JP2012204071A - Lighting device and headlight - Google Patents

Lighting device and headlight Download PDF

Info

Publication number
JP2012204071A
JP2012204071A JP2011066131A JP2011066131A JP2012204071A JP 2012204071 A JP2012204071 A JP 2012204071A JP 2011066131 A JP2011066131 A JP 2011066131A JP 2011066131 A JP2011066131 A JP 2011066131A JP 2012204071 A JP2012204071 A JP 2012204071A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
phosphor
laser
emitting unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011066131A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Kishimoto
克彦 岸本
Yoji Kishima
洋史 貴島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2011066131A priority Critical patent/JP2012204071A/en
Priority to PCT/JP2012/057718 priority patent/WO2012128384A1/en
Publication of JP2012204071A publication Critical patent/JP2012204071A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable to adjust color temperature of illumination light.SOLUTION: The headlight 1 is provided with a main light source 2 emitting excitation light, a light-emitting part 7 receiving the excitation light emitted from the main light source 2 to emit fluorescence, and a sub light source 3 emitting blue light having a wavelength region different from that of the excitation light. The fluorescence emitted from the light-emitting part 7 and the blue light emitted from the sub light source 3 are emitted as illumination light.

Description

本発明は、高輝度光源として機能する照明装置および当該照明装置を備えた前照灯に関するものである。   The present invention relates to an illumination device that functions as a high-intensity light source and a headlamp that includes the illumination device.

近年、励起光源として発光ダイオード(LED;Light Emitting Diode)や半導体レーザ(LD;Laser Diode)等の半導体発光素子を用い、これらの励起光源から生じた励起光を、蛍光体を含む発光部に照射することによって発生する蛍光を照明光として用いる照明装置の研究が盛んになってきている。   In recent years, semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and semiconductor lasers (LDs) are used as excitation light sources, and excitation light generated from these excitation light sources is emitted to light emitting units including phosphors. Studies of lighting devices that use fluorescent light generated as a result of illumination have become active.

このような照明装置の一例が特許文献1に開示されている。この照明装置では、高輝度光源を実現するために、励起光源として、450nm以下のレーザ光を出射するGaN系半導体レーザを用いている。一般に、半導体レーザから発振されるレーザ光は、コヒーレントな光であるため、指向性が強く、当該レーザ光を励起光として無駄なく集光し、利用することができる。   An example of such an illumination device is disclosed in Patent Document 1. In this illumination device, in order to realize a high-intensity light source, a GaN-based semiconductor laser that emits laser light of 450 nm or less is used as an excitation light source. In general, since laser light oscillated from a semiconductor laser is coherent light, the directivity is strong, and the laser light can be condensed and used as excitation light without waste.

また、特許文献1には、励起光源として、上記GaN系半導体レーザの代わりに、GaN系発光ダイオードを用いた照明装置が開示されている。この発光ダイオードは、コンタクト層やクラッド層などから構成される積層体を含み、その積層体には凹部が設けられている。そして、その凹部に蛍光体を充填することにより、蛍光の取り出し効率の向上が図られている。   Patent Document 1 discloses an illumination device using a GaN-based light-emitting diode instead of the GaN-based semiconductor laser as an excitation light source. This light emitting diode includes a laminated body composed of a contact layer, a clad layer, and the like, and the laminated body is provided with a recess. And the fluorescent extraction efficiency is improved by filling the concave portion with a fluorescent material.

特開2000−174346号公報(平成12年6月23日公開)JP 2000-174346 A (published June 23, 2000)

しかしながら、特許文献1では、励起光源として、上記の半導体レーザあるいは発光ダイオードを用い、高輝度光源の実現あるいは蛍光の取り出し効率の向上を図っているが、照明光の色温度を調整するといった技術的思想については一切開示されていない。これは、特許文献1においては、その色温度調整の必要性については認識されていなかったためである。   However, in Patent Document 1, the above-described semiconductor laser or light-emitting diode is used as an excitation light source to achieve a high-intensity light source or to improve fluorescence extraction efficiency, but technically adjusting the color temperature of illumination light. No idea is disclosed. This is because Patent Document 1 has not recognized the necessity of adjusting the color temperature.

ここで、紫外領域から青紫色領域(350〜405nm近傍)の発振波長を有する励起光を青色蛍光体に照射することにより照明光の色温度を高めることは、理論的には可能である。しかし、発光効率が高く、レーザ光源を備える照明装置に適した青色蛍光体は希少であるため、この方法で照明光の色温度を高めることは困難であった。   Here, it is theoretically possible to increase the color temperature of the illumination light by irradiating the blue phosphor with excitation light having an oscillation wavelength from the ultraviolet region to the blue-violet region (around 350 to 405 nm). However, it is difficult to increase the color temperature of the illumination light by this method because the blue phosphors that have high luminous efficiency and are suitable for illumination devices including a laser light source are rare.

また、例えば、405nm近傍の発振波長を有する励起光源とともに、当該励起光により励起される蛍光体(青緑発光蛍光体+赤色発光蛍光体)を使用し、当該蛍光体においてその励起光が全て蛍光に変換される場合、照明光としては白色光が出射される。しかし、この場合、青色蛍光体を使用した場合に比べ、蛍光体から出射される蛍光に含まれる青味成分は少なくなるので、その青味成分が少ない分、その白色光の色度範囲、すなわち「所謂白色」にできる範囲が狭くなってしまう。   Further, for example, together with an excitation light source having an oscillation wavelength near 405 nm, a phosphor excited by the excitation light (blue-green emission phosphor + red emission phosphor) is used, and the excitation light is all fluorescent in the phosphor. White light is emitted as the illumination light. However, in this case, the blue component contained in the fluorescence emitted from the phosphor is reduced compared to the case where the blue phosphor is used. Therefore, the chromaticity range of the white light, that is, the amount of the blue component is small, that is, The range that can be “white” becomes narrow.

したがって、405nm近傍の発振波長を有する励起光により励起される青緑発光蛍光体及び赤色発光蛍光体を使用して、照明光として白色光を出射する従来の照明装置において、照明光の色温度を高めることは困難であった。   Therefore, in a conventional lighting device that emits white light as illumination light using a blue-green phosphor and a red light-emitting phosphor excited by excitation light having an oscillation wavelength near 405 nm, the color temperature of the illumination light is set. It was difficult to increase.

なお、「所謂白色」と呼ばれる色度範囲の一例としては、図8に示す6つの点35で囲まれた範囲が挙げられる。図8は、車両用前照灯に要求される白色の色度範囲を示すグラフ(色度図)である。同図において、点35で囲まれた範囲が法律で規定された車両用前照灯に要求される白色の色度範囲であり、曲線33は色温度(K:ケルビン)を示している。   An example of a chromaticity range called “so-called white” is a range surrounded by six points 35 shown in FIG. FIG. 8 is a graph (chromaticity diagram) showing a white chromaticity range required for a vehicle headlamp. In the figure, a range surrounded by a point 35 is a white chromaticity range required for a vehicle headlamp stipulated by law, and a curve 33 indicates a color temperature (K: Kelvin).

また、上記の青緑発光蛍光体の一例としてはCaα−SiAlON:Ce蛍光体、赤色発光蛍光体の一例としてはCASN:Eu蛍光体が挙げられる。また、図8では、Caα−SiAlON:Ce蛍光体(色度点31)及びCASN:Eu蛍光体(色度点32)を使用した場合に照明光が取り得る色度範囲は直線30で示されている。   An example of the blue-green light-emitting phosphor is a Caα-SiAlON: Ce phosphor, and an example of a red light-emitting phosphor is a CASN: Eu phosphor. In FIG. 8, the chromaticity range that the illumination light can take when using the Caα-SiAlON: Ce phosphor (chromaticity point 31) and the CASN: Eu phosphor (chromaticity point 32) is shown by a straight line 30. ing.

したがって、従来の照明装置では、色温度の高い照明光の実現が困難であったため、そもそも色温度の調整を行うことが困難であった。このため、このような照明装置を用いて、様々なニーズ及びユーザの嗜好にあわせたアプリケーション開発を行うことも困難であった。   Therefore, since it is difficult to realize illumination light with a high color temperature in the conventional illumination device, it is difficult to adjust the color temperature in the first place. For this reason, it has also been difficult to develop applications that meet various needs and user preferences using such lighting devices.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、照明光の色温度を調整することが可能な照明装置などを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an illumination device capable of adjusting the color temperature of illumination light.

本発明に係る照明装置は、上記の課題を解決するために、励起光を出射する第1光源と、上記第1光源から出射された励起光を受けて蛍光を発する発光部と、上記励起光とは異なる波長領域を有する第2の光を出射する第2光源とを備え、上記発光部から出射された蛍光および上記第2光源から出射された第2の光を照明光として出射することを特徴としている。   In order to solve the above-described problem, an illumination device according to the present invention includes a first light source that emits excitation light, a light-emitting unit that emits fluorescence upon receiving excitation light emitted from the first light source, and the excitation light. A second light source that emits second light having a wavelength region different from that of the first light source, and emitting the fluorescence emitted from the light emitting section and the second light emitted from the second light source as illumination light. It is a feature.

上記構成によれば、第2光源は、第1光源から出射された励起光とは異なる波長領域を有する第2の光を出射する。この第2の光は、第1光源から出射された励起光を受けて発光部が発した蛍光とともに、照明光として出射される。   According to the above configuration, the second light source emits the second light having a wavelength region different from that of the excitation light emitted from the first light source. The second light is emitted as illumination light together with the fluorescence emitted from the light emitting unit upon receiving the excitation light emitted from the first light source.

それゆえ、本発明の照明装置は、発光部が発した蛍光とは異なる第2の光を照明光として利用できるので、例えば励起光としてのレーザ光が外部に漏れることを防ぎ、蛍光のみを照明光として用いるように設計された従来の照明装置においては困難であった色温度の調整を行うことができる。   Therefore, the illumination device of the present invention can use the second light different from the fluorescence emitted from the light emitting unit as the illumination light. For example, the laser light as the excitation light is prevented from leaking outside, and only the fluorescence is illuminated. It is possible to adjust the color temperature, which has been difficult in a conventional lighting device designed to be used as light.

また、本発明に係る照明装置では、上記第1光源は、紫外領域から青紫色領域の発振波長を有する光を上記励起光として出射し、上記第2光源は、青色領域の発振波長を有する光を上記第2の光として出射することが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, the first light source emits light having an oscillation wavelength from an ultraviolet region to a blue-violet region as the excitation light, and the second light source emits light having an oscillation wavelength in a blue region. Is preferably emitted as the second light.

第1光源が紫外領域から青紫色領域の発振波長を有する光を励起光として出射する場合、その励起光から得られる蛍光の青味成分はほとんどないか、あってもわずかである。上記構成によれば、第2光源が青色領域の発振波長を有する光(青色光)を第2の光として出射するので、蛍光の青味成分をその第2の光により補填できる。このため、照明装置は、照明光の色温度を高めることができる。   When the first light source emits light having an oscillation wavelength from the ultraviolet region to the blue-violet region as excitation light, there is little or no fluorescence bluish component obtained from the excitation light. According to the above configuration, since the second light source emits the light having the oscillation wavelength in the blue region (blue light) as the second light, the blue light component of the fluorescence can be compensated by the second light. For this reason, the illuminating device can raise the color temperature of illumination light.

また、本発明に係る照明装置では、上記発光部は、350nm以上、420nm以下の波長範囲に光の吸収ピーク波長を有する第1蛍光体を含むことが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, it is preferable that the light emitting portion includes a first phosphor having an absorption peak wavelength of light in a wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less.

また、本発明に係る照明装置では、350nm以上、420nm以下の波長範囲の励起光を受けたときの上記第1蛍光体の吸収率は、70%以上であることが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, the first phosphor preferably has an absorptance of 70% or more when receiving excitation light in a wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less.

また、本発明に係る照明装置では、上記第1蛍光体は、Caα−SiAlON:Ce蛍光体であることが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, the first phosphor is preferably a Caα-SiAlON: Ce phosphor.

第1蛍光体は、350nm以上、420nm以下の波長範囲に光の吸収ピーク波長を有しているので、第1蛍光体の吸収率は、他の波長範囲における吸収率よりも高い。特に、350nm以上、420nm以下の波長範囲に発振波長を有する励起光を受けたときの第1蛍光体(特にCaα−SiAlON:Ce蛍光体)の吸収率は70%以上である。   Since the first phosphor has an absorption peak wavelength of light in a wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less, the absorption rate of the first phosphor is higher than the absorption rate in other wavelength ranges. In particular, the absorption rate of the first phosphor (particularly Caα-SiAlON: Ce phosphor) when receiving excitation light having an oscillation wavelength in the wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less is 70% or more.

逆に言えば、上記他の波長範囲にピーク波長を有する光についての第1蛍光体の吸収率は低い。つまり、420nm以下の波長範囲ではない、例えば青色領域の発振波長(440nm以上の波長範囲にピーク波長)を有する第2の光が発光部に照射されたとき、その第2の光の発光部における吸収率は低い。   Conversely, the absorption rate of the first phosphor with respect to light having a peak wavelength in the other wavelength range is low. That is, when the light emitting unit is irradiated with second light that is not in the wavelength range of 420 nm or less, for example, has a blue region oscillation wavelength (peak wavelength in a wavelength range of 440 nm or more), the light emitting unit of the second light Absorption rate is low.

このため、発光部において第2の光が吸収されにくいので、発光部における第2の光の減衰を抑制できる。それゆえ、本発明の照明装置は、第2の光を効率よく色温度調整に利用できる。   For this reason, the second light is not easily absorbed by the light emitting unit, so that the attenuation of the second light in the light emitting unit can be suppressed. Therefore, the illumination device of the present invention can efficiently use the second light for color temperature adjustment.

また、本発明に係る照明装置では、上記発光部は、630nm以上、650nm以下の波長範囲にピーク波長を有する蛍光を発する第2蛍光体を含むことが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, it is preferable that the light emitting unit includes a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength in a wavelength range of 630 nm to 650 nm.

また、本発明に係る照明装置では、上記第2蛍光体は、CaAlSiN:Eu蛍光体又はSrCaAlSiN:Eu蛍光体であることが好ましい。 In the lighting device according to the present invention, the second phosphor is preferably a CaAlSiN 3 : Eu phosphor or a SrCaAlSiN 3 : Eu phosphor.

上記構成によれば、第2蛍光体を、すなわち赤色で発光する赤色発光蛍光体(特に、CaAlSiN:Eu蛍光体又はSrCaAlSiN:Eu蛍光体)を第1蛍光体と混合することにより、演色性の高い発光部を実現できる。 According to the above configuration, the second phosphor, that is, the red light-emitting phosphor that emits red light (particularly, the CaAlSiN 3 : Eu phosphor or the SrCaAlSiN 3 : Eu phosphor) is mixed with the first phosphor, thereby rendering the color. A highly light-emitting part can be realized.

また、本発明に係る照明装置では、上記第2光源は、上記第2の光としてレーザ光を出射し、上記第2光源が出射したレーザ光を拡散する拡散部をさらに備えることが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, it is preferable that the second light source further includes a diffusion unit that emits laser light as the second light and diffuses the laser light emitted from the second light source.

上記構成によれば、第2の光としてのレーザ光は、拡散部に照射されることにより拡散される。これにより、第2光源がレーザ光源であっても、拡散部によってレーザ光の発光点サイズを拡大することができるので、人体に与える影響を抑制しつつ第2の光を照明光として利用できる。   According to the said structure, the laser beam as 2nd light is spread | diffused by irradiating a diffusion part. Thereby, even if the second light source is a laser light source, the light emitting point size of the laser light can be increased by the diffusing unit, so that the second light can be used as illumination light while suppressing the influence on the human body.

また、本発明に係る照明装置では、上記発光部は、上記拡散部として機能するものであり、上記第2光源が出射したレーザ光は、上記発光部によって拡散されることが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, it is preferable that the light emitting unit functions as the diffusing unit, and the laser light emitted from the second light source is diffused by the light emitting unit.

上記構成によれば、第2の光としてのレーザ光を拡散させるために、励起光を蛍光に変換する発光部を利用できる。このため、拡散のための部材を別途備える必要がないので、その分安価に照明装置を製造できる。   According to the said structure, in order to diffuse the laser beam as 2nd light, the light emission part which converts excitation light into fluorescence can be utilized. For this reason, since it is not necessary to provide the member for diffusion separately, an illuminating device can be manufactured cheaply that much.

また、レーザ光はコヒーレント性が高いので、第2の光を発光部に照射させるために発光部を大きくする必要がない(すなわち、発光部を小さくできる)。このため、第2光源を備えた本発明の照明装置においても高輝度な照明装置を実現できる。   In addition, since the laser light is highly coherent, it is not necessary to enlarge the light emitting unit in order to irradiate the light emitting unit with the second light (that is, the light emitting unit can be reduced). For this reason, a high-luminance illumination device can be realized even in the illumination device of the present invention including the second light source.

また、本発明に係る照明装置では、上記第1光源は、レーザ光源であることが好ましい。   In the illumination device according to the present invention, the first light source is preferably a laser light source.

上記構成によれば、第1光源が高出力かつコヒーレント性の高いレーザ光を出射するので、発光部を小さくしても、その発光部に対する励起光の照射効率を高く、かつ発光部を強く励起できるため、従来と同様の光度を得ることができる。すなわち、第1光源がレーザ光源である場合、発光部を小さくできるので、高輝度な照明装置を実現できる。   According to the above configuration, since the first light source emits a high-output and highly coherent laser beam, even if the light emitting unit is made small, the irradiation efficiency of the excitation light to the light emitting unit is high and the light emitting unit is strongly excited. Therefore, the same luminous intensity as the conventional one can be obtained. That is, when the first light source is a laser light source, the light emitting unit can be made small, so that a high-luminance lighting device can be realized.

また、本発明に係る照明装置では、上記励起光を遮断する遮断フィルタを備えることが好ましい。   Moreover, in the illuminating device which concerns on this invention, it is preferable to provide the cutoff filter which interrupts | blocks the said excitation light.

上記構成によれば、遮断フィルタを備えることにより、蛍光に変換されなかった(あるいは散乱されなかった)励起光が外部に出射されることを確実に防ぐことができる。それゆえ、励起光の発光点サイズが非常に小さく、かつ高出力光である、あるいは励起光が可視光領域以外の波長範囲に属していても、その励起光が外部に漏れ出て人体に与える影響を抑制できる。   According to the said structure, it can prevent reliably that the excitation light which was not converted into fluorescence (or was not scattered) is radiate | emitted outside by providing a cutoff filter. Therefore, even if the emission point size of the excitation light is very small and the output power is high, or the excitation light belongs to a wavelength range other than the visible light region, the excitation light leaks to the outside and is given to the human body. The influence can be suppressed.

また、本発明に係る前照灯は、上記に記載の照明装置を備えることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the headlamp which concerns on this invention is provided with the illuminating device as described above.

上記構成によれば、前照灯は、上記照明装置を備えているので、当該照明装置と同様、励起光とは異なる第2の光を照明光として利用できるので、照明光の色温度を調整できる。   According to the above configuration, since the headlamp includes the illumination device, the second light different from the excitation light can be used as the illumination light, as with the illumination device, so that the color temperature of the illumination light is adjusted. it can.

本発明に係る照明装置は、以上のように、励起光を出射する第1光源と、上記第1光源から出射された励起光を受けて蛍光を発する発光部と、上記励起光とは異なる波長領域を有する第2の光を出射する第2光源とを備え、上記発光部から出射された蛍光および上記第2光源から出射された第2の光を照明光として出射する構成である。   As described above, the illumination device according to the present invention includes a first light source that emits excitation light, a light-emitting unit that emits fluorescence by receiving excitation light emitted from the first light source, and a wavelength different from that of the excitation light. A second light source that emits second light having a region, and emits fluorescence emitted from the light emitting unit and second light emitted from the second light source as illumination light.

それゆえ、本発明の照明装置は、例えば励起光としてのレーザ光が外部に漏れることを防ぎ、蛍光のみを照明光として用いるように設計された従来の照明装置においては困難であった色温度の調整を行うことができるという効果を奏する。   Therefore, the lighting device of the present invention prevents, for example, laser light as excitation light from leaking to the outside, and has a color temperature that has been difficult in a conventional lighting device designed to use only fluorescence as illumination light. There is an effect that adjustment can be performed.

本発明の一実施形態に係るヘッドランプの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the headlamp which concerns on one Embodiment of this invention. 上記ヘッドランプが備える光ファイバーの出射端部と発光部との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the output end part and light emission part of an optical fiber with which the said headlamp is provided. Caα−SiAlON:Ce蛍光体の特性を示すグラフである。It is a graph which shows the characteristic of Ca (alpha) -SiAlON: Ce fluorescent substance. 上記ヘッドランプが備える発光部を波長405nmのレーザ光で励起した場合のスペクトルを示すグラフである。It is a graph which shows the spectrum at the time of exciting the light emission part with which the said headlamp is equipped with the laser beam of wavelength 405nm. 上記発光部に波長460nmの青色レーザ光を照射した場合のスペクトルを示すグラフである。It is a graph which shows a spectrum at the time of irradiating the said light emission part with the blue laser beam of wavelength 460nm. (a)は半導体レーザの回路図を模式的に示す図であり、(b)は半導体レーザの基本構造を示す斜視図である。(A) is a figure which shows the circuit diagram of a semiconductor laser typically, (b) is a perspective view which shows the basic structure of a semiconductor laser. 本発明の別の形態に係るヘッドランプの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the headlamp which concerns on another form of this invention. 本発明の課題を説明するための色度図である。It is a chromaticity diagram for demonstrating the subject of this invention. 本発明の一実施形態に係るレーザダウンライトが備える発光ユニットおよび従来のLEDダウンライトの外観を示す概略図である。It is the schematic which shows the external appearance of the light emission unit with which the laser downlight which concerns on one Embodiment of this invention is equipped, and the conventional LED downlight. 上記レーザダウンライトが設置された天井の断面図である。It is sectional drawing of the ceiling in which the said laser downlight was installed. 上記レーザダウンライトの断面図である。It is sectional drawing of the said laser downlight. 上記レーザダウンライトの設置方法の変更例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of a change of the installation method of the said laser downlight. 上記LEDダウンライトが設置された天井の断面図である。It is sectional drawing of the ceiling in which the said LED downlight was installed. 上記レーザダウンライトおよび上記LEDダウンライトのスペックを比較するための図である。It is a figure for comparing the specifications of the laser downlight and the LED downlight.

〔実施の形態1〕
本発明の実施の一形態について図1〜図6に基づいて説明すれば、以下のとおりである。ここでは、本発明の照明装置の一例として、自動車用のヘッドランプ(前照灯)1を例に挙げて説明する。ただし、本発明の照明装置は、自動車以外の車両・移動物体(例えば、人間・船舶・航空機・潜水艇・ロケットなど)のヘッドランプとして実現されてもよいし、その他の照明装置として実現されてもよい。その他の照明装置として、例えば、サーチライト、プロジェクター、家庭用照明器具を挙げることができる。
[Embodiment 1]
The following describes one embodiment of the present invention with reference to FIGS. Here, as an example of the illumination device of the present invention, an automotive headlamp (headlamp) 1 will be described as an example. However, the lighting device of the present invention may be realized as a headlamp of a vehicle other than an automobile or a moving object (for example, a human, a ship, an aircraft, a submersible craft, a rocket), or may be realized as another lighting device. Also good. Examples of other lighting devices include a searchlight, a projector, and a home lighting device.

ヘッドランプ1は、走行用前照灯(ハイビーム)の配光特性基準を満たしていてもよいし、すれ違い用前照灯(ロービーム)の配光特性基準を満たしていてもよい。   The headlamp 1 may satisfy the light distribution characteristic standard of the traveling headlamp (high beam), or may satisfy the light distribution characteristic standard of the passing headlamp (low beam).

<ヘッドランプ1の構成>
図1は、ヘッドランプ1の構成を示す断面図である。同図に示すように、ヘッドランプ1は、メイン光源(第1光源、レーザ光源)2、サブ光源(第2光源)3、非球面レンズ4、光ファイバー5、フェルール6、発光部7、反射鏡8、遮断フィルタ9、ハウジング10、エクステンション11およびレンズ12を備えている。メイン光源2、サブ光源3、光ファイバー5、フェルール6および発光部7によって発光装置の基本構造が形成されている。
<Configuration of headlamp 1>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the headlamp 1. As shown in the figure, the headlamp 1 includes a main light source (first light source, laser light source) 2, a sub light source (second light source) 3, an aspherical lens 4, an optical fiber 5, a ferrule 6, a light emitting unit 7, a reflecting mirror. 8, a cutoff filter 9, a housing 10, an extension 11, and a lens 12. The main light source 2, the sub light source 3, the optical fiber 5, the ferrule 6 and the light emitting unit 7 form a basic structure of the light emitting device.

(メイン光源2)
メイン光源2は、励起光を出射する励起光源として機能する発光素子であり、半導体レーザまたはLEDである。以下では、メイン光源2は半導体レーザであるとして説明する。半導体レーザである場合には、高出力かつコヒーレント性の高いレーザ光を発光部7に照射できるので発光部7を小さくでき、高輝度なヘッドランプ1を実現できる。図1には、メイン光源2が2個図示されているが、メイン光源2を複数設ける必要は必ずしもなく、1つのみ設けてもよい。しかし、高出力の励起光を得るためには、複数のメイン光源2を用いる方が容易である。
(Main light source 2)
The main light source 2 is a light emitting element that functions as an excitation light source that emits excitation light, and is a semiconductor laser or an LED. In the following description, it is assumed that the main light source 2 is a semiconductor laser. In the case of a semiconductor laser, the light emitting unit 7 can be irradiated with laser light having high output and high coherency, so that the light emitting unit 7 can be made small and the headlamp 1 having high luminance can be realized. Although two main light sources 2 are shown in FIG. 1, it is not always necessary to provide a plurality of main light sources 2, and only one main light source 2 may be provided. However, in order to obtain high-output excitation light, it is easier to use a plurality of main light sources 2.

メイン光源2は、例えば、1チップに1つの発光点を有するものであり、405nm(青紫色)のレーザ光を発振し、出力1.0W、動作電圧5V、電流0.6Aのものであり、直径5.6mmのパッケージに封入されているものである。   The main light source 2 has, for example, one light emitting point per chip, oscillates a 405 nm (blue-violet) laser beam, has an output of 1.0 W, an operating voltage of 5 V, and a current of 0.6 A. It is enclosed in a package with a diameter of 5.6 mm.

ただし、パッケージは直径5.6mmのものに限定されず、例えば、直径3.8mmや直径9mm、あるいはそれ以外であってもよく、熱抵抗がより小さいパッケージを選択することが好ましい。また、メイン光源2は、1チップに複数の発光点を有するものであってもよい。   However, the package is not limited to the one having a diameter of 5.6 mm, and may be, for example, a diameter of 3.8 mm, a diameter of 9 mm, or other, and it is preferable to select a package having a smaller thermal resistance. The main light source 2 may have a plurality of light emitting points on one chip.

メイン光源2が発振するレーザ光は、405nmに限定されず、350nm以上420nm以下の波長範囲にピーク波長を有するレーザ光、すなわち紫外領域から青紫色領域を含む波長範囲に発振波長を有するレーザ光であればよい。   The laser light oscillated by the main light source 2 is not limited to 405 nm, but is laser light having a peak wavelength in the wavelength range of 350 nm to 420 nm, that is, laser light having an oscillation wavelength in the wavelength range from the ultraviolet region to the blue-violet region. I just need it.

メイン光源2は、470nm以下の波長範囲にピーク波長を有するレーザ光を出射することも可能である。しかし、本実施の形態では、サブ光源3から出射される青色領域の発振波長を有する光(第2の光)を照明光として利用する。このため、その光が効率よく照明光として利用されるためには、発光部7において吸収されにくいことが好ましく、これを考慮すれば、メイン光源2が発振するレーザ光のピーク波長は420nm以下であることが好ましい。また、発光部7がCaα−SiAlON:Ce3+蛍光体(Caα−SiAlON:Ce蛍光体)を含む場合の発光部7における励起光の吸収率について考慮すれば、当該ピーク波長が420nm以下であることが好ましい。この吸収率については図3を用いて後述する。 The main light source 2 can also emit laser light having a peak wavelength in a wavelength range of 470 nm or less. However, in the present embodiment, light (second light) having a blue region oscillation wavelength emitted from the sub-light source 3 is used as illumination light. For this reason, in order for the light to be efficiently used as illumination light, it is preferable that the light is not easily absorbed by the light-emitting unit 7. Preferably there is. Further, considering the absorption rate of excitation light in the light emitting unit 7 when the light emitting unit 7 includes a Caα-SiAlON: Ce 3+ phosphor (Caα-SiAlON: Ce phosphor), the peak wavelength is 420 nm or less. Is preferred. This absorption rate will be described later with reference to FIG.

なお、発光部7において、サブ光源3から出射される光を拡散する必要がない、又は発光部7以外の部材(例えば、実施の形態2の拡散部71)において当該光を拡散させる場合には、メイン光源2が発振するレーザ光のピーク波長は、350nm以上470nm以下であってもよい。   When light emitted from the sub-light source 3 does not need to be diffused in the light emitting unit 7 or when the light is diffused in a member other than the light emitting unit 7 (for example, the diffusing unit 71 of the second embodiment). The peak wavelength of the laser light oscillated by the main light source 2 may be 350 nm or more and 470 nm or less.

(サブ光源3)
サブ光源3は、メイン光源2から出射されるレーザ光とは異なる波長領域を有する光を出射する半導体レーザである。より具体的には、サブ光源3は、青色領域(波長440〜460nm)の発振波長を有する光(青色レーザ光と称する)を発光部7に対して照射する。
(Sub light source 3)
The sub light source 3 is a semiconductor laser that emits light having a wavelength region different from that of the laser light emitted from the main light source 2. More specifically, the sub light source 3 irradiates the light emitting unit 7 with light (referred to as blue laser light) having an oscillation wavelength in a blue region (wavelength 440 to 460 nm).

発光部7に照射された青色レーザ光は、発光部7において拡散され、コヒーレント性が低下した後に、照明光としてヘッドランプ1の外部に出射される。それゆえ、青色レーザ光の人体に与える影響を抑制した上で当該青色レーザ光を照明光の一部として利用できる。つまり、発光部7から出射される蛍光とともに、当該青色レーザ光が照明光として出射されるので、蛍光のみを照明光として出射するよう設計されてきた従来の照明装置では困難であった照明光の色温度の調整を行うことができる。また、サブ光源3がコヒーレント性の高いレーザ光を出射する場合には、青色レーザ光の照射のために発光部7を大きくする必要がないので、高輝度な発光特性を維持したまま色温度の調整を行うことができる。   The blue laser light irradiated to the light emitting unit 7 is diffused in the light emitting unit 7 and is emitted to the outside of the headlamp 1 as illumination light after coherency is lowered. Therefore, the blue laser light can be used as part of the illumination light after suppressing the influence of the blue laser light on the human body. That is, since the blue laser light is emitted as illumination light together with the fluorescence emitted from the light emitting unit 7, the illumination light that has been difficult to be achieved by the conventional illumination device designed to emit only the fluorescence as illumination light. The color temperature can be adjusted. Further, when the sub-light source 3 emits laser light having high coherency, it is not necessary to enlarge the light emitting portion 7 for irradiation with blue laser light, so that the color temperature can be maintained while maintaining high luminance light emission characteristics. Adjustments can be made.

なお、サブ光源3は、青色領域にピーク波長を有する光を出射可能な構成であればよく、例えばLEDであってもよい。以下では、サブ光源3は半導体レーザであるとして説明する。   The sub light source 3 may be configured to emit light having a peak wavelength in the blue region, and may be, for example, an LED. In the following description, it is assumed that the sub light source 3 is a semiconductor laser.

(非球面レンズ4)
非球面レンズ4は、メイン光源2またはサブ光源3から発振されたレーザ光を、光ファイバー5の一方の端部である入射端部51b〜53bに入射させるためのレンズである。例えば、非球面レンズ4として、アルプス電気製のFLKN1 405を用いることができる。上述の機能を有するレンズであれば、非球面レンズ4の形状および材質は特に限定されないが、405nm近傍の透過率が高く、かつ耐熱性のよい材料であることが好ましい。
(Aspherical lens 4)
The aspheric lens 4 is a lens for causing the laser light oscillated from the main light source 2 or the sub light source 3 to enter the incident end portions 51 b to 53 b that are one end portions of the optical fiber 5. For example, as the aspheric lens 4, FLKN1 405 manufactured by Alps Electric can be used. The shape and material of the aspherical lens 4 are not particularly limited as long as the lens has the above function, but it is preferably a material having a high transmittance near 405 nm and a good heat resistance.

(光ファイバー5)
光ファイバー5は、メイン光源2およびサブ光源3が発振したレーザ光を発光部7へと導く導光部材であり、複数の光ファイバーの束である。この光ファイバー5は、メイン光源2から出射されたレーザ光を受け取る入射端部51b・52bと、これらの入射端部から入射したレーザ光を出射する出射端部51a・52a(図2参照)とを有する光ファイバーを含んでいる。また、光ファイバー5は、サブ光源3から出射されたレーザ光を受け取る入射端部53bと、これらの入射端部から入射したレーザ光を出射する出射端部53a(図2参照)とを有する光ファイバーを含んでいる。
(Optical fiber 5)
The optical fiber 5 is a light guide member that guides the laser light oscillated by the main light source 2 and the sub light source 3 to the light emitting unit 7, and is a bundle of a plurality of optical fibers. The optical fiber 5 includes incident end portions 51b and 52b that receive laser light emitted from the main light source 2, and emission end portions 51a and 52a (see FIG. 2) that emit laser light incident from these incident end portions. Includes optical fiber. The optical fiber 5 is an optical fiber having an incident end 53b that receives the laser light emitted from the sub-light source 3, and an emission end 53a (see FIG. 2) that emits the laser light incident from these incident ends. Contains.

図2は、出射端部51a〜53aと発光部7との位置関係を示す図である。図2に示すように、複数の出射端部51a〜53aは、発光部7のレーザ光照射面(受光面)7aにおける互いに異なる領域に対してレーザ光を出射する。この構成により、発光部7にレーザ光が局所的に照射されないので、発光部7の一部が著しく劣化することを防止できる。   FIG. 2 is a diagram illustrating a positional relationship between the emission end portions 51 a to 53 a and the light emitting unit 7. As shown in FIG. 2, the plurality of emission end portions 51 a to 53 a emit laser beams to different regions on the laser beam irradiation surface (light receiving surface) 7 a of the light emitting unit 7. With this configuration, since the laser beam is not locally applied to the light emitting unit 7, it is possible to prevent a part of the light emitting unit 7 from being significantly deteriorated.

光ファイバー5は、中芯のコアを、当該コアよりも屈折率の低いクラッドで覆った2層構造をしている。コアは、レーザ光の吸収損失がほとんどない石英ガラス(酸化ケイ素)を主成分とするものであり、クラッドは、コアよりも屈折率の低い石英ガラスまたは合成樹脂材料を主成分とするものである。例えば、光ファイバー5は、コアの径が200μm、クラッドの径が240μm、開口数NAが0.22の石英製のものであるが、光ファイバー5の構造、太さおよび材質は上述のものに限定されず、光ファイバー5の長軸方向に対して垂直な断面は矩形であってもよい。   The optical fiber 5 has a two-layer structure in which an inner core is covered with a clad having a refractive index lower than that of the core. The core is mainly composed of quartz glass (silicon oxide) having almost no absorption loss of laser light, and the clad is composed mainly of quartz glass or a synthetic resin material having a refractive index lower than that of the core. . For example, the optical fiber 5 is made of quartz having a core diameter of 200 μm, a cladding diameter of 240 μm, and a numerical aperture NA of 0.22. However, the structure, thickness, and material of the optical fiber 5 are limited to those described above. Instead, the cross section perpendicular to the long axis direction of the optical fiber 5 may be rectangular.

なお、実施の形態2において示すように、導光部材として光ファイバー以外の部材を用いてもよく、導光部材の種類は限定されない。また、導光部材を用いずに、メイン光源2およびサブ光源3からのレーザ光を、光学レンズ等を用いて発光部7に集光してもよい。   In addition, as shown in Embodiment 2, you may use members other than an optical fiber as a light guide member, and the kind of light guide member is not limited. Further, the laser light from the main light source 2 and the sub light source 3 may be condensed on the light emitting unit 7 using an optical lens or the like without using the light guide member.

また、メイン光源2からのレーザ光とサブ光源3からのレーザ光とを発光部7の同一の面に照射する必要は必ずしもない。例えば、メイン光源2からのレーザ光をレーザ光照射面7aに照射し、サブ光源3からのレーザ光をレーザ光照射面7aに対する側面に照射してもよい。   Further, it is not always necessary to irradiate the same surface of the light emitting unit 7 with the laser light from the main light source 2 and the laser light from the sub light source 3. For example, the laser light from the main light source 2 may be applied to the laser light irradiation surface 7a, and the laser light from the sub light source 3 may be applied to the side surface with respect to the laser light irradiation surface 7a.

(フェルール6)
図2に示すように、フェルール6は、光ファイバー5の複数の出射端部51a〜53aを発光部7のレーザ光照射面7aに対して所定のパターンで保持する。このフェルール6は、出射端部51a〜53aを挿入するための孔が所定のパターンで形成されているものでもよいし、上部と下部とに分離できるものであり、上部および下部の接合面にそれぞれ形成された溝によって出射端部51a〜53aを挟み込むものでもよい。
(Ferrule 6)
As shown in FIG. 2, the ferrule 6 holds the plurality of emission end portions 51 a to 53 a of the optical fiber 5 in a predetermined pattern with respect to the laser light irradiation surface 7 a of the light emitting unit 7. The ferrule 6 may have holes for inserting the emission end portions 51a to 53a formed in a predetermined pattern, and can be separated into an upper portion and a lower portion, and the upper and lower joint surfaces are respectively provided. The emission end portions 51a to 53a may be sandwiched between the formed grooves.

このフェルール6は、反射鏡8から延出する棒状または筒状の部材などによって反射鏡8に対して固定されていればよい。フェルール6の材質は、特に限定されず、例えばステンレススチールである。また、1つの発光部7に対して、複数のフェルール6を配置してもよい。   The ferrule 6 may be fixed to the reflecting mirror 8 by a rod-like or cylindrical member extending from the reflecting mirror 8. The material of the ferrule 6 is not specifically limited, For example, it is stainless steel. A plurality of ferrules 6 may be arranged for one light emitting unit 7.

(発光部7)
発光部7は、メイン光源2から出射されたレーザ光を受けて蛍光を発するものであり、レーザ光を受けて発光する蛍光体を含んでいる。発光部7は、例えば、封止材の内部に蛍光体が分散されているものである。封止材と蛍光体との割合(重量比)は、100:5程度である。封止材として、例えば、1W/mK程度の無機ガラスを用いることができる。
(Light Emitting Unit 7)
The light emitting unit 7 emits fluorescence upon receiving the laser light emitted from the main light source 2 and includes a phosphor that emits light upon receiving the laser light. The light emitting unit 7 is, for example, a phosphor dispersed in a sealing material. The ratio (weight ratio) between the sealing material and the phosphor is about 100: 5. As the sealing material, for example, an inorganic glass of about 1 W / mK can be used.

なお、封止材は、無機ガラスに限定されず、いわゆる有機無機ハイブリッドガラスやシリコーン樹脂等の樹脂材料であってもよい。ただし、封止材として無機ガラスを用いた場合には、熱耐性が高まるとともに発光部7の熱抵抗を下げるという効果が得られるため、無機ガラスが好ましい。また、発光部7は、蛍光体を押し固めたものであってもよい。   The sealing material is not limited to inorganic glass, and may be a resin material such as so-called organic-inorganic hybrid glass or silicone resin. However, when inorganic glass is used as the sealing material, the effect of increasing the heat resistance and lowering the thermal resistance of the light emitting portion 7 is obtained, and therefore inorganic glass is preferable. In addition, the light emitting unit 7 may be formed by pressing a fluorescent material.

上記蛍光体は、酸窒化物系のものであり、青色、緑色および赤色の蛍光体がシリコーン樹脂に分散されている。メイン光源2は、405nm(青紫色)のレーザ光を発振するため、発光部7に当該レーザ光が照射されると白色光が発生する。それゆえ、発光部7は、波長変換材料であるといえる。   The phosphor is of an oxynitride type, and blue, green and red phosphors are dispersed in a silicone resin. Since the main light source 2 oscillates 405 nm (blue-violet) laser light, white light is generated when the light emitting unit 7 is irradiated with the laser light. Therefore, it can be said that the light emitting portion 7 is a wavelength conversion material.

発光部7の形状および大きさは、例えば、3mm×1mm×1mmの直方体である。日本国内で法的に規定されている車両用ヘッドランプの配光パターン(配光分布)は、鉛直方向に狭く、水平方向に広いため、発光部7の形状を、水平方向に対して横長(断面略長方形形状)にすることにより、上記配光パターンを実現しやすくなる。   The shape and size of the light emitting unit 7 are, for example, a rectangular parallelepiped of 3 mm × 1 mm × 1 mm. The light distribution pattern (light distribution) of a vehicle headlamp that is legally regulated in Japan is narrow in the vertical direction and wide in the horizontal direction. By making the cross section substantially rectangular), the light distribution pattern can be easily realized.

発光部7は、直方体でなくてもよく、レーザ光照射面7aが楕円である筒状であってもよい。   The light emitting unit 7 does not have to be a rectangular parallelepiped, and may have a cylindrical shape in which the laser light irradiation surface 7a is an ellipse.

また、発光部7のレーザ光照射面7aは、平面である必要は必ずしもなく、曲面であってもよい。ただし、反射したレーザ光を制御するためには、レーザ光照射面7aは平面を有していることが好ましい。レーザ光照射面7aが曲面の場合、少なくとも曲面への入射角度が大きく変わるため、レーザ光が照射される場所によって、反射光の進む方向が大きく変わってしまう。そのため、レーザ光の反射方向を制御することが困難な場合がある。これに対してレーザ光照射面7aが平面であれば、レーザ光の照射位置が若干ずれたとしても反射光の進む方向はほとんど変わらないため、レーザ光が反射する方向を制御しやすい。場合によっては反射光が当たる場所にレーザ光の吸収材を置くなどの対応がとり易くなる。   Further, the laser light irradiation surface 7a of the light emitting unit 7 is not necessarily a flat surface, and may be a curved surface. However, in order to control the reflected laser light, the laser light irradiation surface 7a preferably has a flat surface. When the laser light irradiation surface 7a is a curved surface, at least the incident angle to the curved surface changes greatly, so that the direction in which the reflected light travels greatly changes depending on the location where the laser light is irradiated. For this reason, it may be difficult to control the reflection direction of the laser light. On the other hand, if the laser light irradiation surface 7a is flat, the direction in which the reflected light travels hardly changes even if the irradiation position of the laser light is slightly deviated. Therefore, it is easy to control the direction in which the laser light is reflected. In some cases, it is easy to take measures such as placing a laser beam absorber in a place where the reflected light strikes.

なお、レーザ光照射面7aがレーザ光の光軸に対して垂直である必要は必ずしもない。レーザ光照射面7aがレーザ光の光軸に対して垂直な場合、反射したレーザ光はレーザ光源の方向に戻るため、場合によってはレーザ光源にダメージを与える可能性もある。   The laser light irradiation surface 7a is not necessarily perpendicular to the optical axis of the laser light. When the laser light irradiation surface 7a is perpendicular to the optical axis of the laser light, the reflected laser light returns in the direction of the laser light source, and in some cases, the laser light source may be damaged.

また、発光部7は、図1では遮断フィルタ9の内側の面に固定されているが、発光部7の位置の固定方法は、この方法に限定されず、反射鏡8から延出する棒状または筒状の部材によって発光部7の位置を固定してもよい。   In addition, the light emitting unit 7 is fixed to the inner surface of the blocking filter 9 in FIG. 1, but the method of fixing the position of the light emitting unit 7 is not limited to this method, and is a rod-like shape extending from the reflecting mirror 8 or You may fix the position of the light emission part 7 with a cylindrical member.

また、発光部7は、レーザ光を拡散する機能を有している。この機能は、発光部7に含まれる封止材と蛍光体との屈折率の差を利用することで実現できる。そのために、サブ光源3が発振したレーザ光を十分に拡散できる体積(特に厚み)を有するように発光部7を設計する。   The light emitting unit 7 has a function of diffusing laser light. This function can be realized by utilizing the difference in refractive index between the sealing material included in the light emitting unit 7 and the phosphor. For this purpose, the light emitting unit 7 is designed to have a volume (particularly thickness) that can sufficiently diffuse the laser light oscillated by the sub light source 3.

また、発光部7の拡散機能をさらに高めるため、または、発光部7を小型化するために、発光部7に拡散粒子を含ませてもよい。拡散粒子として酸化ジルコニウム、ダイヤモンドなどの粒子を用いることができる。これら以外の粒子を用いてもよいが、発光部7の発熱に耐えられる粒子であることが好ましい。   Further, in order to further enhance the diffusion function of the light emitting unit 7 or to reduce the size of the light emitting unit 7, the light emitting unit 7 may include diffusion particles. Particles such as zirconium oxide and diamond can be used as the diffusing particles. Although particles other than these may be used, particles that can withstand the heat generation of the light emitting portion 7 are preferable.

発光部7が上記の拡散機能を有しているので、サブ光源3がレーザ光源であっても、ヘッドランプ1は、サブ光源3から出射されるコヒーレント性が高く発光点サイズの極めて小さな青色レーザ光を、人体への影響がほとんどない発光点サイズの大きな光に変換し、照明光として出射できる。すなわち、ヘッドランプ1は、安全性を確保した上でサブ光源3から出射された青色レーザ光を照明光として利用できる。また、実施の形態2のように拡散部71(図8参照)を設ける必要がないので、その分ヘッドランプ1を安価に製造できる。   Since the light emitting unit 7 has the above-described diffusing function, even if the sub-light source 3 is a laser light source, the headlamp 1 is a blue laser that emits from the sub-light source 3 and has a high coherent property and a very small emission point size. Light can be converted into light having a large emission point size that has little influence on the human body and can be emitted as illumination light. That is, the headlamp 1 can use the blue laser light emitted from the sub light source 3 as illumination light while ensuring safety. Further, since it is not necessary to provide the diffusing portion 71 (see FIG. 8) as in the second embodiment, the headlamp 1 can be manufactured at a lower cost.

発光部7に含まれる蛍光体の詳細については後述する。   Details of the phosphor included in the light emitting unit 7 will be described later.

(反射鏡8)
反射鏡8は、発光部7から出射した光を反射することにより、所定の立体角内を進む光線束を形成するものである。すなわち、反射鏡8は、発光部7からの光を反射することにより、ヘッドランプ1の前方へ進む光線束を形成する。この反射鏡8は、例えば、金属薄膜がその表面に形成された曲面形状(カップ形状)の部材である。
(Reflector 8)
The reflecting mirror 8 reflects the light emitted from the light emitting unit 7 to form a light beam that travels within a predetermined solid angle. That is, the reflecting mirror 8 reflects the light from the light emitting unit 7 to form a light beam that travels forward of the headlamp 1. The reflecting mirror 8 is, for example, a curved (cup-shaped) member having a metal thin film formed on the surface thereof.

また、反射鏡8は、半球面ミラーに限定されず、楕円面ミラーやパラボラミラーまたはそれらの部分曲面を有するミラーあってもよい。すなわち、反射鏡8は、回転軸を中心として図形(楕円、円、放物線)を回転させることによって形成される曲面の少なくとも一部をその反射面に含んでいるものであればよい。   The reflecting mirror 8 is not limited to a hemispherical mirror, and may be an ellipsoidal mirror, a parabolic mirror, or a mirror having a partial curved surface thereof. In other words, the reflecting mirror 8 only needs to include at least a part of a curved surface formed by rotating a figure (ellipse, circle, parabola) about the rotation axis on the reflecting surface.

(遮断フィルタ9)
遮断フィルタ9は、発光部7においてレーザ光を変換することにより生成された白色光(インコヒーレントな光)を透過するとともに、メイン光源2およびサブ光源3からのレーザ光を遮断する。遮断フィルタ9としては、例えば五鈴精工硝子社製のITY418を使用できる。
(Blocking filter 9)
The blocking filter 9 transmits white light (incoherent light) generated by converting the laser light in the light emitting unit 7 and blocks laser light from the main light source 2 and the sub light source 3. As the cutoff filter 9, for example, TY418 manufactured by Isuzu Seiko Glass Co., Ltd. can be used.

発光部7によってコヒーレント性の高いレーザ光は、そのほとんどが蛍光体に吸収されインコヒーレントな白色光に変換される。しかし、何らかの原因でレーザ光の一部が変換されない場合も考えられる。このような場合でも、遮断フィルタ9によってレーザ光を遮断することにより、レーザ光が外部に漏れることを防止できる。これにより、レーザ光(励起光)の発光点サイズが非常に小さく、かつ高出力光である、あるいはレーザ光が可視光領域以外の波長範囲に属していても、レーザ光が外部に漏れ出て人体に与える影響を抑制できる。   Most of the highly coherent laser light is absorbed by the phosphor and converted into incoherent white light by the light emitting unit 7. However, there may be a case where a part of the laser beam is not converted for some reason. Even in such a case, the laser beam can be prevented from leaking to the outside by blocking the laser beam by the blocking filter 9. As a result, even if the emission point size of the laser light (excitation light) is very small and the output power is high, or the laser light belongs to a wavelength range other than the visible light region, the laser light leaks to the outside. The influence on the human body can be suppressed.

なお、メイン光源2がLEDの場合であっても、紫外領域(350nm以上、380nm以下あるいは400nm以下)の励起光を出射する場合には、皮膚や目など人体に影響を与える可能性がある。したがって、遮断フィルタ9としては、400nm以下の光を遮断できるものが選択されることが好ましい。   Even when the main light source 2 is an LED, when the excitation light in the ultraviolet region (350 nm or more, 380 nm or less or 400 nm or less) is emitted, the human body such as skin or eyes may be affected. Therefore, it is preferable to select a blocking filter 9 that can block light of 400 nm or less.

また、メイン光源2が400nmよりも長い波長の光を出射する場合には、その光が必ずしも遮断フィルタ9によって遮断される必要はない。しかしながら、レーザ光の場合には、その発光点サイズを拡大させ、人体の眼に対して安全な光とするために、当該レーザ光の大部分が発光部7において蛍光に変換されるか、複数回散乱あるいは拡散される必要がある。   When the main light source 2 emits light having a wavelength longer than 400 nm, the light does not necessarily need to be blocked by the blocking filter 9. However, in the case of laser light, in order to enlarge the light emission point size and make the light safe for the human eye, most of the laser light is converted into fluorescence in the light emitting unit 7 or a plurality of light is emitted. Must be scattered or diffused once.

(レーザ光利用時の安全性確保について)
小さな発光点サイズを有する光源から高いエネルギーを有する光が出射され、当該光が人間の眼に入射した場合、網膜上では、その小さな発光点サイズにまで光源像が絞られるため、結像箇所におけるエネルギー密度が極めて高くなってしまうことがある。例えば、レーザ光源(半導体レーザ)から出射されるレーザ光は、スポットサイズが10μm角よりも小さい場合がある。そのような光源から出射されるレーザ光が、直接眼に入射、あるいはレンズや反射鏡といった光学部材を介したとしても小さな発光点が直接見える形で眼に入射すると、網膜上の結像箇所が損傷してしまうことがある。
(Ensuring safety when using laser light)
When light having high energy is emitted from a light source having a small light emitting spot size and the light enters the human eye, the light source image is narrowed down to the small light emitting spot size on the retina. The energy density can be very high. For example, laser light emitted from a laser light source (semiconductor laser) may have a spot size smaller than 10 μm square. When laser light emitted from such a light source is directly incident on the eye or is incident on the eye in such a way that a small light emitting point can be seen directly even through an optical member such as a lens or a reflecting mirror, the imaged portion on the retina is It can be damaged.

典型的な高出力の半導体レーザにおける発光点サイズは、例えば1μm×10μmである。すなわち、当該半導体レーザの出射面積は10μm=1.0×10−5mmである。このため、半導体レーザが出射する光が、例えば発光点サイズが1mmの光源と同じエネルギーを有する光であったとしても、半導体レーザの場合の網膜上での結像箇所のエネルギー密度は、発光点サイズが1mmの光源の場合よりも10倍も高くなってしまう。 The emission point size in a typical high-power semiconductor laser is, for example, 1 μm × 10 μm. That is, the emission area of the semiconductor laser is 10 μm 2 = 1.0 × 10 −5 mm 2 . For this reason, even if the light emitted from the semiconductor laser is, for example, light having the same energy as that of a light source having a light emitting point size of 1 mm 2 , the energy density of the image formation location on the retina in the case of the semiconductor laser is light emission. point size is increased even 105 times higher than the case of the 1 mm 2 light sources.

これを回避するためには、発光点サイズをある程度の大きさ(有限のサイズ)(具体的には例えば1mm×1mm以上)に拡大させる必要がある。発光点サイズを拡大させることにより、網膜上での結像サイズを拡大させることができるようになるため、同じエネルギーの光が眼に入射した場合であっても、網膜上のエネルギー密度を低減させることが可能となる。   In order to avoid this, it is necessary to enlarge the light emitting spot size to a certain size (finite size) (specifically, for example, 1 mm × 1 mm or more). By enlarging the emission point size, the image size on the retina can be enlarged, so even if light of the same energy is incident on the eye, the energy density on the retina is reduced. It becomes possible.

発光点サイズを拡大させるためには、光源そのものの発光点を視認できないようにする必要がある。このため、本実施の形態では、上述のように発光部2に拡散機能を持たせ、メイン光源2及びサブ光源3の発光点サイズを拡大させることにより、人体に対する安全性、特に人間の眼に対する安全性を確保している(アイセーフ化)。   In order to increase the emission point size, it is necessary to make the emission point of the light source itself invisible. For this reason, in the present embodiment, as described above, the light emitting unit 2 is provided with a diffusion function, and the light emission point sizes of the main light source 2 and the sub light source 3 are enlarged, so that safety to the human body, particularly for human eyes. Ensures safety (Eye safe).

なお、発光点サイズの拡大については、レーザ光源に限らず、LED光源においても考慮する必要がある。但し、レーザ光は、LED光源から出射される光よりも単色性、すなわち波長が揃っているため、波長の違いによる網膜上での結像のボケ(いわゆる色収差)がなく、当該光よりも危険である。このため、レーザ光源から出射された光を照明光として利用する照明装置においては発光点サイズの拡大について、よりしっかりと考慮することが好ましい。   In addition, it is necessary to consider not only a laser light source but the LED light source about expansion of a light emission point size. However, since the laser light is more monochromatic than the light emitted from the LED light source, that is, the wavelength is uniform, there is no blurring of the image on the retina (so-called chromatic aberration) due to the difference in wavelength, and it is more dangerous than the light It is. For this reason, in an illuminating device that uses light emitted from a laser light source as illumination light, it is preferable to more firmly consider the expansion of the emission point size.

(ハウジング10)
ハウジング10は、ヘッドランプ1の本体を形成しており、反射鏡8等を収納している。光ファイバー5は、このハウジング10を貫いており、メイン光源2およびサブ光源3は、ハウジング10の外部に設置される。半導体レーザは、レーザ光の発振時に発熱するが、ハウジング10の外部に設置することによりメイン光源2およびサブ光源3を効率良く冷却することが可能となる。
(Housing 10)
The housing 10 forms the main body of the headlamp 1 and houses the reflecting mirror 8 and the like. The optical fiber 5 passes through the housing 10, and the main light source 2 and the sub light source 3 are installed outside the housing 10. The semiconductor laser generates heat when the laser beam is oscillated, but the main light source 2 and the sub light source 3 can be efficiently cooled by being installed outside the housing 10.

また、メイン光源2およびサブ光源3は、万一故障した時のことを考慮して、交換しやすい位置に設置することが好ましい。これらの点を考慮しなければ、メイン光源2およびサブ光源3をハウジング10の内部に収納してもよい。   Moreover, it is preferable to install the main light source 2 and the sub light source 3 in a position where replacement is easy in consideration of a failure. If these points are not taken into consideration, the main light source 2 and the sub light source 3 may be housed in the housing 10.

(エクステンション11)
エクステンション11は、反射鏡8の前方の側部に設けられており、ヘッドランプ1の内部構造を隠して見栄えを良くするとともに、反射鏡8と車体との一体感を高めている。このエクステンション11も反射鏡8と同様に金属薄膜がその表面に形成された部材である。
(Extension 11)
The extension 11 is provided on the front side of the reflecting mirror 8 to improve the appearance by concealing the internal structure of the headlamp 1 and enhance the sense of unity between the reflecting mirror 8 and the vehicle body. The extension 11 is also a member having a metal thin film formed on the surface thereof, like the reflecting mirror 8.

(レンズ12)
レンズ12は、ハウジング10の開口部に設けられており、ヘッドランプ1を密封している。発光部7が発生し、反射鏡8によって反射された光は、レンズ12を通ってヘッドランプ1の前方へ出射される。
(Lens 12)
The lens 12 is provided in the opening of the housing 10 and seals the headlamp 1. The light generated by the light emitting unit 7 and reflected by the reflecting mirror 8 is emitted to the front of the headlamp 1 through the lens 12.

<発光部7の詳細>
(蛍光体の組成)
上述のように、メイン光源2は、紫外領域から青紫色領域の発振波長を有するレーザ光を出射するものであり、発光部7はこのレーザ光を受けて白色光を出射するために、黄色発光蛍光体または緑色発光蛍光体と、赤色発光蛍光体との混合物であることが好ましい。換言すれば、メイン光源2は、上記領域の発振波長を有するレーザ光を出射してもよく、この場合、白色光を生成するための発光部の材料(蛍光体材料)を容易に選定および製造できる。なお、黄色発光蛍光体とは、560nm以上590nm以下の波長範囲にピーク波長を有する光を発する蛍光体である。緑色発光蛍光体とは、510nm以上560nm以下の波長範囲にピーク波長を有する光を発する蛍光体である。赤色発光蛍光体とは、600nm以上680nm以下の波長範囲にピーク波長を有する光を発する蛍光体である。
<Details of the light emitting unit 7>
(Phosphor composition)
As described above, the main light source 2 emits laser light having an oscillation wavelength from the ultraviolet region to the blue-violet region, and the light-emitting unit 7 receives the laser light and emits white light. A mixture of a phosphor or green-emitting phosphor and a red-emitting phosphor is preferable. In other words, the main light source 2 may emit laser light having an oscillation wavelength in the above-described region. In this case, the light emitting part material (phosphor material) for generating white light is easily selected and manufactured. it can. The yellow light emitting phosphor is a phosphor that emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 560 nm to 590 nm. The green light emitting phosphor is a phosphor that emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 510 nm or more and 560 nm or less. The red light emitting phosphor is a phosphor that emits light having a peak wavelength in a wavelength range of 600 nm or more and 680 nm or less.

上記蛍光体は、サイアロン蛍光体と通称されるものが好ましい。サイアロンとは、窒化ケイ素のシリコン原子の一部がアルミニウム原子に、窒素原子の一部が酸素原子に置換された物質である。サイアロン蛍光体は、窒化ケイ素(Si)にアルミナ(Al)、シリカ(SiO)および希土類元素などを固溶させて作ることができる。 The phosphor is preferably a so-called sialon phosphor. Sialon is a substance in which a part of silicon atoms in silicon nitride is replaced with aluminum atoms and a part of nitrogen atoms is replaced with oxygen atoms. The sialon phosphor can be made by dissolving alumina (Al 2 O 3 ), silica (SiO 2 ), rare earth elements, and the like in silicon nitride (Si 3 N 4 ).

また、上記蛍光体の別の好適な例としては、III−V族化合物半導体のナノメータサイズの粒子を用いた半導体ナノ粒子蛍光体を用いることもできる。同一の化合物半導体(例えばインジュウムリン:InP)を用いても、その粒子径を変更させることにより、量子サイズ効果によって発光色を変化させることができることが半導体ナノ粒子蛍光体の特徴の一つである。例えばInPでは、粒子サイズが3〜4nm程度のときに赤色に発光する。ここで、粒子サイズは透過型電子顕微鏡(TEM)にて評価した。   As another preferred example of the phosphor, a semiconductor nanoparticle phosphor using nanometer-sized particles of a III-V group compound semiconductor can also be used. One of the characteristics of semiconductor nanoparticle phosphors is that even if the same compound semiconductor (for example, indium phosphorus: InP) is used, the emission color can be changed by the quantum size effect by changing the particle diameter. is there. For example, InP emits red light when the particle size is about 3 to 4 nm. Here, the particle size was evaluated with a transmission electron microscope (TEM).

また、この蛍光体は半導体ベースであるので蛍光寿命が短く、励起光のパワーを素早く蛍光として放射できるのでハイパワーの励起光に対して耐性が強いという特徴もある。これは、上記半導体ナノ粒子蛍光体の発光寿命が10ナノ秒程度と、希土類を発光中心とする通常の蛍光体材料に比べて5桁も小さいためである。発光寿命が短いため、励起光の吸収と蛍光の発光を素早く繰り返すことができる。   In addition, since this phosphor is semiconductor-based, it has a short fluorescence lifetime, and can quickly radiate excitation light power as fluorescence, so that it is highly resistant to high-power excitation light. This is because the emission lifetime of the semiconductor nanoparticle phosphor is about 10 nanoseconds, which is five orders of magnitude smaller than that of a normal phosphor material having a rare earth-based emission center. Since the emission lifetime is short, absorption of excitation light and emission of fluorescence can be repeated quickly.

その結果、強い励起光に対して高効率を保つことができ、蛍光体からの発熱が低減される。よって、光変換部材が熱により劣化(変色や変形)するのをより抑制することができる。これにより、光の出力が高い発光素子を光源として用いる場合に、発光装置の寿命が短くなるのをより抑制することができる。   As a result, high efficiency can be maintained against strong excitation light, and heat generation from the phosphor is reduced. Therefore, it is possible to further suppress the light conversion member from being deteriorated (discolored or deformed) by heat. Thereby, when using the light emitting element with a high light output as a light source, it can suppress more that the lifetime of a light-emitting device becomes short.

本実施の形態では、メイン光源2が405nm近傍の発振波長を有するレーザ光を出射する。このため、ヘッドランプ1が白色光の出射を実現するために、発光部7の蛍光体としては、Caα−SiAlON:Ce蛍光体(第1蛍光体)と、CaAlSiN:Eu2+蛍光体(CASN:Eu蛍光体、第2蛍光体)とを混合したものが用いられている。 In the present embodiment, the main light source 2 emits laser light having an oscillation wavelength near 405 nm. For this reason, in order for the headlamp 1 to emit white light, the phosphors of the light emitting unit 7 are Caα-SiAlON: Ce phosphor (first phosphor) and CaAlSiN 3 : Eu 2+ phosphor (CASN). : Eu phosphor and second phosphor) are used.

Caα−SiAlON:Ce蛍光体は、励起波長が405nmのとき、青色から緑色にかけての蛍光を発し、その発光ピークの波長は510nmである。また、当該蛍光体の発光効率は65%(図3参照)であり、発光効率が高い。さらに、この蛍光体は、耐熱性が高いため、高い出力のレーザ光を高い光密度で発光部7に照射しても発光部7が劣化する可能性が少ない。   The Caα-SiAlON: Ce phosphor emits fluorescence from blue to green when the excitation wavelength is 405 nm, and the wavelength of the emission peak is 510 nm. Further, the luminous efficiency of the phosphor is 65% (see FIG. 3), and the luminous efficiency is high. Furthermore, since this phosphor has high heat resistance, there is little possibility that the light emitting section 7 will deteriorate even if the light emitting section 7 is irradiated with a high output laser beam at a high light density.

また、CASN:Eu蛍光体は、励起波長が405nmのとき、赤色の蛍光を発し、その発光ピークの波長は650nmである。また、この蛍光体の発光効率は73%であり、発光効率が高い。さらに、この蛍光体も耐熱性が高いため、高い出力の励起光を高い光密度で発光部7に照射しても発光部7が劣化する可能性が少ない。   The CASN: Eu phosphor emits red fluorescence when the excitation wavelength is 405 nm, and the wavelength of the emission peak is 650 nm. Further, the luminous efficiency of this phosphor is 73%, and the luminous efficiency is high. Furthermore, since this phosphor also has high heat resistance, there is little possibility that the light emitting section 7 will deteriorate even if the light emitting section 7 is irradiated with high output excitation light at a high light density.

なお、赤色発光蛍光体として、CASN:Eu蛍光体の代わりに、SrCaAlSiN:Eu2+蛍光体(SCASN:Eu蛍光体、第2蛍光体)を用いてもよい。SCASN:Eu蛍光体は、励起波長が350nm〜450nmのとき、赤色の蛍光を発し、そのピーク波長は630nmであり、その発光効率は70%である。 As a red-emitting phosphor, CASN: instead of Eu phosphor, SrCaAlSiN 3: Eu 2+ phosphor (SCASN: Eu phosphor, a second phosphor) may be used. The SCASN: Eu phosphor emits red fluorescence when the excitation wavelength is 350 nm to 450 nm, its peak wavelength is 630 nm, and its luminous efficiency is 70%.

このように、発光部7に、緑色蛍光発光体としてCaα−SiAlON:Ce蛍光体、赤色蛍光発光体としてCASN:Eu蛍光体又はSCASN:Eu蛍光体を用いることにより、高輝度・高光束の白色光を出射する照明装置(前照灯)を実現できる。また、この赤色発光蛍光体、すなわち630nm以上、650nm以下の波長範囲にピーク波長を有する蛍光を発する蛍光体を用いることにより、演色性の高い発光部を実現できる。   As described above, by using the Caα-SiAlON: Ce phosphor as the green phosphor and the CASN: Eu phosphor or the SCASN: Eu phosphor as the red phosphor in the light emitting unit 7, white having high luminance and high luminous flux is obtained. An illumination device (headlight) that emits light can be realized. Further, by using this red light emitting phosphor, that is, a phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength in a wavelength range of 630 nm or more and 650 nm or less, a light emitting portion having high color rendering properties can be realized.

(Caα−SiAlON:Ce蛍光体の特性)
本実施の形態においてCaα−SiAlON:Ce蛍光体が用いられる理由のひとつとして、上述したように、メイン光源2から出射された励起光が照射されたときの発光効率が高いことが挙げられる。一方で、このCaα−SiAlON:Ce蛍光体は、サブ光源3から出射された青色レーザ光が照射されたときの発光効率が低い。ここで、図3を用いて、Caα−SiAlON:Ce蛍光体の特性について説明する。図3に示すグラフにおいては、Caα−SiAlON:Ce蛍光体の内部量子効率、吸収率及び外部量子効率が示されている。外部量子効率とは、いわゆる発光効率であり、内部量子効率×吸収率により求められる。
(Characteristics of Caα-SiAlON: Ce phosphor)
As described above, one of the reasons why the Caα-SiAlON: Ce phosphor is used in the present embodiment is high luminous efficiency when the excitation light emitted from the main light source 2 is irradiated. On the other hand, the Caα-SiAlON: Ce phosphor has low light emission efficiency when irradiated with the blue laser light emitted from the sub-light source 3. Here, the characteristics of the Caα-SiAlON: Ce phosphor will be described with reference to FIG. In the graph shown in FIG. 3, the internal quantum efficiency, the absorption rate, and the external quantum efficiency of the Caα-SiAlON: Ce phosphor are shown. The external quantum efficiency is so-called luminous efficiency, and is obtained by internal quantum efficiency × absorption rate.

図示のように、Caα−SiAlON:Ce蛍光体は、特に350nm以上、420nm以下の波長範囲の光については高い吸収率(励起光全体に対する、蛍光体により吸収された励起光の割合)を示している。換言すれば、Caα−SiAlON:Ce蛍光体は、350nm以上、420nm以下の波長範囲に光の吸収ピーク波長を有しているといえる。   As shown in the figure, the Caα-SiAlON: Ce phosphor exhibits a high absorptance (ratio of excitation light absorbed by the phosphor with respect to the entire excitation light), particularly for light in the wavelength range of 350 nm to 420 nm. Yes. In other words, it can be said that the Caα-SiAlON: Ce phosphor has an absorption peak wavelength of light in a wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less.

具体的には、Caα−SiAlON:Ce蛍光体の場合、その吸収率が70%以上となるときの、メイン光源2から出射されるレーザ光の波長範囲がおよそ420nm以下であることがわかる。また、一般に、Caα−SiAlON:Ce蛍光体とは異なる蛍光体であっても、420nm以下に光の吸収ピーク波長を有する蛍光体であれば、メイン光源2から出射されるレーザ光の発振波長がおよそ420nm以下の場合には、その蛍光体における当該レーザ光の吸収率は70%以上を示す。図示のように、Caα−SiAlON:Ce蛍光体の場合、吸収率が70%のときの外部量子効率(発光効率)は50%程度であり、高い発光効率を実現している。   Specifically, in the case of a Caα-SiAlON: Ce phosphor, it can be seen that the wavelength range of the laser light emitted from the main light source 2 when the absorption rate is 70% or more is approximately 420 nm or less. In general, even if the phosphor is different from the Caα-SiAlON: Ce phosphor, if the phosphor has a light absorption peak wavelength of 420 nm or less, the oscillation wavelength of the laser light emitted from the main light source 2 is In the case of approximately 420 nm or less, the absorption rate of the laser light in the phosphor shows 70% or more. As shown in the figure, in the case of a Caα-SiAlON: Ce phosphor, the external quantum efficiency (light emission efficiency) when the absorption rate is 70% is about 50%, and high light emission efficiency is realized.

逆に言えば、420nm以下に励起光の吸収ピーク波長を有する蛍光体(特にCaα−SiAlON:Ce蛍光体)に、420nmよりも長い波長を有する光が照射された場合には、その吸収率は70%未満となる。特に440nm以上の波長範囲にピーク波長を有する光(サブ光源3が出射する青色レーザ光)が発光部7に照射された場合には、図示のように、その青色レーザ光の吸収率が50%よりも低くなる。このため、このときの発光効率は、その吸収率が70%であるときに比べてさらに低くなる。   In other words, when light having a wavelength longer than 420 nm is irradiated to a phosphor having an absorption peak wavelength of excitation light of 420 nm or less (particularly Caα-SiAlON: Ce phosphor), the absorption rate is Less than 70%. In particular, when light having a peak wavelength in the wavelength range of 440 nm or more (blue laser light emitted from the sub-light source 3) is irradiated to the light emitting unit 7, as shown in the drawing, the absorption rate of the blue laser light is 50%. Lower than. For this reason, the luminous efficiency at this time is further lower than when the absorptance is 70%.

具体的には、照射される光の波長が440nmであるとき、その吸収率は約45%であり、その外部量子効率(発光効率)は約35%である。なお、発明者は、Caα−SiAlON:Ce蛍光体に波長445nmの青色レーザ光を照射した場合には、当該蛍光体がほとんど蛍光を発していないことを確認している。なお、波長445nmの光が照射されたときの発光効率は約30%である(図3参照)。   Specifically, when the wavelength of the irradiated light is 440 nm, the absorptance is about 45%, and the external quantum efficiency (light emission efficiency) is about 35%. The inventor has confirmed that when the Caα-SiAlON: Ce phosphor is irradiated with blue laser light having a wavelength of 445 nm, the phosphor hardly emits fluorescence. The light emission efficiency when irradiated with light having a wavelength of 445 nm is about 30% (see FIG. 3).

つまり、発光部7に、350nm以上、420nm以下の波長範囲に光の吸収ピーク波長を有し、メイン光源2から出射されるレーザ光が照射されるときの吸収率が70%以上である蛍光体を用いた場合には、サブ光源3から出射された青色レーザ光は発光部7においてほとんど吸収されない。よって、当該青色レーザ光の発光部7における減衰を抑制できるので、ヘッドランプ1は、以下に述べるように、効率よく照明光の色温度を調整できる。   That is, the phosphor having a light absorption peak wavelength in the wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less on the light emitting unit 7 and an absorption rate of 70% or more when irradiated with the laser light emitted from the main light source 2 Is used, the blue laser light emitted from the sub-light source 3 is hardly absorbed by the light emitting unit 7. Therefore, since the attenuation of the blue laser light in the light emitting unit 7 can be suppressed, the headlamp 1 can efficiently adjust the color temperature of the illumination light as described below.

(発光部7から出射される光のスペクトル)
次に、発光部7から出射される光のスペクトルについて説明する。メイン光源2だけを使用した場合のスペクトルについては図4を用いて、メイン光源2及びサブ光源3を使用した場合のスペクトルについては図5を用いて説明する。
(Spectrum of light emitted from the light emitting unit 7)
Next, the spectrum of the light emitted from the light emitting unit 7 will be described. The spectrum when only the main light source 2 is used will be described with reference to FIG. 4, and the spectrum when the main light source 2 and the sub light source 3 are used will be described with reference to FIG.

図4及び図5では、メイン光源2が405nm近傍の発振波長を有するレーザ光を出射し、発光部7のCaα−SiAlON:Ce蛍光体及びCASN:Eu蛍光体を励起している。また、これらの蛍光体の重量比は3:1であり、メイン光源2の光出力は5Wである。   4 and 5, the main light source 2 emits laser light having an oscillation wavelength near 405 nm, and excites the Caα-SiAlON: Ce phosphor and CASN: Eu phosphor of the light emitting unit 7. The weight ratio of these phosphors is 3: 1, and the light output of the main light source 2 is 5W.

また、図5では、サブ光源3が460nm近傍の発振波長を有する青色レーザ光を発光部7に照射しており、サブ光源3の光出力は0.5Wである。   In FIG. 5, the sub light source 3 irradiates the light emitting unit 7 with blue laser light having an oscillation wavelength near 460 nm, and the light output of the sub light source 3 is 0.5 W.

図4では、発光部7は、405nm近傍の発振波長を有するレーザ光に加え、500〜700nm程度の波長を有する蛍光(白色光)を出射している。ヘッドランプ1は、このレーザ光を遮断フィルタ9で遮断することにより、皮膚や目など人体に対して障害を与えないようにした上で照明光を出射できる。   In FIG. 4, the light emitting unit 7 emits fluorescence (white light) having a wavelength of about 500 to 700 nm in addition to laser light having an oscillation wavelength near 405 nm. The headlamp 1 can emit the illumination light by blocking the laser light with the blocking filter 9 so as not to cause any damage to the human body such as skin and eyes.

一方、図5では、発光部7は、460nm近傍の発振波長を有する青色レーザ光も出射している。上述のとおり、発光部7にCaα−SiAlON:Ce蛍光体を用いているので、発光部7における青色レーザ光の吸収率は低い。つまり、図5に示すように、サブ光源3から青色レーザ光が出射されることにより、図4の場合に比べて発光部7から出射される青色領域(460nm近傍)の光の光量が増加している。   On the other hand, in FIG. 5, the light emitting unit 7 also emits blue laser light having an oscillation wavelength near 460 nm. As described above, since the Caα-SiAlON: Ce phosphor is used for the light emitting unit 7, the blue laser light absorption rate in the light emitting unit 7 is low. That is, as shown in FIG. 5, when the blue laser light is emitted from the sub-light source 3, the amount of light in the blue region (near 460 nm) emitted from the light emitting unit 7 is increased compared to the case of FIG. ing.

このため、メイン光源2が出射する350nm以上、420nm以下の発振波長を有するレーザ光から得られる蛍光の青味成分は少ないが、その青味成分を上記の青色領域の光にて補填することができる。すなわち、サブ光源3から出射される青色レーザ光を拡散した上で照明光として利用することにより、上記青味成分を補填でき、照明光の色温度を高めることができる。   For this reason, although the blue component of the fluorescence obtained from the laser light having an oscillation wavelength of 350 nm or more and 420 nm or less emitted from the main light source 2 is small, the blue component can be compensated with the light in the blue region. it can. That is, by diffusing the blue laser light emitted from the sub light source 3 and using it as illumination light, the bluish component can be compensated for and the color temperature of the illumination light can be increased.

また、拡散後の青色レーザ光を照明光として利用することにより、蛍光のみを照明光として利用するよう設計されてきた従来の照明装置では困難であった照明光の色温度の調整を行うことができる。また、その青色レーザ光は発光部7により蛍光に変換されにくいので、拡散後の青色レーザ光を照明光として効率よく利用できる。すなわち、色温度の調整に効率よく利用できる。   In addition, by using the blue laser light after diffusion as the illumination light, it is possible to adjust the color temperature of the illumination light, which has been difficult with the conventional illumination device designed to use only fluorescence as the illumination light. it can. Further, since the blue laser light is difficult to be converted into fluorescence by the light emitting unit 7, the diffused blue laser light can be efficiently used as illumination light. That is, it can be efficiently used for adjusting the color temperature.

<半導体レーザの構造>
次に、メイン光源2及びサブ光源3に用いられる半導体レーザの基本構造について説明する。図6(a)は、半導体レーザの回路図を模式的に示したものであり、図6(b)は、半導体レーザの基本構造を示す斜視図である。同図に示すように、半導体レーザは、カソード電極19、基板18、クラッド層113、活性層111、クラッド層112、アノード電極17がこの順に積層された構成である。
<Structure of semiconductor laser>
Next, the basic structure of the semiconductor laser used for the main light source 2 and the sub light source 3 will be described. 6A schematically shows a circuit diagram of the semiconductor laser, and FIG. 6B is a perspective view showing the basic structure of the semiconductor laser. As shown in the figure, the semiconductor laser has a configuration in which a cathode electrode 19, a substrate 18, a clad layer 113, an active layer 111, a clad layer 112, and an anode electrode 17 are laminated in this order.

基板18は、半導体基板であり、本願のように蛍光体を励起する為の青色〜紫外の励起光を得る為にはGaN、サファイア、SiCを用いることが好ましい。一般的には、半導体レーザ用の基板の他の例として、Si、GeおよびSiC等のIV属半導体、GaAs、GaP、InP、AlAs、GaN、InN、InSb、GaSbおよびAlNに代表されるIII−V属化合物半導体、ZnTe、ZeSe、ZnSおよびZnO等のII−VI属化合物半導体、ZnO、Al、SiO、TiO、CrOおよびCeO等の酸化物絶縁体、並びに、SiNなどの窒化物絶縁体のいずれかの材料が用いられる。 The substrate 18 is a semiconductor substrate, and it is preferable to use GaN, sapphire, or SiC in order to obtain blue to ultraviolet excitation light for exciting the phosphor as in the present application. In general, as other examples of a substrate for a semiconductor laser, a group IV semiconductor represented by a group IV semiconductor such as Si, Ge and SiC, GaAs, GaP, InP, AlAs, GaN, InN, InSb, GaSb and AlN Group V compound semiconductors, Group II-VI compound semiconductors such as ZnTe, ZeSe, ZnS and ZnO, oxide insulators such as ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , CrO 2 and CeO 2 , and SiN Any material of the nitride insulator is used.

アノード電極17は、クラッド層112を介して活性層111に電流を注入するためのものである。   The anode electrode 17 is for injecting current into the active layer 111 through the cladding layer 112.

カソード電極19は、基板18の下部から、クラッド層113を介して活性層111に電流を注入するためのものである。なお、電流の注入は、アノード電極17・カソード電極19に順方向バイアスをかけて行う。   The cathode electrode 19 is for injecting current into the active layer 111 from the lower part of the substrate 18 through the clad layer 113. The current is injected by applying a forward bias to the anode electrode 17 and the cathode electrode 19.

活性層111は、クラッド層113及びクラッド層112で挟まれた構造になっている。   The active layer 111 has a structure sandwiched between the clad layer 113 and the clad layer 112.

また、活性層111およびクラッド層の材料としては、青色〜紫外の励起光を得る為にはAlInGaNから成る混晶半導体が用いられる。一般に半導体レーザの活性層・クラッド層としては、Al、Ga、In、As、P、N、Sbを主たる組成とする混晶半導体が用いられ、そのような構成としても良い。また、Zn、Mg、S、Se、TeおよびZnO等のII−VI属化合物半導体によって構成されていてもよい。   As the material for the active layer 111 and the cladding layer, a mixed crystal semiconductor made of AlInGaN is used to obtain blue to ultraviolet excitation light. Generally, a mixed crystal semiconductor mainly composed of Al, Ga, In, As, P, N, and Sb is used as an active layer / cladding layer of a semiconductor laser, and such a configuration may be used. Moreover, you may be comprised by II-VI group compound semiconductors, such as Zn, Mg, S, Se, Te, and ZnO.

また、活性層111は、注入された電流により発光が生じる領域であり、クラッド層112及びクラッド層113との屈折率差により、発光した光が活性層111内に閉じ込められる。   The active layer 111 is a region where light emission is caused by the injected current, and the emitted light is confined in the active layer 111 due to a difference in refractive index between the cladding layer 112 and the cladding layer 113.

さらに、活性層111には、誘導放出によって増幅される光を閉じ込めるために互いに対向して設けられる表側へき開面114・裏側へき開面115が形成されており、この表側へき開面114・裏側へき開面115が鏡の役割を果す。   Further, the active layer 111 is formed with a front side cleaved surface 114 and a back side cleaved surface 115 provided to face each other in order to confine light amplified by stimulated emission, and the front side cleaved surface 114 and the back side cleaved surface 115. Plays the role of a mirror.

ただし、完全に光を反射する鏡とは異なり、誘導放出によって増幅される光の一部は、活性層111の表側へき開面114・裏側へき開面115(本実施の形態では、便宜上表側へき開面114とする)から出射され、励起光L0となる。なお、活性層111は、多層量子井戸構造を形成していてもよい。   However, unlike a mirror that completely reflects light, a part of the light amplified by stimulated emission is obtained by cleaving the front side cleaved surface 114 and the back side cleaved surface 115 of the active layer 111 (in this embodiment, the front side cleaved surface 114 for convenience. And the excitation light L0. Note that the active layer 111 may form a multilayer quantum well structure.

なお、表側へき開面114と対向する裏側へき開面115には、レーザ発振のための反射膜(図示せず)が形成されており、表側へき開面114と裏側へき開面115との反射率に差を設けることで、低反射率端面である、例えば、表側へき開面114より励起光L0の大部分を発光点103から照射されるようにすることができる。   Note that a reflective film (not shown) for laser oscillation is formed on the back side cleaved surface 115 opposite to the front side cleaved surface 114, and the difference in reflectance between the front side cleaved surface 114 and the back side cleaved surface 115 is different. By providing, for example, most of the excitation light L0 can be emitted from the light emitting point 103 from the front-side cleavage surface 114 which is a low reflectance end face.

クラッド層113・クラッド層112は、n型およびp型それぞれのGaAs、GaP、InP、AlAs、GaN、InN、InSb、GaSb、及びAlNに代表されるIII−V属化合物半導体、並びに、ZnTe、ZeSe、ZnSおよびZnO等のII−VI属化合物半導体のいずれの半導体によって構成されていてもよく、順方向バイアスをアノード電極17及びカソード電極19に印加することで活性層111に電流を注入できるようになっている。   The clad layer 113 and the clad layer 112 are made of n-type and p-type GaAs, GaP, InP, AlAs, GaN, InN, InSb, GaSb, and AlN group III-V compound semiconductors, and ZnTe, ZeSe. , ZnS, ZnO, and other II-VI group compound semiconductors, and by applying a forward bias to the anode electrode 17 and the cathode electrode 19, current can be injected into the active layer 111. It has become.

クラッド層113・クラッド層112および活性層111などの各半導体層との膜形成については、MOCVD(有機金属化学気相成長)法やMBE(分子線エピタキシー)法、CVD(化学気相成長)法、レーザアブレーション法、スパッタ法などの一般的な成膜手法を用いて構成できる。各金属層の膜形成については、真空蒸着法やメッキ法、レーザアブレーション法、スパッタ法などの一般的な成膜手法を用いて構成できる。   As for film formation with each semiconductor layer such as the clad layer 113, the clad layer 112, and the active layer 111, MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method, MBE (molecular beam epitaxy) method, CVD (chemical vapor deposition) method. The film can be formed using a general film forming method such as a laser ablation method or a sputtering method. The film formation of each metal layer can be configured using a general film forming method such as a vacuum deposition method, a plating method, a laser ablation method, or a sputtering method.

(発光部7の発光原理)
次に、メイン光源2から発振されたレーザ光による蛍光体の発光原理について説明する。
(Light emission principle of the light emitting unit 7)
Next, the light emission principle of the phosphor by the laser light oscillated from the main light source 2 will be described.

まず、メイン光源2から発振されたレーザ光が発光部7に含まれる蛍光体に照射されることにより、蛍光体内に存在する電子が低エネルギー状態から高エネルギー状態(励起状態)に励起される。   First, the laser light oscillated from the main light source 2 is applied to the phosphor included in the light emitting unit 7, whereby electrons existing in the phosphor are excited from a low energy state to a high energy state (excited state).

その後、この励起状態は不安定であるため、蛍光体内の電子のエネルギー状態は、一定時間後にもとの低エネルギー状態(基底準位のエネルギー状態または励起準位と基底準位との間の準安定準位のエネルギー状態)に遷移する。   Since this excited state is unstable, the energy state of the electrons in the phosphor is changed to the original low energy state after a certain time (the energy state of the ground level or the level between the excited level and the ground level). Transition to a stable level energy state).

このように、高エネルギー状態に励起された電子が、低エネルギー状態に遷移することによって蛍光体が発光する。   In this way, the phosphors emit light when electrons excited to the high energy state transition to the low energy state.

白色光は、等色の原理を満たす3つの色の混色、または補色の関係を満たす2つの色の混色で構成でき、この原理・関係に基づき、半導体レーザから発振されたレーザ光の色と蛍光体が発する光の色とを、上述のように組み合わせることにより白色光を発生させることができる。   White light can be composed of a mixture of three colors that satisfy the principle of equal colors, or a mixture of two colors that satisfy the relationship of complementary colors, and based on this principle and relationship, the color and fluorescence of laser light oscillated from a semiconductor laser. White light can be generated by combining the color of light emitted by the body as described above.

<ヘッドランプ1の効果>
ヘッドランプ1は、発光部7から出射された蛍光およびサブ光源3から出射された青色レーザ光を、例えば発光部7において拡散させた上で照明光として出射する。これにより、ヘッドランプ1は、メイン光源2から出射されたレーザ光により発光部7を励起させて蛍光を得ることにより高輝度な発光特性を維持しつつ、当該蛍光とともに拡散後の青色レーザ光を照明光として利用することにより照明光の色温度の調整も実現できる。
<Effect of headlamp 1>
The headlamp 1 emits the fluorescent light emitted from the light emitting unit 7 and the blue laser light emitted from the sub light source 3 as illumination light after being diffused, for example, in the light emitting unit 7. As a result, the headlamp 1 excites the light emitting unit 7 with the laser light emitted from the main light source 2 to obtain fluorescence, thereby maintaining the high-luminance emission characteristics, and the blue laser light after diffusion together with the fluorescence. Adjustment of the color temperature of the illumination light can also be realized by using the illumination light.

なお、サブ光源3が半導体レーザでない場合には、サブ光源3から出射される光を発光部7において拡散させることなく、そのまま照明光として利用できる。   When the sub light source 3 is not a semiconductor laser, the light emitted from the sub light source 3 can be used as illumination light without being diffused in the light emitting unit 7.

〔実施の形態2〕
本発明の他の実施形態について図7に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、実施の形態1と同様の部材に関しては、同じ符号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIG. In addition, about the member similar to Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.

本実施の形態のヘッドランプ20は、上述のヘッドランプ1とは異なり、サブ光源3が出射した青色レーザ光を拡散する拡散部71を備えている。また、ヘッドランプ20は、メイン光源2からの励起光を発光部7へ導く導光部材として導光部51を備えるとともに、サブ光源3からの青色レーザ光を拡散部71へ導く導光部52を備えている。   Unlike the headlamp 1 described above, the headlamp 20 of the present embodiment includes a diffusing unit 71 that diffuses the blue laser light emitted from the sub-light source 3. The headlamp 20 includes a light guide 51 as a light guide member that guides the excitation light from the main light source 2 to the light emitting unit 7, and guides the blue laser light from the sub light source 3 to the diffusion unit 71. It has.

(拡散部71)
拡散部71は、例えば、レーザ光を拡散させる拡散粒子が母材中に分散されているものである。
(Diffusion part 71)
The diffusion unit 71 is, for example, one in which diffusion particles that diffuse laser light are dispersed in a base material.

拡散部71に対して高出力のレーザ光が照射される場合も想定されるため、拡散部71は耐熱性であることが好ましい。この点を考慮すれば、上記母材として、無機ガラスを用いることが好ましい。   Since it is assumed that the diffusing unit 71 is irradiated with high-power laser light, the diffusing unit 71 is preferably heat resistant. Considering this point, it is preferable to use inorganic glass as the base material.

一方、拡散粒子として、例えば、フュームドシリカ、Al、酸化ジルコニウムまたはダイヤモンドを用いることができる。これらの微粉末(直径10nm〜5μm程度)が重量比10〜30%程度で無機ガラスに混合されている。 On the other hand, for example, fumed silica, Al 2 O 3 , zirconium oxide, or diamond can be used as the diffusing particles. These fine powders (diameter of about 10 nm to about 5 μm) are mixed with inorganic glass at a weight ratio of about 10 to 30%.

無機ガラスの屈折率は、1.5〜1.8程度であるのに対して、酸化ジルコニウムおよびダイヤモンドの屈折率は、約2.4である。それゆえ、無機ガラスと拡散粒子との屈折率の差が大きくなるため、拡散効果を高めることができる。   Inorganic glass has a refractive index of about 1.5 to 1.8, while zirconium oxide and diamond have a refractive index of about 2.4. Therefore, the difference in refractive index between the inorganic glass and the diffusing particles becomes large, so that the diffusion effect can be enhanced.

また、酸化ジルコニウムの融点は2715℃であり、ダイヤモンドの融点は3550℃であるので、通常の無機ガラスの溶融温度程度では融けたり変質したりすることはなく、拡散粒子として無機ガラス中に分散させる材料として好適である。   Further, since the melting point of zirconium oxide is 2715 ° C. and the melting point of diamond is 3550 ° C., it does not melt or change at the melting temperature of ordinary inorganic glass, and is dispersed in the inorganic glass as diffusion particles. Suitable as a material.

上述した拡散部71の材質はあくまで一例であり、青色レーザ光を拡散可能なものであれば、拡散部71の材質は特に限定されない。また、拡散部71の形状および大きさ(厚み)についても、その拡散効率を考慮して、十分に青色レーザ光を拡散できる形状および大きさを設定すればよい。   The material of the diffusion part 71 described above is merely an example, and the material of the diffusion part 71 is not particularly limited as long as the blue laser light can be diffused. Further, the shape and size (thickness) of the diffusing portion 71 may be set to a shape and size that can sufficiently diffuse the blue laser light in consideration of the diffusion efficiency.

拡散部71形状および大きさは、発光部7と同程度で良いが発光部7を覆うように形成されることが好ましい。また、発光部7および拡散部71は、反射鏡8の焦点位置の近傍に配置されることが好ましい。   The shape and size of the diffusing portion 71 may be the same as that of the light emitting portion 7, but is preferably formed so as to cover the light emitting portion 7. In addition, the light emitting unit 7 and the diffusing unit 71 are preferably arranged in the vicinity of the focal position of the reflecting mirror 8.

このように、サブ光源3から出射される青色レーザ光を拡散部71において拡散させることにより、青色レーザ光の発光点サイズを拡大することができるので、安全性を確保した上で、当該青色レーザ光を照明光として利用することができる。   As described above, the blue laser light emitted from the sub-light source 3 is diffused in the diffusing unit 71, so that the emission point size of the blue laser light can be increased. Light can be used as illumination light.

(導光部51・52)
導光部51・52は、円錐台状の導光部材であり、非球面レンズ4を介して(または、直接的に)メイン光源2およびサブ光源3と光学的に結合している。
(Light guide parts 51 and 52)
The light guides 51 and 52 are frustoconical light guide members, and are optically coupled to the main light source 2 and the sub light source 3 via the aspheric lens 4 (or directly).

導光部51・52は、メイン光源2またはサブ光源3が出射したレーザ光を受光する光入射面と当該光入射面において受光したレーザ光を出射する光出射面とを有している。   The light guides 51 and 52 have a light incident surface that receives the laser light emitted from the main light source 2 or the sub light source 3, and a light emission surface that emits the laser light received on the light incident surface.

光出射面の面積は、光入射面の面積よりも小さいため、光入射面から入射した各レーザ光は、導光部51・52の側面に反射しつつ前進することにより収束されて光出射面から出射される。   Since the area of the light emitting surface is smaller than the area of the light incident surface, each laser beam incident from the light incident surface is converged by traveling forward while being reflected on the side surfaces of the light guide portions 51 and 52. It is emitted from.

導光部51・52は、BK7、石英ガラス、アクリル樹脂その他の透明素材で構成する。また、光入射面および光出射面は、平面形状であっても曲面形状であってもよい。   The light guides 51 and 52 are made of BK7, quartz glass, acrylic resin, or other transparent material. Further, the light incident surface and the light emitting surface may be planar or curved.

なお、導光部51・52は、角錐台状であってもよく、その形状は限定されない。   The light guides 51 and 52 may have a truncated pyramid shape, and the shape is not limited.

〔実施の形態3〕
本発明の他の実施形態について図9〜図14に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、実施の形態1・2と同様の部材に関しては、同じ符号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 3]
The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIGS. In addition, about the member similar to Embodiment 1 * 2, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.

ここでは、本発明の照明装置の一例としてのレーザダウンライト200について説明する。レーザダウンライト200は、家屋、乗物などの構造物の天井に設置される照明装置である。レーザダウンライト200は、メイン光源2から出射されたレーザ光を発光部7に照射することによって蛍光と、サブ光源3から出射され、発光部7で拡散された青色レーザ光とを照明光として用いるものである。   Here, the laser downlight 200 as an example of the illuminating device of this invention is demonstrated. The laser downlight 200 is an illumination device installed on the ceiling of a structure such as a house or a vehicle. The laser downlight 200 uses fluorescence by irradiating the light emitting unit 7 with the laser light emitted from the main light source 2 and the blue laser light emitted from the sub light source 3 and diffused by the light emitting unit 7 as illumination light. Is.

なお、レーザダウンライト200と同様の構成を有する照明装置を、構造物の側壁または床に設置してもよく、上記照明装置の設置場所は特に限定されない。   Note that an illuminating device having the same configuration as that of the laser downlight 200 may be installed on the side wall or floor of the structure, and the installation location of the illuminating device is not particularly limited.

図9は、発光ユニット210および従来のLEDダウンライト300の外観を示す概略図である。図10は、レーザダウンライト200が設置された天井の断面図である。図11は、レーザダウンライト200の断面図である。図9〜図11に示すように、レーザダウンライト200は、天板400に埋設され、照明光を出射する発光ユニット210と、光ファイバー5を介して発光ユニット210へレーザ光を供給するLD光源ユニット220とを含んでいる。LD光源ユニット220は、天井には設置されておらず、ユーザが容易に触れることができる位置(例えば、家屋の側壁)に設置されている。このようにLD光源ユニット220の位置を自由に決定できるのは、LD光源ユニット220と発光ユニット210とが光ファイバー5によって接続されているからである。この光ファイバー5は、天板400と断熱材401との間の隙間に配置されている。   FIG. 9 is a schematic diagram showing the appearance of the light emitting unit 210 and the conventional LED downlight 300. FIG. 10 is a cross-sectional view of the ceiling where the laser downlight 200 is installed. FIG. 11 is a cross-sectional view of the laser downlight 200. As shown in FIGS. 9 to 11, the laser downlight 200 is embedded in the top plate 400 and emits illumination light, and an LD light source unit that supplies laser light to the light emitting unit 210 via the optical fiber 5. 220. The LD light source unit 220 is not installed on the ceiling, but is installed at a position where the user can easily touch it (for example, a side wall of a house). The position of the LD light source unit 220 can be freely determined in this way because the LD light source unit 220 and the light emitting unit 210 are connected by the optical fiber 5. The optical fiber 5 is disposed in a gap between the top plate 400 and the heat insulating material 401.

(発光ユニット210の構成)
発光ユニット210は、図11に示すように、筐体211、光ファイバー5、発光部7および透光板213を備えている。
(Configuration of light emitting unit 210)
As shown in FIG. 11, the light emitting unit 210 includes a housing 211, an optical fiber 5, a light emitting unit 7, and a light transmitting plate 213.

筐体211には、凹部212が形成されており、この凹部212の底面に発光部7が配置されている。凹部212の表面には、金属薄膜が形成されており、凹部212は反射鏡として機能する。   A recess 212 is formed in the housing 211, and the light emitting unit 7 is disposed on the bottom surface of the recess 212. A metal thin film is formed on the surface of the recess 212, and the recess 212 functions as a reflecting mirror.

また、筐体211には、光ファイバー5を通すための通路214が形成されており、この通路214を通って光ファイバー5が発光部7まで延びている。光ファイバー5の出射端部5aと発光部7との位置関係は上述したものと同様である。   In addition, a passage 214 for passing the optical fiber 5 is formed in the casing 211, and the optical fiber 5 extends to the light emitting unit 7 through the passage 214. The positional relationship between the emission end portion 5a of the optical fiber 5 and the light emitting portion 7 is the same as described above.

透光板213は、凹部212の開口部をふさぐように配置された透明または半透明の板である。この透光板213は、遮断フィルタ9と同様の機能を有するものであり、発光部7の蛍光は、透光板213を透して照明光として出射される。透光板213は、筐体211に対して取外し可能であってもよく、省略されてもよい。   The translucent plate 213 is a transparent or translucent plate disposed so as to close the opening of the recess 212. The translucent plate 213 has the same function as the blocking filter 9, and the fluorescence of the light emitting unit 7 is emitted as illumination light through the translucent plate 213. The translucent plate 213 may be removable from the housing 211 or may be omitted.

図9では、発光ユニット210は、円形の外縁を有しているが、発光ユニット210の形状(より厳密には、筐体211の形状)は特に限定されない。   In FIG. 9, the light emitting unit 210 has a circular outer edge, but the shape of the light emitting unit 210 (more precisely, the shape of the housing 211) is not particularly limited.

なお、ダウンライトでは、ヘッドランプの場合とは異なり、理想的な点光源は要求されず、発光点が1つというレベルで十分である。それゆえ、発光部7の形状、大きさおよび配置に関する制約は、ヘッドランプの場合よりも少ない。   In the downlight, unlike a headlamp, an ideal point light source is not required, and a level of one light emitting point is sufficient. Therefore, there are fewer restrictions on the shape, size and arrangement of the light emitting section 7 than in the case of the headlamp.

(LD光源ユニット220の構成)
LD光源ユニット220は、メイン光源2、サブ光源3、非球面レンズ4および光ファイバー5を備えている。
(Configuration of LD light source unit 220)
The LD light source unit 220 includes a main light source 2, a sub light source 3, an aspheric lens 4, and an optical fiber 5.

光ファイバー5の一方の端部である入射端部5bは、LD光源ユニット220に接続されており、メイン光源2およびサブ光源3から発振されたレーザ光はそれぞれ、非球面レンズ4を介して光ファイバー5の入射端部5bに入射される。   The incident end 5b, which is one end of the optical fiber 5, is connected to the LD light source unit 220, and the laser light oscillated from the main light source 2 and the sub light source 3 respectively passes through the aspherical lens 4 to the optical fiber 5. Is incident on the incident end 5b.

図11では、LD光源ユニット220の内部に、一対のメイン光源2および非球面レンズ4と一対のサブ光源3および非球面レンズ4とが備えられ、それぞれの非球面レンズ4から延びる光ファイバーの束が1つの発光ユニット210に導かれている。すなわち、図11では、一対のメイン光源2および非球面レンズ4と一対のサブ光源3および非球面レンズ4とからなる1セットの光源が、1つの発光ユニット210用の光源として機能している。なお、メイン光源2およびサブ光源3が1つずつである必要はなく、その個数は、1光源あたりの出力量や、レーザダウンライト200で実現する照明光の色温度、あるいはその調整幅などを考慮して決定されればよい。   In FIG. 11, a pair of main light source 2 and aspherical lens 4 and a pair of sub-light source 3 and aspherical lens 4 are provided inside LD light source unit 220, and a bundle of optical fibers extending from each aspherical lens 4. It is guided to one light emitting unit 210. That is, in FIG. 11, one set of light sources including a pair of main light sources 2 and aspherical lenses 4 and a pair of sub-light sources 3 and aspherical lenses 4 functions as a light source for one light emitting unit 210. The number of the main light source 2 and the sub light source 3 is not necessarily one, and the number of the light sources is the output amount per light source, the color temperature of the illumination light realized by the laser downlight 200, or the adjustment width thereof. It may be determined in consideration.

また、発光ユニット210が複数存在する場合には、発光ユニット210からそれぞれ延びる光ファイバーの束を1つのLD光源ユニット220に導いてもよい。この場合、1つのLD光源ユニット220に上記の1セットの光源が複数収納されることになり、LD光源ユニット220は集中電源ボックスとして機能する。   Further, when there are a plurality of light emitting units 210, a bundle of optical fibers extending from the light emitting units 210 may be guided to one LD light source unit 220. In this case, one LD light source unit 220 contains a plurality of the above-mentioned one set of light sources, and the LD light source unit 220 functions as a centralized power supply box.

(レーザダウンライト200の設置方法の変更例)
図12は、レーザダウンライト200の設置方法の変更例を示す断面図である。同図に示すように、レーザダウンライト200の設置方法の変形例として、天板400には光ファイバー5を通す小さな穴402だけを開け、薄型・軽量の特長を活かしてレーザダウンライト本体(発光ユニット210)を強力な粘着テープ等を使って天板400に貼り付けるということもできる。この場合、レーザダウンライト200の設置に係る制約が小さくなり、また工事費用が大幅に削減できるというメリットがある。
(Example of changing the installation method of the laser downlight 200)
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a modified example of the installation method of the laser downlight 200. As shown in the figure, as a modified example of the installation method of the laser downlight 200, only a small hole 402 through which the optical fiber 5 passes is formed in the top plate 400, and the laser downlight main body (light emitting unit) is utilized by taking advantage of the thin and light weight. 210) can be attached to the top plate 400 using a strong adhesive tape or the like. In this case, there are advantages that restrictions on installation of the laser downlight 200 are reduced, and that construction costs can be significantly reduced.

(レーザダウンライト200と従来のLEDダウンライト300との比較)
従来のLEDダウンライト300は、図9に示すように、複数の透光板301を備えており、各透光板301からそれぞれ照明光が出射される。すなわち、LEDダウンライト300において発光点は複数存在している。LEDダウンライト300において発光点が複数存在しているのは、個々の発光点から出射される光の光束が比較的小さいため、複数の発光点を設けなければ照明光として十分な光束の光が得られないためである。
(Comparison between laser downlight 200 and conventional LED downlight 300)
As shown in FIG. 9, the conventional LED downlight 300 includes a plurality of light transmitting plates 301, and illumination light is emitted from each light transmitting plate 301. That is, the LED downlight 300 has a plurality of light emitting points. The LED downlight 300 has a plurality of light emitting points because the light flux of light emitted from each light emitting point is relatively small. Therefore, if a plurality of light emitting points are not provided, light having a sufficient light flux as illumination light is provided. This is because it cannot be obtained.

これに対して、レーザダウンライト200は、高光束の照明装置であるため、発光点は1つでもよい。それゆえ、照明光による陰影がきれいに出るという効果が得られる。また、発光部7の蛍光体を高演色蛍光体(例えば、数種類の酸窒化物蛍光体の組み合わせ)にすることにより、照明光の演色性を高めることができる。   On the other hand, since the laser downlight 200 is an illumination device with a high luminous flux, the number of emission points may be one. Therefore, it is possible to obtain an effect that the shadow caused by the illumination light is clearly displayed. Moreover, the color rendering property of illumination light can be improved by making the phosphor of the light emitting portion 7 a high color rendering phosphor (for example, a combination of several kinds of oxynitride phosphors).

図13は、LEDダウンライト300が設置された天井の断面図である。同図に示すように、LEDダウンライト300では、LEDチップ、電源および冷却ユニットを収納した筐体302が天板400に埋設されている。筐体302は比較的大きなものであり、筐体302が配置されている部分の断熱材401には、筐体302の形状に沿った凹部が形成される。筐体302から電源ライン303が延びており、この電源ライン303はコンセント(不図示)につながっている。   FIG. 13 is a cross-sectional view of the ceiling where the LED downlight 300 is installed. As shown in the figure, in the LED downlight 300, a casing 302 that houses an LED chip, a power source, and a cooling unit is embedded in the top plate 400. The housing 302 is relatively large, and a recess along the shape of the housing 302 is formed in a portion of the heat insulating material 401 where the housing 302 is disposed. A power line 303 extends from the housing 302, and the power line 303 is connected to an outlet (not shown).

このような構成では、次のような問題が生じる。まず、天板400と断熱材401との間に発熱源である光源(LEDチップ)および電源が存在しているため、LEDダウンライト300を使用することにより天井の温度が上がり、部屋の冷房効率が低下するという問題が生じる。   Such a configuration causes the following problems. First, since there is a light source (LED chip) and a power source that are heat sources between the top plate 400 and the heat insulating material 401, the use of the LED downlight 300 raises the ceiling temperature, and the cooling efficiency of the room. Problem arises.

また、LEDダウンライト300では、光源ごとに電源および冷却ユニットが必要であり、トータルのコストが増大するという問題が生じる。   Further, the LED downlight 300 requires a power source and a cooling unit for each light source, which causes a problem that the total cost increases.

また、筐体302は比較的大きなものであるため、天板400と断熱材401との間の隙間にLEDダウンライト300を配置することが困難な場合が多いという問題が生じる。   Moreover, since the housing | casing 302 is comparatively large, the problem that it is often difficult to arrange | position the LED downlight 300 in the clearance gap between the top plate 400 and the heat insulating material 401 arises.

これに対して、レーザダウンライト200では、発光ユニット210には、大きな発熱源は含まれていないため、部屋の冷房効率を低下させることはない。その結果、部屋の冷房コストの増大を避けることができる。   On the other hand, in the laser downlight 200, since the light emitting unit 210 does not include a large heat source, the cooling efficiency of the room is not reduced. As a result, an increase in room cooling costs can be avoided.

また、発光ユニット210ごとに電源および冷却ユニットを設ける必要がないため、レーザダウンライト200を小型および薄型にすることができる。その結果、レーザダウンライト200を設置するためのスペースの制約が小さくなり、既存の住宅への設置が容易になる。   Further, since it is not necessary to provide a power source and a cooling unit for each light emitting unit 210, the laser downlight 200 can be reduced in size and thickness. As a result, the space restriction for installing the laser downlight 200 is reduced, and installation in an existing house is facilitated.

また、レーザダウンライト200は、小型および薄型であるため、上述したように、発光ユニット210を天板400の表面に設置することができ、天板裏側のスペースもほとんど必要ないためにLEDダウンライト300よりも設置に係る制約を小さくすることができるとともに工事費用を大幅に削減できる。   Further, since the laser downlight 200 is small and thin, as described above, the light emitting unit 210 can be installed on the surface of the top plate 400, and the space on the back side of the top plate is hardly required. It is possible to make the restrictions on installation smaller than 300 and to greatly reduce the construction cost.

図14は、レーザダウンライト200およびLEDダウンライト300のスペックを比較するための図である。同図に示すように、レーザダウンライト200は、その一例では、LEDダウンライト300に比べて体積は94%減少し、質量は86%減少する。   FIG. 14 is a diagram for comparing the specifications of the laser downlight 200 and the LED downlight 300. As shown in the figure, in the laser downlight 200, in one example, the volume is reduced by 94% and the mass is reduced by 86% compared to the LED downlight 300.

また、LD光源ユニット220をユーザの手が容易に届く所(高さ)に設置できるため、メイン光源2およびサブ光源3が故障した場合でも、手軽にこれらの光源を交換できる。また、複数の発光ユニット210から延びる光ファイバー5を1つのLD光源ユニット220に導くことにより、複数のメイン光源2および複数のサブ光源3を一括管理できる。そのため、複数のメイン光源2および複数のサブ光源3を交換する場合でも、その交換が容易にできる。   Further, since the LD light source unit 220 can be installed in a place (height) that can be easily reached by the user, even if the main light source 2 and the sub light source 3 break down, these light sources can be easily replaced. Further, by guiding the optical fibers 5 extending from the plurality of light emitting units 210 to one LD light source unit 220, the plurality of main light sources 2 and the plurality of sub light sources 3 can be collectively managed. Therefore, even when the plurality of main light sources 2 and the plurality of sub light sources 3 are replaced, the replacement can be easily performed.

なお、LEDダウンライト300において、高演色蛍光体を用いたタイプの場合、消費電力10Wで約500lmの光束が出射できるが、同じ明るさの光をレーザダウンライト200で実現するためには、3.3Wの光出力が必要である。この光出力は、LD効率が35%であれば、消費電力10Wに相当し、LEDダウンライト300の消費電力も10Wであるため、消費電力では、両者の間に顕著な差は見られない。それゆえ、レーザダウンライト200では、LEDダウンライト300と同じ消費電力で、上述の種々のメリットが得られることになる。   In the case of a type using a high color rendering phosphor in the LED downlight 300, a light beam of about 500 lm can be emitted with a power consumption of 10 W, but in order to realize the light of the same brightness with the laser downlight 200, 3 .3W light output is required. If the LD efficiency is 35%, this light output corresponds to power consumption of 10 W, and the power consumption of the LED downlight 300 is also 10 W. Therefore, there is no significant difference in power consumption between the two. Therefore, in the laser downlight 200, the above-described various advantages can be obtained with the same power consumption as that of the LED downlight 300.

以上のように、レーザダウンライト200は、レーザ光を出射するメイン光源2および青色レーザ光を出射するサブ光源3を少なくとも1つずつ備えるLD光源ユニット220と、当該レーザ光および青色レーザ光が照射される発光部7を備える少なくとも1つの発光ユニット210とを備える。そして、メイン光源2から出射されたレーザ光を受けて発光部7から出射された蛍光と、サブ光源3から出射された青色レーザ光(発光部7で拡散された青色レーザ光)とを照明光として出射する。   As described above, the laser downlight 200 is irradiated with the LD light source unit 220 including at least one main light source 2 that emits laser light and at least one sub light source 3 that emits blue laser light, and the laser light and the blue laser light. And at least one light-emitting unit 210 including the light-emitting unit 7 to be operated. Then, the fluorescent light emitted from the light emitting unit 7 upon receiving the laser light emitted from the main light source 2 and the blue laser light emitted from the sub light source 3 (blue laser light diffused by the light emitting unit 7) are used as illumination light. To be emitted.

それゆえ、レーザダウンライト200は、発光部7が発した蛍光とは異なる青色レーザ光を照明光として利用できるので、励起光としてのレーザ光が外部に漏れることを防ぎ、蛍光のみを照明光として用いるように設計された従来の照明装置においては困難であった色温度の調整を行うことができる。   Therefore, since the laser downlight 200 can use blue laser light different from the fluorescence emitted by the light emitting unit 7 as illumination light, the laser light as excitation light is prevented from leaking to the outside, and only fluorescence is used as illumination light. It is possible to adjust the color temperature, which is difficult in the conventional lighting device designed to be used.

〔本発明の別の表現〕
本発明は、以下のようにも表現できる。
[Another expression of the present invention]
The present invention can also be expressed as follows.

すなわち、本発明に係る照明装置(固体照明光源)は、蛍光体発光部と、発振波長が405nm近傍の青紫領域、または350nmから400nmの紫外線から青紫領域にある半導体レーザまたはLEDを励起光源と、からなる固体照明光源に関するものである。この照明装置の第一の側面は、蛍光体発光部の少なくとも一部を構成する蛍光体として、Caα−SiAlON:Ce3+を用いていることである。また、照明装置の第二の側面は、照明光の色温度を上げる目的として青色半導体レーザ(440nm以上460nm以下にレーザ発振のピークを有する)を有することである。そして、この照明装置は、前記青色半導体レーザから発せられるレーザ光を前記蛍光体発光部に照射し、前記蛍光体発光部で散乱させてレーザ光の発光点サイズを拡大させることによりアイセーフ化させて、発光部から出射される照明光の青色光成分を補填する。 That is, the illumination device (solid-state illumination light source) according to the present invention includes a phosphor light-emitting unit, a semiconductor laser or an LED having an oscillation wavelength in the vicinity of 405 nm, or a semiconductor laser or LED in the ultraviolet to blue-violet region of 350 to 400 nm as an excitation light source, It is related with the solid-state illumination light source which consists of. The 1st side surface of this illuminating device is using Ca (alpha) -SiAlON: Ce3 + as a fluorescent substance which comprises at least one part of a fluorescent substance light emission part. A second aspect of the illumination device is to have a blue semiconductor laser (having a laser oscillation peak at 440 nm to 460 nm) for the purpose of increasing the color temperature of the illumination light. The illumination device is made eye-safe by irradiating the phosphor light emitting portion with the laser light emitted from the blue semiconductor laser, and scattering the phosphor light emitting portion to enlarge the emission point size of the laser light. The blue light component of the illumination light emitted from the light emitting unit is compensated.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

例えば、サブ光源3の出力をユーザが変化させることにより、色温度の調整をユーザの嗜好に合わせて調整することができる。すなわち、この場合には、ユーザによる色温度のカスタマイズが可能となる。   For example, the user can change the output of the sub light source 3 to adjust the color temperature according to the user's preference. That is, in this case, the user can customize the color temperature.

また、発光部7で用いられる蛍光体は、実施の形態1に記載の組成に限られない。例えば、発光部7で用いられる蛍光体が黄色発光蛍光体だけからなる構成であってもよい。この場合、メイン光源2の出力は3〜4Wとし、サブ光源3の出力を0.3〜0.4Wとすることができる。また、赤色発光蛍光体だけを用いた場合には、メイン光源2の出力を3.5〜5Wとすることができる。   Further, the phosphor used in the light emitting unit 7 is not limited to the composition described in the first embodiment. For example, the phosphor used in the light emitting unit 7 may be composed of only a yellow light emitting phosphor. In this case, the output of the main light source 2 can be 3 to 4 W, and the output of the sub light source 3 can be 0.3 to 0.4 W. Moreover, when only a red light emission fluorescent substance is used, the output of the main light source 2 can be 3.5-5W.

すなわち、発光部7における蛍光体の組成の変更により、メイン光源2及びサブ光源3の出力は適宜変更できる。また、サブ光源3から出射される光を照明光として利用することにより、色温度の調整あるいは向上させることができればよく、照明光が白色光に限定されるものではない。   That is, the outputs of the main light source 2 and the sub light source 3 can be changed as appropriate by changing the composition of the phosphor in the light emitting unit 7. Further, it is sufficient that the color temperature can be adjusted or improved by using the light emitted from the sub light source 3 as the illumination light, and the illumination light is not limited to white light.

本発明は、照明光の色温度を調整でき、特に車両用等のヘッドランプなどに好適である。   The present invention can adjust the color temperature of illumination light, and is particularly suitable for a headlamp for vehicles and the like.

1 ヘッドランプ(照明装置、前照灯)
2 メイン光源(第1光源、レーザ光源)
3 サブ光源(第2光源)
7 発光部(拡散部)
9 遮断フィルタ
71 拡散部
1 Headlamp (lighting device, headlamp)
2 Main light source (first light source, laser light source)
3 Sub-light source (second light source)
7 Light emitting part (diffusion part)
9 Blocking filter 71 Diffusion part

Claims (12)

励起光を出射する第1光源と、
上記第1光源から出射された励起光を受けて蛍光を発する発光部と、
上記励起光とは異なる波長領域を有する第2の光を出射する第2光源とを備え、
上記発光部から出射された蛍光および上記第2光源から出射された第2の光を照明光として出射することを特徴とする照明装置。
A first light source that emits excitation light;
A light emitting unit that emits fluorescence in response to excitation light emitted from the first light source;
A second light source that emits second light having a wavelength region different from that of the excitation light,
An illuminating device that emits fluorescence emitted from the light emitting unit and second light emitted from the second light source as illumination light.
上記第1光源は、紫外領域から青紫色領域の発振波長を有する光を上記励起光として出射し、
上記第2光源は、青色領域の発振波長を有する光を上記第2の光として出射することを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
The first light source emits light having an oscillation wavelength from an ultraviolet region to a blue-violet region as the excitation light,
The lighting device according to claim 1, wherein the second light source emits light having an oscillation wavelength in a blue region as the second light.
上記発光部は、350nm以上、420nm以下の波長範囲に光の吸収ピーク波長を有する第1蛍光体を含むことを特徴とする請求項2に記載の照明装置。   The lighting device according to claim 2, wherein the light emitting unit includes a first phosphor having a light absorption peak wavelength in a wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less. 350nm以上、420nm以下の波長範囲の励起光を受けたときの上記第1蛍光体の吸収率は、70%以上であることを特徴とする請求項3に記載の照明装置。   The lighting device according to claim 3, wherein the first phosphor has an absorptance of 70% or more when receiving excitation light in a wavelength range of 350 nm or more and 420 nm or less. 上記第1蛍光体は、Caα−SiAlON:Ce蛍光体であることを特徴とする請求項3または4に記載の照明装置。   5. The illumination device according to claim 3, wherein the first phosphor is a Caα-SiAlON: Ce phosphor. 上記発光部は、630nm以上、650nm以下の波長範囲にピーク波長を有する蛍光を発する第2蛍光体を含むことを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の照明装置。   6. The illumination device according to claim 3, wherein the light emitting unit includes a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength in a wavelength range of 630 nm or more and 650 nm or less. 上記第2蛍光体は、CaAlSiN:Eu蛍光体又はSrCaAlSiN:Eu蛍光体であることを特徴とする請求項6に記載の照明装置。 The lighting device according to claim 6, wherein the second phosphor is a CaAlSiN 3 : Eu phosphor or a SrCaAlSiN 3 : Eu phosphor. 上記第2光源は、上記第2の光としてレーザ光を出射し、
上記第2光源が出射したレーザ光を拡散する拡散部をさらに備えることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の照明装置。
The second light source emits laser light as the second light,
The illuminating device according to claim 1, further comprising a diffusion unit that diffuses the laser light emitted from the second light source.
上記発光部は、上記拡散部として機能するものであり、
上記第2光源が出射したレーザ光は、上記発光部によって拡散されることを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
The light emitting unit functions as the diffusion unit,
The illumination device according to claim 8, wherein the laser light emitted from the second light source is diffused by the light emitting unit.
上記第1光源は、レーザ光源であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の照明装置。   The lighting device according to claim 1, wherein the first light source is a laser light source. 上記励起光を遮断する遮断フィルタを備えることを特徴とする請求項10に記載の照明装置。   The lighting device according to claim 10, further comprising a blocking filter that blocks the excitation light. 請求項1から11のいずれか1項に記載の照明装置を備えることを特徴とする前照灯。
A headlamp comprising the lighting device according to any one of claims 1 to 11.
JP2011066131A 2011-03-24 2011-03-24 Lighting device and headlight Pending JP2012204071A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011066131A JP2012204071A (en) 2011-03-24 2011-03-24 Lighting device and headlight
PCT/JP2012/057718 WO2012128384A1 (en) 2011-03-24 2012-03-26 Light-emitting device, illumination device, and headlight

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011066131A JP2012204071A (en) 2011-03-24 2011-03-24 Lighting device and headlight

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012204071A true JP2012204071A (en) 2012-10-22

Family

ID=47184874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011066131A Pending JP2012204071A (en) 2011-03-24 2011-03-24 Lighting device and headlight

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012204071A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017059396A (en) * 2015-09-16 2017-03-23 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light source device and lighting device
CN109282233A (en) * 2017-07-19 2019-01-29 欧司朗有限公司 For providing heterogeneous light optical module, headlamp and method
US10416373B2 (en) 2013-10-17 2019-09-17 Nanosys, Inc. Light emitting diode (LED) devices
JP2021507212A (en) * 2017-12-13 2021-02-22 ソラア レイザー ダイオード インク IDAR system with laser light source containing gallium and nitrogen
JP2021118163A (en) * 2020-01-29 2021-08-10 京セラ株式会社 Illuminating device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258019A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2007335760A (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Fujifilm Corp Photoelectric converting film, and solar battery photoelectric converting element, or imaging element including same
JP2009224053A (en) * 2008-03-13 2009-10-01 Sharp Corp Headlamp and vehicular infrared night vision apparatus employing the headlamp as light source
JP2010225793A (en) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd Method of manufacturing semiconductor light emitting device
JP2011165521A (en) * 2010-02-10 2011-08-25 Sharp Corp Light emitting device, lighting system, and vehicle headlight

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258019A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2007335760A (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Fujifilm Corp Photoelectric converting film, and solar battery photoelectric converting element, or imaging element including same
JP2009224053A (en) * 2008-03-13 2009-10-01 Sharp Corp Headlamp and vehicular infrared night vision apparatus employing the headlamp as light source
JP2010225793A (en) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd Method of manufacturing semiconductor light emitting device
JP2011165521A (en) * 2010-02-10 2011-08-25 Sharp Corp Light emitting device, lighting system, and vehicle headlight

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10416373B2 (en) 2013-10-17 2019-09-17 Nanosys, Inc. Light emitting diode (LED) devices
JP2017059396A (en) * 2015-09-16 2017-03-23 ウシオ電機株式会社 Fluorescent light source device and lighting device
CN109282233A (en) * 2017-07-19 2019-01-29 欧司朗有限公司 For providing heterogeneous light optical module, headlamp and method
JP2021507212A (en) * 2017-12-13 2021-02-22 ソラア レイザー ダイオード インク IDAR system with laser light source containing gallium and nitrogen
US11841429B2 (en) 2017-12-13 2023-12-12 Kyocera Sld Laser, Inc. Distance detecting systems for use in mobile machine applications
US11867813B2 (en) 2017-12-13 2024-01-09 Kyocera Sld Laser, Inc. Distance detecting systems for use in mobile machines including gallium and nitrogen containing laser diodes
JP2021118163A (en) * 2020-01-29 2021-08-10 京セラ株式会社 Illuminating device
JP7361618B2 (en) 2020-01-29 2023-10-16 京セラ株式会社 lighting equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4991834B2 (en) Vehicle headlamp
JP5090549B2 (en) Sintered light emitter, light emitting device, lighting device, vehicle headlamp, and method for producing sintered light emitter
JP5329511B2 (en) Lighting device and vehicle headlamp
JP5254418B2 (en) Lighting device and headlamp
WO2013073701A1 (en) Illuminating apparatus, vehicle head lamp, and down light
JP5425023B2 (en) Light emitting device, lighting device, and vehicle headlamp
JP5285688B2 (en) Light emitting device, lighting device, and vehicle headlamp
WO2014080705A1 (en) Light emitting apparatus, method for manufacturing same, lighting apparatus, and headlamp
JP2012221634A (en) Lighting system and headlamp
WO2013051623A1 (en) Light-emitting body, illumination device, and headlight
JP5059166B2 (en) Light emitting device, lighting device, and vehicle headlamp
JP2012193283A (en) Light-emitting body, illuminating device, and headlight
JP6192903B2 (en) Light source device, lighting device and vehicle headlamp
JP2012059454A (en) Light emitting device, lighting system, and headlamp for vehicle
JP2014022472A (en) Light emission device, lighting device, and light emission method
JP5053418B2 (en) Light emitting device, lighting device, and vehicle headlamp
JP5356998B2 (en) Vehicle headlamp
JP2013079311A (en) Light-emitting body, illumination device, and headlight
JP2012204071A (en) Lighting device and headlight
JP5086392B2 (en) Light emitting device, lighting device, and vehicle headlamp
JP5737861B2 (en) Lighting device and vehicle headlamp
JP5181045B2 (en) Light emitting device, lighting device, vehicle headlamp
JP5271349B2 (en) Light emitting device, lighting device, and vehicle headlamp
JP5021089B1 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, VEHICLE HEADLAMP, PROJECTOR, AND LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2012204072A (en) Light-emitting device, lighting device, and vehicular headlight

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120809

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121204