JP2012204661A - 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極111、ソース電極131、ドレイン電極132、バス配線、画素電極133、ゲート絶縁膜121、層間絶縁膜122、半導体層141の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜121および/もしくは層間絶縁膜122が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。
【選択図】 図1
Description
さらに、層間絶縁膜122は凹凸形状を有しているものの単一膜であり、層間絶縁膜122自体のガスや化学物質バリア性に優れる。層間絶縁膜122上にガスや化学物質バリア層を設けてもよく、単一膜ゆえにバリア層の製膜性に優れることが期待される。
機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を用いて、凹凸形状を有する転写版290の上に液膜(インク塗布膜213)を形成する(図2b)。液膜形成の方法はバーコート、スプレーコート、ダイコート、キャップコート、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、リップコート、インクジェットなどを用いることができる。
転写版290上の薬液を乾燥させて乾燥液膜(乾燥インク膜214)を形成する(図2c)。乾燥方法は自然乾燥や熱・冷・室温風乾燥、赤外光乾燥、減圧乾燥などを用いることができる。薬液の乾燥は薬液が実質的に流動性を持たない状態のことを指し、乾燥状態のインク膜を基板に転写することで、インクの流動性の少ない、転写版290の凹凸形状を再現したパターンが得られる。
転写版290上の乾燥液膜を薄膜トランジスタ基板200の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う(図2d)。転写する際の印圧方法は平圧、円圧、輪転の何れでも良く、室温転写でも加熱転写などの温調を行っても良い。転写版290上の乾燥状態のインク膜は転写版290の凹凸形状に対応して、転写版290の凹部の乾燥状態のインク膜面が転写版290の凸部の膜面より凹んだ形状をしている場合がある。転写を行う際には適切な印圧を加えることによって適切に転写を行うことができる。下層へのアライメント方法は転写版290を通して基板側を観察する方法や、2対2組のカメラで転写版290と基板を観察する方法や、捨て刷り位置を記録し本番基板を設置する方法などを用いることができる。
これにより、画素キャパシタとチャネルに相当する部分の膜厚が600nm、その他の部分の膜厚が1000nmの凹凸構造を有したゲート絶縁膜121が得られた。
ドレイン電極132上の膜厚が150nm、その他の部分の膜厚が1200nmの凹凸構造を有した層間絶縁膜122が得られた。
111…ゲート電極
112…キャパシタ電極
121…ゲート絶縁膜
122…層間絶縁膜
131…ソース電極
132…ドレイン電極
133…画素電極
141…半導体層
290…転写版
291…小突起
292…大突起
323…ポリビニルフェノール膜
390…転写版
391.392…凸部
1…基板
Claims (8)
- 薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、バス配線、画素電極、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、半導体層の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、
ゲート絶縁膜および/もしくは層間絶縁膜が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。 - 薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、バス配線、画素電極、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、半導体層の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成され、次の工程1から3よりなる転写工程により基板上への機能性膜の形成を行う工程を有する薄膜トランジスタ装置の製造方法において、
機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を用いて、転写版の上に液膜形成を行う工程1と、
転写版上の薬液を乾燥させて乾燥液膜を形成する工程2と、
転写版上の乾燥液膜を薄膜トランジスタ基板の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う工程3と、
この1回の転写工程により転写版の凹凸形状を写した複数の膜厚の機能性膜が形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 機能性材料が絶縁材料で構成され、機能性膜がゲート絶縁膜および/もしくは層間絶縁膜として機能することを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 転写版がシリコーンゴムもしくはフッ素ゴムで構成されることを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 液膜形成の方法がバーコート、スプレーコート、ダイコート、キャップコート、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、リップコート、インクジェットであることを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 転写版は、キャパシタ電極に相当する部分に凸状の突起形状を有することを特徴とする請求項2または4に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 転写版は、チャネル部分に相当する部分に凸状の突起形状を有することを特徴とする請求項2または4に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 転写版は、ドレイン電極に相当する部分に凸状の突起形状を有することを特徴とする請求項2または4に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
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