JP2012233265A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、前記処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に基板を収容する工程と、少なくとも1種の原料を2つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで前記処理室内に供給する工程と、を有する。
【選択図】図4
Description
また、良好なステップカバレッジを得ることが出来る。しかし、その反面、CVD法を用いた場合と比較して成膜速度が遅いので、所望の膜厚を得るために時間がかかり、基板のサーマルバジェットを増加させてしまう。
本実施形態に係る基板処理装置は、半導体装置(IC(Integrated Circuits))の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。しかし、本発明は、縦型装置の使用を前提としたものに限らず、例えば、枚葉装置を使用しても良い。
図1に示す通り、基板処理装置101では、基板の一例となるウエハ200を収納したカセット110が使用されている。ウエハ200はシリコン等の材料から構成されている。基板処理装置101は筐体111を備えている。筐体111の内部にはカセットステージ114が設置されている。カセット110は、カセットステージ114上に工程内搬送装置(図示略)によって搬入されたり、カセットステージ114上から搬出されたりする。
続いて、基板処理装置101の主な動作について説明する。
次に、図2及び図3を用いて、前述した基板処理装置101に適用される処理炉202について説明する。
なお、APCバルブ243は、弁を開閉して処理室201内の真空排気・真空排気停止ができ、更に、弁開度を調整して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ243、真空ポンプ246、圧力センサ245により排気系が構成される。
次に、上述の基板処理装置101が備える処理炉202を用いて、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、大規模集積回路(Large Scale Integration;LSI)を製造する際などに、基板上に絶縁膜を成膜する方法の例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置101を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
本実施形態では、導電性膜として窒化チタン膜を基板上に形成する方法について説明する。図10は、本実施形態に係る半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として実施される基板処理工程のフローを示す図である。また、図4は、本実施形態に係る基板処理工程で実施される成膜工程におけるガス供給シーケンスを示す図である。
第1の成膜工程としてのステップ11では、高速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するように、TiCl4とNH3とを同時に供給する。例えば、ガス供給管310内にTiCl4を流し、ガス供給管330内にNH3を流し、キャリアガス供給管510、530内にキャリアガス(N2)を流す。すなわち、ガス供給管310、330のバルブ314、334、キャリアガス供給管510、530のバルブ514、534および排気管231のバルブ243を共に開け、ガス供給管320のバルブ324を閉める。キャリアガスは、キャリアガス供給管510、530内を流れ、マスフローコントローラ512により流量調整される。
第2の成膜工程としてのステップ12では、低速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するように、NH3の供給量は変えず、TiCl4の供給量のみを減少させる。TiCl4の供給量を減少させるには、ガス供給管310にはTiCl4を流さず、ガス供給管320にのみTiCl4を流すようにする(ノズル410のガス供給孔410aの開口面積が、ノズル420のガス供給孔420aの開口面積より大きく構成されている場合)。すなわち、ガス供給管310のバルブ314を閉じ、ガス供給管320のバルブ324を開ける。なお、TiCl4の供給量を減少させる他の方法としては、ステップ11でバルブ314,324の両方を開けてガス供給管310及びガス供給管320の両方からをTiCl4供給するようにしておき、ステップ12でバルブ314,324のいずれか一方を閉めるようにしてもよい。また、マスフローコントローラ312を調整して気化器700に供給するTiCl4の流量(気化させるガスの量)を一時的に減少させるようにしてもよい。また、ガス供給管310の気化器700の下流側であってガス供給管320との接続箇所より上流側に図示しないマスフローコントローラを設け、係るマスフローコントローラにより供給量を減少させるようにしてもよい。
また、TiCl4に対するNH3の供給比を変化させて成膜を繰り返すことにより、供給比が大きいパルス(ステップ12)時に供給されるNH3の過剰分が、小さいパルス(ステップ11)時に形成された窒化チタン膜の膜質を改善するため、各ガスの供給量を制御することにより全体として膜質は均一となる(ムラはできにくい)。
本実施形態では、第1の実施形態と異なる箇所のみ説明する。図11は、本実施形態に係る半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として実施される基板処理工程のフローを示す図である。また、図5は、本実施形態に係る基板処理工程で実施される成膜工程におけるガス供給シーケンスを示す図である。
本実施形態に係る第1の成膜工程としてのステップ21では、高速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するように、上述の実施形態に係るステップ11と同じ条件にてTiCl4とNH3を同時に流す。
本実施形態に係る第2の成膜工程としてのステップ22では、低速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を形成するように、TiCl4の供給量を減少させると同時にNH3の供給量を増加させる。TiCl4の供給量を減少させるには、例えば上述したようにガス供給管310にはTiCl4を流さず、ガス供給管320にTiCl4を流す。すなわち、ガス供給管310のバルブ314を閉じ、ガス供給管320のバルブ324を共に開ける。TiCl4は、ガス供給管320内を流れ、流量調整されたキャリアガスと混合し、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給されつつ排気管231から排気される。処理室201内に供給されるTiCl4の供給量は、低速のCVD反応が生じる程度の供給量であって、例えば、例えば0.05〜0.3g/minである。
本実施形態では、第2の実施形態と異なる箇所のみ説明する。図12は、本実施形態に係る半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として実施される基板処理工程のフローを示す図である。また、図6は、本実施形態に係る基板処理工程で実施される成膜工程におけるガス供給シーケンスを示す図である。
本実施形態に係る第1の成膜工程としてのステップ31では、高速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するように、上述の実施形態に係るステップ11,21と同じ条件にてTiCl4とNH3を同時に流す。
本実施形態に係る第2の成膜工程としてのステップ32では、第1の低速CVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を形成するように、TiCl4の供給量を減少させると同時にNH3の供給量を所定時間減少させる。TiCl4の供給量を減少させるには、例えば上述したようにガス供給管310にはTiCl4を流さず、ガス供給管320にTiCl4を流す。すなわち、ガス供給管310のバルブ314を閉じ、ガス供給管320のバルブ324を共に開ける。TiCl4は、ガス供給管320内を流れ、流量調整されたキャリアガスと混合し、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給されつつ排気管231から排気される。処理室201内に供給されるTiCl4の供給量は、低速のCVD反応が生じる程度の供給量であって、例えば、0.05〜0.3g/minである。
本実施形態に係る第3の成膜工程としてのステップ33では、第2の低速CVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を形成するように、TiCl4の供給量を変えずに(減少させたまま)、NH3の供給量を所定時間増加させる。すなわち、マスフローコントローラ332によりNH3の供給量を制御し、例えば、実施形態1および実施形態2を考慮して5〜15slmに増加させる。TiCl4およびNH3にウエハ200を晒す時間は、例えば15〜120秒である。
本実施形態に係る第4の成膜工程としてのステップ34では、第3の低速CVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を形成するように、TiCl4の供給量を変えずに(減少させたまま)、NH3の供給量を再び所定時間減少させる。すなわち、マスフローコントローラ332によりNH3の供給量を制御し、例えば、0.3〜5.0slmに減少させる。TiCl4およびNH3にウエハ200を晒す時間は、例えば5〜30秒である。このとき形成される窒化チタン膜の成膜速度は、TiCl4の量が低速CVDと同程度なので低速CVD法による窒化チタン膜と同程度となる。膜質はTiCl4/NH3比が高速CVD法と低速CVD法の中間程度であるため、高速CVD法による窒化チタン膜と低速CVD法による窒化チタン膜の中間程度となる。
また、TiCl4に対するNH3の供給比を変化させて成膜を繰り返すことにより、供給比が大きいパルス(ステップ33)時に供給されるNH3の過剰分が、小さいパルス(ステップ31,32,34)時に形成された窒化チタン膜の膜質を改善するため、各ガスの供給量を制御することにより全体として膜質は均一となる(ムラはできにくい)。
本実施形態では、第1の実施形態と異なる箇所のみ説明する。図13は、本実施形態に係る半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として実施される基板処理工程のフローを示す図である。また、図7は、本実施形態に係る基板処理工程で実施される成膜工程におけるガス供給シーケンスを示す図である。
本実施形態に係る第1の成膜工程としてのステップ41では、高速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するように、上述の実施形態に係るステップ11,21,31と同じ条件にてTiCl4とNH3とを同時に流す。
本実施形態に係るガス除去工程としてのステップ42では、ガス供給管310、330のバルブ314、334を閉めて処理室201内へのTiCl4およびNH3の供給を停止し、バルブ614を開けてベントライン610へTiCl4を流す。このように、TiCl4の気化を停止させずに処理室201内へのTiCl4の供給を停止することで、後述するステップ43にてTiCl4の供給再開を迅速かつ安定して行うことができる。このときガス排気管231のバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留するTiCl4およびNH3を処理室201内から排除する。このとき、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留するTiCl4およびNH3を排除する効果が更に高まる。
本実施形態に係る第2の成膜工程としてのステップ43では、第1の実施形態に係るステップ12と同じように、低速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するように、NH3の供給量は変えず、TiCl4の供給量のみを減少させる。
本実施形態に係るガス除去工程としてのステップ44では、ガス供給管310、330のバルブ314、334を閉めて処理室201内へのTiCl4およびNH3の供給を停止し、バルブ614を開けてベントライン610へTiCl4を流す。このように、TiCl4の気化を停止させずに処理室201内へのTiCl4の供給を停止することで、ステップ41を再び実施する際に、TiCl4の供給再開を迅速かつ安定して行うことができる。このときガス排気管231のバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留するTiCl4およびNH3を処理室201内から排除する。このとき、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留するTiCl4およびNH3を排除する効果が更に高まる。
また、TiCl4に対するNH3の供給比を変化させて成膜を繰り返すことにより、供給比が大きいパルス(ステップ43)時に供給されるNH3の過剰分が、小さいパルス(ステップ41)時に形成された窒化チタン膜の膜質を改善するため、各ガスの供給量を制御することにより全体として膜質は均一となる(ムラはできにくい)。
本実施形態では、第2の実施形態と異なる箇所のみ説明する。図14は、本実施形態に係る半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として実施される基板処理工程のフローを示す図である。また、図8は、本実施形態に係る基板処理工程で実施される成膜工程におけるガス供給シーケンスを示す図である。
本実施形態に係る第1の成膜工程としてのステップ51では、高速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するように、上述の実施形態に係るステップ11,21,31と同じ条件にてTiCl4とNH3とを同時に流す。
本実施形態に係るガス除去工程としてのステップ52では、ガス供給管310、330のバルブ314、334を閉めて処理室201内へのTiCl4およびNH3の供給を停止し、バルブ614を開けてベントライン610へTiCl4を流す。このように、TiCl4の気化を停止させずに処理室201内へのTiCl4の供給を停止することで、後述するステップ53にてTiCl4の供給再開を迅速かつ安定して行うことができる。このときガス排気管231のバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留するTiCl4およびNH3を処理室201内から排除する。このとき、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留するTiCl4およびNH3を排除する効果が更に高まる。
本実施形態に係る第2の成膜工程としてのステップ53では、第2の実施形態に係るステップ22と同じように、低速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を形成するように、TiCl4の供給量をステップ51より減少させ、NH3の供給量をステップ51より増加させて処理室201内に供給する。
本実施形態に係るガス除去工程としてのステップ54では、ガス供給管310、330のバルブ314、334を閉めて処理室201内へのTiCl4およびNH3の供給を停止し、バルブ614を開けてベントライン610へTiCl4を流す。このように、TiCl4の気化を停止させずに処理室201内へのTiCl4の供給を停止することで、ステップ51を再び実施する際に、TiCl4の供給再開を迅速かつ安定して行うことができる。このときガス排気管231のバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留するTiCl4およびNH3を処理室201内から排除する。このとき、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留するTiCl4およびNH3を排除する効果が更に高まる。
また、TiCl4に対するNH3の供給比を変化させて成膜を繰り返すことにより、供給比が大きいパルス(ステップ53)時に供給されるNH3の過剰分が、小さいパルス(ステップ51)時に形成された窒化チタン膜の膜質を改善するため、各ガスの供給量を制御することにより全体として膜質は均一となる(ムラはできにくい)。
本実施形態では、第1の実施形態と異なる箇所のみ説明する。図15は、本実施形態に係る半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として実施される基板処理工程のフローを示す図である。また、図8は、本実施形態に係る基板処理工程で実施される成膜工程におけるガス供給シーケンスを示す図である。
本実施形態に係る第1の成膜工程としてのステップ61では、第1の実施形態に係るステップ11と同じように、高速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するよう、TiCl4とNH3とを処理室201内へ同時に供給する。
本実施形態に係る第2の成膜工程としてのステップ62では、第1の実施形態に係るステップ12と同じように、低速のCVD法を用いてウエハ200上に窒化チタン膜を成膜するよう、TiCl4の供給量をステップ61より減少させ、ステップ61と同じ供給量のNH3を処理室201内に供給する。
本実施形態に係るガス除去工程としてのステップ63では、ガス供給管310、330のバルブ314、334を閉めて処理室201内へのTiCl4およびNH3の供給を停止し、バルブ614を開けてベントライン610へTiCl4を流す。このように、TiCl4の気化を停止させずに処理室201内へのTiCl4の供給を停止することで、ステップ61,62を再び実施する際に、TiCl4の供給再開を迅速かつ安定して行うことができる。このときガス排気管231のバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留するTiCl4およびNH3を処理室201内から排除する。このとき、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留するTiCl4およびNH3を排除する効果が更に高まる。
また、TiCl4に対するNH3の供給比を変化させて成膜を繰り返すことにより、供給比が大きいパルス(ステップ62)時に供給されるNH3の過剰分が、小さいパルス(ステップ61)時に形成された窒化チタン膜の膜質を改善するため、各ガスの供給量を制御することにより全体として膜質は均一となる(ムラはできにくい)。
また、上記では、主に縦型の熱CVD装置について説明したが、本実施形態における少なくとも2種以上の異なるCVD法を用いた窒化チタン膜の形成については、熱CVD装置に限らず、プラズマCVD装置、光CVD装置など、他の装置にも適用可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
2種類以上のガスを反応させることにより、被処理基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、前記の反応に供するガスのうち少なくとも一つをパルス状にチャンバ内に供給し、かつ一連の成膜シーケンスで2種類以上の異なる形態のパルスを用いて薄膜を成膜することを特徴とする薄膜成膜装置が提供される。
(付記2)
好ましくは、成膜装置が5枚以上の基板を同時に処理するバッチ処理装置である。
(付記3)
好ましくは、少なくとも1種類のガスをチャンバ内に供給するガス導入部が、2種類存在する。
(付記4)
好ましくは、少なくとも1種類のガスをチャンバ内に供給するガス導入部が2本以上のノズルである。
(付記5)
好ましくは、ノズルが、それぞれ孔径の異なる多孔ノズルである。
(付記6)
好ましくは、成膜される薄膜が、金族化合物である。
(付記7)
好ましくは、成膜される薄膜が、窒化チタン(TiN)膜である。
(付記8)
好ましくは、成膜に供する反応ガスにTiCl4とNH3を含む。
(付記9)
好ましくは、一連の成膜シーケンスで、2種類以上の異なる形態のパルスを用いて供給されるガスがTiCl4である。
(付記10)
好ましくは、成膜装置において5枚以上の基板を同時に処理するバッチ処理を行う。
(付記11)
好ましくは、少なくとも1種類のガスをチャンバ内に供給する際に、形状の異なる2種類以上のノズルからガスを導入する。
(付記12)
好ましくは、成膜される薄膜が、金族化合物である。
(付記13)
好ましくは、成膜される薄膜が、窒化チタン(TiN)膜である。
(付記14)
本発明の他の態様によれば、
2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
少なくとも1種の原料を第1の供給量で処理室内に供給する第1の原料供給工程と、
この少なくとも1種の原料を第1の供給量とは異なる第2の供給量で処理室内に供給する第2の原料供給工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
(付記15)
本発明の他の態様によれば、2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
第1の原料を第1の供給量で処理室内に供給しつつ、第2の原料を第2の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第1の成膜工程と、
第1の原料を第1の供給量とは異なる第3の供給量で処理室内に供給しつつ第2の原料を第2の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第2の成膜工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
(付記16)
好ましくは、第1の成膜工程と第2の成膜工程を連続して行う。
(付記17)
好ましくは、第1の成膜工程と第2の成膜工程を複数回交互に繰り返す。
(付記18)
好ましくは、第3の供給量は第1の供給量より少ない。
(付記19)
好ましくは、第3の供給量は第2の供給量より少ない。
(付記20)
好ましくは、第1の原料は、Ti、Al、Si、Ta、Cu、Mn、Ru、W、Ge、Sb、Te、Hf、Zrのいずれか少なくとも1つを含む。
(付記21)
好ましくは、第1の原料は、ハロゲン系化合物もしくは有機系化合物である。
(付記23)
好ましくは、第1の原料は、ハロゲン系金属化合物もしくは有機系金属化合物である。
(付記24)
好ましくは、第1の原料は、ハロゲン系Si化合物もしくは有機系Si化合物である。
(付記25)
好ましくは、第2の原料は、O含有原料もしくはN含有原料である。
(付記26)
好ましくは、第2の原料は、NH3、N2、N2O、CH6N2、O2、O3、H2O、H2O2、O2及びH2のいずれかである。
(付記27)
好ましくは、基板上に形成される膜は、導電膜もしくは絶縁膜である。
(付記28)
好ましくは、基板上に形成される膜は、Ti、TiN、TiAlN、TiSiN、Ta、TaN、TaSiN、Al、Cu、Mn、MnO、Ru、W、GeSb、GeSbTe、HfO、HfON、HfSiO、HfSiON、HfAlO、HfAlON、ZrO、AlO、AlN、TiO、SiN、SiOのいずれかである。
(付記29)
本発明の他の態様によれば、2種以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
第1の原料を第1の供給量で処理室内に供給しつつ、第2の原料を第2の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第1の成膜工程と、
第1の原料を前記第1の供給量とは異なる第3の供給量で処理室内に供給しつつ第2の原料を第2の供給量とは異なる第4の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第2の成膜工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
(付記30)
好ましくは、第1の成膜工程と第2の成膜工程を連続して行う。
(付記31)
好ましくは、第1の成膜工程と第2の成膜工程を複数回交互に繰り返す。
(付記32)
好ましくは、第3の供給量は第1の供給量より少なく、第4の供給量は第2の供給量より多い。
(付記33)
好ましくは、第3の供給量は第4の供給量より少ない。
(付記34)
本発明の他の態様によれば、
2種以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
第1の原料を第1の供給量で処理室内に供給しつつ、第2の原料を第2の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第1の成膜工程と、
第1の原料を第1の供給量より少ない第3の供給量で処理室内に供給しつつ第2の原料を第2の供給量より少ない第4の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第2の成膜工程と、
第1の原料を第3の供給量で処理室内に供給しつつ、第2の原料を第2の供給量より多い第5の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第3の成膜工程と、
第1の原料を第3の供給量で処理室内に供給しつつ、第2の原料を第4の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第4の成膜工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
(付記35)
本発明の他の態様によれば、
2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
少なくとも1種の原料を第1の供給量で処理室内に供給して基板上に膜を形成する第1の成膜工程と、
少なくとも1種の原料を第1の供給量とは異なる第2の供給量で処理室内に供給して前記基板上に膜を形成する第2の成膜工程と、
2種類以上の原料を処理室から除去する原料除去工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
(付記35)
本発明の他の態様によれば、
2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、前記処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
処理室内に基板を収容する工程と、
少なくとも1種の原料を2つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで処理室内に供給する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
(付記36)
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
処理室内に複数の原料を同時に供給し、基板上に膜を形成する原料供給手段と、
少なくとも1種の原料を第1の供給量で処理室内に供給した後、少なくとも1種の原料を第1の供給量とは異なる第2の供給量で処理室内に供給することにより、基板上に膜を形成するよう原料供給手段を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
(付記37)
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
処理室内に複数の原料を同時に供給し、基板上に膜を形成する原料供給手段と、
少なくとも1種の原料を2つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで処理室内に供給するよう原料供給手段を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
(付記38)
本発明の他の態様によれば、
2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法により製造(形成)される半導体装置であって、
少なくとも1種の原料を第1の供給量で処理室内に供給する第1の原料供給工程と、
少なくとも1種の原料を第1の供給量とは異なる第2の供給量で処理室内に供給する第2の原料供給工程と、
を有する半導体装置の製造方法により製造(形成)される半導体装置が提供される。
(付記39)
本発明の他の態様によれば、
2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法により製造(形成)される半導体装置であって、
処理室内に基板を収容する工程と、
少なくとも1種の原料を2つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで処理室内に供給する工程と、
を備える半導体装置の製造方法により製造(形成)される半導体装置が提供される。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
217 ボート
218 ボート支持台
231 排気管
243 バルブ
246 真空ポンプ
267 ボート回転機構
280 コントローラ
310,320、330 ガス供給管
312,332 マスフローコントローラ
314,324,334 バルブ
410,420,430 ノズル
410a,420a、430a ガス供給孔
Claims (5)
- 2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、前記処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内に基板を収容する工程と、
少なくとも1種の原料を2つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで前記処理室内に供給する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 2種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、前記処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内に基板を収容する工程と、
少なくとも1種の原料を前記処理室内に同時に供給する前記2種類以上の原料の供給比が大きい供給比と小さい供給比となるように2つの異なる流量を供給して複数の連続的パルスで前記処理室内に供給する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記2種類以上の原料を前記処理室内から除去する原料除去工程をさらに有する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に複数の原料を同時に供給し、前記基板上に膜を形成する原料供給手段と、
少なくとも1種の原料を2つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで前記処理室内に供給するよう前記原料供給手段を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に複数の原料を同時に供給し、前記基板上に膜を形成する原料供給手段と、
少なくとも1種の原料を前記処理室内に同時に供給する前記2種類以上の原料の供給比が大きい供給比と小さい供給比となるように2つの異なる流量を供給して複数の連続的パルスで前記処理室内に供給するよう前記原料供給手段を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012172942A JP5385439B2 (ja) | 2009-08-04 | 2012-08-03 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009181637 | 2009-08-04 | ||
JP2009181637 | 2009-08-04 | ||
JP2012172942A JP5385439B2 (ja) | 2009-08-04 | 2012-08-03 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010160873A Division JP5087657B2 (ja) | 2009-08-04 | 2010-07-15 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012233265A true JP2012233265A (ja) | 2012-11-29 |
JP5385439B2 JP5385439B2 (ja) | 2014-01-08 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012172942A Active JP5385439B2 (ja) | 2009-08-04 | 2012-08-03 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5385439B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006169632A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属化合物膜の蒸着方法及び蒸着装置 |
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2012
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---|---|
JP5385439B2 (ja) | 2014-01-08 |
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