JP2012234641A - Lighting fixture - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体発光モジュールを含む照明器具に関するものである。 The present invention relates to a lighting fixture including a semiconductor light emitting module.
近年、発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)等の半導体発光素子を光源とする半導体発光モジュールおよび照明器具の開発が進められている（例えば、特許文献１を参照）。半導体発光モジュールを有する照明器具は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。この照明器具は、半導体発光モジュールが発光時に発する熱が半導体発光モジュールを保護するカバーに伝わるが、例えば住宅用照明分野などにおいては、カバーが高温になるのを抑制する技術が求められている。 In recent years, development of a semiconductor light emitting module and a lighting fixture using a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED) as a light source has been advanced (for example, see Patent Document 1). Luminaires having semiconductor light emitting modules are attracting attention in terms of power consumption or product life. In this lighting fixture, heat generated when the semiconductor light emitting module emits light is transmitted to the cover that protects the semiconductor light emitting module. For example, in the field of residential lighting, a technique for suppressing the cover from becoming high temperature is required.
本発明は、半導体発光モジュールを保護するカバーが高温になるのを抑制することが可能な照明器具を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the lighting fixture which can suppress that the cover which protects a semiconductor light-emitting module becomes high temperature.
本発明の一実施形態に係る照明器具は、平面方向に延在した矩形状の板状部材および前記板状部材の長手方向の両側に沿って配置された側壁部材を備え、前記側壁部材間に前記板状部材の上方に位置するように長手方向に沿って設けられた開口部を有する筐体と、前記板状部材に設けられた、前記開口部に向かって光を発する半導体発光モジュールとを備え、前記板状部材と前記側壁部材とが接続されている個所において、前記板状部材および前記側壁部材の両方にかけて長手方向に沿った凹部が設けられていることを特徴とする。 The lighting fixture which concerns on one Embodiment of this invention is equipped with the side wall member arrange | positioned along the rectangular plate-shaped member extended in the plane direction, and the both sides of the longitudinal direction of the said plate-shaped member, Between the said side wall members. A housing having an opening provided along the longitudinal direction so as to be positioned above the plate-like member, and a semiconductor light-emitting module that is provided in the plate-like member and emits light toward the opening. And a concave portion along the longitudinal direction is provided over both the plate member and the side wall member at a location where the plate member and the side wall member are connected.
本発明によれば、半導体発光モジュールを保護するカバーが高温になるのを抑制することが可能な照明器具を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the lighting fixture which can suppress that the cover which protects a semiconductor light-emitting module becomes high temperature can be provided.
以下に、添付図面を参照して、本発明に係る照明器具の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。 Below, with reference to an accompanying drawing, an embodiment of a lighting fixture concerning the present invention is described. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.
図１は、本発明の実施形態に係る照明器具の概観斜視図であって、筐体の開口部からリフレクターおよび半導体発光モジュールの一部が見えている状態を示している。図２は、図１に示す照明器具の分解斜視図であって、光透過性カバー、リフレクター、半導体発光モジュールおよび筐体を示している。図３は、図２に示す照明器具におけるリフレクターを拡大した概観斜視図であって、リフレクターの一端を示している。図４は、図２に示す照明器具における半導体発光モジュールを拡大した概観斜視図であって、半導体発光モジュールの一端を示している。図５は、図２に示す照明器具における筐体を拡大した概観斜視図であって、筐体の一端を示している。図６は、図１のＸ−Ｘ’線に沿った照明器具の断面図である。図７は、１つの半導体発光モジュールの内部を示した断面斜視図である。図８は、図７のＹ−Ｙ’線に沿った半導体発光モジュールの断面図である。 FIG. 1 is a schematic perspective view of a lighting fixture according to an embodiment of the present invention, and shows a state where a reflector and a part of a semiconductor light emitting module are visible from an opening of a housing. FIG. 2 is an exploded perspective view of the lighting apparatus shown in FIG. 1 and shows a light-transmitting cover, a reflector, a semiconductor light emitting module, and a housing. FIG. 3 is an enlarged perspective view of the reflector in the lighting apparatus shown in FIG. 2 and shows one end of the reflector. FIG. 4 is an enlarged perspective view of the semiconductor light emitting module in the lighting apparatus shown in FIG. 2 and shows one end of the semiconductor light emitting module. FIG. 5 is an enlarged perspective view of the casing of the lighting apparatus shown in FIG. 2 and shows one end of the casing. 6 is a cross-sectional view of the luminaire along the line X-X ′ of FIG. 1. FIG. 7 is a cross-sectional perspective view showing the inside of one semiconductor light emitting module. FIG. 8 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting module taken along line Y-Y ′ of FIG. 7.
＜照明器具の構成＞
照明器具１は、天井または壁等の室内に直接取り付けるか、あるいは、屋外にて使用するものである。そして、照明器具１から発せられる光は、室内または屋外を照らすことができる。
<Configuration of lighting fixture>
The luminaire 1 is directly attached to a room such as a ceiling or a wall or used outdoors. And the light emitted from the lighting fixture 1 can illuminate indoors or outdoors.
照明器具１は、開口部Ｈを有する筐体２と、開口部Ｈに向かって光を発する半導体発光モジュール３と、半導体発光モジュール３が発する光を反射して開口部Ｈに向かって光を進行させるリフレクター４とを含んでいる。筐体２は、平面方向に延在した矩形状の板状部材２ａと、縦断面視して板状部材２ａの短手方向における両端部に設けられた側壁部材２ｂとを備えている。 The luminaire 1 includes a housing 2 having an opening H, a semiconductor light emitting module 3 that emits light toward the opening H, reflects light emitted from the semiconductor light emitting module 3, and travels toward the opening H. And reflector 4 to be made. The housing 2 includes a rectangular plate-like member 2a extending in the plane direction, and side wall members 2b provided at both ends in the lateral direction of the plate-like member 2a as viewed in a longitudinal section.
リフレクター４は、半導体発光モジュール３が発する光を反射するものであって、例えばアルミ二ウム、銅またはステンレス等から構成されている。また、リフレクター４は、金型によって成型されたポリカーボネート樹脂から成るリフレクター４の内壁面に、アルミニウムを蒸着することによって構成されてもよい。リフレクター４は、各発光素子３ａを取り囲む態様で配置されている。なお、リフレクター４の熱伝導率は、例えば１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下で設定されている。 The reflector 4 reflects light emitted from the semiconductor light emitting module 3 and is made of, for example, aluminum, copper, stainless steel, or the like. Moreover, the reflector 4 may be comprised by vapor-depositing aluminum on the inner wall face of the reflector 4 which consists of polycarbonate resin shape | molded with the metal mold | die. The reflector 4 is arrange | positioned in the aspect surrounding each light emitting element 3a. The thermal conductivity of the reflector 4 is set, for example, from 10 W / m · K to 500 W / m · K.
リフレクター４は、筐体２の内側にひっかけるように設けられ、半導体発光モジュール３と間を空けて配置されている。図６に示すように、側壁部材２ｂの一端には、平面方向であって筐体２の内側に向かって延在した支持部２ｂｘが設けられており、支持部２ｂｘから下方に向かって延在した凸部２ｂｙが設けられている。また、リフレクター４は、リフレクター４の出射口の縁から、実装基板３ｂに向かって折れ曲がって形成されている。そして、リフレクター４の端部４ｂは、実装基板３ｂに向かって折れ曲がった先にあり、その端部４ｂが凸部２ｂｙに引っ掛けられる。 The reflector 4 is provided so as to be caught inside the housing 2, and is disposed so as to be spaced from the semiconductor light emitting module 3. As shown in FIG. 6, one end of the side wall member 2 b is provided with a support portion 2 bx that extends in the plane direction and toward the inside of the housing 2, and extends downward from the support portion 2 bx. Convex part 2by is provided. Further, the reflector 4 is formed to be bent from the edge of the exit of the reflector 4 toward the mounting substrate 3b. And the edge part 4b of the reflector 4 exists in the tip bent toward the mounting substrate 3b, and the edge part 4b is hooked by the convex part 2by.
リフレクター４は、凸部２ｂｙにひっかけて設けられることで、筐体２が熱によって変形したとしても、リフレクター４は凸部２ｂｙに対して固着されていないので、筐体２から加わる熱応力を緩和することができる。その結果、リフレクター４は、半導体発光モジュール３に対して、リフレクター４が位置ずれしたり、歪んだり、反ったりするのを抑制することができ、半導体発光モジュール３が発する光を効果的に反射して、指向性が優れた状態で外部に取り出すことができる。 Since the reflector 4 is provided so as to be hooked on the convex portion 2by, even if the housing 2 is deformed by heat, the reflector 4 is not fixed to the convex portion 2by, so that the thermal stress applied from the housing 2 is relieved. can do. As a result, the reflector 4 can prevent the reflector 4 from being displaced, distorted, or warped with respect to the semiconductor light emitting module 3, and effectively reflects the light emitted from the semiconductor light emitting module 3. Thus, it can be taken out with excellent directivity.
リフレクター４は、半導体発光モジュール３と間を空けて設けられることによって、発光素子３ａが発する熱が直接的に半導体発光モジュール３を介して伝達されない。その結果、リフレクター４は、半導体発光モジュール３に対して熱によって位置がずれたり、歪んだり、反ったりすることが抑制されて、半導体発光モジュール３が発する光を効果的に反射して指向性が優れた状態で外部に取り出すことができる。 The reflector 4 is provided so as to be spaced from the semiconductor light emitting module 3, so that heat generated by the light emitting element 3 a is not directly transmitted through the semiconductor light emitting module 3. As a result, the reflector 4 is prevented from being displaced, distorted, or warped by heat with respect to the semiconductor light emitting module 3, and effectively reflects the light emitted from the semiconductor light emitting module 3 and has directivity. It can be taken out in an excellent state.
リフレクター４は、図５に示すように、筐体２内に実装したときに、半導体発光モジュール３の光源としての発光素子３ａに対応する開口孔４ａが複数設けられている。 As shown in FIG. 5, the reflector 4 is provided with a plurality of opening holes 4 a corresponding to the light emitting elements 3 a as the light source of the semiconductor light emitting module 3 when mounted in the housing 2.
リフレクター４は、発光素子３ａからリフレクター４の出射口に向かうにつれて広がって形成されている。リフレクター４は、いわゆるパラボラ形状の円筒体である。リフレクター４で囲まれる領域が、リフレクター４の出射口に向かうにつれて大きくなることで、リフレクター４によって発光素子３ａの発する光を遮りにくくすることができ、発光素子３ａの発する光の照射面積を広くすることができる。つまり、開口孔４ａは、図６に示すように、開口孔４ａで囲まれる横断面の領域は、下部から上部に向かって広がるように形成されている。そして、開口孔４ａの下方に位置する発光素子３ａが発する光を、開口孔４ａを通して、開口孔４ａの内壁面にて反射させて、上方に向かって指向性よく取り出すことができる。なお、開口孔４ａの板状部材２ａの上面に沿った平面方向に対する傾斜角度は、例えば３０度以上８５度以下に設定されている。 The reflector 4 is formed so as to expand from the light emitting element 3 a toward the exit of the reflector 4. The reflector 4 is a so-called parabolic cylindrical body. Since the region surrounded by the reflector 4 becomes larger toward the exit of the reflector 4, the light emitted from the light emitting element 3a can be made difficult to be blocked by the reflector 4, and the irradiation area of the light emitted from the light emitting element 3a is widened. be able to. That is, as shown in FIG. 6, the opening hole 4 a is formed so that a cross-sectional area surrounded by the opening hole 4 a extends from the lower part toward the upper part. Then, the light emitted from the light emitting element 3a located below the opening hole 4a can be reflected on the inner wall surface of the opening hole 4a through the opening hole 4a and taken out with high directivity. In addition, the inclination angle with respect to the plane direction along the upper surface of the plate-like member 2a of the opening hole 4a is set to, for example, 30 degrees or more and 85 degrees or less.
光透過性カバー５は、筐体２内を覆うものであって、半導体発光モジュール３を保護するものである。光透過性カバー５は、半導体発光モジュール３から発せられる光が透過する材料からなり、例えば樹脂またはガラス等の光透過性材料から構成されている。そして、半導体発光モジュール３の発する光が、光透過性カバー５を通過して外部に取り出される。なお、光透過性カバー５は、矩形状の板体であって、平面視して長手方向の長さが、例えば４８ｍｍ以上１９９８ｍｍ以下であって、平面視して短手方向の長さが、例えば９ｍｍ以上４９ｍｍ以下に設定されている。また、光透過性カバー５は、縦断面視したときの上下方向の長さが、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。 The light transmissive cover 5 covers the inside of the housing 2 and protects the semiconductor light emitting module 3. The light transmissive cover 5 is made of a material through which light emitted from the semiconductor light emitting module 3 is transmitted, and is made of a light transmissive material such as resin or glass. Then, the light emitted from the semiconductor light emitting module 3 passes through the light transmissive cover 5 and is extracted to the outside. The light-transmitting cover 5 is a rectangular plate and has a length in the longitudinal direction when viewed in plan, for example, 48 mm or more and 1998 mm or less. For example, it is set to 9 mm or more and 49 mm or less. Further, the light transmissive cover 5 is set to have a vertical length of, for example, 0.5 mm or more and 3 mm or less when viewed in a longitudinal section.
光透過性カバー５は、筐体２の開口縁に設けられる。光透過性カバー５は、筐体２内の支持部２ｂｘの一方から他方にかけて設けられている。光透過性カバー５は、筐体２の長手方向に沿って筐体２の側面からスライドさせて、支持部２ｂｘにひっかけることができる。そして、筐体２の側壁部材２ｂ、側面カバー６および光透過性カバー５によって、筐体２内の半導体発光モジュール３を外部から保護することができる。また、光透過性カバー５は、筐体２の支持部２ｂｘにて挟持して保持されることで、光透過性カバー５が落下するのを防止することができる。 The light transmissive cover 5 is provided at the opening edge of the housing 2. The light transmissive cover 5 is provided from one side of the support part 2bx in the housing 2 to the other side. The light-transmissive cover 5 can be slid from the side surface of the housing 2 along the longitudinal direction of the housing 2 and hooked on the support portion 2bx. The semiconductor light emitting module 3 in the housing 2 can be protected from the outside by the side wall member 2b, the side cover 6 and the light-transmitting cover 5 of the housing 2. Further, the light transmissive cover 5 can be prevented from falling by being held by being held by the support portion 2bx of the housing 2.
次に、半導体発光モジュール３について説明する。半導体発光モジュール３は、半導体発光素子からなる複数の発光素子３ａと、複数の発光素子３ａを実装するための実装基板３ｂとを備えている。複数の発光素子３ａは、筐体２内に直線状に配置されており、各発光素子３ａの直上にリフレクター４の開口孔４ａが位置するように位置合わせされている。 Next, the semiconductor light emitting module 3 will be described. The semiconductor light emitting module 3 includes a plurality of light emitting elements 3a made of semiconductor light emitting elements and a mounting substrate 3b for mounting the plurality of light emitting elements 3a. The plurality of light emitting elements 3a are linearly arranged in the housing 2, and are aligned so that the opening hole 4a of the reflector 4 is positioned immediately above each light emitting element 3a.
実装基板３ｂは、矩形状であって、その長手方向寸法が筐体２の開口部Ｈと略同じ長さを有した長尺の板体である。実装基板３ｂは、例えば樹脂からなるプリント配線基板等の樹脂基板、あるいはガラス基板、あるいはアルミ基板等の金属板が用いられる。なお、実装基板３ｂには、筐体２に固定するための螺子孔（図示せず）が設けられている。そして、実装基板３ｂと筐体２とを螺子を介して固定することができる。なお、実装基板３ｂの上面には、複数の発光素子３ａが等間隔に実装されている。 The mounting substrate 3 b is a long plate body having a rectangular shape and having a length in the longitudinal direction substantially the same as the opening H of the housing 2. As the mounting substrate 3b, for example, a resin substrate such as a printed wiring board made of resin, or a metal plate such as a glass substrate or an aluminum substrate is used. The mounting board 3b is provided with screw holes (not shown) for fixing to the housing 2. Then, the mounting substrate 3b and the housing 2 can be fixed via screws. A plurality of light emitting elements 3a are mounted at equal intervals on the upper surface of the mounting substrate 3b.
次に、発光素子３ａについて説明する。発光素子３ａは、チップ実装基板３１と、チップ実装基板３１上に設けられる光半導体素子３２と、光半導体素子３２を取り囲む枠体３３と、枠体３３で囲まれる領域に設けられる封止樹脂３４と、枠体３３によって支持され、接着樹脂３５を介して枠体３３に接続される波長変換部材３６とを備えている。 Next, the light emitting element 3a will be described. The light emitting element 3 a includes a chip mounting substrate 31, an optical semiconductor element 32 provided on the chip mounting substrate 31, a frame body 33 surrounding the optical semiconductor element 32, and a sealing resin 34 provided in a region surrounded by the frame body 33. And a wavelength conversion member 36 supported by the frame 33 and connected to the frame 33 via the adhesive resin 35.
発光素子３ａは、例えば発光ダイオードであって、光半導体素子３２内のｐｎ接合中の電子と正孔とが再結合することによって、光半導体素子３２が光を放出する。 The light emitting element 3 a is, for example, a light emitting diode, and the optical semiconductor element 32 emits light when electrons and holes in the pn junction in the optical semiconductor element 32 are recombined.
チップ実装基板３１には、実装基板３ｂ上に設けられる。実装基板３ｂとチップ実装基板３１とは、例えば半田または導電性接着剤を介して電気的に導通されるように接合される。チップ実装基板３１は、例えばアルミナ、ムライトまたはガラスセラミック等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、チップ実装基板３１は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。 The chip mounting substrate 31 is provided on the mounting substrate 3b. The mounting board 3b and the chip mounting board 31 are joined so as to be electrically connected via, for example, solder or a conductive adhesive. The chip mounting substrate 31 can be made of, for example, a ceramic material such as alumina, mullite, or glass ceramic, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials. The chip mounting substrate 31 can be made of a polymer resin in which metal oxide fine particles are dispersed.
チップ実装基板３１の表面が拡散面である場合は、光半導体素子３２から発せられる光が、チップ実装基板３１の表面に照射されて拡散反射される。そして、光半導体素子３２が発する光を拡散反射によって多方向に放射し、光半導体素子３２から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。 When the surface of the chip mounting substrate 31 is a diffusing surface, the light emitted from the optical semiconductor element 32 is applied to the surface of the chip mounting substrate 31 and diffusely reflected. Then, light emitted from the optical semiconductor element 32 can be emitted in multiple directions by diffuse reflection, and the light emitted from the optical semiconductor element 32 can be suppressed from being concentrated at a specific location.
ここで、チップ実装基板３１には、配線導体が設けられており、配線導体を介して実装基板３ｂに電気的に接続されている。配線導体は、例えばタングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えばタングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、チップ実装基板３１に所定パターンで印刷することにより得られる。 Here, the chip mounting board 31 is provided with a wiring conductor, and is electrically connected to the mounting board 3b via the wiring conductor. The wiring conductor is made of a conductive material such as tungsten, molybdenum, manganese, or copper. The wiring conductor is obtained by printing a metal paste obtained by adding an organic solvent to a powder such as tungsten on the chip mounting substrate 31 in a predetermined pattern.
光半導体素子３２は、チップ実装基板３１上に実装される。具体的には、光半導体素子３２は、チップ実装基板３１上に形成される配線導体上に、例えば半田または導電性接着剤等の接着材料、あるいはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。 The optical semiconductor element 32 is mounted on the chip mounting substrate 31. Specifically, the optical semiconductor element 32 is electrically connected to the wiring conductor formed on the chip mounting substrate 31 via, for example, an adhesive material such as solder or a conductive adhesive, or a bonding wire. .
光半導体素子３２は、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。なお、光半導体素子３２の厚みは、例えば３０μｍ以上１０００μｍ以下である。 The optical semiconductor element 32 is formed by subjecting a substrate such as sapphire, gallium nitride, aluminum nitride, zinc oxide, silicon carbide, silicon or zirconium diboride to a chemical vapor deposition method such as a metal organic chemical vapor deposition method or a molecular beam epitaxial growth method. And produced by growing a semiconductor layer. The thickness of the optical semiconductor element 32 is not less than 30 μm and not more than 1000 μm, for example.
光半導体素子３２は、第１半導体層と、第１半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２半導体層とから構成されている。 The optical semiconductor element 32 includes a first semiconductor layer, a light emitting layer formed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer formed on the light emitting layer.
第１半導体層、発光層および第２半導体層は、例えばIII族窒化物半導体、ガリウム燐
またはガリウムヒ素等のIII−Ｖ族半導体、あるいは窒化ガリウム、窒化アルミニウムま
たは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第１半導
体層の厚みは、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。発光層の厚みは、例えば２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。第２半導体層の厚みは、例えば５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、このように構成された光半導体素子３２では、例えば３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波長範囲の励起光を発することができる。
The first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer are, for example, a group III nitride semiconductor, a group III-V semiconductor such as gallium phosphide or gallium arsenide, or a group III nitride semiconductor such as gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride. Etc. can be used. The thickness of the first semiconductor layer is, for example, 1 μm or more and 5 μm or less. The thickness of the light emitting layer is, for example, 25 nm or more and 150 nm or less. The thickness of the second semiconductor layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 600 nm. In addition, the optical semiconductor element 32 configured as described above can emit excitation light having a wavelength range of, for example, 370 nm to 420 nm.
チップ実装基板３１上には、光半導体素子３２を取り囲むように枠状の枠体３３が設けられている。枠体３３は、チップ実装基板３１上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体３３は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の多孔質材料からなる。枠体３３は、多孔質材料からなり、枠体３３の表面は微細な孔が多数形成される。 A frame-shaped frame 33 is provided on the chip mounting substrate 31 so as to surround the optical semiconductor element 32. The frame 33 is connected to the chip mounting substrate 31 via, for example, solder or an adhesive. The frame 33 is a ceramic material, and is made of a porous material such as aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, or yttrium oxide. The frame 33 is made of a porous material, and many fine holes are formed on the surface of the frame 33.
枠体３３は、光半導体素子３２と間を空けて、光半導体素子３２の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体３３は、傾斜する内壁面が下端から上端に行く従って外方
に向かって広がるように形成されている。そして、枠体３３の内壁面が、光半導体素子３２から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体３３の内壁面が拡散面である場合には、光半導体素子３２から発せられる光が、枠体３３の内壁面にて拡散反射する。そして、光半導体素子３２から発せられる光は、特定箇所に集中されず、上方に向かって光を進行させることができる。
The frame 33 is formed so as to surround the optical semiconductor element 32 with a space from the optical semiconductor element 32. Further, the frame 33 is formed so that the inclined inner wall surface extends from the lower end to the upper end and thus spreads outward. The inner wall surface of the frame 33 functions as a reflection surface for excitation light emitted from the optical semiconductor element 32. When the inner wall surface of the frame 33 is a diffusing surface, the light emitted from the optical semiconductor element 32 is diffusely reflected on the inner wall surface of the frame 33. And the light emitted from the optical semiconductor element 32 is not concentrated in a specific location, but can advance light upward.
また、枠体３３の傾斜する内壁面は、例えばタングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、光半導体素子３２の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体３３の内壁面の傾斜角度は、チップ実装基板３１の上面に対して例えば５５度以上７０度以下の角度に設定されている。 The inclined inner wall surface of the frame 33 may be formed with a metal layer made of, for example, tungsten, molybdenum, copper, or silver, and a plated metal layer made of nickel, gold, or the like that covers the metal layer. The plated metal layer has a function of reflecting light emitted from the optical semiconductor element 32. The inclination angle of the inner wall surface of the frame 33 is set to an angle of, for example, 55 degrees or more and 70 degrees or less with respect to the upper surface of the chip mounting substrate 31.
枠体３３で囲まれる領域には、封止樹脂３４が充填されている。封止樹脂３４は、光半導体素子３２を封止するとともに、光半導体素子３２から発せられる光が透過する機能を備えている。封止樹脂３４は、枠体３３の内方に光半導体素子３２を収容した状態で、枠体３３で囲まれる領域であって、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂を用いることができる。 A region surrounded by the frame 33 is filled with a sealing resin 34. The sealing resin 34 has a function of sealing the optical semiconductor element 32 and transmitting light emitted from the optical semiconductor element 32. The sealing resin 34 is a region surrounded by the frame body 33 in a state in which the optical semiconductor element 32 is accommodated inside the frame body 33, and is a translucent insulating material such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin. Resin can be used.
波長変換部材３６は、枠体３３に支持されるとともに、光半導体素子３２と間を空けて対向するように設けられる。また、波長変換部材３６は、光半導体素子３２を封止する封止樹脂３４と空隙を介して枠体３３に設けられる。 The wavelength conversion member 36 is supported by the frame 33 and provided to face the optical semiconductor element 32 with a space therebetween. The wavelength conversion member 36 is provided on the frame 33 via a sealing resin 34 that seals the optical semiconductor element 32 and a gap.
波長変換部材３６は、接着樹脂３５を介して枠体３３に接合されている。接着樹脂３５は、波長変換部材３６の下面の端部から波長変換部材３６の側面、さらに波長変換部材３６の上面の端部にかけて被着している。 The wavelength conversion member 36 is joined to the frame body 33 via the adhesive resin 35. The adhesive resin 35 is attached from the end of the lower surface of the wavelength conversion member 36 to the side surface of the wavelength conversion member 36 and further to the end of the upper surface of the wavelength conversion member 36.
接着樹脂３５は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、接着樹脂３５は、例えばポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。 As the adhesive resin 35, for example, a thermosetting resin such as a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cyanate resin, a silicone resin, or a bismaleimide triazine resin can be used. The adhesive resin 35 may be a thermoplastic resin such as a polyether ketone resin, a polyethylene terephthalate resin, or a polyphenylene ether resin.
接着樹脂３５の材料は、枠体３３の熱膨張率と波長変換部材３６の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択される。接着樹脂３５の材料としてこのような材料を選択することで、枠体３３と波長変換部材３６とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ止めることができる。 As the material of the adhesive resin 35, a material having a thermal expansion coefficient that is between the thermal expansion coefficient of the frame 33 and the thermal expansion coefficient of the wavelength conversion member 36 is selected. By selecting such a material as the material of the adhesive resin 35, when the frame 33 and the wavelength conversion member 36 are thermally expanded, they are about to peel off due to the difference in thermal expansion coefficient between the two. Can be suppressed, and both can be satisfactorily connected.
接着樹脂３５が、波長変換部材３６の下面の端部にまで被着することで、接着樹脂３５が被着する面積を大きくし、枠体３３と波長変換部材３６とを強固に接続することができる。その結果、枠体３３と波長変換部材３６の接続強度を向上させることができ、波長変換部材３６の撓みが抑制される。そして、光半導体素子３２と波長変換部材３６との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。 By adhering the adhesive resin 35 to the end of the lower surface of the wavelength conversion member 36, the area to which the adhesive resin 35 is applied can be increased, and the frame 33 and the wavelength conversion member 36 can be firmly connected. it can. As a result, the connection strength between the frame 33 and the wavelength conversion member 36 can be improved, and bending of the wavelength conversion member 36 is suppressed. And it can control effectively that the optical distance between optical semiconductor element 32 and wavelength conversion member 36 changes.
波長変換部材３６は、光半導体素子３２から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部材３６には、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等から成り、その樹脂中に、例えば４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば５９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の蛍光を発する赤色蛍光体
が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部材３６中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部材３６の厚みは、例えば０．５以上３ｍｍ以下に設定されている。
The wavelength conversion member 36 emits light when excitation light emitted from the optical semiconductor element 32 is incident on the inside and the phosphor contained therein is excited. Here, the wavelength conversion member 36 is made of, for example, a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or the like, and emits a blue phosphor that emits fluorescence of, for example, 430 nm to 490 nm in the resin, for example, fluorescence of 500 nm to 560 nm. A green phosphor, for example, a yellow phosphor that emits fluorescence of 540 to 600 nm, for example, a red phosphor that emits fluorescence of 590 to 700 nm is contained. The phosphor is contained so as to be uniformly dispersed in the wavelength conversion member 36. In addition, the thickness of the wavelength conversion member 36 is set to 0.5 or more and 3 mm or less, for example.
また、波長変換部材３６の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部材３６の厚みは、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、波長変換部材３６の厚みの誤差が０．１ｍｍ以下のものを含む。波長変換部材３６の厚みを一定にすることにより、波長変換部材３６にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材３６における輝度むらを抑制することができる。 Further, the thickness of the end portion of the wavelength conversion member 36 is set to be constant. The thickness of the wavelength conversion member 36 is set to 0.5 mm or more and 3 mm or less, for example. Here, that the thickness is constant includes a thickness error of the wavelength conversion member 36 of 0.1 mm or less. By making the thickness of the wavelength conversion member 36 constant, the amount of light excited by the wavelength conversion member 36 can be adjusted to be uniform, and uneven brightness in the wavelength conversion member 36 can be suppressed. it can.
次に、筐体２について説明する。筐体２は、半導体発光モジュール３を保持する機能と、半導体発光モジュール３の発する熱を外部に放散させる機能を有している。側壁部材２ｂは、例えばアルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチックまたは樹脂等から構成され、平面視して直方体形状であって、開口部Ｈを有している。そして、開口部Ｈ内に、複数の半導体発光モジュール３を実装することができる。なお、筐体２は、平面視して長手方向の長さが、例えば５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であって、平面視して短手方向の長さが、例えば１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下に設定されている。また、筐体２は、縦断面視したときの上下方向の長さが、例えば１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下に設定されている。 Next, the housing 2 will be described. The housing 2 has a function of holding the semiconductor light emitting module 3 and a function of dissipating heat generated by the semiconductor light emitting module 3 to the outside. The side wall member 2b is made of, for example, a metal such as aluminum, copper, or stainless steel, plastic, resin, or the like, has a rectangular parallelepiped shape in plan view, and has an opening H. A plurality of semiconductor light emitting modules 3 can be mounted in the opening H. The casing 2 is set to have a length in the longitudinal direction of, for example, 50 mm or more and 2000 mm or less in plan view, and a length in the short direction of, for example, 10 to 50 mm in plan view. In addition, the length of the casing 2 in the vertical direction when viewed in a longitudinal section is set to, for example, 10 mm or more and 50 mm or less.
筐体２は、半導体発光モジュール３の発する熱を効率よく外部に放散することによって、半導体発光モジュール３の傾斜角度が変化するのを低減することができ、それによって外部に取り出される光の指向性を良好に維持することができる。筐体２の熱伝導率は、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下で設定されている。なお、筐体２内には、半導体発光モジュール３が、板状部材２ａに螺子またはボルト等の固定部材を介して固定する。 The casing 2 can reduce the change in the inclination angle of the semiconductor light emitting module 3 by efficiently dissipating the heat generated by the semiconductor light emitting module 3 to the outside, thereby directing the light extracted outside. Can be maintained well. The thermal conductivity of the housing 2 is set to, for example, 10 W / m · K or more and 500 W / m · K or less. In the housing 2, the semiconductor light emitting module 3 is fixed to the plate member 2a via a fixing member such as a screw or a bolt.
側壁部材２ｂは、縦断面視して外側面が平面状に形成されている。側壁部材２ｂの外側面が平面状であることで、外部の平坦面に側壁部材２ｂを接続するときに、両者の接触面積を大きくすることでき、両者を接続しやすくするとともに、外部の平坦面との接続部を介して半導体発光モジュール３からの熱を効率よく放熱することができる。 The side wall member 2b has a flat outer surface when viewed in a longitudinal section. Since the outer surface of the side wall member 2b is flat, when the side wall member 2b is connected to an external flat surface, the contact area between the two can be increased, the two can be easily connected, and the external flat surface The heat from the semiconductor light emitting module 3 can be efficiently radiated through the connecting portion.
側壁部材２ｂのそれぞれの一端には内方に向かって突出した支持部２ｂｘが設けられている。そして、対向する一対の支持部２ｂｘの一方から他方にわたって矩形状の光透過性カバー５が設けられる。さらに、支持部２ｂｘの内壁面には、リフレクター４を嵌める溝Ｌが設けられている。溝Ｌが設けられることで、リフレクター４を脱着可能なように接続することができる。その結果、支持部２ｂｘに対してリフレクター４を簡単に取り外すことができ、照明器具の組み立て容易性を向上させることができる。さらに、溝Ｌは、半導体発光モジュールから側壁部材２ｂを介してリフレクター４に伝達される熱を低減することができるとともに、溝Ｌの内周面から筐体２の内部に放散することができ、半導体発光モジュールの温度上昇を抑制することができる。 A support portion 2bx projecting inward is provided at one end of each side wall member 2b. A rectangular light-transmitting cover 5 is provided from one to the other of the pair of opposing support portions 2bx. Furthermore, a groove L into which the reflector 4 is fitted is provided on the inner wall surface of the support portion 2bx. By providing the groove L, the reflector 4 can be connected so as to be removable. As a result, the reflector 4 can be easily removed from the support portion 2bx, and the ease of assembly of the lighting fixture can be improved. Furthermore, the groove L can reduce heat transferred from the semiconductor light emitting module to the reflector 4 through the side wall member 2b, and can be dissipated from the inner peripheral surface of the groove L to the inside of the housing 2. The temperature rise of the semiconductor light emitting module can be suppressed.
筐体２は、図３に示すように、板状部材２ａの両端部に側壁部材２ｂが接続されている。そして、板状部材２ａと側壁部材２ｂとが接続される個所に、板状部材２ａの長手方向に沿って凹部Ｐが設けられている。凹部Ｐは、板状部材２ａの長手方向に沿って板状部材２ａの一端から他端にかけて設けられている。なお、凹部Ｐは、板状部材２ａの長手方向に沿った方向に貫通しており、内壁面が曲面に形成されている。 As shown in FIG. 3, the housing 2 has side wall members 2b connected to both ends of the plate-like member 2a. And the recessed part P is provided in the location where the plate-shaped member 2a and the side wall member 2b are connected along the longitudinal direction of the plate-shaped member 2a. The recess P is provided from one end of the plate member 2a to the other end along the longitudinal direction of the plate member 2a. In addition, the recessed part P has penetrated in the direction along the longitudinal direction of the plate-shaped member 2a, and the inner wall surface is formed in the curved surface.
板状部材２ａは、半導体発光モジュール３が実装されるため、半導体発光モジュール３が光を発するときに、光の一部が熱となって、半導体発光モジュール３が高温になること
がある。そして、半導体発光モジュール３の熱が板状部材２ａに伝わり、板状部材２ａから一対の側壁部材２ｂに熱が伝わろうとする。側壁部材２ｂの一端には、支持部２ｂｘが設けられており、支持部２ｂｘに光透過性カバー５が支持されているため、光透過性カバー５に半導体発光モジュール３が発する熱の多くが伝わると、光透過性カバー５が熱変形したり、光透過性カバー５の透明度が悪化したりして、光透過性カバー５が破壊される虞がある。そこで、板状部材２ａと側壁部材２ｂとが接続される個所に、板状部材２ａの長手方向に沿って凹部Ｐを設けることで、板状部材２ａから側壁部材２ｂに伝わる熱量を低減することができ、側壁部材２ｂから支持部２ｂｘを介して光透過性カバー５に伝わる熱量を抑えることができる。その結果、側壁部材２ｂおよび光透過性カバー５が高温になるのを抑制することができ、側壁部材２ｂまたは光透過性カバー５が破壊される虞を少なくすることができる。
Since the semiconductor light emitting module 3 is mounted on the plate-like member 2a, when the semiconductor light emitting module 3 emits light, part of the light may become heat and the semiconductor light emitting module 3 may become high temperature. Then, the heat of the semiconductor light emitting module 3 is transmitted to the plate-like member 2a, and the heat is transmitted from the plate-like member 2a to the pair of side wall members 2b. One end of the side wall member 2b is provided with a support portion 2bx, and the light transmissive cover 5 is supported by the support portion 2bx. Therefore, most of the heat generated by the semiconductor light emitting module 3 is transmitted to the light transmissive cover 5. Then, the light transmissive cover 5 may be thermally deformed or the transparency of the light transmissive cover 5 may be deteriorated, so that the light transmissive cover 5 may be destroyed. Therefore, the amount of heat transferred from the plate member 2a to the side wall member 2b can be reduced by providing a recess P along the longitudinal direction of the plate member 2a at the place where the plate member 2a and the side wall member 2b are connected. The amount of heat transmitted from the side wall member 2b to the light transmissive cover 5 via the support portion 2bx can be suppressed. As a result, the side wall member 2b and the light transmissive cover 5 can be prevented from becoming high temperature, and the possibility that the side wall member 2b or the light transmissive cover 5 is destroyed can be reduced.
また、筐体２を側面視したときに、筐体２の側面部分が貫通して内部が露出している。そこで、筐体２の側面部分を覆うように、側面カバー６が設けられる。側面カバー６には、螺子孔６ａが設けられている。また、螺子孔６ａは、側面視して筐体２の凹部Ｐと重なる位置に設けられている。そして、側面カバー６は、螺子６ｂを螺子孔６ａおよび凹部Ｐの端部に通して、筐体２に接続することができる。なお、螺子孔６ａの大きさは、凹部Ｐの大きさと一致するように形成されている。 Further, when the housing 2 is viewed from the side, the side portion of the housing 2 penetrates and the inside is exposed. Therefore, a side cover 6 is provided so as to cover the side part of the housing 2. The side cover 6 is provided with screw holes 6a. Further, the screw hole 6 a is provided at a position overlapping the concave portion P of the housing 2 in a side view. The side cover 6 can be connected to the housing 2 by passing the screw 6b through the screw hole 6a and the end of the recess P. The size of the screw hole 6a is formed so as to coincide with the size of the recess P.
筐体２に対して側面カバー６を接続するのに、筐体２に設けられた凹部Ｐを用いることができ、筐体２に別の螺子孔を設ける必要がなく、螺子孔６ａとして凹部Ｐを兼用することができる。その結果、筐体２に新たな螺子孔加工を必要とせず、筐体２の製造工程を単純化することができる。 In order to connect the side cover 6 to the housing 2, the concave portion P provided in the housing 2 can be used, and it is not necessary to provide another screw hole in the housing 2, and the concave portion P is formed as the screw hole 6a. Can also be used. As a result, it is possible to simplify the manufacturing process of the housing 2 without requiring a new screw hole processing in the housing 2.
照明器具１に用いられる半導体発光モジュール３は、特に、配向分布においてサイドローブの光の強度が小さく配向分布の中央部に集中するため、指向性が優れている。そのため、半導体発光モジュール３を用いた照明を店舗内に使用した場合は、店舗内では照明が光っていることを認識することができるが、店舗外から店舗内を見たときは、発光ダイオードの光は店舗内から店舗外に漏れ出にくいため、店舗が暗く見えてしまう。そのため、半導体発光モジュール３に用いる発光素子３ａを多く用いることで、照明器具１の発する輝度を向上させることができるが、多くの発光素子３ａを用いた場合は、熱が半導体発光モジュール３から多く発生することになる。そこで、筐体２に凹部Ｐを設けることで、半導体発光モジュール３の発する熱が筐体２の側壁部材２ｂまたは光透過性カバー５に伝わりにくくすることができ、筐体２の側壁部材２ｂまたは光透過性カバー５が高温になるのを抑制することができる。 The semiconductor light emitting module 3 used in the lighting fixture 1 is excellent in directivity because the intensity of side lobe light is particularly small in the orientation distribution and concentrated in the center of the orientation distribution. Therefore, when the lighting using the semiconductor light emitting module 3 is used in the store, it can be recognized that the lighting is shining in the store. Since light is difficult to leak out of the store from inside the store, the store looks dark. Therefore, the luminance emitted from the lighting fixture 1 can be improved by using many light emitting elements 3a used in the semiconductor light emitting module 3. However, when many light emitting elements 3a are used, heat is generated from the semiconductor light emitting module 3. Will occur. Therefore, by providing the recess P in the housing 2, it is possible to make it difficult for the heat generated by the semiconductor light emitting module 3 to be transmitted to the side wall member 2 b or the light transmissive cover 5 of the housing 2. It is possible to suppress the light transmissive cover 5 from becoming high temperature.
本実施形態によれば、筐体２内に半導体発光モジュール３が発する熱が伝わりにくいように、筐体２の板状部材２ａと筐体２の側壁部材２ｂとが接続される個所に、板状部材２ａの長手方向に沿って凹部Ｐを設けることで、筐体２の側壁部材２ｂまたは光透過性カバー５が高温になるのを抑制することができ、半導体発光モジュール３が発する光の指向性を良好に維持することができるとともに、照明器具１を天井面などに取り付ける際に加えられる、螺子止めなどによる筐体２への応力を凹部Ｐで緩和することができ、外的な応力による半導体発光モジュール３、リフレクター４または光透過性カバー５の割れや歪み、反りなどの損傷や変形を抑制することができる。 According to the present embodiment, the plate 2 2a of the housing 2 and the side wall member 2b of the housing 2 are connected to each other so that the heat generated by the semiconductor light emitting module 3 is not easily transmitted into the housing 2. By providing the recess P along the longitudinal direction of the member 2a, the side wall member 2b of the housing 2 or the light transmissive cover 5 can be prevented from becoming high temperature, and the direction of light emitted from the semiconductor light emitting module 3 can be suppressed. In addition to being able to maintain good performance, stress applied to the housing 2 due to screwing or the like, which is applied when the lighting apparatus 1 is attached to a ceiling surface or the like, can be relieved by the concave portion P, and due to external stress Damage and deformation such as cracking, distortion, and warping of the semiconductor light emitting module 3, the reflector 4, or the light transmissive cover 5 can be suppressed.
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.
＜照明器具の製造方法＞
ここで、図１に示す照明器具の製造方法を説明する。まず、発光素子３ａを準備する。
チップ実装基板３１および枠体３３が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。
<Method for manufacturing lighting apparatus>
Here, the manufacturing method of the lighting fixture shown in FIG. 1 is demonstrated. First, the light emitting element 3a is prepared.
When the chip mounting substrate 31 and the frame 33 are made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the aluminum oxide raw material powder to obtain a mixture.
チップ実装基板３１は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形され、枠体３３は、型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前のチップ実装基板３１および枠体３３が取り出される。 The chip mounting substrate 31 is formed into a sheet-like ceramic green sheet, and the frame 33 is filled with the mixture in the mold and dried, and the chip mounting substrate 31 and the frame 33 before being sintered are taken out. .
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出したチップ実装基板３１となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体３３は、所望の温度で焼結されることによって形成される。 Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. And it prints with a predetermined pattern on the ceramic green sheet used as the chip | tip mounting board | substrate 31 taken out, a several ceramic green sheet is laminated | stacked, it bakes, and it cut | disconnects to a predetermined shape. The frame 33 is formed by sintering at a desired temperature.
次に、チップ実装基板３１上の配線パターンに光半導体素子３２を半田を介して電気的に実装した後、光半導体素子３２を取り囲むように枠体３３を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体３３で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、このシリコーン樹脂を硬化させることで、封止樹脂３４を形成する。 Next, after the optical semiconductor element 32 is electrically mounted on the wiring pattern on the chip mounting substrate 31 via solder, the frame 33 is placed on the substrate with an adhesive such as acrylic resin so as to surround the optical semiconductor element 32. Glue through. Then, the sealing resin 34 is formed by filling the region surrounded by the frame body 33 with, for example, a silicone resin and curing the silicone resin.
次に、波長変換部材３６を準備する。波長変換部材３６は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて、作製することができる。例えば、波長変換部材３６は、未硬化の波長変換部材３６を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることができる。 Next, the wavelength conversion member 36 is prepared. The wavelength conversion member 36 can be manufactured by mixing a phosphor with an uncured resin and using a sheet molding technique such as a doctor blade method, a die coater method, an extrusion method, a spin coating method, or a dip method. . For example, the wavelength conversion member 36 can be obtained by filling an uncured wavelength conversion member 36 in a mold, curing it, and taking it out.
そして、準備した波長変換部材３６を枠体３３上に、例えば樹脂からなる接着樹脂３５を介して接着することで、発光素子３ａを作製することができる。 And the light emitting element 3a is producible by adhere | attaching the prepared wavelength conversion member 36 on the frame 33 through the adhesive resin 35 which consists of resin, for example.
さらに、実装基板３ｂを準備する。実装基板３ｂは、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、実装基板３ｂに発光素子３ａを半田を介して電気的に実装することで、半導体発光モジュール３を作製することができる。 Further, a mounting substrate 3b is prepared. For example, a printed wiring board can be used as the mounting board 3b. Then, the semiconductor light emitting module 3 can be manufactured by electrically mounting the light emitting element 3a on the mounting substrate 3b via solder.
次に、筐体２およびリフレクター４を準備する。筐体２およびリフレクター４は、例えば、押出成形法によって一体に成形されている。しかしながら、必ずしも一体成形で形成する必要はなく、各部材を別個に製造して、これらを螺子等の締結手段で締結してもよく、また、各部材を接着剤で接着して一体化させてもよい。なお、リフレクター４には、例えばアルミニウム材料を用いて蒸着を行うことで、リフレクター４の表面を光が反射しやすい反射面にすることができる。 Next, the housing 2 and the reflector 4 are prepared. The housing 2 and the reflector 4 are integrally formed by, for example, an extrusion method. However, it is not necessarily formed by integral molding, and each member may be manufactured separately and fastened with a fastening means such as a screw, or each member may be bonded and integrated with an adhesive. Also good. In addition, the reflector 4 can be made into the reflective surface where light easily reflects the surface of the reflector 4 by performing vapor deposition using, for example, an aluminum material.
そして、半導体発光モジュール３を筐体２内に収容し、リフレクター４を筐体２の凸部２ｂｙに引っ掛けてはめることで固定する。そして、筐体２に光透過性カバー５を取り付けることで、照明器具１を作製することができる。 Then, the semiconductor light emitting module 3 is housed in the housing 2, and the reflector 4 is fixed by being hooked on the convex portion 2 by of the housing 2. And the lighting fixture 1 can be produced by attaching the light-transmissive cover 5 to the housing | casing 2. FIG.
１ 照明器具
２ 筐体
２ａ 板状部材
２ｂ 側壁部材
２ｂｘ 支持部
２ｂｙ 凸部
３ 半導体発光モジュール
３ａ 発光素子
３ｂ 実装基板
３１ チップ実装基板
３２ 光半導体素子
３３ 枠体
３４ 封止樹脂
３５ 接着樹脂
３６ 波長変換部材
４ リフレクター
４ａ 開口孔
４ｂ 端部
５ 光透過性カバー
６ 側面カバー
６ａ 螺子孔
６ｂ 螺子
Ｈ 開口部
Ｐ 凹部
Ｌ 溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lighting fixture 2 Case 2a Plate-like member 2b Side wall member 2bx Support part 2by Protrusion part 3 Semiconductor light emitting module 3a Light emitting element 3b Mounting board 31 Chip mounting board 32 Optical semiconductor element 33 Frame 34 Sealing resin 35 Adhesive resin 36 Wavelength conversion Member 4 Reflector 4a Opening hole 4b End part 5 Light transmissive cover 6 Side cover 6a Screw hole 6b Screw H Opening part P Concave L Groove
Claims (5)
前記板状部材に設けられた、前記開口部に向かって光を発する半導体発光モジュールとを備え、
前記板状部材と前記側壁部材とが接続されている個所において、前記板状部材および前記側壁部材の両方にかけて長手方向に沿った凹部が設けられていることを特徴とする照明器具。 A rectangular plate-like member extending in a planar direction and a side wall member arranged along both sides in the longitudinal direction of the plate-like member, and is long so as to be positioned above the plate-like member between the side wall members A housing having an opening provided along a direction;
A semiconductor light emitting module that emits light toward the opening provided on the plate-shaped member;
In the place where the said plate-shaped member and the said side wall member are connected, the recessed part along a longitudinal direction is provided over both the said plate-shaped member and the said side wall member, The lighting fixture characterized by the above-mentioned.
前記側壁部材の一端には、前記筐体の内方に向かって突出した支持部が設けられており、前記支持部に矩形状の光透過性カバーがさらに設けられていることを特徴とする照明器具。 The lighting fixture according to claim 1,
One end of the side wall member is provided with a support portion protruding inward of the housing, and the support portion is further provided with a rectangular light-transmitting cover. Instruments.
前記筐体内には、前記半導体発光モジュールの発する光を反射するリフレクターがさらに設けられており、前記リフレクターは、前記筐体の内側にひっかかるように、前記半導体発光モジュールと間を空けて配置されていることを特徴とする照明器具。 The lighting fixture according to claim 2,
A reflector that reflects light emitted from the semiconductor light emitting module is further provided in the housing, and the reflector is disposed with a space between the semiconductor light emitting module so as to be caught inside the housing. A lighting apparatus characterized by having
前記カバーは、縦断面視して外側面が平面状であることを特徴とする照明器具。 The lighting apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The cover has a flat outer surface as viewed in a longitudinal section.
前記凹部の内壁面は、曲面であることを特徴とする照明器具。 A lighting apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The lighting device is characterized in that an inner wall surface of the recess is a curved surface.
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