JP2012174763A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に係り、特に、基板処理装置を構成する部品の電源ＯＦＦ(シャットダウン)操作に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a power-off (shutdown) operation of components constituting the substrate processing apparatus.
基板処理装置の一種である半導体製造装置は、基板を収納した基板収容器としてのキャリアが載置されるキャリア載置台と、基板を処理する処理室と、キャリア載置台にあるキャリア内の基板を処理室までに搬送する搬送手段を備えた搬送室とで少なくとも構成されている。このような半導体製造装置には、例えば、マイクロ波を利用して基板に所定の処理(例えば、アニール処理)を行う装置が知られている。 A semiconductor manufacturing apparatus, which is a kind of substrate processing apparatus, includes a carrier mounting table on which a carrier as a substrate container that stores a substrate is mounted, a processing chamber for processing the substrate, and a substrate in the carrier on the carrier mounting table. It is comprised at least by the conveyance chamber provided with the conveyance means conveyed to a process chamber. As such a semiconductor manufacturing apparatus, for example, an apparatus that performs a predetermined process (for example, an annealing process) on a substrate using a microwave is known.
また、半導体製造装置は、基板への所定の処理が終了し、メンテナンスを行うなど非稼動状態が長くなる場合、安全の為に、この半導体製造装置を構成する各部品が通常シャットダウン(電源ＯＦＦ)される。この半導体製造装置を構成する代表的な部品として、マイクロ波を基板に供給するマイクロ波加熱装置が挙げられる。例えば、マイクロ波加熱装置についても同様にシャットダウン(電源ＯＦＦ)される。 In addition, when a non-operating state becomes long, such as when a predetermined processing on a substrate is completed and maintenance is performed, the semiconductor manufacturing apparatus normally shuts down (power off) each component constituting the semiconductor manufacturing apparatus for safety. Is done. As a typical part constituting this semiconductor manufacturing apparatus, there is a microwave heating apparatus that supplies a microwave to a substrate. For example, the microwave heating apparatus is similarly shut down (power off).
しかしながら、半導体製造装置を構成する部品は多数あり、全てを単にシャットダウン(電源ＯＦＦ)すると悪影響を受ける部品（以後、特殊部品と称す）も含まれる。上記のマイクロ波加熱装置であれば、マイクロ波を増幅するために使用される部品に影響がある。この部品である一例として進行波管（ＴＷＴ；Ｔｒａｖｅｌｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｔｕｂｅ）がある。尚、この部品(デバイス)についての詳細は、特許文献１にて既に公知であるので詳細説明は省略する。 However, there are many parts constituting the semiconductor manufacturing apparatus, and parts that are adversely affected when all of them are simply shut down (power off) (hereinafter referred to as special parts) are also included. If it is said microwave heating apparatus, it will affect the components used in order to amplify a microwave. An example of this part is a traveling wave tube (TWT). The details of this component (device) are already known in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-133830, and detailed description thereof is omitted.
そこで、本発明の目的は、特殊部品(例えば、ＴＷＴデバイス)に影響を与えないように安全な操作の立下げ(シャットダウン操作)を促す機能を備えた基板処理装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a function of prompting a safe operation to be stopped (shutdown operation) so as not to affect special parts (for example, a TWT device).
本発明の基板処理装置は、基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部が、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段を所定の画面に表示するよう構成される。 The substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus comprising at least an operation unit including a display unit for receiving a predetermined instruction to each component including a microwave generation mechanism for irradiating a substrate with microwaves, The display unit includes a first stop unit that stops power to the operation unit, a second stop unit that stops the microwave generation mechanism, and a connection state between the operation unit and the microwave generation mechanism. The means for indicating is configured to be displayed on a predetermined screen.
本発明によれば、基板処理装置を構成する部品のうち特殊部品の使用に際し、安全に装置停止処理を行うことができる。 According to the present invention, when a special part is used among the parts constituting the substrate processing apparatus, the apparatus stop process can be safely performed.
まず、図１を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１を説明する。尚、図１は、基板処理装置１を上から見たときの構成概略図である。本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、半導体を製造するために予め定められた処理を実行する半導体製造装置として構成されている。以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、可変のマイクロ波（ＶＦＭ；Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ）を利用する基板処理装置であるとして説明する。 First, the substrate processing apparatus 1 which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated using FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram when the substrate processing apparatus 1 is viewed from above. A substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that executes a predetermined process for manufacturing a semiconductor. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1 which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated as a substrate processing apparatus using a variable microwave (VFM; Variable Frequency Microwave).
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、少なくとも、基板(ウェハ)に予め定められた所定の処理を施すプロセスモジュール（ＰＭ；Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｍｏｄｕｌｅ）１０と、ウェハが搬送される搬送室としてのフロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ；Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）２０と、ウェハが収納された基板収容器（例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｌｅｄ Ｐｏｄ）。以下「ポッド」と記載）を装置外部の搬送装置と受渡しする基板載置台としてのロードポート（ＬＰ；Ｌｏａｄ Ｐｏｒｔ）３０とで少なくとも構成される。プロセスモジュール１０及びロードポート３０は、少なくとも１つ設けられる。ここでは、プロセスモジュール１０及びロードポート３０が３つずつ設けられているが、この構成は、一例であって、本発明の構成は、この構成に限定されない。また、後述する制御手段としてのコントローラは、所定のファイルを実行することにより、搬送手段としての搬送ロボット２０２を制御することにより、これらプロセスモジュール１０、フロントエンドモジュール２０、ポッド間におけるウェハの搬送を実現させる。また、コントローラは、所定のファイルを実行することにより、プロセスモジュール１０を構成する各種機構を制御して、プロセスモジュール１０内における基板の処理を実現させる。 A substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes at least a process module (PM) 10 that performs predetermined processing on a substrate (wafer), and a transfer chamber in which a wafer is transferred. A front-end module (EFEM; Equipment Front End Module) 20 and a substrate container (for example, FOUP (Front-Opening Unified Pod), hereinafter referred to as a “pod”) in which a wafer is stored are delivered to a transfer device outside the apparatus. It comprises at least a load port (LP) 30 as a substrate mounting table. At least one process module 10 and load port 30 are provided. Here, three process modules 10 and three load ports 30 are provided, but this configuration is an example, and the configuration of the present invention is not limited to this configuration. Further, a controller as a control means, which will be described later, controls a transfer robot 202 as a transfer means by executing a predetermined file, thereby transferring wafers between the process module 10, the front end module 20, and the pods. make it happen. In addition, the controller executes various files to control various mechanisms constituting the process module 10 to realize the processing of the substrate in the process module 10.
[プロセスモジュール１０]
プロセスモジュール１０は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相成長）及びＡＬＤ(Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子層堆積)等による成膜、又はアッシング、エッチング及び膜質改善などのような処理をウェハに実施する。また、プロセスモジュール１０は、ウェハの処理方式に合わせて、マイクロ波発生機構、ガス供給機構、ガス排気機構及び温度制御機構などの機構を備える。プロセスモジュール１０は、ゲートバルブＧＶ(Ｇａｔｅ Ｖａｌｖｅ）を介して、フロントエンドモジュール２０と連通可能になっている。
[フロントエンドモジュール２０]
また、フロントエンドモジュール２０は、ウェハを搬送する搬送機構としての搬送ロボット２０２を備える。搬送ロボット２０２は、ウェハを保持する基板保持部としてのアームを上下に１つずつ備えており、このアームの先に、ウェハを載せ、各プロセスモジュール１０に対して搬入すると共に、各プロセスモジュール１０から搬出することができるよう構成されている。尚、フロントエンドモジュール２０内は、大気圧でウェハ搬送が行われる。フロントエンドモジュール２０は、シャッタ３００を介して、ロードポート３０と連通可能となっている。
[ロードポート３０]
容器載置台としてのロードポート３０は、基板収容器としてのポッドが載置される複数の載置台が設けられている。図１に示すように、ロードポート３０は、プロセスモジュール１０（ＰＭ）と同じ数だけ設けられているが、ロードポート３０をいくつ設けるかは、ウェハ搬送方式によって異なる。具体的には、振分方式によってウェハを搬送する場合には、ロードポート３０は少なくとも１つ設けられればよく、並列方式によってウェハを搬送する場合には、搬送先を記述した搬送レシピなどに応じて予め定められた数のロードポート３０が少なくとも設けられる。
[Process module 10]
The process module 10 performs processes such as film formation by CVD (Chemical Vapor Deposition) and ALD (Atomic Layer Deposition) or ashing, etching, and film quality improvement on the wafer. Further, the process module 10 includes mechanisms such as a microwave generation mechanism, a gas supply mechanism, a gas exhaust mechanism, and a temperature control mechanism in accordance with the wafer processing method. The process module 10 can communicate with the front end module 20 via a gate valve GV (Gate Valve).
[Front-end module 20]
Further, the front end module 20 includes a transfer robot 202 as a transfer mechanism for transferring a wafer. The transfer robot 202 includes one upper and lower arm as a substrate holding unit for holding a wafer. The wafer is placed on the tip of the arm and loaded into each process module 10. It is comprised so that it can carry out from. In the front end module 20, wafer transfer is performed at atmospheric pressure. The front end module 20 can communicate with the load port 30 via the shutter 300.
[Load port 30]
The load port 30 as a container mounting table is provided with a plurality of mounting tables on which pods as substrate containers are mounted. As shown in FIG. 1, the same number of load ports 30 as the process modules 10 (PM) are provided. However, how many load ports 30 are provided differs depending on the wafer transfer method. Specifically, when a wafer is transferred by the distribution method, it is sufficient that at least one load port 30 is provided. When a wafer is transferred by the parallel method, the transfer port according to a transfer recipe describing the transfer destination is used. A predetermined number of load ports 30 are provided.
以下、図２を用いて、図１のプロセスモジュール１０についてさらに説明する。図２は、図１のプロセスモジュール１０の垂直断面図である。図３に示すように、プロセスモジュール１０は、処理室１００に、マイクロ波発生機構、ガス供給機構、ガス排出機構及びウェハ搬送機構が備えられた構成となっている。後述するように、制御手段としての装置コントローラ８０は、これら温度制御機構、マイクロ波発生機構、ガス供給機構、ガス排出機構、ウェハ搬送機構のそれぞれと電気的に接続されており、各機構を制御するように構成されている。 Hereinafter, the process module 10 of FIG. 1 will be further described with reference to FIG. FIG. 2 is a vertical sectional view of the process module 10 of FIG. As shown in FIG. 3, the process module 10 has a configuration in which a processing chamber 100 includes a microwave generation mechanism, a gas supply mechanism, a gas discharge mechanism, and a wafer transfer mechanism. As will be described later, the device controller 80 as a control means is electrically connected to each of the temperature control mechanism, the microwave generation mechanism, the gas supply mechanism, the gas discharge mechanism, and the wafer transfer mechanism, and controls each mechanism. Is configured to do.
[処理室１００]
処理室１００を形成する処理容器１８０は、例えば、アルミニウム(Ａｌ)やステンレス（ＳＵＳ）など金属材料により構成されており、処理室１００と外部とをマイクロ波的に遮蔽する構造となっている。処理室１００内には、基板としてのウェハ１１を支持する基板保持部としての基板支持ピン１３が設けられている。基板支持ピン１３は、例えば、石英またはテフロン(登録商標)等からなる複数の(本実施形態においては２本)で構成され、その上端でウェハ１１を支持する。ウェハの下方であって基板支持ピン１３の下部には、導電性の基板支持台が設けられている。基板支持台は、例えばアルミニウムなどの導体である金属材料により構成されている。基板支持台は、上面から見た形がウェハ１１の外径よりも大きい円形で、円盤状又は円柱状に形成されている。
[Processing chamber 100]
The processing container 180 forming the processing chamber 100 is made of, for example, a metal material such as aluminum (Al) or stainless steel (SUS), and has a structure that shields the processing chamber 100 from the outside in a microwave. In the processing chamber 100, substrate support pins 13 are provided as substrate holding portions that support a wafer 11 as a substrate. The substrate support pins 13 are composed of a plurality of (two in this embodiment) made of, for example, quartz or Teflon (registered trademark), and support the wafer 11 at the upper ends thereof. A conductive substrate support base is provided below the wafer and below the substrate support pins 13. The substrate support is made of a metal material that is a conductor such as aluminum. The substrate support base has a circular shape as viewed from above, which is larger than the outer diameter of the wafer 11, and is formed in a disc shape or a column shape.
基板支持台は金属製であるため、基板支持台においてはマイクロ波の電位がゼロとなる。従って、ウェハ１１を基板支持台に直接置いた場合、マイクロ波の電界強度が弱い状態となる。そこで、本実施形態では、基板支持台の表面からマイクロ波の１/４波長（λ/４）の位置、もしくはλ/４の奇数倍の位置にウェハ１１を載置するようにする。ここでいう基板支持台の表面とは、基板支持台を構成する面のうち、ウェハ１１の裏面と対向する面を言う。λ/４の奇数倍の位置では電界が強くなるため、ウェハ１１を効率よくマイクロ波で加熱することができる。例えば、５．８ＧＨｚに固定したマイクロ波を使用し、マイクロ波の波長が５１．７ｍｍであるので、基板支持台１２４からウェハ１１までの高さを１２．９ｍｍとすることができる。マイクロ波の周波数が時間と共に変化(可変)するようにしてもよい。この場合、基板支持台の表面からウェハ１１までの高さは、変化する周波数帯の代表周波数の波長から求めればよい。例えば、５．８Ｇｈｚ〜７．０ＧＨｚまで変化する場合、代表周波数を変化する周波数帯のセンタ周波数とし、代表周波数６．４ＧＨｚの波長４６ｍｍより、基板保持台の表面からウェハ１１までの高さを１１．５ｍｍとすればよい。更に、固定周波数の電源を複数設け、それぞれから異なる周波数のマイクロ波を切り替えて供給し、処理するようにしても良い。 Since the substrate support is made of metal, the microwave potential is zero on the substrate support. Therefore, when the wafer 11 is directly placed on the substrate support, the microwave electric field strength is weak. Therefore, in the present embodiment, the wafer 11 is placed at a position of a quarter wavelength (λ / 4) of microwaves or an odd multiple of λ / 4 from the surface of the substrate support. The surface of the substrate support here refers to the surface of the surface constituting the substrate support that faces the back surface of the wafer 11. Since the electric field becomes strong at an odd multiple of λ / 4, the wafer 11 can be efficiently heated by microwaves. For example, since a microwave fixed at 5.8 GHz is used and the wavelength of the microwave is 51.7 mm, the height from the substrate support 124 to the wafer 11 can be 12.9 mm. The frequency of the microwave may be changed (variable) with time. In this case, the height from the surface of the substrate support to the wafer 11 may be obtained from the wavelength of the representative frequency in the changing frequency band. For example, when changing from 5.8 GHz to 7.0 GHz, the center frequency of the frequency band in which the representative frequency is changed is set, and the height from the surface of the substrate holder to the wafer 11 is set to 11 from a wavelength of 46 mm of the representative frequency 6.4 GHz. .5 mm. Further, a plurality of fixed frequency power supplies may be provided, and microwaves having different frequencies may be switched and supplied from each of them.
[温度制御機構]
処理室１１０内のウェハ１１の上方には、ウェハ１１の温度を検出する温度検出器１４が設けられている。温度検出器１４には、例えば、赤外線センサを用いることができる。温度検出器１３０は、コントローラと電気的に接続されている。具体的には、温度検出器１４によって検出されたウェハ１１の温度が、予め定められた温度よりも高い場合、コントローラは、ウェハ１１の温度が予め定められた温度となるように、後述するように窒素（Ｎ２）などの不活性ガスをウェハ１１の表面に向かって供給する流量を制御するよう構成されている。
[Temperature control mechanism]
A temperature detector 14 for detecting the temperature of the wafer 11 is provided above the wafer 11 in the processing chamber 110. For example, an infrared sensor can be used as the temperature detector 14. The temperature detector 130 is electrically connected to the controller. Specifically, when the temperature of the wafer 11 detected by the temperature detector 14 is higher than a predetermined temperature, the controller will be described later so that the temperature of the wafer 11 becomes a predetermined temperature. The flow rate of supplying an inert gas such as nitrogen (N 2) toward the surface of the wafer 11 is controlled.
[マイクロ波発生機構]
処理容器１８０の上部であって処理室１００の側壁には、マイクロ波発生機構が設けられている。マイクロ波発生機構は、マイクロ波発生部２００、導波路２１０及び導波口２２０を備え、例えば、固定周波数マイクロ波又は可変周波数マイクロ波を発生する。マイクロ波発生部２００としては、マイクロトロン等の高周波電源が用いられる。マイクロ波発生部２００によって発生したマイクロ波は、導波路２１０を介して、処理室１００と連通する導波口２２０から処理室１００内に導入される。処理室１００内に導入されたマイクロ波は、処理室１００の壁面に対して反射を繰り返す。マイクロ波は処理室１００内でいろいろな方向へ反射し、処理室１００内はマイクロ波で満たされる。処理室１００内のウェハ１１に当たったマイクロ波はウェハ１１に吸収され、ウェハ１１はマイクロ波により誘電加熱される。なお、ウェハ１１の温度は、マイクロ波のパワー、処理室１００の大きさや形状、導波口２２０の位置、及びウェハ１１の処理室１００における位置などによって変化する。後述するように、マイクロ波発生部２００は、装置コントローラ８０と電気的に接続されており、装置コントローラ８０により制御される。
[Microwave generation mechanism]
A microwave generation mechanism is provided on the side wall of the processing chamber 100 above the processing container 180. The microwave generation mechanism includes a microwave generation unit 200, a waveguide 210, and a waveguide port 220, and generates, for example, a fixed frequency microwave or a variable frequency microwave. As the microwave generation unit 200, a high-frequency power source such as a microtron is used. The microwave generated by the microwave generation unit 200 is introduced into the processing chamber 100 through the waveguide 210 from the waveguide port 220 communicating with the processing chamber 100. The microwave introduced into the processing chamber 100 is repeatedly reflected on the wall surface of the processing chamber 100. Microwaves are reflected in various directions in the processing chamber 100, and the processing chamber 100 is filled with microwaves. The microwave hitting the wafer 11 in the processing chamber 100 is absorbed by the wafer 11, and the wafer 11 is dielectrically heated by the microwave. Note that the temperature of the wafer 11 varies depending on the power of the microwave, the size and shape of the processing chamber 100, the position of the waveguide 220, the position of the wafer 11 in the processing chamber 100, and the like. As will be described later, the microwave generation unit 200 is electrically connected to the device controller 80 and controlled by the device controller 80.
[ガス供給機構]
処理容器１８０の上部であって処理室１００の上壁には、ガス供給機構が設けられている。ガス供給機構は、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを導入するガス供給管５２、ガス供給管５２を開閉するガス供給用バルブ５３及びガス供給源５５を備える。ガス供給機構は、ガス供給用バルブ５３を開けることにより、ガス供給管５２からのガスを処理室１００内に導入し、ガス供給用バルブ５３を閉めることにより、ガスの導入を停止する。ガス供給管５２から導入されるガスは、ガス流量調整器５４にて予め流量を所定の値に設定されている。また、ガス供給管５２から導入されるガスは、パージガスとして処理室１００内のガスを押し出したりするのに用いられる。ガス供給管５２は、処理室１００内に導入されるガスが、ウェハ１１の表面に直接吹き付けるように構成されているので、ウェハ１１を効率よく冷却することができる。後述するように、ガス供給用バルブ５３は、装置コントローラ８０と電気的に接続されており、装置コントローラ８０により制御される。
[Gas supply mechanism]
A gas supply mechanism is provided on the upper wall of the processing chamber 180 and on the upper wall of the processing chamber 100. The gas supply mechanism includes a gas supply pipe 52 that introduces an inert gas such as nitrogen (N 2 ), a gas supply valve 53 that opens and closes the gas supply pipe 52, and a gas supply source 55. The gas supply mechanism opens the gas supply valve 53 to introduce the gas from the gas supply pipe 52 into the processing chamber 100 and closes the gas supply valve 53 to stop the introduction of the gas. The gas introduced from the gas supply pipe 52 has a flow rate set in advance at a predetermined value by the gas flow rate regulator 54. The gas introduced from the gas supply pipe 52 is used to push out the gas in the processing chamber 100 as a purge gas. The gas supply pipe 52 is configured such that the gas introduced into the processing chamber 100 is blown directly onto the surface of the wafer 11, so that the wafer 11 can be efficiently cooled. As will be described later, the gas supply valve 53 is electrically connected to the device controller 80 and is controlled by the device controller 80.
[ガス排出機構]
処理容器１８０の下部であって処理室１００の側壁には、ガス排出機構が設けられている。ガス排出機構は、処理室１００内のガスを排気するガス排出管６２、ガス排出管６２を開閉するガス排出用バルブ６３及び排気装置としての真空ポンプ６４を備える。ガス排出機構は、このガス排出用バルブ６３の開度を調整することにより、処理室１００内の圧力を予め定められた値に調整する。後述するように、ガス排出用バルブ６３は、装置コントローラ８０と電気的に接続されており、装置コントローラ８０により制御される。
[Gas emission mechanism]
A gas discharge mechanism is provided on the side wall of the processing chamber 100 below the processing container 180. The gas exhaust mechanism includes a gas exhaust pipe 62 that exhausts the gas in the processing chamber 100, a gas exhaust valve 63 that opens and closes the gas exhaust pipe 62, and a vacuum pump 64 as an exhaust device. The gas discharge mechanism adjusts the pressure in the processing chamber 100 to a predetermined value by adjusting the opening degree of the gas discharge valve 63. As will be described later, the gas discharge valve 63 is electrically connected to the device controller 80 and is controlled by the device controller 80.
[ウェハ搬送機構]
処理容器１８０の一側面には、ウェハ搬送機構が設けられている。ウェハ搬送機構は、処理室１００の内外にウェハ１１を搬送するためのウェハ搬送口７１、ゲートバルブ７２、及びゲートバルブ７２を駆動させるゲートバルブ駆動部７３を備える。ウェハ搬送機構は、ゲートバルブ７２を開けることにより、処理室１００がフロントエンドモジュール２０（ここでは図示していないが、図１を参照して上述）と連通するように構成されている。フロントエンドモジュール２０には、ウェハ１１を搬送する搬送ロボット２０２（ここでは図示していないが、図１を参照して上述）が設けられている。ウェハ搬送機構は、ゲートバルブ７２を開くことによって、搬送ロボット２０２が、処理室１００及びフロントエンドモジュール２０との間で、ウェハ１１のスワップ搬送が可能なように構成されている。尚、スワップ搬送については、特開２００３−２８９０９５に記載されているため、ここでは説明を省略する。
[Wafer transfer mechanism]
A wafer transfer mechanism is provided on one side surface of the processing container 180. The wafer transfer mechanism includes a wafer transfer port 71 for transferring the wafer 11 into and out of the processing chamber 100, a gate valve 72, and a gate valve driving unit 73 that drives the gate valve 72. The wafer transfer mechanism is configured such that the processing chamber 100 communicates with the front end module 20 (not shown here but described above with reference to FIG. 1) by opening the gate valve 72. The front end module 20 is provided with a transfer robot 202 (not shown here, but described above with reference to FIG. 1) for transferring the wafer 11. The wafer transfer mechanism is configured such that the transfer robot 202 can swap the wafer 11 between the processing chamber 100 and the front end module 20 by opening the gate valve 72. Note that swap transport is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-289095, and thus description thereof is omitted here.
以下、図２を用いて、図１のプロセスモジュール１０における処理について説明する。以下に説明する処理は、半導体装置を製造する複数工程の中の一工程を構成するものである。 Hereinafter, processing in the process module 10 of FIG. 1 will be described with reference to FIG. The process described below constitutes one process among a plurality of processes for manufacturing a semiconductor device.
[基板搬入工程]
ウェハ１１を処理室１００に搬入するウェハ搬入工程において、まず、ゲートバルブ７２を開き、処理室１００とフロントエンドモジュール２０とを連通させる。次に、搬送ロボット２０２により、ロードポート３０に載置されたポッドから処理対象のウェハ１１を取り出し、フロントエンドモジュール２０を経て処理室１００内へ搬入する。処理室１００内に搬入されたウェハ１１は、搬送ロボット２０２により基板支持ピン１３の上端に載置され、基板支持ピン１３に支持される。次に、搬送ロボット２０２が処理室１００内からフロントエンドモジュール２０へ戻ると、ゲートバルブ７２が閉じられる。
[Board loading process]
In the wafer loading process for loading the wafer 11 into the processing chamber 100, first, the gate valve 72 is opened, and the processing chamber 100 and the front end module 20 are communicated. Next, the wafer 11 to be processed is taken out from the pod placed on the load port 30 by the transfer robot 202 and transferred into the processing chamber 100 through the front end module 20. The wafer 11 carried into the processing chamber 100 is placed on the upper end of the substrate support pins 13 by the transfer robot 202 and supported by the substrate support pins 13. Next, when the transfer robot 202 returns from the processing chamber 100 to the front end module 20, the gate valve 72 is closed.
[窒素ガス置換工程]
次に、処理室１００内を窒素（Ｎ２）雰囲気に置換する。ウェハ１１を搬入すると処理室１００の外の大気雰囲気が巻き込まれるので、この大気雰囲気中の水分や酸素がプロセスに影響しないように処理室１００内のＮ２置換を行う。ガス排出管６２から、真空ポンプ６４により処理室１００内のガス（雰囲気）を排出するとともに、ガス供給管５２から、Ｎ２ガスを処理室１００内に導入する。このとき、ガス供給用バルブ５３を開閉することによって、処理室１００内の圧力を予め定められた値、本実施形態では大気圧に調整する。
[Nitrogen gas replacement process]
Next, the inside of the processing chamber 100 is replaced with a nitrogen (N 2 ) atmosphere. Since the atmospheric atmosphere outside the processing chamber 100 is involved when the wafer 11 is carried in, N 2 substitution in the processing chamber 100 is performed so that moisture and oxygen in the atmospheric atmosphere do not affect the process. The gas (atmosphere) in the processing chamber 100 is discharged from the gas discharge pipe 62 by the vacuum pump 64, and N 2 gas is introduced into the processing chamber 100 from the gas supply pipe 52. At this time, by opening and closing the gas supply valve 53, the pressure in the processing chamber 100 is adjusted to a predetermined value, in this embodiment, atmospheric pressure.
[加熱処理工程]
次に、マイクロ波発生部２００で発生させたマイクロ波を、導波口２２０から処理室１００内に導入し、ウェハ１１の表面側から照射する。このマイクロ波照射により、ウェハ表面上のＨｉｇｈ−K膜を１００〜６００℃に加熱し、Ｈｉｇｈ−K膜の改質、つまり、Ｈｉｇｈ−K膜からＣやＨ等の不純物を離脱させて、緻密化し安定した絶縁体薄膜に改質することができる(膜質改善)。Ｈｉｇｈ−K膜等の誘電体は、誘電率に応じてマイクロ波の吸収率が異なる。誘電率が高いほどマイクロ波を吸収しやすい。また、ハイパワーのマイクロ波をウェハ１１に照射し処理すると、ウェハ１１上の誘電体膜が加熱され改質される。また、マイクロ波による加熱の特徴は、誘電率εと誘電正接tanδによる誘電加熱で、この物性値が異なる物質を同時に加熱すると、加熱されやすい物質、すなわち、誘電率が高い方の物質だけ選択的に加熱できる。
[Heat treatment process]
Next, the microwave generated by the microwave generation unit 200 is introduced into the processing chamber 100 from the waveguide port 220 and irradiated from the surface side of the wafer 11. By this microwave irradiation, the High-K film on the wafer surface is heated to 100 to 600 ° C., and the High-K film is modified, that is, impurities such as C and H are separated from the High-K film to form a dense film. Can be transformed into a stable insulator thin film (improvement of film quality). A dielectric such as a High-K film has different microwave absorption rates depending on the dielectric constant. The higher the dielectric constant, the easier it is to absorb microwaves. When the wafer 11 is irradiated with high-power microwaves and processed, the dielectric film on the wafer 11 is heated and modified. Also, microwave heating is characterized by dielectric heating with dielectric constant ε and dielectric loss tangent tan δ. When materials with different physical properties are heated at the same time, only materials that are easily heated, that is, materials with higher dielectric constants are selectively used Can be heated.
また、加熱処理工程において、ガス供給用バルブ５３を開いて、処理室１００内にガス供給管５２からＮ２ガスを導入するとともに、ガス排出用バルブ６３により処理室１００内の圧力を予め定められた値(例えば、大気圧)に調整しつつ、ガス排出管６２から処理室１００内のＮ２ガスを排出する。このようにして、加熱処理工程において、処理室１００内を所定の圧力値に維持する。本例では、周波数５．８〜７．０ＧＨｚのマイクロ波をパワー１６００Ｗ、処理室１００内の圧力を大気圧として５分間、加熱処理を行った。以上のようにして、所定時間、マイクロ波を導入して基板加熱処理を行った後、マイクロ波の導入を停止する。 In the heat treatment step, the gas supply valve 53 is opened to introduce N 2 gas into the processing chamber 100 from the gas supply pipe 52, and the pressure in the processing chamber 100 is predetermined by the gas discharge valve 63. The N 2 gas in the processing chamber 100 is discharged from the gas discharge pipe 62 while adjusting to a value (for example, atmospheric pressure). In this way, in the heat treatment step, the inside of the processing chamber 100 is maintained at a predetermined pressure value. In this example, the heat treatment was performed for 5 minutes with microwaves having a frequency of 5.8 to 7.0 GHz having a power of 1600 W and a pressure in the processing chamber 100 being atmospheric pressure. As described above, after introducing the microwave for a predetermined time and performing the substrate heat treatment, the introduction of the microwave is stopped.
[基板冷却工程]
加熱処理工程が終了すると、処理室１００内に導入するＮ２ガスの流量を制御することによって、ウェハ１１を冷却する。積極的にＮ２ガスの冷却効果を使う場合は、ガス供給管５２を基板支持台に設け、ウェハ１１と基板支持台の間にガスを流すことにより、ガスによる冷却効果向上を図ることもできる。このガスの流量を制御することにより、ウェハ１１の温度制御を行うこともできる。また、本実施例ではＮ２ガスを使用しているが、プロセス的、安全性に問題がなければ、熱伝達率の高い他のガス、たとえば希釈ＨｅガスなどをＮ２ガスに追加し、基板冷却効果を向上することもできる。また、ウェハ１１表面に向かって不活性ガスを直接吹き付けるように構成しても良い。更に、ガス供給管５２を基板支持台と処理容器１８０の上側とに設け、ウェハ及び基板支持台１２４の間にガスが流し、ウェハ１１近傍のガスの流量を制御すると共にウェハ１１表面に向かって不活性ガスを直接吹き付けるように構成しても良い。
[Substrate cooling process]
When the heat treatment step is completed, the wafer 11 is cooled by controlling the flow rate of the N 2 gas introduced into the processing chamber 100. When the cooling effect of N 2 gas is positively used, it is possible to improve the cooling effect by gas by providing the gas supply pipe 52 on the substrate support and flowing gas between the wafer 11 and the substrate support. . By controlling the flow rate of this gas, the temperature of the wafer 11 can be controlled. In this embodiment, N 2 gas is used. If there is no problem in process and safety, another gas having a high heat transfer coefficient, for example, diluted He gas is added to the N 2 gas, The cooling effect can also be improved. Further, an inert gas may be directly blown toward the surface of the wafer 11. Further, a gas supply pipe 52 is provided on the substrate support and the upper side of the processing container 180 so that gas flows between the wafer and the substrate support 124 to control the flow rate of gas in the vicinity of the wafer 11 and toward the surface of the wafer 11. You may comprise so that an inert gas may be sprayed directly.
[基板搬出工程]
基板冷却工程が終了すると、上述した基板搬入工程に示した手順とは逆の手順により、加熱処理したウェハ１１を処理室１００から搬出し、搬送室としてのフロントエンドモジュール２０に搬入する。このとき、次に処理するウェハ１１がある場合、搬送ロボット２０２がスワップ搬送(処理済ウェハ及び未処理ウェハの入れ替え搬送)を行う。最後に搬送ロボット２０２が処理済のウェハ１１をフロントエンドモジュール２０から搬出し、ロードポート３０に載置されたポッドに収納する。
[Substrate unloading process]
When the substrate cooling process is completed, the heat-treated wafer 11 is unloaded from the processing chamber 100 and loaded into the front-end module 20 as a transfer chamber by a procedure reverse to the procedure shown in the substrate loading process. At this time, if there is a wafer 11 to be processed next, the transfer robot 202 performs swap transfer (replacement transfer of a processed wafer and an unprocessed wafer). Finally, the transfer robot 202 carries out the processed wafer 11 from the front end module 20 and stores it in the pod placed on the load port 30.
図３は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１におけるコントローラ構成を示す図である。制御手段としての装置コントローラ８０は、操作者からの入力を受け付ける操作部４００と、メインコントローラとしての統括制御部４０２と、プロセス系を制御するプロセス制御部としてのサブコントローラ４０４と、搬送系を制御する制御部としてのメカコントローラ４０６とがそれぞれＬＡＮ等の通信回線４０８を介して接続されて構成される。 FIG. 3 is a diagram showing a controller configuration in the substrate processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention. The device controller 80 as a control means controls an operation unit 400 that receives an input from an operator, an overall control unit 402 as a main controller, a sub-controller 404 as a process control unit that controls a process system, and a transport system A mechanical controller 406 as a control unit is connected to each other via a communication line 408 such as a LAN.
操作部４００は、ロギングデータやアラームなどの解析、及びパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する図示しない表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する図示しない記憶部と、各種レシピの作成時における各種パラメータの設定値を入力する図示しない入力部とを少なくとも備えている。また、操作部４００は、上述した入力部またはホストコンピュータからの指示により、基板としてのウェハ１１を処理する旨の指示を受け付けると、ウェハ１１を搬送するための搬送レシピやウェハ１１を処理するためのプロセスレシピを統括制御部４０２にダウンロードする。統括制御部４０２は、これらのレシピに基づいてサブコントローラ４０４やメカコントローラ４０６を制御する。そして、サブコントローラ４０４は、前記プロセスレシピに基づいて基板に所定の処理を施し、メカコントローラ４０６は、上記搬送レシピや上記ウェハ情報に基づいて搬送ロボット２０２を制御することによりウェハ１１の搬送を行う。 The operation unit 400 includes a display unit (not shown) that displays an operation screen for performing analysis of logging data and alarms, parameter editing, and the like, instruction data input through the display unit, various recipes, and various parameters. Is stored as a file, and at least an input unit (not shown) for inputting setting values of various parameters when various recipes are created. When the operation unit 400 receives an instruction to process the wafer 11 as a substrate in response to an instruction from the input unit or the host computer, the operation unit 400 processes the transfer recipe for transferring the wafer 11 and the wafer 11. The process recipe is downloaded to the overall control unit 402. The overall control unit 402 controls the sub-controller 404 and the mechanical controller 406 based on these recipes. The sub-controller 404 performs predetermined processing on the substrate based on the process recipe, and the mechanical controller 406 controls the transfer robot 202 based on the transfer recipe and the wafer information to transfer the wafer 11. .
統括制御部４０２は、コントローラ８０全体の運用制御を行う。また、メカコントローラ４０６は、搬送ロボット２０２を制御し、搬送系を制御する。サブコントローラ４０４は、各プロセスモジュール１０における温度、ガス流量、圧力、マイクロ波パワー等を制御する。サブコントローラ４０４は、前記統括制御コントローラ４０２の命令（指示）に基づいて、マイクロ波発生部２００、ガス供給用バルブ５３、ガス排出用バルブ６３及びゲートバルブ７２などの各部品を制御すると共に、これらの状態を、前記統括制御コントローラ４０２に送信する。尚、上述した表示部、記憶部、入力部は、操作部４００と別体であってもよいし、また、コントローラ８０と別体であってもよい。更に、操作部４００（上述した表示部、記憶部及び入力部）は、例えば、図示しないユーザ(顧客)側のＨｏｓｔコンピュータと接続され、工場内の自動化システムを実現するよう構成される。 The overall control unit 402 performs operation control of the entire controller 80. The mechanical controller 406 controls the transfer robot 202 and controls the transfer system. The sub-controller 404 controls the temperature, gas flow rate, pressure, microwave power, etc. in each process module 10. The sub-controller 404 controls each component such as the microwave generator 200, the gas supply valve 53, the gas discharge valve 63, and the gate valve 72 based on the command (instruction) of the overall control controller 402, and these Is sent to the overall control controller 402. The display unit, the storage unit, and the input unit described above may be separate from the operation unit 400, or may be separate from the controller 80. Further, the operation unit 400 (the above-described display unit, storage unit, and input unit) is connected to, for example, a host computer (not shown) on the host (customer) side, and is configured to realize an automated system in the factory.
図４は、マイクロ波発生機構としてのパワー制御モジュール(PCM；Power Control Module)を中心としたコントローラ構成を示す。 FIG. 4 shows a controller configuration centering on a power control module (PCM) as a microwave generation mechanism.
ＴＷＴデバイスは、プロセスモジュールＰＭに入力されるマイクロ波信号を出力し、ウェハ１１に放射する。ＴＷＴデバイスは、線形ビーム装置であり、選択された周波数及び波形の信号が増幅されて出力される。又、ＴＷＴデバイスは、電磁波と電子ビームを相互作用させマイクロ波を増幅させる。更に、ＴＷＴデバイスは、自身の構成によって決定される帯域幅または範囲内で選択された任意の周波数または波形を増幅する機能を有する。 The TWT device outputs a microwave signal input to the process module PM and radiates it to the wafer 11. The TWT device is a linear beam device, and a signal having a selected frequency and waveform is amplified and output. The TWT device also amplifies microwaves by interacting with electromagnetic waves and electron beams. Furthermore, the TWT device has the function of amplifying any frequency or waveform selected within the bandwidth or range determined by its configuration.
ＴＷＴ電源は、ＴＷＴデバイスの動作のために設けられている。好ましい電源は、精密な調整をしたカソード電源と未調整のコレクタ電圧源とからなる直流電源である。方向性結合器は、信号の方向を検出し、更に検出された方向により信号を指向するのに設けられている。ＴＷＴデバイスから受け取った信号はプロセスモジュールＰＭに向けて送られる。一方、プロセスモジュールＰＭの方向から受け取った信号は反射出力負荷となる。従って、方向性結合器は、反射された信号、つまり、プロセスモジュールＰＭ内のウェハ１１に吸収されなかった出力からＴＷＴデバイスを保護するために、ＴＷＴデバイスからそらす手段を提供する。例えば、反射出力負荷は、熱を放散させるため水で冷却される。コントローラは、出力モニタ及び温度センサからの入力を受け取る。出力モニタは方向性結合器から入力を受け取り、プロセスモジュールＰＭに放射された(進行波)の出力を測定すると共にプロセスモジュールＰＭからの反射(波)出力を測定する。 A TWT power supply is provided for the operation of the TWT device. A preferred power source is a DC power source consisting of a precisely regulated cathode power source and an unregulated collector voltage source. A directional coupler is provided for detecting the direction of the signal and directing the signal according to the detected direction. The signal received from the TWT device is sent to the process module PM. On the other hand, a signal received from the direction of the process module PM becomes a reflected output load. Thus, the directional coupler provides a means to deflect the TWT device from the reflected signal, i.e., the output that was not absorbed by the wafer 11 in the process module PM, to protect the TWT device. For example, the reflected output load is cooled with water to dissipate heat. The controller receives input from the output monitor and temperature sensor. The output monitor receives input from the directional coupler, measures the output of the (traveling wave) emitted to the process module PM, and measures the reflected (wave) output from the process module PM.
更に、コントローラは、発振されるパワーなどマイクロウェーブ発振器やＢｅａｍのＯＮ/ＯＦＦ制御などＴＷＴ電源を制御するように機能する。又、冷却装置は、ＴＷＴデバイスの冷却を行うために設けてある。 Further, the controller functions to control the TWT power supply such as the microwave oscillator and the beam ON / OFF control such as the oscillated power. The cooling device is provided for cooling the TWT device.
コントローラは、ＰＬＣを介してサブコントローラ４０４としてのＰＭＣに温度、進行波や反射波等のモニタデータを送信している。又、コントローラは、操作部４００とＬＡＮを介して接続されている。従い、操作部４００の所定の画面から入力された指示に従い、コントローラがＰＣＭを制御する。つまり、このコントローラもサブコントローラ４０４と同レベルの動作を行う。 The controller transmits monitor data such as temperature, traveling wave and reflected wave to the PMC serving as the sub-controller 404 via the PLC. The controller is connected to the operation unit 400 via a LAN. Accordingly, the controller controls the PCM in accordance with an instruction input from a predetermined screen of the operation unit 400. That is, this controller also performs the same level of operation as the sub-controller 404.
図５は、基板処理装置１の操作部４００の電源を停止させる画面の一例を示す。この画面には、操作部４００の電源を停止させるための停止(Shut down)ボタンと、上述のパワー制御モジュールＰＣＭを停止させるための停止(Beam Off)ボタンと、このボタンを押下してから操作部４００の電源を停止させる指示を行うことができるまでの時間を設定する設定欄とが表示される。そして、設定欄に「Beam ON」という表示がある場合、Beam ON状態であり、つまり、マイクロ波加熱装置が基板に対してマイクロ波を供給している状態である。「-」という表示がある場合、接続されていない為、Beam ON信号をモニタできない状態であることを示す。つまり、サブコントローラ４０４としてのＰＭＣとの回線が断線している状態を示す。設定欄に時間が表示されている場合、Beam OFFの指示後、経過した時間（操作部の電源を停止するまでの待機時間）が表示されている。本実施の形態では、５分（００：０５：００）の表示からカウントダウンしていき、００：００：００まで表示される。「００：００：００」と表示されたとき、特殊部品としてのＴＷＴデバイスのクールダウンが終了したことを示し、操作部４００の電源を停止させることができる。つまり、操作部４００を停止させるボタンが有効となり、シャットダウン操作が可能となる。反対に、設定欄の表示が「００：００：００」または「-」でない場合、操作部４００を停止させる停止ボタンは無効、つまり、停止ボタンが押下できないよう構成されているため、操作部４００のシャットダウンが不可となる。 FIG. 5 shows an example of a screen for stopping the power supply of the operation unit 400 of the substrate processing apparatus 1. This screen includes a shutdown button for stopping the power supply of the operation unit 400, a stop button for stopping the power control module PCM, and an operation after pressing this button. A setting field for setting a time until an instruction to stop the power supply of unit 400 can be performed is displayed. When “Beam ON” is displayed in the setting column, the beam is in the ON state, that is, the microwave heating apparatus is supplying microwaves to the substrate. When “-” is displayed, it means that the Beam ON signal cannot be monitored because it is not connected. That is, it shows a state in which the line with the PMC as the sub controller 404 is disconnected. When the time is displayed in the setting column, the elapsed time (waiting time until the operation unit is stopped) after the Beam OFF instruction is displayed. In this embodiment, the countdown starts from the display of 5 minutes (00:05:00) and is displayed until 00:00:00. When “00:00:00” is displayed, it indicates that the cool-down of the TWT device as a special part has ended, and the power source of the operation unit 400 can be stopped. That is, a button for stopping the operation unit 400 is enabled, and a shutdown operation is possible. On the other hand, when the display of the setting column is not “00:00:00” or “−”, the stop button for stopping the operation unit 400 is invalid, that is, the operation unit 400 is configured so that the stop button cannot be pressed. Cannot be shut down.
このように、本実施の形態によれば、マイクロ波発生機構としてのパワー制御モジュールＰＣＭの内部にあるマイクロ波を増幅する部品（ＨＰＡ；High Power Amplifier）を構成する特殊部品であるＴＷＴデバイス(部品)は、電子ビームOFF後、所定のクールダウン処理を行うことができるので、破損する恐れがない。更に、通常の部品と同様に電源OFFした場合と比較して、ＴＷＴデバイスの寿命が長くなる。 As described above, according to the present embodiment, a TWT device (parts) that is a special part constituting a part (HPA; High Power Amplifier) that amplifies the microwaves in the power control module PCM as a microwave generation mechanism. ) Can be subjected to a predetermined cool-down process after the electron beam is turned off, so there is no risk of damage. Furthermore, the life of the TWT device is longer than when the power is turned off as in the case of normal parts.
なお、本発明の実施の形態では、半導体製造装置として枚葉式の基板処理装置を説明したが縦型の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また、基板（ウェハ）を処理する半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。
このように、本発明は種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。
In the embodiment of the present invention, a single-wafer type substrate processing apparatus has been described as the semiconductor manufacturing apparatus, but the present invention can also be applied to a vertical type substrate processing apparatus or a horizontal type substrate processing apparatus. Further, the present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus that processes a substrate (wafer) but also to a processing apparatus that processes a glass substrate such as an LCD device.
As described above, the present invention can be modified in various ways, and the present invention naturally extends to the invention thus modified.
次に、本発明の好ましい他の態様を付記するが、以下の記載に限定されないのは言うまでもない。 Next, other preferred embodiments of the present invention will be added, but it goes without saying that the present invention is not limited to the following description.
［実施の態様１］
基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段を画面上に表示する基板処理装置。
［実施の態様２］
前記マイクロ波発生機構を停止する前記第二の停止手段が押下されると、前記マイクロ波の停止から前記操作部への電源停止までの猶予時間が表示される。
［実施の態様３］
前記猶予時間に達しない場合、前記操作部を停止する第一の停止手段が押下されても、前記操作部への電源停止操作は無効となるよう構成されている。
［実施の態様４］
基板の表面に向かってマイクロ波を供給して前記基板に加熱処理を施す工程と、前記処理終了後、基板処理装置を構成する各部品の電源を停止する工程と、を有する基板処理装置の部品管理方法であって、前記電源を停止する工程では、前記マイクロ波を供給する部品(マイクロ波発生機構)の停止操作を行った後、前記部品のうち操作部の停止操作が有効になるまでに要する猶予時間が表示される基板処理装置の部品管理方法。
［実施の態様５］
前記マイクロ波を供給する部品は、
所定の周波数でマイクロ波を発振する発振手段と、
可変の周波数でマイクロ波を処理室に供給する供給手段と、
前記マイクロ波を増幅する増幅手段と、
前記発振手段、前記供給手段、前記増幅手段のそれぞれを制御する制御手段を少なくとも有する。
[Embodiment 1]
A substrate processing apparatus comprising at least an operation unit including a display unit for receiving a predetermined instruction to each component including a microwave generation mechanism for irradiating a substrate with microwaves, wherein the display unit is the operation unit A first stop means for stopping the power supply to the power supply, a second stop means for stopping the microwave generation mechanism, and a means for indicating a connection state between the operation unit and the microwave generation mechanism are displayed on the screen. Substrate processing equipment.
Embodiment 2
When the second stop means for stopping the microwave generation mechanism is pressed, a grace period from the stop of the microwave to the stop of power to the operation unit is displayed.
[Embodiment 3]
When the grace period is not reached, the power stop operation to the operation unit is invalidated even when the first stop means for stopping the operation unit is pressed.
Embodiment 4
A component of a substrate processing apparatus, comprising: a step of supplying a microwave toward a surface of the substrate to heat the substrate; and a step of stopping power of each component constituting the substrate processing apparatus after the completion of the processing. In the management method, in the step of stopping the power supply, after performing the stop operation of the component that supplies the microwave (microwave generation mechanism), until the stop operation of the operation unit among the components becomes effective A component management method for a substrate processing apparatus in which a required grace time is displayed.
[Embodiment 5]
The component supplying the microwave is
Oscillation means for oscillating microwaves at a predetermined frequency;
Supply means for supplying microwaves to the processing chamber at a variable frequency;
Amplifying means for amplifying the microwave;
At least control means for controlling each of the oscillating means, the supplying means, and the amplifying means is provided.
１ 基板処理装置
１０ プロセスモジュール(ＰＭ)
２０ フロントエンドモジュール（ＦＥＥＭ）
３０ ロードポート(ＬＰ)
８０ 装置コントローラ
１００ 処理室
1 Substrate Processing Device 10 Process Module (PM)
20 Front-end module (FEEM)
30 Load port (LP)
80 Device controller 100 Processing chamber
Claims (3)
前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段とを少なくとも備えた停止画面を表示する基板処理装置。 A substrate processing apparatus comprising at least an operation unit including a display unit for receiving a predetermined instruction to each component including a microwave generation mechanism for irradiating a substrate with microwaves,
The display unit includes a first stop unit that stops power to the operation unit, a second stop unit that stops the microwave generation mechanism, and a connection state between the operation unit and the microwave generation mechanism. And a substrate processing apparatus for displaying a stop screen.
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein when the grace period is not reached, even if a first stopping unit for stopping the operation unit is pressed, a power supply stop operation to the operation unit is invalidated.
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