JP2012248433A - Light emitting device and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、各種の発光素子を利用した発光装置およびこの発光装置を備えた電子機器に関する。 The present invention relates to a light emitting device using various light emitting elements and an electronic apparatus including the light emitting device.
近年、基板上に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として形成し、発光素子の発光光を基板と反対側に取り出すトップエミッション方式の発光装置が電子機器の表示装置などとして多用されている。トップエミッション方式は、発光素子を挟み、基板側に形成された一方の第１電極（例えば陽極）と基板との間に反射層を形成し、発光素子を挟む他方の第２電極（例えば陰極）側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。 In recent years, a top emission type light-emitting device in which an organic EL (electroluminescence) element is formed as a light-emitting element on a substrate and light emitted from the light-emitting element is extracted on the side opposite to the substrate has been widely used as a display device for electronic devices. In the top emission method, a reflective layer is formed between one of the first electrodes (for example, an anode) formed on the substrate side and the substrate, with the light emitting element interposed therebetween, and the other second electrode (for example, a cathode) that sandwiches the light emitting element. This is a method of taking out light from the side, and is a method with high light utilization efficiency.
トップエミッション方式の発光装置は、白色の有機ＥＬ素子を用い、前記第２電極と反射層との間で所定の波長の光を共振させる構造を有しているが、赤色、緑色、および青色の各色の共振長を調整する方法としては、基板側の透明膜の膜厚または第一電極としての透明導電膜の膜厚で調整する方法が開示されている（特許文献１）。この方法によれば、光取出し効率が向上するのみならず、色純度を改善でき、高い画像品質のディスプレイを実現することができる。
また、有機ＥＬ素子の膜厚を約１００ｎｍ程度にすることで、赤色、緑色、および青色の各色の波長を取り出し、カラーフィルターで色純度を高くする構造が間提案されている（例えば非特許文献１）。この技術では、画素毎に共振長を調整する必要がないため、構造が簡単になり、さらには、透明導電膜が必要ないために製造工程上のメリットが得られる。
The top emission type light emitting device uses a white organic EL element and has a structure in which light of a predetermined wavelength is resonated between the second electrode and the reflective layer. As a method of adjusting the resonance length of each color, a method of adjusting the film thickness of the transparent film on the substrate side or the film thickness of the transparent conductive film as the first electrode is disclosed (Patent Document 1). According to this method, not only the light extraction efficiency is improved, but also the color purity can be improved, and a display with high image quality can be realized.
In addition, a structure has been proposed in which the wavelength of each color of red, green, and blue is extracted by increasing the film thickness of the organic EL element to about 100 nm and the color purity is increased by a color filter (for example, non-patent literature). 1). In this technique, since it is not necessary to adjust the resonance length for each pixel, the structure is simplified, and further, since a transparent conductive film is not required, an advantage in the manufacturing process can be obtained.
しかしながら、特許文献１の方法では、パーティクルというゴミを発生しやすいこと、材料であるＩＴＯ等の透明導電膜を成膜することが必須であるため、ＩＣなどを製造するＳｉの製造ラインには用いることが難しいという問題がある。
また、非特許文献１の方法では、透明導電膜が必要でないために、Ｓｉの製造ラインに導入しやすい等の利点があるが、一方で、光取り出し効率が低く、色純度が悪いために、ディスプレイの画像品質的には不利になるという問題があった。
However, since the method of
In addition, the method of Non-Patent
このような事情を背景として、本発明は、白色の有機ＥＬ素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置において、光取り出し効率と色純度を高めつつ、製造ラインによらない製造方法により発送装置を製造可能とする、という課題の解決を目的としている。 Against this backdrop, the present invention is a top emission type light emitting device combining a white organic EL element and a resonant structure, while improving light extraction efficiency and color purity, and shipping by a manufacturing method that does not depend on the manufacturing line. The object is to solve the problem of making the device manufacturable.
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上に形成された光反射膜と、前記光反射層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された光取り出し側電極とを備え、前記光反射膜と光取り出し側電極の間の光路長を調整した共振構造を有する発光装置であって、少なくとも一つの色の画素は、前記発光層と光反射膜との間に、前記光反射膜上に形成される透明膜と、前記透明膜上に形成される半透過電極とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a light emitting device according to the present invention includes a substrate, a light reflecting film formed on the substrate, a light emitting layer formed on the light reflecting layer, and the light emitting layer. And a light emitting device having a resonance structure in which an optical path length between the light reflection film and the light extraction side electrode is adjusted, wherein at least one color pixel includes the light emission layer and A transparent film formed on the light reflecting film and a transflective electrode formed on the transparent film are provided between the light reflecting film and the light reflecting film.
本発明においては、少なくとも一つの色の画素は、前記発光層と光反射膜との間に、前記光反射膜上に形成される透明膜と、前記透明膜上に形成される半透過電極とを備えるので、ＩＴＯのような透明導電膜を使用せずに発光装置を提供することができるので、一般的なＳｉを用いた製造ラインの設備をそのまま使用することができ、新たな設備投資を必要とせずに低コスト化を実現することができる。 In the present invention, at least one color pixel includes a transparent film formed on the light reflecting film and a transflective electrode formed on the transparent film between the light emitting layer and the light reflecting film. Therefore, it is possible to provide a light emitting device without using a transparent conductive film such as ITO. Therefore, it is possible to use a production line facility using general Si as it is, and to make a new capital investment. Cost reduction can be realized without necessity.
本発明に係る発光装置として、前記半透過電極として、４００ｎｍから６００ｎｍの波長に対する消衰係数が３．０以下の半透過電極を用いることもできる。 In the light emitting device according to the present invention, as the semi-transmissive electrode, a semi-transmissive electrode having an extinction coefficient of 3.0 or less with respect to a wavelength of 400 nm to 600 nm can be used.
本発明に係る発光装置においては、前記半透過電極の４００ｎｍから６００ｎｍの波長に対する消衰係数が３．０以下なので、発光層との界面における反射率が低く、消衰係数の低い金属材料を用いることができ、光取り出し効率および色純度の高い発光装置を、例えば半導体製造ライン、詳しくはＳｉを用いた製造ラインにおいて発光装置を製造することができる。 In the light emitting device according to the present invention, since the extinction coefficient with respect to the wavelength of 400 nm to 600 nm of the transflective electrode is 3.0 or less, a metal material having a low reflectance at the interface with the light emitting layer and a low extinction coefficient is used. The light emitting device with high light extraction efficiency and color purity can be manufactured, for example, in a semiconductor manufacturing line, specifically, a manufacturing line using Si.
本発明に係る発光装置は、前記半透過電極をＴｉＮで形成することもできる。本発明に係る発光装置においては、前記半透過電極がＴｉＮなので、発光層との界面における反射率が低く、消衰係数の低い金属材料を用いることができ、光取り出し効率および色純度の高い発光装置を、Ｓｉを用いた製造ラインにおいて発光装置を製造することができる。 In the light emitting device according to the present invention, the transflective electrode may be formed of TiN. In the light emitting device according to the present invention, since the transflective electrode is TiN, a metal material having a low reflectance at the interface with the light emitting layer and a low extinction coefficient can be used, and light emission with high light extraction efficiency and color purity can be used. The light emitting device can be manufactured in a manufacturing line using Si.
本発明に係る発光装置は、前記半透過電極を半導体材料とすることができる。本発明に係る発光装置においては、前記半透過電極が半導体材料なので、発光層との界面における反射率が低く、消衰係数の低い金属材料を用いることができ、光取り出し効率および色純度の高い発光装置を、Ｓｉを用いた製造ラインにおいて発光装置を製造することができる。 In the light emitting device according to the present invention, the semi-transmissive electrode can be made of a semiconductor material. In the light emitting device according to the present invention, since the transflective electrode is a semiconductor material, a metal material having low reflectance at the interface with the light emitting layer and a low extinction coefficient can be used, and light extraction efficiency and color purity are high. The light emitting device can be manufactured in a production line using Si.
本発明に係る発光装置は、前記半透過電極を不純物ドープされた多結晶ＳｉもしくはアモルファスＳｉとすることもできる。本発明に係る発光装置においては、前記半透過電極が不純物ドープされた多結晶ＳｉもしくはアモルファスＳｉなので、発光層との界面における反射率が低く、消衰係数の低い金属材料を用いることができ、光取り出し効率および色純度の高い発光装置を、Ｓｉを用いた製造ラインにおいて発光装置を製造することができる。 In the light emitting device according to the present invention, the transflective electrode may be made of polycrystalline Si or amorphous Si doped with impurities. In the light emitting device according to the present invention, since the transflective electrode is polycrystalline Si or amorphous Si doped with impurities, the reflectance at the interface with the light emitting layer is low, and a metal material having a low extinction coefficient can be used. A light emitting device having high light extraction efficiency and high color purity can be manufactured on a production line using Si.
本発明に係る発光装置は、前記半透過電極と発光層との間に正孔注入層を形成することもできる。本発明に係る発光装置においては、発光層へ適切に正孔注入を行うことができ、高い光取り出し効率と広色域における発光を実現できる。 In the light emitting device according to the present invention, a hole injection layer may be formed between the transflective electrode and the light emitting layer. In the light emitting device according to the present invention, holes can be appropriately injected into the light emitting layer, and high light extraction efficiency and light emission in a wide color gamut can be realized.
本発明に係る発光装置は、前記正孔注入層を酸化物、特に、ＭｏＯ３とすることもできる。本発明に係る発光装置においては、前記正孔注入層を酸化物、特に、ＭｏＯ３なので、発光層へ適切に正孔注入を行うことができ、高い光取り出し効率と広色域における発光を実現できる。 In the light emitting device according to the present invention, the hole injection layer may be an oxide, particularly MoO 3 . In the light emitting device according to the present invention, since the hole injection layer is an oxide, in particular, MoO 3 , hole injection can be appropriately performed to the light emitting layer, and high light extraction efficiency and light emission in a wide color gamut are realized. it can.
本発明に係る発光装置は、前記光反射層から光取り出し側電極までの光学的距離をＤ、半透過電極での反射における位相シフトをφＬ、光取り出し側電極での反射における位相シフトをφＵ、定在波のピーク波長をλ、整数をｍとすると、
Ｄ＝{(２πｍ＋φＬ＋φＵ)／４π}λ
を満たす共振構造を有し、前記透明膜以外の各膜および各層の膜厚は、各色の画素において同じ値に設定することもできる。本発明に係る発光装置においては、上述のような共振構造を有しているので、高い光取り出し効率と広色域における発光を実現できる。
In the light emitting device according to the present invention, the optical distance from the light reflecting layer to the light extraction side electrode is D, the phase shift in reflection at the semi-transmissive electrode is φ L , and the phase shift in reflection at the light extraction side electrode is φ U , where λ is the peak wavelength of the standing wave and m is the integer,
D = {(2πm + φ L + φ U ) / 4π} λ
The film thickness of each film and each layer other than the transparent film can be set to the same value for each color pixel. Since the light emitting device according to the present invention has the above-described resonance structure, high light extraction efficiency and light emission in a wide color gamut can be realized.
本発明に係る発光装置は、基板側電極は、Ａｌ、Ａｇ、もしくはこれらの合金材料とすることもできる。本発明に係る発光装置においては、基板側電極は、Ａｌ、Ａｇ、もしくはこれらの合金材料なので、基板側電極に反射層として機能を持たせることができ、光取り出し効率を高めることができる。 In the light emitting device according to the present invention, the substrate side electrode may be made of Al, Ag, or an alloy material thereof. In the light emitting device according to the present invention, since the substrate-side electrode is made of Al, Ag, or an alloy material thereof, the substrate-side electrode can have a function as a reflective layer, and light extraction efficiency can be increased.
本発明に係る発光装置は、前記光取り出し側電極をアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を含んだ合金材料とすることもできる。本発明に係る発光装置においては、前記光取り出し側電極がアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を含んだ合金材料なので、発光層を挟んで基板側電極との間で適切に共振構造を実現することができる。 In the light emitting device according to the present invention, the light extraction side electrode may be made of an alloy material containing an alkali metal or an alkaline earth metal. In the light emitting device according to the present invention, since the light extraction side electrode is an alloy material containing an alkali metal or an alkaline earth metal, a resonance structure can be appropriately realized between the light emitting layer and the substrate side electrode. Can do.
本発明に係る発光装置は、前記光取り出し側電極をＭｇＡｇとすることもできる。本発明に係る発光装置においては、前記光取り出し側電極がＭｇＡｇなので、発光層を挟んで基板側電極との間で適切に共振構造を実現することができる。 In the light emitting device according to the present invention, the light extraction side electrode may be MgAg. In the light emitting device according to the present invention, since the light extraction side electrode is MgAg, a resonant structure can be appropriately realized between the light emitting layer and the substrate side electrode.
本発明に係る発光装置は、前記光取り出し側電極の上層にカラーフィルターを設けることができる。本発明に係る発光装置においては、白色の有機ＥＬ層を用いた発光層から適切に各色の発光色を効率良く取り出すことができる。 In the light emitting device according to the present invention, a color filter can be provided on the light extraction side electrode. In the light-emitting device according to the present invention, it is possible to appropriately and efficiently extract each luminescent color from the light-emitting layer using the white organic EL layer.
本発明に係る電子機器は、上述の発光装置を備えている。本発明に係る電子機器においては、低消費電力で広色域な表示装置を有する電子機器を提供できる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the light emitting device described above. The electronic apparatus according to the present invention can provide an electronic apparatus having a display device with low power consumption and a wide color gamut.
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜Ａ：発光装置の構造＞
図１は、本発明の一実施形態に係る発光装置Ｄ１の概要を示す模式的な断面図である。発光装置Ｅ１は、複数の画素が図示しない下辺の第１基板の面上に配列された構成であるが、図１においては、説明の便宜上、一つの色の画素のみが例示されている。本実施形態の発光装置Ｅ１は、トップエミッション型であり、画素にて発生した光は図１の上方に向かって進行する。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材のほか、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を図示しない下辺の第１基板として採用することができる。また、第１基板には、画素に給電して発光させるための配線が配置されているが、配線の図示についても省略する。
Hereinafter, various embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the ratio of dimensions of each part is appropriately changed from the actual one.
<A: Structure of light emitting device>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an outline of a light emitting device D1 according to an embodiment of the present invention. The light emitting device E1 has a configuration in which a plurality of pixels are arranged on the surface of the first substrate on the lower side (not shown). In FIG. 1, only one color pixel is illustrated for convenience of explanation. The light emitting device E1 of the present embodiment is a top emission type, and light generated in the pixels travels upward in FIG. Therefore, in addition to a light-transmitting plate material such as glass, an opaque plate material such as a ceramic or metal sheet can be employed as the lower first substrate not shown. In addition, although wiring for supplying light to the pixels to emit light is arranged on the first substrate, illustration of the wiring is also omitted.
第１基板の上には、反射膜１３、透明膜１４、半透過電極（第１電極）１５、正孔注入膜２０、ＯＬＥＤ層２１、光取り出し側電極としての対向電極２２（第２電極）、封止膜３０およびカラーフィルター４０とを備える。以下、詳細に説明する。
On the first substrate, a
図１に示す反射膜１３は、光反射性を有する材料によって形成される。反射膜１３に要求される特性は、可視光領域での反射率が高く、好ましくは導電性があることである。これは、画素回路との多層構造を考えた場合に、反射膜１３を配線として利用場合があるからである。この種の材料としては、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）などの単体金属、またはＡｕ、ＣｕまたはＡｇを主成分とする合金などが好適に採用される。本実施形態では、反射膜１３をＡｌＮｄ合金（アルミニウム・ネオジウム合金）で形成し、膜厚を１００ｎｍとした。
The
透明膜１４はＳｉＮまたはＳｉＯ２で形成され、光路調整層として機能する。透明膜１４に要求される特性としては、消衰係数が小さく、光透過性を有することが必要である。
半透過電極１５は、導電性があり、後述する正孔注入膜あるいはＯＬＥＤ層との界面での反射率が低いことが必要であり。また、消衰係数が小さく、光吸収が小さいことが必要である。したがって、膜厚としては２０ｎｍ以下の薄膜が好ましい。本実施形態では、半透過電極１５はＴｉＮ（窒化チタン）等で形成され、膜厚は１０ｎｍとした。半透過電極１５に適した材料としては、正孔注入膜（ＨＩＬ）２０との界面での反射率が低いこと、および、消衰係数の低いことが好ましい。詳しくは後述する。
The
The
半透過電極１５上には、正孔注入膜（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）２０と、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）層２１とからなる発光機能層１６が形成される。正孔注入膜２０は、導電膜からＯＬＥＤ層へのキャリア注入性に優れていることが必要である。正孔注入膜２０には、酸化物が好ましい。本実施形態では、ＭｏＯ３（三酸化モリブデン）で形成し、膜厚を２ｎｍとした。その他にも、基板側電極が陽極の場合には、ＭｏＯ３、ＬＧ１０１（ＬＧケミカル社製）、ｐドープの有機材料を正孔注入膜２０として用いることができる。また、基板側電極が陰極の場合には、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の低仕事関数材料または合金、およびこれらをドープした有機材料を用いることができる。
On the
ＯＬＥＤ層２１は、正孔と電子が結合して発光する有機ＥＬ物質から形成されている。ＯＬＥＤ層２１には白色発光可能な発光層であることが求められる。本実施形態では、図２に示すように、正孔注入膜２０上に形成される正孔輸送膜（ＨＴＬ：Hole transport layer）２４と、正孔輸送膜２４上に形成される積層発光膜２６（ＥＭＬ：Emitting Layer）と、積層発光膜２６上に形成された電子輸送膜２８（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）とからなる。
The
正孔輸送膜２４は、図２に示すようにα−ＮＰＤで形成し、膜厚は４０ｎｍとした。有機ＥＬ物質は低分子材料であって、白色光を発する。赤色のホスト材料、赤色のドーパント材料、ならびに、緑色および青色のホスト材料としては図２に示すものを使用することができる。また、青色のドーパント材料としてはＤＰＡＶＢｉ（４，４´−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル）、が使用される。緑色のドーパント材料としてはキナクリドンが使用される。本実施形態では、積層発光膜２６の膜厚を５０ｎｍとした。
電子輸送膜２８は図２に示すように、Ａｌｑ３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）で形成し、膜厚を４０ｎｍとした。以上のように、正孔輸送膜２４、積層発光膜２６および電子輸送膜２８で形成されるＯＬＥＤ層２１の膜厚は１３０ｎｍとした。
The
As shown in FIG. 2, the
対向電極２２は陰極であり、発光機能層１６を覆うように形成される。対向電極２２には、ＯＬＥＤ層２１へのキャリア注入性が優れていることが求められる。対向電極２２は複数の画素に渡って連続している。対向電極２２は、その表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過反射膜として機能する。例えば、対向電極２２が陽極の場合には、ＭｏＯ３、ＬＧ１０１、ｐドープの有機材料などと導電材料を積層したものを用いることができる。また、対向電極２２が陰極の場合には、マグネシウムや銀などの単体金属、またはマグネシウムや銀を主成分とする合金、もしくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含んだ合金材料から形成される。本実施形態では、対向電極２２は、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀合金）で形成し、膜厚は、１０ｎｍとした。
The
対向電極２２上には、各色の画素に対する水や外気の浸入を防ぐための保護層であって、無機材料からなる封止層３０が形成される。封止層３０は、ＳｉＮ（窒化珪素）やＳｉＯＮ（酸窒化珪素）などのガス透過率が低い無機材料から形成される。本実施形態では、封止層３０をＳｉＮで形成し、膜厚は４００ｎｍとした。
On the
本実施形態では、第１基板上に形成された各色の画素と対向するように、図示しない上辺の第２基板が配置される。第２基板はガラスなどの光透過性を有する材料で形成される。第２基板の厚さは０．５ｍｍとした。第２基板のうち第１基板との対向面には、カラーフィルター４０および遮光膜が形成される。遮光膜は、各色の画素に対向して開口が形成された遮光体の膜体である。開口内にはカラーフィルターが形成される。
In the present embodiment, the second substrate on the upper side (not shown) is disposed so as to face the pixels of each color formed on the first substrate. The second substrate is made of a light transmissive material such as glass. The thickness of the second substrate was 0.5 mm. A
本実施形態の発光装置Ｅ１においては、反射膜１３と光取り出し側電極としての対向電極２２との間で発光機能層１６が発する光を共振させる共振器構造が形成される。これにより、特定の波長の光を効率良く取り出すことができる。以上が本実施形態の発光装置の構造である。
In the light emitting device E1 of the present embodiment, a resonator structure that resonates light emitted from the light emitting
＜Ｂ：発光装置の共振構造＞
次に、本実施形態の発光装置Ｅ１の共振構造について説明する。本実施形態では、半透過電極１５と光取り出し側電極としての対向電極２２との間で発光機能層１６が発する光を共振させる共振器構造が形成される。
<B: Resonant structure of light emitting device>
Next, the resonance structure of the light emitting device E1 of the present embodiment will be described. In the present embodiment, a resonator structure that resonates light emitted from the light emitting
具体的には、反射膜１３から対向電極２２までの光学的距離をＤ（＝膜厚×屈折率）、第１電極である半透過電極１５での反射における位相シフトをφＬ、第２電極である対向電極２２での反射における位相シフトをφＵ、定在波のピーク波長をλ、整数をｍとすると、下記の式を満たす構造となっている。
Ｄ＝{(２πｍ＋φＬ＋φＵ)／４π}λ・・・（１）
Specifically, the optical distance from the
D = {(2πm + φ L + φ U ) / 4π} λ (1)
本実施形態においては、各色の画素で、前記（１）式においてｍ＝１を満たした光学構造となっている。
本実施形態では、赤色領域、緑色領域および青色領域について、各色の画素で同じ膜厚のＯＬＥＤ層２１を用いて、透明膜の膜厚により半透過電極１５から対向電極２２までの膜厚Ｄを１次共振に合うように調整した。
In the present embodiment, each color pixel has an optical structure that satisfies m = 1 in the equation (1).
In the present embodiment, for the red region, the green region, and the blue region, the
＜Ｃ：発光装置の半透過電極＞
本実施形態の発光装置において、半透過電極１５に求められる特性としては、導電性があり、正孔注入膜２０またはＯＬＥＤ層２１との界面での反射率が低く、かつ、消衰係数が小さくて光吸収が小さいことが挙げられる。
しかしも、本実施形態の発光装置においては、ＩＣなどを製造するＳｉを用いた製造ラインで使用されている金属材料をこの半透過電極１５に使用している。Ｓｉを用いた製造ラインで使用されている代表的な金属材料で半透過電極１５を形成することにより、発光装置の各膜を同一の製造ラインで製造することができる。
<C: Transflective electrode of light emitting device>
In the light emitting device of this embodiment, the characteristics required for the
However, in the light emitting device of the present embodiment, a metal material used in a production line using Si for producing an IC or the like is used for the
図３にＳｉを用いた製造ラインで使用されている代表的な金属材料の屈折率と波長との関係を示し、図４にＳｉを用いた製造ラインで使用されている代表的な金属材料の消衰係数と波長との関係を示す。また、図５には、ＯＬＥＤ層２１の有機ＥＬ物質と金属材料感間の界面における反射率の計算結果を示す。
FIG. 3 shows the relationship between the refractive index and wavelength of a typical metal material used in a production line using Si, and FIG. 4 shows the typical metal material used in a production line using Si. The relationship between an extinction coefficient and a wavelength is shown. FIG. 5 shows the calculation result of the reflectance at the interface between the organic EL substance of the
反射率の計算は、有機ＥＬ物質の屈折率Ｎ０を１．８、消衰係数ｋを０とし、屈折率ｎ１と消衰係数ｋ１を変数として、下記（１）式
反射率Ｒ＝{(Ｎ０−ｎ１)２＋ｋ１ ２}／{(Ｎ０＋ｎ１)２＋ｋ１ ２}・・・（２）
により計算した。
The reflectance is calculated by setting the refractive index N 0 of the organic EL material to 1.8, the extinction coefficient k to 0, the refractive index n 1 and the extinction coefficient k 1 as variables, and the following formula (1). {(N 0 −n 1 ) 2 + k 1 2 } / {(N 0 + n 1 ) 2 + k 1 2 } (2)
Calculated by
また、図５には、Ｓｉを用いた製造ラインで使用されている代表的な金属材料の４００〜６００ｎｍの波長に対する反射率を示す。
光吸収を小さくするには、消衰係数ｋが小さく、かつ、反射率が低い領域の材料が好ましい。消衰係数ｋは、４００ｎｍ〜６００ｎｍの波長の範囲で、３．０以下であり、反射率は４０％以下であることが好ましい。したがって、図５から、Ｓｉを用いた製造ラインで使用されている代表的な金属材料の中では、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、不純物ドープされた多結晶Ｓｉ（シリコン）およびα−Ｓｉ（アモルファスシリコン）が好ましいことがわかる。一方、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｇ（銀）およびＡｌ（アルミニウム）は好ましくないことがわかる。
FIG. 5 shows the reflectance of a typical metal material used in a production line using Si with respect to a wavelength of 400 to 600 nm.
In order to reduce the light absorption, a material in a region where the extinction coefficient k is small and the reflectance is low is preferable. The extinction coefficient k is 3.0 or less in the wavelength range of 400 nm to 600 nm, and the reflectance is preferably 40% or less. Therefore, from FIG. 5, among typical metal materials used in a production line using Si, Cu (copper), W (tungsten), TiN (titanium nitride), impurity-doped polycrystalline Si ( It can be seen that silicon) and α-Si (amorphous silicon) are preferred. On the other hand, it can be seen that Mo (molybdenum), Ag (silver) and Al (aluminum) are not preferred.
＜Ｄ：パネルシミュレーション＞
以下、このような本実施形態の発光装置Ｅ１の消費電力およびＮＴＳＣ比を確認するために行ったパネルシミュレーションについて説明する。
このシミュレーションにおいては、図１に示した発光装置Ｅ１と同じ構成の実施例1および実施例２と、比較のために比較例１および比較例２の発光装置を用意した。
<D: Panel simulation>
Hereinafter, a panel simulation performed to confirm the power consumption and NTSC ratio of the light emitting device E1 of the present embodiment will be described.
In this simulation, Example 1 and Example 2 having the same configuration as the light emitting device E1 shown in FIG. 1 were prepared, and the light emitting devices of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 were prepared for comparison.
＜Ｄ−１：実施例１の構造＞
実施例１は、図１に示した発光装置Ｅ１と同じ構造であり、各色画素の各膜の材料および膜厚は上述した通り、ＭｇＡｇの光取り出し側電極２２が１０ｎｍ、ＯＬＥＤ層２１が１３０ｎｍ、ＭｏＯ３の正孔注入膜２０が２ｎｍ、ＡｌＮｄの反射膜１３が１００ｎｍである。また、透明膜１４にはＳｉＮを用いて、赤色、緑色および青色のピーク波長が得られるように透明層１４の膜厚を調節するようにした。
＜Ｄ−２：実施例２の構造＞
実施例２は、半透過電極１５を、膜厚１０ｎｍのＡｌで形成した以外は実施例１と同じ構成である。
＜Ｄ−３：比較例１の構造＞
比較例１は、図６に示すように、図１の発光装置Ｅ１における半透過電極１５の代わりに、ＩＴＯで形成された透明導電膜１７で置き換え、この透明導電膜１７の厚さを変えることによって光路長を変えるようにした例である。その他は図１の発光装置Ｅ１とほぼ同様であり、ＭｇＡｇの光取り出し側電極２２が１０ｎｍ、ＯＬＥＤ層２１が１３０ｎｍ、ＳｉＮの透明層１４が５０ｎｍ、ＡｌＮｄの反射層１３が１００ｎｍである。また、図１の発光装置Ｅ１とは異なり、正孔注入膜２０が設けられていない。
＜Ｄ−４：比較例２の構造＞
比較例２は、図６に示すように、反射膜１３および半透過電極１５の代わりに、反射膜兼画素電極１２をＡｌＮｄで形成し、反射膜兼画素電極１２と対向電極２２との間の光学的距離Ｄを調整し、前記の式（１）においてｍ＝０を満たした光学構造となっている。各色の発光色は、カラーフィルターの選択によって得るようにしたものである。ＭｇＡｇの光取り出し側電極２２が１０ｎｍ、ＭｏＯ３の正孔注入層２０が２ｎｍ、ＡｌＮｄの反射層兼画素電極１２が１００ｎｍである。なお、ＯＬＥＤ層２１の膜厚を１００ｎｍとしたところが実施例１および実施例２と異なっている。
<D-1: Structure of Example 1>
Example 1 has the same structure as the light emitting device E1 shown in FIG. 1, and the material and film thickness of each film of each color pixel are 10 nm for the MgAg light
<D-2: Structure of Example 2>
Example 2 has the same configuration as Example 1 except that the
<D-3: Structure of Comparative Example 1>
In Comparative Example 1, as shown in FIG. 6, instead of the
<D-4: Structure of Comparative Example 2>
In Comparative Example 2, as shown in FIG. 6, instead of the
＜Ｄ−５：カラーフィルター＞
このシミュレーションにおいては、図７に示すように、赤色のカラーフィルターとして、６００ｎｍ以上の光に対する透過率が８０〜９０％のカラーフィルターを用いた。図７に示すＣＦ１−Ｒは高透過率用で、ＣＦ２−Ｒは広色域用のカラーフィルターである。
また、緑色のカラーフィルターとしては、５２０〜５６０ｎｍの光に対する透過率が６５〜７０％のカラーフィルターを用いた。図７に示すＣＦ１−Ｇは高透過率用で、ＣＦ２−Ｇは広色域用のカラーフィルターである。
青色のカラーフィルターとしては、４３０〜４７０ｎｍの光に対する透過率が６０〜６５％のカラーフィルターを用いた。図７に示すＣＦ１−Ｂは高透過率用で、ＣＦ２−Ｂは広色域用のカラーフィルターである。
<D-5: Color filter>
In this simulation, as shown in FIG. 7, a color filter having a transmittance of 80 to 90% with respect to light of 600 nm or more was used as a red color filter. CF1-R shown in FIG. 7 is for high transmittance, and CF2-R is a color filter for wide color gamut.
As the green color filter, a color filter having a transmittance of 65 to 70% for light of 520 to 560 nm was used. CF1-G shown in FIG. 7 is for high transmittance, and CF2-G is a color filter for wide color gamut.
As the blue color filter, a color filter having a transmittance of 60 to 65% for light of 430 to 470 nm was used. CF1-B shown in FIG. 7 is for high transmittance, and CF2-B is a color filter for wide color gamut.
＜Ｄ−６：パネルシミュレーションの結果＞
図８〜図１０は、実施例１、実施例２、比較例１および比較例２の各色画素の発光スペクトルを示す図である。図８に示すにように、実施例１の方が比較例２によりも青色と赤色の取り出し効率が高くなっており、緑色の光取り出し効率は低くなっていることがわかる。また、図９に示すように、実施例２の方が比較例２によりも赤色の光取り出し効率が高くなっており、青色と緑色の光取り出し効率が低くなっていることがわかる。
しかし、図８と図９を比較すると、半透過電極１５としてＡｌを用いた実施例２よりも、半透過電極１５としてＴｉＮを用いた実施例１の方が各色において光取り出し効率が高いことがわかる。また、図９からわかるように、半透過電極１５としてＡｌを用いた実施例２は、緑色画素と青色画素において、赤色領域の波長にもピークが現れ、実施例１に比べて色純度が低いことがわかる。
さらに、図８および図９と図１０とを比べると、ＩＴＯの透明電極層を用いた比較例１の方が、実施例１、実施例２および比較例２によりも各色において光取り出し効率が高いことがわかる。
<D-6: Results of panel simulation>
8-10 is a figure which shows the emission spectrum of each color pixel of Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. FIG. As shown in FIG. 8, it can be seen that the extraction efficiency of blue and red is higher in Example 1 than in Comparative Example 2, and the light extraction efficiency of green is lower. Further, as shown in FIG. 9, it can be seen that the light extraction efficiency of red is higher in Example 2 than in Comparative Example 2, and the light extraction efficiency of blue and green is lower.
However, comparing FIG. 8 and FIG. 9, the light extraction efficiency in each color is higher in Example 1 in which TiN is used as the
Further, comparing FIG. 8 and FIG. 9 with FIG. 10, Comparative Example 1 using the ITO transparent electrode layer has higher light extraction efficiency in each color than Example 1, Example 2 and Comparative Example 2. I understand that.
図１１に、実施例１、実施例２、比較例１および比較例２の消費電力およびＮＴＳＣ比の値を示す。消費電力は、比較例１の発光装置にカラーフィルターとしてＣＦ１を用い、全白（０．３１０、０．３１０）、２００ｃｄ／ｍ２で表示させた時の値を１００％として規格化したものである。また、比較例２の発光装置にカラーフィルターとしてＣＦ２１を用いた場合には、表色範囲が狭く、（０．３１０、０．３１０）の白表示が不可能なため、図１１への記載を割愛した。 FIG. 11 shows the power consumption and NTSC ratio values of Example 1, Example 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2. The power consumption is normalized by using CF1 as a color filter in the light emitting device of Comparative Example 1 and displaying 100% as the value when displayed in all white (0.310, 0.310) and 200 cd / m 2. is there. In addition, when CF21 is used as a color filter in the light emitting device of Comparative Example 2, the color specification range is narrow and white display of (0.310, 0.310) is impossible, so the description in FIG. I omitted it.
図１１に示すように、半透過電極１５にＴｉＮを用いた実施例１は、カラーフィルターとしてＣＦ１とＣＦ２のどちらを用いてもＮＴＳＣ比が９０％を超えており、比較例１と同等以上の色域が得られた。実施例１の発光装置に、カラーフィルターとしてＣＦ１を用いた場合の消費電力は、比較例１の１．４倍であり、カラーフィルターとしてＣＦ２を用いた場合の消費電力は、比較例１の２．１倍であった。
As shown in FIG. 11, Example 1 using TiN for the
半透過電極１５にＡｌを用いた実施例２は、カラーフィルターとしてＣＦ１を用いた場合には、ＮＴＳＣ比が８０％程度であり、カラーフィルターとしてＣＦ２を用いた場合には、ＮＴＳＣ比が９０％を超えている。つまり、比較例１よりも若干色域が狭くなった。実施例２の発光装置は、半透過電極１５に用いたＡｌの消衰係数が大きいために光損失が大きく、カラーフィルターとしてＣＦ１を用いた場合の消費電力は、比較例１の２．２倍であり、カラーフィルターとしてＣＦ２を用いた場合の消費電力は、比較例１の３．６倍であった。
In Example 2 in which Al is used for the
比較例１は、消費電力的には最も優れているが、透明導電膜としてＩＴＯを用いるため、Ｓｉを用いる製造ラインにおいて製造することが困難である。 Although Comparative Example 1 is most excellent in terms of power consumption, since ITO is used as the transparent conductive film, it is difficult to manufacture in a production line using Si.
比較例２は、透過率を重視したカラーフィルターＣＦ１を用いた場合には、表色範囲が狭くなってしまい、白表示できない場合もある。表色範囲を広くするために高色域用のカラーフィルターＣＦ２を用いると、ＮＴＳＣ比は７０％程度に改善するものの、不十分である。また、消費電力も比較例１の２．３倍になった。 In Comparative Example 2, when the color filter CF1 that places importance on the transmittance is used, the color specification range becomes narrow, and white display may not be possible. When the color filter CF2 for high color gamut is used to widen the color specification range, the NTSC ratio is improved to about 70%, but it is insufficient. In addition, the power consumption was 2.3 times that of Comparative Example 1.
以上のように、本実施形態の発光装置Ｅ１においては、半透過電極に、消衰係数が低い導電性材料であるＴｉＮを用いると、透明導電膜としてＩＴＯを用いた比較例１よりも若干消費電力は増加するものの、広色域なディスプレイを実現することができる。また、ＩＴＯ等の透明導電膜を必要としないので、Ｓｉを用いる製造ラインにおいて製造することができる。 As described above, in the light emitting device E1 of the present embodiment, when TiN, which is a conductive material having a low extinction coefficient, is used for the semi-transmissive electrode, it is slightly consumed compared to Comparative Example 1 using ITO as the transparent conductive film. Although the power is increased, a wide color gamut display can be realized. Moreover, since a transparent conductive film such as ITO is not required, it can be manufactured in a production line using Si.
＜Ｅ：半透過電極の膜厚＞
次に、半透過電極１５をＴｉＮで形成し、膜厚を２０ｎｍとした実施例３と、半透過電極１５をＡｌで形成し、膜厚を２０ｎｍとした実施例４について説明する。
図１２に実施例３、実施例４、および比較例２の各色画素の発光スペクトルを示す。図１２に示すように、半透過電極１５をＴｉＮで形成し、膜厚を２０ｎｍとした実施例３は、比較例２よりも赤色の光取り出し効率が高くなり、青色と緑色の光取り出し効率は低くなることが分かる。実施例３は、図８に示す実施例１よりも各色の光取り出し効率が若干低くなることがわかる。
<E: film thickness of transflective electrode>
Next, Example 3 in which the
FIG. 12 shows emission spectra of the respective color pixels of Example 3, Example 4, and Comparative Example 2. As shown in FIG. 12, Example 3 in which the
また、図１４に示すように、実施例３においてカラーフィルターにＣＦ１を用いた場合には、実施例１に比べて消費電力は１．６倍になり、カラーフィルターにＣＦ２を用いた場合には、実施例１に比べて消費電力は１．７倍になることがわかる。 Further, as shown in FIG. 14, when CF1 is used for the color filter in Example 3, the power consumption is 1.6 times that of Example 1, and when CF2 is used for the color filter. It can be seen that the power consumption is 1.7 times that of Example 1.
さらに、図１５に示すように、ＮＴＳＣ比は、実施例３においてカラーフィルターにＣＦ１を用いた場合には８１．６%、実施例３においてカラーフィルターにＣＦ２を用いた場合には９１．０%であった。 Further, as shown in FIG. 15, the NTSC ratio is 81.6% when CF1 is used as the color filter in Example 3, and 91.0% when CF2 is used as the color filter in Example 3. Met.
一方、図１３に示すように、半透過電極１５をＡｌで形成し、膜厚を２０ｎｍとした実施例４は、緑色領域および青色領域においては、比較例２よりも光取り出し効率が低くなっていることがわかる。また、実施例４は、図９に示す実施例２に比べても、また、図１２に示す実施例３に比べても、青色と緑色の光取り出し効率が著しく低下していることがわかる。
On the other hand, as shown in FIG. 13, in Example 4 in which the
また、図１４に示すように、実施例４においてカラーフィルターにＣＦ１を用いた場合には、実施例２に比べて消費電力は１．７倍で高くなっていることがわかる。しかし、実施例４にカラーフィルターにＣＦ２を用いた場合には、実施例２に比べて消費電力は１．９９倍であり、消費電力が突出して高くなっていることがわかる。 Further, as shown in FIG. 14, when CF1 is used for the color filter in Example 4, the power consumption is 1.7 times higher than that in Example 2. However, it can be seen that when CF2 is used for the color filter in Example 4, the power consumption is 1.99 times that in Example 2, and the power consumption is significantly higher.
さらに、図１５に示すように、ＮＴＳＣ比は、実施例４においてカラーフィルターにＣＦ１を用いた場合、および、カラーフィルターにＣＦ２を用いた場合の双方においては、比較例２と同程度までＮＴＳＣ比が低くなることがわかる。 Further, as shown in FIG. 15, the NTSC ratio is about the same as that in Comparative Example 2 when CF1 is used as the color filter in Example 4 and when CF2 is used as the color filter. It turns out that becomes low.
なお、実施例１〜４において、赤色の発光強度が他の色よりも強くなる傾向であった。これは半透明電極から半透過半反射膜までの膜厚が１３０ｎｍの場合に起こる現象であり、ＯＬＥＤ層２１の膜厚を変化させた場合、赤色以外の発光強度が強くなる場合もありえる。
In Examples 1 to 4, red emission intensity tended to be stronger than other colors. This is a phenomenon that occurs when the film thickness from the semi-transparent electrode to the semi-transmissive / semi-reflective film is 130 nm. When the film thickness of the
図１６に、半透過電極１５をＴｉＮで形成し、膜厚を１０ｎｍ、２０ｎｍ、５００ｎｍにした場合の波長に対する反射率の変化と、半透過電極１５をＡｌで形成し、膜厚を１０ｎｍ、２０ｎｍ、５００ｎｍにした場合の波長に対する反射率の変化を示す。また、図１７に、半透過電極１５をＴｉＮで形成し、膜厚を１０ｎｍ、２０ｎｍにした場合の波長に対する透過率の変化と、半透過電極１５をＡｌで形成し、膜厚を１０ｎｍ、２０ｎｍにした場合の波長に対する透過率の変化を示す。
In FIG. 16, the change in reflectance with respect to the wavelength when the
図１６に示す反射率は、図１８に示すように、半透過電極１５の下層の透明膜１４と、上層の発光機能層１６の屈折率ｎを１．８として、発光機能層１６内を透過して半透過電極１５で反射する光の反射率を求めたものである。また、図１７に示す透過率は、半透過電極１５の下層の透明膜１４と、上層の発光機能層１６の屈折率ｎを１．８として、発光機能層１６内を透過し、さらに半透過電極１５を透過して透明膜１４内に進む光の透過率を求めたものである。
The reflectance shown in FIG. 16 is transmitted through the light emitting
上述したように、光吸収を少なくするには、反射率は３０％以内が好ましい。また、透過率としては、４０％以上が好ましい。したがって、図１６および図１７からわかるように、４００〜６００ｎｍの波長の範囲では、半透過電極１５としてＴｉＮを採用し、その膜厚を１０ｎｍ〜２０ｎｍに設定すれば良いことがわかる。
As described above, the reflectance is preferably within 30% in order to reduce light absorption. Further, the transmittance is preferably 40% or more. Therefore, as can be seen from FIGS. 16 and 17, it is understood that TiN is adopted as the
一方、半透過電極１５としてＴｉＮを採用した場合でも、その膜厚を５００ｎｍにしてしまうと、反射率が高くなり過ぎ、殆ど透過しないことがわかる。また、半透過電極１５としてはＡｌはその膜厚が１０ｎｍでも問題があることがわかる。
On the other hand, even when TiN is employed as the
＜Ｆ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１９は、上述の実施形態に係る発光装置Ｅ１を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｄ１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置Ｅ１は有機ＥＬ素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
<F: Application example>
Next, an electronic apparatus using the light emitting device according to the present invention will be described. FIG. 19 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer that employs the light emitting device E1 according to the above-described embodiment as a display device. The
図２０に、上述の実施形態に係る発光装置Ｅ１を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｅ１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｅ１に表示される画面がスクロールされる。
FIG. 20 shows a configuration of a mobile phone to which the light emitting device E1 according to the above-described embodiment is applied. The
図２１に、上述の実施形態に係る発光装置Ｅ１を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｅ１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｅ１に表示される。
FIG. 21 shows a configuration of a portable information terminal (PDA: Personal Digital Assistant) to which the light emitting device E1 according to the above-described embodiment is applied. The information
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１９から図２１に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。 Note that electronic devices to which the light emitting device according to the present invention is applied include those shown in FIGS. 19 to 21, digital still cameras, televisions, video cameras, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, electronic papers, calculators. , Word processors, workstations, videophones, POS terminals, printers, scanners, copiers, video players, devices equipped with touch panels, and the like.
また、上述した実施形態においては、全ての色の画素において、発光機能層１６と透明膜１４の間にＴｉＮ等の半透過電極１５を設ける例について説明した。しかしながら、本発明はこのような場合に限定されるものではなく、例えば、緑色画素と青色画素においては発光機能層１６と透明膜１４の間にＴｉＮ等の半透過電極１５を設け、赤色画素においては図６に示す比較例２のような０次共振構造を採用するようにしてもよい。
また、いずれか一色の画素のみにおいて、発光機能層１６と透明膜１４の間にＴｉＮ等の半透過電極１５を設けるようにしてもよい。
In the above-described embodiment, an example in which the
Further, a
１２……反射層兼画素電極、１３……反射膜、１４……透明膜、１５……半透過電極、１６……発光機能層、１７……透明導電膜、２０……正孔注入膜、２１……ＯＬＥＤ層、２２…対向電極、２４……正孔輸送膜、２６……積層発光膜、２８……電子輸送膜、３０……封止膜、４０……カラーフィルター、Ｅ１……発光装置。
12 ... Reflective layer and pixel electrode, 13 ... Reflective film, 14 ... Transparent film, 15 ... Transflective electrode, 16 ... Light emitting functional layer, 17 ... Transparent conductive film, 20 ... Hole injection film, 21 ... OLED layer, 22 ... Counter electrode, 24 ... Hole transport film, 26 ... Laminated light emitting film, 28 ... Electron transport film, 30 ... Sealing film, 40 ... Color filter, E1 ... Light emission apparatus.
Claims (14)
前記基板上に形成された光反射膜と、
前記光反射層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された光取り出し側電極とを備え、前記光反射膜と光取り出し側電極の間の光路長を調整した共振構造を有する発光装置であって、
少なくとも一つの色の画素は、前記発光層と光反射膜との間に、前記光反射膜上に形成される透明膜と、前記透明膜上に形成される半透過電極とを備える、
ことを特徴とする発光装置。 A substrate,
A light reflecting film formed on the substrate;
A light emitting layer formed on the light reflecting layer;
A light emitting device including a light extraction side electrode formed on the light emitting layer, and having a resonance structure in which an optical path length between the light reflection film and the light extraction side electrode is adjusted,
The at least one color pixel includes a transparent film formed on the light reflecting film and a transflective electrode formed on the transparent film between the light emitting layer and the light reflecting film.
A light emitting device characterized by that.
Ｄ＝{(２πｍ＋φＬ＋φＵ)／４π}λ
を満たす共振構造を有し、前記透明膜以外の各膜および各層の膜厚は、各色の画素において同じ値に設定されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一記載の発光装置。 The optical distance from the light reflecting layer to the light extraction side electrode is D, the phase shift in reflection at the semi-transmissive electrode is φ L , the phase shift in reflection at the light extraction side electrode is φ U , and the peak wavelength of the standing wave Is λ and the integer is m,
D = {(2πm + φ L + φ U ) / 4π} λ
The light emitting device according to claim 1, wherein the film thickness of each film and each layer other than the transparent film is set to the same value in each color pixel. apparatus.
An electronic apparatus comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 13.
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