JP2012186137A - 有機発光ディスプレイ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】視認性の向上した有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】第１基板と；第１基板と対向するように配置された第２基板と；第１基板と第２基板との間に配置されて有機発光素子を含むディスプレイ部と；第１基板と第２基板との間にディスプレイ部を取り囲むように配置され、第１基板と第２基板とを接合させる密封材と；ディスプレイ部を覆うように密封材の内側に配置され、光変色性材料を含む充填材と；を備え、光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む有機発光ディスプレイ装置。
【選択図】図４
【解決手段】第１基板と；第１基板と対向するように配置された第２基板と；第１基板と第２基板との間に配置されて有機発光素子を含むディスプレイ部と；第１基板と第２基板との間にディスプレイ部を取り囲むように配置され、第１基板と第２基板とを接合させる密封材と；ディスプレイ部を覆うように密封材の内側に配置され、光変色性材料を含む充填材と；を備え、光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む有機発光ディスプレイ装置。
【選択図】図４
Description
本発明は、有機発光ディスプレイ装置に係り、さらに詳細には、視認性の向上した有機発光ディスプレイ装置に関する。
有機発光ディスプレイ装置は、互いに対向する電極間に有機発光層を位置させて、一側電極から注入された電子と他側電極から注入された正孔とが有機発光層で結合し、この時の結合を通じて発光層の発光分子が励起された後、基底状態に戻りながら放出されるエネルギーを光として発光させる平板ディスプレイ装置のうち一つである。
かかる有機発光ディスプレイ装置は、視認性に優れて軽量化、薄型化を図ることができ、低電圧で駆動できて次世代ディスプレイとして注目されている。
有機発光ディスプレイ装置のウィンドウとパネルとの間に空気があれば、反射量が増加して野外の視認性が劣る。これを改善するために、内部をエポキシで充填して視認性を改善するための技術が提案されたが、未だ視認性は十分でない。
本発明の目的は、視認性の向上した有機発光ディスプレイ装置を提供することである。
本発明の一側面によって、第１基板と；前記第１基板と対向するように配置された第２基板と；前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて有機発光素子を含むディスプレイ部と；前記第１基板と前記第２基板との間に前記ディスプレイ部を取り囲むように配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合させる密封材と；前記ディスプレイ部を覆うように前記密封材の内側に配置され、光変色性材料を含む充填剤と；を備え、前記光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍの波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む有機発光ディスプレイ装置が提供される。
本発明の一具現例によれば、前記光変色性材料は、下記化学式１の化合物である。
前記化学式１で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して水素、重水素またはハロゲンを表し、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して下記のグループを表し、
Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯまたはＳＯ２を表し；Ｘは、ＣまたはＮを表し；＊は、結合を表し；Ｒ８は、炭素数１〜炭素数５０のアルキル基または炭素数５〜炭素数６０のアリール基を表し；Ｒ７及びＲ９は、それぞれ独立して非共有電子対、水素、重水素または炭素数１〜炭素数５０のアルキル基を表す。
本発明の他の具現例によれば、前記光変色性材料は、下記化学式２の化合物である。
前記化学式２で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して水素、重水素またはハロゲンを表し、Ｘは、ＣまたはＮを表し；Ｒ８は、炭素数１〜炭素数１０のアルキル基または炭素数５〜炭素数３０のアリール基を表し；Ｒ７及びＲ９は、それぞれ独立して非共有電子対、水素、重水素または炭素数１〜炭素数１０のアルキル基を表す。
本発明のさらに他の具現例によれば、前記第１光変色性材料が下記化学式３の化合物であり、
前記第２光変色性材料が下記化学式４の化合物である。
前記化学式３及び４で、Ｒ８は、炭素数１〜炭素数１０のアルキル基または炭素数５〜炭素数３０のアリール基を表し；Ｒ９は、水素、重水素または炭素数１〜炭素数１０のアルキル基を表す。
本発明のさらに他の具現例によれば、前記第１光変色性材料が下記化学式５の化合物であり、
本発明のさらに他の具現例によれば、前記第１光変色性材料と前記第２光変色性材料との比率が１：２〜２：１のモル比である。
本発明のさらに他の具現例によれば、前記充填材がバインダーを含む。
本発明のさらに他の具現例によれば、前記充填材がエポキシバインダーを含む。
本発明のさらに他の具現例によれば、前記充填材の光変色性材料の含有量が、充填材全体１００質量部に対して５０〜７０質量部である。
本発明による有機発光ディスプレイ装置は、野外でも優秀な視認性を示す。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
本発明の一側面による有機発光ディスプレイ装置は、第１基板と；前記第１基板と対向するように配置された第２基板と；前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて有機発光素子を含むディスプレイ部と；前記第１基板と前記第２基板との間に前記ディスプレイ部を取り囲むように配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合させる密封材と；前記ディスプレイ部を覆うように前記密封材の内側に配置され、光変色性材料を含む充填材と；を備え、前記光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む。
図１は、本発明の一具現例による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す平面図であり、図２は、第２基板が合着された有機発光ディスプレイ装置の概略的な断面図であり、図３は、図１及び２のディスプレイ部をさらに詳細に示す断面図である。
前記図面を参照すれば、本発明の一具現例による有機発光ディスプレイ装置１００は、第１基板１１０、第２基板１２０、密封材１５０、光変色性材料を含む充填材１７０を備える。
第１基板１１０の第２基板１２０に向かう面上にディスプレイ部Ｄ及びパッド部Ｐが形成され、ディスプレイ部Ｄの外周には、密封材１５０がディスプレイ部Ｄの外周を取り囲むように配置される。
ディスプレイ部Ｄは、複数の有機発光素子１４０、及び各有機発光素子１４０に接続された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１３０を備える。各有機発光素子１４０の駆動をＴＦＴ １３０で制御するかどうかによって、受動駆動型（ＰＭ：ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）及び能動駆動型（ＡＭ：ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）に大別できる。本具現例による有機発光ディスプレイ装置１００は、能動及び受動駆動型の両方に適用できる。以下、能動駆動型有機発光ディスプレイ装置１００を一例として、本発明の具現例を詳細に説明する。
第１基板１１０及び第２基板１２０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス基板を使用できるが、必ずしもこれらに限定されるものではなく、プラスチック材などの多様な材質の基板を利用できる。
バッファ層１１１上には、ＴＦＴ １３０の活性層１３１が半導体材料で形成され、これを覆うようにゲート絶縁膜１１２が形成される。活性層１３１は、非晶質シリコンまたはポリシリコンなどの無機材半導体や有機半導体が使われ、ソース領域１３１ｂ、ドレイン領域１３１ｃとこれらとの間にチャネル領域１３１ａを持つ。
ゲート絶縁膜１１２上にはゲート電極１３３が備えられ、これを覆うように層間絶縁膜１１３が形成される。そして、層間絶縁膜１１３上にはソース電極１３５及びドレイン電極１３６が備えられ、これを覆うようにパッシベーション膜１１４及び平坦化膜１１５が順に備えられる。
前記のゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、パッシベーション膜１１４、及び平坦化膜１１５は絶縁体で備えられ、無機物、有機物、または有機／無機複合物で単層または複数層の構造で形成される。一方、前述したＴＦＴ積層構造は、一例示であり、それ以外にも多様な構造のＴＦＴがいずれも適用できる。
ディスプレイ部Ｄの外周にはパッド部Ｐが形成される。パッド部Ｐは複数のパッド電極（図示せず）を備え、パッド電極（図示せず）は、ディスプレイ部Ｄに備えられた多様な導線（図示せず）、例えば、データライン、スキャンライン、または電源供給ラインなどのように、ディスプレイ素子を駆動するための多様な導線に対応するように連結されることで、外部信号を各連結された導線を通じてディスプレイ部Ｄに備えられた有機発光素子に伝達する。
平坦化膜１１５の上部には、有機発光素子１４０のアノード電極になる第１電極１４１が形成され、これを覆うように絶縁物で画素定義膜１４４が形成される。画素定義膜１４４に所定の開口部を形成した後、この開口部で限定された領域内に有機発光素子の有機発光層１４２が形成される。そして、全体画素をいずれも覆うように、有機発光素子のカソード電極になる第２電極１４３が形成される。もちろん、第１電極１４１と第２電極１４３との極性は、交換されてもよい。
第１電極１４１は、透明電極または反射型電極で備えられる。透明電極で備えられる場合には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備えられ、反射型電極で備えられる場合には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物などで形成された反射膜と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成された透明膜とを含む。
第２電極１４３も、透明電極または反射型電極で備えられるが、透明電極で備えられる時には、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物が有機発光層１４２に向かうように蒸着して形成された膜と、その上のＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明な導電性物質で形成された補助電極やバス電極ラインを備えることができる。そして、反射型電極で備えられる時には、前記Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ及びこれらの化合物で形成できる。
第１電極１４１と第２電極１４３との間に備えられる有機発光層１４２は、低分子または高分子有機物で備えられる。
前記有機発光層１４２についてさらに詳細に説明する。前記有機発光層１４２は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層または電子注入層などを含む。
前記第１電極１４１の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法などの多様な方法を利用して正孔注入層（ＨＩＬ）（図示せず）を形成できる。
前記第１電極１４１の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法などの多様な方法を利用して正孔注入層（ＨＩＬ）（図示せず）を形成できる。
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、一般的に蒸着温度１００〜５００℃、真空度１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃの範囲で適当に選択することが望ましい。
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃〜２００℃の温度範囲で適当に選択することが望ましい。
前記正孔注入層物質としては、公知の正孔注入材料を使用できるが、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、ＴＤＡＴＡ、２Ｔ−ＮＡＴＡ、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホン酸）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート））などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
前記正孔注入層の厚さは、約１００Å〜１００００Å、望ましくは、１００Å〜１０００Åでありうる。前記正孔注入層の厚さが前記範囲を満たす場合、駆動電圧の上昇なしに優秀な正孔注入特性を得ることができる。
次いで、前記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの多様な方法を利用して正孔輸送層（ＨＴＬ）（図示せず）を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
前記正孔輸送層物質は、公知の正孔輸送層物質を利用できるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ＮＰＢ、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）などの芳香族縮合環を持つアミン誘導体などを使用できる。
前記正孔輸送層の厚さは、約５０Å〜１０００Å、望ましくは、１００Å〜６００Åでありうる。前記正孔輸送層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧上昇なしに優秀な正孔輸送特性を得ることができる。
次いで、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの方法を利用して発光層（ＥＭＬ）（図示せず）を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
前記発光層は、公知の多様な発光物質を利用して形成できるが、公知のホスト及びドーパントを利用して形成してもよい。前記ドーパントの場合、公知の蛍光ドーパント及び公知の燐光ドーパントをいずれも使用できる。
例えば、公知のホストとしては、Ａｌｑ３、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、ＰＶＫ（ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール））、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、ＴＣＴＡ、ＴＰＢＩ（１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、ＴＢＡＤＮ（３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン）、Ｅ３、ＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
一方、公知の赤色ドーパントとしてＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＤＣＪＴＢなどを利用できるが、これらに限定されるものではない。
また、公知の緑色ドーパントとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３、Ｃ５４５Ｔなどを利用できるが、これらに限定されるものではない。
一方、公知の青色ドーパントとして、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン、４，４’−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
前記ドーパントの含有量は、発光層形成材料１００質量部（すなわち、ホストとドーパントとの総質量は１００質量部とする）を基準として、０．１〜２０質量部、特に、０．５〜１２質量部であることが望ましい。ドーパントの含有量が前記範囲を満たすならば、濃度消光現象が実質的に防止される。
前記発光層の厚さは、約１００Å〜１０００Å、望ましくは、２００Å〜６００Åでありうる。前記発光層の厚さが前記範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な発光特性を得ることができる。
発光層が燐光ドーパントを含む場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に広がる現象を防止するために、正孔阻止層（ＨＢＬ）（図示せず）を発光層の上部に形成できる。この時に使用できる正孔阻止層物質は特に制限されず、公知の正孔阻止層物質から任意に選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、Ｂａｌｑ、ＢＣＰなどを利用できる。
前記正孔阻止層の厚さは、約５０Å〜１０００Å、望ましくは、１００Å〜３００Åでありうる。前記正孔阻止層の厚さが５０Å未満である場合、正孔阻止特性が低下し、前記正孔阻止層の厚さが１０００Åを超過する場合、駆動電圧が上昇するためである。
次いで、電子輸送層（ＥＴＬ）（図示せず）を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
前記電子輸送層物質は、公知の電子輸送層形成材料から任意に選択される。例えば、かかる例としては、キノリン誘導体、特に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺ、ＢＡｌｑなどの公知の材料を使用してもよいが、これらに限定されるものではない。
前記電子輸送層の厚さは、約１００Å〜１０００Å、望ましくは、１００Å〜５００Åでありうる。前記電子輸送層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧上昇なしに優秀な電子輸送特性を得ることができる。
また電子輸送層の上部に、負極からの電子の注入を容易にする機能を持つ物質である電子注入層（ＥＩＬ）（図示せず）が積層されうる。
電子注入層としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯなどの電子注入層形成材料として公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
前記電子注入層の厚さは、約１Å〜１００Å、望ましくは、５Å〜９０Åである。前記電子注入層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧上昇なしに優秀な電子注入特性を得ることができる。
本発明の一具現例による有機発光ディスプレイ装置の充填材に含まれる光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む。望ましくは、前記第１光変色性材料が吸収する光の波長は４８０ｎｍ〜４９０ｎｍであり、前記第２光変色性材料が吸収する光の波長は５６０ｎｍ〜５８０ｎｍである。
充填材に含まれる光変色性材料の光を吸収する波長が前記範囲である場合、発光層で発生する光の波長とあまり重ならない。したがって、発光層で発生する光は光変色性材料に吸収されず、本発明の一具現例による光変色性材料は、外光のみを吸収するようになって視認性を向上させる。
図４は、充填材に含まれる光変色性材料が光を吸収することを模式的に示す図面であり、図５は、充填材に含まれる光変色性材料が光を吸収する波長範囲を示す図面である。
図４及び図５を参照すれば、従来技術によってエポキシのみからなる充填材を備える有機発光ディスプレイ装置は、外光を吸収しなくて視認性が劣る一方、本発明の一具現例による有機発光ディスプレイ装置は、充填材に含まれた第１光変色性材料及び第２光変色性材料が、それぞれ外光の４７０ｎｍ〜４９０ｎｍの波長及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長を吸収して、視認性を高めるということが分かる。
本発明の一具現例による光変色性材料は、下記化学式１の化合物でありうる。
前記化学式１で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して水素、重水素またはハロゲンを表し、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して下記のグループを表し、
Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯまたはＳＯ２を表し；Ｘは、ＣまたはＮを表し；＊は、結合を表し；Ｒ８は、炭素数１〜炭素数５０のアルキル基または炭素数５〜炭素数６０のアリール基を表し；Ｒ７及びＲ９は、それぞれ独立して非共有電子対、水素、重水素または炭素数１〜炭素数５０のアルキル基を表す。
さらに具体的には、前記光変色性材料は下記化学式２の化合物でありうる。
前記化学式２で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して水素、重水素またはハロゲンを表し；Ｘは、ＣまたはＮを表し；Ｒ８は、炭素数１〜炭素数１０のアルキル基または炭素数５〜炭素数３０のアリール基を表し；Ｒ７及びＲ９は、それぞれ独立して非共有電子対、水素、重水素または炭素数１〜炭素数１０のアルキル基を表す。
前記化学式２の化合物は、ＵＶを吸収して下記のように変形され、熱などのエネルギーを吸収する場合に再び最初の状態に戻る。
さらに具体的に、前記第１光変色性材料は、下記化学式３の化合物であり、
前記第２光変色性材料は、下記化学式４の化合物でありうる。
前記化学式で、Ｒ８は、炭素数１〜炭素数１０のアルキル基または炭素数５〜炭素数３０のアリール基を表し；Ｒ９は、水素、重水素または炭素数１〜炭素数１０のアルキル基を表す。
本発明のさらに他の一具現例によれば、前記第１光変色性材料は、下記化学式５の化合物であり、
前記第２光変色性材料は、下記化学式６の化合物でありうる。
前記化学式５の化合物は、ＵＶを吸収して下記のように変換され、熱などのエネルギーを吸収する場合に再び最初の状態に戻る。ＵＶを吸収する前の化合物も共役化合物であって、一定領域の可視光を吸収できるが、共役化合物であっても分子が一平面に存在していない場合に可視光吸収能は劣る。特に、化学式５の化合物のチオフェンモイエティ部分の内側のメチル基は非常に近接していて立体障害を発生させるため、化学式５の化合物がＵＶを吸収する前には一平面上に存在する可能性はほとんどない。化学式５の化合物がＵＶを吸収して結合が形成される場合、ＵＶを吸収して変形された化合物も共役化合物であるが、前記化合物はほぼ一平面（ａ ｐｌａｎｅ）上に存在することで、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光吸収能が顕著に高くなる。
前記化学式６の化合物は、ＵＶを吸収して下記のように変換され、熱などのエネルギーを吸収する場合に再び最初の状態に戻る。同様に、ＵＶを吸収する前の化合物も共役化合物であって、一定領域の可視光を吸収できるが、共役化合物であっても分子が一平面に存在していない場合に可視光吸収能は劣る。特に、化学式６の化合物のチオフェンモイエティ部分の内側のメチル基は非常に近接していて立体障害を発生させるため、化学式６の化合物がＵＶを吸収する前には一平面上に存在する可能性はほとんどない。化学式６の化合物がＵＶを吸収して結合が形成される場合、ＵＶを吸収して変形された化合物も共役化合物であるが、前記化合物はほぼ一平面上に存在することで、５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光吸収能が顕著に高くなる。
以下、本発明の化学式で使われたグループのうち代表的なグループの定義を説明すれば、次の通りである（置換基を限定する炭素数は非制限的なものであって、置換基の特性を限定しない）。
前記化学式で、非置換された炭素数１〜５０のアルキル基は線形及び分枝型であり、その非制限的な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノナニル、ドデシルなどを挙げることができ、前記アルキル基のうち一つ以上の水素原子は重水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、リン酸やその塩、または炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数６〜１６のアリール基、または炭素数４〜１６のヘテロアリール基に置換できる。
前記化学式のうち、非置換された炭素数５〜６０のアリール基は、一つ以上の環を含む炭素環式芳香族システムを意味し、２つ以上の環を持つ場合、互いに融合するか、または単一結合などを通じて連結される。アリールという用語は、フェニル、ナフチル、アントラセニルなどの芳香族システムを含む。また、前記アリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述した炭素数１〜５０のアルキル基の置換基と同じ置換基に置換できる。
置換または非置換された炭素数５〜６０のアリール基の例としては、フェニル基、炭素数１〜１０のアルキルフェニル基（例えば、エチルフェニル基）、ハロフェニル基（例えば、ｏ−、ｍ−及びｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基）、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、炭素数１〜１０のアルキルビフェニル基、炭素数１〜１０のアルコキシビフェニル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−及びｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基（例えば、フルオロナフチル基）、炭素数１〜１０のアルキルナフチル基（例えば、メチルナフチル基）、炭素数１〜１０のアルコキシナフチル基（例えば、メトキシナフチル基）、シアノナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチルレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基などを挙げることができる。
前記第１光変色性材料及び前記第２光変色性材料の比率は、１：２〜２：１のモル比でありうる。
前記モル比範囲内で、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光と、５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光との吸収程度が最適である。
前記充填材は、バインダーを含む。バインダーとしては、有機バインダー、無機バインダーなどを挙げることができ、前記バインダーは、例えば、エポキシバインダーでありうる。
前記充填材の光変色性材料の含有量は、充填材全体１００質量部に対して５０〜７０質量部である。光変色性材料の含有量が前記範囲である場合、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光と、５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光との吸収程度が最適となる。
以下、本発明の実施例を具体的に例示するが、本発明が下記の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
透明なガラス基板（第１基板）上に、第１電極層としてＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１．０μｍの厚さにコーティングされた透明電極基板を、アセトンとエアガンとを利用してきれいに洗浄した後、その上に絶縁層として、ＬｉＦを１．０ｎｍ厚さにプラズマ蒸着した。次いで、正孔輸送層として４，４’−ビス（Ｎ，Ｎ−フェニル−ｍ−トリアミノ）ジフェニルアミン（ＴＰＤ）を５０ｎｍ厚さにコーティングし、発光層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を５０ｎｍ厚さにコーティングした。次いで、Ａｌを蒸着して第２電極層を形成させた。
透明なガラス基板（第１基板）上に、第１電極層としてＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１．０μｍの厚さにコーティングされた透明電極基板を、アセトンとエアガンとを利用してきれいに洗浄した後、その上に絶縁層として、ＬｉＦを１．０ｎｍ厚さにプラズマ蒸着した。次いで、正孔輸送層として４，４’−ビス（Ｎ，Ｎ−フェニル−ｍ−トリアミノ）ジフェニルアミン（ＴＰＤ）を５０ｎｍ厚さにコーティングし、発光層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を５０ｎｍ厚さにコーティングした。次いで、Ａｌを蒸着して第２電極層を形成させた。
透明ガラス基板の外周部に密封材としてフリットを使用して塗布し、エポキシ５０質量部、下記化学式５の化合物５０質量部、下記化学式６の化合物５０質量部を混合した充填材を充填し、ウィンドウ（第２基板）を覆って圧着して有機発光ディスプレイ装置を完成した。
（比較例１）
充填材としてエポキシのみを使用したことを除いては、実施例１と同じ有機発光ディスプレイ装置を製作した。
充填材としてエポキシのみを使用したことを除いては、実施例１と同じ有機発光ディスプレイ装置を製作した。
実施例１及び比較例１の有機発光ディスプレイ装置の反射率などを測定して、結果を下記の表１に示した。
ＡＣＲ＠５００ｌｕｘ及びＡＣＲ＠１０，０００ｌｕｘは、それぞれ照度５００ｌｕｘ（蛍光灯環境程度の強度）及び１０，０００ｌｕｘの外光環境下でディスプレイのｗｈｉｔｅ Ｌｕｍｉｎａｎｃｅ／Ｂｌａｃｋ ｌｕｍｉｎａｎｃｅを表現する値を表し、前記値が大きいほど外光視認性が良いということを意味する。
Ｇａｍｕｔは、色再現率を表し、大きい値であるほど良い色再現率を表す。
表１を参照すれば、実施例１の場合反射率が４．３５％であって、比較例１の反射率１０．３％より低い反射率を示すことが分かる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、有機発光ディスプレイ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
１００ 有機発光ディスプレイ装置
１１０ 第１基板
１２０ 第２基板
１３０ ＴＦＴ
１４０ 有機発光素子
１５０ 密封材
１７０ 充填材
Ｄ ディスプレイ部
１１０ 第１基板
１２０ 第２基板
１３０ ＴＦＴ
１４０ 有機発光素子
１５０ 密封材
１７０ 充填材
Ｄ ディスプレイ部
Claims (9)
- 第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて有機発光素子を含むディスプレイ部と、
前記第１基板と前記第２基板との間に前記ディスプレイ部を取り囲むように配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合させる密封材と、
前記ディスプレイ部を覆うように前記密封材の内側に配置され、光変色性材料を含む充填材と、
を備え、
前記光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍの波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む、有機発光ディスプレイ装置。 - 前記光変色性材料は、下記化学式１の化合物である、請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して下記のグループを表し；
Ｘは、ＣまたはＮを表し、
＊は、結合を表し、
Ｒ８は、炭素数１〜炭素数５０のアルキル基または炭素数５〜炭素数６０のアリール基を表し；
Ｒ７及びＲ９は、それぞれ独立して、非共有電子対、水素、重水素または炭素数１〜炭素数５０のアルキル基を表す。 - 前記光変色性材料は、下記化学式２の化合物である、請求項１または２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
Ｘは、ＣまたはＮを表し、
Ｒ８は、炭素数１〜炭素数１０のアルキル基または炭素数５〜炭素数３０のアリール基を表し、
Ｒ７及びＲ９は、それぞれ独立して、非共有電子対、水素、重水素または炭素数１〜炭素数１０のアルキル基を表す。 - 前記第１光変色性材料が下記化学式３の化合物であり、
Ｒ８は、炭素数１〜炭素数１０のアルキル基または炭素数５〜炭素数３０のアリール基を表し、
Ｒ９は、水素、重水素または炭素数１〜炭素数１０のアルキル基を表す。 - 前記第１光変色性材料が下記化学式５の化合物であり、
- 前記第１光変色性材料と前記第２光変色性材料との比率が、１：２〜２：１のモル比である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記充填材がバインダーを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記充填材がエポキシバインダーを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記充填材の光変色性材料の含有量が、充填材全体１００質量部に対して５０〜７０質量部である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
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