JP2012216628A - Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関し、特に、化合物半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a compound semiconductor device.
一般的に、集積回路において、半導体層上に成膜された誘電体膜には、誘電体膜を貫通するビア領域や、半導体層を切断するための溝状のスクライブ領域が形成される。貫通ビア領域やスクライブ領域を形成するには、成膜した誘電体膜を除去して半導体層を露出させる工程が必要である。しかしながら、半導体装置の製造工程において、貫通ビア領域やスクライブ領域に対応する位置の誘電体膜を開口するためだけの工程を追加すると、ウェハコストが増大するため、通常は配線層間のコンタクトエッチングと同時に誘電体膜に開口が形成される。 Generally, in an integrated circuit, a dielectric region formed on a semiconductor layer is formed with a via region that penetrates the dielectric layer and a groove-like scribe region for cutting the semiconductor layer. In order to form the through via region and the scribe region, a step of removing the formed dielectric film and exposing the semiconductor layer is necessary. However, in the manufacturing process of a semiconductor device, adding a process only for opening a dielectric film at a position corresponding to a through via region or a scribe region increases the wafer cost. An opening is formed in the dielectric film.
特許文献1に記載の半導体装置の製造方法では、誘電体膜を開口し半導体層を露出する技術として、ドライエッチングおよびウェットエッチングにより、誘電体膜に開口を形成する技術について開示されている。 In the method of manufacturing a semiconductor device described in Patent Document 1, as a technique for opening a dielectric film and exposing a semiconductor layer, a technique for forming an opening in the dielectric film by dry etching and wet etching is disclosed.
図5は、一般的な従来の半導体装置および半導体装置の製造方法を示す断面図である。 FIG. 5 is a cross-sectional view showing a general conventional semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.
まず、図5(a)に示すように、CVD法(化学気相成長法)等により、GaAsで構成される半導体層301上に、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等で構成される誘電体膜202が成膜される。次に、図5(b)に示すように、該誘電体膜302上に貫通ビア領域31を開口したレジスト303が形成される。次に、図5(c)に示すように、ドライエッチングにより、貫通ビア領域31における誘電体膜302がエッチングされ、貫通ビア領域31の半導体層301が露出される。
First, as shown in FIG. 5A, a dielectric film made of a silicon oxide film, a silicon nitride film or the like is formed on a
しかしながら、従来技術では、図5(c)に示すように、そのドライエッチング工程において、エッチング条件によってはポリマーと呼ばれる有機高分子物質が開口である貫通ビア領域31の側壁に不均一に堆積し、開口である貫通ビア領域31の側壁の誘電体膜302の形状が凹凸状に形成されることが知られている。特に、3−5族化合物半導体においては、3族元素に起因するポリマーにより良好な側壁形状を実現することが困難である。側壁形状が凹凸状に形成されると、後工程で成膜する配線もしくは誘電体膜302の段切れ、または、成膜する配線もしくは誘電体膜内にボイドが形成されるという、信頼性不良の原因となる。
However, in the conventional technique, as shown in FIG. 5C, in the dry etching process, an organic polymer substance called a polymer is unevenly deposited on the sidewall of the through via
本発明は、上記の課題を解決したもので、良好な側壁形状の開口を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device having a favorable sidewall-shaped opening and a semiconductor device.
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体層上に形成された誘電体膜の一部を前記誘電体膜の表面から所定の深さまでエッチングする第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程により前記誘電体膜がエッチングされた第1のエッチング領域において前記誘電体膜をエッチングして前記半導体層の表面を露出し、かつ、前記第1のエッチング領域を包含する第2のエッチング領域において前記第1のエッチング領域以外の領域に配置された前記誘電体膜を所定の膜厚までエッチングする第2のエッチング工程とを含む。 In order to solve the above problems, a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes etching a part of a dielectric film formed over a semiconductor layer from a surface of the dielectric film to a predetermined depth. And etching the dielectric film to expose the surface of the semiconductor layer in the first etching region where the dielectric film has been etched by the first etching process, and the first etching process. And a second etching step of etching the dielectric film disposed in a region other than the first etching region in a second etching region including the etching region to a predetermined film thickness.
この構成によれば、露出した半導体層と、半導体層に形成された開口の側壁に配置された誘電体膜の側壁とが近接することがなく、開口における誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制して、良好な側壁形状を有する半導体装置を提供することができる。 According to this configuration, the exposed semiconductor layer and the side wall of the dielectric film disposed on the side wall of the opening formed in the semiconductor layer are not adjacent to each other, and the side wall of the dielectric film in the opening is formed in an uneven shape. Thus, a semiconductor device having a favorable sidewall shape can be provided.
また、前記第1のエッチング工程および前記第2のエッチング工程のうち少なくとも一方を、異なる層に設けられた配線を接続するためのコンタクト領域を形成するために前記誘電体膜を開口する第3のエッチング工程と同時に行うこととしてもよい。 In addition, at least one of the first etching step and the second etching step is a third region in which the dielectric film is opened to form a contact region for connecting wirings provided in different layers. It may be performed simultaneously with the etching process.
この構成によれば、製造工程を増加することなく、半導体層に形成された開口の誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制することができる。 According to this configuration, the sidewalls of the dielectric film in the opening formed in the semiconductor layer can be prevented from being formed in an uneven shape without increasing the number of manufacturing steps.
また、前記半導体層は、3−5族化合物半導体であることとしてもよい。 The semiconductor layer may be a group 3-5 compound semiconductor.
また、前記第1のエッチング領域における前記誘電体膜の側壁と前記第2のエッチング領域における前記誘電体膜の側壁との距離は、0.5μm以上であることとしてもよい。 The distance between the sidewall of the dielectric film in the first etching region and the sidewall of the dielectric film in the second etching region may be 0.5 μm or more.
この構成によれば、半導体層に形成された開口において、半導体層が露出している領域から半導体層に形成された開口の誘電体膜の側壁を十分離すことができるので、半導体層に形成された開口の誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制することができる。 According to this configuration, in the opening formed in the semiconductor layer, the sidewall of the dielectric film of the opening formed in the semiconductor layer can be sufficiently separated from the region where the semiconductor layer is exposed. It is possible to prevent the sidewalls of the dielectric film in the opening from being formed uneven.
また、前記エッチングは、ドライエッチングであることとしてもよい。 Further, the etching may be dry etching.
また、前記第1のエッチング工程および第2のエッチング工程において、前記第2のエッチング領域の前記誘電体膜の膜厚が、第1のエッチング工程および第2のエッチング工程前の前記誘電体膜の膜厚の10%以上となるようにエッチングすることとしてもよい。 Further, in the first etching step and the second etching step, the thickness of the dielectric film in the second etching region is such that the dielectric film before the first etching step and the second etching step It is good also as etching so that it may become 10% or more of a film thickness.
この構成によれば、第2のエッチング領域に誘電体膜を確実に残すことができ、半導体層に形成された開口の誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制することができる。 According to this configuration, the dielectric film can be reliably left in the second etching region, and the sidewall of the dielectric film in the opening formed in the semiconductor layer can be prevented from being formed uneven. .
また、上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置は、前記誘電体膜の一部がエッチングされ前記誘電体膜から前記半導体層が露出した第1のエッチング領域と、前記第1のエッチング領域を含み、前記第1のエッチング領域以外の領域における前記誘電体膜が所定の膜厚までエッチングされた第2のエッチング領域とを備える。 In order to solve the above problem, a semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes a first etching region in which a part of the dielectric film is etched and the semiconductor layer is exposed from the dielectric film; A second etching region including a first etching region, wherein the dielectric film in a region other than the first etching region is etched to a predetermined thickness.
この構成によれば、露出した半導体層と、半導体層に形成された開口の側壁に配置された誘電体膜の側壁とが近接することがなく、開口における誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制して、良好な側壁形状を有する半導体装置を提供することができる。 According to this configuration, the exposed semiconductor layer and the side wall of the dielectric film disposed on the side wall of the opening formed in the semiconductor layer are not adjacent to each other, and the side wall of the dielectric film in the opening is formed in an uneven shape. Thus, a semiconductor device having a favorable sidewall shape can be provided.
また、前記半導体層は、3−5族化合物半導体であることとしてもよい。 The semiconductor layer may be a group 3-5 compound semiconductor.
また、前記第1のエッチング領域における前記誘電体膜の側壁と前記第2のエッチング領域における前記誘電体膜の側壁との距離は、0.5μm以上であることとしてもよい。 The distance between the sidewall of the dielectric film in the first etching region and the sidewall of the dielectric film in the second etching region may be 0.5 μm or more.
この構成によれば、半導体層が露出している領域から半導体層に形成された開口の誘電体膜の側壁を十分離すことができるので、半導体層に形成された開口の誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制することができる。 According to this configuration, since the sidewall of the dielectric film of the opening formed in the semiconductor layer can be sufficiently separated from the region where the semiconductor layer is exposed, the sidewall of the dielectric film of the opening formed in the semiconductor layer is It can suppress forming in an uneven shape.
また、前記第2のエッチング領域における前記誘電体膜の膜厚は、前記第1のエッチング工程および前記第2のエッチング工程前の前記誘電体膜の膜厚の10%以上であることとしてもよい。 The thickness of the dielectric film in the second etching region may be 10% or more of the thickness of the dielectric film before the first etching step and the second etching step. .
この構成によれば、第2のエッチング領域に誘電体膜を確実に残すことができ、半導体層に形成された開口の誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制することができる。 According to this configuration, the dielectric film can be reliably left in the second etching region, and the sidewall of the dielectric film in the opening formed in the semiconductor layer can be prevented from being formed uneven. .
本発明によれば、良好な側壁形状の開口を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method and semiconductor device of a semiconductor device which have favorable side wall-shaped opening can be provided.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本発明について、以下の実施形態および添付の図面を用いて説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明がこれらに限定されることを意図しない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, although this invention is demonstrated using the following embodiment and attached drawing, this is for the purpose of illustration and this invention is not intended to be limited to these.
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について、図を用いてより詳細に説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
本実施形態に係る半導体装置1は、図1(d)に示すように、半導体層であるGaAs基板101と、GaAs基板101上に形成された誘電体膜102とを備えている。また、誘電体膜102上には、第2のレジスト膜104が形成されている。誘電体膜102は、所定のパターンに形成され、一部が開口され、開口の底面にはGaAs基板101が露出している。
As shown in FIG. 1D, the semiconductor device 1 according to the present embodiment includes a
以下、半導体装置1の製造方法について説明する。図2は、本実施形態に係る半導体装置1の製造方法を示すフローチャートである。 Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor device 1 will be described. FIG. 2 is a flowchart showing a method for manufacturing the semiconductor device 1 according to the present embodiment.
まず、図1(a)に示すように、CVD法(化学気相成長法)等によりGaAs基板101上に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の誘電体膜102を1.0μm程度成膜し(ステップS10)、該誘電体膜102上に貫通ビアを形成する領域として、第1のエッチング領域11を開口した第1のレジスト膜103を形成する(ステップS11)。
First, as shown in FIG. 1A, a
次に、図1(b)に示すように、第1のエッチング領域11の誘電体膜102をGaAs基板101が露出しない所定の膜厚(例えば、誘電体膜102の10%以上)を残すようにドライエッチングする(ステップS12)。なお、この工程は、本実施形態における第1のエッチング工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1B, the
次に、図1(c)に示すように、第1のエッチング領域11を包含する第2のエッチング領域12を開口した第2のレジスト膜104を形成する(ステップS13)。この時、第1のエッチング領域11の側壁と第2のエッチング領域12の側壁との距離は、0.5μm以上であることが望ましい。
Next, as shown in FIG. 1C, a second resist
次に、図1(d)に示すように、第2のエッチング領域12のうち第1のエッチング領域11は、GaAs基板101が露出し、第2のエッチング領域12のうち第1のエッチング領域11を含まない領域は、誘電体膜102を所定の膜厚(例えば、誘電体膜102の10%以上)を残すようにドライエッチングする(ステップS14)。なお、この工程は、本実施形態における第2のエッチング工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1D, the
第1のエッチング工程および第2のエッチング工程により、誘電体膜102は、図1(d)に示すように、第2のエッチング領域12のうち第1のエッチング領域11以外の領域が誘電体膜102で被覆された構成となる。つまり、第2のエッチング領域12における誘電体膜102の側壁から所定距離、例えば、0.5μmの領域が、誘電体膜102で被覆された構成となる。
As a result of the first etching step and the second etching step, the
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、GaAs基板101を露出する第2のドライエッチング工程において、第2のレジスト膜104の側壁はGaAs基板101の側壁から0.5μm以上隔離しており、第2のレジスト膜104の側壁へのポリマーの付着が抑制され、誘電体膜102の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制することができる。
As described above, according to the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, in the second dry etching process that exposes the
なお、上記した膜厚、比率等の数値は一例であり、上記した値に限定されるものではなく適宜変更してもよい。 The numerical values such as the above-described film thickness and ratio are examples, and are not limited to the above-described values, and may be changed as appropriate.
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について、図を用いてより詳細に説明する。本実施形態に係る半導体装置が第1の実施形態に係る半導体装置と異なる点は、配線層間コンタクトの形成と同時にエッチングを行う点である。
(Second Embodiment)
Next, a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. The semiconductor device according to this embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment in that etching is performed simultaneously with the formation of the wiring interlayer contact.
図3は、本実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment.
本実施形態に係る半導体装置2は、図3(g)に示すように、半導体層であるGaAs基板201と、GaAs基板201上に形成された第1の誘電体膜202と、第1の誘電体膜202に形成された開口の内部に形成された第1の金属膜204と、第1の金属膜204および第1の誘電体膜202上に形成された第2の誘電体膜205と、第2の誘電体膜205に形成された開口の内部および第2の誘電体膜205上に形成された第2の金属膜207と、第2の誘電体膜205および第2の金属膜207上に形成された第3の誘電体膜208と、第3の誘電体膜208に形成された開口の内部および第3の誘電体膜208上に形成された第3の金属膜210とを備えている。
As shown in FIG. 3G, the
以下、半導体装置2の製造方法について説明する。図4は、本実施形態に係る半導体装置2の製造方法を示すフローチャートである。
Hereinafter, a method for manufacturing the
まず、図3(a)に示すようにCVD法(化学気相成長法)等によりGaAs基板201上に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の第1の誘電体膜202を0.5μm程度成膜する(ステップS20)。
First, as shown in FIG. 3A, a
次に、図3(b)に示すように、第1の誘電体膜202上に所望の領域を開口するように第1のレジスト膜203を形成し、誘電体膜202を例えばHF−NH4F水溶液などのウェットエッチングにて開口する(ステップS21)。続いて、開口の内部および第1のレジスト膜203上に蒸着等により第1の金属膜204を成膜し、リフトオフ法により第1のレジスト膜203と第1のレジスト膜203上の金属膜204を除去する(ステップS22)。これにより、第1の誘電体膜202に形成された開口の内部に第1の金属膜204が形成される。なお、第1の金属膜204は、例えば配線パターンとして使用されるものである。
Next, as shown in FIG. 3B, a first resist
次に、図3(c)に示すようにCVD法(化学気相成長法)等により第1の誘電体膜202および第1の誘電体膜202の開口の内部に形成された第1の金属膜204上に、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等で構成される第2の誘電体膜205を0.5μm程度成膜する(ステップS23)。
Next, as shown in FIG. 3C, the
次に、図3(d)に示すように、第1の貫通ビア領域21と第1の金属膜204上の第1のコンタクト領域22とを開口するように、第2の誘電体膜205上に第2のレジスト膜206を形成する。続いて、第1のコンタクト領域22においては第2の誘電体膜205を抜き切り、第1の貫通ビア領域21においては第2の誘電体膜205を抜き切るとともに第1の誘電体膜202を所定の膜厚(例えば、第1の誘電体膜202の10%以上)残すように、第1のドライエッチングを行う(ステップS24)。つまり、第1のコンタクト領域22を形成するためのエッチング工程と、第1の貫通ビア領域21の形成および第1の誘電体膜202のエッチング工程とを同時に行う。その後、第2のレジスト膜206を、リフトオフ法により除去する。なお、第1の貫通ビア領域21は、本実施形態における第1のエッチング領域に相当する。第1の貫通ビア領域21の側壁として露出された第1の誘電体膜202の側壁は、本実施形態における第1のエッチング領域における誘電体膜の側壁に相当する。また、第1の貫通ビア領域21を形成する工程は、本実施形態における第1のエッチング工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 3D, on the
次に、図3(e)に示すように、第2の金属膜207を所望の第1の金属膜204とコンタクトが取れるようにパターニング形成した後(ステップS25)、CVD法等により第1の誘電体膜202と第2の誘電体膜205と第2の金属膜207との上に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等で構成される第3の誘電体膜208を、膜厚が1.0μm程度となるように成膜する(ステップS26)。
Next, as shown in FIG. 3E, after the
次に、図3(f)に示すように、第1の貫通ビア領域21を包含するように第1の貫通ビア領域21の外側に1.0μm程度広い領域を有する第2の貫通ビア領域23と、第2の金属膜207上の第2のコンタクト領域24を形成する。第2の貫通ビア領域23と第2のコンタクト領域24とを開口するように、第3の誘電体膜208上に第3のレジスト膜209を形成する。続いて、第2のドライエッチングにより第2のコンタクト領域24においては誘電体膜208を抜き切り、同時に、第2の貫通ビア領域23における第1の貫通ビア領域21においては第3の誘電体膜208、第2の誘電体膜205および第1の誘電体膜202を抜き切り、第2の貫通ビア領域23のうち第1の貫通ビア領域21以外の領域においては所定の膜厚(例えば、第1の誘電体膜202の10%以上)の第1の誘電体膜202を残しつつ第3の誘電体膜208と第2の誘電体膜205を抜き切るように、第2のドライエッチングを行う(ステップS27)。なお、本実施形態では第2の誘電体膜205を抜き切るとしたが、第2の誘電体膜205を抜き切らなくても同様の効果を得ることはできる。また、第2の貫通ビア領域23は、本実施形態における第2のエッチング領域に相当する。第2の貫通ビア領域23の側壁として露出された第1の誘電体膜202、第2の誘電体膜205、第3の誘電体膜208は、本実施形態における第2のエッチング領域における誘電体膜の側壁に相当する。第2の貫通ビア領域23を形成する工程は、本実施形態における第2のエッチング工程、第1のコンタクト領域22および第2のコンタクト領域24を形成する工程は、それぞれ本実施形態における第3のエッチング工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 3 (f), a second through via
第1のエッチング工程および第2のエッチング工程により、第1の誘電体膜202は、図3(f)に示すように、第2のエッチング領域23のうち第1のエッチング領域21以外の領域が誘電体膜202で被覆された構成となる。つまり、第2のエッチング領域23の側壁から所定距離、例えば、1.0μmの領域が、誘電体膜202で被覆された構成となる。
By the first etching step and the second etching step, the
これにより、第3のレジスト膜209の側壁から連続する第3の誘電体膜208、第2の誘電体膜205および第1の誘電体膜202の側壁はGaAs基板201の半導体被エッチング表面から隔離されるので、半導体被エッチング表面と第3のレジスト膜209とを1.0μm程度隔離できるため、第2の貫通ビア領域23の側壁に配置された第2の誘電体膜205および第3の誘電体膜208の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制することが可能となる。
As a result, the sidewalls of the third
次に、図3(g)に示すように、第1の貫通ビア領域21の内部に第3の貫通ビア領域26を形成する。第3の貫通ビア領域26は、例えば、平面視において直径50μm程度の円形形状に形成される。続けて、第3の貫通ビア領域26の内部を少なくとも被覆するとともに第2の貫通ビア領域23を覆い所望の第2の金属膜207と接続するように、第3の金属膜210を成膜する(ステップS28)。第2の貫通ビア領域23の側壁に配置された第2の誘電体膜205および第3の誘電体膜208の側壁形状が良好であるので、第3の金属膜210に段切れ等の信頼性不良が発生するのを抑制できる。
Next, as shown in FIG. 3G, a third through via
また、上記したような貫通ビア領域の形成に限らず、半導体装置におけるスクライブ領域の形成においても、スクライブ領域に配置された誘電体膜の側壁が凹凸形状である場合、誘電体膜を覆うようにスクライブ領域にさらに誘電体膜を成膜したときに、ボイドが発生することによる信頼性不良が懸念される。この場合であっても、本発明を適用すれば、スクライブ領域に配置された誘電体膜の側壁に凹凸形状が形成されるのを抑制し、ボイド発生を防ぎ、半導体装置の良好な信頼性を確保できることは言うまでもない。 Further, not only in the formation of the through via region as described above, but also in the formation of the scribe region in the semiconductor device, when the sidewall of the dielectric film disposed in the scribe region is uneven, the dielectric film is covered. When a dielectric film is further formed in the scribe region, there is a concern about reliability failure due to generation of voids. Even in this case, if the present invention is applied, it is possible to suppress the formation of uneven shapes on the sidewalls of the dielectric film disposed in the scribe region, to prevent voids, and to improve the reliability of the semiconductor device. Needless to say, it can be secured.
なお、上記した膜厚、比率等の数値は一例であり、上記した値に限定されるものではなく適宜変更してもよい。 The numerical values such as the above-described film thickness and ratio are examples, and are not limited to the above-described values, and may be changed as appropriate.
(まとめ)
以上、図面を用いて説明したように、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体層上に形成された誘電体膜の一部を前記誘電体膜の表面から所定の深さまでエッチングする第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程により前記誘電体膜がエッチングされた第1のエッチング領域において前記誘電体膜をエッチングして前記半導体層の表面を露出し、かつ、前記第1のエッチング領域を包含する第2のエッチング領域において前記第1のエッチング領域以外の領域に配置された前記誘電体膜を所定の膜厚までエッチングする第2のエッチング工程とを含む。この構成によれば、露出した半導体層と、半導体層に形成された開口の側壁に配置された誘電体膜の側壁とが近接することがなく、開口における誘電体膜の側壁が凹凸状に形成されるのを抑制して、良好な側壁形状を有する半導体装置を提供することができる。
(Summary)
As described above with reference to the drawings, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, a part of the dielectric film formed on the semiconductor layer is moved from the surface of the dielectric film to a predetermined depth. A first etching step of etching; and etching the dielectric film in a first etching region where the dielectric film is etched by the first etching step to expose a surface of the semiconductor layer; and And a second etching step of etching the dielectric film disposed in a region other than the first etching region in a second etching region including the first etching region to a predetermined thickness. According to this configuration, the exposed semiconductor layer and the side wall of the dielectric film disposed on the side wall of the opening formed in the semiconductor layer are not adjacent to each other, and the side wall of the dielectric film in the opening is formed in an uneven shape. Thus, a semiconductor device having a favorable sidewall shape can be provided.
また、誘電体膜は、例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜であり、一般にプラズマCVD法またはスパッタ法により形成される。 The dielectric film is, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film, and is generally formed by a plasma CVD method or a sputtering method.
また、ドライエッチング技術は、反応性スパッタエッチング法や、反応性イオンエッチング法等を含む。誘電体膜をエッチングするガスとしては、例えば、CF4+H2、CHF3、CHF3+不活性ガスのような大きな選択比の得られるものを用いる。 The dry etching technique includes a reactive sputter etching method, a reactive ion etching method, and the like. As a gas for etching the dielectric film, for example, a gas capable of obtaining a large selection ratio such as CF 4 + H 2 , CHF 3 , CHF 3 + inert gas is used.
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の製造方法について、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and that the manufacturing method of the present invention has undergone various modifications conceived by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention. include.
例えば、半導体層は、上記したGaAs基板に限らず、その他の半導体基板であってもよい。また、GaAs以外の3−5族化合物半導体であってもよい。3族元素に起因するポリマーにより良好な開口の側壁形状を実現することが難しい3−5族化合物半導体であっても、本発明を用いることにより、良好な側壁状態を実現することができる。 For example, the semiconductor layer is not limited to the GaAs substrate described above, but may be another semiconductor substrate. Further, it may be a group 3-5 compound semiconductor other than GaAs. Even in the case of a Group 3-5 compound semiconductor in which it is difficult to achieve a favorable opening sidewall shape with a polymer derived from a Group 3 element, a favorable sidewall state can be achieved by using the present invention.
本発明は、半導体素子に利用でき、特にGaAsを用いたトランジスタと集積化されたデバイスに利用することができる。 The present invention can be used for a semiconductor device, and in particular, can be used for a device integrated with a transistor using GaAs.
11 第1のエッチング領域
12 第2のエッチング領域
21 第1の貫通ビア領域(第1のエッチング領域)
22 第1のコンタクト領域(コンタクト領域)
23 第2の貫通ビア領域(第2のエッチング領域)
24 第2のコンタクト領域(コンタクト領域)
26 第3の貫通ビア領域
31 誘電体膜開口領域
101 GaAs基板(半導体基板)
102 誘電体膜
103 第1のレジスト膜
104 第2のレジスト膜
201 GaAs基板(半導体基板)
202 第1の誘電体膜
203 第1のレジスト膜
204 第1の金属膜
205 第2の誘電体膜
206 第2のレジスト膜
207 第2の金属膜
208 第3の誘電体膜
209 第3のレジスト膜
210 第3の金属膜
301 GaAs基板
302 誘電体膜
303 第1のレジスト膜
11
22 First contact region (contact region)
23 Second through via region (second etching region)
24 Second contact region (contact region)
26 Third through via
101 GaAs substrate (semiconductor substrate)
102
202 1st
Claims (10)
前記第1のエッチング工程により前記誘電体膜がエッチングされた第1のエッチング領域において前記誘電体膜をエッチングして前記半導体層の表面を露出し、かつ、前記第1のエッチング領域を包含する第2のエッチング領域において前記第1のエッチング領域以外の領域に配置された前記誘電体膜を所定の膜厚までエッチングする第2のエッチング工程とを含む
半導体装置の製造方法。 A first etching step of etching a part of the dielectric film formed on the semiconductor layer from the surface of the dielectric film to a predetermined depth;
In the first etching region where the dielectric film is etched in the first etching step, the dielectric film is etched to expose the surface of the semiconductor layer, and the first etching region includes the first etching region. And a second etching step of etching the dielectric film disposed in a region other than the first etching region to a predetermined thickness in the second etching region.
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 At least one of the first etching step and the second etching step is a third etching step of opening the dielectric film to form a contact region for connecting wirings provided in different layers. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, which is performed simultaneously.
請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor layer is a Group 3-5 compound semiconductor.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 The distance between the sidewall of the dielectric film in the first etching region and the sidewall of the dielectric film in the second etching region is 0.5 μm or more. The manufacturing method of the semiconductor device of description.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the etching is dry etching.
請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 In the first etching step and the second etching step, the film thickness of the dielectric film in the second etching region is such that the dielectric film before the first etching step and the second etching step The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the etching is performed so that the film thickness is 10% or more.
前記誘電体膜の一部がエッチングされ前記誘電体膜から前記半導体層が露出した第1のエッチング領域と、
前記誘電体膜が所定の膜厚までエッチングされた第2のエッチング領域とを有する
半導体装置。 A dielectric film formed on the semiconductor layer;
A first etching region in which a part of the dielectric film is etched and the semiconductor layer is exposed from the dielectric film;
And a second etching region in which the dielectric film is etched to a predetermined thickness.
請求項7に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 7, wherein the semiconductor layer is a Group 3-5 compound semiconductor.
請求項7または8に記載の半導体装置。 9. The semiconductor device according to claim 7, wherein a distance between a sidewall of the dielectric film in the first etching region and a sidewall of the dielectric film in the second etching region is 0.5 μm or more.
請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体装置。 The film thickness of the dielectric film in the second etching region is 10% or more of the film thickness of the dielectric film before the first etching step and the second etching step. The semiconductor device according to any one of the above.
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