JP2012239356A - Vehicle power conversion apparatus - Google Patents

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Hiroshi Ishii
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power conversion apparatus which reduces its size and weight.SOLUTION: According to an embodiment, a power conversion apparatus includes: a cooler 14 having a heat receiving block 32 having a heat receiving surface 33, a heat radiation part 34 provided at the heat receiving block, and a support member 36 having a heat receiving surface 37 different from the heat receiving surface of the heat receiving block and provided on the heat receiving block; multiple semiconductor switching elements 20u, 21u, 22u, 23u mounted on the heat receiving surface of the heat receiving block and forming a conversion circuit; and multiple diodes 24u, 25u mounted on the heat receiving surface of the support member and forming the conversion circuit.

Description

この発明の実施形態は、複数の半導体素子と冷却器を備え、鉄道車両等に搭載される車両用の電力変換装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a vehicle power conversion device that includes a plurality of semiconductor elements and a cooler and is mounted on a railway vehicle or the like.

例えば、鉄道車両には、交流電圧を直流電圧に変換するコンバータ、あるいは、直流電圧を3相(U相、V相、W相)の交流電圧に変換するインバータ等の電力変換装置が搭載されている。このような電力変換装置は、一般に、IGBT等の大容量の半導体スイッチング素子やダイオード等の複数の半導体素子と、これらを冷却する冷却器と、を備えている。冷却器は、例えば、受熱面を有する受熱ブロックと、この受熱ブロックと一体にあるいは別体に設けられた放熱フィン、ヒートパイプ等とを備えている。   For example, a railway vehicle is equipped with a power converter such as a converter that converts AC voltage into DC voltage, or an inverter that converts DC voltage into three-phase (U-phase, V-phase, W-phase) AC voltage. Yes. Such a power conversion device generally includes a large-capacity semiconductor switching element such as an IGBT and a plurality of semiconductor elements such as a diode and a cooler for cooling them. The cooler includes, for example, a heat receiving block having a heat receiving surface, and heat radiating fins, heat pipes, and the like provided integrally or separately with the heat receiving block.

半導体スイッチング素子やダイオード等の複数の半導体素子は、共に損失が大きく、冷却器によって積極的に冷却を実施する必要がある。そのため、複数の半導体スイッチング素子および複数のダイオードは、全て、受熱ブロックの受熱面上に実装されている。半導体素子で発生した熱は、受熱ブロックに伝わり、この熱を、放熱フィンあるいはヒートパイプを介して大気に放熱することより、半導体素子が効率的に冷却される。   A plurality of semiconductor elements such as semiconductor switching elements and diodes have a large loss, and must be actively cooled by a cooler. Therefore, the plurality of semiconductor switching elements and the plurality of diodes are all mounted on the heat receiving surface of the heat receiving block. The heat generated in the semiconductor element is transferred to the heat receiving block, and the semiconductor element is efficiently cooled by dissipating this heat to the atmosphere through the heat radiation fins or heat pipes.

特開2006−340490号公報JP 2006-340490 A

上記のような構成の電力変換装置において、複数の半導体素子は全て受熱ブロックの共通の受熱面上に配置されていることから、半導体素子数に応じて冷却器の受熱面の面積を大きくする必要がある。その結果、冷却器の大型化により、電力変換装置全体が大型化してしまう。電力変換装置は、車両用制御装置の外形、質量に対して占める割合が大きく、車両用制御装置の小型軽量化を実現するためには、電力変換装置の小型、軽量化が必要となる。   In the power conversion device configured as described above, since the plurality of semiconductor elements are all arranged on the common heat receiving surface of the heat receiving block, it is necessary to increase the area of the heat receiving surface of the cooler according to the number of semiconductor elements. There is. As a result, the entire power conversion device is enlarged due to the increase in size of the cooler. The power conversion device occupies a large proportion of the outer shape and mass of the vehicle control device, and in order to realize a reduction in size and weight of the vehicle control device, it is necessary to reduce the size and weight of the power conversion device.

この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その課題は、小型、軽量化が可能な車両用の電力変換装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a power conversion device for a vehicle that can be reduced in size and weight.

実施形態によれば、電力変換装置は、受熱面を有する受熱ブロックと、この受熱ブロックに設けられた放熱部と、前記受熱ブロック上に設けられ前記受熱面と異なる受熱面を有する支持部材と、を有する冷却器と、
前記受熱ブロックの受熱面上に実装され変換回路を形成する複数の半導体スイッチング素子と、前記支持部材の受熱面上に実装され前記変換回路を形成する複数のダイオードと、を備えている。
According to the embodiment, the power converter includes a heat receiving block having a heat receiving surface, a heat radiating portion provided in the heat receiving block, a support member provided on the heat receiving block and having a heat receiving surface different from the heat receiving surface, A cooler having
A plurality of semiconductor switching elements mounted on the heat receiving surface of the heat receiving block to form a conversion circuit; and a plurality of diodes mounted on the heat receiving surface of the support member to form the conversion circuit.

図1は、第1の実施形態に係る電力変換装置を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing a power conversion device according to the first embodiment. 図2は、前記電力変換装置のインバータ回路を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an inverter circuit of the power converter. 図3は、前記第1の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 3 is a side view and a front view of the power conversion device according to the first embodiment. 図4は、第2の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 4 is a side view and a front view of the power conversion device according to the second embodiment. 図5は、第3の実施形態に係る電力変換装置の側面図。FIG. 5 is a side view of the power conversion apparatus according to the third embodiment. 図6は、第4の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 6: is the side view and front view of a power converter device which concern on 4th Embodiment. 図7は、第5の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 7: is the side view and front view of a power converter device which concern on 5th Embodiment. 図8は、第6の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 8 is a side view and a front view of the power conversion device according to the sixth embodiment. 図9は、第7の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 9 is a side view and a front view of the power conversion device according to the seventh embodiment. 図10は、第8の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 10 is a side view and a front view of the power conversion device according to the eighth embodiment. 図11は、第9の実施形態に係る電力変換装置の側面図および正面図。FIG. 11: is the side view and front view of a power converter device which concern on 9th Embodiment.

以下、図面を参照しながら、種々の実施形態に係る電力変換装置について説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る電力変換装置の外観を示す斜視図、図2は、電力変換装置のインバータ回路を示し、図3は、電力変換装置の側面および正面を示している。
Hereinafter, power converters according to various embodiments will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a perspective view illustrating an external appearance of the power conversion device according to the first embodiment, FIG. 2 illustrates an inverter circuit of the power conversion device, and FIG. 3 illustrates a side surface and a front surface of the power conversion device.

図1ないし図3に示すように、電力変換装置10は、例えば、直流電力を交流電力に変換して電動機、空調装置等に供給する3レベル電力変換装置として構成され、3相のインバータ回路12、インバータ回路12を構成する半導体素子を冷却する冷却器14、インバータ回路12にスイッチング信号を送受信する図示しない制御部、その他、検出器、電源部等を備えている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the power converter 10 is configured as, for example, a three-level power converter that converts DC power into AC power and supplies it to an electric motor, an air conditioner, and the like. , A cooler 14 for cooling a semiconductor element constituting the inverter circuit 12, a control unit (not shown) for transmitting and receiving a switching signal to and from the inverter circuit 12, a detector, a power supply unit, and the like.

変換回路を構成するインバータ回路12は、U相、V相、W相の各ユニットを有している。U相ユニットは、直流電源19の直流正極端子Pと直流負極端子Nとの間に順次直列に接続された第1、第2、第3、第4スイッチング素子20u、21u、22u、23uを有している。同様に、V相ユニットは、直流正極端子Pと直流負極端子Nとの間に順次直列に接続された第1、第2、第3、第4スイッチング素子20v、21v、22v、23vを有し、W相ユニットは、直流正極端子Pと直流負極端子Nとの間に順次直列に接続された第1、第2、第3、第4スイッチング素子20w、21w、22w、23wを有している。これら複数の半導体スイッチング素子は、例えば、IGBT(insulated gate bipolar transistor)やGTO等の自己消弧型半導体素子からなり、例えば、IGBTと、このIGBTに逆並列に接続されたダイオードとがモジュール化されている。   The inverter circuit 12 constituting the conversion circuit has U-phase, V-phase, and W-phase units. The U-phase unit includes first, second, third, and fourth switching elements 20u, 21u, 22u, and 23u that are sequentially connected in series between a DC positive terminal P and a DC negative terminal N of the DC power source 19. doing. Similarly, the V-phase unit includes first, second, third, and fourth switching elements 20v, 21v, 22v, and 23v that are sequentially connected in series between the DC positive terminal P and the DC negative terminal N. The W-phase unit has first, second, third, and fourth switching elements 20w, 21w, 22w, and 23w that are sequentially connected in series between the DC positive terminal P and the DC negative terminal N. . The plurality of semiconductor switching elements are, for example, self-extinguishing semiconductor elements such as IGBTs (insulated gate bipolar transistors) and GTOs. For example, IGBTs and diodes connected in reverse parallel to the IGBTs are modularized. ing.

U相ユニットの第1スイッチング素子20uと第2スイッチング素子21uとの接続点と、第3スイッチング素子22uと第4スイッチング素子23uとの接続点と、の間に、第1ダイオード24uおよび第2ダイオード25uが直列に接続されている。同様に、V相ユニットの第1スイッチング素子20vと第2スイッチング素子21vとの接続点と、第3スイッチング素子22vと第4スイッチング素子23vとの接続点と、の間に、第1ダイオード24vおよび第2ダイオード25vが直列に接続されている。W相ユニットの第1スイッチング素子20wと第2スイッチング素子21wとの接続点と、第3スイッチング素子22wと第4スイッチング素子23wとの接続点と、の間に、第1ダイオード24wおよび第2ダイオード25wが直列に接続されている。これらの第1および第2ダイオードは、例えば、低損失半導体素子である窒化ケイ素(SiC)素子により形成されている。   The first diode 24u and the second diode are connected between a connection point between the first switching element 20u and the second switching element 21u of the U-phase unit and a connection point between the third switching element 22u and the fourth switching element 23u. 25u are connected in series. Similarly, between the connection point of the first switching element 20v and the second switching element 21v of the V-phase unit and the connection point of the third switching element 22v and the fourth switching element 23v, the first diode 24v and The second diode 25v is connected in series. The first diode 24w and the second diode are connected between the connection point of the first switching element 20w and the second switching element 21w of the W-phase unit and the connection point of the third switching element 22w and the fourth switching element 23w. 25w is connected in series. These first and second diodes are formed of, for example, a silicon nitride (SiC) element that is a low-loss semiconductor element.

U相ユニット、V相ユニット、W相ユニットは並列に接続され、更に、コンデンサ26、27が各ユニットと並列に接続されている。コンデンサ26、27は、例えば電源平滑用コンデンサであり、アルミニウム電解コンデンサなどである。U相ユニットの第2スイッチング素子21uと第3スイッチング素子22uとの間に出力端子30uが接続され、同様に、V相ユニットの第2スイッチング素子21vと第3スイッチング素子22vとの間に出力端子30vが接続され、W相ユニットの第2スイッチング素子21wと第3スイッチング素子22wとの間に出力端子30wが接続されている。   The U-phase unit, V-phase unit, and W-phase unit are connected in parallel, and capacitors 26 and 27 are connected in parallel with each unit. The capacitors 26 and 27 are, for example, power supply smoothing capacitors, such as aluminum electrolytic capacitors. An output terminal 30u is connected between the second switching element 21u and the third switching element 22u of the U-phase unit. Similarly, an output terminal is provided between the second switching element 21v and the third switching element 22v of the V-phase unit. 30v is connected, and the output terminal 30w is connected between the second switching element 21w and the third switching element 22w of the W-phase unit.

図1および図3に示すように、電力変換装置10の冷却器14は、伝熱性の高い材料、例えば、アルミニウムにより形成された矩形状の受熱ブロック32を備えている。受熱ブロック32の一方の表面は、矩形状の受熱面33を形成している。受熱ブロック32の他方の表面、すなわち、受熱面33と反対側の表面には、多数の放熱フィン34が立設されている。これらの放熱フィン34は、アルミニウムにより、受熱ブロック32と一体に形成され、冷却器14の放熱部を構成している。   As shown in FIGS. 1 and 3, the cooler 14 of the power conversion device 10 includes a rectangular heat receiving block 32 formed of a highly heat-conductive material, for example, aluminum. One surface of the heat receiving block 32 forms a rectangular heat receiving surface 33. On the other surface of the heat receiving block 32, that is, on the surface opposite to the heat receiving surface 33, a large number of radiating fins 34 are provided upright. These heat radiating fins 34 are integrally formed with the heat receiving block 32 of aluminum and constitute a heat radiating portion of the cooler 14.

前述した各相の第1ないし第4スイッチング素子20u〜23u、20v〜23v、20w〜23wは、熱伝導グリース等を介して受熱面33上に取り付けられ、互いに隙間を置いて並んで配置されている。また、受熱面33上には、複数の支持部材として、例えば、矩形状の支持板36が立設されている。各支持板36は、伝熱性の高い材料、例えば、アルミニウム、鉄等の金属ブロックで形成されている。本実施形態において、支持板36は、受熱面33に対して垂直に立設され、例えば、3つ支持板36が受熱面33の一側縁に沿って並んで設けられ、3つの支持板36が受熱面33の反対側の一側縁に沿って並んで設けられている。そして、各支持板36の内面、つまり、受熱ブロック32の受熱面33側を向いた面は、受熱面37を構成している。   The first to fourth switching elements 20u to 23u, 20v to 23v, and 20w to 23w of each phase described above are mounted on the heat receiving surface 33 via thermal conductive grease or the like, and are arranged side by side with a gap therebetween. Yes. On the heat receiving surface 33, for example, a rectangular support plate 36 is erected as a plurality of support members. Each support plate 36 is formed of a highly heat-conductive material, for example, a metal block such as aluminum or iron. In the present embodiment, the support plate 36 is erected vertically with respect to the heat receiving surface 33. For example, three support plates 36 are provided along one side edge of the heat receiving surface 33, and three support plates 36 are provided. Are arranged side by side along one side edge opposite to the heat receiving surface 33. The inner surface of each support plate 36, that is, the surface facing the heat receiving surface 33 side of the heat receiving block 32 constitutes a heat receiving surface 37.

インバータ回路12を構成する第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24w、25wは、それぞれ支持板36の受熱面37上に実装されている。例えば、受熱ブロック32の一側縁に並んだ3つの支持板36に、3つの第1ダイオード24u、24v、24wがそれぞれ実装され、他側縁に並んだ3つの支持板36に、3つの第2ダイオード25u、25v、25wがそれぞれ実装されている。   The first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24w, and 25w constituting the inverter circuit 12 are mounted on the heat receiving surface 37 of the support plate 36, respectively. For example, three first diodes 24u, 24v, 24w are mounted on three support plates 36 arranged on one side edge of the heat receiving block 32, respectively, and three first plates 24u, 24v, 24w are arranged on the other side edge. Two diodes 25u, 25v, and 25w are respectively mounted.

上記のように構成された電力変換装置10によれば、スイッチング素子21uないし23wは、受熱ブロック32の受熱面33に取付けられるため、これらのスイッチング素子で発生した熱は、受熱ブロック32に伝わり、放熱フィン34を介して大気に放熱されることより、スイッチング素子が積極的に冷却される。一方、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24w、25wは、受熱ブロック32の受熱面33に立設された支持板36の受熱面37に取付けられるため、積極的な冷却はされないが、これらのダイオードはSiC化によって発生損失が小さいため、問題無く機能することができる。支持板36をアルミニウムのブロックで形成した場合、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24w、25wからの熱は、熱伝導率が良く熱容量の大きい支持板36に熱伝達するため、第1および第2ダイオードの温度上昇を低減することができる。   According to the power conversion device 10 configured as described above, since the switching elements 21u to 23w are attached to the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, the heat generated by these switching elements is transmitted to the heat receiving block 32, The switching element is actively cooled by radiating heat to the atmosphere via the heat radiation fins 34. On the other hand, the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24w, and 25w are attached to the heat receiving surface 37 of the support plate 36 erected on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32. Although not generated, these diodes can function without problems because the generation loss is small due to the formation of SiC. When the support plate 36 is formed of an aluminum block, heat from the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24w, and 25w is transferred to the support plate 36 having a high thermal conductivity and a large heat capacity. The temperature rise of the first and second diodes can be reduced.

本実施形態によれば、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24w、25wを受熱ブロック32の受熱面33に取付けない構成となるため、受熱面33の面積を縮小することが可能となる。その結果、冷却器14が小型、軽量化されることで電力変換装置10全体の小型、軽量化を図ることができる。これにより、最終的には、鉄道車両用の制御装置の小型、軽量化を実現することが可能となる。また、電力変換装置10の基準となる受熱ブロック32の受熱面33に対して垂直方向にダイオード等の内部機器が配置されているため、電力変換装置内部の接続導体やその他の周辺フレームの構造を簡素化することができる。   According to the present embodiment, since the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24w, and 25w are not attached to the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, the area of the heat receiving surface 33 can be reduced. It becomes possible. As a result, the cooler 14 is reduced in size and weight, so that the power converter 10 as a whole can be reduced in size and weight. Thereby, finally, it becomes possible to realize a reduction in size and weight of the control device for the railway vehicle. In addition, since internal devices such as diodes are arranged in a direction perpendicular to the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32 serving as a reference for the power conversion device 10, the structure of the connection conductors and other peripheral frames inside the power conversion device can be obtained. It can be simplified.

なお、第1の実施形態において、支持板36は、受熱面33に対して垂直に立設しているが、これに限らず、受熱面33に対して傾斜して設けてもよい。電力変換装置10は、その放熱フィン34側が下を向いた配置構成としたが、これに限らず、転地を逆向きにして、あるいは、傾斜させて配置してもよい。   In addition, in 1st Embodiment, although the support plate 36 stood perpendicularly | vertically with respect to the heat receiving surface 33, you may provide it inclining with respect to the heat receiving surface 33, without being restricted to this. The power conversion device 10 has an arrangement configuration in which the heat radiating fins 34 face downward. However, the power conversion device 10 is not limited to this, and may be arranged in a reverse direction or inclined.

次に、種々の他の実施形態に係る電力変換装置について説明する。以下に説明する種々の実施形態において、上述した第1の実施形態と同一構成部分は、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。   Next, power conversion devices according to various other embodiments will be described. In the various embodiments described below, the same components as those in the first embodiment described above will be denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted, and different portions will be mainly described.

(第2の実施形態)
図4は、第2の実施形態に係る電力変換装置10の側面および正面を示している。第2の実施形態によれば、複数の支持板36は、前述した第1の実施形態に対して、90度回転して配置されている。すなわち、複数の支持板36は、受熱ブロック32の受熱面33上に垂直に立設されているとともに、受熱面33の長手方向に沿って2つずつ3列に並んで設けられている。1列の支持板36にU相の第1および第2ダイオード24u、25uがそれぞれ取り付けられ、中央の列の支持板36にV相の第1および第2ダイオード24v、25vがそれぞれ取り付けられ、更に、受熱面33の一側縁に並んだ他の列の支持板36にW相の第1および第2ダイオード24w、25wがそれぞれ取り付けられている。第1および第2ダイオードは、いずれも支持板36の受熱面37上に実装され、スイッチング素子20u〜23wに対して垂直な向きに配置されている。
(Second Embodiment)
FIG. 4 shows a side surface and a front surface of the power conversion device 10 according to the second embodiment. According to the second embodiment, the plurality of support plates 36 are arranged by being rotated 90 degrees with respect to the first embodiment described above. In other words, the plurality of support plates 36 are vertically provided on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, and are provided in two rows in two along the longitudinal direction of the heat receiving surface 33. The U-phase first and second diodes 24u and 25u are respectively attached to the support plate 36 in one row, and the V-phase first and second diodes 24v and 25v are respectively attached to the support plate 36 in the center row. The W-phase first and second diodes 24w and 25w are attached to the support plates 36 in the other rows arranged on one side edge of the heat receiving surface 33, respectively. The first and second diodes are both mounted on the heat receiving surface 37 of the support plate 36 and are arranged in a direction perpendicular to the switching elements 20u to 23w.

上記のように構成された第2の実施形態においても、前述した第1の実施形態と同様の作用効果が実現される。   Also in the second embodiment configured as described above, the same operational effects as those of the first embodiment described above are realized.

(第3の実施形態)
図5は、第3の実施形態に係る電力変換装置10の側面を示している。第3の実施形態によれば、冷却器14の放熱部は、放熱フィンに代えて、ヒートパイプおよびこれに取り付けられた放熱フィンにより構成されている。
(Third embodiment)
FIG. 5 shows a side surface of the power conversion apparatus 10 according to the third embodiment. According to the third embodiment, the heat radiating portion of the cooler 14 is configured by a heat pipe and a heat radiating fin attached to the heat pipe instead of the heat radiating fin.

冷却器14の放熱部は、受熱ブロック32から延出した複数のヒートパイプ38と、ヒートパイプ38に取り付けられた複数の放熱フィン40とを備えている。各ヒートパイプ38の端部は、受熱ブロック32内に埋め込まれている。複数のヒートパイプ38は、例えば、受熱ブロック32に対して垂直に延びているとともに、互いに所定の間隔を置いて平行に並んで設けられている。各ヒートパイプ38内には、冷媒、例えば、純水が封入されている。冷媒の沸騰(気化)、凝縮(液化)の変化により熱輸送される。複数の放熱フィン40は、ヒートパイプ38に取り付けられ、互いに隙間を置いて並んでいる。   The heat radiating portion of the cooler 14 includes a plurality of heat pipes 38 extending from the heat receiving block 32 and a plurality of heat radiating fins 40 attached to the heat pipe 38. The end of each heat pipe 38 is embedded in the heat receiving block 32. The plurality of heat pipes 38 extend, for example, perpendicular to the heat receiving block 32 and are arranged in parallel with a predetermined distance from each other. Each heat pipe 38 is filled with a refrigerant, for example, pure water. Heat is transported by changes in boiling (vaporization) and condensation (liquefaction) of the refrigerant. The plurality of radiating fins 40 are attached to the heat pipe 38 and are arranged with a gap therebetween.

電力変換装置10の他の構成は、第1の実施形態と同一である。そして、第3の実施形態においても、第1の実施形態と同様の作用、効果が得られる。   Other configurations of the power conversion apparatus 10 are the same as those in the first embodiment. In the third embodiment, the same operations and effects as in the first embodiment can be obtained.

(第4の実施形態)
図6は、第4の実施形態に係る電力変換装置10の側面を示している。第4の実施形態によれば、冷却器14の支持部材は、伝熱率の高い材料、例えば、鉄、アルミニウムの板材を折り曲げて形成された支持フレーム42により構成されている。支持フレーム42は、両端が直角に折曲げられたほぼU字形状に形成され、ほぼ垂直に延びる一対の側壁43aとこれらの側壁間を水平に延びる上壁44とを有している。
(Fourth embodiment)
FIG. 6 shows a side surface of the power conversion apparatus 10 according to the fourth embodiment. According to the fourth embodiment, the support member of the cooler 14 is configured by the support frame 42 formed by bending a material having a high heat transfer rate, for example, a plate material of iron or aluminum. The support frame 42 is formed in a substantially U shape whose both ends are bent at a right angle, and has a pair of side walls 43a extending substantially vertically and an upper wall 44 extending horizontally between these side walls.

支持フレーム42は、一対の側壁43の下端が受熱ブロック32の受熱面33上に固定されている。これにより、一対の側壁43は、受熱面33の両側縁部にほぼ垂直に立設され、また、上壁44は、受熱面33と間隔を置いてほぼ平行に対向している。支持フレーム42は、U相、V相、W相に対応して3つ設けられ、互いに隙間を置いて3列に並んで配置されている。   In the support frame 42, the lower ends of the pair of side walls 43 are fixed on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32. As a result, the pair of side walls 43 are erected substantially perpendicular to both side edges of the heat receiving surface 33, and the upper wall 44 is opposed to the heat receiving surface 33 in a substantially parallel manner at an interval. Three support frames 42 are provided corresponding to the U-phase, V-phase, and W-phase, and are arranged in three rows with a gap therebetween.

各支持フレーム42の各側壁43の内面は、受熱面43aを構成している。そして、これら側壁43の受熱面43a上に第1ダイオード24uおよび第2ダイオード25uが実装され、受熱面33上のスイッチング素子に対して垂直な方向を向いている。同様に、真ん中の支持フレーム42の両側壁43の受熱面43a上に第1ダイオード24vおよび第2ダイオード25vが実装され、更に、他の1つの支持フレーム42の両側壁43の受熱面43a上に第1ダイオード24wおよび第2ダイオード25wが実装され、それぞれスイッチング素子に対して垂直な方向を向いている。   The inner surface of each side wall 43 of each support frame 42 constitutes a heat receiving surface 43a. The first diode 24 u and the second diode 25 u are mounted on the heat receiving surface 43 a of the side wall 43 and face the direction perpendicular to the switching element on the heat receiving surface 33. Similarly, the first diode 24v and the second diode 25v are mounted on the heat receiving surfaces 43a of the both side walls 43 of the middle support frame 42, and further on the heat receiving surfaces 43a of the both side walls 43 of the other support frame 42. The first diode 24w and the second diode 25w are mounted and each face a direction perpendicular to the switching element.

電力変換装置10の他の構成は、第1の実施形態と同一である。そして、第3の実施形態においても、第1の実施形態と同様の作用、効果が得られる。また、第4の実施形態によれば、支持部材の数を低減することができ、部品点数の増加を伴わずに装置の小型、軽量化を実現できる。更に、電力変換装置10の基準となる受熱ブロック32の受熱面33に対して垂直方向に内部機器が構成されるため、電力変換装置内部の接続導体やその他の周辺フレームの構造を簡素化することができる。   Other configurations of the power conversion apparatus 10 are the same as those in the first embodiment. In the third embodiment, the same operations and effects as in the first embodiment can be obtained. Further, according to the fourth embodiment, the number of supporting members can be reduced, and the apparatus can be reduced in size and weight without increasing the number of parts. Furthermore, since the internal device is configured in a direction perpendicular to the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32 serving as a reference of the power converter 10, the structure of the connection conductor and other peripheral frames inside the power converter can be simplified. Can do.

なお、第4の実施形態では、前述した第2、第3の実施形態のように、ダイオードおよびダイオード受熱面を受熱ブロック32の受熱面33上で90度回転して配置した形態、電力変換装置を180度回転(天地方向を逆転)した形態、放熱部を冷却フィンからヒートパイプに変更する形態を適用してもよく、いずれの場合も同様の効果が得られる。   In the fourth embodiment, as in the second and third embodiments, the diode and the diode heat receiving surface are rotated 90 degrees on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, and the power conversion device May be applied, and a configuration in which the heat radiating portion is changed from a cooling fin to a heat pipe may be applied, and the same effect can be obtained in any case.

(第5の実施形態)
図7は、第5の実施形態に係る電力変換装置10を示している。第5の実施形態によれば、上述した第4の実施形態に対して、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24v、25vは、支持フレーム42の上壁44の上面である受熱面44a上に実装されている。これにより、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24v、25vは、スイッチング素子20u〜23wの上方に、これらスイッチング素子の端子と同じ方向に端子を向けた状態で配置され、スイッチング素子とダイオードとが2階層に並列配置されている。電力変換装置10の他の構成は、前述した第4の実施形態と同一である。
(Fifth embodiment)
FIG. 7 shows a power conversion apparatus 10 according to the fifth embodiment. According to the fifth embodiment, the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24v, and 25v are the upper surface of the upper wall 44 of the support frame 42 with respect to the fourth embodiment described above. It is mounted on the heat receiving surface 44a. Thus, the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24v, and 25v are arranged above the switching elements 20u to 23w with the terminals facing in the same direction as the terminals of the switching elements, and switching Elements and diodes are arranged in parallel in two layers. Other configurations of the power conversion apparatus 10 are the same as those of the above-described fourth embodiment.

第5の実施形態によれば、第4の実施形態と同様の効果が実現されるとともに、スペースを効率的に活用した配置とすることが可能となる。また、半導体素子の端子部へのアクセス方向が1方向となり、組立時の作業性を改善することが可能となる。なお、本実施形態において、前述した第2、第3の実施形態のように、ダイオードおよびダイオード受熱面を受熱ブロック32の受熱面33上で90度回転して配置した形態、電力変換装置を180度回転(天地方向を逆転)した形態、放熱部を冷却フィンからヒートパイプに変更する形態を適用してもよく、いずれの場合も同様の効果が得られる。   According to the fifth embodiment, the same effect as that of the fourth embodiment is realized, and it is possible to arrange the space efficiently. Further, the access direction to the terminal portion of the semiconductor element is one direction, and the workability during assembly can be improved. In this embodiment, as in the second and third embodiments described above, the diode and the diode heat receiving surface are rotated by 90 degrees on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, and the power conversion device 180 is provided. You may apply the form which changed the degree of rotation (vertical direction reversed) and the form which changes a thermal radiation part from a cooling fin to a heat pipe, and the same effect is acquired in any case.

(第6の実施形態)
図8は、第6の実施形態に係る電力変換装置10を示している。第6の実施形態によれば、前述した第5の実施形態に対して、支持フレーム42の受熱面44aと第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24w、25wとの間に、伝熱性の高い材料、例えば、アルミニウムで形成された板状の伝熱ブロック48が配置されている。電力変換装置10の他の構成は、前述した第5の実施形態と同一である。
(Sixth embodiment)
FIG. 8 shows a power conversion apparatus 10 according to the sixth embodiment. According to the sixth embodiment, with respect to the fifth embodiment described above, between the heat receiving surface 44a of the support frame 42 and the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24w, 25w, A plate-like heat transfer block 48 made of a material having a high heat transfer property, for example, aluminum, is disposed. Other configurations of the power conversion apparatus 10 are the same as those of the fifth embodiment described above.

第6の実施形態によれば、第5の実施形態と同様の効果が実現されるとともに、伝熱ブロック48を設けることにより、ダイオードの冷却性を一層向上することができる。   According to the sixth embodiment, the same effect as that of the fifth embodiment is realized, and by providing the heat transfer block 48, the cooling performance of the diode can be further improved.

(第7の実施形態)
図9は、第7の実施形態に係る電力変換装置10を示している。第7の実施形態によれば、上述した第4の実施形態に対して、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24v、25vは、支持フレーム42の上壁44の下面である受熱面44a上に実装されている。これにより、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24v、25vは、スイッチング素子20u〜23wの上方に、これらスイッチング素子の端子と向かい合う方向に端子を向けた状態で配置され、スイッチング素子とダイオードとが2階層に並列配置されている。電力変換装置10の他の構成は、前述した第4の実施形態と同一である。
(Seventh embodiment)
FIG. 9 shows a power conversion apparatus 10 according to the seventh embodiment. According to the seventh embodiment, the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24v, and 25v are the lower surface of the upper wall 44 of the support frame 42 with respect to the fourth embodiment described above. It is mounted on the heat receiving surface 44a. Thus, the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24v, and 25v are arranged above the switching elements 20u to 23w with the terminals facing in the direction facing the terminals of the switching elements. Elements and diodes are arranged in parallel in two layers. Other configurations of the power conversion apparatus 10 are the same as those of the above-described fourth embodiment.

第7の実施形態によれば、第4の実施形態と同様の効果が実現されるとともに、スペースを効率的に活用した配置とすることが可能となる。また、スイッチング素子とダイオードとの端子間距離を短縮することが可能となるため、接続導体の簡素化及び、配線インダクタンス低減による半導体スイッチング素子のサージ電圧を低減することが可能となる。   According to the seventh embodiment, the same effect as that of the fourth embodiment is realized, and it is possible to arrange the space efficiently. In addition, since the distance between the terminals of the switching element and the diode can be shortened, it is possible to simplify the connection conductor and reduce the surge voltage of the semiconductor switching element due to the reduction of wiring inductance.

なお、本実施形態において、前述した第2、第3の実施形態のように、ダイオードおよびダイオード受熱面を受熱ブロック32の受熱面33上で90度回転して配置した形態、電力変換装置を180度回転(天地方向を逆転)した形態、放熱部を冷却フィンからヒートパイプに変更する形態を適用してもよく、いずれの場合も同様の効果が得られる。また、第6の実施形態と同様に、支持フレーム42の受熱面44aと第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24w、25wとの間に、伝熱性の高い材料、例えば、アルミニウムで形成された板状の伝熱ブロックを配置してもよい。   In this embodiment, as in the second and third embodiments described above, the diode and the diode heat receiving surface are rotated by 90 degrees on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, and the power conversion device 180 is provided. You may apply the form which changed the degree of rotation (vertical direction reversed) and the form which changes a thermal radiation part from a cooling fin to a heat pipe, and the same effect is acquired in any case. Similarly to the sixth embodiment, a material having high heat conductivity, for example, aluminum, is provided between the heat receiving surface 44a of the support frame 42 and the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24w, and 25w. You may arrange | position the plate-shaped heat-transfer block formed by.

(第8の実施形態)
図10は、第8の実施形態に係る電力変換装置10を示している。第8の実施形態によれば、上述した第7の実施形態に対して、各支持フレーム42の各側壁43は、受熱ブロック32の受熱面33に対して垂直ではなく、斜めに傾斜している。そして、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24v、25vは、支持フレーム42の側壁43の内面である受熱面43a上に実装されている。これにより、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24v、25vは、スイッチング素子20u〜23wの上方に、これらスイッチング素子の端子と斜めに向かい合う方向に端子を向けた状態で配置され、スイッチング素子とダイオードとが2階層に並列配置されている。電力変換装置10の他の構成は、前述した第7の実施形態と同一である。
(Eighth embodiment)
FIG. 10 shows a power conversion apparatus 10 according to the eighth embodiment. According to the eighth embodiment, with respect to the above-described seventh embodiment, each side wall 43 of each support frame 42 is not perpendicular to the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32 but is inclined obliquely. . The first and second diodes 24 u, 25 u, 24 v, 25 v, 24 v, 25 v are mounted on the heat receiving surface 43 a that is the inner surface of the side wall 43 of the support frame 42. Thus, the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24v, and 25v are arranged above the switching elements 20u to 23w with the terminals facing in a direction obliquely facing the terminals of the switching elements. The switching element and the diode are arranged in parallel in two layers. Other configurations of the power conversion apparatus 10 are the same as those of the seventh embodiment described above.

第8の実施形態によれば、第7の実施形態と同様の効果が実現されるとともに、電力変換装置の内部機器に複雑な形状の機器がある場合のように、内部スペースが複雑な形状となっている時、配置に応じてスペースを効率的に活用した配置とすることが可能となる。   According to the eighth embodiment, the same effect as that of the seventh embodiment is realized, and the internal space has a complicated shape as in the case where the internal device of the power conversion device has a complicated shape. It is possible to make an arrangement that efficiently uses space according to the arrangement.

なお、本実施形態において、前述した第2、第3の実施形態のように、ダイオードおよびダイオード受熱面を受熱ブロック32の受熱面33上で90度回転して配置した形態、電力変換装置を180度回転(天地方向を逆転)した形態、放熱部を冷却フィンからヒートパイプに変更する形態を適用してもよく、いずれの場合も同様の効果が得られる。また、第6の実施形態と同様に、支持フレーム42の受熱面44aと第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24w、25wとの間に、伝熱性の高い材料、例えば、アルミニウムで形成された板状の伝熱ブロックを配置してもよい。   In this embodiment, as in the second and third embodiments described above, the diode and the diode heat receiving surface are rotated by 90 degrees on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, and the power conversion device 180 is provided. You may apply the form which changed the degree of rotation (vertical direction reversed) and the form which changes a thermal radiation part from a cooling fin to a heat pipe, and the same effect is acquired in any case. Similarly to the sixth embodiment, a material having high heat conductivity, for example, aluminum, is provided between the heat receiving surface 44a of the support frame 42 and the first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24w, and 25w. You may arrange | position the plate-shaped heat-transfer block formed by.

(第9の実施形態)
図11は、第9の実施形態に係る電力変換装置10を示している。第9の実施形態によれば、上述した第4の実施形態に対して、U相、V相、W相に対応する3つの支持フレームが、一体に形成され、1つの共通な支持フレーム42として構成されている。そして、この支持フレーム42の各側壁43の内面である受熱面43a上に、第1および第2ダイオード24u、25u、24v、25v、24v、25vが実装されている。なお、支持フレーム42の側壁43に限らず、上壁44の上面あるいは下面に実装してもよい。電力変換装置10の他の構成は、前述した第4の実施形態と同一である。
(Ninth embodiment)
FIG. 11 shows a power conversion apparatus 10 according to the ninth embodiment. According to the ninth embodiment, three support frames corresponding to the U-phase, the V-phase, and the W-phase are formed integrally with the fourth embodiment described above as one common support frame 42. It is configured. The first and second diodes 24u, 25u, 24v, 25v, 24v, and 25v are mounted on the heat receiving surface 43a that is the inner surface of each side wall 43 of the support frame 42. The mounting may be performed not only on the side wall 43 of the support frame 42 but also on the upper surface or the lower surface of the upper wall 44. Other configurations of the power conversion apparatus 10 are the same as those of the above-described fourth embodiment.

第11の実施形態によれば、第4の実施形態と同様の効果が実現されるとともに、U相、V相、W相の3相回路内にそれぞれ配置される第1および第2ダイオードを、一体化された単一の支持フレームに取り付けることができる。これにより、支持フレームが1つとなり、部品点数削減及び構造の簡素化が可能になる。また、受熱側支持フレームの熱容量が増大し、ダイオードの温度上昇を一層低減することが可能となる。   According to the eleventh embodiment, the same effect as that of the fourth embodiment is realized, and the first and second diodes arranged in the three-phase circuit of the U phase, the V phase, and the W phase, respectively, It can be attached to a single integrated support frame. As a result, a single support frame is provided, and the number of parts can be reduced and the structure can be simplified. Further, the heat capacity of the heat receiving side support frame is increased, and the temperature rise of the diode can be further reduced.

なお、本実施形態において、前述した第2、第3の実施形態のように、ダイオードおよびダイオード受熱面を受熱ブロック32の受熱面33上で90度回転して配置した形態、電力変換装置を180度回転(天地方向を逆転)した形態、放熱部を冷却フィンからヒートパイプに変更する形態を適用してもよく、いずれの場合も同様の効果が得られる。   In this embodiment, as in the second and third embodiments described above, the diode and the diode heat receiving surface are rotated by 90 degrees on the heat receiving surface 33 of the heat receiving block 32, and the power conversion device 180 is provided. You may apply the form which changed the degree of rotation (vertical direction reversed) and the form which changes a thermal radiation part from a cooling fin to a heat pipe, and the same effect is acquired in any case.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、変換回路は、3相に限らず、2相構造としてもよく、また、交流電圧を直流電圧に変換するコンバータとして構成してもよい。冷却器を構成する材料は、アルミニウムに限定されることなく、種々選択可能である。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof. For example, the conversion circuit is not limited to three phases, and may have a two-phase structure, or may be configured as a converter that converts an AC voltage into a DC voltage. The material which comprises a cooler is not limited to aluminum, Various selection is possible.

10…電力変換装置、12…インバータ回路、14…冷却器、
20u、21u、22u、23u…スイッチング素子、
20v、21v、22v、23v…スイッチング素子、
20w、21w、22w、23w…スイッチング素子、
24u、24v、24w…第1ダイオード、
25u、25v、25w…第2ダイオード、
32…受熱ブロック、33、37…受熱面、34…放熱フィン、36…支持板、
38…ヒートパイプ、40…放熱フィン、42…支持フレーム
10 ... Power converter, 12 ... Inverter circuit, 14 ... Cooler,
20u, 21u, 22u, 23u ... switching elements,
20v, 21v, 22v, 23v ... switching element,
20w, 21w, 22w, 23w ... switching element,
24u, 24v, 24w ... 1st diode,
25u, 25v, 25w ... second diode,
32 ... Heat receiving block, 33, 37 ... Heat receiving surface, 34 ... Radiating fin, 36 ... Support plate,
38 ... Heat pipe, 40 ... Radiating fin, 42 ... Support frame

Claims (8)

受熱面を有する受熱ブロックと、この受熱ブロックに設けられた放熱部と、前記受熱ブロック上に設けられ前記受熱面と異なる受熱面を有する支持部材と、を有する冷却器と、
前記受熱ブロックの受熱面上に実装され変換回路を形成する複数の半導体スイッチング素子と、
前記支持部材の受熱面上に実装され前記変換回路を形成する複数のダイオードと、
を備える電力変換装置。
A cooler having a heat receiving block having a heat receiving surface, a heat dissipating part provided in the heat receiving block, and a support member provided on the heat receiving block and having a heat receiving surface different from the heat receiving surface;
A plurality of semiconductor switching elements mounted on a heat receiving surface of the heat receiving block to form a conversion circuit;
A plurality of diodes mounted on the heat receiving surface of the support member to form the conversion circuit;
A power conversion device comprising:
前記支持部材は、前記受熱ブロックの受熱面に立設された複数の支持板を有している請求項1に記載の電力変換装置。   The power conversion device according to claim 1, wherein the support member includes a plurality of support plates provided upright on a heat receiving surface of the heat receiving block. 前記支持板は、前記受熱ブロックの受熱面に対して垂直に立設され、前記ダイオードは、前記スイッチング素子に対して垂直な向きに設けられている請求項2に記載の電力変換装置。   The power conversion device according to claim 2, wherein the support plate is erected vertically to a heat receiving surface of the heat receiving block, and the diode is provided in a direction perpendicular to the switching element. 前記支持部材は、前記受熱ブロックの受熱面上に設けられ支持フレームを有し、前記支持フレームは、前記受熱面上に立設された一対の側壁と、これらの側壁間を延びて前記受熱面と隙間をおいて対向する上壁と、を有し、
前記複数のダイオードは前記支持フレームに取り付けられている請求項1に記載の電力変換装置。
The support member includes a support frame provided on a heat receiving surface of the heat receiving block, and the support frame extends between the pair of side walls standing on the heat receiving surface and the heat receiving surface. And an upper wall facing each other with a gap,
The power converter according to claim 1, wherein the plurality of diodes are attached to the support frame.
前記ダイオードは、前記半導体スイッチング素子に対して垂直な向きで前記支持フレームに取付けられている請求項4に記載の電力変換装置。   The power converter according to claim 4, wherein the diode is attached to the support frame in a direction perpendicular to the semiconductor switching element. 前記ダイオードは、前記半導体スイッチング素子の端子と同じ方向に端子を向けた状態で前記支持フレームの上壁に取り付けられ、前記半導体スイッチング素子とダイオードとが2階層に並列配置されている請求項4に記載の電力変換装置。   5. The diode according to claim 4, wherein the diode is attached to the upper wall of the support frame with the terminal facing in the same direction as the terminal of the semiconductor switching element, and the semiconductor switching element and the diode are arranged in two layers in parallel. The power converter described. 前記ダイオードは、前記半導体スイッチング素子の端子と向かい合う方向に端子を向けた状態で前記支持フレームの上壁に取り付けられ、前記半導体スイッチング素子とダイオードとが2階層に並列配置されている請求項4に記載の電力変換装置。   5. The diode according to claim 4, wherein the diode is attached to an upper wall of the support frame in a state in which the terminal faces in a direction facing the terminal of the semiconductor switching element, and the semiconductor switching element and the diode are arranged in two layers in parallel. The power converter described. 前記支持フレームは、前記受熱ブロックの受熱面に対して斜めに延びる側壁を有し、前記ダイオードは、前記支持フレームの側壁に取り付けられ、半導体スイッチング素子の端子と向かい合う方向に端子を向けた状態で前記支持フレームの上壁に取り付けられ、前記半導体スイッチング素子に対して斜めに配置されている請求項4に記載の電力変換装置。   The support frame has a side wall extending obliquely with respect to the heat receiving surface of the heat receiving block, and the diode is attached to the side wall of the support frame, with the terminal facing in a direction facing the terminal of the semiconductor switching element. The power conversion device according to claim 4, wherein the power conversion device is attached to an upper wall of the support frame and is disposed obliquely with respect to the semiconductor switching element.
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