JP2012151389A

JP2012151389A - Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Info

Publication number: JP2012151389A
Application number: JP2011010523A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Shino; 和弘示野; Yuichi Wada; 優一和田; Shinobu Tokushima; 忍徳島
Original assignee: MEJIRO PREC KK; Hitachi Kokusai Electric Inc; Mejiro Precision KK
Current assignee: MEJIRO PREC KK; Hitachi Kokusai Electric Inc; Mejiro Precision KK
Priority date: 2011-01-21
Filing date: 2011-01-21
Publication date: 2012-08-09

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the uniformity of in-plane temperatures of a substrate when the substrate is processed by heating.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes: a processing chamber processing a substrate; a substrate support part supporting the substrate in the processing chamber; a heating part which has multiple heat sources provided facing a substrate support surface of the substrate support part and arranged adjacent to each other so as to be spaced a predetermined distance away from each other; and a filter provided between the heating part and the substrate support part. When the filter transmissivity in a region facing a first heat source group forming an outer periphery of a heat source group composed of the multiple heat sources is referred to as a first transmissivity and the filter transmissivity in a region facing a second heat source group that is different from the first heat source group, out of the multiple heat sources, is referred to as a second transmissivity, the first transmissivity is higher than the second transmissivity.

Description

本発明は、基板を加熱して処理する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for heating and processing a substrate and a method for manufacturing a semiconductor device.

半導体装置を製造する際、所望の温度に加熱された半導体基板（ウエハ）等にガスを晒すことで様々な処理がなされている。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、基板を支持する基板支持部に内包されたヒータや、基板支持部の基板支持面に対向するように配置されたランプ加熱機構などを用いて基板を加熱している。基板を加熱して処理する基板処理装置としては、例えば特許文献１のような装置が知られている。 When manufacturing a semiconductor device, various processes are performed by exposing a gas to a semiconductor substrate (wafer) or the like heated to a desired temperature. In a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one, a heater included in a substrate support portion that supports the substrate, a lamp heating mechanism that is disposed so as to face the substrate support surface of the substrate support portion, and the like. Used to heat the substrate. As a substrate processing apparatus for heating and processing a substrate, for example, an apparatus as disclosed in Patent Document 1 is known.

特開２００９−８８３４７号公報JP 2009-88347 A

しかしながら、上述のランプ加熱機構を用いて基板を加熱した場合、基板の面内温度均一性が低下してしまうことがあった。ランプ加熱機構が有するランプの配置構造や、処理室内に供給されたガスの流れによって、基板へ照射される光の照射レベルが不均一となってしまうことがその一因と考えられる。 However, when the substrate is heated using the lamp heating mechanism described above, the in-plane temperature uniformity of the substrate may be reduced. One reason for this is considered to be that the irradiation level of the light irradiated onto the substrate becomes non-uniform due to the arrangement of the lamps included in the lamp heating mechanism and the flow of gas supplied into the processing chamber.

そこで、本発明は、基板を加熱して処理する際における基板の面内温度均一性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method capable of improving in-plane temperature uniformity of a substrate when the substrate is heated and processed.

本発明の一態様によれば、
基板を加熱する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、
前記加熱源と前記基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、
複数の前記加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群に対向する領域における前記フィルタの透過率を第一の透過率とし、
前記加熱源群のうち前記第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域における前記フィルタの透過率を第二の透過率としたとき、
前記第一の透過率が前記第二の透過率よりも高く構成されている
基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
A substrate processing apparatus for heating a substrate,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A heating unit that is provided so as to face the substrate support surface of the substrate support unit, and has a plurality of heating sources that are adjacent to each other at a predetermined interval;
A filter provided between the heating source and the substrate support,
The transmittance of the filter in the region facing the first heating source group constituting the outer edge of the heating source group consisting of a plurality of the heating sources is defined as the first transmittance,
When the transmittance of the filter in the region facing the second heating source group different from the first heating source group among the heating source group is the second transmittance,
There is provided a substrate processing apparatus in which the first transmittance is configured to be higher than the second transmittance.

本発明の他の態様によれば、
前記基板を加熱する基板処理装置であって、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、
前記加熱源と前記基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、
前記フィルタは、複数の前記加熱源のうち前記加熱部を構成する側壁に最も近い第一の
加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域において、前記加熱源から照射される光のピーク強度の波長を除去するよう構成されている
基板処理装置が提供される。 According to another aspect of the invention,
A substrate processing apparatus for heating the substrate,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A heating unit that is provided so as to face the substrate support surface of the substrate support unit, and has a plurality of heating sources that are adjacent to each other at a predetermined interval;
A filter provided between the heating source and the substrate support,
The filter emits light emitted from the heating source in a region facing a second heating source group different from the first heating source group closest to the side wall constituting the heating unit among the plurality of heating sources. A substrate processing apparatus is provided that is configured to remove the wavelength of the peak intensity.

本発明の更に他の態様によれば、
基板を処理室内に搬入し、前記処理室内に設けられた基板支持部の基板支持面上に載置する工程と、
ガス供給部から前記処理室内に不活性ガスを供給する工程と、
前記基板支持部の前記基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部から、複数の前記加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群に対向する領域における透過率を第一の透過率とし、前記加熱源群のうち前記第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域における透過率を第二の透過率としたとき、前記第一の透過率が前記第二の透過率よりも高く構成されているフィルタを介して前記基板に光を照射し、前記基板を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。 According to yet another aspect of the invention,
Carrying the substrate into the processing chamber and placing it on the substrate support surface of the substrate support portion provided in the processing chamber;
Supplying an inert gas from the gas supply unit into the processing chamber;
An outer edge of a heating source group composed of a plurality of heating sources is configured from a heating unit that is provided so as to face the substrate supporting surface of the substrate supporting unit and has a plurality of adjacent heating sources with a predetermined interval therebetween. The transmittance in the region facing the first heating source group is the first transmittance, and the transmission in the region facing the second heating source group different from the first heating source group in the heating source group. Irradiating the substrate with light through a filter configured so that the first transmittance is higher than the second transmittance when the rate is the second transmittance, and heating the substrate; ,
A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.

本発明によれば、基板を加熱して処理する際における基板の面内温度均一性を向上させることが可能となる。 According to the present invention, it is possible to improve the in-plane temperature uniformity of a substrate when the substrate is heated and processed.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概要を示す上面図である。It is a top view which shows the outline | summary of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置のロードロック室から処理室までの概要を示す側面図である。It is a side view showing an outline from a load lock room to a processing room of a substrate processing apparatus concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る処理室の概要を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline | summary of the process chamber which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る処理室の概要を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline | summary of the process chamber which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る処理室の概要を示す上面図である。It is a top view which shows the outline | summary of the process chamber which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持ピンの動作を示す斜視図である。It is a perspective view showing operation of a substrate holding pin concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る搬送室内から処理室内へ基板を搬送する前の状態での処理室の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state of the process chamber in the state before conveying a board | substrate from the transfer chamber which concerns on one Embodiment of this invention to a process chamber. 本発明の一実施形態に係るロボットアームが基板を搬送する過程での処理室の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state of the process chamber in the process in which the robot arm which concerns on one Embodiment of this invention conveys a board | substrate. 本発明の一実施形態に係るロボットアームが基板を搬送し終えた状態の処理室を示す斜視図である。It is a perspective view showing a processing room in the state where a robot arm concerning one embodiment of the present invention finished carrying a substrate. 本発明の実施例１を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 1 of this invention. 本発明の実施例２を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 2 of this invention. 本発明の実施例３を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 3 of this invention. 本発明の実施例４を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 4 of this invention. 本発明の実施例５を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 5 of this invention. 本発明の実施例６を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 6 of this invention. 本発明の実施例７を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 7 of this invention. 本発明の実施例８を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 8 of this invention. 本発明の実施例９を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 9 of this invention. 本発明の実施例１０を示す概略図である。It is the schematic which shows Example 10 of this invention.

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。 <One Embodiment of the Present Invention>
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

（１）基板処理装置の構成
図１及び図２に、本実施形態に係る半導体製造装置などの基板処理装置１０の概要を示す。基板処理装置１０は、例えば搬送室１２と、搬送室１２を中心として配置されるロードロック室１４ａ，１４ｂ及び２つの処理室１６ａ，１６ｂと、を備えている。ロードロック室１４ａ，１４ｂの上流側には、カセットなどのフープ（キャリア）とロードロック室１４ａ，１４ｂとの間で基板を搬送する大気搬送室（ＥＦＥＭ：ＥｑｕｉｐｍｅｎｔＦｒｏｎｔＥｎｄＭｏｄｕｌｅ）２０が配置されている。大気搬送室２０には、例えば２５枚の基板２２を縦方向に一定間隔を隔てて収容可能なフープ（図示せず）が３台配置されている。また、大気搬送室２０内には、大気搬送室２０とロードロック室１４ａ，１４ｂとの間で基板２２を例えば５枚ずつ搬送する図示しない大気ロボットが配置されている。搬送室１２、ロードロック室１４ａ，１４ｂ及び処理室１６ａ，１６ｂは、例えばアルミニウム（Ａ５０５２）等の材料により一体形成された容器（装置本体とも呼ぶ）の内部に構成されている。 (1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIGS. 1 and 2 show an outline of a substrate processing apparatus 10 such as a semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment. The substrate processing apparatus 10 includes, for example, a transfer chamber 12, load lock chambers 14a and 14b and two process chambers 16a and 16b arranged around the transfer chamber 12. At the upstream side of the load lock chambers 14a and 14b, an atmospheric transfer chamber (EFEM) 20 for transferring the substrate between a hoop (carrier) such as a cassette and the load lock chambers 14a and 14b is arranged. Yes. In the atmospheric transfer chamber 20, for example, three hoops (not shown) that can accommodate, for example, 25 substrates 22 at regular intervals in the vertical direction are arranged. In the atmospheric transfer chamber 20, an atmospheric robot (not shown) that transfers, for example, five substrates 22 between the atmospheric transfer chamber 20 and the load lock chambers 14a and 14b is disposed. The transfer chamber 12, the load lock chambers 14a and 14b, and the processing chambers 16a and 16b are configured inside a container (also referred to as an apparatus main body) integrally formed of a material such as aluminum (A5052).

なお、ロードロック室１４ａ，１４ｂは、ロードロック室１４ａ，１４ｂ側から処理室１６ａ，１６ｂ側に向かう軸に対して線対称となる位置に配置されており、互いに同じ構成を有する。また、処理室１６ａ，１６ｂも、同軸に対して線対称となる位置に配置されており、互いに同じ構成を有する。以下、ロードロック室１４ａ及び処理室１６ａを中心に説明する。 The load lock chambers 14a and 14b are disposed at positions that are line-symmetric with respect to the axis from the load lock chambers 14a and 14b toward the processing chambers 16a and 16b, and have the same configuration. The processing chambers 16a and 16b are also arranged at positions that are line-symmetric with respect to the same axis, and have the same configuration. Hereinafter, the load lock chamber 14a and the processing chamber 16a will be mainly described.

図２に示すように、ロードロック室１４ａ内には、例えば２５枚のウエハなどの基板２２を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２４が設けられている。基板支持体２４は、例えば炭化珪素からなり、上部板２６と、下部板２８と、上部板２６と下部板２８とを接続する例えば３つの支柱３０と、を有する。支柱３０の長手方向内側には、基板２２を平行姿勢で支持するための載置部（水平溝）３２が、長手方向に例えば２５個配列されている。また、基板支持体２４は、ロードロック室１４ａ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている。基板支持体２４が鉛直方向に移動することにより、基板支持体２４の３つの支柱３０それぞれに設けられた載置部３２の上面に、後述するフィンガ対４０から基板２２が同時に２枚ずつ移載される。また、基板支持体２４が鉛直方向に移動することにより、基板支持体２４からフィンガ対４０へも基板２２が同時に２枚ずつ移載されようになっている。 As shown in FIG. 2, a substrate support (boat) 24 is provided in the load lock chamber 14a. The substrate support (boat) 24 accommodates substrates 22 such as 25 wafers at a predetermined interval in the vertical direction. The substrate support 24 is made of, for example, silicon carbide, and includes an upper plate 26, a lower plate 28, and, for example, three support columns 30 that connect the upper plate 26 and the lower plate 28. On the inner side in the longitudinal direction of the support column 30, for example, 25 placement portions (horizontal grooves) 32 for supporting the substrate 22 in a parallel posture are arranged in the longitudinal direction. The substrate support 24 is configured to move in the vertical direction (move up and down) in the load lock chamber 14a, and to rotate about a rotation axis extending in the vertical direction. When the substrate support 24 moves in the vertical direction, two substrates 22 are simultaneously transferred from the finger pair 40 to be described later onto the upper surface of the mounting portion 32 provided on each of the three support columns 30 of the substrate support 24. Is done. Further, when the substrate support 24 moves in the vertical direction, two substrates 22 are transferred from the substrate support 24 to the finger pair 40 at the same time.

図２に示すように、搬送室１２内には、ロードロック室１４ａと処理室１６ａとの間で基板２２を搬送する真空ロボット３６が設けられている。真空ロボット３６は、上フィンガ３８ａ及び下フィンガ３８ｂから構成されるフィンガ対４０が設けられたアーム４２を有する。上フィンガ３８ａ及び下フィンガ３８ｂは、例えば同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム４２からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれ基板２２を同時に支持することができるようにされている。アーム４２は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされているとともに、水平方向に移動するようにされ、同時に２枚の基板２２を搬送可能にされている。 As shown in FIG. 2, in the transfer chamber 12, a vacuum robot 36 that transfers the substrate 22 between the load lock chamber 14a and the processing chamber 16a is provided. The vacuum robot 36 has an arm 42 provided with a finger pair 40 composed of an upper finger 38a and a lower finger 38b. The upper finger 38a and the lower finger 38b have, for example, the same shape, are spaced apart at a predetermined interval in the vertical direction, extend substantially horizontally from the arm 42 in the same direction, and can simultaneously support the substrate 22 respectively. It has been made possible. The arm 42 is configured to rotate about a rotation axis extending in the vertical direction, and to move in the horizontal direction, so that the two substrates 22 can be conveyed simultaneously.

図２に示すように、処理室１６ａ内には、後述する反応室５０が設けられている。反応室５０内には、基板支持部４４ａ，４４ｂが設けられている。基板支持部４４ａと基板支持部４４ｂとの間の空間は、仕切り部材４６により水平方向の一部が仕切られている。真空ロボット３６を介して処理室１６ａ内に搬入された２枚の基板２２は、基板支持部４４ａ，４４ｂ上にそれぞれ載置された後、反応室５０内で同時に熱処理されるように構成されている。熱処理を含む基板処理工程については後述する。 As shown in FIG. 2, a reaction chamber 50 described later is provided in the processing chamber 16a. In the reaction chamber 50, substrate support portions 44a and 44b are provided. The space between the substrate support portion 44 a and the substrate support portion 44 b is partly partitioned in the horizontal direction by the partition member 46. The two substrates 22 carried into the processing chamber 16a via the vacuum robot 36 are configured to be simultaneously heat-treated in the reaction chamber 50 after being placed on the substrate support portions 44a and 44b, respectively. Yes. Substrate processing steps including heat treatment will be described later.

図３から図５に、処理室１６ａの概要を示す。図３に示すように、処理室１６ａの下部側（底部及び側部）は、下側容器４７により形成されている。下側容器４７は、アルミニ
ウム等により一体成型された上述の装置本体の一部を構成する。処理室１６ａの上部開口は、下側容器４７の上部に設けられた蓋４８によって閉塞されている。蓋４８の下方には反応室（チャンバ）５０が形成されている。蓋４８における基板支持部４４ａ，４４ｂに対応する位置はそれぞれ開口している。係る開口には、加熱部としてのランプハウス５２ａ，５２ｂがそれぞれ設けられている。ランプハウス５２ａ，５２ｂは、ランプ収納容器８１ａ，８０ｂを備えている。ランプ収納容器８１ａ，８１ｂ内の上部には、加熱源としてのランプ８０ａ，８０ｂが複数配置されている。以下、これら複数配置されたランプ８０ａ，８０ｂを総称して、加熱源群としてのランプ群５７ａ，５７ｂとも呼ぶ。ランプ収納容器８１ａ，８０ｂ内には、更にフィルタ５９ａ，５９ｂがそれぞれ設けられている。ランプハウス５２ａ，５２ｂの構成については後述する。 3 to 5 show an outline of the processing chamber 16a. As shown in FIG. 3, the lower side (bottom part and side part) of the processing chamber 16 a is formed by a lower container 47. The lower container 47 constitutes a part of the above-described apparatus main body integrally formed of aluminum or the like. The upper opening of the processing chamber 16 a is closed by a lid 48 provided at the upper part of the lower container 47. A reaction chamber (chamber) 50 is formed below the lid 48. The positions corresponding to the substrate support portions 44a and 44b in the lid 48 are opened. In the opening, lamp houses 52a and 52b are provided as heating units. The lamp houses 52a and 52b include lamp storage containers 81a and 80b. A plurality of lamps 80a and 80b as heating sources are arranged in the upper portions of the lamp storage containers 81a and 81b. Hereinafter, the plurality of lamps 80a and 80b are collectively referred to as lamp groups 57a and 57b as heating source groups. Filters 59a and 59b are further provided in the lamp storage containers 81a and 80b, respectively. The configuration of the lamp houses 52a and 52b will be described later.

蓋４８における基板支持部４４ａ，４４ｂに対応する位置であって、ランプハウス５２ａ，５２ｂの近傍には、ガス供給部５１ａ，５１ｂが設けられている。ガス供給部５１ａ，５１ｂの上流端（図中上端）には、図示しないガス供給管の下流端がそれぞれ接続されている。ガス供給管には、上流側から順に、例えばＮ_２ガスや希ガス（ＡｒガスはＨｅガス等）などの不活性ガスや、他の処理ガスを供給する図示しないガス供給源、流量制御装置としてのマフローコントローラ、開閉バルブが設けられている。これにより、ガス供給部５１ａ，５１ｂから、それぞれ反応室５０内にガスを供給することが可能なように構成されている。なお、反応室５０内は、後述する第１の排気口５８、第２の排気口６０、第３の排気口６２を介して、図示しないポンプにより例えば０．１Ｐａ程度までの真空にすることができるように構成されている。 Gas supply portions 51a and 51b are provided at positions corresponding to the substrate support portions 44a and 44b in the lid 48 and in the vicinity of the lamp houses 52a and 52b. A downstream end of a gas supply pipe (not shown) is connected to the upstream ends (upper ends in the drawing) of the gas supply portions 51a and 51b. In the gas supply pipe, in order from the upstream side, for example, an inert gas such as N ₂ gas or rare gas (Ar gas is He gas, etc.), a gas supply source (not shown) for supplying other processing gas, and a flow rate control device A muffle controller and open / close valve are provided. Thereby, it is comprised so that gas can be supplied in the reaction chamber 50 from the gas supply parts 51a and 51b, respectively. The inside of the reaction chamber 50 is evacuated to, for example, about 0.1 Pa by a pump (not shown) through a first exhaust port 58, a second exhaust port 60, and a third exhaust port 62 described later. It is configured to be able to.

上述したように、基板支持部４４ａ，４４ｂは、反応室５０内の同一空間内で独立して配置され、反応室５０内であってランプハウス５２ａ，５２ｂの下方側にそれぞれ設けられている。基板支持部４４ａ，４４ｂは円盤状に形成されている。基板支持部４４ａ，４４ｂの主面の内、下方側の面には、それぞれフランジ５３ａ，５３ｂが設けられている。フランジ５３ａ，５３ｂの下方には、下側容器４７に立設された支柱４９が接続されている。基板支持部４４ａ，４４ｂは、下方から支柱４９により支持されると共に、側方から固定部材５２により固定されている。 As described above, the substrate support portions 44a and 44b are independently arranged in the same space in the reaction chamber 50, and are provided in the reaction chamber 50 and below the lamp houses 52a and 52b, respectively. The substrate support portions 44a and 44b are formed in a disc shape. Flange 53a, 53b is provided in the lower surface among the main surfaces of substrate support parts 44a, 44b, respectively. A support column 49 erected on the lower container 47 is connected to the lower side of the flanges 53a and 53b. The substrate support portions 44a and 44b are supported by a support column 49 from below and are fixed by a fixing member 52 from the side.

基板支持部４４ａ，４４ｂの主面の内、上方側の面（すなわちランプハウス５２ａ，５２ｂに対向する面）には、基板２２を水平姿勢で支持する基板支持面５５ａ，５５ｂがそれぞれ設けられている。基板支持面５５ａ，５５ｂのそれぞれの高さは、反応室５０内の高さよりも低くされている。また、基板支持部４４ａ，４４ｂ内には、加熱部としてのヒータ４５ａ，４５ｂが設けられており、基板支持面５５ａ，５５ｂ上に載置した基板２２を例えば３００℃まで昇温可能に構成されている。基板支持部４４ａ，４４ｂは、それぞれ例えばアルミニウム（Ａ５０５２又はＡ５０５６等）等により形成されている。基板支持部４４ａ，４４ｂをアルミニウムのような熱伝導率の高い材質により形成することで、基板２２に効率よく熱を伝達することが可能となる。なお、基板支持部４４ａ，４４ｂは、例えば石英やアルミナ等の非金属耐熱材料によって形成することもできる。係る場合、基板２２の金属汚染を回避できる。 Among the main surfaces of the substrate support portions 44a and 44b, substrate upper surfaces 55a and 55b for supporting the substrate 22 in a horizontal posture are provided on the upper surface (that is, the surface facing the lamp houses 52a and 52b), respectively. Yes. The heights of the substrate support surfaces 55 a and 55 b are set lower than the height in the reaction chamber 50. In addition, heaters 45a and 45b as heating units are provided in the substrate support portions 44a and 44b, and the substrate 22 placed on the substrate support surfaces 55a and 55b can be heated to, for example, 300 ° C. ing. The substrate support portions 44a and 44b are each formed of, for example, aluminum (A5052 or A5056 or the like). By forming the substrate support portions 44a and 44b with a material having high thermal conductivity such as aluminum, heat can be efficiently transferred to the substrate 22. The substrate support portions 44a and 44b can also be formed of a nonmetallic heat resistant material such as quartz or alumina. In such a case, metal contamination of the substrate 22 can be avoided.

基板支持部４４ａと基板支持部４４ｂとの間には、上述した仕切り部材４６が配置されている。仕切り部材４６は、例えばアルミニウム（Ａ５０５２又はＡ５０５６等）、石英、アルミナ等により形成されており、下側容器４７に対して着脱自在に設けられた例えば角柱状の部材として構成されている。 The partition member 46 described above is disposed between the substrate support portion 44a and the substrate support portion 44b. The partition member 46 is made of, for example, aluminum (A5052 or A5056), quartz, alumina, or the like, and is configured as a prismatic member that is detachably provided to the lower container 47, for example.

基板支持部４４ａ，４４ｂの周囲には、それぞれの外周を囲むように排気バッフルリング５４ａ，５４ｂが配置されている（図４参照）。排気バッフルリング５４ａ，５４ｂには、周方向に複数の孔部５６が設けられている（図５参照）。基板支持部４４ａ，４４ｂ
及び排気バッフルリング５４ａ，５４ｂの下方には、第１の排気口５８が形成されている（図３参照）。第１の排気口５８は、基板支持部４４ａ，４４ｂの下方に設けられた第２の排気口６０を介して反応室５０の下方側の空間に連通している。反応室５０の下方側の空間は、下側容器４７に設けられた第３の排気口６２を介して図示しない真空ポンプにより排気可能に構成されている。 Exhaust baffle rings 54a and 54b are arranged around the substrate support portions 44a and 44b so as to surround the respective outer peripheries (see FIG. 4). The exhaust baffle rings 54a and 54b are provided with a plurality of holes 56 in the circumferential direction (see FIG. 5). Substrate support portions 44a and 44b
A first exhaust port 58 is formed below the exhaust baffle rings 54a and 54b (see FIG. 3). The first exhaust port 58 communicates with the space below the reaction chamber 50 via the second exhaust port 60 provided below the substrate support portions 44a and 44b. A space below the reaction chamber 50 is configured to be evacuated by a vacuum pump (not shown) through a third exhaust port 62 provided in the lower container 47.

したがって、上述のガス供給部５１ａ，５１ｂから反応室５０内に供給されたガスは、基板支持部４４ａ，４４ｂに支持された基板２２に供給された後、排気バッフルリング５４ａ，５４ｂに設けられた孔部５６を介して第１の排気口５８に向けて排気され、基板支持部４４ａ，４４ｂの下方に設けられた第２の排気口６０を介して反応室５０の下方側に排気された後、下側容器４７に設けられた第３の排気口６２を介して処理室１６ａの外部へ排気されるように構成されている。 Therefore, the gas supplied into the reaction chamber 50 from the gas supply parts 51a and 51b is supplied to the substrate 22 supported by the substrate support parts 44a and 44b and then provided to the exhaust baffle rings 54a and 54b. After being exhausted toward the first exhaust port 58 through the hole 56 and exhausted to the lower side of the reaction chamber 50 through the second exhaust port 60 provided below the substrate support portions 44a and 44b. The exhaust gas is exhausted to the outside of the processing chamber 16 a through a third exhaust port 62 provided in the lower container 47.

図４及び図５に示すように、仕切り部材４６の一端側には、基板２２を搬送可能なロボットアーム６４が配置されている。ロボットアーム６４は、上述したアーム４２が搬送する２枚の基板２２のうち１枚を基板支持部４４ｂに向けて搬送するとともに、基板支持部４４ｂから回収するようにされている。ロボットアーム６４は、例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）からなるフィンガ６６（フィンガ６６の基部は位置やレベル合わせのために金属からなる）と、軸部６８とを有し、軸部６８に回転及び昇降を行う２軸の駆動ユニット（図示せず）が設けられている。フィンガ６６は、基板２２よりも大きな弧状部７０を有し、この弧状部７０から中心に向けて延びる３つの突起部７２が所定の間隔で設けられている。軸部６８は、水冷された磁気シールにより、反応室５０が真空にされた場合の大気と遮断をするように構成されている。なお、仕切り部材４６及びロボットアーム６４は、反応室５０内の空間を完全に分離することがないように、反応室５０内に配置されている。 As shown in FIGS. 4 and 5, a robot arm 64 capable of transporting the substrate 22 is disposed on one end side of the partition member 46. The robot arm 64 conveys one of the two substrates 22 conveyed by the arm 42 toward the substrate support unit 44b and collects it from the substrate support unit 44b. The robot arm 64 includes, for example, a finger 66 made of alumina ceramics (purity 99.6% or more) (a base portion of the finger 66 is made of metal for positioning and leveling) and a shaft portion 68. A biaxial drive unit (not shown) that rotates and moves up and down is provided. The finger 66 has an arcuate portion 70 larger than the substrate 22, and three protrusions 72 extending from the arcuate portion 70 toward the center are provided at a predetermined interval. The shaft portion 68 is configured to be shut off from the atmosphere when the reaction chamber 50 is evacuated by a water-cooled magnetic seal. The partition member 46 and the robot arm 64 are disposed in the reaction chamber 50 so as not to completely separate the space in the reaction chamber 50.

基板支持部４４ａ，４４ｂには、図６に示すような基板保持ピン７４が少なくとも３本ずつ鉛直方向に貫通している。搬送室１２内から真空ロボット３６を介して処理室１６ａ内に搬送された基板２２は、一時的にこれらの基板保持ピン７４上に載置されるように構成されている。基板保持ピン７４は、上下方向に昇降するようにされている。また、図４や図７に示すように、基板支持部４４ａ，４４ｂの外周には、フィンガ６６が備える上述の突起部７２が基板支持部４４ａ，４４ｂの上面に対して上方から下方へ移動可能なように、縦方向（上下方向）の溝部７６がそれぞれ３本設けられている。 At least three substrate holding pins 74 as shown in FIG. 6 penetrate the substrate support portions 44a and 44b in the vertical direction. The substrate 22 transferred from the transfer chamber 12 to the processing chamber 16 a via the vacuum robot 36 is configured to be temporarily placed on these substrate holding pins 74. The substrate holding pins 74 are moved up and down. Also, as shown in FIGS. 4 and 7, the protrusions 72 provided on the fingers 66 are movable on the outer periphery of the substrate support portions 44a and 44b from above to below with respect to the upper surfaces of the substrate support portions 44a and 44b. In this way, three grooves 76 in the vertical direction (vertical direction) are provided.

（２）ランプハウスの構成
続いて、本実施形態に係る加熱部としてのランプハウス５２ａ，５２ｂの構成について説明する。上述したように、加熱部としてのランプハウス５２ａ，５２ｂは、ランプ収納容器８１ａ，８０ｂと、複数のランプ８０ａ，８０ｂからなるランプ群５７ａ，５７ｂと、フィルタ５９ａ，５９ｂと、を有している。なお、ランプハウス５２ａ，５２ｂはそれぞれ同一構造であるため、以下ではランプハウス５２ａを例に挙げて説明する。 (2) Configuration of Lamp House Next, the configuration of the lamp houses 52a and 52b as heating units according to the present embodiment will be described. As described above, the lamp houses 52a and 52b as the heating units include the lamp storage containers 81a and 80b, the lamp groups 57a and 57b including the plurality of lamps 80a and 80b, and the filters 59a and 59b. . Since the lamp houses 52a and 52b have the same structure, the lamp house 52a will be described below as an example.

（ランプ収納容器）
図３に示すように、ランプ収納容器８１ａは、例えば上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状或いは多角柱形状に形成されている。ランプ収納容器８１ａの側壁や天井壁は、例えばＳＵＳやアルミニウム（Ａ５０５２又はＡ５０５６等）等の金属部材等により形成されている。ランプ収納容器８１ａは、その下端開口が、反応室５０の上面を塞ぐ蓋４８の開口部に気密に接続されている。ランプ収納容器８１ａ内と反応室５０内との間は、石英ガラス等からなる透光性の透光性窓部材６９ａにより気密に隔てられている。 (Lamp storage container)
As shown in FIG. 3, the lamp storage container 81a is formed in, for example, a cylindrical shape or a polygonal column shape in which the upper end is closed and the lower end is opened. The side wall and ceiling wall of the lamp storage container 81a are formed of, for example, a metal member such as SUS or aluminum (A5052 or A5056). The lower end opening of the lamp storage container 81 a is airtightly connected to the opening of the lid 48 that closes the upper surface of the reaction chamber 50. The inside of the lamp housing 81a and the inside of the reaction chamber 50 are airtightly separated by a translucent translucent window member 69a made of quartz glass or the like.

（ランプ及びランプ群）
ランプ収納容器８１ａ内の上部（天井付近）には、複数の加熱源としてのランプ８０ａが所定の間隔を空けてそれぞれ隣接されている。上述したように、この複数配置された加熱源（ランプ８０ａ）を総称してランプ群５７ａと呼ぶ。ランプ群５７ａを構成する各ランプ８０ａは、それぞれ、基板支持部４４ａの基板支持面５５ａに対し、上述の透光性窓部材６９ａを介して光を照射できるように構成されている。 (Lamp and lamp group)
A plurality of lamps 80a as heating sources are adjacent to each other at a predetermined interval in the upper part (near the ceiling) in the lamp storage container 81a. As described above, the plurality of arranged heat sources (lamps 80a) are collectively referred to as a lamp group 57a. Each lamp 80a constituting the lamp group 57a is configured to be able to irradiate light onto the substrate support surface 55a of the substrate support portion 44a through the above-described translucent window member 69a.

複数のランプ８０ａからなるランプ群５７ａの外縁付近を構成するランプ８０ａ群、すなわち、ランプ収納容器８１ａを構成する側壁に最も近いランプ８０ａ群を、以下では、第一の加熱群としての第一のランプ群と呼ぶ。なお、本実施形態に係るランプ群５７ａは例えば円形に配列されており、第一のランプ群は、ランプ群５７ａの外縁付近を構成するように例えば円周状（リング状）に配列されている。但し、ランプ群５７ａの外形（すなわち第一のランプ群の形状）は、円形に限定されず、多角形等であってもよい。また、第一のランプ群は、幅の狭い線上に配列する場合に限らず、所定の幅を有した帯状に配列される場合もある。第一のランプ群の形状や幅は、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に光を照射したときの照明強度分布、波長分布、或いは基板２２の温度分布の少なくともいずれか、あるいはその組み合わせにより任意に決定される。そして、第一のランプ群の幅の形状や幅は、後述するフィルタ５９ａが備える透過率補正分布や波長制御分布を決定する際のパラメータとなる。 The lamp 80a group constituting the vicinity of the outer edge of the lamp group 57a composed of a plurality of lamps 80a, that is, the lamp 80a group closest to the side wall constituting the lamp storage container 81a, will be referred to as a first heating group hereinafter. This is called a lamp group. Note that the lamp group 57a according to the present embodiment is arranged in a circular shape, for example, and the first lamp group is arranged in, for example, a circumferential shape (ring shape) so as to constitute the vicinity of the outer edge of the lamp group 57a. . However, the outer shape of the lamp group 57a (that is, the shape of the first lamp group) is not limited to a circle, and may be a polygon or the like. The first lamp group is not limited to being arranged on a narrow line, but may be arranged in a strip shape having a predetermined width. The shape and width of the first lamp group is at least one of the illumination intensity distribution, the wavelength distribution, and the temperature distribution of the substrate 22 when the substrate 22 is irradiated with light from the lamp group 57a without passing through the filter 59a, or It is arbitrarily determined by the combination. The shape and width of the width of the first lamp group are parameters for determining a transmittance correction distribution and a wavelength control distribution included in the filter 59a described later.

また、ランプ群５７ａのうち、第一のランプ群とは異なるランプ８０ａ群を、以下では、第二の加熱源群としての第二のランプ群と呼ぶ。なお、本実施形態に係る第二のランプ群は、円周状に配列された第一のランプ群により外周が囲われており、例えば円状に配列されている。但し、第二のランプ群の外形も、必ずしも円形に限定されず、多角形等であってもよい。 In the lamp group 57a, a lamp 80a group different from the first lamp group is hereinafter referred to as a second lamp group as a second heating source group. In addition, the outer periphery of the second lamp group according to the present embodiment is surrounded by the first lamp group arranged in a circumferential shape, and is arranged in a circular shape, for example. However, the outer shape of the second lamp group is not necessarily limited to a circle, and may be a polygon or the like.

なお、ランプ群５７ａを構成するランプ８０ａとしては、例えば電球型ランプ、直管型のランプ等を用いることができる。そして、ランプ８０ａとしては、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、水銀ランプ等を用いることができる。複数のランプ８０ａは、同一種類で統一してもよく、複数種を組み合わせても良い。 As the lamp 80a constituting the lamp group 57a, for example, a light bulb type lamp, a straight tube type lamp, or the like can be used. As the lamp 80a, a halogen lamp, a metal halide lamp, a mercury lamp, or the like can be used. The plurality of lamps 80a may be unified with the same type, or a plurality of types may be combined.

（フィルタ）
ランプ収納容器８１ａ内のランプ群５７ａより下方側であって、透光性窓部材６９ａの上方側には、透光性のフィルタ５９ａが水平姿勢で設けられている。すなわち、フィルタ５９ａは、ランプ群５７ａと基板支持部４４ａとの間に設けられている。 (filter)
A translucent filter 59a is provided in a horizontal position below the lamp group 57a in the lamp housing 81a and above the translucent window member 69a. That is, the filter 59a is provided between the lamp group 57a and the substrate support portion 44a.

フィルタ５９ａは、ランプ群５７ａから基板支持部４４ａの基板２２上に照射される光の照明強度分布を任意の分布に形成する透過率補正板として構成されるか、或いはランプ群５７ａから基板支持部４４ａの基板２２上に照射される光の波長分布を任意の分布に形成する波長制御板として構成されるか、或いはこれらの組み合わせとして構成されている。 The filter 59a is configured as a transmittance correction plate that forms an illumination intensity distribution of light irradiated from the lamp group 57a onto the substrate 22 of the substrate support portion 44a in an arbitrary distribution, or from the lamp group 57a to the substrate support portion. It is comprised as a wavelength control board which forms the wavelength distribution of the light irradiated on the board | substrate 22 of 44a in arbitrary distribution, or it is comprised as a combination of these.

例えば、フィルタ５９ａは、ランプ群５７ａの外縁を構成する第一のランプ群に対向する領域（以下、第一の領域とも呼ぶ）におけるフィルタ５９ａの透過率を第一の透過率とし、ランプ群５７ａのうち第一のランプ群とは異なる第二のランプ群と対向する領域（以下、第二の領域とも呼ぶ）におけるフィルタ５９ａの透過率を第二の透過率としたとき、第一の透過率が第二の透過率よりも高くなるような透過率補正板として構成されている。この場合、フィルタ５９ａは、透過率の比較的高い第一の透過率を有する円周状の第一の領域と、第一の透過率よりも低い第二の透過率を有し、第一の領域に囲われた円形の第二の領域と、を有している。 For example, the filter 59a uses the transmittance of the filter 59a in a region facing the first lamp group constituting the outer edge of the lamp group 57a (hereinafter also referred to as a first region) as the first transmittance, and the lamp group 57a. When the transmittance of the filter 59a in a region facing the second lamp group different from the first lamp group (hereinafter also referred to as a second region) is the second transmittance, Is configured as a transmittance correction plate that is higher than the second transmittance. In this case, the filter 59a has a circumferential first region having a first transmittance with a relatively high transmittance and a second transmittance lower than the first transmittance. A circular second region surrounded by the region.

また例えば、フィルタ５９ａは、第二のランプ群と対向するフィルタ５９ａ内の領域（第二の領域）であって、基板支持部４４ａ上の基板２２の中心と対向する領域（以下、第三の領域とも呼ぶ）におけるフィルタ５９ａの透過率を第三の透過率としたとき、第三の透過率が第二の透過率よりも低くなるような透過率補正板として構成されている。この場合、フィルタ５９ａは、透過率の比較的高い第一の透過率を有する円周状の第一の領域と、第一の透過率よりも低い第二の透過率を有し、第一の領域に囲われ円周状の第二の領域と、第二の透過率よりも低い第三の透過率を有し、第二の領域に囲われた円形の第三の領域と、を有している。 Further, for example, the filter 59a is a region (second region) in the filter 59a facing the second lamp group, and is a region facing the center of the substrate 22 on the substrate support portion 44a (hereinafter referred to as a third lamp group). When the transmittance of the filter 59a in the region (also referred to as a region) is the third transmittance, the third transmittance is configured as a transmittance correction plate that is lower than the second transmittance. In this case, the filter 59a has a circumferential first region having a first transmittance with a relatively high transmittance and a second transmittance lower than the first transmittance. A circumferential second region surrounded by the region, and a circular third region having a third transmittance lower than the second transmittance and surrounded by the second region. ing.

また例えば、フィルタ５９ａは、ランプ群５７ａを構成するそれぞれのランプ８０ａと対向する領域におけるフィルタ５９ａの透過率が、ランプ８０ａと対向しない領域におけるフィルタ５９ａの透過率よりも低くなるような透過率補正板として構成されている。この場合、フィルタ５９ａは、透過率の比較的高い領域中に、透過率の比較的低い領域が、例えばランプ８０ａの配置と一致するように斑に配列するように構成される。 Further, for example, the filter 59a has a transmittance correction so that the transmittance of the filter 59a in the region facing each lamp 80a constituting the lamp group 57a is lower than the transmittance of the filter 59a in the region not facing the lamp 80a. It is configured as a plate. In this case, the filter 59a is configured such that a region with a relatively low transmittance is arranged in spots so as to coincide with the arrangement of the lamp 80a, for example, in a region with a relatively high transmittance.

また例えば、フィルタ５９ａは、ランプ群５７ａの外縁を構成する第一のランプ群とは異なる第二のランプ群と対向する領域（第二の領域）において、ランプ８０ａから照射される光のピーク強度の波長を除去するような波長制御板として構成されている。この場合、フィルタ５９ａは、ランプ８０ａから照射される光のピーク強度の波長を除去しない円周状の第一の領域と、ランプ８０ａから照射される光のピーク強度の波長を除去するとともに、第一の領域に囲われた円形の第二の領域と、を有している。 Further, for example, the filter 59a has a peak intensity of light emitted from the lamp 80a in a region (second region) facing a second lamp group different from the first lamp group constituting the outer edge of the lamp group 57a. It is configured as a wavelength control plate that removes the wavelength. In this case, the filter 59a removes the wavelength of the peak intensity of the light irradiated from the lamp 80a, the first region of the circumference that does not remove the peak intensity wavelength of the light emitted from the lamp 80a, and the first A circular second region surrounded by the one region.

なお、フィルタ５９ａを上述の透過率補正板として構成する場合、フィルタ５９ａが有する透過率補正分布を、２次元あるいは非線形の分布とすることができる。例えば、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に光を照射したとき、光の照明強度分布が弱い領域（低温となり易い領域）が検出された場合、係る基板２２上の領域に対向するフィルタ５９ａの透過率を、比較的高い第一の透過率とすればよい。また、光の照明強度分布が強い領域（高温となり易い領域）が検出された場合、係る基板２２上の領域に対応するフィルタ５９ａの透過率を、第一の透過率よりも低い第二の透過率とすればよい。なお、係る透過率補正分布は、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に照射される光の照明強度分布の測定結果から、所定のコンピュータプログラムが動作するコンピュータを用いて算出することができる。そして、コンピュータによりフィルタ５９ａのパターンを自動作成することができる。 When the filter 59a is configured as the above-described transmittance correction plate, the transmittance correction distribution of the filter 59a can be a two-dimensional or non-linear distribution. For example, when light is irradiated from the lamp group 57a to the substrate 22 without passing through the filter 59a, a region with a weak light illumination intensity distribution (region that tends to be low temperature) is detected, the region on the substrate 22 is opposed. The transmittance of the filter 59a may be a relatively high first transmittance. In addition, when a region having a strong light illumination intensity distribution (a region that tends to be high temperature) is detected, the transmittance of the filter 59a corresponding to the region on the substrate 22 is lower than the first transmittance. The rate should be used. The transmittance correction distribution can be calculated from the measurement result of the illumination intensity distribution of the light irradiated on the substrate 22 from the lamp group 57a without passing through the filter 59a using a computer on which a predetermined computer program operates. it can. The pattern of the filter 59a can be automatically created by a computer.

また、フィルタ５９ａを上述の波長制御板として構成する場合、フィルタ５９ａが有する波長制御分布を、２次元あるいは非線形の分布とすることができる。例えば、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に光を照射したとき、ピーク強度を示す波長の光が検出されなかった領域（低温となり易い領域）があった場合、係る基板２２上の領域に対向するフィルタ５９ａの領域を、ランプ８０ａから照射されるピーク強度の波長を除去しない領域とすればよい。また、ピーク強度を示す波長の光が検出された領域（高温となり易い領域）があった場合、係る基板２２上の領域に対向するフィルタ５９ａの領域を、ランプ８０ａから照射される光のピーク強度の波長を除去する領域とすればよい。なお、係る波長制御分布は、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に照射される光の波長分布の測定結果から、所定のコンピュータプログラムが動作するコンピュータを用いて算出することができる。 When the filter 59a is configured as the above-described wavelength control plate, the wavelength control distribution of the filter 59a can be a two-dimensional or non-linear distribution. For example, when the substrate 22 is irradiated with light from the lamp group 57a without passing through the filter 59a, if there is a region where light having a wavelength indicating the peak intensity is not detected (region that tends to be low in temperature), The region of the filter 59a facing the region may be a region that does not remove the peak intensity wavelength irradiated from the lamp 80a. In addition, when there is a region where light having a wavelength indicating peak intensity is detected (a region where the temperature is likely to be high), the region of the filter 59a facing the region on the substrate 22 is subjected to peak intensity of light irradiated from the lamp 80a. It suffices to make it a region for removing the wavelength. The wavelength control distribution can be calculated from the measurement result of the wavelength distribution of the light emitted from the lamp group 57a to the substrate 22 without passing through the filter 59a, using a computer on which a predetermined computer program operates.

なお、透過率補正板として構成されるフィルタ５９ａは、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンを、上述のコンピュータに接続されたプリンタにより透明フィルム上に印刷することで製造することができる。また、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンを、リソグラフィー工程によりガラス上に作成することで製造することもできる。すなわ
ち、ガラスにクロム等の不透明金属を蒸着しておき、フォトレジストを塗布し、計算したパターンを露光した後、エッチング処理でクロムのパターンをガラス上に形成することで製造できる。また、透過率形状の異なる複数のフィルム、あるいは形状の異なる複数のガラスを、２枚以上重ね合わせることで製造することもできる。また、透過率および形状の異なる複数のフィルム、あるいは透過率および形状の異なる複数のガラスを２枚以上重ね合わせることで製造することもできる。また、例えばアルミニウム合金等からなる遮光性の金属部材に所定の間隔で所定の径の貫通孔を開設させることで製造することもできる。すなわち、アルミニウム合金からなる高反射板をパンチングすること等で製造できる。なお、アルミニウム合金やアルミニウムは反射率が高いので、ランプ群５７ａから光が照射されても熱の吸収が少なく、フィルタ５９ａの熱変形を低減できる。 The filter 59a configured as a transmittance correction plate can be manufactured by printing a predetermined light-shielding pattern or semi-light-transmitting pattern on a transparent film by a printer connected to the above-described computer. Moreover, it can also manufacture by producing a predetermined light-shielding pattern or semi-translucent pattern on glass by a lithography process. That is, it can be manufactured by depositing an opaque metal such as chromium on glass, applying a photoresist, exposing the calculated pattern, and then forming a chromium pattern on the glass by etching. In addition, a plurality of films having different transmittance shapes or a plurality of glasses having different shapes can be produced by superposing two or more sheets. Moreover, it can also manufacture by laminating | stacking 2 or more of the several film from which the transmittance | permeability and a shape differ, or the several glass from which the transmittance | permeability and a shape differ. Moreover, it can also be manufactured by opening through holes having a predetermined diameter at predetermined intervals in a light-shielding metal member made of, for example, an aluminum alloy. That is, it can be manufactured by punching a highly reflective plate made of an aluminum alloy. Since aluminum alloy and aluminum have high reflectivity, even when light is irradiated from the lamp group 57a, heat absorption is small, and thermal deformation of the filter 59a can be reduced.

また、波長制御板として構成されるフィルタ５９ａは、形状の異なる複数の波長フィルタ（フィルム、あるいはガラス）を２枚以上重ね合わせることで製造することができる。 The filter 59a configured as a wavelength control plate can be manufactured by superposing two or more wavelength filters (film or glass) having different shapes.

なお、フィルタ５９ａは、ランプ収納容器８１ａ内で高さ位置を自在に調整出来るように構成しても良い。すなわち、ランプ群５７ａ側から基板支持部４４ａ側に近づけたり、基板支持部４４ａ側からランプ群５７ａ側に近づけたりすることが可能なように構成しても良い。 The filter 59a may be configured so that the height position can be freely adjusted in the lamp storage container 81a. That is, the lamp group 57a may be configured to be close to the substrate support portion 44a side, or may be configured to be close to the lamp group 57a side from the substrate support portion 44a side.

なお、フィルタ５９ａ，５９ｂと透光性窓部材６９ａ，６９ｂとは別体のものとして設ける場合に限らず、一体のものとして設けてもよい。すなわち、透過率補正板あるいは波長制御板として形成されたフィルタ５９ａ，５９ｂを、処理室１６ａ，１６ｂ（反応室５０内）の気密を保持しつつ、ランプ群５７ａ，５７ｂからの光を処理室１６ａ，１６ｂ内（反応室５０内）に導入する透光性窓部材６９ａ，６９ｂとして兼用することができる。係る構成については、後述する実施例１０においても述べる。 Note that the filters 59a and 59b and the translucent window members 69a and 69b are not limited to being provided separately, and may be provided as an integral part. That is, the filters 59a and 59b formed as transmittance correction plates or wavelength control plates maintain the airtightness of the processing chambers 16a and 16b (inside the reaction chamber 50), and the light from the lamp groups 57a and 57b is processed into the processing chamber 16a. , 16b (inside the reaction chamber 50), it can also be used as translucent window members 69a, 69b. Such a configuration will also be described in Example 10 described later.

（３）基板処理工程
次に、ロボットアーム６４が基板２２を搬送する動作及び本実施例における半導体装置の製造方法の一工程としての基板処理方法について説明する。 (3) Substrate Processing Step Next, the operation of the robot arm 64 carrying the substrate 22 and the substrate processing method as one step of the semiconductor device manufacturing method in this embodiment will be described.

図７から図９において、ロボットアーム６４が基板２２を搬送する経過が示されている。なお、図７から図９においては、ロボットアーム６４等の動作を明確にするため、便宜上基板２２は図示していない。 7 to 9 show a process in which the robot arm 64 transports the substrate 22. 7 to 9, the substrate 22 is not shown for convenience in order to clarify the operation of the robot arm 64 and the like.

（基板搬入工程）
まず、図７に示すように、フィンガ対４０の上フィンガ３８ａ及び下フィンガ３８ｂは、それぞれ基板２２を搬送室１２内から反応室５０内に搬送（２枚の基板２２を同時搬送）し、基板支持部４４ａの上方で停止する。この時、フィンガ６６は、基板支持部４４ａの上方で２枚の基板２２の間に位置するように待機させられている。 (Substrate loading process)
First, as shown in FIG. 7, the upper finger 38 a and the lower finger 38 b of the finger pair 40 each transfer the substrate 22 from the transfer chamber 12 to the reaction chamber 50 (transfer the two substrates 22 simultaneously). It stops above the support part 44a. At this time, the finger 66 is placed on standby so as to be positioned between the two substrates 22 above the substrate support 44a.

そして、フィンガ対４０が停止した状態で、基板支持部４４ａを貫通している３つの基板保持ピン７４と、ロボットアーム６４とが上方に移動する。ここで、下フィンガ３８ｂの上に載置されていた基板２２は、基板支持部４４ａを貫通している３つの基板保持ピン７４上に移載され、上フィンガ３８ａの上に載置されていた基板２２は、フィンガ６６に移載される。２枚の基板２２が移載されたフィンガ対４０は、搬送室１２に戻される。 Then, with the finger pair 40 stopped, the three substrate holding pins 74 penetrating the substrate support portion 44a and the robot arm 64 move upward. Here, the substrate 22 placed on the lower finger 38b was transferred onto the three substrate holding pins 74 penetrating the substrate support portion 44a and placed on the upper finger 38a. The substrate 22 is transferred to the finger 66. The finger pair 40 on which the two substrates 22 are transferred is returned to the transfer chamber 12.

次に、図８に示すように、基板支持部４４ａを貫通している３つの基板保持ピン７４が下方に移動すると、下フィンガ３８ｂが搬送した基板２２は、基板支持面５５ａ上に移載される。また、ロボットアーム６４は、軸部６８が回転することにより、フィンガ６６が基板支持部４４ｂの上方に移動する。 Next, as shown in FIG. 8, when the three substrate holding pins 74 penetrating the substrate support portion 44a move downward, the substrate 22 conveyed by the lower finger 38b is transferred onto the substrate support surface 55a. The Further, in the robot arm 64, when the shaft portion 68 rotates, the finger 66 moves above the substrate support portion 44b.

そして、図９に示すように、フィンガ６６の突起部７２それぞれが基板支持部４４ｂの溝部７６に沿って上方から下方へ移動するようにロボットアーム６４が下方に移動する。その結果、上フィンガ３８ａが搬送した基板２２は、基板支持面５５ｂ上に移載される。ここで、ロボットアーム６４は、基板支持面５５ｂよりも下方に位置する。つまり、ロボットアーム６４は、ガス供給部５１ａ，５１ｂから供給されるガスが上方から下方へ流れることを阻害しない状態で、基板２２の処理中にも反応室５０内に位置する。 Then, as shown in FIG. 9, the robot arm 64 moves downward so that each of the protrusions 72 of the finger 66 moves from above to below along the groove 76 of the substrate support 44b. As a result, the substrate 22 conveyed by the upper finger 38a is transferred onto the substrate support surface 55b. Here, the robot arm 64 is positioned below the substrate support surface 55b. That is, the robot arm 64 is located in the reaction chamber 50 even during the processing of the substrate 22 in a state where the gas supplied from the gas supply units 51a and 51b does not hinder the flow from above to below.

（熱処理工程）
そして、ガス供給部５１ａ，５１ｂから反応室５０内に例えばＮ_２ガスの供給を開始しつつ、第１の排気口５８、第２の排気口６０、第３の排気口６２を介して反応室５０内を図示しないポンプにより排気して、反応室５０内が所定の処理圧力（真空レベル）になるように調整する。 (Heat treatment process)
Then, for example, the supply of N ₂ gas into the reaction chamber 50 from the gas supply units 51 a and 51 b is started, and the reaction chamber is connected via the first exhaust port 58, the second exhaust port 60, and the third exhaust port 62. The inside of the chamber 50 is evacuated by a pump (not shown), and the inside of the reaction chamber 50 is adjusted to a predetermined processing pressure (vacuum level).

反応室５０内へのＮ_２ガスの供給及び反応室５０内の排気と並行して、基板支持部４４ａ，４４ｂ内に設けられたヒータ４５ａ，４５ｂへの通電を開始して、基板２２の温度を例えば４２０℃程度まで加熱させる。 In parallel with the supply of N ₂ gas into the reaction chamber 50 and the exhaust of the reaction chamber 50, energization of the heaters 45 a and 45 b provided in the substrate support portions 44 a and 44 b is started, and the temperature of the substrate 22 is started. Is heated to about 420 ° C., for example.

基板２２の温度が所定の温度（４２０℃）に達したら、ランプハウス５２ａ，５２ｂによる基板２２の加熱、すなわちランプ群５７ａ，５７ｂによる基板２２への光の照射を開始して、基板２２の温度を所定の熱処理温度（例えば４５０℃）にまで加熱させる。 When the temperature of the substrate 22 reaches a predetermined temperature (420 ° C.), heating of the substrate 22 by the lamp houses 52a and 52b, that is, irradiation of light to the substrate 22 by the lamp groups 57a and 57b is started. Is heated to a predetermined heat treatment temperature (for example, 450 ° C.).

このとき、ランプ群５７ａと基板支持部４４ａとの間に設けられたフィルタ５９ａ，５９ｂの作用により、基板２２上に照射される光の照明強度分布或いは波長分布が調整されることで、基板２２の面内温度均一性が向上する。 At this time, the illumination intensity distribution or the wavelength distribution of the light irradiated onto the substrate 22 is adjusted by the action of the filters 59a and 59b provided between the lamp group 57a and the substrate support portion 44a. In-plane temperature uniformity is improved.

例えば、透過率補正板として構成されたフィルタ５９ａを用いた場合、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に光を照射したとき、光の照明強度分布が弱い領域（低温となり易い領域）においては、係る領域に対向するフィルタ５９ａの透過率が、比較的高い第一の透過率となっているため、光の照射が促され、基板２２の加熱が促進される。また、例えば、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に光を照射したとき、光の照明強度分布が強い領域（高温となり易い領域）においては、係る領域に対応するフィルタ５９ａの透過率が、第一の透過率よりも低い第二の透過率となっているため、光の照射が適切に制限され、基板２２の加熱が抑制される。これにより、基板２２の面内温度均一性が向上する。 For example, when a filter 59a configured as a transmittance correction plate is used, when light is emitted from the lamp group 57a to the substrate 22 without passing through the filter 59a, the light illumination intensity distribution is weak (region where temperature tends to be low). Since the transmittance of the filter 59a facing the region is a relatively high first transmittance, light irradiation is promoted and heating of the substrate 22 is promoted. Further, for example, when light is emitted from the lamp group 57a to the substrate 22 without passing through the filter 59a, in a region where the illumination intensity distribution of light is strong (region that tends to be high temperature), the transmittance of the filter 59a corresponding to the region is concerned. However, since the second transmittance is lower than the first transmittance, the light irradiation is appropriately limited, and the heating of the substrate 22 is suppressed. Thereby, the in-plane temperature uniformity of the substrate 22 is improved.

また例えば、波長制御板として構成されたフィルタ５９ａを用いた場合、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に光を照射したとき、ピーク強度を示す波長の光が検出される領域（低温となり易い領域）においては、係る領域に対向するフィルタ５９ａの領域が、ランプ８０ａから照射されるピーク強度の波長を除去しない領域となっているため、ピーク強度を示す光の照射が促され、基板２２の加熱が促進される。また、ランプ群５７ａからフィルタ５９ａを介さずに基板２２に光を照射したとき、ピーク強度を示す波長の光が検出される領域（高温となり易い領域）においては、係る領域に対向するフィルタ５９ａの領域が、ランプ８０ａから照射される光のピーク強度の波長を除去する領域となっているため、ピーク強度を示す光の照射が適切に制限され、基板２２の加熱が促進される。これにより、基板２２の面内温度均一性が向上する。 Further, for example, when a filter 59a configured as a wavelength control plate is used, when light is emitted from the lamp group 57a to the substrate 22 without passing through the filter 59a, a region where light having a wavelength indicating peak intensity is detected (low temperature The region of the filter 59a facing the region is a region in which the wavelength of the peak intensity emitted from the lamp 80a is not removed, so that irradiation of light indicating the peak intensity is promoted, and the substrate 22 heating is promoted. In addition, when light is emitted from the lamp group 57a to the substrate 22 without passing through the filter 59a, in a region where light having a wavelength indicating peak intensity is detected (a region where the temperature tends to be high), the filter 59a facing the region is not affected. Since the region is a region where the wavelength of the peak intensity of the light irradiated from the lamp 80a is removed, the irradiation of the light indicating the peak intensity is appropriately limited, and the heating of the substrate 22 is promoted. Thereby, the in-plane temperature uniformity of the substrate 22 is improved.

（降温工程）
所定時間が経過し、基板２２に対して所定の熱処理が施されたら、ランプハウス５２ａ，５２ｂによる基板２２の加熱、すなわちランプ群５７ａ，５７ｂによる基板２２への光
の照射を停止して、基板２２の温度を所定温度（例えば４２０℃）にまで降温させる。基板２２の温度が所定の温度（４２０℃）まで下がったら、ヒータ４５ａ，４５ｂへの通電を停止して、基板２２の温度をさらに降下させる。このように、降温を段階的に行うことで、急激な冷却による基板２２の破損を抑制することができる。なお、降温中は、反応室５０内へのＮ_２ガスの供給及び反応室５０内の排気と継続して行う。 (Cooling process)
When a predetermined time has elapsed and a predetermined heat treatment is performed on the substrate 22, heating of the substrate 22 by the lamp houses 52a and 52b, that is, irradiation of light onto the substrate 22 by the lamp groups 57a and 57b is stopped, and the substrate is stopped. The temperature of 22 is lowered to a predetermined temperature (for example, 420 ° C.). When the temperature of the substrate 22 falls to a predetermined temperature (420 ° C.), the energization to the heaters 45a and 45b is stopped, and the temperature of the substrate 22 is further lowered. In this way, by performing the temperature lowering stepwise, it is possible to suppress damage to the substrate 22 due to rapid cooling. During the temperature decrease, the N ₂ gas is continuously supplied to the reaction chamber 50 and the reaction chamber 50 is exhausted.

（搬出工程）
その後、上述の手順とは逆の手順により、反応室５０内の圧力を搬送室１２内の圧力と同程度、或いは搬送室１２内の圧力よりも高い圧力とする。所定の処理が終了したら、熱処理後の２枚の基板２２を反応室５０内から搬送室１２内へ搬送する。この場合、ロボットアーム６４及びフィンガ対４０は、図８から図１０を用いて説明した上述の動作を逆の順序で行う。 (Unloading process)
Thereafter, the pressure in the reaction chamber 50 is set to the same level as the pressure in the transfer chamber 12 or higher than the pressure in the transfer chamber 12 by a procedure reverse to the above procedure. When the predetermined processing is completed, the two substrates 22 after the heat treatment are transferred from the reaction chamber 50 to the transfer chamber 12. In this case, the robot arm 64 and the finger pair 40 perform the above-described operations described with reference to FIGS. 8 to 10 in the reverse order.

（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。 (4) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, the following one or more effects are achieved.

（ａ）本実施形態によれば、ランプ群５７ａと基板支持部４４ａとの間に設けられたフィルタ５９ａ，５９ｂの作用により、基板２２上に照射される光の照明強度分布或いは波長分布が均一になるように制御できる。その結果、基板２２の面内温度均一性を向上させることができる。 (A) According to this embodiment, the illumination intensity distribution or wavelength distribution of the light irradiated on the substrate 22 is uniform by the action of the filters 59a and 59b provided between the lamp group 57a and the substrate support 44a. Can be controlled. As a result, the in-plane temperature uniformity of the substrate 22 can be improved.

（ｂ）本実施形態によれば、ランプ群５７ａを基板支持部４４ａ上の基板２２に近づけた場合でも、基板２２上に照射される光の照明強度分布、或いは波長分布を容易に制御できる。すなわち、フィルタ５９ａ，５９ｂの透過率補正分布、波長制御分布、高さ位置等を調整することで、基板２２上に照射される光の照明強度分布或いは波長分布を容易に制御できる。その結果、基板２２の加熱効率を向上させつつ、面内温度均一性を向上させることができる。 (B) According to this embodiment, even when the lamp group 57a is brought close to the substrate 22 on the substrate support portion 44a, the illumination intensity distribution or wavelength distribution of the light irradiated on the substrate 22 can be easily controlled. That is, by adjusting the transmittance correction distribution, wavelength control distribution, height position, and the like of the filters 59a and 59b, the illumination intensity distribution or wavelength distribution of the light irradiated on the substrate 22 can be easily controlled. As a result, the in-plane temperature uniformity can be improved while improving the heating efficiency of the substrate 22.

（ｃ）また、本実施形態によれば、基板２２の面内温度均一性を向上させるのみならず、
基板２２の面内温度分布を任意の分布にさせることができる。すなわち、ランプ群５７ａと基板支持部４４ａとの間に設けられたフィルタ５９ａ，５９ｂの作用により、基板２２上に照射される光の照明強度分布或いは波長分布があえて不均一になるように制御できる。その結果、局所的に基板２２の温度を上昇させたり、或いは低下させたりすることができる。そして、例えば基板２２の境界条件にあわせて緻密な温度コントロールが可能となる。 (C) Moreover, according to this embodiment, not only the in-plane temperature uniformity of the substrate 22 is improved,
The in-plane temperature distribution of the substrate 22 can be set to an arbitrary distribution. That is, by the action of the filters 59a and 59b provided between the lamp group 57a and the substrate support portion 44a, the illumination intensity distribution or wavelength distribution of the light irradiated on the substrate 22 can be controlled to be nonuniform. . As a result, the temperature of the substrate 22 can be locally increased or decreased. For example, precise temperature control is possible in accordance with the boundary conditions of the substrate 22.

（ｄ）本実施形態によれば、本実施形態に係るフィルタ５９ａ，５９ｂは、安価に製造することができる。 (D) According to this embodiment, the filters 59a and 59b according to this embodiment can be manufactured at low cost.

すなわち、透過率補正板として構成されるフィルタ５９ａ，５９ｂは、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンを、上述のコンピュータに接続されたプリンタにより透明フィルム上に印刷することで製造することができる。また、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンを、リソグラフィー工程によりガラス上に作成することで製造することもできる。すなわち、ガラスにクロム等の不透明金属を蒸着しておき、フォトレジストを塗布し、計算したパターンを露光した後、エッチング処理でクロムのパターンをガラス上に形成することで製造できる。また、透過率形状の異なる複数のフィルム、あるいは形状の異なる複数のガラスを、２枚以上重ね合わせることで製造することもできる。また、透過率および形状の異なる複数のフィルム、あるいは透過率および形状の異なる複数のガラスを２枚以上重ね合わせることで製造することもできる。また、例えばアルミニウム合金等からなる遮光性の金属部材に所定の間隔で所定の径の貫通孔を開設させることで製造することもできる。すなわち、アルミニウム合金からなる高反射板をパンチングすること等で製造できる。 That is, the filters 59a and 59b configured as transmittance correction plates can be manufactured by printing a predetermined light-shielding pattern or semi-transparent pattern on a transparent film by a printer connected to the above-described computer. Moreover, it can also manufacture by producing a predetermined light-shielding pattern or semi-translucent pattern on glass by a lithography process. That is, it can be manufactured by depositing an opaque metal such as chromium on glass, applying a photoresist, exposing the calculated pattern, and then forming a chromium pattern on the glass by etching. In addition, a plurality of films having different transmittance shapes or a plurality of glasses having different shapes can be produced by superposing two or more sheets. Moreover, it can also manufacture by laminating | stacking 2 or more of the several film from which the transmittance | permeability and a shape differ, or the several glass from which the transmittance | permeability and a shape differ. Moreover, it can also be manufactured by opening through holes having a predetermined diameter at predetermined intervals in a light-shielding metal member made of, for example, an aluminum alloy. That is, it can be manufactured by punching a highly reflective plate made of an aluminum alloy.

また、波長制御板として構成されるフィルタ５９ａ，５９ｂは、形状の異なる複数の波長フィルタ（フィルム、あるいはガラス）を２枚以上重ね合わせることで製造することができる。 The filters 59a and 59b configured as wavelength control plates can be manufactured by superposing two or more wavelength filters (film or glass) having different shapes.

このように、本実施形態に係るフィルタ５９ａ，５９ｂは、安価に製造することができる。また、本実施形態では、フィルタ５９ａ以外に、特殊な形状の反射板や、均一照明を実現するためのフライアイレンズ等の光学系を設ける必要がない。その結果、基板処理装置の製造コスト、基板処理コストを低減させることが出来る。また、基板処理装置を小型化することができる。 Thus, the filters 59a and 59b according to this embodiment can be manufactured at low cost. Further, in the present embodiment, it is not necessary to provide an optical system such as a specially shaped reflecting plate or a fly-eye lens for realizing uniform illumination in addition to the filter 59a. As a result, the manufacturing cost and substrate processing cost of the substrate processing apparatus can be reduced. Further, the substrate processing apparatus can be reduced in size.

（ｅ）本実施形態によれば、フィルタ５９ａ，５９ｂを、反応室５０内の気密を保持しつつ、ランプ群５７ａ，５７ｂからの光を導入する透光性窓部材６９ａ，６９ｂとしても兼用することができる。これにより、基板処理装置の製造コスト、基板処理コストを低減させることが出来る。 (E) According to the present embodiment, the filters 59a and 59b are also used as translucent window members 69a and 69b for introducing light from the lamp groups 57a and 57b while maintaining the airtightness in the reaction chamber 50. be able to. Thereby, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus and the substrate processing cost can be reduced.

以下に、本発明の実施例１〜１０について説明する。 Examples 1 to 10 of the present invention will be described below.

（実施例１）
本実施例では、透過率補正板として構成されたフィルタを用いて基板上の照度強度分布を均一化させた。本実施例の概要を図１０に示す。 Example 1
In this example, the illuminance intensity distribution on the substrate was made uniform using a filter configured as a transmittance correction plate. An outline of the present embodiment is shown in FIG.

図１０（ａ）は、本実施例に係る基板処理装置が備えるランプハウスおよび反応室の断面構成を示している。本装置は、上述の実施形態と同様に構成されている。本実施例に係るフィルタ（図中、透過性補正板と表示）は、図１０（ａ）の左側に示すように、透過率の比較的高い第一の透過率を有する円周状の第一の領域と、第一の透過率よりも低い第二
の透過率を有し、第一の領域に囲われ円周状の第二の領域と、第二の透過率よりも低い第三の透過率を有し、第二の領域に囲われた円形の第三の領域と、を有している。第一の領域、第二の領域、第三の領域は、同心円状に配置されている。 FIG. 10A shows a cross-sectional configuration of the lamp house and reaction chamber included in the substrate processing apparatus according to this embodiment. This apparatus is configured in the same manner as the above-described embodiment. As shown on the left side of FIG. 10 (a), the filter according to the present embodiment (shown as a permeability correction plate) is a circumferential first having a relatively high first transmittance. A second transmittance lower than the first transmittance, a second region surrounded by the first region and a circumferential second region, and a third transmittance lower than the second transmittance And a circular third region surrounded by the second region. The first region, the second region, and the third region are arranged concentrically.

図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の装置において、ランプ群からフィルタを介さずに基板（図中、ウエハと表示）に光を照射したときの、光の照明強度分布（すなわちランプ群の照明特性）を示している。横軸は基板上における測定位置を、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。基板の中心付近では、複数のランプによる光が重ね合わさることから、照明強度が最大となっている。また、基板の外縁付近（左端、右端）に行くにつれて、上述の重ね合わせが少なくなり、照明強度が徐々に低下している。 FIG. 10B shows the illumination intensity distribution of light (that is, the lamp group) when the substrate (shown as a wafer in the figure) is irradiated with light from the lamp group without passing through the filter in the apparatus of FIG. Lighting characteristics). The horizontal axis represents the measurement position on the substrate, and the vertical axis represents the illuminance (mW / cm ² ). In the vicinity of the center of the substrate, light from a plurality of lamps are overlapped, so that the illumination intensity is maximum. In addition, as it goes to the vicinity of the outer edge (left end, right end) of the substrate, the above-described superposition is reduced, and the illumination intensity is gradually reduced.

図１０（ｃ）は、本実施例に係るフィルタが有する透過率補正分布を示す。横軸はフィルタ上における測定位置を、縦軸は透過率（％）を示している。本実施例に係るフィルタの透過率補正分布は、図１０（ｂ）に示す照明強度分布を反転させるように決定されている。すなわち、照明強度が最大となる基板の中心付近に対向する領域では、フィルタの透過率が最低となり、基板の外縁付近に行くにつれて、フィルタの透過率が徐々に大きくなるように分布している。 FIG. 10C shows the transmittance correction distribution of the filter according to this embodiment. The horizontal axis indicates the measurement position on the filter, and the vertical axis indicates the transmittance (%). The transmittance correction distribution of the filter according to the present embodiment is determined so as to invert the illumination intensity distribution shown in FIG. In other words, in the region facing the vicinity of the center of the substrate where the illumination intensity is maximum, the transmittance of the filter is the lowest, and the transmittance of the filter is gradually increased toward the outer edge of the substrate.

図１０（ｄ）は、ランプ群からフィルタを介して基板に光を照射したときの照明強度分布を示している。横軸は基板上における測定位置を、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。図１０（ｄ）に示すように、透過率補正板として構成されたフィルタを用いることで、基板上の照度強度分布が均一化されていることが分かる。 FIG. 10D shows an illumination intensity distribution when the substrate is irradiated with light from the lamp group through the filter. The horizontal axis represents the measurement position on the substrate, and the vertical axis represents the illuminance (mW / cm ² ). As shown in FIG. 10D, it can be seen that the illuminance intensity distribution on the substrate is made uniform by using a filter configured as a transmittance correction plate.

（実施例２）
一般的に、基板の外縁からの放熱は中心部に比べて大きい場合が多く、基板中心の温度が相対的に高くなってしまい易い。本実施例では、基板の中心部分の照度強度分布を意図的に局所的に低くすることで、基板の面内温度均一性を向上させた。本実施例の概要を図１１に示す。なお、本実施例に係る基板処理装置は、フィルタを除き実施例１の基板処理装置と同様に構成されている。本実施例の概要を図１１に示す。 (Example 2)
In general, the heat radiation from the outer edge of the substrate is often larger than that at the center, and the temperature at the center of the substrate tends to be relatively high. In this example, the in-plane temperature uniformity of the substrate was improved by intentionally lowering the illuminance intensity distribution in the central portion of the substrate locally. An outline of this embodiment is shown in FIG. The substrate processing apparatus according to the present embodiment is configured in the same manner as the substrate processing apparatus according to the first embodiment except for the filter. An outline of this embodiment is shown in FIG.

図１１（ａ）は、ランプ群からフィルタを介さずに基板に光を照射したときの照明強度分布（すなわちランプ群の照明特性）を示している。横軸は基板上における測定位置、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。本実施例に係る光の照明強度分布は、実施例１の分布と同様である。すなわち、基板の中心付近では、複数のランプによる光が重ね合わさることから、照明強度が最大となっている。また、基板の外縁付近（左端、右端）に行くにつれて、上述の重ね合わせが少なくなり、照明強度が徐々に低下している。 FIG. 11A shows the illumination intensity distribution (that is, the illumination characteristics of the lamp group) when the substrate is irradiated with light from the lamp group without passing through a filter. The horizontal axis indicates the measurement position on the substrate, and the vertical axis indicates the illuminance (mW / cm ² ). The illumination intensity distribution of light according to the present embodiment is the same as the distribution of the first embodiment. That is, in the vicinity of the center of the substrate, light from a plurality of lamps is superimposed, so that the illumination intensity is maximum. In addition, as it goes to the vicinity of the outer edge (left end, right end) of the substrate, the above-described superposition is reduced, and the illumination intensity is gradually reduced.

図１１（ｂ）は、本実施例に係るフィルタが有する透過率補正分布を示す。横軸はフィルタ上における測定位置を、縦軸は透過率（％）を示している。本実施例に係るフィルタの透過率補正分布は、実施例１のフィルタとほぼ同様に構成されている。すなわち、照明強度が最大となる基板の中心付近に対向する領域では、フィルタの透過率が最低となり、基板の外縁付近に行くにつれて、フィルタの透過率が徐々に大きくなるように分布している。但し、照明強度が最大となる基板の中心付近に対向する領域では、実施例１のフィルタよりも透過率を更に低下させている点が異なる。 FIG. 11B shows the transmittance correction distribution of the filter according to this embodiment. The horizontal axis indicates the measurement position on the filter, and the vertical axis indicates the transmittance (%). The transmittance correction distribution of the filter according to the present embodiment is configured in substantially the same manner as the filter of the first embodiment. In other words, in the region facing the vicinity of the center of the substrate where the illumination intensity is maximum, the transmittance of the filter is the lowest, and the transmittance of the filter is gradually increased toward the outer edge of the substrate. However, in the region facing the vicinity of the center of the substrate where the illumination intensity is maximum, the transmittance is further reduced as compared with the filter of the first embodiment.

図１１（ｃ）は、ランプ群からフィルタを介して基板に光を照射したときの照明強度分布を示している。横軸は基板上における測定位置、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。図１１（ｃ）に示すように、透過率補正板として構成されたフィルタを用いることで、基板中心の照度強度分布が若干低下している。基板の外縁からの放熱は中心部に比べて大きい場合が多く、この場合、基板中心の温度が相対的に高くなってしまい易い。これ
に対し、本実施例のような照度強度分布で基板に光を照射すれば、基板の面内温度均一性を向上させることができる。 FIG. 11C shows an illumination intensity distribution when the substrate is irradiated with light from the lamp group through the filter. The horizontal axis indicates the measurement position on the substrate, and the vertical axis indicates the illuminance (mW / cm ² ). As shown in FIG. 11C, the illuminance intensity distribution at the center of the substrate is slightly lowered by using a filter configured as a transmittance correction plate. The heat radiation from the outer edge of the substrate is often larger than that at the center, and in this case, the temperature at the center of the substrate tends to be relatively high. On the other hand, if the substrate is irradiated with light with the illuminance intensity distribution as in this embodiment, the in-plane temperature uniformity of the substrate can be improved.

（実施例３）
ランプと基板との距離が遠いとエネルギーが減衰してしまい、照明強度が低下してしまう。照明強度が低下すると、基板に吸収される光エネルギー（後に熱エネルギーに変換される）の量が低下し、基板の加熱効率が低下してしまう。但し、ランプと基板との距離とを近づけると、ランプ群からフィルタを介さずに基板に光を照射したときの照明強度分布が、実施例１や実施例２の様にならず、複数のランプに対向するそれぞれの位置でピークを有するような分布となる。そこで本実施例では、係る照度強度分布に併せてフィルタの透過率分布を設定することで、基板の面内温度均一性を向上させた。本実施例の概要を図１２に示す。 (Example 3)
If the distance between the lamp and the substrate is long, the energy is attenuated and the illumination intensity is lowered. When the illumination intensity decreases, the amount of light energy absorbed by the substrate (which is later converted into thermal energy) decreases, and the heating efficiency of the substrate decreases. However, when the distance between the lamp and the substrate is reduced, the illumination intensity distribution when the substrate is irradiated with light from the lamp group without passing through the filter does not become the same as in the first and second embodiments. The distribution is such that there is a peak at each of the positions facing. Therefore, in this embodiment, the in-plane temperature uniformity of the substrate is improved by setting the transmittance distribution of the filter in accordance with the illuminance intensity distribution. An outline of this embodiment is shown in FIG.

図１２（ａ）は、本実施例に係る基板処理装置が備えるランプハウスおよび反応室の断面構成を示している。本装置では、ランプと基板との距離が近くなるように設定されている点が、上述の実施例と異なる。本実施例に係るフィルタ（図中、透過性補正板と表示）は、図１２（ａ）の左側に示すように、透過率の比較的高い領域中に、透過率の比較的低い領域が、例えばランプの配置と一致するように斑に配列するように構成されている。 FIG. 12A shows a cross-sectional configuration of the lamp house and reaction chamber included in the substrate processing apparatus according to this embodiment. This apparatus is different from the above-described embodiment in that the distance between the lamp and the substrate is set to be close. As shown on the left side of FIG. 12 (a), the filter according to the present embodiment (shown as a permeability correction plate) has a relatively low transmittance region in a relatively high transmittance region. For example, the lamps are arranged in spots so as to match the lamp arrangement.

図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の装置において、ランプ群からフィルタを介さずに基板（図中、ウエハと表示）に光を照射したときの、光の照明強度分布（すなわちランプ群の照明特性）を示している。横軸は基板上における測定位置を、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。ランプと基板との距離が近いことから、実施例１や２で見られた重ね合わせの影響が低下し、複数のランプに対向するそれぞれの位置でピークを有することが分かる。 FIG. 12B shows the illumination intensity distribution of light (that is, the lamp group) when the substrate (shown as a wafer in the figure) is irradiated with light from the lamp group without passing through the filter in the apparatus of FIG. Lighting characteristics). The horizontal axis represents the measurement position on the substrate, and the vertical axis represents the illuminance (mW / cm ² ). Since the distance between the lamp and the substrate is short, it can be seen that the effect of superposition seen in Examples 1 and 2 is reduced, and there is a peak at each position facing a plurality of lamps.

図１２（ｃ）は、本実施例に係るフィルタが有する透過率補正分布を示す。横軸はフィルタ上における測定位置を、縦軸は透過率（％）を示している。本実施例に係るフィルタの透過率補正分布は、図１２（ｂ）に示す照明強度分布を反転させるように決定されている。すなわち、照明強度が最大となる領域（ランプと対向する領域）では、フィルタの透過率が最低となり、照明強度が低い領域（ランプと対向しない領域）では、フィルタの透過率が最大となるように分布している。 FIG. 12C shows the transmittance correction distribution of the filter according to this embodiment. The horizontal axis indicates the measurement position on the filter, and the vertical axis indicates the transmittance (%). The transmittance correction distribution of the filter according to the present embodiment is determined so as to invert the illumination intensity distribution shown in FIG. That is, the transmittance of the filter is the lowest in the region where the illumination intensity is maximum (the region facing the lamp), and the transmittance of the filter is maximized in the region where the illumination intensity is low (the region not facing the lamp). Distributed.

図１２（ｄ）は、ランプ群からフィルタを介して基板に光を照射したときの照明強度分布を示している。横軸は基板上における測定位置を、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。図１２（ｄ）に示すように、ランプと基板との距離を近づけた場合であっても、透過率補正板として構成されたフィルタを用いることで、基板上の照度強度分布が均一化されていることが分かる。また、係る効果は、ランプと基板との距離が近づけた場合に限らず、ランプの数を減らした場合にも同様に得ることができる。 FIG. 12D shows the illumination intensity distribution when the substrate is irradiated with light from the lamp group via the filter. The horizontal axis represents the measurement position on the substrate, and the vertical axis represents the illuminance (mW / cm ² ). As shown in FIG. 12D, even when the distance between the lamp and the substrate is reduced, the illuminance intensity distribution on the substrate is made uniform by using a filter configured as a transmittance correction plate. I understand that. Such an effect can be obtained not only when the distance between the lamp and the substrate is reduced, but also when the number of lamps is reduced.

（実施例４）
本実施例は、上述の実施例２と実施例３とを組み合わせた場合を示している。基板の外縁からの放熱は中心部に比べて大きく、また、ランプと基板との距離が近づけた場合であっても、実施例２，４の特性を組み合わせたフィルタを用いることで、基板の面内温度均一性を向上させることができる。本実施例の概要を図１３に示す。なお、詳細な説明は、実施例２，４にそれぞれ記載済みであるため省略する。 Example 4
This embodiment shows a case where the above-described embodiment 2 and embodiment 3 are combined. The heat radiation from the outer edge of the substrate is larger than that at the center, and even when the distance between the lamp and the substrate is reduced, the surface of the substrate can be obtained by using a filter that combines the characteristics of Examples 2 and 4. The internal temperature uniformity can be improved. An outline of this example is shown in FIG. Detailed description is omitted since it has been described in each of the second and fourth embodiments.

（実施例５）
本実施例では、波長制御板として構成されたフィルタを用いて基板上の波長分布を制御した。なお、本実施例に係る基板処理装置は、フィルタを除き実施例１の基板処理装置と
同様に構成されている。本実施例の概要を図１４に示す。 (Example 5)
In this example, the wavelength distribution on the substrate was controlled using a filter configured as a wavelength control plate. The substrate processing apparatus according to the present embodiment is configured in the same manner as the substrate processing apparatus according to the first embodiment except for the filter. An outline of the present embodiment is shown in FIG.

図１４（ａ）は、ランプ群からフィルタを介さずに基板に光を照射したときの照明強度分布（すなわちランプ群の照明特性）を示している。横軸は基板上における測定位置、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。本実施例に係る光の照明強度分布は、実施例１の分布と同様である。すなわち、基板の中心付近では、複数のランプによる光が重ね合わさることから、照明強度が最大となっている。また、基板の外縁付近（左端、右端）に行くにつれて、上述の重ね合わせが少なくなり、照明強度が徐々に低下している。 FIG. 14A shows the illumination intensity distribution (that is, the illumination characteristics of the lamp group) when the substrate is irradiated with light from the lamp group without passing through a filter. The horizontal axis indicates the measurement position on the substrate, and the vertical axis indicates the illuminance (mW / cm ² ). The illumination intensity distribution of light according to the present embodiment is the same as the distribution of the first embodiment. That is, in the vicinity of the center of the substrate, light from a plurality of lamps is superimposed, so that the illumination intensity is maximum. In addition, as it goes to the vicinity of the outer edge (left end, right end) of the substrate, the above-described superposition is reduced, and the illumination intensity is gradually reduced.

図１４（ｂ）は、本実施例に係るフィルタが有する波長別の透過特性を示す。横軸はフィルタ上における測定位置を、縦軸は透過率（％）を示している。左側のグラフは波長が４００〜４５０ｎｍの光に対する透過率分布、右側のグラフは波長が４５０〜５００ｎｍの光を照射したときの透過率分布を示している。図１４（ｂ）によれば、波長が４００〜４５０ｎｍの光は基板中心付近にて除去されていることが分かる。さらに、波長が４５０〜５００ｎｍの光はさらに広範囲で除去されていることが分かる。 FIG. 14B shows transmission characteristics for each wavelength included in the filter according to the present embodiment. The horizontal axis indicates the measurement position on the filter, and the vertical axis indicates the transmittance (%). The graph on the left shows the transmittance distribution for light with a wavelength of 400 to 450 nm, and the graph on the right shows the transmittance distribution when irradiated with light with a wavelength of 450 to 500 nm. As can be seen from FIG. 14B, light having a wavelength of 400 to 450 nm is removed near the center of the substrate. Further, it can be seen that light having a wavelength of 450 to 500 nm is removed in a wider range.

図１４（ｃ）の右側に示すように、本実施例に係るフィルタ（図中、透過性補正板と表示）は、ランプから照射される光のピーク強度の波長を除去しない円周状の第一の領域（全波長透過）と、ランプから照射される光のピーク強度の波長（例えば４５０〜５００ｎｍ）を除去しない円周状の第二の領域（４５０〜５００ｎｍＣＵＴフィルタ）と、ランプから照射される光のピーク強度の波長（例えば４００〜４５０ｎｍ）を除去するとともに、第二の領域に囲われた円形の第三の領域（４００〜４５０ｎｍＣＵＴフィルタ）と、を有している。 As shown on the right side of FIG. 14 (c), the filter according to the present embodiment (shown as a permeability correction plate in the figure) is a circular first filter that does not remove the wavelength of the peak intensity of the light emitted from the lamp. One region (full wavelength transmission), a circumferential second region (450-500 nm CUT filter) that does not remove the peak intensity wavelength (eg 450-500 nm) of light emitted from the lamp, and the lamp In addition to removing the wavelength (for example, 400 to 450 nm) of the peak intensity of the light, a circular third region (400 to 450 nm CUT filter) surrounded by the second region is included.

図１４（ｃ）の左側は、本実施例に係るフィルタが有する全波長における透過率補正分布を示す。横軸はフィルタ上における測定位置を、縦軸は透過率（％）を示している。本実施例に係るフィルタの透過率補正分布は、図１４（ａ）に示す照明強度分布を反転させるように決定されている。すなわち、照明強度が最大となる基板の中心付近に対向する領域では、フィルタの透過率が最低となり、基板の外縁付近に行くにつれて、フィルタの透過率が徐々に大きくなるように分布している。 The left side of FIG. 14C shows a transmittance correction distribution at all wavelengths of the filter according to the present embodiment. The horizontal axis indicates the measurement position on the filter, and the vertical axis indicates the transmittance (%). The transmittance correction distribution of the filter according to the present embodiment is determined so as to invert the illumination intensity distribution shown in FIG. In other words, in the region facing the vicinity of the center of the substrate where the illumination intensity is maximum, the transmittance of the filter is the lowest, and the transmittance of the filter is gradually increased toward the outer edge of the substrate.

図１４（ｄ）は、ランプ群からフィルタを介して基板に光を照射したときの照明強度分布を示している。横軸は基板上における測定位置を、縦軸は照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を示している。図１４（ｄ）に示すように、波長制御板として構成されたフィルタを用いることで、基板上の照度強度分布が均一化されていることが分かる。 FIG. 14D shows the illumination intensity distribution when the substrate is irradiated with light from the lamp group through the filter. The horizontal axis represents the measurement position on the substrate, and the vertical axis represents the illuminance (mW / cm ² ). As shown in FIG. 14D, it can be seen that the illuminance intensity distribution on the substrate is made uniform by using a filter configured as a wavelength control plate.

（実施例６）
本実施例は、上述の実施例３と実施例５とを組み合わせた場合を示している。ランプと基板との距離を近づけた場合であっても、実施例３，５の特性を組み合わせたフィルタを用いることで、基板上の照度強度分布を向上させることができる。本実施例の概要を図１５に示す。なお、詳細な説明は、実施例３，５にそれぞれ記載済みであるため省略する。 (Example 6)
The present embodiment shows a case where the above-described embodiment 3 and embodiment 5 are combined. Even when the distance between the lamp and the substrate is reduced, the illuminance intensity distribution on the substrate can be improved by using a filter that combines the characteristics of the third and fifth embodiments. An outline of this embodiment is shown in FIG. Detailed description is omitted because it has been described in each of the third and fifth embodiments.

（実施例７）
本実施例は、透過率補正板としてのフィルタを製造する際のプロセスを示す。本実施例の概要を図１６に示す。 (Example 7)
This example shows a process when manufacturing a filter as a transmittance correction plate. An overview of this example is shown in FIG.

図１６に示すように、ランプ群からフィルタを介さずに基板に光を照射したときの照明強度分布を測定するか、或いは基板の温度分布を測定し、所定のコンピュータプログラムが動作するコンピュータに入力する。また、基板の境界条件をコンピュータに入力する。そして、基板の温度分布が一定になるための透過率補正分布を、コンピュータから取得す
る。そして、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンを、上述のコンピュータに接続されたプリンタにより透明フィルム上に印刷することで、透過率補正板としてのフィルタを製造することができる。また、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンを、リソグラフィー工程によりガラス上に作成することで、透過率補正板としてのフィルタを製造することもできる。 As shown in FIG. 16, the illumination intensity distribution when the substrate is irradiated with light from the lamp group without passing through the filter is measured, or the temperature distribution of the substrate is measured and input to a computer on which a predetermined computer program operates. To do. Also, the board boundary condition is input to the computer. And the transmittance | permeability correction | amendment distribution for making temperature distribution of a board | substrate constant is acquired from a computer. And a filter as a transmittance | permeability correction board can be manufactured by printing a predetermined light-shielding pattern or a translucent pattern on a transparent film with the printer connected to the above-mentioned computer. Moreover, the filter as a transmittance | permeability correction board can also be manufactured by producing a predetermined light-shielding pattern or a semi-transparent pattern on glass by a lithography process.

（実施例８）
本実施例は、透過率補正板としてのフィルタを、フィルム等の重ね合わせにより製造する際のプロセスを示す。本実施例の概要を図１７に示す。 (Example 8)
The present embodiment shows a process for manufacturing a filter as a transmittance correction plate by superimposing films or the like. An outline of this embodiment is shown in FIG.

図１７（ａ）に示す透過率補正分布を有するフィルタを、重ね合わせにより製造する様子を図１７（ｂ）及び（ｃ）にそれぞれ例示する。図１７（ｂ）及び（ｃ）に示すように、形状の異なる複数のフィルム、あるいは形状の異なる複数のガラス（Ｂ１〜Ｂ５或いはＣ１〜Ｃ５）を２枚以上重ね合わせることで、透過率補正板としてのフィルタを製造することもできる。なお、図１７（ｂ）に示すように、重ね合わせるフィルム（Ｂ１〜Ｂ５）の透過率はそれぞれ同じとしてもよい。また、図１７（ｃ）に示すように、重ね合わせるフィルム（Ｃ１〜Ｃ５）の透過率は互いに異なっていてもよい。 FIGS. 17B and 17C illustrate how the filter having the transmittance correction distribution shown in FIG. 17A is manufactured by superposition. As shown in FIGS. 17B and 17C, a transmittance correction plate is obtained by superposing two or more films having different shapes or a plurality of glasses having different shapes (B1 to B5 or C1 to C5). The filter can also be manufactured. In addition, as shown in FIG.17 (b), the transmittance | permeability of the film (B1-B5) to overlap | superpose may be respectively the same. Moreover, as shown in FIG.17 (c), the transmittance | permeability of the film (C1-C5) to overlap | superpose may mutually differ.

（実施例９）
本実施例は、波長制御板としてのフィルタを、波長フィルタの重ね合わせにより製造する際のプロセスを示す。本実施例の概要を図１８に示す。 Example 9
The present embodiment shows a process for manufacturing a filter as a wavelength control plate by superposing wavelength filters. An outline of this example is shown in FIG.

ランプ群からフィルタを介さずに基板に光を照射したときの照明強度分布を測定するか、或いは基板の温度分布を測定し、所定のコンピュータプログラムが動作するコンピュータに入力する。また、基板の境界条件をコンピュータに入力する。そして、基板の温度分布が一定になるための波長制御分布を、コンピュータから取得する。そして、図１８に示すように、形状の異なる複数の波長フィルタ（Ｄ２，Ｄ３）を、例えばガラス基板（Ｄ１）上に２枚以上重ね合わせることで、波長制御分布を有するフィルタを製造することができる。 The illumination intensity distribution when the substrate is irradiated with light from the lamp group without passing through the filter is measured, or the temperature distribution of the substrate is measured and input to a computer on which a predetermined computer program operates. Also, the board boundary condition is input to the computer. Then, a wavelength control distribution for making the temperature distribution of the substrate constant is acquired from the computer. And as shown in FIG. 18, the filter which has wavelength control distribution can be manufactured by superimposing two or more wavelength filters (D2, D3) from which a shape differs, for example on a glass substrate (D1). it can.

（実施例１０）
本実施例では、フィルタを、反応室内の気密を保持しつつ、ランプ群からの光を導入する透光性窓部材としても兼用した。これにより、基板処理装置の製造コスト、基板処理コストを低減できた。なお、実施例１〜６のいずれのフィルタであっても、透光性窓部材としても兼用できる。係る様子を図１９（ａ）及び（ｂ）にそれぞれ示す。 (Example 10)
In this example, the filter was also used as a translucent window member for introducing light from the lamp group while maintaining airtightness in the reaction chamber. Thereby, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus and the substrate processing cost can be reduced. In addition, any filter of Examples 1-6 can be used also as a translucent window member. Such a situation is shown in FIGS. 19 (a) and 19 (b), respectively.

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 <Other Embodiments of the Present Invention>
As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 <Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

（付記１）
本発明の一態様によれば、
基板を加熱する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、
前記加熱源と前記基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、
複数の前記加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群に対向する領域（複数の前記加熱源のうち前記加熱部を構成する側壁に最も近い第一の加熱源群に対向する領域）における前記フィルタの透過率を第一の透過率とし、
前記加熱源群のうち（複数の前記加熱源のうち）前記第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域における前記フィルタの透過率を第二の透過率としたとき、
前記第一の透過率が前記第二の透過率よりも高く構成されている
基板処理装置が提供される。 (Appendix 1)
According to one aspect of the invention,
A substrate processing apparatus for heating a substrate,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A heating unit that is provided so as to face the substrate support surface of the substrate support unit, and has a plurality of heating sources that are adjacent to each other at a predetermined interval;
A filter provided between the heating source and the substrate support,
Region facing the first heating source group constituting the outer edge of the heating source group consisting of a plurality of the heating sources (the first heating source group closest to the side wall constituting the heating unit among the plurality of heating sources) The transmittance of the filter in the facing region) is the first transmittance,
When the transmittance of the filter in the region facing the second heating source group different from the first heating source group (among the plurality of heating sources) is the second transmittance. ,
There is provided a substrate processing apparatus in which the first transmittance is configured to be higher than the second transmittance.

（付記２）
好ましくは、前記加熱源は電球型ランプとして構成されている。 (Appendix 2)
Preferably, the heating source is configured as a light bulb type lamp.

（付記３）
また好ましくは、前記加熱源は直管型ランプとして構成されている。 (Appendix 3)
Preferably, the heating source is configured as a straight tube lamp.

（付記４）
また好ましくは、
前記第一の加熱源は円周状に配列されている。 (Appendix 4)
Also preferably,
The first heating sources are arranged circumferentially.

（付記５）
また好ましくは、
前記第二の加熱源群と対向する前記フィルタ内の領域であって、前記基板の中心と対向する領域における前記フィルタの透過率を第三の透過率としたとき、
前記第三の透過率が前記第二の透過率よりも低く構成されている。 (Appendix 5)
Also preferably,
When the transmittance of the filter in the region facing the second heating source group and facing the center of the substrate is the third transmittance,
The third transmittance is configured to be lower than the second transmittance.

（付記６）
本発明の他の態様によれば、
基板を加熱する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向する位置に設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、
前記加熱源と前記基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、
前記加熱源と対向する領域における前記フィルタの透過率が、前記加熱源と対向しない領域における前記フィルタの透過率よりも低く構成されている
基板処理装置が提供される。 (Appendix 6)
According to another aspect of the invention,
A substrate processing apparatus for heating a substrate,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A heating unit that is provided at a position facing the substrate support surface of the substrate support unit and has a plurality of adjacent heat sources with a predetermined interval;
A filter provided between the heating source and the substrate support,
There is provided a substrate processing apparatus in which a transmittance of the filter in a region facing the heating source is lower than a transmittance of the filter in a region not facing the heating source.

（付記７）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を加熱する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向する位置に設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、
前記加熱源と前記基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、
前記フィルタは、複数の前記加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群（複数の前記加熱源のうち前記加熱部を構成する側壁に最も近い第一の加熱源群）とは異なる第二の加熱源群と対向する領域において、前記加熱源から照射される光のピーク強度の波長を除去するよう構成されている
基板処理装置が提供される。 (Appendix 7)
According to yet another aspect of the invention,
A substrate processing apparatus for heating a substrate,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A heating unit that is provided at a position facing the substrate support surface of the substrate support unit and has a plurality of adjacent heat sources with a predetermined interval;
A filter provided between the heating source and the substrate support,
The filter is a first heating source group constituting an outer edge of a heating source group composed of a plurality of the heating sources (a first heating source group closest to a side wall constituting the heating unit among the plurality of heating sources). There is provided a substrate processing apparatus configured to remove a wavelength of a peak intensity of light irradiated from the heating source in a region facing a second heating source group different from.

（付記８）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を処理室内に搬入し、前記処理室内に設けられた基板支持部の基板支持面上に載置する工程と、
ガス供給部から前記処理室内に不活性ガスを供給する工程と、
前記基板支持部の前記基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部から、複数の前記加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群に対向する領域（すなわち、複数の前記加熱源のうち前記加熱部を構成する側壁に最も近い第一の加熱源群に対向する領域）における透過率を第一の透過率とし、前記加熱源群のうち（すなわち、複数の前記加熱源のうち）前記第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域における透過率を第二の透過率としたとき、前記第一の透過率が前記第二の透過率よりも高く構成されているフィルタを介して前記基板に光を照射し、前記基板を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。 (Appendix 8)
According to yet another aspect of the invention,
Carrying the substrate into the processing chamber and placing it on the substrate support surface of the substrate support portion provided in the processing chamber;
Supplying an inert gas from the gas supply unit into the processing chamber;
An outer edge of a heating source group composed of a plurality of heating sources is configured from a heating unit that is provided so as to face the substrate supporting surface of the substrate supporting unit and has a plurality of adjacent heating sources with a predetermined interval therebetween. The transmittance in the region facing the first heating source group (that is, the region facing the first heating source group closest to the side wall constituting the heating unit among the plurality of heating sources) is the first transmission. The transmittance in a region facing the second heating source group that is different from the first heating source group among the heating source group (that is, among the plurality of heating sources) is the second transmittance. And irradiating the substrate with light through a filter configured to have the first transmittance higher than the second transmittance, and heating the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.

（付記９）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を処理室内に搬入し、前記処理室内に設けられた基板支持部の基板支持面上に載置する工程と、
ガス供給部から前記処理室内に不活性ガスを供給する工程と、
前記基板支持部の前記基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部から、それぞれの前記加熱源と対向する透過率が、複数の前記加熱源のいずれとも対向しない領域における透過率よりも低く構成されているフィルタを介して前記基板に光を照射し、前記基板を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。 (Appendix 9)
According to yet another aspect of the invention,
Carrying the substrate into the processing chamber and placing it on the substrate support surface of the substrate support portion provided in the processing chamber;
Supplying an inert gas from the gas supply unit into the processing chamber;
From the heating unit provided to face the substrate support surface of the substrate support unit and having a plurality of adjacent heat sources with a predetermined interval, the transmittance facing each of the heating sources is a plurality of Irradiating the substrate with light through a filter configured to be lower than the transmittance in a region not facing any of the heating sources, and heating the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.

（付記１０）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を処理室内に搬入し、前記処理室内に設けられた基板支持部の基板支持面上に載置する工程と、
ガス供給部から前記処理室内に不活性ガスを供給する工程と、
前記基板支持部の前記基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部から、複数の前記加熱源のうち前記加熱部を構成する側壁に最も近い第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域において、前記加熱源から照射される光のピーク強度の波長を除去するよう構成されているフィルタを介して前記基板に光を照射し、前記基板を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。 (Appendix 10)
According to yet another aspect of the invention,
Carrying the substrate into the processing chamber and placing it on the substrate support surface of the substrate support portion provided in the processing chamber;
Supplying an inert gas from the gas supply unit into the processing chamber;
Side walls constituting the heating unit among the plurality of heating sources from a heating unit which is provided so as to face the substrate supporting surface of the substrate supporting unit and has a plurality of heating sources adjacent to each other at a predetermined interval. In a region facing a second heating source group different from the first heating source group closest to the first heating source group, the filter is configured to remove the wavelength of the peak intensity of light emitted from the heating source. Irradiating the substrate with light and heating the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.

（付記１１）
本発明の更に他の態様によれば、
ランプを１つあるいは複数配置して前記ランプの光により基板を加熱する基板処理装置において、
前記ランプから前記基板上に照射される照明強度分布を任意の分布に形成する透過率補正板として構成されたフィルタを、前記ランプと前記基板との間に有する
基板処理装置が提供される。 (Appendix 11)
According to yet another aspect of the invention,
In a substrate processing apparatus in which one or a plurality of lamps are arranged and a substrate is heated by the light of the lamps,
There is provided a substrate processing apparatus having a filter configured as a transmittance correction plate for forming an illumination intensity distribution irradiated onto the substrate from the lamp into an arbitrary distribution between the lamp and the substrate.

（付記１２）
本発明の更に他の態様によれば、
ランプを１つあるいは複数配置して前記ランプの光により基板を加熱する基板処理装置
において、
前記ランプから前記基板上に照射される光の波長分布を任意の分布に形成する波長制御板として構成されたフィルタを、前記ランプと前記基板との間に有する
基板処理装置が提供される。 (Appendix 12)
According to yet another aspect of the invention,
In a substrate processing apparatus in which one or a plurality of lamps are arranged and a substrate is heated by the light of the lamps,
There is provided a substrate processing apparatus having a filter configured as a wavelength control plate for forming a wavelength distribution of light irradiated on the substrate from the lamp into an arbitrary distribution between the lamp and the substrate.

（付記１３）
前記の透過率補正板は２次元あるいは非線形の透過率補正分布を有する
付記１１に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 13)
The substrate processing apparatus according to attachment 11, wherein the transmittance correction plate has a two-dimensional or nonlinear transmittance correction distribution.

（付記１４）
前記の波長制御板は２次元あるいは非線形の波長制御分布を有する
付記１２に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 14)
The substrate processing apparatus according to attachment 12, wherein the wavelength control plate has a two-dimensional or nonlinear wavelength control distribution.

（付記１５）
前記の任意の照明強度分布あるいは波長分布は、前記ランプから前記フィルタを介さずに光を照射して加熱されたときの前記基板の温度分布により決定される
付記１１または付記１２に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 15)
The substrate processing according to appendix 11 or appendix 12, wherein the arbitrary illumination intensity distribution or wavelength distribution is determined by a temperature distribution of the substrate when irradiated with light from the lamp without passing through the filter. An apparatus is provided.

（付記１６）
前記２次元の透過率補正分布は、前記ランプから前記フィルタを介さずに前記基板に照射される光の照明強度分布の測定結果からコンピュータにより算出され、前記コンピュータにより前記フィルタのパターンが自動作成される
付記１１に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 16)
The two-dimensional transmittance correction distribution is calculated by a computer from a measurement result of an illumination intensity distribution of light irradiated on the substrate from the lamp without passing through the filter, and the filter pattern is automatically created by the computer. A substrate processing apparatus according to Supplementary Note 11 is provided.

（付記１７）
前記の２次元の波長制御分布は、前記ランプから前記フィルタを介さずに前記基板に照射される光の波長分布の測定結果からコンピュータにより算出される
付記１２に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 17)
The substrate processing apparatus according to appendix 12, wherein the two-dimensional wavelength control distribution is calculated by a computer from a measurement result of a wavelength distribution of light emitted from the lamp to the substrate without passing through the filter. .

（付記１８）
前記透過率補正板として構成されたフィルタは、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンが、前記コンピュータに接続されたプリンタにより透明フィルム上に印刷されることで製造されている
付記１６に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 18)
The substrate according to appendix 16, wherein the filter configured as the transmittance correction plate is manufactured by printing a predetermined light-shielding pattern or semi-light-transmitting pattern on a transparent film by a printer connected to the computer. A processing device is provided.

（付記１９）
前記透過率補正板として構成されたフィルタは、所定の遮光パターンあるいは半透光パターンが、リソグラフィー工程によりガラス上に作成されることで製造されている
付記１１に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 19)
The substrate processing apparatus according to appendix 11, wherein the filter configured as the transmittance correction plate is manufactured by forming a predetermined light-shielding pattern or semi-light-transmitting pattern on glass by a lithography process. .

（付記２０）
前記透過率補正板として構成されたフィルタは、形状の異なる複数のフィルム、あるいは形状の異なる複数のガラスを２枚以上重ね合わせることで製造されている
付記１１に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 20)
The substrate processing apparatus according to appendix 11, wherein the filter configured as the transmittance correction plate is manufactured by superimposing a plurality of films having different shapes or a plurality of glasses having different shapes. .

（付記２１）
前記透過率補正板として構成されたフィルタは、透過率および形状の異なる複数のフィルム、あるいは透過率および形状の異なる複数のガラスを２枚以上重ね合わせることで製造されている付記１１に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 21)
The substrate according to appendix 11, wherein the filter configured as the transmittance correction plate is manufactured by stacking two or more films having different transmittances and shapes, or a plurality of glasses having different transmittances and shapes. A processing device is provided.

（付記２２）
前記透過率補正板として構成されたフィルタは、アルミニウム合金等からなる遮光性の金属部材に所定の間隔で所定の径の貫通孔を開設させることで製造されている
付記１１に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 22)
The substrate processing apparatus according to appendix 11, wherein the filter configured as the transmittance correction plate is manufactured by opening through holes having a predetermined diameter at predetermined intervals in a light-shielding metal member made of an aluminum alloy or the like. Is provided.

（付記２３）
前記波長制御板として構成されたフィルタは、形状の異なる複数の波長フィルタ（フィルム、あるいはガラス）を２枚以上重ね合わせることで製造されている付記１２に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 23)
The substrate processing apparatus according to attachment 12, wherein the filter configured as the wavelength control plate is manufactured by stacking two or more wavelength filters (film or glass) having different shapes.

（付記２４）
前記基板は真空排気可能に構成された処理室内に搬入されるよう構成され、
前記ランプは前記処理室の外部に設けられており、
前記透過率補正板あるいは前記波長制御板として形成された前記フィルタは、前記処理室内の気密を保持しつつ、前記ランプからの光を前記処理室内に導入する透光性窓部材として構成されている付記１１または付記１２に記載の基板処理装置が提供される。 (Appendix 24)
The substrate is configured to be carried into a processing chamber configured to be evacuated,
The lamp is provided outside the processing chamber;
The filter formed as the transmittance correction plate or the wavelength control plate is configured as a translucent window member that introduces light from the lamp into the processing chamber while maintaining airtightness in the processing chamber. A substrate processing apparatus according to Supplementary Note 11 or Supplementary Note 12 is provided.

１０基板処理装置
１２搬送室
１４ａ，１４ｂロードロック室
１６ａ，１６ｂ処理室
２０大気搬送室
２２基板
３６真空ロボット
３８ａ上フィンガ
３８ｂ下フィンガ
４０フィンガ対
４２アーム
４４ａ，４４ｂ基板支持部
４５ａ，４５ｂヒータ
４６仕切り部材
５０反応室
５１ａ，５１ｂガス供給部
５２ａ，５２ｂランプハウス（加熱部）
５４ａ，５４ｂ排気バッフルリング
５６孔部
５７ａ，５７ｂランプ群（加熱源群）
５８第１の排気口
６０第２の排気口
６２第３の排気口
６４ロボットアーム
６６フィンガ
６８軸部
７０弧状部
７２突起部
７４基板保持ピン
７６溝部
８０ａ，８０ｂランプ（加熱源） DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 12 Transfer chamber 14a, 14b Load lock chamber 16a, 16b Processing chamber 20 Atmospheric transfer chamber 22 Substrate 36 Vacuum robot 38a Upper finger 38b Lower finger 40 Finger pair 42 Arms 44a, 44b Substrate support part 45a, 45b Heater 46 Partition Member 50 Reaction chamber 51a, 51b Gas supply part 52a, 52b Lamp house (heating part)
54a, 54b Exhaust baffle ring 56 Holes 57a, 57b Lamp group (heating source group)
58 First exhaust port 60 Second exhaust port 62 Third exhaust port 64 Robot arm 66 Finger 68 Shaft portion 70 Arc portion 72 Projection portion 74 Substrate holding pin 76 Groove portions 80a and 80b Lamp (heating source)

Claims

基板を加熱する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、
前記加熱源と前記基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、
複数の前記加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群に対向する領域における前記フィルタの透過率を第一の透過率とし、
前記加熱源群のうち前記第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域における前記フィルタの透過率を第二の透過率としたとき、
前記第一の透過率が前記第二の透過率よりも高く構成されている
ことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for heating a substrate,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A heating unit that is provided so as to face the substrate support surface of the substrate support unit, and has a plurality of heating sources that are adjacent to each other at a predetermined interval;
A filter provided between the heating source and the substrate support,
The transmittance of the filter in the region facing the first heating source group constituting the outer edge of the heating source group consisting of a plurality of the heating sources is defined as the first transmittance,
When the transmittance of the filter in the region facing the second heating source group different from the first heating source group among the heating source group is the second transmittance,
The substrate processing apparatus, wherein the first transmittance is configured to be higher than the second transmittance.

基板を加熱する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、
前記加熱源と前記基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、
前記フィルタは、複数の前記加熱源のうち前記加熱部を構成する側壁に最も近い第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域において、前記加熱源から照射される光のピーク強度の波長を除去するよう構成されている
ことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for heating a substrate,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A heating unit that is provided so as to face the substrate support surface of the substrate support unit, and has a plurality of heating sources that are adjacent to each other at a predetermined interval;
A filter provided between the heating source and the substrate support,
The filter emits light emitted from the heating source in a region facing a second heating source group different from the first heating source group closest to the side wall constituting the heating unit among the plurality of heating sources. The substrate processing apparatus is configured to remove a wavelength having a peak intensity.

基板を処理室内に搬入し、前記処理室内に設けられた基板支持部の基板支持面上に載置する工程と、
ガス供給部から前記処理室内に不活性ガスを供給する工程と、
前記基板支持部の前記基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部から、複数の前記加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群に対向する領域における透過率を第一の透過率とし、前記加熱源群のうち前記第一の加熱源群とは異なる第二の加熱源群と対向する領域における透過率を第二の透過率としたとき、前記第一の透過率が前記第二の透過率よりも高く構成されているフィルタを介して前記基板に光を照射し、前記基板を加熱する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Carrying the substrate into the processing chamber and placing it on the substrate support surface of the substrate support portion provided in the processing chamber;
Supplying an inert gas from the gas supply unit into the processing chamber;
An outer edge of a heating source group composed of a plurality of heating sources is configured from a heating unit that is provided so as to face the substrate supporting surface of the substrate supporting unit and has a plurality of adjacent heating sources with a predetermined interval therebetween. The transmittance in the region facing the first heating source group is the first transmittance, and the transmission in the region facing the second heating source group different from the first heating source group in the heating source group. Irradiating the substrate with light through a filter configured so that the first transmittance is higher than the second transmittance when the rate is the second transmittance, and heating the substrate; ,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: