JP2012216600A - シリコン量子ドット装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。
【解決手段】
シリコン量子ドット装置は、基板と、基板上方に配置され、第1の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第1酸化シリコンマトリクス層と、第1酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第1酸化シリコン層とを含む、第1量子ドット構造と、基板上方に配置され、第1の平均ドットサイズと異なる第2の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第2酸化シリコンマトリクス層と、第2酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第2酸化シリコン層とを含む、第2量子ドット構造と、を有する。
【選択図】 図1−1
Description
基板と、
前記基板上方に配置され、第1の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第1酸化シリコンマトリクス層と、第1酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第1酸化シリコン層とを含む、第1量子ドット構造と、
前記基板上方に配置され、前記第1の平均ドットサイズと異なる第2の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第2酸化シリコンマトリクス層と、第2酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第2酸化シリコン層とを含む、第2量子ドット構造と、
を有するシリコン量子ドット装置
が提供される。
基板上に酸化シリコン層とSiリッチの酸化シリコン層とを交互に堆積して積層を形成し、
積層表面から水素イオンを照射し、Siリッチの酸化シリコン層中において、Siの凝集を促進してシリコン量子ドットを生じさせ、シリコン量子ドットを含む酸化シリコンマトリクス層を形成する、
シリコン量子ドット装置の製造方法であって、
積層厚さ方向または面内方向に関して異なる条件で水素イオン照射を行なうことより、異なる平均ドットサイズのシリコン量子ドットを形成する、シリコン量子ドット装置の製造方法
が提供される。
11 Si基板、
12 酸化シリコン層、
13 シリコンリッチ酸化シリコン(SiOx)層、
14 シリコン量子ドット、
15 シリコンリッチ酸化シリコン(SiOx)層、
16 シリコン量子ドット、
UP 上部、
LP 下部、
17 金属電極層、
18 透光性電極、
19 透明電極、
20 透光性電極、
21 低抵抗電極、
23 電極、
24,25,26 シリコン量子ドット、
Claims (13)
- 基板と、
前記基板上方に配置され、第1の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第1酸化シリコンマトリクス層と、第1酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第1酸化シリコン層とを含む、第1量子ドット構造と、
前記基板上方に配置され、前記第1の平均ドットサイズと異なる第2の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第2酸化シリコンマトリクス層と、第2酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第2酸化シリコン層とを含む、第2量子ドット構造と、
を有するシリコン量子ドット装置。 - 前記第1量子ドット構造が、複数層の前記第1酸化シリコンマトリクス層と複数層の前記第1酸化シリコン層とが交互に積層された構成を有し、前記第2量子ドット構造が、複数層の前記第2酸化シリコンマトリクス層と複数層の前記第2酸化シリコン層とが交互に積層された構成を有する、請求項1記載のシリコン量子ドット装置。
- 前記第2量子ドット構造が前記第1量子ドット構造の上方に積層され、前記第2の平均ドットサイズは前記第1の平均ドットサイズより小さく、太陽電池として機能する、請求項2記載のシリコン量子ドット装置。
- 前記第1酸化シリコンマトリクス層及び前記第2酸化シリコンマトリクス層は、1nm〜10nmの厚さを有し、前記第1酸化シリコン層及び前記第2酸化シリコン層は、0.5nm〜2.0nmの厚さを有し、太陽電池として機能する、請求項3記載のシリコン量子ドット装置。
- 前記第2量子ドット構造が前記第1量子ドット構造と並列に前記基板上に配置され、前記第1酸化シリコンマトリクス層は前記第2酸化シリコンマトリクス層と同一層から構成され、前記第2酸化シリコン層は前記第1酸化シリコン層と同一層から構成されている請求項2記載のシリコン量子ドット装置。
- さらに、
前記第1酸化シリコンマトリクス層、第2酸化シリコンマトリクス層と同一層から構成され、第3の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む、複数の第3酸化シリコンマトリクス層と、前記第1酸化シリコン層、前記第2酸化シリコン層と同一層から構成された複数の第3酸化シリコン層とを含む第3量子ドット構造であって、前記基板上で前記第1量子ドット構造、前記第2量子ドット構造と並列に配置された第3量子ドット構造、
を有し、前記第2の平均ドットサイズは前記第1の平均ドットサイズより小さく、前記第3の平均ドットサイズは前記第2の平均ドットサイズより小さく、発光装置として機能する請求項5記載のシリコン量子ドット装置。 - 基板上に酸化シリコン層とSiリッチの酸化シリコン層とを交互に堆積して積層を形成し、
積層表面から水素イオンを照射し、Siリッチの酸化シリコン層中において、Siの凝集を促進してシリコン量子ドットを生じさせ、シリコン量子ドットを含む酸化シリコンマトリクス層を形成する、
シリコン量子ドット装置の製造方法であって、
積層厚さ方向または面内方向に関して異なる条件で水素イオン照射を行なうことより、異なる平均ドットサイズのシリコン量子ドットを形成する、シリコン量子ドット装置の製造方法。 - 前記水素イオンの照射と同時、ないしは照射後、前記積層を加熱してアニールを行う請求項7記載のシリコン量子ドット装置の製造方法。
- 前記アニールは500℃以下で行われる請求項8記載のシリコン量子ドット装置の製造方法。
- 前記積層の厚さに対して前記水素イオンの照射を深さに依存するドーズ量で行ない、ドーズ量の高いSiリッチの酸化シリコン領域中に平均ドットサイズの大きいシリコン量子ドットを形成し、ドーズ量の低いSiリッチの酸化シリコン領域中に平均ドットサイズの小さいシリコン量子ドットを形成する請求項7〜9のいずれか1項記載のシリコン量子ドット装置の製造方法。
- 前記積層の形成が、前記酸化シリコン層と第1の厚さの第1のSiリッチの酸化シリコン層とを交互に積層し、その上に前記酸化シリコン層と前記第1の厚さより薄い第2の厚さのSiリッチの酸化シリコン層を交互に堆積することを含む、請求項7〜9のいずれか1項記載のシリコン量子ドット装置の製造方法。
- 前記積層に水素イオンを複数の加速エネルギで多重照射し、前記Siリッチの酸化シリコン層の厚さに依存するシリコン量子ドットを形成する請求項11記載のシリコン量子ドット装置の製造方法。
- 前記基板に複数の領域を画定し、前記水素イオンの照射を領域によって異なるドーズ量で行い、領域毎にドーズ量に応じた平均ドットサイズのシリコン量子ドットを形成する請求項7〜9のいずれか1項記載のシリコン量子ドット装置の製造方法。
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