JP2012190044A - マスクブランクスおよびマスクブランクスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板12とガラス基板12上に形成されたマスクパターン用薄膜14とからなるマスクブランクス10であって、ガラス基板12は、鏡面状の表面にレーザ光の照射によって形成され、マーカ18として用いられる凹部20を備え、凹部20は、ガラス基板12における転写パターンとなる薄膜が形成される主表面と直交する端面における、主表面の両側から1.2mmを除く領域であって、かつガラス基板12の四隅のコーナーから10mm以内の領域に形成されており、マーカ18は、マスクブランクス10に固有の識別情報、識別記号または管理記号を示すものである。
【選択図】図1
Description
(構成1)マスクブランクス用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板表面における転写に影響のない領域であって、かつ鏡面状の表面にレーザ光を照射させて、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別、又は管理するためのマーカとして用いられる凹部を形成するマーキング工程を備える。マーキング工程は、このマーカを、例えばガラス基板主表面におけるマスクパターン用薄膜が形成されない側の主表面であって、転写に影響のない周辺領域や、転写に影響のないガラス基板の側面、前記主表面と前記側面との間に設けられた面取面、ガラス基板のノッチマークなどに形成する。マーキング工程は、例えば、鏡面状の表面にレーザ照射により融解又は昇華させることで凹部を形成する。そのように形成されたマーカは十分な読み取り精度であるとともに、後の工程での発塵のおそれがない。
このようにすれば、ガラス基板の表面形状、平坦度、欠陥に関する情報などの基板情報を、ガラス基板と直接対応させることができる。
基板検査工程は、ガラス基板の主表面の形状について、例えば、厚み、表面形状(主表面の反り形状、主表面全体の凹凸)、 平坦度、平行度等を検査する。このようにすれば、マスクブランクスの製造時において、マスクパターン用薄膜(例えば、位相シフト膜、遮光膜等)を形成する成膜工程等を、効率よく行うことができる。
図1は、本発明の一実施形態に係るマスクブランクス10の構成の一例を示す。図1(a)は、マスクブランクス10の側面図である。本例において、マスクブランクス10は、例えばArFエキシマレーザ(波長193nm)、又はF2エキシマレーザ(波長157nm)といった波長が200nm以下の露光光源用のマスクブランクスであり、ガラス基板12、マスクパターン用薄膜14、及びレジスト膜16を備える。
実施例1に係るArFエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板を100枚製造した。ガラス基板の端面には、炭酸(CO2)ガスレーザを用いたレーザマーカにより、図1(b)に示したのと同様のマーカを形成した。レーザマーカの出力は20mW/ショットとし、各凹部を1回のショットで形成した。マーカ全体の大きさは3.25mm×3.5mmとした。また、マーカの形成以外の工程は公知のArFエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板を製造する場合と同様にした。これらのガラス基板を基板検査工程にて検査したところ、全数、ArFエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板で要求されている品質を満たしていた。
炭酸(CO2)ガスレーザの代わりにYAGレーザを用いた以外は実施例と同様にして、比較例に係るArFエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板を100枚製造した。これらのガラス基板を基板検査工程にて検査したところ、ArFエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板で要求されている品質を満たすものは、全体の27%(27枚)しか得られなかった。
上述の実施例1と同様の条件にて、ガラス基板の端面である側面にマーカを形成した。尚、ガラス基板は、152.4mm×152.4mm×6.35mmサイズのものを使用した。また、マーカは、図にあるように、ガラスのノッチマークが形成されているガラス基板のコーナーから7mm、主表面から3.18mmの位置を中心に、大きさが3mm×3mmのものを形成した。また、マーカを構成する凹部の開口幅L1は170μm、深さDは17μmであり、開口幅と深さの比率(L1/D)は10であった。上記マーカとしての凹部を形成した後、洗浄ブラシによりガラス基板端面を洗浄し、ガラス基板の欠陥検査を行ったが、全数、ArFエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板で要求されている品質を満たしていた。また、このガラス基板を使ってマスクパターン用薄膜を形成し、更に、マスクパターン用薄膜上に回転塗布方法によりレジスト膜(平均膜厚:3000オングストローム)を形成してArFエキシマレーザ露光用マスクブランクスを得た。マスクブランクス上に形成されたレジスト膜の面内膜厚均一性を測定した。レジスト膜の面内膜厚均一性は、基板中央の保証エリア132mm×132mm(マスクパターン形成領域)内の全体に均等に配置した(11×11=121点)で分光反射型膜厚計(ナノメトリックスジャパン社製:AFT6100M)を用いて膜厚測定し、面内膜厚分布(各測定点における膜厚データ)を求め、この面内膜厚分布データから「(膜厚の最大値)−(膜厚の最小値)=(面内膜厚均一性)」とした。その結果、レジスト膜の面内膜厚均一性は、22オングストロームと非常に良好であった。更に、このマスクブランクスを使ってマスクを作製し、作製して得られたマスクのCD精度は、ArFエキシマレーザ露光用マスクで要求されている品質を満たすものであった。
Claims (14)
- ガラス基板と前記ガラス基板上に形成されたマスクパターン用薄膜とからなるマスクブランクスであって、
前記ガラス基板は、鏡面状の表面にレーザ光の照射によって形成され、マーカとして用いられる凹部を備え、
前記凹部は、前記ガラス基板における転写パターンとなる薄膜が形成される主表面と直交する端面における、前記主表面の両側から1.2mmを除く領域であって、かつ前記ガラス基板の四隅のコーナーから10mm以内の領域に形成されており、
前記マーカは、前記マスクブランクスに固有の識別情報、識別記号または管理記号を示すものであることを特徴とするマスクブランクス。 - 前記凹部は、前記ガラス基板におけるマスクパターン用薄膜が形成された主表面と直交する端面における少なくともパターン形成領域内に存在する欠陥を検査する検査光の光路外の領域に形成されることを特徴とする請求項1記載のマスクブランクス。
- 前記端面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さRmsで0.2nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランクス。
- 前記凹部の表面粗さは、算術平均表面粗さRaで0.1〜5nmであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載のマスクブランクス。
- 前記マーカは、前記ガラス基板に関する基板情報と対応付けされており、前記基板情報は、前記ガラス基板が持つ固有の情報である物理的特性、光学的特性、ガラス基板表面の表面形態、および欠陥のうち少なくとも何れか一つを含んでいることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一に記載のマスクブランクス。
- 前記マーカは、前記マスクパターン用薄膜に関する薄膜情報と対応付けされており、
前記薄膜情報は、前記マスクパターン用薄膜が持つ薄膜表面の表面形態および欠陥のうち少なくとも何れか一つを含む情報であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一に記載のマスクブランクス。 - 前記マスクパターン用薄膜上にレジスト膜が形成されており、
前記マーカは、前記レジスト膜に関するレジスト膜情報と対応付けされており、
前記レジスト膜情報は、前記レジスト膜の物理的特性、化学的特性、表面形態、材料、欠陥および形成条件のうちのうち少なくとも何れか一つを含む情報であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一に記載のマスクブランクス。 - ガラス基板と前記ガラス基板上に形成されたマスクパターン用薄膜とからなるマスクブランクスの製造方法であって、
前記ガラス基板の鏡面状の表面にレーザ光を照射し、マーカとして用いられる凹部を形成するマーキング工程と、
前記ガラス基板の主表面上に、前記マスクパターン用薄膜を成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後、前記マスクパターン用薄膜に関する薄膜情報を準備する薄膜情報準備工程とを有し、
前記マーカは、前記マスクブランクスに固有の識別情報、識別記号、または管理記号を示すものであり、
前記凹部は、前記ガラス基板における転写パターンとなる薄膜が形成される主表面と直交する端面における、前記主表面の両側から1.2mmを除く領域であって、かつ前記ガラス基板の四隅のコーナーから10mm以内の領域に形成されていることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。 - 前記凹部は、前記ガラス基板におけるマスクパターン用薄膜が形成された主表面と直交する端面における少なくともパターン形成領域内に存在する欠陥を検査する検査光の光路外の領域に形成されることを特徴とする請求項8記載のマスクブランクスの製造方法。
- 前記端面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さRmsで0.2nm以下であることを特徴とする請求項8または9に記載のマスクブランクスの製造方法。
- 前記凹部の表面粗さは、算術平均表面粗さRaで0.1〜5nmであることを特徴とする請求項8乃至10の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
- 前記マーキング工程の後、前記ガラス基板に関する基板情報を準備する基板情報準備工程を更に備え、
前記マーカは、前記ガラス基板に関する基板情報と対応付けされており、前記基板情報は、前記ガラス基板が持つ固有の情報である物理的特性、光学的特性、ガラス基板表面の表面形態、および欠陥のうち少なくとも何れか一つを含んでいることを特徴とする請求項8乃至11の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。 - 前記マーカは、前記マスクパターン用薄膜に関する薄膜情報と対応付けされており、
前記薄膜情報は、前記マスクパターン用薄膜が持つ薄膜表面の表面形態および欠陥のうち少なくとも何れか一つを含む情報であることを特徴とする請求項8乃至12の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。 - 前記成膜工程の後、前記マスクパターン用薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に関するレジスト膜情報を準備するレジスト膜情報準備工程と、を更に備え、
前記マーカは、前記レジスト膜に関するレジスト膜情報と対応付けされており、
前記レジスト膜情報は、前記レジスト膜の物理的特性、化学的特性、表面形態、材料、欠陥および形成条件のうちのうち少なくとも何れか一つを含む情報であることを特徴とする請求項8乃至13の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
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