JP2012238787A - 半導体発光素子及びウェーハ - Google Patents
半導体発光素子及びウェーハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012238787A JP2012238787A JP2011107977A JP2011107977A JP2012238787A JP 2012238787 A JP2012238787 A JP 2012238787A JP 2011107977 A JP2011107977 A JP 2011107977A JP 2011107977 A JP2011107977 A JP 2011107977A JP 2012238787 A JP2012238787 A JP 2012238787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- well
- light emitting
- thickness
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 195
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 49
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、Inx1Ga1−x1N(0<x1<1)を含む複数の井戸層と、前記複数の井戸層どうしの間に設けられGaNを含む障壁層と、を含む。前記複数の井戸層のうちで前記p形半導体層に最も近いp側井戸層は、前記複数の井戸層のうちの前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さよりも厚い。前記p側井戸層のIn組成比は、前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層のIn組成比よりも低い。前記障壁層の厚さは、前記p側井戸層の厚さの2倍以下である。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
本実施形態は、LED及びLDなどの半導体発光素子に係る。以下では、本実施形態に係る半導体発光素子の1つの例として、LEDについて説明する。
図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。 図2は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成の概要を例示する模式的断面図である。
図3は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。
図3に表したように、中間層40は、Z軸に沿って交互に積層された複数の第1層41と複数の第2層42とを含む。
c面サファイアの基板50に、前処理として、例えば有機洗浄及び酸洗浄を施した。この後、基板50を、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置の反応室内に収納した。窒素(N2)ガスと水素(H2)ガスの常圧混合ガス雰囲気中で、高周波加熱により、基板50の温度を1100℃に上げる。これにより、基板50の表面が気相エッチングされ、表面に形成されている自然酸化膜が除去される。
同図は、実施形態に係る半導体発光素子110と第1参考例の半導体発光素子191の特性を例示している。横軸は、電流Id(ミリアンペア:mA)であり、縦軸は、発光効率Eff(ミリワット/ミリアンペア:mW/mA)である。半導体発光素子に供給する電流を変えながら、半導体発光素子から放射された光の強度を、積分球を用いて測定した。そして、得られた光の強度を電流Idで除算することにより、発光効率Effを求めた。
すなわち、同図は、半導体発光素子110及び半導体発光素子191のエレクトロルミネッセンス(EL)ピーク形状の電流依存性を示す。横軸は、波長λ(nm)であり、縦軸は、ELピーク強度Ip(任意目盛)である。
すなわち、同図は、半導体発光素子110、半導体発光素子192及び半導体発光素子193の特性を示している。横軸は、電流Idであり、縦軸は、発光効率Effである。
すなわち、同図は、半導体発光素子110、半導体発光素子192及び半導体発光素子193の特性を示している。横軸は、電流Idであり、縦軸は、発光部30から放出される光のピーク波長λp(nm)である。
本実施形態は、LED及びLDなどの半導体発光素子に用いられるウェーハに係る。
図8は、第2の実施形態に係るウェーハの構成を例示する模式的断面図である。
図8に表したように、本実施形態に係るウェーハ120は、窒化物半導体を含むn形半導体層10と、窒化物半導体を含むp形半導体層20と、n形半導体層10とp形半導体層20との間に設けられた発光部30と、を備える。ウェーハ120は、基板50をさらに備えても良い。また、ウェーハ120は、下地層60をさらに備えても良い。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (6)
- 窒化物半導体を含むn形半導体層と、
窒化物半導体を含むp形半導体層と、
前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光部であって、
Inx1Ga1−x1N(0<x1<1)を含む複数の井戸層と、
前記複数の井戸層どうしの間に設けられGaNを含む障壁層と、
を含む発光部と、
を備え、
前記複数の井戸層のうちで前記p形半導体層に最も近いp側井戸層は、前記複数の井戸層のうちの前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さよりも厚く、
前記p側井戸層のIn組成比は、前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層のIn組成比よりも低く、
前記障壁層の厚さは、前記p側井戸層の厚さの2倍以下であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記複数の井戸層の数は、8以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記障壁層の厚さは、3ナノメートル以上、8ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記p側井戸層の厚さは、4ナノメートル以上であり、前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さは4ナノメートル未満であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記p側井戸層の前記In組成比は、0.145未満であり、前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層の前記In組成比は0.145以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 窒化物半導体を含むn形半導体層と、
窒化物半導体を含むp形半導体層と、
前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光部であって、
Inx1Ga1−x1N(0<x1<1)を含む複数の井戸層と、
前記複数の井戸層どうしの間に設けられGaNを含む障壁層と、
を含む発光部と、
を備え、
前記複数の井戸層のうちで前記p形半導体層に最も近いp側井戸層は、前記複数の井戸層のうちの前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さよりも厚く、
前記p側井戸層のIn組成比は、前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層のIn組成比よりも低く、
前記障壁層の厚さは、前記p側井戸層の厚さの2倍以下であることを特徴とするウェーハ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011107977A JP5060637B1 (ja) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | 半導体発光素子及びウェーハ |
US13/222,185 US20120286237A1 (en) | 2011-05-13 | 2011-08-31 | Semiconductor light emitting device and wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011107977A JP5060637B1 (ja) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | 半導体発光素子及びウェーハ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012093351A Division JP2012244163A (ja) | 2012-04-16 | 2012-04-16 | 半導体発光素子及びウェーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5060637B1 JP5060637B1 (ja) | 2012-10-31 |
JP2012238787A true JP2012238787A (ja) | 2012-12-06 |
Family
ID=47141279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011107977A Active JP5060637B1 (ja) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | 半導体発光素子及びウェーハ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120286237A1 (ja) |
JP (1) | JP5060637B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175426A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2016088732A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
WO2016143221A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | ソニー株式会社 | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
JP2016225525A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2017037873A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2021090043A (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | シャープ福山レーザー株式会社 | 3族窒化物ベースレーザダイオード |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102198693B1 (ko) | 2014-01-15 | 2021-01-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR102098591B1 (ko) | 2014-01-16 | 2020-04-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515936A (ja) * | 1999-11-19 | 2003-05-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 多重量子井戸構造を有する光半導体装置 |
JP2005101566A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
WO2008155958A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-24 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7186302B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-03-06 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition |
US7514707B2 (en) * | 2004-11-16 | 2009-04-07 | Showa Denko K.K. | Group III nitride semiconductor light-emitting device |
JP5011699B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2012-08-29 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2008109066A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Rohm Co Ltd | 発光素子 |
US20080137701A1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-12 | Joseph Michael Freund | Gallium Nitride Based Semiconductor Device with Reduced Stress Electron Blocking Layer |
US8211723B2 (en) * | 2007-02-12 | 2012-07-03 | The Regents Of The University Of California | Al(x)Ga(1-x)N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes and light emitting diodes |
JP2009016467A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Sony Corp | 窒化ガリウム系半導体素子及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた画像表示装置 |
WO2009048425A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Agency For Science, Technology And Research | Fabrication of phosphor free red and white nitride-based leds |
JP2009152552A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード |
JP5003527B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2012-08-15 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物発光素子、及びiii族窒化物系半導体発光素子を作製する方法 |
US8144743B2 (en) * | 2008-03-05 | 2012-03-27 | Rohm Co., Ltd. | Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same |
TW200950162A (en) * | 2008-04-04 | 2009-12-01 | Univ California | Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes |
EP2319086A4 (en) * | 2008-08-04 | 2014-08-27 | Soraa Inc | WHITE LIGHTING DEVICES WITH NON POLAR OR SEMI-POLAR GALLIUM-HARDENED MATERIALS AND INFLUENCES |
JP5077303B2 (ja) * | 2008-10-07 | 2012-11-21 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法 |
WO2010053880A1 (en) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | The Regents Of The University Of California | Thin p-type gallium nitride and aluminum gallium nitride electron-blocking layer free gallium nitride-based light emitting diodes |
WO2010059132A1 (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Agency For Science, Technology And Research | A light emitting diode structure and a method of forming a light emitting diode structure |
US8227791B2 (en) * | 2009-01-23 | 2012-07-24 | Invenlux Limited | Strain balanced light emitting devices |
WO2010141945A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | The Regents Of The University Of California | Asymmetrically cladded laser diode |
US20100309943A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | The Regents Of The University Of California | LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES |
WO2011014822A2 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Applied Materials, Inc. | Light emitting diode with enhanced quantum efficiency and method of fabrication |
CN102484180B (zh) * | 2009-11-12 | 2014-09-17 | 松下电器产业株式会社 | 氮化镓系化合物半导体发光元件 |
US8575592B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses |
US8642368B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-02-04 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of LED light extraction with in-situ surface roughening |
TW201230389A (en) * | 2010-10-27 | 2012-07-16 | Univ California | Method for reduction of efficiency droop using an (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N superlattice electron blocking layer in nitride based light emitting diodes |
JP2013115372A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、半導体発光素子の製造システム |
US8686398B2 (en) * | 2012-03-02 | 2014-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
-
2011
- 2011-05-13 JP JP2011107977A patent/JP5060637B1/ja active Active
- 2011-08-31 US US13/222,185 patent/US20120286237A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515936A (ja) * | 1999-11-19 | 2003-05-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 多重量子井戸構造を有する光半導体装置 |
JP2005101566A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
WO2008155958A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-24 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN7011004261; C.H.Wang et al.: 'Efficiency droop alleviation in InGaN/GaN light-emitting diodes by graded-thickness multiple quantum' APPLIED PHYSICS LETTERS Vol.97, 20101101, pp.181101 * |
JPN7011004262; Xianfeng Ni et al.: 'Reduction of efficiency droop in InGaN light emitting diodes by coupled quantum wells' APPLIED PHYSICS LETTERS Vol.93, 20081031, pp.171113 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175426A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2016088732A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
WO2016143221A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | ソニー株式会社 | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
JP2016225525A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2017037873A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2021090043A (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | シャープ福山レーザー株式会社 | 3族窒化物ベースレーザダイオード |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5060637B1 (ja) | 2012-10-31 |
US20120286237A1 (en) | 2012-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5175918B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US9331234B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device | |
JP5060637B1 (ja) | 半導体発光素子及びウェーハ | |
TWI659547B (zh) | Iii族氮化物半導體發光元件的製造方法 | |
JP5238865B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5372045B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5306254B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6001446B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP4892618B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPWO2011077473A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JPWO2014061692A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
TWI666790B (zh) | Iii族氮化物半導體發光元件的製造方法及iii族氮化物半導體發光元件 | |
JP2011171368A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101485690B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2012244163A (ja) | 半導体発光素子及びウェーハ | |
JP5337862B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5607106B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5889981B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5615334B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5865827B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5554387B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5787851B2 (ja) | 半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法 | |
JP6010088B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5651758B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2013141017A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5060637 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |