JP2012201974A - 水素透過性銅合金、水素透過膜及び水蒸気改質装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】組成式:PdaCubXc (X:Al、Ga及びInの少なくとも1種、a:41〜50at%、b:1−a−c、c:0.2〜2at%)で表され、600℃でのβ相の割合が5%以上である水素透過性銅合金。
【選択図】なし
Description
(X:Al、Ga及びInの少なくとも1種、a:41〜50at%、b:1−a−c、c:0.2〜2at%)
で表され、600℃でのβ相の割合が5%以上である水素透過性銅合金である。
(X:Al、Ga及びInの少なくとも1種、a:41〜50at%、b:1−a−c、c:0.2〜2at%)
で表される。
Cu及びPdで構成されたCu−Pd合金は600℃以上の高温で水素の分離速度及び強度が低下する。これに対し、本発明に係る銅合金は、上述のようにCu−Pd合金に対してAl、Ga及びInの少なくとも1種が添加されているため、高温下における水素透過率及び強度が向上するという効果がある。Al、Ga及びInの少なくとも1種が合金組成において0.2at%以上含まれているとその効果が有意に表れ出す。ただし、Al、Ga及びInの少なくとも1種の割合が合金組成において2at%を超えると、今度は水素透過率の向上効果が小さくなり、逆に悪化するケースもある。また、膜にピンホールが生じ易くなる傾向がある。そのため、本発明に係る銅合金ではAl、Ga及びInの少なくとも1種の割合は0.2〜2at%と規定されている。また、Al、Ga及びInの少なくとも1種の割合は、より好ましくは0.5〜1.2at%である。
上記X成分は、Alのみで構成されているのがより好ましく、その場合、Alの割合は0.5〜2at%であるのがより好ましい。Alは、GaやInと比べて、高温(600℃以上)での水素透過性の改善効果が高いためである。
圧延時の油膜厚は下記式(1)で表される。
h=3η(μ1+μR)/(pθ) (1)
(hは理論油膜厚(m);ηは油膜粘度[(N/m2)s];μ1は材料速度(m/s);μRはロール周速(m/s);pは材料の降伏応力(N/m2);θは噛み込み角(rad))
本発明の水素透過膜を製造する際、0.1×10-6(m)≦h≦0.5×10-6(m)を満たすようにη、μ1、μR、p、θを制御すると、せん断変形が少なくなり、ピンホールが発生しにくくなるため好ましい。
また、熱処理後は圧延時の加工度が大きい方が強度が高くなるため、98%以上の加工度で冷間圧延するのが好ましい。必要に応じて焼鈍を行う。また、湿式めっきやスパッタリングで作製することも可能である。
Cu、Pd、及び、Al、Ga及びInの少なくとも1種で構成され、表1に記載の原子比を満足する組成となるように成分調整したCu−Pd合金をそれぞれ溶解鋳造後、800℃以上に加熱したインゴットを熱間圧延し、黒皮除去後、所定の膜厚の膜に冷間圧延した。ここで、圧延加工度については、1.5mmtから20、25、150μmtまで90%以上を確保した。
膜厚はマイクロメータで測定した5箇所の平均値を指す。
合金のβ相の割合は以下のように測定した。最初に、圧延試料を脱脂・洗浄した後、Ar雰囲気下600℃で100h熱処理後、室温に急冷(水冷)して構造を維持させた測定用試料を作製した。次に、各試料についてEBSPによって結晶方位を測定して求めた。具体的には日本電子(株)製JXA8500F、加速電圧20kV、WD23、電流5×10-8Aで、クリーンアップ後の試料に対し、試料傾斜角度70°から、範囲50μm×20μmをステップ幅0.2μmで計5箇所測定し、それぞれの体心立方構造(BCC)の比を求め、その平均をβ相の割合とした。
水素のガスボンベ(図示せず)、加熱炉11、一次側水素配管12、二次側水素配管13、管状炉内に配置され、一次側水素配管及び二次側水素配管を連結する1/2VCR(登録商標)継手内にフィルター付ガスケットと共に固定された水素透過膜14(水素透過部の直径11.2mm)、二次側の水素配管に連結した水素測定器(水素用マスフローコントローラ(山武、MQV9050))を備えた測定系を構築した(図1参照)。水素のガスボンベから配管を通じて供給される水素はVCR継手の一次側に入り、水素透過膜を通過して、VCR継手の二次側から出てくる。水素透過膜を固定したVCR継手が入っている管状炉は所定の温度に加熱可能となっており、水素固定部のVCR継手部分の温度を熱電対で測定している。測定試験は、一次側圧を0.3MPaG、二次側圧を0MPaGとし、一次側の水素供給量を50sccmとして600℃に水素を加熱しながら24時間供給し続けたときの水素透過量を測定し、以下の式により水素透過係数qを測定した。
q=fM・d・S-1・(P1/2−p1/2)-1
q:水素透過係数(mol・m-1・sec-1・Pa-1/2)
fM:二次側水素流量(mol・sec-1)
d:膜厚(m)
S:膜面積(m2)
P:一次側圧力(Pa)
p:二次側圧力(Pa)
水素透過試験中に透過量が急激に増加した場合は、1次側をHeで置換し、2次側にリークするか調べた。原理上Heを透過させない水素透過膜の2次側にHeがリークすることは、透過膜にピンホールがあると考えられるため、ピンホールNG(×)と判断した。
Cu-Pd合金、又は、Cu、Pd、及び、Al、Ga及びInの少なくとも1種で構成された銅合金を、表1に記載の原子比を満足する組成となるように成分調整したCu−Pd合金に対し、実施例と同様の方法により、それぞれ溶解鋳造後、800℃以上に加熱したインゴットを熱間圧延し、黒皮除去後、所定の膜厚の膜に冷間圧延した。
膜厚はマイクロメータで測定した5箇所の平均値を指す。
合金のβ相の割合は、EBSPを用いて測定した。
ピンホールの有無についても同様に判断した(ピンホール無し:○、ピンホール有り:×)。
比較例1及び2については、耐応力緩和特性についても同様に評価した。
実施例1〜19は、いずれも水素透過係数が良好(水素透過率が良好)で、且つ、ピンホールも発生していなかった。
さらに、実施例1、4、7、12、15については、600℃にて40MPaの応力(σ)を継続して100時間負荷した後の変形量(伸びε)が小さく、耐応力緩和特性が良好であることがわかった。
比較例1、5、6は、膜中にAl、Ga及びInのいずれも含まれておらず、600℃でのβ相の割合が5%未満であり、水素透過率及び強度のいずれも不良であった。さらに、比較例1については、40MPaの応力(σ)を継続して100時間負荷した後の変形量(伸びε)が大きく、耐応力緩和特性が不良であることがわかった。
比較例2、3、4、11、12は、Al、Ga及びInの濃度が大きかったため、強度が不良であった。
比較例7、9は、膜中のPdの濃度が41at%未満であったため、水素透過率が不良であった。
比較例8、10は、膜中のPdの濃度が50at%超であったため、水素透過率が不良であった。
12 一次側水素配管
13 二次側水素配管
14 水素透過膜
Claims (6)
- 組成式:PdaCubXc
(X:Al、Ga及びInの少なくとも1種、a:41〜50at%、b:1−a−c、c:0.2〜2at%)
で表され、
600℃でのβ相の割合が5%以上である水素透過性銅合金。 - 前記XがAlであり、前記cが0.5〜2at%である請求項1に記載の水素透過性銅合金。
- 600℃での前記β相の割合が10%以上である水素透過性銅合金。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の銅合金でできた水素透過膜。
- 厚みが1〜200μmである請求項4に記載の水素透過膜。
- 請求項4又は5に記載の水素透過膜を用いた水蒸気改質装置。
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JP2011070556A JP2012201974A (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 水素透過性銅合金、水素透過膜及び水蒸気改質装置 |
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JP2016175016A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 水素分離膜、その製造方法及び水素分離方法 |
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2011
- 2011-03-28 JP JP2011070556A patent/JP2012201974A/ja active Pending
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