は、硬質の微粒子であるため、樹脂パッケージ４を補強する効果もある。
また、樹脂パッケージ４には、リフレクター部５における反射特性を向上するため、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、酸化ジルコニウム、セラミック材からなる微粒子、あるいは、これら微粒子を１種以上混合したからなる混合物などを採用することができる。混合物を用いる場合、混合比率は構成することで、反射率特性を適宜の反射率に調整することができる。例えば、上記の添加剤を組み合わせることで、９０〜９６％程度の反射率が得られる。
また、これらの添加物は、硬質の微粒子であるため、樹脂パッケージ４を補強する効果もある。
ＬＥＤチップ１０は、リフレクター部５の略中心となる位置においてｎ極電極がパッド２ａにボンディングされている。また、ＬＥＤチップ１０のｐ極電極は、ボンディングワイヤーＷによって、リード３ａと電気的に接続されている。
ＬＥＤチップ１０が搭載されたリフレクター部５の内側には、透明樹脂が充填されて透明樹脂部９が形成され、これにより、ＬＥＤチップ１０が透明樹脂部９内に封止されている。透明樹脂部９の材質としては、例えば、シリコーン系樹脂あるいはエポキシ系樹脂などを採用することができる。
このため、ＬＥＤチップ１０で励起されたＬＥＤ光は、透明樹脂部９内を進んでリフレクター部５によって反射されることにより、リフレクター部５の開口側に放射されるようになっている。
なお、本実施形態では、例えば図３、４に示すように、透明樹脂部９の開口側の表面は、樹脂パッケージ４の上面４ｅと整列した平坦面として描かれているが、透明樹脂部９の表面は、例えばドーム状に突出した形状に形成してもよい。この場合、透明樹脂部９が集光作用を備えるためドーム形状によってＬＥＤ光の放射角を適宜の放射角に調整することができる。
ＬＥＤチップ１０が搭載されたリフレクター部５の内側には、透明樹脂が充填されて透明樹脂部９が形成され、これにより、ＬＥＤチップ１０が透明樹脂部９内に封止されている。透明樹脂部９の材質としては、例えば、シリコーン系樹脂あるいはエポキシ系樹脂などを採用することができる。
このため、ＬＥＤチップ１０で励起されたＬＥＤ光は、透明樹脂部９内を進んでリフレクター部５によって反射されることにより、リフレクター部５の開口側に放射されるようになっている。
なお、本実施形態では、例えば図３、４に示すように、透明樹脂部９の開口側の表面は、樹脂パッケージ４の上面４ｅと整列した平坦面として描かれているが、透明樹脂部９の表面は、例えばドーム状に突出した形状に形成してもよい。この場合、透明樹脂部９が集光作用を備えるためドーム形状によってＬＥＤ光の放射角を適宜の放射角に調整することができる。
次に、本実施形態の発光素子５０の製造方法の一例について説明する。
図５は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板を示す平面図である。図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板に用いるリードフレームの平面図および裏面図である。図７は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板および発光素子の製造工程の工程フロー図である。図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板の切断工程の様子を示す模式図である。図９（ａ）は、従来技術の切断工程の様子を示す模式図である。図９（ｂ）は、従来技術の切断後の切り口の一例を示す模式図である。図９（ｃ）は、図９（ｂ）におけるＥ−Ｅ断面図である。図９（ｄ）は、従来技術の切断後の切り口の他例を示す模式図である。図９（ｅ）は、図９（ｄ）におけるＦ−Ｆ断面図である。
図５は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板を示す平面図である。図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板に用いるリードフレームの平面図および裏面図である。図７は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板および発光素子の製造工程の工程フロー図である。図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態のＬＥＤ素子用リードフレーム基板の切断工程の様子を示す模式図である。図９（ａ）は、従来技術の切断工程の様子を示す模式図である。図９（ｂ）は、従来技術の切断後の切り口の一例を示す模式図である。図９（ｃ）は、図９（ｂ）におけるＥ−Ｅ断面図である。図９（ｄ）は、従来技術の切断後の切り口の他例を示す模式図である。図９（ｅ）は、図９（ｄ）におけるＦ−Ｆ断面図である。
本方法では、発光素子５０を製造するため、図５に示す１枚のリードフレーム基板１１（ＬＥＤ素子用リードフレーム基板）を製造し、このリードフレーム基板１１を切断して個片化することにより発光素子５０の構成要素である個片化されたリードフレーム基板１１Ａを形成する。
このため、リードフレーム基板１１は、個片化されたリードフレーム基板１１ＡがＸ方向およびＹ方向に複数隣接して配置され、それらの間にＸ方向に切断するためのＹ方向に延ばされたＸ方向切断代ＣＸと、Ｙ方向に切断するためＸ方向に延ばされたＹ方向切断代ＣＹとが設けられた形状を有する。
Ｘ方向切断代ＣＸ、Ｙ方向切断代ＣＹは、切断に用いるダイシングブレードの刃幅に等しい帯状の領域であり、切断によって除去される部位である。
このため、リードフレーム基板１１は、個片化されたリードフレーム基板１１ＡがＸ方向およびＹ方向に複数隣接して配置され、それらの間にＸ方向に切断するためのＹ方向に延ばされたＸ方向切断代ＣＸと、Ｙ方向に切断するためＸ方向に延ばされたＹ方向切断代ＣＹとが設けられた形状を有する。
Ｘ方向切断代ＣＸ、Ｙ方向切断代ＣＹは、切断に用いるダイシングブレードの刃幅に等しい帯状の領域であり、切断によって除去される部位である。
リードフレーム基板１１を製造するには、図６（ａ）、（ｂ）に示すリードフレーム１を製造した後に、樹脂パッケージ４を成形する。そこで、まず、リードフレーム１の形状について説明する。
リードフレーム１は、個片化されたリードフレーム基板１１ＡのＹ方向となる方向（以下、単にＹ方向）に沿って、ＬＥＤチップ搭載部２と電気的接続エリア部３とが交互に間隔をおいて配列され、個片化されたリードフレーム基板１１ＡのＸ方向となる方向（以下、単にＸ方向）に沿って、ＬＥＤチップ搭載部２同士、電気的接続エリア部３同士が間隔をおいて隣り合うように配列されている。
１つの個片化されたリードフレーム１Ａを構成するＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の対、すなわち、Ｘ方向切断代ＣＸ、Ｙ方向切断代ＣＹで囲まれる矩形（二点鎖線で示す）内のＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３を単位リードフレーム１Ｂと称すると、単位リードフレーム１ＢにおけるＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の間には、離間領域Ｇを形成する孔部ｇが板厚方向に貫通されている。
１つの個片化されたリードフレーム１Ａを構成するＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の対、すなわち、Ｘ方向切断代ＣＸ、Ｙ方向切断代ＣＹで囲まれる矩形（二点鎖線で示す）内のＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３を単位リードフレーム１Ｂと称すると、単位リードフレーム１ＢにおけるＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の間には、離間領域Ｇを形成する孔部ｇが板厚方向に貫通されている。
Ｘ方向切断代ＣＸを挟んで隣接するＬＥＤチップ搭載部２同士、電気的接続エリア部３同士の間には、孔部ｇの外周を形成する位置に、Ｘ方向の長さがＸ方向切断代ＣＸの幅よりも長いタイバー部６０、７０（タイバー）がそれぞれ架設されている。
このような構成のタイバー部６０、７０により、ＬＥＤチップ搭載部２同士、電気的接続エリア部３同士は、Ｘ方向切断代ＣＸの幅よりも広い間隔をあけて連結されている。
また、タイバー部６０、７０は、Ｘ方向切断代ＣＸの内側において孔部ｇのＸ方向の外周を形成する厚さ（ｔ０−ｔ１）のタイバー部９０によってＹ方向に連結されている。タイバー部９０のＸ方向の幅は、Ｘ方向切断代ＣＸの幅よりも狭くなっている。
タイバー部６０、７０、９０の厚さ方向の一方の面は、図６（ａ）に示すように、パッド２ａおよびリード３ａとされる面（以下、リードフレーム１の表面と称し、これと反対側の面を裏面と称する）と整列されている。また、タイバー部６０、７０は、リードフレーム１の裏面に近い部分では、その幅が次第に細くなるように形成されている。
このような構成のタイバー部６０、７０により、ＬＥＤチップ搭載部２同士、電気的接続エリア部３同士は、Ｘ方向切断代ＣＸの幅よりも広い間隔をあけて連結されている。
また、タイバー部６０、７０は、Ｘ方向切断代ＣＸの内側において孔部ｇのＸ方向の外周を形成する厚さ（ｔ０−ｔ１）のタイバー部９０によってＹ方向に連結されている。タイバー部９０のＸ方向の幅は、Ｘ方向切断代ＣＸの幅よりも狭くなっている。
タイバー部６０、７０、９０の厚さ方向の一方の面は、図６（ａ）に示すように、パッド２ａおよびリード３ａとされる面（以下、リードフレーム１の表面と称し、これと反対側の面を裏面と称する）と整列されている。また、タイバー部６０、７０は、リードフレーム１の裏面に近い部分では、その幅が次第に細くなるように形成されている。
また、Ｙ方向切断代ＣＹを挟んで隣接するＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の間には、Ｙ方向の長さがＹ方向切断代ＣＹの幅よりも長く厚さが（ｔ０−ｔ１）とされたタイバー部８０（タイバー）が架設されている。タイバー部８０は、タイバー部６０、７０と同様の細い角棒状に形成してもよいが、本実施形態では、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３のＸ方向の幅よりもわずかに狭い幅の平板状に設けられている。
このような構成のタイバー部８０により、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３は、Ｙ方向切断代ＣＹの幅よりも広い間隔をあけて連結されている。
タイバー部８０の厚さ方向の一方の面は、図６（ａ）に示すように、リードフレーム１の表面と整列されている。このため、図６（ｂ）に示すように、リードフレーム１の裏面側には、リードフレーム１の表面の方（図示紙面奥側方向）に陥没した深さｔ１の溝部ｓが形成されている。
このような構成のタイバー部８０により、ＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３は、Ｙ方向切断代ＣＹの幅よりも広い間隔をあけて連結されている。
タイバー部８０の厚さ方向の一方の面は、図６（ａ）に示すように、リードフレーム１の表面と整列されている。このため、図６（ｂ）に示すように、リードフレーム１の裏面側には、リードフレーム１の表面の方（図示紙面奥側方向）に陥没した深さｔ１の溝部ｓが形成されている。
このようなリードフレーム１の構成により、リードフレーム１は、Ｘ方向切断代ＣＸ、Ｙ方向切断代ＣＹが交差する領域を内側に含む孔部ｈと、Ｘ方向切断代ＣＸ、Ｙ方向切断代ＣＹに囲まれた矩形状領域をＸ方向に横断する孔部ｇとが形成された孔あき板状の部材である。
本方法による製造工程は、図７に示すように、第１エッチング工程Ｓ１、第２エッチング工程Ｓ２、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３、ＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４、透明樹脂部成形工程Ｓ５、切断工程Ｓ６、を備える。
第１エッチング工程Ｓ１は、例えば、銅−ニッケル−錫等の金属合金からなる厚さｔ０の金属板材をハーフエッチング処理して、リードフレーム１の表面側の形状を形成する工程である。
まず、リードフレーム１の表面となる金属板材の一方の面にフォトレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成する。
次に、孔部ｈ、ｇを除く領域を覆うパターン露光用フォトマスクを介してフォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層を現像して非露光部のフォトレジストを除去し、必要に応じて硬膜処理を行う。
これにより、金属板材の一方の面は、リードフレーム１の表面における孔部ｈ、ｇを除く領域のパターンを有するフォトレジストによって覆われ、孔部ｈ、ｇに対応する表面は、フォトレジスト非形成部となる。
まず、リードフレーム１の表面となる金属板材の一方の面にフォトレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成する。
次に、孔部ｈ、ｇを除く領域を覆うパターン露光用フォトマスクを介してフォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層を現像して非露光部のフォトレジストを除去し、必要に応じて硬膜処理を行う。
これにより、金属板材の一方の面は、リードフレーム１の表面における孔部ｈ、ｇを除く領域のパターンを有するフォトレジストによって覆われ、孔部ｈ、ｇに対応する表面は、フォトレジスト非形成部となる。
次に、リードフレーム１の裏面となる金属板材の他方の面に、耐腐食用の樹脂フィルムを貼着して、この金属板材のフォトレジスト非形成部を、一方の面側から（ｔ０−ｔ１）以上の深さまで、例えば塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工（ハーフエッチング処理）する。
ハーフエッチング処理終了後、洗浄を行い、フォトレジストおよび耐腐食用樹脂フィルムを除去する。
以上で、第１エッチング工程Ｓ１が終了する。
ハーフエッチング処理終了後、洗浄を行い、フォトレジストおよび耐腐食用樹脂フィルムを除去する。
以上で、第１エッチング工程Ｓ１が終了する。
次に、第２エッチング工程Ｓ２を行う。本工程は、金属板材をハーフエッチングして、リードフレーム１の裏面側の形状を形成する工程である。
まず、リードフレーム１の表面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着する。
次に、リードフレーム１の裏面となる金属板材の他方の面にフォトレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成する。
次に、孔部ｈ、ｇと、タイバー部６０の一部分、７０の一部分、８０、９０を除く領域を覆うパターン露光用フォトマスクを介してフォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層を現像して非露光部のフォトレジストを除去し、必要に応じて硬膜処理を行う。
これにより、金属板材の他方の面は、リードフレーム１の裏面における孔部ｈ、ｇと、タイバー部６０の一部分、７０の一部分、８０、９０を除く領域のパターンを有するフォトレジストによって覆われ、孔部ｈ、ｇ、タイバー部６０の一部分、７０の一部分、８０、９０に対応する裏面は、フォトレジスト非形成部となる。
ここで、タイバー部６０および７０でフォトレジストによって覆われる箇所について説明する。タイバー部６０上でフォトレジストによって覆われるのは、タイバー部６０のＸ方向に沿ったスジ状の中央線付近である。タイバー部７０上でも同様で、フォトレジストによって覆われるのは、タイバー部７０のＸ方向に沿ったスジ状の中央線付近である。
すなわち、タイバー部６０、７０のＸ方向に沿ったス中央線付近に、タイバー部６０、７０よりも細い幅でフォトレジストを形成しておく。
まず、リードフレーム１の表面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着する。
次に、リードフレーム１の裏面となる金属板材の他方の面にフォトレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成する。
次に、孔部ｈ、ｇと、タイバー部６０の一部分、７０の一部分、８０、９０を除く領域を覆うパターン露光用フォトマスクを介してフォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層を現像して非露光部のフォトレジストを除去し、必要に応じて硬膜処理を行う。
これにより、金属板材の他方の面は、リードフレーム１の裏面における孔部ｈ、ｇと、タイバー部６０の一部分、７０の一部分、８０、９０を除く領域のパターンを有するフォトレジストによって覆われ、孔部ｈ、ｇ、タイバー部６０の一部分、７０の一部分、８０、９０に対応する裏面は、フォトレジスト非形成部となる。
ここで、タイバー部６０および７０でフォトレジストによって覆われる箇所について説明する。タイバー部６０上でフォトレジストによって覆われるのは、タイバー部６０のＸ方向に沿ったスジ状の中央線付近である。タイバー部７０上でも同様で、フォトレジストによって覆われるのは、タイバー部７０のＸ方向に沿ったスジ状の中央線付近である。
すなわち、タイバー部６０、７０のＸ方向に沿ったス中央線付近に、タイバー部６０、７０よりも細い幅でフォトレジストを形成しておく。
次に、この金属板材のフォトレジスト非形成部を、他方の面側から深さｔ１まで、例えば塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工（ハーフエッチング処理）する。
ハーフエッチング処理終了後、洗浄を行い、フォトレジストおよび耐腐食用樹脂フィルムを除去する。
これにより、孔部ｈ、ｇの領域では、上記第１エッチング工程Ｓ１で形成された孔部ｈ、ｇに貫通する深さまでエッチングされるため、孔部ｈ、ｇが形成される。
ハーフエッチング処理終了後、洗浄を行い、フォトレジストおよび耐腐食用樹脂フィルムを除去する。
これにより、孔部ｈ、ｇの領域では、上記第１エッチング工程Ｓ１で形成された孔部ｈ、ｇに貫通する深さまでエッチングされるため、孔部ｈ、ｇが形成される。
また、タイバー部８０に対応する領域には、深さｔ１の溝部が形成されるため、リードフレーム１の溝部ｓが形成される。
また、タイバー部９０に対応する領域は、深さｔ１だけエッチングされる。
よって、タイバー部８０、９０の断面形状は長方形（または台形）となる。
また、タイバー部９０に対応する領域は、深さｔ１だけエッチングされる。
よって、タイバー部８０、９０の断面形状は長方形（または台形）となる。
また、タイバー部６０、７０のＸ方向の中央線付近にはフォトレジストが形成されているのでエッチングが起こらないが、それ以外の部分はフォトレジスト非形成部なのでエッチングされることになる。これにより、タイバー部６０、７０は、金属板材の他方の面側から深さｔ１の部分に向かって、だんだん幅が太くなっていくような形状に形成される。これは、例えば、図１（ｂ）の、符号６ｂおよび７ｂに示したような、長方形（または台形）と略三角形を組み合わせたような断面形状の、五角柱状のタイバーである。
なお、タイバー部６０、７０をエッチング処理により形成する場合、エッチングの条件によっては、タイバーの側面部が平面ではなく湾曲面となったり、角柱状のタイバーの稜の部分の角が丸くなったりすることがあるが、そのような形状であってもかまわない。
なお、タイバー部６０、７０をエッチング処理により形成する場合、エッチングの条件によっては、タイバーの側面部が平面ではなく湾曲面となったり、角柱状のタイバーの稜の部分の角が丸くなったりすることがあるが、そのような形状であってもかまわない。
したがって、リードフレーム１が製造される。
以上で、第２エッチング工程Ｓ２が終了する。
以上で、第２エッチング工程Ｓ２が終了する。
次に、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３を行う。本工程は、リードフレーム１に樹脂パッケージ４を形成する工程である。
すなわち、樹脂パッケージ４の形状を成形するための金型の凹部内にリードフレーム１を装填する。このとき、リードフレーム１の裏面は、金型の成形面に密着して配置され、リードフレーム１の表面は、金型の成形面に対して、隙間を有している。
リードフレーム１を装填したら、例えば射出成形によって、樹脂パッケージ４を構成する樹脂材料を金型内に充填して成形を行う。
まず、樹脂材料は、リードフレーム１の表面において、パッド２ａおよびリード３ａ以外の所定領域に、樹脂パッケージ４の形状に充填される。
さらに、樹脂パッケージ４を形成する樹脂材料は、金型の凹部とリードフレームとの間に形成された隙間に回り込むように充填されて固化する。このため、リードフレーム１の孔部ｈ、ｇ、および溝部ｓ、および各タイバー部の周囲には、樹脂材料が充填される。この結果、タイバー部６０、７０、８０、９０は、樹脂材料によって周囲が囲まれることになる。
樹脂材料の充填が終了し、樹脂材料が固化したら成形品を脱型する。
ここで、ＬＥＤチップ搭載部２、電気的接続エリア部３と金型の合わせ面の密着状態等により、例えばリフレクター部５の開口下部５ａ（図５参照）等から成形バリが発生し、リフレクター部５内に露出するパッド２ａ、リード３ａが樹脂に覆われている場合がある。そのような場合は、適宜のバリ除去手段を用いて、パッド２ａ、リード３ａ上の樹脂の除去を行う。
これにより、図５に示すようなリードフレーム基板１１が製造される。
以上で、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３が終了する。
すなわち、樹脂パッケージ４の形状を成形するための金型の凹部内にリードフレーム１を装填する。このとき、リードフレーム１の裏面は、金型の成形面に密着して配置され、リードフレーム１の表面は、金型の成形面に対して、隙間を有している。
リードフレーム１を装填したら、例えば射出成形によって、樹脂パッケージ４を構成する樹脂材料を金型内に充填して成形を行う。
まず、樹脂材料は、リードフレーム１の表面において、パッド２ａおよびリード３ａ以外の所定領域に、樹脂パッケージ４の形状に充填される。
さらに、樹脂パッケージ４を形成する樹脂材料は、金型の凹部とリードフレームとの間に形成された隙間に回り込むように充填されて固化する。このため、リードフレーム１の孔部ｈ、ｇ、および溝部ｓ、および各タイバー部の周囲には、樹脂材料が充填される。この結果、タイバー部６０、７０、８０、９０は、樹脂材料によって周囲が囲まれることになる。
樹脂材料の充填が終了し、樹脂材料が固化したら成形品を脱型する。
ここで、ＬＥＤチップ搭載部２、電気的接続エリア部３と金型の合わせ面の密着状態等により、例えばリフレクター部５の開口下部５ａ（図５参照）等から成形バリが発生し、リフレクター部５内に露出するパッド２ａ、リード３ａが樹脂に覆われている場合がある。そのような場合は、適宜のバリ除去手段を用いて、パッド２ａ、リード３ａ上の樹脂の除去を行う。
これにより、図５に示すようなリードフレーム基板１１が製造される。
以上で、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３が終了する。
次に、ＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４を行う。本工程は、リードフレーム基板１１の各パッド２ａ、各リード３ａにめっき被膜を形成した後、ＬＥＤチップ１０をパッド２ａに搭載して、リード３ａに配線する工程である。
まず、電解めっき法や無電解めっき法によって、パッド２ａ、リード３ａに銀めっき、金めっき、パラジウムめっきなどを施す。
次に、ＬＥＤチップ１０のｎ極電極をパッド２ａにボンディングし、ボンディングされたＬＥＤチップ１０のｐ極電極をボンディングワイヤーＷによって、リード３ａに配線する。
以上で、ＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４が終了する。
まず、電解めっき法や無電解めっき法によって、パッド２ａ、リード３ａに銀めっき、金めっき、パラジウムめっきなどを施す。
次に、ＬＥＤチップ１０のｎ極電極をパッド２ａにボンディングし、ボンディングされたＬＥＤチップ１０のｐ極電極をボンディングワイヤーＷによって、リード３ａに配線する。
以上で、ＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４が終了する。
次に、透明樹脂部成形工程Ｓ５を行う。本工程は、ＬＥＤチップ１０が搭載されたリードフレーム基板１１の各リフレクター部５に透明樹脂部９を充填してＬＥＤチップ１０を封止し、透明樹脂部９を固化させる工程である。
例えば、透明樹脂部９の材質として、シリコーン系樹脂を採用する場合、液体状態にしてリフレクター部５内に充填してから加熱して固化させる。
以上で、透明樹脂部成形工程Ｓ５が終了する。
例えば、透明樹脂部９の材質として、シリコーン系樹脂を採用する場合、液体状態にしてリフレクター部５内に充填してから加熱して固化させる。
以上で、透明樹脂部成形工程Ｓ５が終了する。
次に、切断工程Ｓ６を行う。本工程は、リードフレーム基板１１を、例えばダイシング装置などの切断装置にセットして、Ｘ方向切断代ＣＸ、Ｙ方向切断代ＣＹにおいて切断を行い、これにより個片化されたリードフレーム基板１１Ａを製造する工程である。
例えば、リードフレーム基板１１をＸ方向切断代ＣＸにおいて切断する場合、図８（ａ）に示すように、ダイシング装置のダイシングブレード２０を一方向に回転させてＸ方向切断代ＣＸ上をＹ方向沿って移動させる。
このとき、Ｘ方向切断代ＣＸの内部は、樹脂パッケージ４の他に、Ｘ方向切断代ＣＸをＸ方向に横断するタイバー部６０、７０と、Ｘ方向切断代ＣＸの内側でＹ方向に沿って延びるタイバー部９０（図６（ｂ）参照）とが存在する。
このため、リードフレーム基板１１をダイシングブレード２０が通過すると、リードフレーム基板１１がＸ方向切断代ＣＸに沿って分断されて、切り口が形成される。このとき、樹脂パッケージ４の切り口は、個片化されたリードフレーム基板１１Ａの側面４ｂ、４ａとなる面に相当する。
また、タイバー部６０、７０は、それぞれタイバー部６Ｘ、７Ｘに分断され、切り口として、側面４ｂ側には側面４ｂと同一平面に整列する切断面６ｂ、７ｂ（図８（ｂ）参照）が、側面４ａ側には（図８（ｂ）には図示せず）側面４ａと同一平面である切断面６ａ、７ａが形成される。
また、タイバー部９０は破砕されて消失する。これにより、単位リードフレーム１ＢにおけるＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の間も分断され、離間領域Ｇにおける樹脂パッケージ４によって電気的に絶縁される。
例えば、リードフレーム基板１１をＸ方向切断代ＣＸにおいて切断する場合、図８（ａ）に示すように、ダイシング装置のダイシングブレード２０を一方向に回転させてＸ方向切断代ＣＸ上をＹ方向沿って移動させる。
このとき、Ｘ方向切断代ＣＸの内部は、樹脂パッケージ４の他に、Ｘ方向切断代ＣＸをＸ方向に横断するタイバー部６０、７０と、Ｘ方向切断代ＣＸの内側でＹ方向に沿って延びるタイバー部９０（図６（ｂ）参照）とが存在する。
このため、リードフレーム基板１１をダイシングブレード２０が通過すると、リードフレーム基板１１がＸ方向切断代ＣＸに沿って分断されて、切り口が形成される。このとき、樹脂パッケージ４の切り口は、個片化されたリードフレーム基板１１Ａの側面４ｂ、４ａとなる面に相当する。
また、タイバー部６０、７０は、それぞれタイバー部６Ｘ、７Ｘに分断され、切り口として、側面４ｂ側には側面４ｂと同一平面に整列する切断面６ｂ、７ｂ（図８（ｂ）参照）が、側面４ａ側には（図８（ｂ）には図示せず）側面４ａと同一平面である切断面６ａ、７ａが形成される。
また、タイバー部９０は破砕されて消失する。これにより、単位リードフレーム１ＢにおけるＬＥＤチップ搭載部２および電気的接続エリア部３の間も分断され、離間領域Ｇにおける樹脂パッケージ４によって電気的に絶縁される。
また、特に図示しないが、同様にして、Ｙ方向切断代ＣＹでの切断を行えば、樹脂パッケージ４の切り口によって側面４ｃ、４ｄが形成されるとともに、タイバー部８０が切断されて、２つのタイバー部８Ｙに分断され、それぞれ側面４ｃ、４ｄと同一平面に整列する切断面８ｃ、８ｄが形成される。
このようにして、リードフレーム基板１１から複数の個片化されたリードフレーム基板１１Ａが製造される。
以上で、切断工程Ｓ６が終了する。
このようにして、発光素子５０が製造される。
このようにして、リードフレーム基板１１から複数の個片化されたリードフレーム基板１１Ａが製造される。
以上で、切断工程Ｓ６が終了する。
このようにして、発光素子５０が製造される。
本工程で切断する本実施形態のリードフレーム基板１１は、タイバー部６０、７０、８０は、いずれも樹脂パッケージ４によって周囲が囲まれている。このため、タイバー部６０、７０、８０の外周に樹脂パッケージ４が固着しているため各タイバー部の外周面の変形が抑制される。したがって、切断時に、金属材料がダイシングブレード２０の回転方向にせん断力が加えられても、切断面におけるダレを抑制することができる。
この結果、ダレ部から金属が剥離して、異物が発生するおそれもないため、後続の組立工程における短絡などの異常や不良を防止できる。
この結果、ダレ部から金属が剥離して、異物が発生するおそれもないため、後続の組立工程における短絡などの異常や不良を防止できる。
また、タイバー部は断面積が大きいほど強度を大きくでき、それによってリードフレーム基板１１の強度を保つことができる。
したがって、タイバー部６０、７０のように、樹脂パッケージ４によって周囲が囲まれている状態とし、かつ、その幅が、樹脂パッケージの底面４ｆに近い部分では次第に細くなるように形成されていることにより、切断面におけるダレを抑制しつつ、強度を確保したタイバー部とすることが可能となる。
したがって、タイバー部６０、７０のように、樹脂パッケージ４によって周囲が囲まれている状態とし、かつ、その幅が、樹脂パッケージの底面４ｆに近い部分では次第に細くなるように形成されていることにより、切断面におけるダレを抑制しつつ、強度を確保したタイバー部とすることが可能となる。
このような本実施形態の作用について、従来技術と比較して説明する。
図９（ａ）に示すように、従来技術に係るリードフレーム基板１０１は、例えば、Ｘ方向切断代ＣＸを横断するタイバー部１６０、１７０を有するリードフレームが、樹脂パッケージ４と一体成形されたものである。
これらタイバー部１６０、１７０は、リードフレームを形成する金属板材と同じ厚さで形成されているため、リードフレームの裏面１０１ｂでは、金型面と当接して成形される。このため、裏面１０１ｂ側では、樹脂材料に囲まれず、延性を有する金属面Ｍが露出している。
このような構成により、例えば、ダイシングブレード２０を図９（ａ）のＬ方向に回転すると、図９（ｂ）、（ｃ）に示すように、金属面Ｍがダイシングブレード２０のせん断力により切り口１６０ａ、１７０ａの方に押し込まれて、ダレｄ１が形成される。
また、ダイシングブレード２０を図９（ａ）のＲ方向に回転すると、図９（ｄ）、（ｅ）に示すように、金属面Ｍがダイシングブレード２０のせん断力により裏面１０１ｂ側の外部に引きずられて、ダレｄ２を形成される。
したがって、ダレｄ１、ｄ２などから金属が剥離して、異物を発生するおそれがあるため、後続の組立工程における短絡などの異常や不良が起こりやすくなる。
図９（ａ）に示すように、従来技術に係るリードフレーム基板１０１は、例えば、Ｘ方向切断代ＣＸを横断するタイバー部１６０、１７０を有するリードフレームが、樹脂パッケージ４と一体成形されたものである。
これらタイバー部１６０、１７０は、リードフレームを形成する金属板材と同じ厚さで形成されているため、リードフレームの裏面１０１ｂでは、金型面と当接して成形される。このため、裏面１０１ｂ側では、樹脂材料に囲まれず、延性を有する金属面Ｍが露出している。
このような構成により、例えば、ダイシングブレード２０を図９（ａ）のＬ方向に回転すると、図９（ｂ）、（ｃ）に示すように、金属面Ｍがダイシングブレード２０のせん断力により切り口１６０ａ、１７０ａの方に押し込まれて、ダレｄ１が形成される。
また、ダイシングブレード２０を図９（ａ）のＲ方向に回転すると、図９（ｄ）、（ｅ）に示すように、金属面Ｍがダイシングブレード２０のせん断力により裏面１０１ｂ側の外部に引きずられて、ダレｄ２を形成される。
したがって、ダレｄ１、ｄ２などから金属が剥離して、異物を発生するおそれがあるため、後続の組立工程における短絡などの異常や不良が起こりやすくなる。
本実施形態によれば、発光素子５０の個片化されたリードフレーム基板１１Ａを、リードフレーム基板１１を切断して製造するため、切断時に、タイバー部６０、７０、８０の切断面にダレが発生しないため、切断面のダレ部から金属が剥離して、異物となることを防止できる。このため、例えば、ＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４において、短絡や接触不良などの不具合を防止することができる。
また、ダレ部が発生しないため、ダレ部の金属が、例えば、発光素子５０の底面４ｆ側に突出することもないため、発光素子５０の外形の寸法精度が良好となる。
また、ダレ部が発生しないため、ダレ部の金属が、例えば、発光素子５０の底面４ｆ側に突出することもないため、発光素子５０の外形の寸法精度が良好となる。
なお、上記の説明では、透明樹脂部成形工程Ｓ５を行った後に切断工程Ｓ６を行う場合の例で説明したが、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３が行われることにより、タイバー部の周囲が樹脂パッケージ４に囲まれた後であれば、切断工程Ｓ６は、適宜の時期に行うことができる。
例えば、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３とＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４との間に切断工程Ｓ６を行ってもよいし、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３の次にＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４を行った後で切断工程Ｓ６を行ってもよい。
例えば、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３とＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４との間に切断工程Ｓ６を行ってもよいし、樹脂パッケージ成形工程Ｓ３の次にＬＥＤチップ搭載工程Ｓ４を行った後で切断工程Ｓ６を行ってもよい。
また、上記の説明では、リードフレーム１を製造するため、いずれもハーフエッチング処理を行う第１エッチング工程Ｓ１と第２エッチング工程Ｓ２とを行う場合の例で説明したが、リードフレーム１を製造するエッチング工程は、これには限定されない。
例えば、第１エッチング工程Ｓ１と第２エッチング工程Ｓ２との順序は入れ替えてもよい。
また、金属板材の表面および裏面から、同時に１回のハーフエッチングを行うようにしてもよい。
また、孔部ｈ、ｇをフルエッチング処理によって形成した後、裏面側から、タイバー部８０の溝部ｓと、タイバー部６０、７０、９０の裏面側の形状をハーフエッチング処理によって形成するようにしてもよい。
例えば、第１エッチング工程Ｓ１と第２エッチング工程Ｓ２との順序は入れ替えてもよい。
また、金属板材の表面および裏面から、同時に１回のハーフエッチングを行うようにしてもよい。
また、孔部ｈ、ｇをフルエッチング処理によって形成した後、裏面側から、タイバー部８０の溝部ｓと、タイバー部６０、７０、９０の裏面側の形状をハーフエッチング処理によって形成するようにしてもよい。
また、上記の説明では、タイバー部６０、７０、８０、９０の裏面側の形状をハーフエッチング処理によって形成する場合の例で説明したが、機械加工やレーザー加工などの除去加工によって形成してもよい。
また、上記実施形態に説明したすべての構成要素は、本発明の技術的思想の範囲で適宜組み合わせを代えたり、削除したりして実施することができる。
１ リードフレーム
１Ａ 個片化されたリードフレーム
１Ｂ 単位リードフレーム
２ ＬＥＤチップ搭載部
２ａ パッド
３ 電気的接続エリア部
３ａ リード
４ 樹脂パッケージ（樹脂部）
４ｆ 底面
５ リフレクター部
６Ｘ、７Ｘ、８Ｙ タイバー部
６０、７０、８０ タイバー部（タイバー）
６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ、８ｃ、８ｄ 切断面
９ 透明樹脂部
１０ ＬＥＤチップ
１１ リードフレーム基板
１１Ａ 個片化されたリードフレーム基板（個片基板）
５０ 発光素子
ＣＸ Ｘ方向切断代
ＣＹ Ｙ方向切断代
Ｇ 離間領域
ｇ、ｈ 孔部
Ｍ 金属面
ｓ 溝部
Ｓ１ 第１エッチング工程
Ｓ２ 第２エッチング工程
Ｓ３ 樹脂パッケージ成形工程
Ｓ４ 切断工程
Ｓ５ ＬＥＤチップ搭載工程
Ｓ６ 透明樹脂部成形工程
Ｗ ボンディングワイヤー
１Ａ 個片化されたリードフレーム
１Ｂ 単位リードフレーム
２ ＬＥＤチップ搭載部
２ａ パッド
３ 電気的接続エリア部
３ａ リード
４ 樹脂パッケージ（樹脂部）
４ｆ 底面
５ リフレクター部
６Ｘ、７Ｘ、８Ｙ タイバー部
６０、７０、８０ タイバー部（タイバー）
６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ、８ｃ、８ｄ 切断面
９ 透明樹脂部
１０ ＬＥＤチップ
１１ リードフレーム基板
１１Ａ 個片化されたリードフレーム基板（個片基板）
５０ 発光素子
ＣＸ Ｘ方向切断代
ＣＹ Ｙ方向切断代
Ｇ 離間領域
ｇ、ｈ 孔部
Ｍ 金属面
ｓ 溝部
Ｓ１ 第１エッチング工程
Ｓ２ 第２エッチング工程
Ｓ３ 樹脂パッケージ成形工程
Ｓ４ 切断工程
Ｓ５ ＬＥＤチップ搭載工程
Ｓ６ 透明樹脂部成形工程
Ｗ ボンディングワイヤー
Claims (3)
- ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部と、
該ＬＥＤチップ搭載部と離間して配置され前記ＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部とが、タイバーによって複数連結されたリードフレームと、
前記ＬＥＤチップ搭載部および前記電気的接続エリア部の一部を除く前記リードフレームの部位を覆う樹脂部とを備え、該樹脂部とともに前記タイバーを切断して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、
前記タイバーは、切断代よりも長く延ばされ、前記樹脂部に外周を囲まれて形成されており、かつ、前記タイバーは、その幅が、前記樹脂部の外面に近い部分では次第に細くなるように形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム基板。 - 前記タイバーは、ハーフエッチングによって形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ素子用リードフレーム基板。
- 請求項１または２に記載のＬＥＤ素子用リードフレーム基板の前記タイバーを切断して製造された前記個片基板上にＬＥＤチップを搭載したことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011125490A JP2012253234A (ja) | 2011-06-03 | 2011-06-03 | Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板および発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011125490A JP2012253234A (ja) | 2011-06-03 | 2011-06-03 | Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板および発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012253234A true JP2012253234A (ja) | 2012-12-20 |
Family
ID=47525773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011125490A Withdrawn JP2012253234A (ja) | 2011-06-03 | 2011-06-03 | Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板および発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012253234A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017509155A (ja) * | 2014-03-04 | 2017-03-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品の製造 |
| WO2023274520A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Ams-Osram International Gmbh | Lead frame sheet and optoelectronic semiconductor device |
-
2011
- 2011-06-03 JP JP2011125490A patent/JP2012253234A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017509155A (ja) * | 2014-03-04 | 2017-03-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品の製造 |
| US10847686B2 (en) | 2014-03-04 | 2020-11-24 | Osram Oled Gmbh | Production of optoelectronic components |
| WO2023274520A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Ams-Osram International Gmbh | Lead frame sheet and optoelectronic semiconductor device |
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