JP2012184461A - Abnormality detection method for vacuum device, vacuum device and program - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an abnormality detection method for a vacuum device, capable of improving yield by detecting abnormality of the vacuum device in advance, and to provide the vacuum device, and a program.SOLUTION: Prior to mounting of a substrate on a stage, a first exhaust system is controlled to a predetermined condition in which the pressure of a substrate suction portion becomes a first pressure, and the pressure of the substrate suction portion is detected by a first pressure gauge (S110). Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, when the pressure of the substrate suction portion is out of a first regulated range determined to include the first pressure (NO in S120), it is determined that the device is stopped due to occurrence of abnormality. When the pressure is within the first regulated range (YES in S120), it is determined that the substrate can be carried.

Description

本発明は、真空装置の異常検出方法及び真空装置及びプログラムに関する。   The present invention relates to a vacuum device abnormality detection method, a vacuum device, and a program.

近年、様々な真空装置において、圧力を精密に制御する方法や、装置の異常を検出する方法などが提案されている。   In recent years, in various vacuum apparatuses, a method for precisely controlling pressure, a method for detecting abnormality of the apparatus, and the like have been proposed.

特許文献１（特開２００４−１１９４４８号公報）には、二つの石英リングとの間から処理室を真空排気するとき、排気側の排気抵抗の変動を検知し、電極の間隔を変えて排気抵抗を補正するプラズマエッチング装置が記載されている。これにより、常に処理室の圧力を一定に制御し均一にプラズマエッチングすることができるとされている。   In Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-119448), when the processing chamber is evacuated from between two quartz rings, a variation in exhaust resistance on the exhaust side is detected, and the exhaust resistance is changed by changing the interval between the electrodes. A plasma etching apparatus for correcting the above is described. Accordingly, it is said that plasma etching can be performed uniformly by always controlling the pressure in the processing chamber to be constant.

また、特許文献２（特開平０２−９１２０号公報）には、被処理物を載置した試料台は冷却手段により冷却され、またこの試料台と被処理物との間には冷却ガス供給配管から冷却ガスが供給される真空処理装置が記載されている。これにより、流量制御手段が冷却ガス供給配管の冷却ガスを調節すると、被処理物の冷却温度を急速かつ高精度に制御することができるとされている。   In Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 02-9120), a sample stage on which an object to be processed is placed is cooled by a cooling means, and a cooling gas supply pipe is provided between the sample stage and the object to be processed. Describes a vacuum processing apparatus to which a cooling gas is supplied. Thereby, when the flow rate control means adjusts the cooling gas of the cooling gas supply pipe, the cooling temperature of the object to be processed can be controlled rapidly and with high accuracy.

また、特許文献３（特開平０８−１９９３７９号公報）には、エッチング処理中におけるプラズマ光に対応して、Ｈｅ波長の発光強度をモニタするＨｅ光センサをチャンバに設置したプラズマエッチング装置が記載されている。これにより、Ｈｅ光センサによるＨｅガスの漏れ量が所定の設定値を超える状態において、チャンバに対する高周波電源の供給を停止することにより、ウエハに対する過度のエッチング処理を効果的に回避することができ、またエッチング不良を未然に防止することができるとされている。   Patent Document 3 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-199379) describes a plasma etching apparatus in which a He light sensor for monitoring the emission intensity of a He wavelength is installed in a chamber corresponding to plasma light during the etching process. ing. Thereby, in a state where the amount of He gas leaked by the He light sensor exceeds a predetermined set value, it is possible to effectively avoid excessive etching processing on the wafer by stopping the supply of high-frequency power to the chamber, It is said that etching defects can be prevented in advance.

また、特許文献４（特開平０５−２６７２２４号公報）には、真空室の圧力を監視するための圧力計と、真空室の圧力を圧力制御部に伝えて圧力調整器を動作させ圧力を制御するための圧力計とを設けたドライエッチング装置が記載されている。これにより、二つの圧力計が測定した圧力を比較することにより、いずれかの圧力計が劣化したことを検知できるとともに、半導体基板が異常にエッチングされる前に交換し得るとされている。   In Patent Document 4 (Japanese Patent Laid-Open No. 05-267224), a pressure gauge for monitoring the pressure in the vacuum chamber, and the pressure regulator is operated by controlling the pressure in the vacuum chamber to the pressure control unit to control the pressure. A dry etching apparatus provided with a pressure gauge for performing the above is described. Thus, by comparing the pressures measured by the two pressure gauges, it can be detected that one of the pressure gauges has deteriorated and can be replaced before the semiconductor substrate is abnormally etched.

また、特許文献５（特開２００２−１２９３３７号公報）には、各原料ガスを各ガス源からチャンバ外へ、各原料ガスの種類に応じた所定の時間それぞれ供給し、所定の時間が経過した後に、各ガス源からの各原料ガスの供給をチャンバ内へ切り替える気相堆積方法が記載されている。これにより、基体へのガス供給を十分に安定にかつ再現性良く行うことができるとされている。   In Patent Document 5 (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-129337), each source gas is supplied from each gas source to the outside of the chamber for a predetermined time according to the type of each source gas, and a predetermined time has elapsed. Later, a vapor deposition method is described in which the supply of each source gas from each gas source is switched into the chamber. Thereby, it is said that the gas supply to the substrate can be performed sufficiently stably and with good reproducibility.

特開２００４−１１９４４８号公報JP 2004-119448 A 特開平０２−９１２０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 02-9120 特開平０８−１９９３７９号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-199379 特開平０５−２６７２２４号公報JP 05-267224 A 特開２００２−１２９３３７号公報JP 2002-129337 A

発明者らは、特に、基板を載置するステージの裏面に基板吸着部を有する真空装置において、基板温度を正確に制御するために、基板吸着部の圧力を精密に制御することが必要であることを見出した。   In particular, the inventors need to precisely control the pressure of the substrate suction portion in order to accurately control the substrate temperature in a vacuum apparatus having a substrate suction portion on the back surface of the stage on which the substrate is placed. I found out.

本発明によれば、
チャンバ内に設けられ、基板を載置するためのステージと、
前記ステージ裏面に設けられた基板吸着部と、
前記基板吸着部に接続し、前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力計と、
前記基板吸着部に接続する第１排気系と、
前記チャンバに接続し、前記チャンバの圧力を検知する第２圧力計と、
前記チャンバに接続する第２排気系と、
前記第１排気系並びに前記第２排気系の制御、及び前記基板を搬送する制御を行う制御部と、
を備える真空装置の異常検出方法であって、
前記ステージ上に前記基板を載置する前に、前記第１排気系を、予め定められた条件であり、前記基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、前記第１圧力計により前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力検知ステップと、
前記第１圧力計が検知した前記基板吸着部の圧力に基づき、前記基板吸着部の圧力が前記第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させると判断し、前記第１規定範囲内である場合は、前記基板を搬送可能であると判断する第１圧力判定ステップと、
を備える真空装置の異常検出方法、が提供される。 According to the present invention,
A stage provided in the chamber for mounting the substrate;
A substrate suction portion provided on the back surface of the stage;
A first pressure gauge connected to the substrate adsorption unit and detecting the pressure of the substrate adsorption unit;
A first exhaust system connected to the substrate adsorption unit;
A second pressure gauge connected to the chamber and detecting the pressure of the chamber;
A second exhaust system connected to the chamber;
A control unit that performs control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control of transporting the substrate;
An abnormality detection method for a vacuum apparatus comprising:
Before placing the substrate on the stage, the first exhaust system is controlled to a condition that is a predetermined condition, and the pressure of the substrate suction portion should be the first pressure, and the first A first pressure detection step of detecting the pressure of the substrate adsorption portion by a pressure gauge;
Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, an abnormality occurs when the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range that includes the first pressure. A first pressure determination step for determining that the apparatus is to be stopped and determining that the substrate can be transported if the apparatus is within the first specified range;
An abnormality detection method for a vacuum apparatus is provided.

本発明によれば、
チャンバ内に設けられ、基板を載置するためのステージと、
前記ステージ裏面に設けられた基板吸着部と、
前記基板吸着部に接続し、前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力計と、
前記基板吸着部に接続する第１排気系と、
前記チャンバに接続し、前記チャンバの圧力を検知する第２圧力計と、
前記チャンバに接続する第２排気系と、
前記第１排気系並びに前記第２排気系の制御、及び前記基板を搬送する制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記ステージ上に前記基板を載置する前に、前記第１排気系を、予め定められた条件であり、前記基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御し、
前記第１圧力計が検知した前記基板吸着部の圧力に基づき、前記基板吸着部の圧力が前記第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させ、前記第１規定範囲内である場合は、前記基板を搬送する真空装置、が提供される。 According to the present invention,
A stage provided in the chamber for mounting the substrate;
A substrate suction portion provided on the back surface of the stage;
A first pressure gauge connected to the substrate adsorption unit and detecting the pressure of the substrate adsorption unit;
A first exhaust system connected to the substrate adsorption unit;
A second pressure gauge connected to the chamber and detecting the pressure of the chamber;
A second exhaust system connected to the chamber;
A control unit that performs control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control of transporting the substrate;
With
The controller is
Before placing the substrate on the stage, the first exhaust system is controlled in a predetermined condition, and the pressure of the substrate adsorption unit is controlled to be a first pressure,
Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, an abnormality occurs when the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range that includes the first pressure. A vacuum device is provided for transporting the substrate when the device is stopped and within the first specified range.

本発明によれば、
チャンバ内に設けられ、基板を載置するためのステージと、
前記ステージ裏面に設けられた基板吸着部と、
前記基板吸着部に接続し、前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力計と、
前記基板吸着部に接続する第１排気系と、
前記チャンバに接続し、前記チャンバの圧力を検知する第２圧力計と、
前記チャンバに接続する第２排気系と、
前記第１排気系並びに前記第２排気系の制御、及び前記基板を搬送する制御を行う制御部と、
を備える真空装置の前記制御部として、コンピュータを機能させるプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記ステージ上に前記基板を載置する前に、前記第１排気系を、予め定められた条件であり、前記基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、前記第１圧力計により前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力検知機能と、
前記第１圧力計が検知した前記基板吸着部の圧力に基づき、前記基板吸着部の圧力が前記第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させると判断し、前記第１規定範囲内である場合は、前記基板を搬送可能であると判断する第１圧力判定機能と、
を実現させるプログラム、が提供される。 According to the present invention,
A stage provided in the chamber for mounting the substrate;
A substrate suction portion provided on the back surface of the stage;
A first pressure gauge connected to the substrate adsorption unit and detecting the pressure of the substrate adsorption unit;
A first exhaust system connected to the substrate adsorption unit;
A second pressure gauge connected to the chamber and detecting the pressure of the chamber;
A second exhaust system connected to the chamber;
A control unit that performs control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control of transporting the substrate;
A program for causing a computer to function as the control unit of the vacuum apparatus comprising:
In the computer,
Before placing the substrate on the stage, the first exhaust system is controlled to a condition that is a predetermined condition, and the pressure of the substrate suction portion should be the first pressure, and the first A first pressure detection function for detecting the pressure of the substrate adsorption portion with a pressure gauge;
Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, an abnormality occurs when the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range that includes the first pressure. A first pressure determination function for determining that the apparatus is to be stopped, and determining that the substrate can be transported if within the first specified range;
Is provided.

本発明によれば、ステージ上に基板を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、第１圧力計により基板吸着部の圧力を検知する。次いで、第１圧力計が検知した基板吸着部の圧力に基づき、基板吸着部の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させると判断し、第１規定範囲内である場合は、基板を搬送可能であると判断する。このようにして、真空装置の処理を行う前に、少なくとも、基板吸着部に接続した第１排気系及び第１圧力計の異常を検出する。第１排気系及び第１圧力計が正常であるならば、その後の所定の処理において、基板吸着部を精密に一定圧力に制御することができる。これにより、ステージ２００上の基板温度を精密に制御することができる。したがって、第１排気系または第１圧力計に異常があるまま、基板に所定の処理を行うことが無く、歩留りを向上させることができる。以上のように、事前に真空装置の異常を検出し、歩留りを向上させることができる。   According to the present invention, before placing the substrate on the stage, the first exhaust system is controlled to a predetermined condition, and the pressure of the substrate suction portion should be the first pressure. 1 The pressure of the substrate suction part is detected by a pressure gauge. Next, based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, an abnormality has occurred when the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range determined to include the first pressure. If it is within the first specified range, it is determined that the substrate can be transported. In this way, at least an abnormality in the first exhaust system and the first pressure gauge connected to the substrate adsorption unit is detected before the vacuum apparatus is processed. If the first exhaust system and the first pressure gauge are normal, the substrate suction portion can be precisely controlled to a constant pressure in the subsequent predetermined processing. Thereby, the substrate temperature on the stage 200 can be precisely controlled. Therefore, it is possible to improve the yield without performing a predetermined process on the substrate while there is an abnormality in the first exhaust system or the first pressure gauge. As described above, it is possible to detect the abnormality of the vacuum device in advance and improve the yield.

本発明によれば、事前に真空装置の異常を検出し、歩留りを向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to detect the abnormality of the vacuum device in advance and improve the yield.

第１の実施形態に係る真空装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the vacuum apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る真空装置の異常検出方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the abnormality detection method of the vacuum device which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る真空装置の圧力を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the pressure of the vacuum device concerning a 1st embodiment. 第２の実施形態に係る真空装置の圧力を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the pressure of the vacuum device concerning a 2nd embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る真空装置の構成を示す断面図である。この真空装置は、チャンバ１００内に設けられ、基板１０を載置するためのステージ２００と、ステージ２００裏面に設けられた基板吸着部２２０と、基板吸着部２２０に接続し、基板吸着部２２０の圧力を検知する第１圧力計３２０と、基板吸着部２２０に接続する第１排気系（配管４０２、配管４０４等）と、チャンバ１００に接続し、チャンバ１００の圧力を検知する第２圧力計３４０と、チャンバ１００に接続する第２排気系（配管４０６、配管４０８等）と、第１排気系並びに第２排気系の制御、及び基板１０を搬送する制御を行う制御部７００と、を備えている。また、制御部７００は、ステージ２００上に基板１０を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件に制御する。さらに、制御部７００は、第１圧力計３２０が検知した基板吸着部２２０の圧力に基づき、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させ、第１規定範囲内である場合は、基板１０を搬送する。以下、詳細を説明する。 (First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the vacuum apparatus according to the first embodiment. This vacuum apparatus is provided in the chamber 100 and is connected to a stage 200 for placing the substrate 10, a substrate adsorption unit 220 provided on the back surface of the stage 200, and the substrate adsorption unit 220. A first pressure gauge 320 that detects pressure, a first exhaust system (pipe 402, pipe 404, etc.) connected to the substrate adsorption unit 220, and a second pressure gauge 340 that connects to the chamber 100 and detects the pressure in the chamber 100. And a second exhaust system (pipe 406, pipe 408, etc.) connected to the chamber 100, a control unit 700 for performing control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control for transporting the substrate 10. Yes. In addition, the control unit 700 controls the first exhaust system to a predetermined condition before placing the substrate 10 on the stage 200, so that the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure. To do. Further, the control unit 700 is based on the pressure of the substrate suction unit 220 detected by the first pressure gauge 320 and the pressure of the substrate suction unit 220 is out of the first specified range that is determined to include the first pressure. Stops the apparatus on the assumption that an abnormality has occurred, and transports the substrate 10 if it is within the first specified range. Details will be described below.

図１のように、この真空装置は、チャンバ１００内に、ステージ２００と、基板吸着部２２０と、第１圧力計３２０と、第１排気系（配管４０２、配管４０４等）と、第２圧力計３４０と、第２排気系（配管４０６、配管４０８等）と、制御部７００と、を備えている。   As shown in FIG. 1, this vacuum apparatus includes a stage 200, a substrate adsorption unit 220, a first pressure gauge 320, a first exhaust system (pipe 402, pipe 404, etc.), and a second pressure in the chamber 100. A total 340, a second exhaust system (pipe 406, pipe 408, etc.), and a control unit 700 are provided.

また、真空装置は、たとえば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、またはドライエッチング装置である。   The vacuum apparatus is, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus or a dry etching apparatus.

チャンバ１００内には、ステージ２００が設けられている。なお、図１は、ステージ２００上に基板１０が載置された状態を示している。また、ステージ２００の裏面には、基板１０を吸着するための基板吸着部２２０が設けられている。具体的には、基板吸着部２２０は、基板１０を吸着するための排気孔（不図示）である。さらに、ステージ２００には、基板１０の温度を一定に保つための基板ヒータ（不図示）が設けられている。   A stage 200 is provided in the chamber 100. FIG. 1 shows a state where the substrate 10 is placed on the stage 200. Further, a substrate suction portion 220 for sucking the substrate 10 is provided on the back surface of the stage 200. Specifically, the substrate adsorption unit 220 is an exhaust hole (not shown) for adsorbing the substrate 10. Furthermore, the stage 200 is provided with a substrate heater (not shown) for keeping the temperature of the substrate 10 constant.

また、チャンバ１００内には、ステージ２００と対向する側に、プロセスガス導入配管６２０を介して、シャワーヘッド６４０が設けられている。このシャワーヘッド６４０から、プロセスガスがチャンバ１００内の基板１０表面に向けて供給される。   Further, a shower head 640 is provided in the chamber 100 on the side facing the stage 200 via a process gas introduction pipe 620. A process gas is supplied from the shower head 640 toward the surface of the substrate 10 in the chamber 100.

基板吸着部２２０は、第１排気系（配管４０２、配管４０４等）に接続している。ここで、「第１排気系」とは、基板吸着部２２０から、排気手段であるポンプ８００までの排気系のことをいう。第１の実施形態では、第１排気系は、たとえば、基板吸着部２２０と接続した配管４０２と、バルブ４４０及びバルブ４６０を介してポンプ８００まで接続している配管４０４と、バルブ４４０及びバルブ４６０と、を含む。なお、ポンプ８００は、真空装置の処理内容に応じて、適宜選択される。具体的には、ポンプ８００は、たとえば、ドライポンプである。   The substrate adsorption unit 220 is connected to the first exhaust system (pipe 402, pipe 404, etc.). Here, the “first exhaust system” refers to an exhaust system from the substrate adsorption unit 220 to the pump 800 which is an exhaust unit. In the first embodiment, the first exhaust system includes, for example, a pipe 402 connected to the substrate adsorption unit 220, a pipe 404 connected to the pump 800 via the valve 440 and the valve 460, and a valve 440 and a valve 460. And including. The pump 800 is appropriately selected according to the processing content of the vacuum apparatus. Specifically, the pump 800 is, for example, a dry pump.

また、第１圧力計３２０は、たとえば、バルブ４４０とバルブ４６０との間に接続している。これにより、第１圧力計３２０は、バルブ４４０を開放することにより、基板吸着部２２０の圧力を検知することができる。   Moreover, the 1st pressure gauge 320 is connected between the valve | bulb 440 and the valve | bulb 460, for example. Thereby, the first pressure gauge 320 can detect the pressure of the substrate adsorption unit 220 by opening the valve 440.

一方、チャンバ１００は、第２排気系（配管４０６、配管４０８等）に接続している。ここで、「第２排気系」とは、チャンバ１００からポンプ８００までの排気系のことをいう。第１の実施形態では、第２排気系は、たとえば、チャンバ１００と接続した配管４０６と、スロットルバルブ５００を介してポンプ８００まで接続している配管４０８と、スロットルバルブ５００と、を含む。   On the other hand, the chamber 100 is connected to a second exhaust system (pipe 406, pipe 408, etc.). Here, the “second exhaust system” refers to an exhaust system from the chamber 100 to the pump 800. In the first embodiment, the second exhaust system includes, for example, a pipe 406 connected to the chamber 100, a pipe 408 connected to the pump 800 via the throttle valve 500, and the throttle valve 500.

また、第２圧力計３４０は、たとえば、第２排気系におけるチャンバ１００と接続した配管に接続している。これにより、第２圧力計３４０は、チャンバ１００の圧力を検知することができる。   The second pressure gauge 340 is connected to, for example, a pipe connected to the chamber 100 in the second exhaust system. Thereby, the second pressure gauge 340 can detect the pressure in the chamber 100.

ここで、第１排気系と第２排気系は、ポンプ８００の直前において、共通の一つの配管４０５に接続している。   Here, the first exhaust system and the second exhaust system are connected to one common pipe 405 immediately before the pump 800.

また、第１排気系と第２排気系は、バルブ４２０を備えたバイパスライン４０９を介して、互いに接続している。なお、第１排気系は、バルブ４４０とバルブ４６０との間において、バイパスライン４０９と接続している。また、第２排気系は、チャンバ１００とスロットルバルブ５００との間において、バイパスライン４０９と接続している。   The first exhaust system and the second exhaust system are connected to each other via a bypass line 409 provided with a valve 420. The first exhaust system is connected to the bypass line 409 between the valve 440 and the valve 460. The second exhaust system is connected to the bypass line 409 between the chamber 100 and the throttle valve 500.

基板吸着部２２０は、基板１０裏面の圧力を制御するため、ガスを導入できるようにガス導入系を備えている。これにより、プロセス中の基板１０裏面の圧力を一定に保つことにより、基板１０の温度を一定に保つことができる。具体的には、ガス導入系として、裏面圧力制御用ガス導入配管６６０は、バルブ４８０を介して、上述したバイパスライン４０９のうち、バルブ４２０よりも第１排気系側に接続している。これにより、バルブ４４０及びバルブ４８０を開けることで、基板吸着部２２０にガスを供給することができる。なお、基板１０の裏面圧力制御用のガスは、単一の不活性ガスである。具体的には、基板１０の裏面圧力制御用のガスは、たとえば、Ａｒである。   The substrate adsorbing unit 220 includes a gas introduction system so that gas can be introduced in order to control the pressure on the back surface of the substrate 10. Thereby, the temperature of the substrate 10 can be kept constant by keeping the pressure on the back surface of the substrate 10 during the process constant. Specifically, as the gas introduction system, the back pressure control gas introduction pipe 660 is connected to the first exhaust system side of the bypass line 409 described above via the valve 480 rather than the valve 420. Accordingly, the gas can be supplied to the substrate adsorption unit 220 by opening the valve 440 and the valve 480. Note that the gas for controlling the back pressure of the substrate 10 is a single inert gas. Specifically, the gas for controlling the back pressure of the substrate 10 is, for example, Ar.

また、上記したチャンバ１００とは別のチャンバにおいて、基板１０を搬送するためのアーム（不図示）を備えたロボット室（不図示）と、基板１０をセットするためのロードロック室（不図示）が設けられている。これらのチャンバは、それぞれ、ゲートバルブ（不図示）を介して、互いに接続している。これにより、ゲートバルブが開いている際には、同一の所定の圧力下（たとえば真空状態）において、基板１０を搬送することができるようになっている。   Further, in a chamber different from the chamber 100 described above, a robot chamber (not shown) having an arm (not shown) for transporting the substrate 10 and a load lock chamber (not shown) for setting the substrate 10 are provided. Is provided. Each of these chambers is connected to each other via a gate valve (not shown). Thereby, when the gate valve is open, the substrate 10 can be transferred under the same predetermined pressure (for example, in a vacuum state).

さらに、真空装置には、制御部７００が設けられている。制御部７００は、第１排気系並びに第２排気系の制御、及び基板１０を搬送する制御を行う。ここで、第１排気系並びに第２排気系の制御とは、それぞれの排気系におけるバルブの開閉制御のことである。また、基板１０を搬送する制御とは、チャンバ１００間を接続するゲートバルブの開閉制御、及び基板１０を搬送するためのアームの制御のことである。また、この制御部７００は、ステージ２００の基板ヒータの温度制御、プロセスガスの流量制御、基板１０の裏面圧力制御用ガスの流量制御、及び装置停止に係る制御なども行う。なお、制御部７００は、それぞれの制御内容に応じて、別の制御部に分かれていても良い。また、制御部７００は、上記したそれぞれの制御対象と、信号の送信または受信ができるように、配線により接続している（不図示）。さらに、制御部７００は、異常を検出した際に異常を知らせるための表示部（不図示）を備えていても良い。   Further, a control unit 700 is provided in the vacuum apparatus. The control unit 700 performs control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control for transporting the substrate 10. Here, the control of the first exhaust system and the second exhaust system refers to valve opening / closing control in each exhaust system. Further, the control of transporting the substrate 10 means the opening / closing control of the gate valve that connects the chambers 100 and the control of the arm for transporting the substrate 10. The controller 700 also performs temperature control of the substrate heater of the stage 200, flow rate control of the process gas, flow rate control of the back surface pressure control gas of the substrate 10, control for stopping the apparatus, and the like. Note that the control unit 700 may be divided into different control units according to each control content. In addition, the control unit 700 is connected to each of the above-described control objects by wiring so that signals can be transmitted or received (not shown). Furthermore, the control unit 700 may include a display unit (not shown) for notifying the abnormality when the abnormality is detected.

以上のような装置構成において、制御部７００は、ステージ２００上に基板１０を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件に制御する。さらに、制御部７００は、第１圧力計３２０が検知した基板吸着部２２０の圧力に基づき、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させ、第１規定範囲内である場合は、基板１０を搬送する。この真空装置の異常検出方法については、詳細を後述する。   In the apparatus configuration as described above, the control unit 700 sets the first exhaust system under predetermined conditions before placing the substrate 10 on the stage 200, and the pressure of the substrate adsorption unit 220 is the first pressure. Control to the conditions to be. Further, the control unit 700 is based on the pressure of the substrate suction unit 220 detected by the first pressure gauge 320 and the pressure of the substrate suction unit 220 is out of the first specified range that is determined to include the first pressure. Stops the apparatus on the assumption that an abnormality has occurred, and transports the substrate 10 if it is within the first specified range. The details of this vacuum apparatus abnormality detection method will be described later.

ここで、制御部７００は、コンピュータ（不図示）をこのような手段として機能させるプログラムを、コンピュータにインストールすることにより実現することができる。   Here, the control unit 700 can be realized by installing a program that causes a computer (not shown) to function as such means.

また、制御部７００は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされた本図の構成要素を実現するプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶ユニット、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置にはいろいろな変形例があることは、当業者には理解されるところである。   Further, the control unit 700 includes hardware such as a CPU of any computer, a memory, a program for realizing the components shown in the figure loaded in the memory, a storage unit such as a hard disk for storing the program, and a network connection interface. And any combination of software. It will be understood by those skilled in the art that there are various modifications to the implementation method and apparatus.

次に、図２、図３を用いて、第１の実施形態に係る真空装置の異常検出方法を説明する。図２は、第１の実施形態に係る真空装置の異常検出方法を示すフローチャートである。また、図３は、第１の実施形態に係る真空装置の圧力を示すタイミングチャートである。上記した構成を備える真空装置の異常検出方法であって、下記のようなステップを備える。まず、ステージ２００上に基板１０を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、第１圧力計３２０により基板吸着部２２０の圧力を検知する（Ｓ１１０）。次いで、第１圧力計３２０が検知した基板吸着部２２０の圧力に基づき、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は（Ｓ１２０のＮＯ）、異常が発生しているとして装置を停止させると判断する。一方、第１規定範囲内である場合は（Ｓ１２０のＹＥＳ）、基板１０を搬送可能であると判断する。以下、詳細を説明する。   Next, the abnormality detection method for the vacuum apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a flowchart illustrating the abnormality detection method for the vacuum apparatus according to the first embodiment. FIG. 3 is a timing chart showing the pressure of the vacuum apparatus according to the first embodiment. A vacuum apparatus abnormality detection method having the above-described configuration, comprising the following steps. First, before placing the substrate 10 on the stage 200, the first exhaust system is controlled to a predetermined condition, and the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure. The pressure of the substrate adsorption unit 220 is detected by the pressure gauge 320 (S110). Next, based on the pressure of the substrate suction unit 220 detected by the first pressure gauge 320, when the pressure of the substrate suction unit 220 is out of the first specified range that includes the first pressure (NO in S120) ), It is determined that the apparatus is to be stopped because an abnormality has occurred. On the other hand, when it is within the first specified range (YES in S120), it is determined that the substrate 10 can be transported. Details will be described below.

まず、図３のｔ１のように、ポンプ８００を起動して、第１排気系のバルブ４６０と、第２排気系のスロットルバルブ５００を開放し、チャンバ１００を高真空に排気する。   First, as shown at t1 in FIG. 3, the pump 800 is started, the first exhaust system valve 460 and the second exhaust system throttle valve 500 are opened, and the chamber 100 is exhausted to a high vacuum.

次いで、図３のｔ２のように、第１排気系のバルブ４４０も開放して、第２排気系のスロットルバルブ５００の開閉度を調節する。   Next, as shown at t2 in FIG. 3, the valve 440 of the first exhaust system is also opened, and the opening / closing degree of the throttle valve 500 of the second exhaust system is adjusted.

このとき、基板吸着部２２０側の第１排気系と、チャンバ１００側の第２排気系との両方で排気を行っている。双方の圧力損失の差によって、第１圧力計３２０と第２圧力計３４０は異なった値を示す。   At this time, exhaust is performed by both the first exhaust system on the substrate adsorption unit 220 side and the second exhaust system on the chamber 100 side. The first pressure gauge 320 and the second pressure gauge 340 show different values due to the difference in pressure loss between the two.

ここで、チャンバ１００の圧力を、たとえば、１０Ｔｏｒｒになるように制御する。このとき、第１排気系の状態が正常である場合、第１圧力計３２０は、たとえば、５Ｔｏｒｒを示す。この第１排気系の条件（第１の実施形態では第２排気系の条件も含む）を再現すれば、真空装置の状態が正常であるならば、第１圧力計３２０は必ず同じ値を示す。   Here, the pressure of the chamber 100 is controlled to be, for example, 10 Torr. At this time, when the state of the first exhaust system is normal, the first pressure gauge 320 indicates, for example, 5 Torr. If the conditions of the first exhaust system (including the conditions of the second exhaust system in the first embodiment) are reproduced, the first pressure gauge 320 always shows the same value if the state of the vacuum device is normal. .

この真空装置の状態が正常である場合に第１圧力計３２０が示す値を「第１圧力」として、予め、制御部７００に記憶させておく。また、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき第１排気系等の条件も、予め、制御部７００に記憶させておく。第１の実施形態において、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件とは、第１排気系のバルブ４４０及びバルブ４６０を開放し、第２排気系のスロットルバルブ５００の開閉度を調整して、チャンバの圧力を１０Ｔｏｒｒになるように制御した状態のことである。   When the state of the vacuum apparatus is normal, the value indicated by the first pressure gauge 320 is stored in advance in the control unit 700 as “first pressure”. In addition, conditions such as the first exhaust system in which the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure are also stored in the control unit 700 in advance. In the first embodiment, the condition that the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure is that the valve 440 and the valve 460 of the first exhaust system are opened and the opening / closing degree of the throttle valve 500 of the second exhaust system is set. This is a state in which the pressure in the chamber is adjusted and controlled to be 10 Torr.

このように、ステージ２００上に基板１０を載置する前に、少なくとも、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件に制御する。第１の実施形態では、チャンバ１００の圧力を基板吸着部２２０の圧力よりも所定の圧力（５Ｔｏｒｒ）だけ高くなる条件に、第１排気系及び第２排気系を制御する。   Thus, before placing the substrate 10 on the stage 200, at least the first exhaust system is controlled to a predetermined condition and the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure. . In the first embodiment, the first exhaust system and the second exhaust system are controlled on the condition that the pressure in the chamber 100 is higher than the pressure in the substrate adsorption unit 220 by a predetermined pressure (5 Torr).

次いで、図３のｔ２からｔ３にかけて、上記した条件に第１排気系を制御するとともに、第１圧力計３２０により、基板吸着部２２０の実際の圧力を検知する（Ｓ１１０）。この基板吸着部２２０の圧力を検知するステップを、「第１圧力検知ステップ」とする。   Next, from t2 to t3 in FIG. 3, the first exhaust system is controlled to the above-described conditions, and the actual pressure of the substrate adsorption unit 220 is detected by the first pressure gauge 320 (S110). The step of detecting the pressure of the substrate adsorption unit 220 is referred to as a “first pressure detection step”.

次いで、第１圧力計３２０が検知した基板吸着部２２０の圧力に基づき、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲内であるか否かを判断する（Ｓ１２０）。このステップＳ１２０を、「第１圧力判定ステップ」とする。また、「第１圧力を含むように定められた第１規定範囲」とは、次のステップに進んでも良いとする、基板吸着部２２０の圧力の許容範囲のことである。具体的には、第１圧力±３Ｔｏｒｒの範囲内である。この場合では、たとえば、２Ｔｏｒｒ以上８Ｔｏｒｒ以下である。   Next, based on the pressure of the substrate suction portion 220 detected by the first pressure gauge 320, it is determined whether or not the pressure of the substrate suction portion 220 is within a first specified range that is defined to include the first pressure ( S120). This step S120 is referred to as a “first pressure determination step”. The “first specified range determined to include the first pressure” is an allowable range of the pressure of the substrate adsorption unit 220 that may proceed to the next step. Specifically, it is within the range of the first pressure ± 3 Torr. In this case, for example, it is 2 Torr or more and 8 Torr or less.

基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲内であるならば、少なくとも、第１排気系及び第１圧力計３２０に異常がないと判断することができる。すなわち、少なくとも、基板吸着部２２０を正常に機能させることができることを意味し、次のステップでステージ２００に基板１０を載置可能と判断することができる。さらに、第１排気系及び第１圧力計３２０が正常であるならば、その後の所定の処理において、基板吸着部２２０を精密に一定圧力に制御することができる。これにより、ステージ２００上の基板温度を精密に制御することができる。   If the pressure of the substrate adsorption unit 220 is within a first specified range that is determined to include the first pressure, it can be determined that there is no abnormality in at least the first exhaust system and the first pressure gauge 320. That is, it means that at least the substrate adsorption unit 220 can function normally, and it can be determined that the substrate 10 can be placed on the stage 200 in the next step. Furthermore, if the first exhaust system and the first pressure gauge 320 are normal, the substrate adsorption unit 220 can be precisely controlled to a constant pressure in a predetermined process thereafter. Thereby, the substrate temperature on the stage 200 can be precisely controlled.

このとき、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は（Ｓ１２０のＮＯ）、異常が発生しているとして装置を停止させる（Ｓ１４０）。ここでの「異常」とは、基板吸着部２２０の圧力が第１規定範囲以上である場合は、第１圧力計３２０の故障、実測値に対する第１圧力計３２０の計測値のズレ、基板吸着部２２０の外部リーク、または、第１排気系のリークなどが考えられる。また、基板吸着部２２０の圧力が第１規定範囲以下である場合は、バルブ４４０の動作異常、または、第１排気系の閉塞などが考えられる。   At this time, if the pressure of the substrate adsorption unit 220 is out of the first specified range determined to include the first pressure (NO in S120), the apparatus is stopped as an abnormality has occurred (S140). . Here, “abnormal” refers to failure of the first pressure gauge 320, deviation of the measurement value of the first pressure gauge 320 from the actual measurement value, substrate adsorption when the pressure of the substrate adsorption unit 220 is equal to or higher than the first specified range. An external leak of the section 220 or a leak of the first exhaust system can be considered. Moreover, when the pressure of the board | substrate adsorption | suction part 220 is below a 1st regulation range, the abnormal operation | movement of valve | bulb 440 or the obstruction | occlusion of a 1st exhaust system etc. can be considered.

このように、いずれの異常の場合も、装置を停止させることにより、第１排気系または第１圧力計３２０に異常があるまま、基板１０に所定の処理を行うことが無く、歩留りを向上させることができる。   As described above, in any abnormality, by stopping the apparatus, the substrate 10 is not subjected to predetermined processing while the first exhaust system or the first pressure gauge 320 is abnormal, thereby improving the yield. be able to.

一方、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲内である場合は（Ｓ１２０のＹＥＳ）、以下の工程により、ステージ２００上に基板１０を搬送する（Ｓ１３０）   On the other hand, when the pressure of the substrate adsorption unit 220 is within the first specified range determined to include the first pressure (YES in S120), the substrate 10 is transferred onto the stage 200 by the following steps (S130). )

図３のｔ３のように、スロットルバルブ５００を全開にして、チャンバ１００を高真空に排気する。次いで、図３のｔ４のように、第１排気系のバルブ４４０及びバルブ４６０を閉める。これにより、基板吸着部２２０側からの排気は停止する。   As shown at t3 in FIG. 3, the throttle valve 500 is fully opened and the chamber 100 is evacuated to a high vacuum. Next, as shown at t4 in FIG. 3, the valve 440 and the valve 460 of the first exhaust system are closed. Thereby, the exhaust from the substrate adsorption unit 220 side is stopped.

次いで、図３のｔｗにおいて、ロボット室のアームにより、ロードロック室からチャンバ１００に基板１０を搬送し、ステージ２００上に基板１０を載置する（以上、Ｓ１３０）。その後、図３のｔ５まで、しばらく高真空に排気する。   Next, at tw in FIG. 3, the substrate 10 is transferred from the load lock chamber to the chamber 100 by the arm of the robot chamber, and the substrate 10 is placed on the stage 200 (S130). Thereafter, the vacuum is evacuated for a while until t5 in FIG.

次いで、図３のｔ５のように、第１排気系のバルブ４４０とバイパスライン４０９のバルブ４２０を開放し、スロットルバルブ５００の開閉度を調節する。   Next, as shown at t5 in FIG. 3, the valve 440 of the first exhaust system and the valve 420 of the bypass line 409 are opened, and the opening / closing degree of the throttle valve 500 is adjusted.

ここで、チャンバ１００の圧力を、たとえば、３０Ｔｏｒｒになるように制御する。なお、バイパスライン４０９のバルブ４２０を開放していることにより、基板吸着部２２０の圧力も、チャンバ１００の圧力と等しくなる。この第２排気系の条件を再現すれば、真空装置の状態が正常であるならば、第２圧力計３４０は必ず同じ値を示す。   Here, the pressure of the chamber 100 is controlled to be, for example, 30 Torr. Note that, by opening the valve 420 of the bypass line 409, the pressure of the substrate adsorption unit 220 is also equal to the pressure of the chamber 100. If the conditions of the second exhaust system are reproduced, the second pressure gauge 340 always shows the same value if the state of the vacuum apparatus is normal.

この真空装置の状態が正常である場合に第２圧力計３４０が示す値を「第２圧力」として、予め、制御部７００に記憶させておく。また、チャンバ１００の圧力が第２圧力となるべき第２排気系等の条件も、予め、制御部７００に記憶させておく。第１の実施形態において、チャンバ１００の圧力が第２圧力となるべき条件とは、第１排気系のバルブ４４０とバイパスライン４０９のバルブ４２０を開放し、スロットルバルブ５００の開閉度を調整し、チャンバ１００を３０Ｔｏｒｒになるように制御した状態のことである。   When the state of the vacuum device is normal, the value indicated by the second pressure gauge 340 is stored in the control unit 700 in advance as the “second pressure”. Also, the control unit 700 stores in advance conditions such as the second exhaust system in which the pressure in the chamber 100 should be the second pressure. In the first embodiment, the condition that the pressure in the chamber 100 should be the second pressure is that the valve 440 of the first exhaust system and the valve 420 of the bypass line 409 are opened, the opening / closing degree of the throttle valve 500 is adjusted, This is a state in which the chamber 100 is controlled to be 30 Torr.

このように、ステージ２００に基板１０が載置された状態で、少なくとも、第２排気系を、予め定められた条件であり、チャンバ１００の圧力が第２圧力となるべき条件に制御する。   As described above, in a state where the substrate 10 is placed on the stage 200, at least the second exhaust system is controlled under a predetermined condition and the pressure of the chamber 100 should be the second pressure.

次いで、図３のｔ５からｔ６にかけて、上記した条件に第２排気系を制御するとともに、第２圧力計３４０によりチャンバ１００の圧力を検知する（Ｓ１５０）。このステップＳ１５０を、「第２圧力検知ステップ」とする。   Next, from t5 to t6 in FIG. 3, the second exhaust system is controlled to the above-described conditions, and the pressure in the chamber 100 is detected by the second pressure gauge 340 (S150). This step S150 is referred to as a “second pressure detection step”.

次いで、第２圧力計３４０が検知したチャンバ１００の圧力に基づき、チャンバ１００の圧力が第２圧力を含むように定められた第２規定範囲内であるか否かを判断する（Ｓ１６０）。このステップＳ１６０を、「第２圧力判定ステップ」とする。また、「第２圧力を含むように定められた第２規定範囲」とは、次のステップに進んでも良いとする、チャンバ１００の圧力の許容範囲のことである。具体的には、第２圧力±５Ｔｏｒｒの範囲内である。この場合では、たとえば、２５Ｔｏｒｒ以上３５Ｔｏｒｒ以下である。   Next, based on the pressure in the chamber 100 detected by the second pressure gauge 340, it is determined whether or not the pressure in the chamber 100 is within a second specified range determined to include the second pressure (S160). This step S160 is referred to as a “second pressure determination step”. The “second specified range determined to include the second pressure” refers to an allowable range of the pressure in the chamber 100 that may proceed to the next step. Specifically, the second pressure is within a range of ± 5 Torr. In this case, for example, it is 25 Torr or more and 35 Torr or less.

チャンバ１００の圧力が第２圧力を含むように定められた第２規定範囲内であるならば、第２排気系及びバイパスライン４０９に異常がないと判断することができる。第２排気系及びバイパスライン４０９が正常であるならば、その後の所定の処理において、チャンバ１００を精密に一定圧力に制御することができる。これにより、所定の処理を安定的に行うことができる。   If the pressure in the chamber 100 is within the second specified range determined to include the second pressure, it can be determined that there is no abnormality in the second exhaust system and the bypass line 409. If the second exhaust system and the bypass line 409 are normal, the chamber 100 can be precisely controlled at a constant pressure in a predetermined process thereafter. Thereby, a predetermined process can be performed stably.

このとき、チャンバ１００の圧力が第２圧力を含むように定められた第２規定範囲から外れている場合は（Ｓ１６０のＮＯ）、異常が発生しているとして装置を停止させる（Ｓ１８０）。   At this time, if the pressure in the chamber 100 is out of the second specified range determined to include the second pressure (NO in S160), the apparatus is stopped as an abnormality has occurred (S180).

ここでの「異常」とは、チャンバ１００の圧力が第２規定範囲以上である場合は、第２圧力計３４０の故障、実測値に対する第２圧力計３４０の計測値のズレ、チャンバ１００のリーク、第２排気系のリーク、または、バイパスライン４０９のリークなどが考えられる。また、チャンバ１００の圧力が第２規定範囲以下である場合は、バルブ４２０の動作異常、第２圧力計３４０とチャンバ１００間の閉塞、または、バイパスライン４０９の閉塞などが考えられる。   Here, “abnormal” refers to a failure of the second pressure gauge 340, a deviation of the measured value of the second pressure gauge 340 from the actually measured value, and a leak of the chamber 100 when the pressure in the chamber 100 is equal to or higher than the second specified range. A leak in the second exhaust system or a leak in the bypass line 409 can be considered. When the pressure in the chamber 100 is equal to or lower than the second specified range, abnormal operation of the valve 420, blockage between the second pressure gauge 340 and the chamber 100, blockage of the bypass line 409, and the like are conceivable.

このように、いずれの異常の場合も、装置を停止させることにより、第２排気系、バイパスライン４０９、または、第２圧力計３４０に異常があるまま、基板１０に所定の処理を行うことが無く、歩留りを向上させることができる。また、第１圧力判定ステップと第２圧力判定ステップとの二つの条件を行うことにより、異常原因となった排気系を、詳細に特定することができる。   As described above, in any case, by stopping the apparatus, the substrate 10 can be subjected to predetermined processing while there is an abnormality in the second exhaust system, the bypass line 409, or the second pressure gauge 340. And yield can be improved. Further, by performing the two conditions of the first pressure determination step and the second pressure determination step, the exhaust system that has caused the abnormality can be specified in detail.

一方、チャンバ１００の圧力が第２圧力を含むように定められた第２規定範囲内である場合は（Ｓ１６０のＹＥＳ）、以下のように、所定の処理をする（Ｓ１７０）。   On the other hand, when the pressure in the chamber 100 is within the second specified range determined to include the second pressure (YES in S160), a predetermined process is performed as follows (S170).

ここで、Ｓ１７０の所定の処理とは、真空装置がＣＶＤ装置であるならば、基板１０への成膜処理のことである。また、真空装置がドライエッチング装置であるならば、基板１０へのドライエッチング処理のことである。   Here, the predetermined process of S170 is a film forming process on the substrate 10 if the vacuum apparatus is a CVD apparatus. If the vacuum apparatus is a dry etching apparatus, it means a dry etching process for the substrate 10.

たとえば、ＣＶＤ装置である場合、以下のような工程により、所定の処理としてＣＶＤ成膜を行う。   For example, in the case of a CVD apparatus, a CVD film is formed as a predetermined process by the following processes.

図３のｔ６のように、バイパスライン４０９のバルブ４２０を閉じ、第１排気系のバルブ４４０を開放する。これにより、基板吸着部２２０を排気し、ステージ２００上の基板１０を吸着する。   As shown at t6 in FIG. 3, the valve 420 of the bypass line 409 is closed and the valve 440 of the first exhaust system is opened. As a result, the substrate adsorption unit 220 is exhausted, and the substrate 10 on the stage 200 is adsorbed.

次いで、図３のｔ７のように、さらに、裏面圧力制御用ガス導入配管６６０のバルブ４８０を開放し、基板吸着部２２０に裏面圧力制御用ガスを導入する。裏面圧力制御用ガスとして、たとえば、Ａｒを導入する。また、基板吸着部２２０の圧力を、たとえば、１０Ｔｏｒｒに制御する。このように、基板１０の裏面圧力を一定圧力に制御することにより、所定の処理において、ステージ２００上の基板温度を精密に制御することができる。   Next, as shown at t <b> 7 in FIG. 3, the valve 480 of the back pressure control gas introduction pipe 660 is further opened to introduce the back pressure control gas into the substrate adsorption unit 220. For example, Ar is introduced as the back pressure control gas. In addition, the pressure of the substrate suction unit 220 is controlled to 10 Torr, for example. Thus, by controlling the back surface pressure of the substrate 10 to a constant pressure, the substrate temperature on the stage 200 can be precisely controlled in a predetermined process.

以上のように、真空装置の異常検出方法が適用される。この後、プロセスガス導入配管６２０からプロセスガスを導入し、基板１０に対してＣＶＤ成膜を行う。   As described above, the vacuum device abnormality detection method is applied. Thereafter, a process gas is introduced from the process gas introduction pipe 620 and a CVD film is formed on the substrate 10.

次に、第１の実施形態における効果について説明する。第１の実施形態によれば、ステージ２００上に前記基板を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、第１圧力計により基板吸着部の圧力を検知する。第１圧力計が検知した基板吸着部の圧力に基づき、基板吸着部の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させると判断し、第１規定範囲内である場合は、基板を搬送可能であると判断する。このようにして、真空装置の所定の処理を行う前に、少なくとも、基板吸着部２２０に接続した第１排気系及び第１圧力計３２０の異常を検出する。   Next, the effect in 1st Embodiment is demonstrated. According to the first embodiment, before placing the substrate on the stage 200, the first exhaust system is set to a predetermined condition, and the pressure of the substrate suction portion is set to the first pressure. While controlling, the 1st pressure gauge detects the pressure of a board | substrate adsorption | suction part. Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, if the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range so as to include the first pressure, it is determined that an abnormality has occurred. If it is within the first specified range, it is determined that the substrate can be transported. In this manner, at least an abnormality in the first exhaust system and the first pressure gauge 320 connected to the substrate adsorption unit 220 is detected before performing predetermined processing of the vacuum apparatus.

基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲外であるならば、第１排気系または第１圧力計３２０等に異常が発生しているとして装置を停止させると判断することができる。いずれの異常の場合も、装置を停止させることにより、第１排気系または第１圧力計３２０に異常があるまま、基板１０に所定の処理を行うことが無く、歩留りを向上させることができる。   If the pressure of the substrate adsorption unit 220 is outside the first specified range determined to include the first pressure, the apparatus is stopped because an abnormality has occurred in the first exhaust system or the first pressure gauge 320 or the like. It can be judged. In any case, by stopping the apparatus, a predetermined process is not performed on the substrate 10 while there is an abnormality in the first exhaust system or the first pressure gauge 320, and the yield can be improved.

一方、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲内であるならば、少なくとも、第１排気系及び第１圧力計３２０に異常がないと判断することができる。第１排気系及び第１圧力計３２０が正常であるならば、その後の所定の処理において、基板吸着部２２０を精密に一定圧力に制御することができる。これにより、ステージ２００上の基板温度を精密に制御することができる。   On the other hand, if the pressure of the substrate adsorption unit 220 is within the first specified range determined to include the first pressure, it may be determined that at least the first exhaust system and the first pressure gauge 320 are normal. it can. If the first exhaust system and the first pressure gauge 320 are normal, the substrate adsorption unit 220 can be precisely controlled to a constant pressure in a predetermined process thereafter. Thereby, the substrate temperature on the stage 200 can be precisely controlled.

したがって、第１の実施形態によれば、所定の処理を行う前に、事前に真空装置の異常を検出し、歩留りを向上させることができる。   Therefore, according to the first embodiment, it is possible to detect the abnormality of the vacuum device in advance and perform the yield improvement before performing the predetermined processing.

（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る真空装置の圧力を示すタイミングチャートである。第２の実施形態は、第１圧力検知ステップ（Ｓ１１０）の詳細を除いて、第１の実施形態と同様である。第２の実施形態によれば、第１圧力検知ステップ（Ｓ１１０）において、基板吸着部２２０の圧力とチャンバ１００の圧力が等しくなる条件に、第１排気系及び第２排気系を制御して、基板吸着部２２０の圧力を検知する。以下、詳細を説明する。なお、第２の実施形態におけるフローチャートは、図２と同じである。 (Second Embodiment)
FIG. 4 is a timing chart showing the pressure of the vacuum apparatus according to the second embodiment. The second embodiment is the same as the first embodiment except for the details of the first pressure detection step (S110). According to the second embodiment, in the first pressure detection step (S110), the first exhaust system and the second exhaust system are controlled under the condition that the pressure of the substrate adsorption unit 220 is equal to the pressure of the chamber 100, The pressure of the substrate adsorption unit 220 is detected. Details will be described below. Note that the flowchart in the second embodiment is the same as FIG.

まず、図４のｉ１のように、ポンプ８００を起動して、第１排気系のバルブ４６０と、第２排気系のスロットルバルブ５００を開放し、チャンバ１００を高真空に排気する。   First, as shown by i1 in FIG. 4, the pump 800 is started, the first exhaust system valve 460 and the second exhaust system throttle valve 500 are opened, and the chamber 100 is exhausted to a high vacuum.

次いで、図４のｉ２のように、第１排気系のバルブ４６０を閉じ、バルブ４４０を開放して、第２排気系のスロットルバルブ５００の開閉度を調節する。   Next, as shown by i2 in FIG. 4, the valve 460 of the first exhaust system is closed and the valve 440 is opened to adjust the opening / closing degree of the throttle valve 500 of the second exhaust system.

このとき、基板吸着部２２０側の第１排気系はバルブ４６０までが接続されており、チャンバ１００側の第２排気系で排気を行っている。すなわち、第２排気系からチャンバ１００を排気し、チャンバ１００側から基板吸着部２２０を排気する。   At this time, the first exhaust system on the substrate adsorption unit 220 side is connected to the valve 460, and exhaust is performed by the second exhaust system on the chamber 100 side. That is, the chamber 100 is exhausted from the second exhaust system, and the substrate adsorption unit 220 is exhausted from the chamber 100 side.

ここで、チャンバ１００の圧力を、たとえば、１０Ｔｏｒｒになるように制御する。このとき、第１排気系の状態が正常である場合、基板吸着部２２０の圧力とチャンバ１００の圧力が等しくなる。このため、第１圧力計３２０は、チャンバ１００の圧力と同じく、１０Ｔｏｒｒを示す。この第１排気系の条件（第２の実施形態では第２排気系の条件も含む）を再現すれば、第１排気系の状態が正常であるならば、第１圧力計３２０は必ず同じ値を示す。   Here, the pressure of the chamber 100 is controlled to be, for example, 10 Torr. At this time, when the state of the first exhaust system is normal, the pressure of the substrate adsorption unit 220 and the pressure of the chamber 100 become equal. For this reason, the first pressure gauge 320 indicates 10 Torr, similar to the pressure in the chamber 100. If the conditions of the first exhaust system (including the conditions of the second exhaust system in the second embodiment) are reproduced, the first pressure gauge 320 will always have the same value if the state of the first exhaust system is normal. Indicates.

この第１排気系の状態が正常である場合に第１圧力計３２０が示す値を「第１圧力」として、予め、制御部７００に記憶させておく。また、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき第１排気系の条件も、予め、制御部７００に記憶させておく。第２の実施形態において、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件とは、第１排気系のバルブ４４０を開放し、バルブ４６０を閉じ、第２排気系のスロットルバルブ５００の開閉度を調整して、チャンバの圧力を１０Ｔｏｒｒになるように制御した状態のことである。   When the state of the first exhaust system is normal, the value indicated by the first pressure gauge 320 is stored in the control unit 700 in advance as the “first pressure”. Further, the conditions of the first exhaust system in which the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure are also stored in the control unit 700 in advance. In the second embodiment, the condition that the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure is that the valve 440 of the first exhaust system is opened, the valve 460 is closed, and the throttle valve 500 of the second exhaust system is opened and closed. This is a state in which the pressure is adjusted so that the pressure in the chamber becomes 10 Torr.

このように、ステージ２００上に基板１０を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件に制御する。第２の実施形態では、基板吸着部２２０の圧力とチャンバ１００の圧力が等しくなる条件に、第１排気系及び第２排気系を制御する。   As described above, before placing the substrate 10 on the stage 200, the first exhaust system is controlled to a predetermined condition and the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure. In the second embodiment, the first exhaust system and the second exhaust system are controlled under the condition that the pressure of the substrate adsorption unit 220 and the pressure of the chamber 100 are equal.

次いで、図４のｉ２からｉ３にかけて、上記した条件に第１排気系を制御するとともに、第１圧力計３２０により、基板吸着部２２０の実際の圧力を検知する（Ｓ１１０）。   Next, from i2 to i3 in FIG. 4, the first exhaust system is controlled under the above-described conditions, and the actual pressure of the substrate adsorption unit 220 is detected by the first pressure gauge 320 (S110).

次いで、第１圧力計３２０が検知した基板吸着部２２０の圧力に基づき、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲内であるか否かを判断する（Ｓ１２０）。このステップＳ１２０を、「第１圧力判定ステップ」とする。ここでの「第１圧力を含むように定められた第１規定範囲」は、具体的には、たとえば、７Ｔｏｒｒ以上１３Ｔｏｒｒ以下である。   Next, based on the pressure of the substrate suction portion 220 detected by the first pressure gauge 320, it is determined whether or not the pressure of the substrate suction portion 220 is within a first specified range that is defined to include the first pressure ( S120). This step S120 is referred to as a “first pressure determination step”. Specifically, the “first specified range determined to include the first pressure” is, for example, 7 Torr or more and 13 Torr or less.

第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、詳細に異常の原因を特定するには、第２圧力判定ステップ（Ｓ１６０）を行うことが必要である。   According to the second embodiment, an effect similar to that of the first embodiment can be obtained. In addition, in order to specify the cause of abnormality in detail, it is necessary to perform a 2nd pressure determination step (S160).

以上、二つの実施形態においては、ポンプ８００が１つである場合を説明したが、第１排気系と第２排気系とそれぞれが別々の排気手段に接続していてもよい。この場合、「予め定められた条件であり、基板吸着部２２０の圧力が第１圧力となるべき条件」にするには、第１排気系を制御するだけでよい。同様に、「チャンバ１００の圧力が第２圧力となるべき条件」についても、第２排気系を制御するだけでよい。   As described above, in the two embodiments, the case where there is one pump 800 has been described. However, the first exhaust system and the second exhaust system may be connected to different exhaust means. In this case, only the first exhaust system needs to be controlled in order to achieve “a predetermined condition and the condition where the pressure of the substrate adsorption unit 220 should be the first pressure”. Similarly, it is only necessary to control the second exhaust system for “the condition under which the pressure in the chamber 100 should be the second pressure”.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

１０ 基板
１００ チャンバ
２００ ステージ
２２０ 基板吸着部
３２０ 第１圧力計
３４０ 第２圧力計
４０２ 配管
４０４ 配管
４０５ 配管
４０６ 配管
４０８ 配管
４０９ バイパスライン
４２０ バルブ
４４０ バルブ
４６０ バルブ
４８０ バルブ
５００ スロットルバルブ
６２０ プロセスガス導入配管
６４０ シャワーヘッド
６６０ 裏面圧力制御用ガス導入配管
７００ 制御部
８００ ポンプ 10 Substrate 100 Chamber 200 Stage 220 Substrate adsorption part 320 First pressure gauge 340 Second pressure gauge 402 Pipe 404 Pipe 405 Pipe 406 Pipe 408 Pipe 409 Bypass line 420 Valve 440 Valve 460 Valve 480 Valve 500 Throttle valve 620 Process gas introduction pipe 640 Shower head 660 Back surface pressure control gas introduction pipe 700 Control unit 800 Pump

Claims (9)

チャンバ内に設けられ、基板を載置するためのステージと、
前記ステージ裏面に設けられた基板吸着部と、
前記基板吸着部に接続し、前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力計と、
前記基板吸着部に接続する第１排気系と、
前記チャンバに接続し、前記チャンバの圧力を検知する第２圧力計と、
前記チャンバに接続する第２排気系と、
前記第１排気系並びに前記第２排気系の制御、及び前記基板を搬送する制御を行う制御部と、
を備える真空装置の異常検出方法であって、
前記ステージ上に前記基板を載置する前に、前記第１排気系を、予め定められた条件であり、前記基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、前記第１圧力計により前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力検知ステップと、
前記第１圧力計が検知した前記基板吸着部の圧力に基づき、前記基板吸着部の圧力が前記第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させると判断し、前記第１規定範囲内である場合は、前記基板を搬送可能であると判断する第１圧力判定ステップと、
を備える真空装置の異常検出方法。 A stage provided in the chamber for mounting the substrate;
A substrate suction portion provided on the back surface of the stage;
A first pressure gauge connected to the substrate adsorption unit and detecting the pressure of the substrate adsorption unit;
A first exhaust system connected to the substrate adsorption unit;
A second pressure gauge connected to the chamber and detecting the pressure of the chamber;
A second exhaust system connected to the chamber;
A control unit that performs control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control of transporting the substrate;
An abnormality detection method for a vacuum apparatus comprising:
Before placing the substrate on the stage, the first exhaust system is controlled to a condition that is a predetermined condition, and the pressure of the substrate suction portion should be the first pressure, and the first A first pressure detection step of detecting the pressure of the substrate adsorption portion by a pressure gauge;
Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, an abnormality occurs when the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range that includes the first pressure. A first pressure determination step for determining that the apparatus is to be stopped and determining that the substrate can be transported if the apparatus is within the first specified range;
An abnormality detection method for a vacuum apparatus comprising: 請求項１に記載の真空装置の異常検出方法において、
前記第１圧力判定ステップにおいて、前記基板を搬送可能であると判断された後、前記基板を搬送する基板搬送ステップと、
前記ステージに前記基板が載置された状態で、前記第２排気系を、予め定められた条件であり、前記チャンバの圧力が第２圧力となるべき条件に制御するとともに、前記第２圧力計により前記チャンバの圧力を検知する第２圧力検知ステップと、
前記第２圧力計が検知した前記チャンバの圧力に基づき、前記チャンバの圧力が前記第２圧力を含むように定められた第２規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させると判断し、前記第２規定範囲内である場合は、所定の処理をすることが可能であると判断する第２圧力判定ステップと、
を備える真空装置の異常検出方法。 In the vacuum device abnormality detection method according to claim 1,
A substrate transfer step of transferring the substrate after it is determined that the substrate can be transferred in the first pressure determination step;
In the state where the substrate is placed on the stage, the second exhaust system is controlled to a predetermined condition, and the pressure of the chamber should be a second pressure, and the second pressure gauge A second pressure detecting step for detecting the pressure in the chamber by:
If the pressure in the chamber is out of the second specified range determined to include the second pressure based on the pressure in the chamber detected by the second pressure gauge, it is determined that an abnormality has occurred. A second pressure determination step for determining that a predetermined process can be performed if the pressure is within the second specified range;
An abnormality detection method for a vacuum apparatus comprising: 請求項１または２に記載の真空装置の異常検出方法において、
前記第１圧力検知ステップにおいて、前記チャンバの圧力を前記基板吸着部の圧力よりも所定の圧力だけ高くなる条件に、前記第１排気系及び前記第２排気系を制御して、前記基板吸着部の圧力を検知する真空装置の異常検出方法。 In the vacuum device abnormality detection method according to claim 1 or 2,
In the first pressure detecting step, the substrate suction unit is controlled by controlling the first exhaust system and the second exhaust system so that the pressure of the chamber is higher than the pressure of the substrate suction unit by a predetermined pressure. An abnormality detection method for a vacuum device that detects the pressure of the vacuum. 請求項１または２に記載の真空装置の異常検出方法において、
前記第１圧力検知ステップにおいて、前記基板吸着部の圧力と前記チャンバの圧力が等しくなる条件に、前記第１排気系及び前記第２排気系を制御して、前記基板吸着部の圧力を検知する真空装置の異常検出方法。 In the vacuum device abnormality detection method according to claim 1 or 2,
In the first pressure detecting step, the first exhaust system and the second exhaust system are controlled to detect the pressure of the substrate adsorption unit under the condition that the pressure of the substrate adsorption unit and the pressure of the chamber are equal. Vacuum device abnormality detection method. 請求項４に記載の真空装置の異常検出方法において、
前記第２排気系から前記チャンバを排気し、前記チャンバ側から前記基板吸着部を排気する真空装置の異常検出方法。 In the vacuum device abnormality detection method according to claim 4,
An abnormality detection method for a vacuum apparatus, wherein the chamber is evacuated from the second exhaust system and the substrate adsorption unit is evacuated from the chamber side. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の真空装置の異常検出方法において、
前記真空装置は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置またはドライエッチング装置である真空装置の異常検出方法。 In the vacuum device abnormality detection method according to any one of claims 1 to 5,
The vacuum apparatus is an abnormality detection method for a vacuum apparatus, which is a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus or a dry etching apparatus. チャンバ内に設けられ、基板を載置するためのステージと、
前記ステージ裏面に設けられた基板吸着部と、
前記基板吸着部に接続し、前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力計と、
前記基板吸着部に接続する第１排気系と、
前記チャンバに接続し、前記チャンバの圧力を検知する第２圧力計と、
前記チャンバに接続する第２排気系と、
前記第１排気系並びに前記第２排気系の制御、及び前記基板を搬送する制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記ステージ上に前記基板を載置する前に、前記第１排気系を、予め定められた条件であり、前記基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御し、
前記第１圧力計が検知した前記基板吸着部の圧力に基づき、前記基板吸着部の圧力が前記第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させ、前記第１規定範囲内である場合は、前記基板を搬送する真空装置。 A stage provided in the chamber for mounting the substrate;
A substrate suction portion provided on the back surface of the stage;
A first pressure gauge connected to the substrate adsorption unit and detecting the pressure of the substrate adsorption unit;
A first exhaust system connected to the substrate adsorption unit;
A second pressure gauge connected to the chamber and detecting the pressure of the chamber;
A second exhaust system connected to the chamber;
A control unit that performs control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control of transporting the substrate;
With
The controller is
Before placing the substrate on the stage, the first exhaust system is controlled in a predetermined condition, and the pressure of the substrate adsorption unit is controlled to be a first pressure,
Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, an abnormality occurs when the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range that includes the first pressure. A vacuum apparatus that stops the apparatus and transports the substrate when it is within the first specified range. 請求項７に記載の真空装置において、
前記基板吸着部に接続するガス導入系を備える真空装置。 The vacuum apparatus according to claim 7,
A vacuum apparatus comprising a gas introduction system connected to the substrate adsorption unit. チャンバ内に設けられ、基板を載置するためのステージと、
前記ステージ裏面に設けられた基板吸着部と、
前記基板吸着部に接続し、前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力計と、
前記基板吸着部に接続する第１排気系と、
前記チャンバに接続し、前記チャンバの圧力を検知する第２圧力計と、
前記チャンバに接続する第２排気系と、
前記第１排気系並びに前記第２排気系の制御、及び前記基板を搬送する制御を行う制御部と、
を備える真空装置の前記制御部として、コンピュータを機能させるプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記ステージ上に前記基板を載置する前に、前記第１排気系を、予め定められた条件であり、前記基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、前記第１圧力計により前記基板吸着部の圧力を検知する第１圧力検知機能と、
前記第１圧力計が検知した前記基板吸着部の圧力に基づき、前記基板吸着部の圧力が前記第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は、異常が発生しているとして装置を停止させると判断し、前記第１規定範囲内である場合は、前記基板を搬送可能であると判断する第１圧力判定機能と、
を実現させるプログラム。 A stage provided in the chamber for mounting the substrate;
A substrate suction portion provided on the back surface of the stage;
A first pressure gauge connected to the substrate adsorption unit and detecting the pressure of the substrate adsorption unit;
A first exhaust system connected to the substrate adsorption unit;
A second pressure gauge connected to the chamber and detecting the pressure of the chamber;
A second exhaust system connected to the chamber;
A control unit that performs control of the first exhaust system and the second exhaust system, and control of transporting the substrate;
A program for causing a computer to function as the control unit of the vacuum apparatus comprising:
In the computer,
Before placing the substrate on the stage, the first exhaust system is controlled to a condition that is a predetermined condition, and the pressure of the substrate suction portion should be the first pressure, and the first A first pressure detection function for detecting the pressure of the substrate adsorption portion with a pressure gauge;
Based on the pressure of the substrate suction portion detected by the first pressure gauge, an abnormality occurs when the pressure of the substrate suction portion is out of the first specified range that includes the first pressure. A first pressure determination function for determining that the apparatus is to be stopped, and determining that the substrate can be transported if within the first specified range;
A program that realizes

Images