JP2012237869A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板の第1の領域上に形成されたデバイスパターンと、透明基板の第2の領域上に形成された周辺パターンと、周辺パターンが形成された領域の透明基板内に形成され、デバイスパターンをウェーハに露光する際に用いる露光光に対する周辺パターンの光透過部の透過率を、露光光に対するデバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層とを有する。
【選択図】図2
Description
第1実施形態によるフォトマスク及びその製造方法について図1乃至図8を用いて説明する。
式中、Dは改質層26の厚さ(nm)を表し、Vは加速電圧(keV)を表す。
第2実施形態によるフォトマスクについて図9乃至図15を用いて説明する。図1乃至図8に示す第1実施形態によるフォトマスクと同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記透明基板の第2の領域上に形成された周辺パターンと、
前記周辺パターンが形成された領域の前記透明基板内に形成され、前記デバイスパターンをウェーハに露光する際に用いる露光光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率を、前記露光光に対する前記デバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層と
を有することを特徴とするフォトマスク。
付記1記載のフォトマスクにおいて、 前記フォトマスクを位置合わせする際に用いるマスクアライメント光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率は、前記露光光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率よりも高い
ことを特徴とするフォトマスク。
前記マスクアライメント光は、前記露光光よりも長波長である
ことを特徴とするフォトマスク。
前記改質層は、リン、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は遷移金属を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含む
ことを特徴とするフォトマスク。
前記露光光は、ArFエキシマレーザ光又はKrFエキシマレーザ光である
ことを特徴とするフォトマスク。
前記デバイスパターン及び前記周辺パターンは、前記透明基板上に形成された遮光層により形成さている
ことを特徴とするフォトマスク。
前記デバイスパターンは、前記透明基板上に形成された位相シフト層により形成され、
前記周辺パターンは、前記透明基板上に形成された遮光層及び位相シフト層により形成されている
ことを特徴とするフォトマスク。
前記透明基板の第2の領域上に、周辺パターンを形成する工程と、
前記透明基板の前記第2の領域に選択的にイオン注入を行い、前記第2の領域の前記透明基板に、前記周辺パターンの光透過部の透過率を、前記デバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層を形成する工程と
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
前記改質層を形成する工程では、リン、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は遷移金属を含む群から選択される少なくとも1つの物質をイオン注入し、前記改質層を形成する
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
前記改質層を形成する工程は、前記周辺パターンをマスクとして、前記透明基板にイオン注入を行う
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
前記フォトマスクに前記露光光を照射して前記ウェーハ上のレジストを露光する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12…遮光層
14…デバイスターン領域
16…周辺パターン領域
18…デバイスパターン
20…アライメントパターン
22…配置精度測定パターン
24…ナンバリングパターン
26…改質層
40…フォトマスクステージ
41…ペリクル
42…光源
44…観察機構
52…投影像
54…パターン
60…電子線レジスト膜
62,64,66…開口部
68…電子線レジスト膜
70,72,74…開口部
81,82…電子線レジスト膜
84…開口部
86…電子線レジスト膜
88…開口部
Claims (5)
- 透明基板の第1の領域上に形成されたデバイスパターンと、
前記透明基板の第2の領域上に形成された周辺パターンと、
前記周辺パターンが形成された領域の前記透明基板内に形成され、前記デバイスパターンをウェーハに露光する際に用いる露光光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率を、前記露光光に対する前記デバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層と
を有することを特徴とするフォトマスク。 - 請求項1記載のフォトマスクにおいて、
前記フォトマスクを位置合わせする際に用いるマスクアライメント光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率は、前記露光光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率よりも高い
ことを特徴とするフォトマスク。 - 請求項1又は2記載のフォトマスクにおいて、
前記改質層は、リン、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は遷移金属を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含む
ことを特徴とするフォトマスク。 - 透明基板の第1の領域上に、デバイスパターンを形成する工程と、
前記透明基板の第2の領域上に、周辺パターンを形成する工程と、
前記透明基板の前記第2の領域に選択的にイオン注入を行い、前記第2の領域の前記透明基板に、前記周辺パターンの光透過部の透過率を、前記デバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層を形成する工程と
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 透明基板の第1の領域上に形成されたデバイスパターンと、前記透明基板の第2の領域上に形成された周辺パターンと、前記周辺パターンが形成された領域の前記透明基板内に形成され、前記デバイスパターンをウェーハに露光する際に用いる露光光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率が、前記露光光に対する前記デバイスパターンの光透過部の透過率よりも低く、マスクアライメント光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率が、前記露光光に対する前記周辺パターンの光透過部の透過率よりも高くなる改質層とを有するフォトマスクに、前記マスクアライメント光を照射してマスクアライメントを行う工程と、
前記フォトマスクに前記露光光を照射して前記ウェーハ上のレジストを露光する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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