JP2012174955A - 圧電アクチュエータ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶シリコン基板1、酸化シリコン層2、TiOx密着層3’、Pt下部電極層4、PZT圧電体層5及びPt上部電極層6を積層して圧電アクチュエータを構成する。TiOx密着層3’のTiOxの組成比xは0<x<2であり、つまり、TiOx密着層3’はTiを不完全に酸化させて成膜する。密着層3’による絶縁層2と下部電極層4との結合を確保できると共に、Ti成分、Pt成分及びPb成分の拡散が抑制されるので、下部電極層4、密着層3’及び絶縁層2の境界を明瞭にすることができる。
【選択図】図1
Description
ウェハ内 ±16%
ロット内 ±21%
であったのに対し、上述の実施の形態においては、
ウェハ内 ±3%
ロット内 ±3%
と著しく向上が見られた。
2:酸化シリコン層
3:Ti密着層
3’:TiOx密着層
4:Pt下部電極層
5:PZT圧電体層
6:Pt上部電極層
1201:真空チャンバ
1202−1:Pb蒸発源
1202−2:Zr蒸発源
1202−3:Ti蒸発源
1202−1S、1202−2S、1202−3S:蒸気量センサ
1203:ヒータ付ウェハ回転ホルダ
1203a:ウェハ
1204:圧力勾配型プラズマガン
1205:O2ガス導入口
1206:排気口
Claims (3)
- 基板と、
該基板上に設けられた絶縁層と、
該絶縁層上に設けられたTiOx(0≦x≦2)よりなる密着層と、
該密着層上に設けられた白金よりなる下部電極層と、
該Pt下部電極層上に設けられたPZTよりなる圧電体層と
を具備し、
該密着層のTiOxの組成比xは該絶縁層側が圧電体側よりも大きくなる勾配を有する圧電アクチュエータ。 - 絶縁層を有する基板上にTiOx(0≦x≦2)よりなる密着層を形成する密着層形成工程と、
該密着層上に白金よりなる下部電極層を形成する下部電極層形成工程と、
蒸着法により前記下部電極層上にPbZryTi1-yO3よりなるPZT圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、
を具備し、前記密着層形成工程は酸素流量を成長開始時から成長終了時まで減少させながら酸素ガス中で行われるスパッタリング工程である圧電アクチュエータの製造方法。 - さらに、前記圧電体層形成工程の前に、前記基板、前記密着層及び前記下部電極層を酸素雰囲気で加熱する酸素雰囲気下加熱処理工程を具備する請求項2に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
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