JP2012178424A - エッチング液濃度管理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、エッチング液を循環させつつ基板に供給してエッチング処理をする場合に、エッチング液の特定成分の濃度を測定して正確な測定値に補正し、この補正測定値に基づいて適正量の特定成分の補充を行ってエッチング液の濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置を提供する。
【解決手段】エッチング液34の循環経路の途中でその一部をサンプリング液として取り出して導電率計58とpH計60へ導入し、導電率計58によってサンプリング液中の塩酸の濃度を常時測定して塩酸の濃度を求める一方、エッチング処理が所定時間経過する毎にまたは所定枚数の基板Wのエッチング処理が終了する毎に、pH計60によってサンプリング液中の塩酸の正確な濃度を測定して塩酸の濃度を求め、pH計60よる測定値によって導電率計58による測定値を補正し、この補正値に対応した適切な補充量の塩酸をエッチング液34に補充する。
【選択図】図1
【解決手段】エッチング液34の循環経路の途中でその一部をサンプリング液として取り出して導電率計58とpH計60へ導入し、導電率計58によってサンプリング液中の塩酸の濃度を常時測定して塩酸の濃度を求める一方、エッチング処理が所定時間経過する毎にまたは所定枚数の基板Wのエッチング処理が終了する毎に、pH計60によってサンプリング液中の塩酸の正確な濃度を測定して塩酸の濃度を求め、pH計60よる測定値によって導電率計58による測定値を補正し、この補正値に対応した適切な補充量の塩酸をエッチング液34に補充する。
【選択図】図1
Description
この発明は、太陽電池パネル製造プロセスにおける基板のエッチング処理を行う場合において、循環されながら使用されるエッチング液の濃度を測定しつつ濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置に関する。
太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、基板上に形成された金属膜、例えば酸化亜鉛(ZnO)膜をエッチング処理する場合には、一般的にエッチング液として塩酸(HCl)等の酸を含む混合溶液が使用され、そのエッチング液を循環させながら基板に対して供給する。このように、エッチング液が循環されながら使用されるため、基板の処理枚数が増えるに連れてエッチング液の組成が次第に変化して行き、塩酸の濃度が低下する。塩酸の濃度が低下するとエッチング特性が不安定になる。このため、エッチング液中の塩酸濃度を測定し、塩酸濃度が所定濃度を下回ったときには、エッチング液に塩酸を補充して濃度管理する必要がある。エッチング液中の塩酸濃度の測定には、pH計、導電率計やクロマトグラフィーを用いたり、また、電位差滴定により行われる(例えば、特許文献1第5頁、図1参照。)。
基板のエッチング処理において循環使用されるエッチング液中には、酸化亜鉛膜のエッチングに伴ってイオン化して溶出した酸化亜鉛成分が含まれ、その酸化亜鉛成分の含有濃度も変化する。このため、導電率計を用いてエッチング液中の塩酸濃度を測定する場合には、基板上からイオン化してエッチング液中に溶出した酸化亜鉛成分が導電率に影響し、エッチング液中の塩酸濃度を正確に測定することができない。ここで、太陽電池パネル以外の他の用途の基板のエッチング処理の場合には、真正の濃度からある程度乖離した測定値であってもあまり問題視されてこなかったが、太陽電池パネル製造プロセスにおける基板のエッチング処理に用いられるエッチング液の場合には、低い塩酸濃度のエッチング液が用いられるため、他の用途の基板のエッチング処理に比べより厳密な濃度管理が要求され、正確な濃度測定が必要となる、といった問題点がある。
また、pH計を用いる測定の場合においては、正確な測定結果を得ることはできるが、サンプリングしたエッチング液中に塩化カリウム(KCl)や水酸化ナトリウム(NaOH)を添加して中和するようにしているため、サンプリングしたエッチング液は常にドレインする必要があり、エッチング液の消費量の増大に繋がる、といった問題点がある。このエッチング液の消費量の増大という問題は、電位差滴定による測定の場合でも不可避であり、さらに電位差滴定による測定の場合には、濃度測定に要する時間が長いといった問題点や、高額な測定機器の導入によるコストの増大といった問題点がある。この測定時間の長さやコスト増大の問題点は、クロマトグラフィーによる測定の場合も同様である。
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、基板を1枚ずつ順次搬送しながら各基板に対しエッチング液を循環させつつ供給して基板をエッチング処理する場合において、エッチング液の特定成分の濃度を測定して正確な測定値に補正し、この補正測定値に基づいて適正量の特定成分の補充を行ってエッチング液の濃度管理を行うことができる濃度管理装置を提供することを目的とする。
請求項1に係る発明は、太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、基板を1枚ずつ順次搬送しながら各基板に対しエッチング液を循環させつつ供給して基板をエッチング処理するに際し、エッチング液の特定成分の濃度を測定しながら濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置において、エッチング液の循環経路を備え当該循環経路を通して前記基板に前記エッチング液を供給するエッチング液供給手段と、前記エッチング液の循環経路の途中で前記エッチング液の一部をサンプリング液として取り出す抽出手段と、前記抽出手段により取り出された前記サンプリング液の前記特定成分の濃度を常時測定して前記特定成分の第1濃度を求める第1測定手段と、前記抽出手段により取り出された前記サンプリング液の前記特性成分の濃度を測定して前記特定成分の第2濃度を求め、測定後のサンプリング液をドレインする第2測定手段と、前記特定成分を前記エッチング液供給手段に補充する特定成分補充手段と、前記第2測定手段による前記サンプリング液の測定を予め定めた頻度で間欠的に実行するように前記抽出手段を制御し、前記第1濃度を前記第2濃度によって補正して前記特定成分の濃度の補正値を求め、当該補正値に対応して予め定められた補充量の前記特定成分を前記エッチング液供給手段に補充するように前記特定成分補充手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載されたエッチング液濃度管理装置において、前記制御手段は、前記第2測定手段による測定を前記基板に対するエッチング処理が所定時間経過する毎にまたは所定枚数の前記基板のエッチング処理が終了する毎に実行するように前記抽出手段を制御することを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載されたエッチング液濃度管理装置において、前記第1測定手段は導電率計を備え、前記第2測定手段はpH計を備えることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載されたエッチング液濃度管理装置において、前記エッチング液の循環経路は、その内部において前記基板が搬送されながらエッチング処理が行なわれる処理槽と、当該処理槽に接続されたエッチング液の回収用配管と、当該回収用配管に接続されたエッチング液の回収タンクと、当該回収タンクに接続されたエッチング液供給用配管と、前記処理槽内に設けられ、前記エッチング液供給用配管に接続された複数の吐出ノズルと、によって構成されることを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項4に記載されたエッチング液濃度管理装置において、前記抽出手段は、前記エッチング液供給用配管から分岐した第1及び第2サンプリング用配管と、当該第2サンプリング用配管の途中に介挿されたバルブとを備え、前記第1サンプリング用配管は、前記回収タンクに流路接続されると共にその途中に前記導電率計が介設され、前記第2サンプリング用配管にはその流路方向に関して前記バルブより後段に前記pH計が介設されることを特徴とする。
請求項6に係る発明は、請求項4に記載されたエッチング液濃度管理装置において、前記特定成分補充手段は、所定濃度の前記特定成分を貯留する特定成分貯留ユニットと、前記特定成分を所定量貯留する秤量槽と、前記制御手段の制御に基づき、前記特定成分貯留ユニットに貯留された前記特定成分を前記秤量槽へ所定量供給して貯留させ、さらに当該秤量槽に貯留された前記特定成分を前記エッチング液回収用配管へ所定量供給する特定成分補給手段と、を備えたことを特徴とする。
請求項7に係る発明は、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載されたエッチング液濃度管理装置において、前記エッチング液の前記特定成分は塩酸であり、前記基板上に形成された酸化亜鉛膜が、前記エッチング液を用いてエッチング処理されることを特徴とする。
請求項1および請求項7に係る発明のエッチング液濃度管理装置では、他の用途の基板のエッチング処理に比べより厳密な濃度管理が要求され、正確な濃度測定が必要とされる太陽電池パネル製造プロセスにおける基板のエッチング処理の場合でも、エッチング液中の特定成分の濃度を高精度に測定し、エッチング処理に用いられるエッチング液に適切な量の特定成分を補充することができると共に、消費されるエッチング液の低減化を達成できる。
請求項2、請求項4および請求項5に係る発明のエッチング液濃度管理装置では、消費されるエッチング液の低減化を確実に図ることができる。
請求項3に係る発明のエッチング液濃度管理装置では、電位差滴定による測定や、クロマトグラフィーによる測定に比べ、低廉なコストでかつ迅速に測定を行うことができる。
請求項6に係る発明のエッチング液濃度管理装置では、エッチング液への適切な量の特定成分の補充を簡便に行うことができる。
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、この発明の最良の実施形態を示し、太陽電池パネル製造プロセスにおける基板のエッチング処理を行う場合において、循環されながら使用されるエッチング液の特定成分の濃度を測定しつつ濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置1の概略構成を示す模式図である。
このエッチング液濃度管理装置1は、エッチング処理部10を有する装置本体12と、エッチング液中の塩酸の濃度を測定し管理する濃度測定・管理部14とから構成されている。エッチング処理部10は、基板搬入口18および基板搬出口20を有する処理槽16、この処理槽16内へ搬入された基板Wを水平姿勢に支持して水平方向へ搬送する複数本の搬送ローラ22、および、搬送ローラ22によって搬送される基板Wの表面へエッチング液を供給する複数の吐出ノズル24を備えている。
処理槽16の底部には、エッチング液の回収用配管26が連通して接続されており、回収用配管26は回収タンク28に接続されている。回収タンク28の底部には、エッチング液の供給用配管30が連通して接続されている。供給用配管30にはエッチング液供給ポンプ32が介挿されており、供給用配管30は吐出ノズル24に流路接続されている。そして、基板処理部10では、基板Wを1枚ずつ順次搬送しながら、吐出ノズル24から基板Wの表面へエッチング液を供給し、基板W上に形成された例えば酸化亜鉛膜を所定量エッチングする。吐出ノズル24から基板Wの表面へ供給され基板W上から処理槽16の底部に流下したエッチング液、および、吐出ノズル24から吐出されてそのまま処理槽16の底部に流下したエッチング液は、処理槽16の底部から回収用配管26を通って回収タンク28内へ流れ回収される。回収タンク28内に貯留されたエッチング液34は、供給ポンプ32により供給用配管30を通って吐出ノズル24へ供給され、吐出ノズル24から吐出される。このようにして、エッチング液は、処理槽16の底部、回収用配管26、回収タンク28、供給用配管30および吐出ノズル24によって構成される循環経路を通って循環されつつ、処理槽16内で基板Wに対して供給される。
また、回収用配管26の途中には塩酸補充用配管36が連通して接続されている。塩酸補充用配管36にはバルブ38が介挿されており、塩酸補充用配管36は秤量槽40の底部に流路接続されている。秤量槽40には一定量、例えば500mlの塩酸が貯留できるように設計されており、秤量槽40の上部には塩酸補給用配管42が流路接続されている。塩酸補給用配管42は、三方弁66を介して塩酸供給用配管44に接続されており、塩酸供給用配管44は、所定濃度(wt%濃度)の塩酸を貯留する塩酸供給ユニット46に流路接続されている。さらに、塩酸供給用配管44には塩酸供給用ポンプ48が介挿されると共に、回収タンク28に接続されている初期調合用配管50が三方弁66を介して接続されている。
そして、コントローラ64から塩酸供給用ポンプ48へ制御信号を送信することにより塩酸供給用ポンプ48を作動させると共に、塩酸供給用配管44が初期調合用配管50と塩酸補給用配管42に分岐する箇所に介挿されている三方弁66へ制御信号を送信して塩酸供給用配管44と初期調合用配管50を連通させることによって、所定濃度の塩酸が塩酸供給ユニット46から塩酸供給用配管44へ導出され、初期調合用配管50を通って回収タンク28へ供給される。また、コントローラ64から三方弁66へ制御信号を送信して塩酸供給用配管44と塩酸補給用配管42とを連通させることによって、塩酸は、塩酸補給用配管42を通って秤量槽40へ供給されて所定量貯留される。そして、秤量槽40に所定量貯留された塩酸は、コントローラ64から送信される制御信号によりバルブ38が開放されると、塩酸補充用配管36および回収用配管26を介して回収タンク28へ所定量供給される構成となっている。
処理槽16には、純水供給源(図示せず)に接続された純水供給用配管52が連通接続されており、コントローラ64から送信される制御信号により純水供給源から純水供給用配管52を通して処理槽16内へ純水が供給され、供給された純水は、処理槽16の底部から回収用配管26を通って回収タンク28内へ流下する。
供給用配管30には、その途中で分岐したサンプリング用配管54、56が設けられている。サンプリング用配管54は回収タンク28の上部に流路接続されており、その途中には導電率計58が介設されている。回収タンク28から吐出ノズル24に向かって供給用配管30内を流れるエッチング液の一部がサンプリング液として取り出され、サンプリング用配管54を介して導電率計58へ導入される。こうして、サンプリング液は導電率計58によって液中の塩酸濃度が常時測定され、測定値はコントローラ64へ送信される。測定後のサンプリング液はサンプリング用配管54を通って回収タンク28に回収された後、再び供給用配管30へ導出されて有効活用される。他方、サンプリング用配管56には、pH計60が介設されさらにその途中にはバルブ62が介挿されている。バルブ62は、予め定めた頻度で間欠的に、すなわち基板Wを所定枚数、例えば10枚エッチング処理する毎に、または、エッチング処理が所定時間、例えば30分経過する毎に、コントローラ64から送信される制御信号により一定時間開放される。このバルブ62の間欠的な開放により、回収タンク28からノズル24へ向けて供給用配管30内を流れるエッチング液の一部がサンプリング液として取り出され、サンプリング用配管56を介してpH計60へ導入される。こうして、pH計60によってエッチング液34中の塩酸濃度が測定され、測定値はコントローラ64へ送信される。測定後のサンプリング液はサンプリング用配管56を通って廃液(ドレイン)される。
以上のような構成を備えたエッチング液濃度管理装置1により基板Wのエッチング処理を行うに際しては、まず、コントローラ64からの制御信号により純水が純水供給源から純水供給用配管52を通って処理槽16内へ供給され、処理槽16の底部から回収用配管26を通って回収タンク28内へ流下する。この純水供給と平行して、コントローラ64から塩酸供給用ポンプ48と三方弁66へ送信される制御信号により、塩酸供給用ポンプ48が作動すると共に塩酸供給用配管44と初期調合用配管50が連通する。これにより、所定濃度の塩酸が供給ユニット46から塩酸供給用配管44へ導出され、初期調合用配管50を通って回収タンク28へ供給される。
その後、予め設定された時間経過後に回収タンク28内で純水と塩酸が調合されて所定濃度の塩酸を含有するエッチング液34が生成されると、コントローラ64から純水供給源へ制御信号が送信されて純水の供給が停止されると共に、三方弁66へ制御信号が送信されて三方弁66の流路が切り換わる。そうすると、塩酸供給用配管44と塩酸補給用配管42とが連通し、塩酸供給ユニット46に貯留された塩酸が、塩酸供給用配管44および塩酸補給用配管42を通って秤量槽40へ供給されて貯留される。秤量槽40には図示しない液面センサーが備えられており、塩酸の貯留量が一定レベルに達するとコントローラ64へ信号を送信する。コントローラ64はこの信号を受信すると、塩酸供給用ポンプ48へ制御信号を送信してその稼働を停止して塩酸の供給を停止する。そして、コントローラ64からエッチング液供給ポンプ32へ制御信号が送信されてエッチング液供給ポンプ32が作動し、回収タンク28内に貯留されているエッチング液34が供給用配管30を通って吐出ノズル24へ供給される。エッチング液34の吐出ノズル24からの吐出が開始されると、同時に供給用配管30内を流れるエッチング液の一部がサンプリング液として取り出されてサンプリング用配管54を介して導電率計58へ導入されて、導電率計58によるサンプリング液中の塩酸濃度の測定が開始される。その後、所定時間(アイドリング時間)、処理槽16の底部、回収用配管26、回収タンク28、供給用配管30および吐出ノズル24によって構成される循環経路へのエッチング液の供給が継続される。このアイドリング時間中も、エッチング液34中の水分蒸発に起因する塩酸濃度の上昇等の塩酸濃度の変化が導電率計58による測定によって監視される。
所定時間経過後(所定アイドリング時間経過後)、基板搬入口18から処理槽16内へ基板Wが1枚ずつ順次搬送され、搬送ローラ22により搬送される基板Wの表面へ吐出ノズル24からエッチング液34が供給されて、例えば基板W上に成膜された酸化亜鉛膜が所定量エッチングされる。吐出ノズル24から基板Wの表面へ供給され基板W上から処理槽16の底部に流下したエッチング液34、および、吐出ノズル24から吐出されてそのまま処理槽16の底部に流下したエッチング液34は、処理槽16の底部から回収用配管26を通って回収タンク28内へ流れ回収される。回収タンク28内に貯留されたエッチング液34は、供給ポンプ32により供給用配管30を通って吐出ノズル24へ供給され、吐出ノズル24から吐出される。このようにして、エッチング液34は、処理槽16の底部、回収用配管26、回収タンク28、供給用配管30および吐出ノズル24を通して循環しつつ、処理槽16内で基板Wに対して供給される。エッチング処理が終わった基板Wは基板搬出口20から1枚ずつ順次搬出される。
エッチング液供給ポンプ32の作動による吐出ノズル24へのエッチング液34の供給開始と同時に、サンプリング用配管54内を流れるエッチング液34のサンプリング液中の塩酸(HCl)の濃度の導電率計58による測定が開始される。一方、基板Wが所定枚数、例えば10枚エッチング処理される毎に、または、エッチング処理が所定時間、例えば30分経過する毎に、コントローラ64からはバルブ62へ間欠的に制御信号が送信されてバルブ62が短時間、例えば10秒間だけ開放され、サンプリング用配管56を介してpH計60へ導入されたサンプリング液中の塩酸濃度がpH計60によって測定される。pH計60による測定値は、コントローラ64へ送信される。
ここで、上記のとおり、循環使用されるエッチング液34中には、酸化亜鉛膜のエッチングに伴ってイオン化して溶出した酸化亜鉛(ZnO)成分が含まれる。そして、導電率計58を用いてエッチング液34中の塩酸濃度を測定する場合には、この酸化亜鉛成分が導電率に影響を及ぼすため、エッチング液34中の塩酸濃度を正確に測定することができない。他方、pH計を用いる測定の場合においては正確な測定結果を得ることができる。
図2は、エッチング液34中の酸化亜鉛成分の濃度と塩酸の濃度との関係を示すグラフであり、縦軸はエッチング液34中の塩酸の濃度(wt%)を示し、横軸は酸化亜鉛成分の濃度(ppm)を示している。図2中、直線は導電率計による測定値を示し、黒丸のプロットはpH計による測定値を示している。図2から明らかなように、エッチング処理の進行に伴ってエッチング液34中の酸化亜鉛成分濃度(ppm)が増加するに連れて、導電率計58による塩酸濃度(wt%)の測定値とpH計60による測定値とは漸次乖離している。
そこで、コントローラ64では導電率計58から常時送信される測定値を、予め定めた頻度で間欠的に、すなわち、所定エッチング処理時間経過毎に又は基板Wのエッチング処理が所定枚数だけ終了する毎に、pH計60から送信されてくる測定値によって補正して正確な濃度値を得る。
表1は、図2のグラフに対応する数値を示したものであり、この補正の内容の一例を示すものである。表1中、導電率計に関する列の数値は、常時測定されて得られたエッチング液34中の塩酸濃度値の中から、酸化亜鉛濃度についておよそ200ppm毎に抽出した測定値であり、pH計に関する列の数値は、そのように抽出された導電率計による測定値の取得時に同時に測定されたpH計による測定値である。例えば表1中6行目の導電率計58による塩酸濃度の測定値が0.4780wt%の場合には、pH計60による測定値は0.4589wt%を示しており、前者の測定値を後者の測定値に補正する。
コントローラ64では、この補正された正確な濃度値に対応して回収タンク28へ補充すべき塩酸の補充量についてのデータが予め蓄積されている。そして、バルブ38へ制御信号を送信しバルブ38を開放することによって、秤量槽40から予め設定されている補充量の塩酸を、塩酸補充用配管36および回収用配管26を介して回収タンク28へ補充する。秤量槽40に貯留された塩酸の貯留量が所定レベルまで低下すると、液面センサーからコントローラ64へ信号が送信される。コントローラ64は、この信号を受信すると塩酸供給用ポンプ48へ制御信号を送信して塩酸供給用ポンプ48を作動させると共に、三方弁66へ制御信号を送信しする。そして、三方弁66により流路が切り換ると、塩酸供給ユニット46から塩酸が塩酸供給用配管44および塩酸補給用配管42を通って秤量槽40へ供給される。こうして、秤量槽40には、所定量の塩酸が貯留される。
上述したように、本実施形態に係るエッチング液濃度管理装置1では、導電率計58により常時測定したエッチング液34中の塩酸の濃度値を、pH計60により予め定めた頻度で間欠的に、すなわち所定エッチング処理時間経過毎にまたは基板Wの所定エッチング処理枚数毎に、短時間で測定した濃度値によって補正して正確な測定値を求めて、この正確な補正値に基づき適切な量の塩酸の補充を簡便に行っている。したがって、導電率計のみを用いてエッチング液中の塩酸濃度を測定する場合と異なり、エッチング液中に溶出して含まれる酸化亜鉛成分が導電率に影響を及ぼして導電率計による測定値が実際の濃度値から乖離しても、pH計による間欠的な測定で得た正確な濃度値に補正することにより、高精度の濃度測定ができる。
また、pH計のみを用いてエッチング液中の塩酸濃度を測定する場合と異なり、エッチング液34から取り出されたサンプリング液を常時ドレインする必要は無く、間欠的な測定時のみにドレインするだけでよい。このため、エッチング液の消費量の低減を図ることができる。
以上、本発明の最良の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、さらに様々な変形が可能である。
例えば、上述の実施形態では、エッチング液中の塩酸成分を濃度測定の対象としているが、エッチング除去の対象に応じて使用されるエッチング液の成分により他の成分、例えばKOH等のアルカリ成分を濃度測定の対象としてもよい。また、エッチング処理される基板Wは処理槽内16を水平搬送されるが、基板を水平面に対し基板搬送方向と直交する方向に所定角度傾斜させた姿勢で搬送しつつ、エッチング液を基板の表面に対して吐出することによりエッチング処理を行うものに適用してもよい。
さらに、上述の実施形態では、エッチング液34の生成上の混合度の促進目的から、純水供給用配管52を処理槽16へ接続し純水供給用配管52から処理槽16内へ供給された純水が処理槽16の底部から回収用配管26を通って回収タンク28内へ流下するように構成され、かつ、塩酸補充用配管36が回収用配管26の途中に連通して接続され、塩酸補充用配管36から回収用配管26を介して塩酸が回収タンク28へ補充されるように構成されているが、純水供給用配管52および塩酸補充用配管36を直接回収タンク28に接続して純水および塩酸を直接回収タンク28へ供給する構成としてもよい。
1 エッチング液濃度管理装置
10 エッチング処理部
12 装置本体
14 濃度測定・管理部
16 処理槽
18 基板搬入口
20 基板搬出口
22 搬送ローラ
24 吐出ノズル
26 回収用配管
28 回収タンク
30 供給用配管30
32 エッチング液供給ポンプ
34 エッチング液
36 塩酸補充用配管
38、62 バルブ
40 秤量槽
42 塩酸補給用配管
44 塩酸供給用配管
46 塩酸供給ユニット
48 塩酸供給用ポンプ
50 初期調合用配管
52 純水供給用配管
54、56 サンプリング用配管
58 導電率計
60 pH計
64 コントローラ
66 三方弁
W 基板
10 エッチング処理部
12 装置本体
14 濃度測定・管理部
16 処理槽
18 基板搬入口
20 基板搬出口
22 搬送ローラ
24 吐出ノズル
26 回収用配管
28 回収タンク
30 供給用配管30
32 エッチング液供給ポンプ
34 エッチング液
36 塩酸補充用配管
38、62 バルブ
40 秤量槽
42 塩酸補給用配管
44 塩酸供給用配管
46 塩酸供給ユニット
48 塩酸供給用ポンプ
50 初期調合用配管
52 純水供給用配管
54、56 サンプリング用配管
58 導電率計
60 pH計
64 コントローラ
66 三方弁
W 基板
Claims (7)
- 太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、基板を1枚ずつ順次搬送しながら各基板に対しエッチング液を循環させつつ供給して基板をエッチング処理するに際し、エッチング液の特定成分の濃度を測定しながら濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置において、
エッチング液の循環経路を備え当該循環経路を通して前記基板に前記エッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記エッチング液の循環経路の途中で前記エッチング液の一部をサンプリング液として取り出す抽出手段と、
前記抽出手段により取り出された前記サンプリング液の前記特定成分の濃度を常時測定して前記特定成分の第1濃度を求める第1測定手段と、
前記抽出手段により取り出された前記サンプリング液の前記特性成分の濃度を測定して前記特定成分の第2濃度を求め、測定後のサンプリング液をドレインする第2測定手段と、
前記特定成分を前記エッチング液供給手段に補充する特定成分補充手段と、
前記第2測定手段による前記サンプリング液の測定を予め定めた頻度で間欠的に実行するように前記抽出手段を制御し、前記第1濃度を前記第2濃度によって補正して前記特定成分の濃度の補正値を求め、当該補正値に対応して予め定められた補充量の前記特定成分を前記エッチング液供給手段に補充するように前記特定成分補充手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング液濃度管理装置。 - 請求項1に記載されたエッチング液濃度管理装置において、
前記制御手段は、前記第2測定手段による測定を前記基板に対するエッチング処理が所定時間経過する毎にまたは所定枚数の前記基板のエッチング処理が終了する毎に実行するように前記抽出手段を制御することを特徴とするエッチング液濃度管理装置。 - 請求項1または請求項2に記載されたエッチング液濃度管理装置において、
前記第1測定手段は導電率計を備え、前記第2測定手段はpH計を備えることを特徴とするエッチング液濃度管理装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載されたエッチング液濃度管理装置において、
前記エッチング液の循環経路は、その内部において前記基板が搬送されながらエッチング処理が行なわれる処理槽と、当該処理槽に接続されたエッチング液の回収用配管と、当該回収用配管に接続されたエッチング液の回収タンクと、当該回収タンクに接続されたエッチング液供給用配管と、前記処理槽内に設けられ、前記エッチング液供給用配管に接続された複数の吐出ノズルと、によって構成されることを特徴とするエッチング液濃度管理装置。 - 請求項4に記載されたエッチング液濃度管理装置において、
前記抽出手段は、前記エッチング液供給用配管から分岐した第1及び第2サンプリング用配管と、当該第2サンプリング用配管の途中に介挿されたバルブとを備え、前記第1サンプリング用配管は、前記回収タンクに流路接続されると共にその途中に前記導電率計が介設され、前記第2サンプリング用配管にはその流路方向に関して前記バルブより後段に前記pH計が介設されることを特徴とするエッチング液濃度管理装置。 - 請求項4に記載されたエッチング液濃度管理装置において、
前記特定成分補充手段は、所定濃度の前記特定成分を貯留する特定成分貯留ユニットと、前記特定成分を所定量貯留する秤量槽と、前記制御手段の制御に基づき、前記特定成分貯留ユニットに貯留された前記特定成分を前記秤量槽へ所定量供給して貯留させ、さらに当該秤量槽に貯留された前記特定成分を前記エッチング液回収用配管へ所定量供給する特定成分補給手段と、を備えたことを特徴とするエッチング液濃度管理装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載されたエッチング液濃度管理装置において、
前記エッチング液の前記特定成分は塩酸であり、前記基板上に形成された酸化亜鉛膜が、前記エッチング液を用いてエッチング処理されることを特徴とするエッチング液濃度管理装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104835757A (zh) * | 2014-02-06 | 2015-08-12 | 台积太阳能股份有限公司 | 用于监控制造太阳能电池的工艺的装置和方法 |
JP2017050378A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 |
WO2020217769A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法、構造体の製造装置および中間構造体 |
JP2020184606A (ja) * | 2019-08-14 | 2020-11-12 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体 |
WO2022074814A1 (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | 三菱重工業株式会社 | 分析システム及び管理システム、並びに分析方法、並びに分析プログラム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04122090A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Nec Corp | エッチング液管理装置 |
JPH0674931A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-03-18 | Tokico Ltd | 自動液管理システム |
JP2001324489A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液中の酸濃度の測定方法および金属被処理物の処理装置 |
JP2002334865A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Casio Comput Co Ltd | 薬液処理装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2003295740A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-15 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
JP2003298090A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Sharp Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP2006013158A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nagase & Co Ltd | 酸性エッチング液再生方法及び酸性エッチング液再生装置 |
-
2011
- 2011-02-25 JP JP2011040058A patent/JP2012178424A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04122090A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Nec Corp | エッチング液管理装置 |
JPH0674931A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-03-18 | Tokico Ltd | 自動液管理システム |
JP2001324489A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液中の酸濃度の測定方法および金属被処理物の処理装置 |
JP2002334865A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Casio Comput Co Ltd | 薬液処理装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2003298090A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Sharp Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP2003295740A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-15 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
JP2006013158A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nagase & Co Ltd | 酸性エッチング液再生方法及び酸性エッチング液再生装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104835757A (zh) * | 2014-02-06 | 2015-08-12 | 台积太阳能股份有限公司 | 用于监控制造太阳能电池的工艺的装置和方法 |
JP2017050378A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 |
US10224209B2 (en) | 2015-09-01 | 2019-03-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method, article manufacturing method, and etching apparatus |
WO2020217769A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法、構造体の製造装置および中間構造体 |
US11342191B2 (en) | 2019-04-26 | 2022-05-24 | Sciocs Company Limited | Structure manufacturing method, structure manufacturing apparatus and intermediate structure |
JP2020184606A (ja) * | 2019-08-14 | 2020-11-12 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体 |
WO2022074814A1 (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | 三菱重工業株式会社 | 分析システム及び管理システム、並びに分析方法、並びに分析プログラム |
JP7451751B2 (ja) | 2020-10-09 | 2024-03-18 | 三菱重工業株式会社 | 分析システム及び管理システム、並びに分析方法、並びに分析プログラム |
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