JP2012204746A - Substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薬液、純水等の処理液により、洗浄、エッチング等の処理を基板に行うための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、FED(Field Emission
Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用ガラス基板等が含まれる。
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing such as cleaning and etching on a substrate with a processing solution such as a chemical solution or pure water. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, and an FED (Field Emission).
Display) substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate, magneto-optical disk substrate, photomask substrate, solar cell glass substrate, and the like.
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板に対して処理液や処理ガスなどの処理流体を用いた洗浄、エッチング等の処理が行われる。このような処理のために、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。枚葉式の基板処理装置は、処理室内に、基板を保持する基板保持機構と、基板の表面に処理液を供給するためのノズルと、基板保持部材及びノズルを収容するカップとを備えている。 In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel is subjected to processing such as cleaning and etching using a processing fluid such as a processing liquid or a processing gas. For such processing, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one may be used. A single wafer processing apparatus includes a substrate holding mechanism for holding a substrate, a nozzle for supplying a processing liquid to the surface of the substrate, and a cup for holding the substrate holding member and the nozzle in the processing chamber. .
この枚葉式の基板処理装置では、ノズルからの処理流体が基板の表面に供給されることにより、基板の表面に対しての処理が行われる。処理液を含む雰囲気がカップ外に漏れ出ることを防止するために、カップの底壁には、カップ内の雰囲気を排気するための排気孔が形成されている。また、基板の表面の処理に使用された処理液を再利用する構成が、各種提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In this single wafer type substrate processing apparatus, processing is performed on the surface of the substrate by supplying a processing fluid from the nozzle to the surface of the substrate. In order to prevent the atmosphere containing the processing liquid from leaking out of the cup, an exhaust hole for exhausting the atmosphere in the cup is formed in the bottom wall of the cup. Various configurations for reusing the processing liquid used for processing the surface of the substrate have been proposed (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1に記載されているウエハ洗浄装置は、ウエハを処理する処理部と、この処理部においてウエハにアンモニア過水(APM)等の薬液を供給する供給ノズルと、処理部で使用された薬液を回収する回収回路と、回収回路を介して回収された薬液を一旦貯留する副貯留タンクと、副貯留タンクに貯留された薬液を副貯留タンクから排出する接続回路と、接続回路を介して副貯留タンクから排出された薬液を貯留する主貯留タンクと、主貯留タンクに貯留されている薬液を供給ノズルに供給する供給回路とを備えている。このウエハ洗浄装置では、供給ノズルと、回収回路と、副貯留タンクと、接続回路と、主貯留タンクと、供給回路とにより、薬液を再利用するための循環経路が形成されている。 A wafer cleaning apparatus described in Patent Document 1 includes a processing unit that processes a wafer, a supply nozzle that supplies a chemical solution such as ammonia overwater (APM) to the wafer in the processing unit, and a chemical solution that is used in the processing unit. A recovery circuit for recovering the liquid, a sub-storage tank for temporarily storing the chemical liquid recovered through the recovery circuit, a connection circuit for discharging the chemical liquid stored in the sub-storage tank from the sub-storage tank, and a sub-circuit via the connection circuit. The main storage tank which stores the chemical | medical solution discharged | emitted from the storage tank, and the supply circuit which supplies the chemical | medical solution stored in the main storage tank to a supply nozzle are provided. In this wafer cleaning apparatus, a circulation path for reusing the chemical solution is formed by the supply nozzle, the recovery circuit, the auxiliary storage tank, the connection circuit, the main storage tank, and the supply circuit.
上述した従来のウエハ洗浄装置では、処理部で使用され、かつ再利用される薬液は副貯留タンクに一旦回収される。副貯留タンクに回収された薬液は何の処理も施されることもなく、接続回路を介して副貯留タンクから主貯留タンクへ薬液が供給される。このとき、副貯留タンクにおいて薬液の温度が下がってしまうと、薬液の種類によっては、薬液の粘性が高くなり副貯留タンクに薬液が滞留してしまうものがある。この薬液の温度低下及び副貯留タンクでの滞留により、薬液から不要物が析出されることがある。 In the above-described conventional wafer cleaning apparatus, the chemical solution that is used and reused in the processing unit is temporarily collected in the auxiliary storage tank. The chemical solution collected in the sub-storage tank is not subjected to any processing, and the chemical solution is supplied from the sub-storage tank to the main storage tank via the connection circuit. At this time, if the temperature of the chemical solution in the auxiliary storage tank decreases, depending on the type of the chemical solution, the viscosity of the chemical solution increases and the chemical solution may stay in the auxiliary storage tank. Due to the temperature drop of the chemical solution and the retention in the auxiliary storage tank, unnecessary substances may be deposited from the chemical solution.
従来のウエハ洗浄装置では、接続回路にヒータを設けたり、主貯留タンクに付設された小さな循環回路にヒータを設けて、薬液を処理部で使用する温度に上昇させている。しかしながら、副貯留タンクにおいて一旦薬液に不要物が析出すると、その後の工程で薬液を加熱したとしても、薬液中に不要物が析出した状態のままであり、不要物を含む薬液が供
給ノズルからウエハへ供給されてしまう。このような不要物を含む薬液でウエハを処理すると、その不要物が原因で、意図する処理がウエハに行われなくなり処理不良が生じてしまう。
In a conventional wafer cleaning apparatus, a heater is provided in a connection circuit, or a heater is provided in a small circulation circuit attached to a main storage tank to raise the temperature of the chemical solution to be used in the processing unit. However, once an unnecessary substance is deposited in the chemical solution in the auxiliary storage tank, even if the chemical solution is heated in the subsequent process, the unnecessary product is still deposited in the chemical solution, and the chemical solution containing the unwanted substance is fed from the supply nozzle to the wafer. Will be supplied. When a wafer is processed with a chemical solution containing such an unnecessary material, the intended processing is not performed on the wafer due to the unnecessary material, resulting in a processing failure.
なお、副貯留タンクそのものに、あるいは副貯留タンクの周囲にヒータ等の加熱機構を別途設けて、副貯留タンクに貯留された薬液を常時加熱することも考えられるが、加熱機構の設置は、基板処理装置として高価になってしまう恐れがある。 In addition, it is conceivable to provide a heating mechanism such as a heater in the sub-storage tank itself or around the sub-storage tank to constantly heat the chemical stored in the sub-storage tank. As a processing apparatus, there is a risk of becoming expensive.
そこで、本発明の目的は、処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる基板処理装置を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the generation of impurities that precipitate in a processing solution as the processing solution is reused and preventing processing defects of the substrate.
上述した目的を達成するための請求項1に記載の発明は、基板に処理液を供給して処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を供給する供給機構を有し、前記供給機構から供給された処理液により基板を処理する基板処理部と、前記基板処理部で処理された処理液を回収する第1回収部と、前記基板処理部で処理された処理液を前記第1回収部へ供給するための第1配管と、一端側が前記第1回収部に接続され、前記第1回収部にある処理液を前記第1回収部から排出するための第2配管と、前記第2配管を介して排出された処理液を回収する第2回収部と、前記第2回収部から排出された処理液を前記基板処理部の前記供給機構へ供給するための第3配管と、前記第3配管に設けられ、前記第3配管を流れる処理液を加熱する加熱機構と、前記第3配管の前記加熱機構より下流側に接続され、前記第3配管を流れる処理液を前記第2回収部へ供給する第1分岐管と、前記第3配管の前記第1分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、前記第3配管を流れる処理液を前記第1回収部へ供給する第2分岐管と、前記第3配管の前記第2分岐管が接続されている位置より下流側に設けられた第1開閉弁と、前記第1分岐管に設けられた第2開閉弁と、前記第1開閉弁及び前記第2開閉弁の開閉動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とするものである。 The invention described in claim 1 for achieving the above-described object has a supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate in a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to the substrate for processing. A substrate processing unit for processing a substrate with the supplied processing liquid, a first recovery unit for recovering the processing liquid processed in the substrate processing unit, and a processing liquid processed in the substrate processing unit for the first recovery unit A first pipe for supplying the first recovery pipe, one end of which is connected to the first recovery part, a second pipe for discharging the processing liquid in the first recovery part from the first recovery part, and the second pipe A second recovery part for recovering the processing liquid discharged via the second recovery part; a third pipe for supplying the processing liquid discharged from the second recovery part to the supply mechanism of the substrate processing part; A heater provided in the pipe for heating the treatment liquid flowing through the third pipe A first branch pipe connected to the downstream side of the heating mechanism of the third pipe and supplying the processing liquid flowing through the third pipe to the second recovery section; and the first branch pipe of the third pipe A second branch pipe connected to the downstream side from the position where the first pipe is connected, and supplying the processing liquid flowing through the third pipe to the first recovery section; and the second branch pipe of the third pipe is connected. A first on-off valve provided on the downstream side of the position, a second on-off valve provided on the first branch pipe, and a control means for controlling an on-off operation of the first on-off valve and the second on-off valve. It is characterized by providing.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記第2分岐管に設けられた第3開閉弁と、前記第1回収部の液面レベルを検出する検出手段とをさらに備え、前記検出手段が最大基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記第3開閉弁を閉にすることを特徴とするものである。 According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, a third on-off valve provided in the second branch pipe, and a detecting means for detecting a liquid level of the first recovery part The control means closes the third on-off valve when the detection means detects a value equal to or greater than a maximum reference value.
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理装置において、前記第2配管に設けられ、前記第2配管を通して前記第1回収部から前記第2回収部へ処理液を供給させる駆動ポンプをさらに備え、前記検出手段が最小基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記駆動ポンプを作動させることを特徴とするものである。 According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect, the processing liquid is provided to the second piping and the processing liquid is supplied from the first recovery portion to the second recovery portion through the second piping. A drive pump is further provided, and when the detection means detects a minimum reference value or more, the control means operates the drive pump.
請求項4に記載の発明は、請求項2または請求項3に記載の基板処理装置において、前記第1配管に設けられた第4開閉弁をさらに備え、前記第4開閉弁が開になり、かつ前記検出手段が最大基準値以上を検出していない場合、前記制御手段は、前記第3開閉弁を開にすることを特徴とするものである。
The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to
本発明に係る基板処理装置によれば、第3配管の前記第1分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、第3配管を流れる処理液を第1回収部へ供給する第2分岐管を設けているので、加熱機構で加熱された処理液が第1回収部へ供給される。その結果、本発明に係る基板処理装置では、第1回収部において処理液が滞留して処理液から不要物が析出されることが抑制され、処理液を再利用する際において、基板処理部において基板の処理不良の発生を防止できるという効果がある。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, the second pipe connected to the downstream side of the position where the first branch pipe of the third pipe is connected, and supplies the processing liquid flowing through the third pipe to the first recovery section. Since the branch pipe is provided, the processing liquid heated by the heating mechanism is supplied to the first recovery unit. As a result, in the substrate processing apparatus according to the present invention, it is suppressed that the processing liquid stays in the first recovery unit and unnecessary substances are deposited from the processing liquid. There is an effect that it is possible to prevent the occurrence of processing defects on the substrate.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
この基板処理装置は、基板の一種であるウエハWに洗浄、エッチング、乾燥等の所定の処理を行う基板処理部1を備えている。基板処理部1は、ウエハWを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。 The substrate processing apparatus includes a substrate processing unit 1 that performs predetermined processing such as cleaning, etching, and drying on a wafer W that is a kind of substrate. The substrate processing unit 1 is a single wafer processing apparatus that processes wafers W one by one.
この基板処理部1は、水平姿勢のウエハWを保持する保持機構3を備えている。この保持機構3でのウエハWの保持は、ウエハWの端部の複数個所を保持するメカニカルチャックである。この保持機構3の下側には回転軸5の一端側が接続されている。回転軸5の他端側にはモータ7が接続されている。このモータ7を駆動させることにより、保持機構3に保持された水平姿勢のウエハWが所定の回転数で回転する。
The substrate processing unit 1 includes a
保持機構3に保持されたウエハWの上方には、ウエハWの表面に処理液を供給する供給ノズル9が設けられている。なお、この供給ノズル9は、本発明の供給機構に相当する。保持機構3に保持されたウエハWの周囲には、円筒状の回収カップ11が配置されている。供給ノズル9からウエハWの表面に供給された処理液は、ウエハWの回転にともなって周囲に飛散し、回収カップ11で回収される。基板処理部1の底部には排出口13が設けられており、回収カップ11で回収された処理液は、排出口13から基板処理部1外へ排出される。なお、この実施の形態で使用する処理液としては、処理液の温度が低下した際に、粘性が高くなるものが考えられ、例えば、ST250(ATMI社製)、リン酸(H3PO4)等がある。
A supply nozzle 9 for supplying a processing liquid to the surface of the wafer W is provided above the wafer W held by the
排出口13には、排出管15の上流側の一端が接続されている。この排出管15は下流側の部位16において、2つの配管すなわち、廃棄管17と第1配管19とが接続されている。廃液管17の途中には、開閉弁21が設けられている。
One end on the upstream side of the discharge pipe 15 is connected to the discharge port 13. In the discharge pipe 15, two pipes, that is, a waste pipe 17 and a
第1配管19の上流側は、部位16において排出管15に接続されており、下流側は第1回収タンク23に接続されている。第1配管19の途中には、本発明の第4開閉弁に相当する開閉弁25が設けられている。開閉弁21と開閉弁25は、制御部55(図2参照)により、それぞれ開閉動作の切り替えが可能である。開閉弁21を開にし、開閉弁25を閉にすると、基板処理部1にある処理液は、排出口13、排出管15、部位16及び廃液管17を介して基板処理装置外に排出される。一方、開閉弁25を開にし、開閉弁21を閉にすると、基板処理部1にある処理液は、排出口13、排出管15及び第1配管19を介して第1回収タンク23に回収される。なお、第1回収タンク23は、本発明の第1回収部に相当する。
The upstream side of the
第1回収タンク23の側面には、第1回収タンク23に回収された処理液の液面レベルを検出するレベルセンサ27が設けられている。このレベルセンサ27には、最小基準値Aと最大基準値Bとが表示されている。最小基準値Aは、制御部55が、駆動ポンプ32(後述)の駆動を制御する基準液面であり、最大基準値Bは、開閉弁49の開閉を制御す
る基準液面である。図1に示すように、最大基準値Bは、最小基準値Aより高く設定されている。なお、このレベルセンサ27は、本発明の検出手段に相当する。
On the side surface of the first recovery tank 23, a level sensor 27 that detects the liquid level of the processing liquid recovered in the first recovery tank 23 is provided. The level sensor 27 displays a minimum reference value A and a maximum reference value B. The minimum reference value A is a reference liquid level at which the control unit 55 controls the driving of a drive pump 32 (described later), and the maximum reference value B is a reference liquid level that controls the opening / closing of the on-off
この第1回収タンク23の底部には、排出口(図示省略)が形成されている。第1回収タンク23に貯留された処理液を第1回収タンク23から廃棄する場合は、この排出口を開いて、第1回収タンク23から処理液を排出する。 A discharge port (not shown) is formed at the bottom of the first recovery tank 23. When the processing liquid stored in the first recovery tank 23 is discarded from the first recovery tank 23, the discharge port is opened and the processing liquid is discharged from the first recovery tank 23.
第1回収タンク23の側面下部には、第2配管29の上流側の一端が接続されている。第2配管29の下流側には第2回収タンク31が接続されている。この第2配管29の途中には、本発明の駆動ポンプに相当する駆動ポンプ32が設けられており、制御部55からの制御により駆動ポンプ32が駆動すると、第1回収タンク23に貯留された処理液は、第2配管29を介して第2回収タンク31に供給される。なお、第2回収タンク31は本発明の第2回収部に相当する。
One end on the upstream side of the
この第2回収タンク31の底部には、第1回収タンク23と同様、排出口(図示省略)が形成されている。第2回収タンク31に貯留された処理液を第2回収タンク31から廃棄する場合は、この排出口を開いて、第2回収タンク31から処理液を排出する。
Similar to the first recovery tank 23, a discharge port (not shown) is formed at the bottom of the
第2回収タンク31の側面下部には、第3配管33の上流側の一端が接続されている。第3配管33の下流側は、基板処理部1の供給ノズル9に接続されている。基板処理部1の排出口13、排出管15、第1配管19、第1回収タンク23、第2配管29、第2回収タンク31及び第3配管33は、処理液を再利用するために、基板処理部1から一旦排出された処理液を再び基板処理部1へ供給させる循環経路を構成している。
One end on the upstream side of the
第3配管33の途中には、上流側からヒータ35、温度センサ37、及び駆動ポンプ39が順に設けられている。ヒータ35は、第3配管33を流れる処理液を加熱するものである。温度センサ37は、ヒータ35で加熱させられた処理液の温度を測定するものである。制御部55からの制御により、駆動ポンプ39が駆動すると、第2回収タンク31に貯留された処理液は、第3配管33を介して供給ノズル9側へ供給される。なお、このヒータ35は、本発明の加熱機構に相当する。
In the middle of the
第3配管33において駆動ポンプ39の下流側の部位45に、第1分岐管41の上流側の一端が接続されている。一方、第1分岐管41の下流側は第2回収タンク31に接続されている。この第1分岐管41の途中には、開閉弁43が設けられている。制御部55からの制御により開閉弁43を開にすると、第2回収タンク31から第3配管33へ一旦排出された処理液が、ヒータ35で加熱され、第3配管33及び第1分岐管41を介して第2回収タンク31へ供給される。なお、開閉弁43は、本発明の第2開閉弁に相当する。
One end on the upstream side of the
第3配管33において第1分岐管41が接続されている部位45よりも下流側の位置の部位51に、第2分岐管47の上流側の一端が接続されている。第2分岐管47の下流側は第1回収タンク23に接続されている。この第2分岐管47の途中には、開閉弁49が設けられている。制御部55からの制御により、開閉弁49を開にすると、第3配管33を流れている処理液が、第2分岐管47を介して第1回収タンク23に回収される。なお、開閉弁49は、本発明の第3開閉弁に相当する。
One end of the
第3配管33において第2分岐管47が接続されている部位51よりも下流側に、開閉弁53が設けられている。制御部55からの制御により、開閉弁53を開にすると、第2回収タンク31に貯留している処理液が、第3配管33を介して供給ノズル9へ供給され、基板処理部1において、ウエハの洗浄等の処理が行われる。
An on-off valve 53 is provided on the downstream side of the portion 51 to which the
図2は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。制御部55は、モータ7、開閉弁21、開閉弁25、レベルセンサ27、駆動ポンプ32、ヒータ35、温度センサ37、駆動ポンプ39、開閉弁43、開閉弁49、及び開閉弁53と接続されており、各駆動系の動作を制御する。なお、制御部55は、本発明の制御手段に相当する。
FIG. 2 is a block diagram showing a control system of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. The control unit 55 is connected to the motor 7, the on-off valve 21, the on-off
なお、制御部55は、開閉弁21を開くときには、開閉弁25を閉にし、開閉弁21を閉にするときには、開閉弁25を開とするように、開閉弁21と開閉弁25とに連動性を持たせて制御している。また、制御部55は、開閉弁25を開くときには、開閉弁49も開くように、開閉弁25と開閉弁49とに連動性を持たせて制御している。また、制御部55は、レベルセンサ27が最大基準値B以上を検出した場合、開閉弁49を閉にするというように、レベルセンサ27と開閉弁49とに連動性を持たせて制御している。また、制御部55は、レベルセンサ27が最小基準値A以上を検出した場合、駆動ポンプ32を駆動するというように、レベルセンサ27と駆動ポンプ32とに連動性を持たせて制御している。さらに、制御部55は、開閉弁43が開くときには、開閉弁53を閉にし、開閉弁43を閉じるときには、開閉弁53を開とするように、開閉弁43と開閉弁53とに連動性を持たせて制御している。
The controller 55 is linked to the on-off valve 21 and the on-off
次に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の処理動作について説明する。図3は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。なお、この処理動作は、再利用される処理液の流れに基づいている。 Next, the processing operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the processing operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. This processing operation is based on the flow of processing liquid to be reused.
まず、基板処理部1において、ウエハWの洗浄、エッチング等の処理の終了後、この処理で使用された処理液が排出口13から排出される(ステップS1)。排出口13から排出された処理液は、排出口13から排出管15へ流れていく。次に、制御部55は、処理液を廃棄するか、再利用するかのいずれかを判断する(ステップS2)。ステップS2において、処理液を廃棄する(再利用しない)と判断された場合、制御部55は開閉弁21を開き、開閉弁25を閉に制御する(ステップS3)。開閉弁21が開かれると、基板処理部1にある処理液は、排出口13、排出管15及び廃液管17を介して基板処理装置外に排出されて、廃液処理が終了する。
First, in the substrate processing unit 1, after the processing such as cleaning and etching of the wafer W is completed, the processing liquid used in this processing is discharged from the discharge port 13 (step S1). The processing liquid discharged from the discharge port 13 flows from the discharge port 13 to the discharge pipe 15. Next, the control unit 55 determines whether to discard or reuse the processing liquid (step S2). When it is determined in step S2 that the processing liquid is to be discarded (not reused), the control unit 55 opens the on-off valve 21 and controls the on-off
一方、ステップS2において、処理液を再利用すると判断された場合、制御部55は、開閉弁21を閉じ、開閉弁25を開にする(ステップS4)。制御部55により、開閉弁25が開かれると、基板処理部1にある処理液は、排出口13、排出管15及び第1配管19を介して、第1回収タンク23に一旦回収される。なお、制御部55は、開閉弁25を開にするのに連動させて、開閉弁49も開にする。
On the other hand, when it is determined in step S2 that the processing liquid is reused, the control unit 55 closes the on-off valve 21 and opens the on-off valve 25 (step S4). When the opening / closing
次に、第1回収タンク23に貯留される処理液の液面が、レベルセンサ27の最小基準値Aに達しているか否かを判断する(ステップS5)。ステップS5において、第1回収タンク23における処理液の液面レベルが、レベルセンサ27の最小基準値Aに達していると判断された場合には、このレベルセンサ27による検出に連動させて、制御部55は、駆動ポンプ32を作動させる(ステップS6)。駆動ポンプ32が作動すると、第1回収タンク23に貯留された処理液は、第2配管29を介して第2回収タンク31に供給され、第2回収タンク31に処理液が貯留されていく。
Next, it is determined whether or not the liquid level of the processing liquid stored in the first recovery tank 23 has reached the minimum reference value A of the level sensor 27 (step S5). If it is determined in step S5 that the liquid level of the processing liquid in the first recovery tank 23 has reached the minimum reference value A of the level sensor 27, the control is performed in conjunction with the detection by the level sensor 27. The part 55 operates the drive pump 32 (step S6). When the drive pump 32 operates, the processing liquid stored in the first recovery tank 23 is supplied to the
次に、制御部55は、開閉弁43及び開閉弁49を開にし、開閉弁53を閉にした状態で、ヒータ35及び駆動ポンプ39をONにする(ステップS7)。駆動ポンプ39の駆動により、第2回収タンク31に貯留された処理液は、第3配管33及び第1分岐管41を介して再び第2回収タンク31へ供給されるように循環され、ヒータ35の加熱により、第3配管33を流れる処理液は加熱される。このとき、開閉弁49は開で、開閉弁53
は閉であるので、ヒータ35により加熱された処理液は、第3配管33から第2分岐管47に流れて、第1回収タンク23にも供給される。
Next, the control unit 55 opens the on-off valve 43 and the on-off
Since is closed, the processing liquid heated by the heater 35 flows from the
第2回収タンク31、第3配管33及び第1分岐管41で形成される循環経路において処理液が循環されている間に、温度センサ37は処理液が所定の温度になったか否かを判断する(ステップS8)。ステップS8において、処理液が所定の温度に到達したと判断されると、制御部55は、基板処理部1においてウエハWを処理液により処理すべきか否かを判断する(ステップS9)。ステップS9において、ウエハWを処理液により処理すべきと判断された場合、制御部55は、開閉弁53を開にし、開閉弁43を閉にする(ステップS10)。開閉弁53が開の状態になると、供給ノズル9は、第2回収タンク31に貯留されていた処理液を保持機構3に保持されたウエハWの表面に供給する。これにより、所定の時間処理液によりウエハWに対する洗浄等の処理が行われる(ステップS11)。
While the processing liquid is circulated in the circulation path formed by the
ステップS10において、制御部55は、開閉弁43を閉にしているので、第2回収タンク31に貯留された処理液は、第3配管33及び第1分岐管41を介して再び第2回収タンク31へ供給されるような処理液の循環は停止される。また、開閉弁49は開の状態であるので、ステップS7以降において、ヒータ35により加熱された処理液は、第3配管33から第2分岐管47に流れて、第1回収タンク23に供給され続けている。なお、第1回収タンク23に貯留される処理液の液面が、レベルセンサ27の最大基準値Bに達した場合、制御部55は、開閉弁49を閉にする。
In step S10, since the control unit 55 closes the on-off valve 43, the processing liquid stored in the
ウエハWの処理が終了すると、制御部55は、開閉弁53を閉にし、開閉弁43を開にする(ステップS12)。続いて、これまでの上述した工程において稼動していた各機構が停止する。具体的には、制御部55により、駆動ポンプ32、ヒータ35及び駆動ポンプ39のそれぞれをOFFにする(ステップS13)。続いて、上述したステップS3へ移行する。開閉弁21が開かれると、基板処理部1にある処理液は、排出管15及び廃液管17を介して基板処理装置外に排出されて、廃液処理は終了する。ウエハWに対する処理液による処理が終了した後に、純水によりウエハWの処理が行われるが、再利用される処理液の流れに関する一連の処理動作は終了する。 When the processing of the wafer W is completed, the control unit 55 closes the open / close valve 53 and opens the open / close valve 43 (step S12). Subsequently, each mechanism that has been operating in the above-described steps is stopped. Specifically, the control unit 55 turns off each of the drive pump 32, the heater 35, and the drive pump 39 (step S13). Subsequently, the process proceeds to step S3 described above. When the on-off valve 21 is opened, the processing liquid in the substrate processing unit 1 is discharged out of the substrate processing apparatus via the discharge pipe 15 and the waste liquid pipe 17, and the waste liquid processing is finished. After the processing with the processing liquid on the wafer W is completed, the wafer W is processed with pure water, but a series of processing operations relating to the flow of the processing liquid to be reused is completed.
この発明の実施の形態においては、第3配管33において第1分岐管41が接続されている部位45よりも下流側の位置の部位51に、第2分岐管47の上流側の一端が接続されており、第2分岐管47の下流側は第1回収タンク23に接続されている。そして、制御部55が、開閉弁43及び開閉弁49を開にし、開閉弁53を閉にした状態で、ヒータ35及び駆動ポンプ39をONにするというステップS7以降において、ヒータ35により加熱された処理液は、第3配管33から第2分岐管47に流れて、第1回収タンク23に供給され続ける。これにより、加熱された処理液により第1回収タンク23に貯留された処理液が温められるので、処理液の粘性が高くなることもなく、第1回収タンク23において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出することが抑制される。その結果、循環経路を用いて処理液を再利用する際において、基板処理部1において不要物が原因で発生する基板の処理不良の防止できる。
In the embodiment of the present invention, the upstream end of the
第3配管33において第2分岐管47の上流側の一端が接続されており、第2分岐管47の下流側は第1回収タンク23に接続させているだけなので、簡易な構成で、基板の処理不良の防止を実現できる。
One end on the upstream side of the
また、この発明の実施の形態においては、第1回収タンク23に貯留される処理液の液面レベルが、レベルセンサ27の最大基準値Bに達した場合、制御部55は、開閉弁49を閉にするように制御しているので、第1回収タンク23に処理液が溢れるようなことは
なく、第1回収タンク23に貯留される処理液の液量を適正に調整できる。
In the embodiment of the present invention, when the liquid level of the processing liquid stored in the first recovery tank 23 reaches the maximum reference value B of the level sensor 27, the control unit 55 controls the on-off
また、この発明の実施の形態においては、第1回収タンク23における処理液の液面レベルが、レベルセンサ27の最小基準値Aに達すると、このレベルセンサ27による検出に連動させて、制御部55は、駆動ポンプ32を作動させているので、第1回収タンク23から第2回収タンク31への処理液の供給をスムーズに行うことができる。さらに、制御部55によるレベルセンサ27の最小基準値Aと駆動ポンプ32との連動性を持たせた制御により、第1回収タンク23に貯留される処理液の液量を適正に調整できる。
In the embodiment of the present invention, when the liquid level of the processing liquid in the first recovery tank 23 reaches the minimum reference value A of the level sensor 27, the control unit is linked with the detection by the level sensor 27. 55, because the drive pump 32 is operated, the processing liquid can be smoothly supplied from the first recovery tank 23 to the
また、この発明の実施の形態においては、制御部55は、開閉弁25を開にするのと連動させて、開閉弁49も開にしているので、循環経路を用いて処理液を再利用する際には、常時加熱された処理液を第3配管33から第2分岐管47に流して、第1回収タンク23に供給させることが可能となる。
In the embodiment of the present invention, the control unit 55 opens the on-off
この発明の実施形態の説明は以上であるが、この発明は、上述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。この実施形態では、基板処理部1においてウエハWを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置で説明したが、処理槽に貯留された処理液に複数の基板を浸漬させて処理するバッチ式の基板洗浄装置にも適用することができる。 Although the description of the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the claims. In this embodiment, the single-wafer type substrate processing apparatus that processes the wafers W one by one in the substrate processing unit 1 has been described. It can also be applied to the substrate cleaning apparatus.
また、この実施形態では、検出手段としてのレベルセンサ27を1つのセンサで説明したが、複数のレベルセンサを設け、それぞれのレベルセンサに対応させる形式で、最大基準値、最小基準値を設定するようにしてもよい。 Further, in this embodiment, the level sensor 27 as the detection means has been described as a single sensor, but a plurality of level sensors are provided, and the maximum reference value and the minimum reference value are set in a form corresponding to each level sensor. You may do it.
1 基板処理部
9 供給ノズル
16 部位
15 排出管
19 第1配管
23 第1回収タンク
25 開閉弁
27 レベルセンサ
29 第2配管
31 第2回収タンク
33 第3配管
35 ヒータ
37 温度センサ
41 第1分岐管
43 開閉弁
45 部位
47 第2分岐管
49 開閉弁
51 部位
53 開閉弁
W ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing part 9 Supply nozzle 16 Site | part 15
Claims (4)
基板に処理液を供給する供給機構を有し、前記供給機構から供給された処理液により基板を処理する基板処理部と、
前記基板処理部で処理された処理液を回収する第1回収部と
前記基板処理部で処理された処理液を前記第1回収部へ供給するための第1配管と
一端側が前記第1回収部に接続され、前記第1回収部にある処理液を前記第1回収部から排出するための第2配管と、
前記第2配管を介して排出された処理液を回収する第2回収部と
前記第2回収部から排出された処理液を前記基板処理部の前記供給機構へ供給するための第3配管と、
前記第3配管に設けられ、前記第3配管を流れる処理液を加熱する加熱機構と、
前記第3配管の前記加熱機構より下流側に接続され、前記第3配管を流れる処理液を前記第2回収部へ供給する第1分岐管と、
前記第3配管の前記第1分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、前記第3配管を流れる処理液を前記第1回収部へ供給する第2分岐管と、
前記第3配管の前記第2分岐管が接続されている位置より下流側に設けられた第1開閉弁と、
前記第1分岐管に設けられた第2開閉弁と、
前記第1開閉弁及び前記第2開閉弁の開閉動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that performs processing by supplying a processing liquid to a substrate,
A substrate processing unit having a supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate, and processing the substrate with the processing liquid supplied from the supply mechanism;
A first recovery unit for recovering the processing liquid processed in the substrate processing unit; a first pipe for supplying the processing liquid processed in the substrate processing unit to the first recovery unit; and one end side of the first recovery unit A second pipe for discharging the processing liquid in the first recovery part from the first recovery part;
A second recovery part for recovering the processing liquid discharged through the second pipe; a third pipe for supplying the processing liquid discharged from the second recovery part to the supply mechanism of the substrate processing part;
A heating mechanism that is provided in the third pipe and heats the treatment liquid flowing through the third pipe;
A first branch pipe connected to the downstream side of the heating mechanism of the third pipe and supplying a treatment liquid flowing through the third pipe to the second recovery section;
A second branch pipe connected to the downstream side of the position where the first branch pipe of the third pipe is connected, and supplying the treatment liquid flowing through the third pipe to the first recovery section;
A first on-off valve provided on the downstream side of the position where the second branch pipe of the third pipe is connected;
A second on-off valve provided in the first branch pipe;
A substrate processing apparatus comprising: control means for controlling an opening / closing operation of the first opening / closing valve and the second opening / closing valve.
前記第2分岐管に設けられた第3開閉弁と、
前記第1回収部の液面レベルを検出する検出手段とをさらに備え、
前記検出手段が最大基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記第3開閉弁を閉にすることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A third on-off valve provided in the second branch pipe;
Detecting means for detecting the liquid level of the first recovery unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit closes the third on-off valve when the detection unit detects a value equal to or greater than a maximum reference value.
前記第2配管に設けられ、前記第2配管を通して前記第1回収部から前記第2回収部へ処理液を供給させる駆動ポンプをさらに備え、
前記検出手段が最小基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記駆動ポンプを作動させることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
A drive pump provided in the second pipe and supplying a processing liquid from the first recovery section to the second recovery section through the second pipe;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein when the detection unit detects a minimum reference value or more, the control unit operates the drive pump.
前記第1配管に設けられた第4開閉弁をさらに備え、
前記第4開閉弁が開になり、かつ前記検出手段が最大基準値以上を検出していない場合、前記制御手段は、前記第3開閉弁を開にすることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus of Claim 2 or Claim 3,
A fourth on-off valve provided in the first pipe;
The substrate processing apparatus, wherein the control means opens the third on-off valve when the fourth on-off valve is open and the detection means does not detect a maximum reference value or more.
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