JP2012211948A - Photomask and pattern forming method using the same - Google Patents

Photomask and pattern forming method using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2012211948A
JP2012211948A JP2011076436A JP2011076436A JP2012211948A JP 2012211948 A JP2012211948 A JP 2012211948A JP 2011076436 A JP2011076436 A JP 2011076436A JP 2011076436 A JP2011076436 A JP 2011076436A JP 2012211948 A JP2012211948 A JP 2012211948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
exposure light
protective film
photomask
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011076436A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Hanamoto
英雄 花元
Toru Maeda
亨 前田
Yasushi Tanaka
保志 田中
Hideo Eto
英雄 江藤
Hiroyuki Tanizaki
広幸 谷崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2011076436A priority Critical patent/JP2012211948A/en
Publication of JP2012211948A publication Critical patent/JP2012211948A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask which suppresses generation of incremental defects on its surface, and a pattern forming method using the photomask.SOLUTION: A photomask includes a transparent substrate which transmits exposure light. Semitransparent films, which have lower transmittance relative to the exposure light than the transparent substrate and include first atoms, are periodically provided on the transparent substrate. A protective film, which covers the semitransparent films and transmits the exposure light, is provided. When the exposure light is applied to the semitransparent films, the first atoms are trapped by the protective film.

Description

本発明の実施形態は、フォトマスク及びフォトマスクを用いたパターン形成方法
に関する。 Embodiments described herein relate generally to a photomask and a pattern forming method using the photomask.

従来から、半導体装置の微細パターン形成のため、フォトリソグラフィ法が用いられている。フォトリソグラフィ法に用いられるフォトマスクには、通常、完全な遮光膜と透過部を有するものが用いられているが、パターンの高解像化のため、遮光膜を半透過膜にしたハーフトーンマスクも用いられている。   Conventionally, a photolithography method has been used for forming a fine pattern of a semiconductor device. Photomasks used for photolithography are usually those that have a complete light-shielding film and transmission part, but a halftone mask that uses a light-shielding film as a semi-transmissive film for high pattern resolution. Are also used.

近年、フォトリソグラフィ法において、露光波長が短くなるに伴い、露光エネルギーが大きくなっている。ハーフトーンマスクのようなフォトマスクに高エネルギーな光が照射されると、半透明膜中の原子のうち例えばモリブデン原子や窒素原子が昇華し、また不純物イオンや周辺環境の不純物イオンの化学反応が起こり、フォトマスクの表面にモリブデン原子を含んだ硫酸アンモニウム系の成長性欠陥が発生するといった問題が生じていた。   In recent years, in the photolithography method, the exposure energy is increased as the exposure wavelength is shortened. When high-energy light is irradiated onto a photomask such as a halftone mask, for example, molybdenum atoms and nitrogen atoms in the translucent film sublimate, and chemical reactions of impurity ions and impurity ions in the surrounding environment occur. As a result, there has been a problem that an ammonium sulfate-based growth defect containing molybdenum atoms occurs on the surface of the photomask.

特開２０１０−１８６０６９号公報JP 2010-186069 A

本発明が解決しようとする課題は、フォトマスクの表面に成長性欠陥が発生することを抑制するフォトマスク及びフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a photomask that suppresses the occurrence of growth defects on the surface of the photomask and a pattern formation method using the photomask.

上記課題を解決するために、実施形態のフォトマスクでは、露光光を透過する透明基板を持つ。前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、かつ第１の原子を含む半透明膜が、前記透明基板上に周期的に設けられる。前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過する保護膜が設けられる。前記露光光が前記半透明膜に照射されたとき、前記第１の原子が前記保護膜にトラップされる。   In order to solve the above problems, the photomask of the embodiment has a transparent substrate that transmits exposure light. A translucent film having a lower transmittance than the transparent substrate with respect to the exposure light and containing the first atoms is periodically provided on the transparent substrate. A protective film that covers the surface of the translucent film and transmits the exposure light is provided. When the exposure light is applied to the translucent film, the first atoms are trapped in the protective film.

本実施形態に係るフォトマスクの例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the photomask which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るフォトマスクの例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the photomask which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るフォトマスクの例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the photomask which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the photomask which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るフォトマスクを用いたパターン形成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the pattern formation method using the photomask which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るフォトマスクを用いたパターン形成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the pattern formation method using the photomask which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施形態に係るフォトマスクについて以下説明する。   The photomask according to this embodiment will be described below.

図１乃至図３は、本実施形態に係るフォトマスクの例を示す断面図である。   1 to 3 are cross-sectional views showing examples of the photomask according to the present embodiment.

図１のように、本実施形態に係るフォトマスク１においては、露光光を透過する透明基板２が設けられる。露光光は、例えば波長248nmのＫｒＦエキシマレーザ光又は波長193nmのＡｒＦエキシマレーザ光等が用いられる。透明基板２としては、露光光を透過するものとして、例えば石英基板が用いられる。   As shown in FIG. 1, in the photomask 1 according to this embodiment, a transparent substrate 2 that transmits exposure light is provided. For example, KrF excimer laser light with a wavelength of 248 nm or ArF excimer laser light with a wavelength of 193 nm is used as the exposure light. As the transparent substrate 2, for example, a quartz substrate is used as one that transmits exposure light.

透明基板２の主面上には、露光光に対して透明基板２より透過率が低く、周期的に凹凸パターンを有する半透明膜３が設けられる。半透明膜３は、第１の原子として窒素原子を含むものであり、第２の原子としてモリブデン原子が含まれていてもよい。半透明膜３には、例えば MoSiN, MoSiON等が用いられ、これらは露光光の波長によって使い分ける。半透明膜３は、半透明膜３を透過した露光光の位相をシフトするものである。   On the main surface of the transparent substrate 2, a translucent film 3 having a transmittance that is lower than that of the transparent substrate 2 with respect to exposure light and having a concavo-convex pattern periodically is provided. The translucent film 3 contains nitrogen atoms as the first atoms, and may contain molybdenum atoms as the second atoms. For example, MoSiN, MoSiON, or the like is used for the translucent film 3, and these are properly used depending on the wavelength of the exposure light. The translucent film 3 shifts the phase of the exposure light transmitted through the translucent film 3.

さらに、半透明膜３の表面を覆うように、露光光を透過する保護膜４が設けられる。保護膜４として、例えばSiOH基を有するSiOx（シリコン酸化膜）又はSiON膜が用いられる。半透明膜３に第１の原子が含まれている場合には、露光光を照射した際に、窒素原子がSiOx膜に含まれるSiOH基にトラップされる。このとき、SiOH基の水素原子が、窒素原子を含む基に置換される。これにより、硫酸アンモニウム系の成長性欠陥の原因となる窒素原子の昇華を抑制することができる。その結果、保護膜４に第１の原子として窒素原子が含まれることになる。   Further, a protective film 4 that transmits exposure light is provided so as to cover the surface of the semitransparent film 3. As the protective film 4, for example, a SiOx (silicon oxide film) or SiON film having a SiOH group is used. When the semi-transparent film 3 contains the first atom, nitrogen atoms are trapped in the SiOH group contained in the SiOx film when the exposure light is irradiated. At this time, the hydrogen atom of the SiOH group is replaced with a group containing a nitrogen atom. Thereby, the sublimation of the nitrogen atom which causes the ammonium sulfate-based growth defect can be suppressed. As a result, the protective film 4 contains nitrogen atoms as the first atoms.

保護膜４は、図２に示すように、透明基板２の主面上の半透明膜３のみでなく、透明基板２の側面及び裏面を覆うように設けられていてもよい。このように、透明基板２全体を覆う場合には、透明基板２を介して第１の原子が昇華することを抑制することができる。   As shown in FIG. 2, the protective film 4 may be provided so as to cover not only the translucent film 3 on the main surface of the transparent substrate 2 but also the side surface and the back surface of the transparent substrate 2. Thus, when covering the whole transparent substrate 2, it can suppress that a 1st atom sublimates through the transparent substrate 2. FIG.

さらに、図３（ａ）に示すように、保護膜４は、窒素原子の昇華を抑制するためのSiOH基を有するSiOx膜を含む保護膜４ａと、モリブデン原子の昇華を抑制する多孔質SiOx膜（ポーラスシリコン酸化膜）等を含む保護膜４ｂとの積層膜であってもよい。半透明膜３に第１の原子及び第２の原子が含まれている場合には、露光光を照射した際に、窒素原子が保護膜４ａであるSiOx膜のSiOH基にトラップされ、モリブデン原子が保護膜４ｂである多孔質SiOx膜にトラップされる。これにより、露光光照射による半透明膜３に含まれる第１の原子及び第２の原子の昇華を抑制することができ、成長性欠陥の発生をさらに抑制することができる。   Furthermore, as shown in FIG. 3A, the protective film 4 includes a protective film 4a including a SiOx film having a SiOH group for suppressing sublimation of nitrogen atoms, and a porous SiOx film for suppressing sublimation of molybdenum atoms. A laminated film with the protective film 4b including (porous silicon oxide film) or the like may be used. When the semi-transparent film 3 includes the first atom and the second atom, nitrogen atoms are trapped in the SiOH group of the SiOx film, which is the protective film 4a, when the exposure light is irradiated. Is trapped in the porous SiOx film which is the protective film 4b. Thereby, sublimation of the 1st atom and 2nd atom contained in the semi-transparent film | membrane 3 by exposure light irradiation can be suppressed, and generation | occurrence | production of a growth defect can further be suppressed.

また、図３（ｂ）に示すように、保護膜４は、透明基板２の主面上に、透明基板２の主面上の半透明膜３のみでなく、透明基板２の側面及び裏面を覆うように設けられていてもよい。このように、透明基板２全体を覆う場合には、透明基板２を介して第１の原子及び第２の原子が昇華することを抑制することができる。   Further, as shown in FIG. 3B, the protective film 4 has not only the semitransparent film 3 on the main surface of the transparent substrate 2 but also the side surface and the back surface of the transparent substrate 2 on the main surface of the transparent substrate 2. You may provide so that it may cover. Thus, when covering the whole transparent substrate 2, it can suppress that a 1st atom and a 2nd atom sublimate through the transparent substrate 2. FIG.

本発明の本実施形態に係るフォトマスク１によれば、半透明膜３の表面を覆う保護膜４が設けられている。これにより、露光光の照射により半透明膜３から拡散する第１の原子をトラップすることができ、硫酸アンモニウム系の成長性欠陥の原因となる第１の原子としての窒素原子の昇華を抑制することができる。   According to the photomask 1 according to this embodiment of the present invention, the protective film 4 that covers the surface of the translucent film 3 is provided. Thereby, the 1st atom which diffuses from the semi-transparent film | membrane 3 by irradiation of exposure light can be trapped, and the sublimation of the nitrogen atom as a 1st atom which causes the ammonium sulfate type growth defect is suppressed. Can do.

さらに、保護膜４が透明基板２の主面だけでなく、透明基板２の側面及び裏面に設けられている場合には、第１の原子の昇華をさらに抑制することができ、第１の原子を含む成長性欠陥の発生を抑制することができる。   Furthermore, when the protective film 4 is provided not only on the main surface of the transparent substrate 2 but also on the side surface and the back surface of the transparent substrate 2, the sublimation of the first atoms can be further suppressed, and the first atoms It is possible to suppress the generation of growth defects including.

さらに、本実施形態において、保護膜４が第１の原子の昇華を抑制する保護膜４ａと第２の原子の昇華を抑制する保護膜４ｂの積層膜である場合には、半透明膜３に含まれる第１の原子及び第２の原子の昇華を抑制することができ、成長性欠陥の発生をさらに抑制することができる。   Furthermore, in this embodiment, when the protective film 4 is a laminated film of the protective film 4a for suppressing the sublimation of the first atoms and the protective film 4b for suppressing the sublimation of the second atoms, the semitransparent film 3 is formed. Sublimation of the first and second atoms contained can be suppressed, and the generation of growth defects can be further suppressed.

本実施形態に係るフォトマスク１の製造方法について以下説明する。   A method for manufacturing the photomask 1 according to this embodiment will be described below.

図４は、本実施形態に係るフォトマスク１の製造方法を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the photomask 1 according to this embodiment.

図４（ａ）に示すように、本実施形態に係るフォトマスク１においては、露光光を透過する透明基板２としての石英基板の主面上に、露光光に対して透明基板２より透過率が低い半透明膜３を成膜する。半透明膜３は、第１の原子として例えば窒素原子を含むものであり、第２の原子としてモリブデン原子を含むものであってもよい。半透明膜３には、例えばMoSiON膜が用いられる。   As shown in FIG. 4A, in the photomask 1 according to the present embodiment, the transmittance of the exposure light from the transparent substrate 2 on the main surface of the quartz substrate as the transparent substrate 2 that transmits the exposure light. A semitransparent film 3 having a low thickness is formed. The translucent film 3 may include, for example, a nitrogen atom as the first atom, and may include a molybdenum atom as the second atom. As the translucent film 3, for example, a MoSiON film is used.

その後、図４（ｂ）に示すように、半透明膜３上にレジスト膜５を塗布し、電子線リソグラフィ法により、レジスト膜５を加工し、レジスト膜５をマスクパターンの形状に成型する。マスクパターンの形状は、例えばラインアンドスペースパターンである。   Thereafter, as shown in FIG. 4B, a resist film 5 is applied on the translucent film 3, the resist film 5 is processed by an electron beam lithography method, and the resist film 5 is formed into a mask pattern shape. The shape of the mask pattern is, for example, a line and space pattern.

その後、図４（ｃ）に示すように、加工したレジスト膜５をマスクとして半透明膜３をエッチングする。このエッチングは、例えば塩素系のエッチングガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を用いて行う。   Thereafter, as shown in FIG. 4C, the translucent film 3 is etched using the processed resist film 5 as a mask. This etching is performed using, for example, RIE (Reactive Ion Etching) using a chlorine-based etching gas.

次いで、図４（ｄ）に示すように、レジスト膜５を、例えば酸素アッシングにより除去し、周期的に凹凸パターンを有する半透明膜３が形成される。   Next, as shown in FIG. 4D, the resist film 5 is removed by, for example, oxygen ashing to form a semitransparent film 3 having a concavo-convex pattern periodically.

次に、図１に示すように、半透明膜３の表面を覆うように例えば熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により保護膜４を形成する。保護膜４の形成方法は、他にもＡＬＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いてもよい。図２のように、保護膜４は、透明基板２の主面上の半透明膜３のみでなく、透明基板２の側面及び裏面を覆うように形成してもよい。保護膜４は、露光光として用いられる例えばＡｒＦエキシマレーザ光を透過するものである。保護膜４には、第１の原子が昇華することを抑制するものとして、例えばSiOx膜又はSiON膜が用いられる。   Next, as shown in FIG. 1, a protective film 4 is formed by, for example, a thermal CVD (Chemical Vapor Deposition) method so as to cover the surface of the semitransparent film 3. Other methods for forming the protective film 4 may include an ALD method, a plasma CVD method, or the like. As shown in FIG. 2, the protective film 4 may be formed so as to cover not only the translucent film 3 on the main surface of the transparent substrate 2 but also the side surface and the back surface of the transparent substrate 2. The protective film 4 transmits, for example, ArF excimer laser light used as exposure light. As the protective film 4, for example, a SiOx film or a SiON film is used to prevent the first atom from sublimating.

さらに、保護膜４として、窒素原子の昇華を抑制するためのSiOH基を有するSiOx膜を含む保護膜４ａと、モリブデン原子の昇華を抑制する多孔質SiOx膜等を含む保護膜４ｂとの積層膜を形成してもよい。この場合、半透明膜３に含まれる第１の原子及び第２の原子の昇華を抑制することができ、成長性欠陥の発生をさらに抑制することができる。   Further, as the protective film 4, a laminated film of a protective film 4a including a SiOx film having a SiOH group for suppressing sublimation of nitrogen atoms and a protective film 4b including a porous SiOx film for suppressing sublimation of molybdenum atoms May be formed. In this case, sublimation of the first atoms and second atoms contained in the translucent film 3 can be suppressed, and the generation of growth defects can be further suppressed.

以上により、図１に示すように、本実施形態に係るフォトマスク１の製造工程が完了する。   Thus, as shown in FIG. 1, the manufacturing process of the photomask 1 according to the present embodiment is completed.

本実施形態に係るフォトマスク１を用いたパターン形成方法について以下説明する。図５及び図６は、本実施形態に係るフォトマスク１を用いたパターン形成方法を説明するための断面図を示す。   A pattern forming method using the photomask 1 according to this embodiment will be described below. 5 and 6 are cross-sectional views for explaining a pattern forming method using the photomask 1 according to the present embodiment.

まず、図５（ａ）のように、基板６上に被加工膜７として例えばSiOx膜を形成する。SiOx膜は、例えばＣＶＤ法により形成する。その後、被加工膜７上に塗布法によりレジスト膜８を塗布する。   First, as shown in FIG. 5A, for example, a SiOx film is formed on the substrate 6 as the film 7 to be processed. The SiOx film is formed by, for example, a CVD method. Thereafter, a resist film 8 is applied on the film 7 to be processed by a coating method.

次に、図５（ｂ）のように、フォトマスク１を所定の位置に配置し、レジスト膜８にフォトマスク１を介して露光光を照射する。このとき、露光光として、例えば波長248nmのＫｒＦエキシマレーザ光又は波長193nmのＡｒＦエキシマレーザ光等が用いられる。露光光に用いられる波長が短波長であるため、半透明膜３中に含まれる第１の原子としての窒素原子や第２の原子としてのモリブデン原子が拡散されるが、保護膜４によりトラップされる。これにより、成長性欠陥の原因となる原子をフォトマスク１からの昇華を抑制することができ、成長性欠陥の発生を抑制することができる。   Next, as shown in FIG. 5B, the photomask 1 is disposed at a predetermined position, and the resist film 8 is irradiated with exposure light through the photomask 1. At this time, for example, KrF excimer laser light having a wavelength of 248 nm or ArF excimer laser light having a wavelength of 193 nm is used as exposure light. Since the wavelength used for the exposure light is a short wavelength, nitrogen atoms as the first atoms and molybdenum atoms as the second atoms contained in the translucent film 3 are diffused, but are trapped by the protective film 4. The As a result, sublimation from the photomask 1 can be suppressed for atoms that cause growth defects, and generation of growth defects can be suppressed.

本実施形態に係るフォトマスク１では、透明基板２上に、遮光膜でなく、半透明膜３を形成しているため、露光光が半透明膜３の表面だけでなく、半透明膜３中にも侵入する。そのため、透明基板２上に遮光膜を形成している場合と比べて、半透明膜３中の原子が昇華されやすい。この場合においても、半透明膜３の表面を覆う保護膜４により、半透明膜３からの拡散原子をトラップし、成長性欠陥の発生を抑制することができる。   In the photomask 1 according to the present embodiment, the semi-transparent film 3 is formed on the transparent substrate 2 instead of the light-shielding film, so that the exposure light is not only in the surface of the semi-transparent film 3 but also in the semi-transparent film 3. Also invade. Therefore, compared with the case where a light shielding film is formed on the transparent substrate 2, the atoms in the semitransparent film 3 are more easily sublimated. Even in this case, the protective film 4 covering the surface of the translucent film 3 can trap the diffusion atoms from the translucent film 3 and suppress the growth defects.

その後、図５（ｃ）のように、被加工膜７上のレジスト膜８を現像し、フォトマスク１のマスクパターンを転写する。   Thereafter, as shown in FIG. 5C, the resist film 8 on the film 7 to be processed is developed, and the mask pattern of the photomask 1 is transferred.

次に、図５（ｄ）のように、パターンが転写されたレジスト膜８をマスクとして被加工膜７を例えばＲＩＥによりエッチングする。その後、例えば酸素アッシングによりレジスト膜８を除去する。   Next, as shown in FIG. 5D, the film 7 to be processed is etched by RIE, for example, using the resist film 8 to which the pattern has been transferred as a mask. Thereafter, the resist film 8 is removed by, for example, oxygen ashing.

以上により、本実施形態に係るフォトマスク１を用いたパターン形成が完了される。   Thus, the pattern formation using the photomask 1 according to the present embodiment is completed.

また、図６のように、保護膜４が、窒素原子の昇華を抑制するためのSiOH基を有するSiOx膜等の保護膜４ａと、モリブデン原子の昇華を抑制する多孔質SiOx膜等を含む保護膜４ｂの積層膜である場合には、レジスト膜８にフォトマスク１を介して露光光を照射する際、保護膜４は、半透明膜３から昇華する第１の原子及び第２の原子をトラップすることができる。   Further, as shown in FIG. 6, the protective film 4 includes a protective film 4a such as a SiOx film having a SiOH group for suppressing sublimation of nitrogen atoms, and a porous SiOx film for suppressing sublimation of molybdenum atoms. In the case of the laminated film 4b, when the resist film 8 is irradiated with exposure light through the photomask 1, the protective film 4 causes the first and second atoms sublimated from the semitransparent film 3 to be sublimated. Can be trapped.

以上のように、本発明の本実施形態によれば、半透明膜３の表面を覆う保護膜４が設けられている。これにより、露光光により半透明膜３から拡散する第１の原子をトラップすることができ、第１の原子を含む成長性欠陥の発生を抑制することができる。   As described above, according to this embodiment of the present invention, the protective film 4 that covers the surface of the translucent film 3 is provided. Thereby, the 1st atom which diffuses from the semi-transparent film 3 with exposure light can be trapped, and generation | occurrence | production of the growth defect containing a 1st atom can be suppressed.

さらに、保護膜４が透明基板２の主面だけでなく、透明基板２の側面及び裏面に設けられている場合には、第１の原子の昇華をさらに抑制することができ、第１の原子を含む成長性欠陥の発生を抑制することができる。   Furthermore, when the protective film 4 is provided not only on the main surface of the transparent substrate 2 but also on the side surface and the back surface of the transparent substrate 2, the sublimation of the first atoms can be further suppressed, and the first atoms It is possible to suppress the generation of growth defects including.

さらに、本実施形態において、保護膜４が第１の原子の昇華を抑制する保護膜４ａと第２の原子の昇華を抑制する保護膜４ｂの積層膜である場合には、半透明膜３に含まれる第１の原子及び第２の原子の昇華を抑制することができ、成長性欠陥の発生をさらに抑制することができる。   Furthermore, in this embodiment, when the protective film 4 is a laminated film of the protective film 4a for suppressing the sublimation of the first atoms and the protective film 4b for suppressing the sublimation of the second atoms, the semitransparent film 3 is formed. Sublimation of the first and second atoms contained can be suppressed, and the generation of growth defects can be further suppressed.

なお、本発明は、上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   Although the embodiment of the present invention has been described, this embodiment is presented as an example and is not intended to limit the scope of the invention. This embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. This embodiment and its modifications are included in the scope of the present invention and the gist thereof, and are also included in the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

１…フォトマスク
２…透明基板
３…半透明膜
４…保護膜
４ａ…保護膜
４ｂ…保護膜
５、８…レジスト膜
６…基板
７…被加工膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photomask 2 ... Transparent substrate 3 ... Semi-transparent film | membrane 4 ... Protective film 4a ... Protective film 4b ... Protective film 5, 8 ... Resist film 6 ... Substrate 7 ... Film to be processed

Claims (6)

露光光を透過する透明基板と、
前記透明基板上に周期的に設けられ、前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、かつ第１の原子を含む半透明膜と、
前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過する保護膜と、
を備えたフォトマスクであって、
前記露光光が前記半透明膜に照射されたとき、前記第１の原子が前記保護膜にトラップされることを特徴とするフォトマスク。 A transparent substrate that transmits exposure light;
A translucent film that is periodically provided on the transparent substrate, has a lower transmittance than the transparent substrate with respect to the exposure light, and includes a first atom;
A protective film that covers the surface of the translucent film and transmits the exposure light;
A photomask comprising:
The photomask, wherein the first atoms are trapped in the protective film when the exposure light is irradiated onto the semitransparent film. 前記半透明膜は、第２の原子をさらに含み、前記保護膜は、第１の保護膜及び第２の保護膜が積層された膜であり、かつ前記露光光が、前記半透明膜に照射されたとき、前記第１の原子が前記第１の保護膜にトラップされ、前記第２の原子が前記第２の保護膜にトラップされることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。   The semi-transparent film further includes a second atom, the protective film is a film in which a first protective film and a second protective film are stacked, and the exposure light is applied to the semi-transparent film. 2. The photomask according to claim 1, wherein the first atoms are trapped in the first protective film and the second atoms are trapped in the second protective film. 露光光を透過する透明基板と、
前記透明基板上に周期的に設けられ、前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、かつ第１の原子を含む半透明膜と、
前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過し、SiOH基を有する保護膜と、
を備えたフォトマスク。 A transparent substrate that transmits exposure light;
A translucent film that is periodically provided on the transparent substrate, has a lower transmittance than the transparent substrate with respect to the exposure light, and includes a first atom;
Covering the surface of the translucent film, transmitting the exposure light, and a protective film having a SiOH group;
Photomask with 前記半透明膜は、第２の原子をさらに含み、前記保護膜は、第１の保護膜及び第２の保護膜が積層された膜であり、前記第１の保護膜は、SiOH基を有するシリコン酸化膜であり、かつ前記第２の保護膜は、多孔質シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスク。   The translucent film further includes a second atom, the protective film is a film in which a first protective film and a second protective film are stacked, and the first protective film has a SiOH group. 4. The photomask according to claim 3, wherein the photomask is a silicon oxide film, and the second protective film is a porous silicon oxide film. 露光光を透過する透明基板上に、前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、第１の原子を含む半透明膜が形成され、前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過する保護膜が形成されたフォトマスクを用いるパターン形成方法であって、
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に前記フォトマスクを介して前記露光光を照射し、前記半透明膜に含まれる前記第１の原子が前記保護膜にトラップされる工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 On the transparent substrate that transmits the exposure light, a translucent film having a transmittance lower than that of the transparent substrate with respect to the exposure light and including the first atoms is formed, covers the surface of the translucent film, and the exposure light A pattern forming method using a photomask in which a protective film that transmits light is formed,
Forming a resist film on the substrate;
Irradiating the resist film with the exposure light through the photomask, and trapping the first atoms contained in the translucent film in the protective film;
A pattern forming method comprising: 露光光を透過する透明基板上に、前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、第１の原子及び第２の原子を含む半透明膜が形成され、前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過する第１の保護膜及び第２の保護膜が積層されたフォトマスクを用いるパターン形成方法であって、
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に前記フォトマスクを介して前記露光光を照射し、前記半透明膜に含まれる前記第１の原子が前記第１の保護膜にトラップされ、前記第２の原子が前記第２の保護膜にトラップされる工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 On the transparent substrate that transmits the exposure light, a translucent film having a lower transmittance than the transparent substrate with respect to the exposure light and including the first atom and the second atom is formed. A pattern forming method using a photomask that covers and is laminated with a first protective film and a second protective film that transmit the exposure light,
Forming a resist film on the substrate;
The resist film is irradiated with the exposure light through the photomask, the first atoms contained in the translucent film are trapped in the first protective film, and the second atoms are trapped in the second film. A process trapped in a protective film;
A pattern forming method comprising:
JP2011076436A 2011-03-30 2011-03-30 Photomask and pattern forming method using the same Withdrawn JP2012211948A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011076436A JP2012211948A (en) 2011-03-30 2011-03-30 Photomask and pattern forming method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011076436A JP2012211948A (en) 2011-03-30 2011-03-30 Photomask and pattern forming method using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012211948A true JP2012211948A (en) 2012-11-01

Family

ID=47265985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011076436A Withdrawn JP2012211948A (en) 2011-03-30 2011-03-30 Photomask and pattern forming method using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012211948A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170112550A (en) * 2016-03-31 2017-10-12 주식회사 엘지화학 Photomask, laminate comprising the photomask and method for manufacturing the photomask
JP2021157114A (en) * 2020-03-27 2021-10-07 三井化学株式会社 Photomask and exposure method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170112550A (en) * 2016-03-31 2017-10-12 주식회사 엘지화학 Photomask, laminate comprising the photomask and method for manufacturing the photomask
KR102092993B1 (en) * 2016-03-31 2020-03-24 주식회사 엘지화학 Photomask, laminate comprising the photomask and method for manufacturing the photomask
JP2021157114A (en) * 2020-03-27 2021-10-07 三井化学株式会社 Photomask and exposure method
JP7386117B2 (en) 2020-03-27 2023-11-24 三井化学株式会社 Photomask and exposure method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102217760B1 (en) Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask
JP6418035B2 (en) Phase shift mask blanks and phase shift masks
JP5839744B2 (en) Manufacturing method of photomask for manufacturing flat panel display and manufacturing method of flat panel display
JP6380204B2 (en) Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and pattern exposure method
KR102678202B1 (en) Method for manufacturing mask blanks, phase shift masks, and semiconductor devices
JP6477159B2 (en) Halftone phase shift mask blank and method of manufacturing halftone phase shift mask blank
JP2011065113A (en) Phase shift mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device
KR20190050974A (en) Mask blank, phase shift mask, method of manufacturing phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device
JP7353094B2 (en) Photomask repair method, photomask manufacturing method, photomask, and display device manufacturing method
KR102493632B1 (en) Phase shift-type photomask blank and phase shift-type photomask
JP5982013B2 (en) Phase shift mask and manufacturing method thereof
TW201839497A (en) Photomask blank, and preparation method thereof
JP2012211948A (en) Photomask and pattern forming method using the same
JP6579219B2 (en) Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask
JPWO2018016262A1 (en) Mask blank, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
US11156912B2 (en) Lithography mask and method for manufacturing the same
TWI770155B (en) Blank photomask, photomask, and method for manufacturing the photomask
JP2019215467A (en) Photomask and photomask blank
CN106200255B (en) Phase shift mask and method for manufacturing the same
JP2015141972A (en) Euv mask and method of manufacturing euv mask
TWI567482B (en) Phase shift mask and method of fabricating the same
JP6627926B2 (en) Method for manufacturing phase shift mask blanks
KR100842748B1 (en) Method of fabricating photomask
WO2018020913A1 (en) Mask blank, transfer mask, method for producing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
KR101143623B1 (en) Method for fabricating phase shift mask using oxidation treatment

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140603